RU2639565C2 - Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием - Google Patents
Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием Download PDFInfo
- Publication number
- RU2639565C2 RU2639565C2 RU2014143771A RU2014143771A RU2639565C2 RU 2639565 C2 RU2639565 C2 RU 2639565C2 RU 2014143771 A RU2014143771 A RU 2014143771A RU 2014143771 A RU2014143771 A RU 2014143771A RU 2639565 C2 RU2639565 C2 RU 2639565C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- wavelength converting
- light emitting
- wavelength
- emitting device
- semiconductor light
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Полупроводниковый светоизлучающий прибор содержит первый преобразующий длину волны элемент, расположенный на верхней светоизлучающей поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит первый преобразующий длину волны материал, который не шире, чем эта верхняя светоизлучающая поверхность; и второй преобразующий длину волны элемент, расположенный на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит второй преобразующий длину волны материал, который не простирается на верхнюю светоизлучающую поверхность, при этом первый и второй преобразующие длину волны материалы являются разными преобразующими длину волны материалами. Изобретение обеспечивает повышение эффективности устройства. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение относится к полупроводниковому светоизлучающему прибору, такому как светоизлучающий диод, скомпонованному с боковым покрытием, включающим в себя преобразующий длину волны материал, такой как люминофор.
ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Полупроводниковые светоизлучающие приборы, включающие в себя светоизлучающие диоды (СИДы), светоизлучающие диоды с объемным резонатором (RCLEDs) (RCLED - от англ. resonant cavity light emitting diode), лазеры поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSELs) (VCSEL - от англ. vertical cavity surface emitting laser) и лазеры с торцевым излучением, являются наиболее эффективными источниками света, доступными в настоящее время. Системы материалов, представляющие в настоящее время интерес при производстве сверхъярких светоизлучающих приборов, способных к работе по всему видимому спектру, включают в себя полупроводники III-V групп, особенно двухкомпонентные, трехкомпонентные и четырехкомпонентные твердые растворы галлия, алюминия, индия и азота, называемые также III-нитридными материалами. Как правило, III-нитридные светоизлучающие приборы изготавливают эпитаксиальным выращиванием пакета полупроводниковых слоев разных составов и концентраций легирующей примеси на сапфировой, из карбида кремния, III-нитридной или другой пригодной подложке с помощью химического осаждения из паровой фазы металлорганических соединений (MOCVD), молекулярной лучевой эпитаксии (МЛЭ) или других эпитаксиальных методов. Пакет часто включает в себя один или более слоев n-типа, легированных, например, Si, сформированных на подложке, один или более светоизлучающих слоев в активной области, сформированных на слое или слоях n-типа, и один или более слоев p-типа, легированных, например, Mg, сформированных на активной области. Электрические контакты формируют на областях n-типа и p-типа.
III-нитридные приборы можно объединять с преобразующими длину волны материалами, такими как люминофоры, которые известны в области техники, для образования белого света или света других цветов. Преобразующие длину волны материалы поглощают свет, излучаемый светоизлучающей областью III-нитридного прибора, и излучают свет другой длины волны. III-нитридные приборы с преобразованием длины волны можно использовать для многих применений, среди которых общее освещение, подсветка для дисплеев, автомобильное освещение и вспышки фотокамер, т.е. импульсные или другие вспышки.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей изобретения является обеспечение полупроводникового светоизлучающего прибора с преобразующим длину волны боковым покрытием. Боковое покрытие может улучшать эффективность прибора.
Варианты воплощения изобретения включают в себя полупроводниковый светоизлучающий прибор, первый преобразующий длину волны элемент, расположенный на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, и второй преобразующий длину волны элемент, расположенный на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора. Первый и второй преобразующие длину волны элементы включают в себя разные преобразующие длину волны материалы.
Способ согласно вариантам воплощения изобретения включает в себя обеспечение полупроводникового светоизлучающего прибора. Первый преобразующий длину волны материал располагают на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора. После расположения первого преобразующего длину волны материала на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора второй преобразующий длину волны материал располагают на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1 иллюстрирует преобразующий длину волны слой, расположенный на верхней поверхности СИД.
Фиг. 2 иллюстрирует структуру согласно вариантам воплощения изобретения, включающую в себя СИД, преобразующий длину волны слой и преобразующее длину волны боковое покрытие.
Фиг. 3, 4, 5 иллюстрируют заранее изготовленные преобразующие длину волны структуры.
