RU2302393C2 - Химическое осаждение из газовой фазы оксида металла, легированного сурьмой - Google Patents
Химическое осаждение из газовой фазы оксида металла, легированного сурьмой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2302393C2 RU2302393C2 RU2003132541/03A RU2003132541A RU2302393C2 RU 2302393 C2 RU2302393 C2 RU 2302393C2 RU 2003132541/03 A RU2003132541/03 A RU 2003132541/03A RU 2003132541 A RU2003132541 A RU 2003132541A RU 2302393 C2 RU2302393 C2 RU 2302393C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- antimony
- coating
- glass substrate
- compound
- hot glass
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/244—Doped oxides with Sb
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу получения на стекле покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, предпочтительно из оксида олова. Способ осуществляют посредством приготовления однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей оловоорганическое соединение и сурьмаорганическое соединение, воду и кислород. Полученную смесь реагентов подают к поверхности горячей ленты стекла, где соединения взаимодействуют с образованием при этом покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, предпочтительно из оксида олова. Покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, предпочтительно из оксида олова, нанесенные в соответствии с настоящим изобретением, обладают высокой однородностью по толщине и высоким поверхностным сопротивлением слоя покрытия на стекле, причем способ нанесения покрытия характеризуется высокой производительностью. 6 н. и 11 з.п. ф-лы.
Description
Область техники
Настоящие изобретение относится в общем к способу получения на стекле покрытия из оксида металла, более конкретно к способу получения на горячей стеклянной подложке покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, с использованием технологии химического осаждения из газовой фазы.
Уровень техники
Обычно изделия из стекла с покрытием получают посредством непрерывного нанесения покрытия на стеклянную подложку с использованием так называемого флоат-процесса (производство листового стекла на расплаве металла). Этот способ включает литье стеклянной массы на ванну с расплавом олова, закрытую соответствующим образом, с последующим переносом стекла, после того как оно достаточно охладится, с помощью удаляющих вальцов, установленных вровень с ванной, и при окончательном охлаждении стекла по мере его поступательного движения по валкам сначала в лере, а затем при выдержке на воздухе при температуре окружающей среды. Для предотвращения окисления на участке проведения флоат-процесса во время контакта стекла с расплавом олова в ванне поддерживают неокисляющую атмосферу. В лере поддерживают воздушную среду. Химическое осаждение из газовой фазы (далее обозначается как «технология CVD», от англ. «chemical vapor deposition») с получением при этом различных покрытий обычно может быть осуществлено в ванне или в лере, или даже в переходной зоне между ними при контактировании химических реагентов, находящихся в парообразном состоянии, с поверхностью горячего стекла, указанные реагенты пиролитически разлагаются с образованием покрытия из оксида металла. Очевидно, что для этого необходимо, чтобы температура испарения таких химических реагентов была ниже, чем температура их химического разложения. Существует ряд металлсодержащих соединений, которые могут быть подвергнуты испарению для того, чтобы с использованием технологии CVD получить на стекле покрытие из оксида металла. Особый интерес представляют соединения олова, которые могут быть подвергнуты испарению с получением при этом покрытий из оксида олова.
Необходимые эксплуатационные характеристики некоторых покрытий из оксида металла на стекле, таких как покрытия из оксида олова, включают, например, низкий коэффициент излучения, низкое поверхностное сопротивление слоя, хорошее пропускание света, высокую способность к отражению инфракрасных лучей и т.п., и эти характеристики улучшаются при введении в покрытия из оксида металла легирующей добавки. К веществам, использование которых в качестве легирующей добавки известно из уровня техники, относится сурьма. Обычно сурьму используют в виде неорганических соединений сурьмы, таких как галогенид сурьмы, например, SbCl3.
Реагенты для нанесения покрытия на стекло обычно используют в следующем физическом состоянии: в виде жидкости, в виде твердого вещества, в виде подвергнутых испарению жидкости или твердого вещества, а также в виде жидкости или твердого вещества, диспергированных в газе-носителе, представляющем собой смесь газов. При химическом осаждении из газовой фазы обычно используют подвергнутые испарению жидкость или твердое вещество, которые, как правило, диспергированы в газе-носителе, представляющем собой смесь газов.
В патенте US №6005127 описан аддукт сурьмаорганического основания Льюиса, который, как полагают, полезен для имплантации Sb-иона и получения пленок антимонида при использовании различных видов химического осаждения из газовой фазы. В объем настоящего изобретения не входят аддукты основания Льюиса, и данное изобретение не связано с ионной имплантацией и получением антимонидов металлов. Кроме того, в патенте US №6005127 описаны только следующие методы химического осаждения из газовой фазы: химическое осаждение из газовой фазы и химическое осаждение из газовой фазы при осуществлении дополнительного воздействия (например, под действием лазера, света, плазмы, при ионном воздействии и т.п.).