Фиг. 6 иллюстрирует способ согласно вариантам воплощения изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
Фиг. 1 иллюстрирует полупроводниковый прибор, такой как СИД 10, с преобразующей длину волны структурой 12, такой как слой люминофора, расположенный на верхней поверхности СИД. Преобразующая длину волны структура 12 может быть структурой, которую изготавливают заранее, т.е. изготовленной отдельно от СИД 10, затем прикрепленной к СИД 10. Одним примером заранее изготовленной преобразующей длину волны структурой 12 является керамический люминофор, описанный более подробно в US 7361938, который включен сюда по ссылке. Керамический люминофор можно сформировать спеканием порошкового люминофора в керамическое твердое тело. Частицы люминофора нагревают до тех пор, пока они не начнут плавиться и сцепляться. Нагретые частицы люминофора затем формуют в керамическую плоскую заготовку. Керамическая плоская заготовка может не содержать традиционных связующих материалов, таких как органические связующие материалы, эпоксидные, силиконовые, неорганические связующие материалы и стекло. Другим примером заранее изготовленной преобразующей длину волны структуры 12 является люминофор или другой преобразующий длину волны материал, размещенный в прозрачной матрице, такой как стекло или силикон. Заранее изготовленные преобразующие длину волны структуры часто формируют в виде большого листа, который затем разделяют на структуры такого размера, который соответствует СИД 10. В результате, как проиллюстрировано на фиг. 1, заранее изготовленная преобразующая длину волны структура 12 часто не закрывает боковины СИД 10.
Заранее изготовленные преобразующие длину волны структуры 12 часто являются толстыми по сравнению с толщиной СИД 10. Например, керамическая плоская заготовка люминофора или стеклянный элемент с внедренным люминофором может быть толщиной 200 мкм, в то время как СИД 10 может быть толщиной 50 мкм. Из-за толщины преобразующей длину волны структуры 12 часть света излучается через боковины преобразующей длину волны структуры 12. Боковой свет является нежелательным, поскольку это может вызвать вариации внешнего вида света, излучаемого структурой, проиллюстрированной на фиг. 1, в зависимости от угла обзора.
В вариантах воплощения изобретения преобразующий длину волны материал располагают на боковинах СИД с преобразованием длины волны. Преобразующее длину боковое покрытие может уменьшать вариации цвета по углу в излучаемом структурой свете и может улучшать полезное использование света от СИДа.
Фиг. 2 иллюстрирует структуру согласно вариантам воплощения изобретения. Обеспечивается полупроводниковый светоизлучающий прибор, такой как СИД 10. Хотя в примерах ниже полупроводниковые светоизлучающие приборы являются III-нитридными СИДами, которые излучают синий или УФ-свет, можно использовать полупроводниковые светоизлучающие приборы помимо СИДов, такие как лазерные диоды, и полупроводниковые светоизлучающие приборы, сделанные из других систем материалов, таких как другие III-V материалы, III-фосфиды, III-арсениды, II-VI материалы, ZnO или материалы на основе Si.
Можно использовать любой пригодный III-нитридный СИД, и такие СИДы хорошо известны. СИД 10 может быть, например, прибором, смонтированным методом перевернутого кристалла, выполненным с возможностью излучать большую часть света с верхней поверхности СИДа. Для формирования такого СИДа на подложке роста сначала выращивают III-нитридную полупроводниковую структуру, которая известна в данной области техники. Подложкой роста может быть любая пригодная подложка, такая как, например, сапфировая, SiC, Si, GaN или композитная подложки. Полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающую или активную область, размещенную между областями n- и p-типа. Область n-типа можно вырастить первой, и она может включать в себя множественные слои различных составов и концентраций легирующей примеси, включая, например, подготовительные слои, такие как буферные слои или зародышевые слои, и/или слои, предназначенные для облегчения удаления подложки роста, которые могут быть n-типа или непреднамеренно легированными, и приборными слоями n- или даже p-типа, спроектированными для особых оптических, физических или электрических свойств, желательных для светоизлучающей области, с целью эффективного излучения света. Светоизлучающую или активную область выращивают на области n-типа. Примеры пригодных светоизлучающих областей включают в себя одиночный толстый или тонкий светоизлучающий слой или светоизлучающую область на множественных квантовых ямах, включающую множество тонких или толстых светоизлучающих слоев, разделенных барьерными слоями. Область p-типа может затем быть выращена на светоизлучающей области. Подобно области n-типа, область p-типа может включать в себя множественные слои разных состава, толщины и концентрации легирующей примеси, включая непреднамеренно легированные слои или слои n-типа. Общая толщина всего полупроводникового материала в приборе составляет в некоторых вариантах воплощения менее чем 10 мкм, а в некоторых вариантах воплощения - менее чем 6 мкм.
Металлический p-контакт формируют на области p-типа. Если большая часть света направляется из полупроводниковой структуры через поверхность, противоположную p-контакту, как, например, в приборе, смонтированном методом перевернутого кристалла, то p-контакт может быть отражающим. Смонтированным методом перевернутого кристалла прибор может быть образован с помощью формирования рисунка полупроводниковой структуры посредством стандартных фотолитографических операций и травления полупроводниковой структуры для удаления части всей толщины области p-типа и части всей толщины светоизлучающей области, с образованием мезы, которая вскрывает поверхность области n-типа, на которой формируют металлический n-контакт. Меза и p- и n-контакты могут быть сформированы любым пригодным способом. Формирование мезы и p- и n-контактов хорошо известно специалисту в данной области техники.
Полупроводниковая структура может быть соединена с основанием через p- и n-контакты. Основание представляет собой структуру, которая механически поддерживает полупроводниковую структуру. Основание является самостоятельной структурой, пригодной для прикрепления к структуре, на которой монтируют СИД 10. Например, основание может быть способным к пайке оплавлением. Может быть использовано любое пригодное основание. Примеры пригодных оснований включают в себя изолирующую или полуизолирующую полупроводниковую пластину с проводящими сквозными отверстиями для формирования электрических соединений с полупроводниковой структурой, такую как кремниевая полупроводниковая пластина, толстые металлические контактные площадки, сформированные на полупроводниковой структуре, например, посредством металлизации, или керамическую, металлическую или любую другую пригодную монтажную подложку.
СИД 10, который включает в себя полупроводниковую структуру, металлические контакты и основание, описанное выше, необязательно может быть прикреплен к монтажной подложке 16. Монтажная подложка 16 может быть оптически отражающей и теплопроводящей. Электрический контакт к СИДу 10 может быть выполнен сквозь монтажную подложку 16. Примеры пригодных монтажных подложек 16 включают в себя печатную плату на металлической основе, печатную плату на основе FR4 (стеклотекстолита), керамику, металл, медь, пластмассу и силикон. В некоторых вариантах воплощения верхняя поверхность монтажной подложки 16 является отражающей или покрыта отражающим веществом, таким как отражающая краска, или слоем отражающего металла. Монтажная подложка 16 может иметь теплопроводность по меньшей мере 0,1 Вт/м⋅К (силикон) в некоторых вариантах воплощения, по меньшей мере 10 Вт/м⋅К в некоторых вариантах воплощения, и по меньшей мере 100 Вт/м⋅К в некоторых вариантах воплощения, и между 0,1 Вт/м⋅К и 400 Вт/м⋅К в некоторых вариантах воплощения.
На верхней поверхности СИДа 10 сформирован преобразующий длину волны слой 12. Преобразующий длину волны слой 12 может быть одним или более традиционными люминофорами, органическими люминофорами, квантовыми точками, органическими полупроводниками, II-VI или III-V полупроводниками, II-VI или III-V полупроводниковыми квантовыми точками или нанокристаллами, красителями, полимерами или материалами, такими как GaN, которые люминесцируют. Можно использовать любой пригодный люминофор, включая, но не ограничиваясь этим, люминофоры на основе граната Y3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5-xGaxO12:Ce, (Ba1-xSrx)SiO3:Eu (BOSE), люминофоры на основе нитрида, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu и (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu. Преобразующий длину волны материал 12 может включать в себя один единственный преобразующий длину волны материал или множественные преобразующие длину волны материалы, которые могут быть смешаны вместе или могут быть расположены на верху СИДа 10 отдельными слоями. Преобразующий длину волны слой часто не покрывает боковины СИДа 10, хотя в некоторых вариантах воплощения преобразующий длину волны слой 12 может простираться на боковины СИДа 10, а второй преобразующий длину волны слой 22, описанный ниже, может быть сформирован на участке преобразующего длину волны слоя 12, который покрывает боковины СИДа 10.