Было бы желательно усовершенствовать уже известные способы нанесения покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, на поверхность горячей стеклянной подложки с использованием технологии CVD и при этом улучшить такие показатели, как низкое поверхностное сопротивление слоя и однородность значений показателя низкого поверхностного сопротивления стеклянной подложки с покрытием, и в то же самое время свести к минимуму нежелательные предварительные реакции веществ - предшественников, которые протекают при использовании известных неорганических легирующих добавок, предназначенных для введения сурьмы. Было бы также желательно разработать такой способ нанесения покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, на поверхность горячей стеклянной подложки, осуществление которого было бы дешевле, чем осуществление ранее известных способов.
Сущность изобретения
Настоящее изобретение относится к способу химического осаждения из газовой фазы, предназначенному для нанесения на горячую стеклянную подложку покрытия из оксида металла, легированного сурьмой. Предпочтительно соединение металла представляет собой соединение олова. Наиболее предпочтительно соединение олова представляет собой оловоорганическое соединение. Неожиданно было обнаружено, что необходимые характеристики покрытий из легированного сурьмой оксида металла, в частности покрытий из оксида олова на стекле, улучшаются при использовании способа, включающего следующее:
а) приготовление горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей оксид металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не вступает в предварительное взаимодействие с указанным кислородсодержащим соединением или водой при температуре ниже 550°F;
в) подача подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на поверхность горячей стеклянной подложки;
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
Для осуществления способа, являющегося предметом настоящего изобретения, необходим источник кислорода, его предпочтительно выбирают из группы, включающей воздух, газообразный кислород и молекулярный кислород.
В соответствии с предпочтительным воплощением настоящего изобретения перед осаждением легированного сурьмой оксида металла на поверхность стеклянной подложки наносят барьер, препятствующий диффузии натрия, предпочтительно слой диоксида кремния. Способ, являющийся предметом настоящего изобретения, особенно эффективен при изготовлении стекла с покрытием из оксида металла, легированного сурьмой, такое стекло может применяться для изготовления энергоэкономичных окон зданий, окон самолетов и автомобилей, а также для изготовления различных оптических и электронных устройств.
В одновременно рассматриваемой патентной заявке США, имеющей регистрационный номер 09/625921, описана пленка оксида олова, легированного сурьмой, осажденная и сцепленная со стеклянной подложкой, а также покрытие из оксида олова, легированного фтором, осажденное и сцепленное с покрытием из оксида олова. Полученное стеклянное изделие с покрытием обладает высокой селективностью к солнечному излучению. Патентная заявка США, имеющая регистрационный номер 09/625921, включена в настоящее описание в полном объеме в качестве ссылки.
Подробное описание наиболее предпочтительного варианта осуществления изобретения
Покрытия из оксида метала, в частности из оксида олова, легированного сурьмой, могут быть нанесены на горячую стеклянную подложку методом химического осаждения из газовой фазы (технология CVD). В соответствии со способом, являющимся предметом настоящего изобретения, реагенты объединяют таким образом, чтобы сформировать однородный поток подвергнутых испарению реагентов, который подают к поверхности горячей стеклянной подложки, где поток подвергнутых испарению реагентов вступает во взаимодействие с получением при этом на поверхности стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой. В окислительной атмосфере, которая должна существовать у поверхности горячего стекла, металлорганические соединения, предпочтительно оловоорганические соединения, используемые для получения покрытия, пиролитически разлагаются с формированием при этом покрытия из оксида металла/олова соответственно.
Данный способ обычно осуществляют при изготовлении стекла с использованием флоат-процесса, и нанесение покрытия происходит в флоат-ванне, лере или в переходной зоне между ванной и лером, когда стекло еще находится в горячем состоянии. Стеклянную подложку обычно обрабатывают при температуре в интервале от приблизительно 750 до приблизительно 1500°F. Эти значения температуры являются обычными для стекла на различных стадиях его изготовления с использованием флоат-процесса. Более конкретно процесс нанесения покрытия осуществляют при температуре в интервале 900-1350°F, предпочтительно в интервале 1100-1280°F.
Стеклянные подложки, пригодные для использования при осуществлении способа согласно настоящему изобретению, включают любые обычные стеклянные подложки, известные из уровня техники и используемые для изготовления стеклянных изделий с покрытием. Типичную стеклянную подложку, о которой идет речь, применяемую при изготовлении стекол для автомобилей и листового стекла, обычно называют натриево-кальциевым силикатным стеклом. Среди других подходящих стекол можно указать щелочно-кальциевое силикатное стекло, боросиликатное стекло, алюмосиликатное стекло, бороалюмосиликатное стекло, фосфатное стекло, кварцевое стекло и т.д., а также их сочетания. Предпочтительным является натриево-кальциевое силикатное стекло.