В некоторых вариантах воплощения преобразующий длину волны слой 12 формируют одновременно с прикреплением его к СИДу 10. Примеры таких преобразующих длину волны слоев включают в себя порошковые люминофоры, образованные путем электрофорезного осаждения, и красители или порошковые люминофоры, смешанные с прозрачным связующим материалом, таким как силикон или эпоксидная смола, которые отливают, наносят методом трафаретной печати, наносят напылением или инжектируют поверх СИД 10.
В некоторых вариантах воплощения преобразующий длину волны слой 12 представляет собой заранее изготовленный преобразующий длину волны слой, такой как керамический люминофор или преобразующий длину волны материал, помещенный в стекле или другом прозрачном твердом материале. Пригодные заранее изготовленные преобразующие длину волны материалы описываются выше в тексте, сопровождающем фиг. 1. Заранее изготовленные преобразующие длину волны слои 12 могут быть прикреплены к верхней поверхности СИДа 10 с помощью прозрачного связывающего слоя 20, которым может быть любой соответствующий связывающий материал, такой как эпоксидная смола, силикон или стекло. Кроме того, заранее изготовленный преобразующий длину волны слой 12 может быть прикреплен к СИД 10 без связывающего слоя, например, посредством спекания или горячего прессования.
Фиг. 3, 4, 5 иллюстрируют примеры различных заранее изготовленных преобразующих длину волны элементов 12. В преобразующем длину волны элементе 12, проиллюстрированном на фиг. 3, преобразующий длину волны материал 28 ограничен самой дальней от СИД 10 частью преобразующего длину волны элемента (СИД 10 располагают ближайшим к нижней поверхности 32 преобразующего длину волны элемента 12). Остальная часть 30 преобразующего длину волны элемента 12 может быть прозрачным материалом или рассеивающей структурой. Например, преобразующий длину волны материал 28 может быть люминофором, размещенным в прозрачном материале, таком как стекло. Прозрачная часть 30 может быть стеклом без преобразующего длину волны материала, с внедренными в стекло рассеивающими частицами или без них. Преобразующим длину волны элементом 12 может быть керамический люминофор. Люминофор, как правило, включает в себя кристаллическую матрицу и активирующую примесь. Например, кристалл ИАГ может быть легирован активирующей примесью церия и/или европия, как известно в данной области техники. Активирующая примесь заставляет кристаллическую матрицу излучать свет. В керамическом люминофоре, сформированном согласно структуре, проиллюстрированной на фиг. 3, часть 28 может включать в себя кристаллическую матрицу и активирующую примесь. Часть 30 может включать в себя только кристаллическую матрицу без активирующей примеси. Части 28 и 30 могут быть спечены вместе в керамическую плоскую заготовку, как описано выше.
В преобразующем длину волны элементе 12, проиллюстрированном на фиг. 4, преобразующая длину волны часть 28 ограничена ближайшей к СИДу частью преобразующего длину волны элемента 12 (нижней поверхностью 32). Прозрачная часть 30 находится над преобразующей длину волны частью 28.
В преобразующем длину волны элементе 12, показанном на фиг. 5, преобразующая длину волны часть 28 расположена в центре преобразующего длину волны элемента 12. Прозрачные части 30А и 30B располагаются выше и ниже преобразующей длину волны части 28.
Возвращаясь к фиг. 2, на боковинах СИДа 10 и преобразующего длину волны слоя 12 сформировано боковое покрытие 22. Боковое покрытие 22 может включать в себя преобразующий длину волны материал 26, размещенный в прозрачной матрице 24. Преобразующий длину волны материал 26 может быть одним или более традиционными люминофорами, органическими люминофорами, квантовыми точками, органическими полупроводниками, II-VI или III-V полупроводниками, II-VI или III-V полупроводниковыми квантовыми точками или нанокристаллами, красителями, полимерами или материалами, такими как GaN, которые люминесцируют. Можно использовать любой пригодный люминофор, включая, но не ограничиваясь ими, люминофоры на основе граната, Y3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5-xGaxO12:Ce, (Ba1-xSrx)SiO3:Eu (BOSE), люминофоры на основе нитрида, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu и (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu. Преобразующий длину волны материал 26 может включать в себя один единственный преобразующий длину волны материал или множественные преобразующие длину волны материалы, которые могут быть смешаны вместе или могут быть расположены на боковине структуры отдельными слоями.
В некоторых вариантах воплощения боковое покрытие 22 выполняют с возможностью рассеивать падающий на него свет. В некоторых вариантах воплощения используют рассеивающий преобразующий длину волны материал, такой как порошковый люминофор. В некоторых вариантах воплощения рассеивающие частицы, такие как TiO2 или любой другой пригодный рассеивающий материал, смешивают с рассеивающим или нерассеивающим преобразующим длину волны материалом в боковом покрытии 22. Альтернативно, рассеивающие частицы могут быть сформированы над или под преобразующим длину волны боковым покрытием 22 в виде отдельного слоя бокового покрытия.
Прозрачной матрицей 24 может быть любой пригодный прозрачный материал, такой как силикон или эпоксидная смола. В некоторых вариантах воплощения прозрачной матрицей 24 пренебрегают и преобразующий длину волны материал 26 наносят непосредственно на боковины СИДа 10 и преобразующего длину волны элемента 12.
Боковое покрытие 22 может быть сформировано любым пригодным методом. В некоторых вариантах воплощения боковое покрытие 22 формируют смешиванием преобразующего длину волны материала, такого как порошковый люминофор, с жидким материалом матрицы, таким как силикон, для образования суспензии. Суспензия может быть сформирована в виде листа, затем частично отвержденного так, что лист является гибким. Гибкий лист затем напрессовывают на боковины СИДа 10, используя имеющиеся в продаже машины для ламинирования. Кроме того, суспензия может быть распределена по боковинам СИДа 10, например, с использованием шприца, затем отверждена до твердого состояния при повышенной температуре, например при 150°C. Кроме того, суспензия может быть нанесена на боковины СИДа 10 с использованием ракельного ножа, затем отверждена до твердого состояния при повышенной температуре, например при 150°C. В некоторых вариантах воплощения боковое покрытие 22 отливают на СИДе 10. Литейную форму соответствующего размера и формы размещают на СИДе 10, затем заполняют преобразующим длину волны материалом, смешанным с жидким материалом матрицы. Жидкий материал матрицы отверждают до твердого состояния, затем литейную форму удаляют, оставляя боковое покрытие 22. В некоторых вариантах воплощения преобразующий длину волны материал размещают на верхней стороне и боковинах СИДа 10, затем преобразующий длину волны материал удаляют с верхней стороны СИДа 10, например, соскребанием, оставляя только боковое покрытие 22.
В некоторых вариантах воплощения боковое покрытие 22 формируют достаточно толстым так, что весь свет, падающий на боковое покрытие, или большая его часть преобразуется в свет другой длины волны. В некоторых вариантах воплощения толщину бокового покрытия 22 выбирают так, чтобы позволить некоторому количеству непреобразованного света от СИДа 10 выходить наружу.
В некоторых вариантах воплощения боковое покрытие 22 выполняют с возможностью создавать равномерное цветовое распределение независимо от угла зрения.
Как описано выше, каждая из преобразующих длину волны областей 12 и 22 может включать в себя единственный преобразующий длину волны материал или множественные преобразующие длину волны материалы, которые смешаны или разделены. В некоторых вариантах воплощения преобразующие длину волны области 12 и 22 включают в себя разные преобразующие длину волны материалы. В некоторых вариантах воплощения люминофор красного свечения располагают на боковинах СИДа 10, а люминофор зеленого или желтого свечения располагают наверху СИДа 10. В некоторых вариантах воплощения смесь люминофора красного свечения и люминофора зеленого/желтого свечения располагают и наверху, и на боковинах СИДа 10. В некоторых вариантах воплощения смесь люминофора красного свечения и квантовых точек красного свечения располагают на боковинах СИДа 10, а смесь множества типов люминофоров зеленого свечения располагают наверху СИДа 10. В некоторых вариантах воплощения единственный люминофор красного свечении располагают на боковинах СИДа 10, а смесь одинаковых или различных люминофора красного свечения и люминофора зеленого/желтого свечения располагают наверху СИДа 10. Описанные выше варианты воплощения являются лишь некоторыми из многих возможных комбинаций, которые могут быть предусмотрены специалистом в данной области техники и которые находятся в рамках объема изобретения.
В некоторых вариантах воплощения прибор включает в себя преобразующий длину волны материал А, который может быть возбужден светом, излученным другим преобразующим длину волны материалом B. Преобразующий длину волны материал А может быть расположен на боковинах СИДа 10, в то время как преобразующий длину волны материал B может быть расположен наверху СИДа 10, для сведения к минимуму взаимодействия между преобразующими длину волны материалами.
Например, приборы, которые производят белый свет, часто включают в себя СИД синего свечения и люминофоры красного и зеленого или желтого свечения. Многие люминофоры, которые излучают красный свет, будут поглощать свет, излучаемый люминофором зеленого или желтого свечения. В некоторых вариантах воплощения люминофор красного свечения располагают на боковинах СИДа 10, а люминофор зеленого или желтого свечения располагают наверху СИДа 10. При таком расположении люминофор красного свечения может поглощать меньше зеленого или желтого света, чем в системе, где люминофоры красного и зеленого/желтого свечения смешаны, что может улучшить коэффициент цветопередачи смешанного света, может улучшить эффективность прибора и может упростить программирование цвета.
Фиг. 6 иллюстрирует способ формирования структуры, проиллюстрированной на фиг. 2. На стадии 36 обеспечивают СИД 10. СИД 10 может быть прикреплен к монтажной подложке 16, хотя это не обязательно. На стадии 38 преобразующий длину волны элемент 12 прикрепляют к СИДу 10, в случае заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента, или его формируют поверх СИДа 10. На стадии 40 на СИДе 10 формируют преобразующее длину волны боковое покрытие 22. Преобразующее длину волны боковое покрытие 22 часто покрывает боковины как СИДа 10, так и преобразующего длину волны элемента 12, хотя в некоторых вариантах воплощения преобразующее длину волны боковое покрытие 22 может покрывать боковины только СИДа 10 или только преобразующего длину волны элемента 12, или участок боковин одного из СИДа 10 и преобразующего длину волны элемента 12 или и того, и другого.
Варианты воплощения изобретения могут давать несколько преимуществ. Оптическая эффективность СИДа с преобразованием длины волны снижается, если увеличивается рассеяние от преобразующего длину волны слоя на верхней стороне СИДа 10. В нескольких вариантах воплощения некоторые из рассеивающих преобразующих длину волны материалов удаляют с верхней стороны СИДа и помещают на боковину, что может улучшить эффективность структуры. Нанесение преобразующего длину волны материала на боковины СИДа может обеспечить другой параметр, который может быть отрегулирован для достижения желаемой цветовой точки излучаемого структурой света, что может упростить программирование цвета или улучшить эффективность структуры. Использование преобразующего длину волны бокового покрытия может уменьшить или исключить необходимость использования рассеивающих частиц в структуре, что может уменьшить стоимость и/или сложность структуры. Использование преобразующего длину волны бокового покрытия может уменьшить изменение цвета по углу в излучаемом структурой свете. Использование преобразующего длину волны бокового покрытия может дать возможность разделить преобразующие длину волны материалы, что может улучшить эффективность путем уменьшения взаимодействия между преобразующими длину волны областями.
Имея подробное описание изобретения, специалисты в данной области техники поймут, что с учетом настоящего раскрытия в изобретении могут быть проделаны модификации без отступления от сути описанного здесь изобретательского замысла. Следовательно, не подразумевается, что объем изобретения ограничивается проиллюстрированными и описанными конкретными вариантами воплощения.
Claims (22)
1. Полупроводниковый светоизлучающий прибор, содержащий:
первый преобразующий длину волны элемент, расположенный на верхней светоизлучающей поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит первый преобразующий длину волны материал, который не шире, чем эта верхняя светоизлучающая поверхность; и
второй преобразующий длину волны элемент, расположенный на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит второй преобразующий длину волны материал, который не простирается на верхнюю светоизлучающую поверхность, при этом первый и второй преобразующие длину волны материалы являются разными преобразующими длину волны материалами.
2. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 1, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит заранее изготовленный преобразующий длину волны элемент.
3. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 2, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит люминофор, внедренный в прозрачный материал.
4. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 1, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит керамический люминофор.
5. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 1, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит порошковый люминофор, расположенный в прозрачной матрице.
6. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 1, при этом:
первый преобразующий длину волны материал излучает зеленый или желтый свет; а
второй преобразующий длину волны материал излучает красный свет.
7. Полупроводниковый светоизлучающий прибор по п. 1, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит рассеивающие частицы.
8. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора, включающий:
расположение первого преобразующего длину волны материала на верхней светоизлучающей поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны материал ограничен площадью не шире, чем верхняя светоизлучающая поверхность; и
после расположения первого преобразующего длину волны материала на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, расположение второго преобразующего длину волны материала на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны материал не простирается на верхнюю светоизлучающую поверхность.
9. Способ по п. 8, при этом расположение первого преобразующего длину волны материала содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента к верхней светоизлучающей поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора.
10. Способ по п. 9, при этом первым преобразующим длину волны материалом является керамический люминофор.
11. Способ по п. 9, при этом первым преобразующим длину волны материалом является люминофор, внедренный в стекло.
12. Способ по п. 9, при этом заранее изготовленный преобразующий длину волны элемент содержит первую область из преобразующего длину волны материала и вторую область из прозрачного материала.
13. Способ по п. 12, при этом прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента таким образом, что первая область располагается между полупроводниковым светоизлучающим прибором и второй областью.
14. Способ по п. 12, при этом прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента таким образом, что вторая область располагается между полупроводниковым светоизлучающим прибором и первой областью.
15. Способ по п. 8, при этом расположение второго преобразующего длину волны материала на упомянутой боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит формование второго преобразующего длину волны материала.
16. Способ по п. 8, при этом первый и второй преобразующий длину волны материалы излучают свет разных цветов.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261617903P | 2012-03-30 | 2012-03-30 | |
US61/617,903 | 2012-03-30 | ||
PCT/IB2013/052390 WO2013144834A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-03-26 | Light emitting device with wavelength converting side coat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014143771A RU2014143771A (ru) | 2016-05-27 |
RU2639565C2 true RU2639565C2 (ru) | 2017-12-21 |
Family
ID=48326370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014143771A RU2639565C2 (ru) | 2012-03-30 | 2013-03-26 | Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10043952B2 (ru) |
EP (1) | EP2831932B1 (ru) |
JP (1) | JP6435258B2 (ru) |
KR (1) | KR20150004818A (ru) |
CN (1) | CN104205374B (ru) |
RU (1) | RU2639565C2 (ru) |
WO (1) | WO2013144834A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015176960A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
CN104953014B (zh) * | 2014-03-28 | 2019-01-29 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种多层结构玻璃荧光粉片及其制备方法及发光装置 |
KR20150116986A (ko) * | 2014-04-08 | 2015-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치 |
EP3158594B1 (en) * | 2014-06-19 | 2024-10-30 | Lumileds LLC | Wavelength converted light emitting device with small source size |
US9373761B2 (en) * | 2014-09-23 | 2016-06-21 | Osram Sylvania Inc. | Patterned thin-film wavelength converter and method of making same |
JP6484982B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN104465540A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-03-25 | 永新电子常熟有限公司 | 稳定性好的电子芯片 |
KR20170026801A (ko) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈 |
CN107068841A (zh) * | 2017-04-11 | 2017-08-18 | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 | 一种五面发光的量子点夹层csp背光源及其制作方法 |
CN111213249B (zh) * | 2017-08-18 | 2023-10-03 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 半导体器件的生产 |
TWI658610B (zh) * | 2017-09-08 | 2019-05-01 | Maven Optronics Co., Ltd. | 應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法 |
KR102593592B1 (ko) | 2018-05-04 | 2023-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
JP7057508B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7283327B2 (ja) | 2019-09-20 | 2023-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
KR20220112908A (ko) | 2021-02-04 | 2022-08-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
US20050269582A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
RU2303833C2 (ru) * | 2005-07-26 | 2007-07-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Осветительное устройство |
US7301175B2 (en) * | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
US20090057690A1 (en) * | 2007-01-22 | 2009-03-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
US8030665B2 (en) * | 2002-07-08 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6680569B2 (en) | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
TW455908B (en) | 1999-04-20 | 2001-09-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lighting system |
US6504301B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes |
AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
JP4081985B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2008-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP4337574B2 (ja) | 2003-09-25 | 2009-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその形成方法 |
US7052152B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-05-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LCD backlight using two-dimensional array LEDs |
US7102152B2 (en) * | 2004-10-14 | 2006-09-05 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material |
US7250715B2 (en) | 2004-02-23 | 2007-07-31 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength converted semiconductor light emitting devices |
JP4756841B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-08-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
US7858408B2 (en) | 2004-11-15 | 2010-12-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
JP4845370B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-12-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP2006352036A (ja) | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 白色半導体発光素子 |
WO2007052777A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same |
EP1976030A1 (en) | 2006-01-04 | 2008-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Thin-type light emitting diode lamp, and its manufacturing |
US7521862B2 (en) | 2006-11-20 | 2009-04-21 | Philips Lumileds Lighting Co., Llc | Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material |
JP4920497B2 (ja) | 2007-05-29 | 2012-04-18 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
US7942556B2 (en) | 2007-06-18 | 2011-05-17 | Xicato, Inc. | Solid state illumination device |
US8344400B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-01-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US7984999B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-07-26 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member |
CN102112807B (zh) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 吉可多公司 | 颜色可调光源 |
JP5284006B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-11 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US7973327B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-05 | Bridgelux, Inc. | Phosphor-converted LED |
CN101673787B (zh) * | 2008-09-12 | 2012-12-12 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光装置及其封装结构 |
CN102165611B (zh) | 2008-09-25 | 2014-04-23 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有涂层的发光器件及其涂覆方法 |
US7804103B1 (en) | 2009-01-07 | 2010-09-28 | Lednovation, Inc. | White lighting device having short wavelength semiconductor die and trichromatic wavelength conversion layers |
KR101172143B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자 |
KR101163902B1 (ko) * | 2010-08-10 | 2012-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US8104908B2 (en) | 2010-03-04 | 2012-01-31 | Xicato, Inc. | Efficient LED-based illumination module with high color rendering index |
WO2011139538A2 (en) | 2010-04-26 | 2011-11-10 | Xicato, Inc. | Led-based illumination module attachment to a light fixture |
DE102010021011A1 (de) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht |
US20110317397A1 (en) | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Soraa, Inc. | Quantum dot wavelength conversion for hermetically sealed optical devices |
DE102010035490A1 (de) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
DE102010053362B4 (de) | 2010-12-03 | 2021-09-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement |
JP5895598B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9071981B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-06-30 | Htc Corporation | Method of monitoring search space of enhanced downlink control channel in orthogonal frequency-division multiple access system |
-
2013
- 2013-03-26 JP JP2015502519A patent/JP6435258B2/ja active Active
- 2013-03-26 EP EP13721410.2A patent/EP2831932B1/en active Active
- 2013-03-26 KR KR1020147030414A patent/KR20150004818A/ko not_active IP Right Cessation
- 2013-03-26 WO PCT/IB2013/052390 patent/WO2013144834A1/en active Application Filing
- 2013-03-26 RU RU2014143771A patent/RU2639565C2/ru active IP Right Revival
- 2013-03-26 US US14/388,979 patent/US10043952B2/en active Active
- 2013-03-26 CN CN201380018279.XA patent/CN104205374B/zh active Active
-
2017
- 2017-08-23 US US15/684,477 patent/US10224466B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301175B2 (en) * | 2001-10-12 | 2007-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
US8030665B2 (en) * | 2002-07-08 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same |
US20050269582A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
RU2303833C2 (ru) * | 2005-07-26 | 2007-07-27 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Осветительное устройство |
US20090057690A1 (en) * | 2007-01-22 | 2009-03-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10224466B2 (en) | 2019-03-05 |
EP2831932A1 (en) | 2015-02-04 |
JP2015511773A (ja) | 2015-04-20 |
CN104205374B (zh) | 2020-10-16 |
US20150060917A1 (en) | 2015-03-05 |
JP6435258B2 (ja) | 2018-12-05 |
EP2831932B1 (en) | 2020-09-30 |
WO2013144834A1 (en) | 2013-10-03 |
US20170352788A1 (en) | 2017-12-07 |
RU2014143771A (ru) | 2016-05-27 |
US10043952B2 (en) | 2018-08-07 |
KR20150004818A (ko) | 2015-01-13 |
CN104205374A (zh) | 2014-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2639565C2 (ru) | Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием | |
JP6595055B2 (ja) | 発光デバイス及び波長変換材料を含む光共振器 | |
KR100845856B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI630733B (zh) | 發光元件封裝及其製造方法 | |
JP6248431B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
EP2917938B1 (en) | Wavelength converted light emitting device | |
JP2019110338A (ja) | 光学エレメントとリフレクタを用いた発光デバイス | |
WO2009024952A2 (en) | Light source including reflective wavelength-converting layer | |
US20190189857A1 (en) | Light emitting device with reflective sidewall | |
KR20160000513A (ko) | 반도체 발광소자 패키지 | |
US11024613B2 (en) | Lumiphoric material region arrangements for light emitting diode packages | |
KR20160087048A (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
JP6432654B2 (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180327 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20190506 |