Поток реагентов для использования по технологии CVD в соответствии с настоящим изобретением включает оловоорганическое соединение для нанесения покрытия, такое соединение переводят в парообразное состояние и подают к участку на поверхности поступательно движущейся ленты жидкого стекла или вблизи нее. Подходящие оловоорганические соединения, которые могут быть использованы для осуществления изобретения, включают, но не ограничиваются указанным, такие соединения, как диметилоловодихлорид, диэтилоловодихлорид, дибутилоловодиацетат, тетраметилолово, метилоловотрихлорид, триэтилоловохлорид, триметилоловохлорид, этилоловотрихлорид, пропилоловотрихлорид, изопропилоловотрихлорид, втор-бутилоловотрихлорид, трет-бутилоловотрихлорид, фенилоловотрихлорид, карбэтоксиэтилоловотрихлорид и подобные им соединения, а также сочетания этих соединений. В основном эти соединения хорошо известны в области использования технологии CVD, а также коммерчески доступны как соединения-предшественники, предназначенные для нанесения покрытия из оксида олова на горячее стекло. Предпочтительным оловоорганическим соединением является диметилоловодихлорид. Оловоорганическое соединение и необязательно газ-носитель, окислитель, стабилизатор, углеводород, инертный газ и подобные им вещества испаряют с получением при этом газообразного потока реагентов, содержащего оловоорганическое соединение. При использовании в настоящем описании термин «газообразный поток реагентов, содержащий оловоорганическое соединение» обычно включает подвергнутое испарению оловоорганическое соединение, окислитель и инертный газ-носитель.
Испаренное оловоорганическое соединение может быть получено с использованием любого из методов, общеизвестных в данной области техники, например такого, как испарение диспергированных или псевдоожиженных оловоорганических порошков, или испарение уплотненного слоя оловоорганических частиц под действием потока горячего газа носителя, или инжектирование солюбилизированного оловоорганического соединения в поток горячего газа-носителя, или барботирование горячего газа носителя через жидкое оловоорганическое соединение. Предпочтительный способ приготовления газообразного потока реагентов, содержащего оловоорганическое соединение, представляет собой испарение соединения в тонкопленочном испарителе в присутствии газовой смеси, как описано, например, в патенте US №5090985, который в полном объеме включен в настоящее описание в качестве ссылки. Как отмечалось выше, этот газообразный поток, который, как правило, включает инертный газ-носитель, такой как гелий, азот или аргон или смесь этих газов, может необязательно содержать окислители, такие как вода или кислород. Предпочтительные газы-носители представляют собой гелий и азот и их смеси, содержащие в качестве окислителя кислород. Полученный поток реагентов, содержащий подвергнутое испарению оловоорганическое соединение, как правило, нагревают до температуры от приблизительно 250°F до приблизительно 450°F, затем направляют в реакционную зону на поверхность горячей стеклянной подложки, где температура на верхней поверхности установки для нанесения покрытий, ближайшей к поверхности стекла, равна или составляет менее чем приблизительно 550°F.
Отдельный поток реагентов, содержащий оловоорганическое соединение, окислитель и инертный газ-носитель представляет собой другой компонент системы для нанесения покрытия согласно настоящему изобретению.
Сурьмаорганическое соединение, используемое в соответствии с настоящим изобретением, может быть представлено общей формулой:
(R1)xSb(R2)3-х, в которой R1 представляет собой арильную группу, R2 представляет собой алкильную группу и х=3 или 2,
в том случае, когда в приведенной выше формуле х=2, семейство соединений, соответствующих этой формуле, относят к диарилалкильным соединениям сурьмы, которые в том случае, если являются подходящими для использования согласно настоящему изобретению, весьма вероятно могут вступить в предшествующее основной реакции взаимодействие с кислородом, что будет более подробно рассмотрено ниже в настоящем описании.
В том случае, когда в приведенной выше формуле х=3, предпочтительное семейство соединений представляет собой триарильные производные сурьмы. Примерами таких соединений являются (Mes)3Sb, где Mes означает мезитил или 1,3,5-триметилфенил, (Tolyl)3Sb, где Tolyl означает толил, Ph3Sb и (RхС6Н5-х)3Sb, где R представляет собой органическую группу небольшого объема, содержащую от одного до четырех атомов углерода (т.е C1-С4) и х=1-5. Среди этих соединений наиболее предпочтительным является Ph3Sb по причинам, которые будут рассмотрены ниже.
Было обнаружено, что немногие соединения сурьмы отвечают необходимым требованиям - обладать высокой реакционной способностью при температуре осаждения покрытия и при этом не вступать во взаимодействие с кислородом или водой, предшествующее основной реакции или не вызывать коррозию. Описанные выше триарильные производные сурьмы, как было обнаружено, отвечают этим критериям и таким образом согласно настоящему изобретению являются предпочтительными соединениями. Соединение Ph3Sb особенно предпочтительно, поскольку является триарильным производным сурьмы и при этом производится в промышленных масштабах и доступно.
В отличие от обычно используемых веществ-предшественников - неорганических соединений сурьмы, таких как SbCl3, в том случае, когда Ph3Sb используют в сочетании с оловоорганическими реагентами, водой и кислородом, это соединение остается стабильным и не вступает в реакции, предшествующие основному взаимодействию, по этой причине нежелательные соединения Sb/O/Cl, находящиеся в твердом состоянии, образуются в незначительном количестве. Как известно, такие соединения, как SbCl3, являются чувствительными к влаге, и в дополнение к взаимодействию с водой с образованием при этом нежелательных нелетучих, находящихся в твердом состоянии веществ, упомянутых выше, эти соединения, кроме того, вызывают коррозию.
Такие твердые вещества накапливаются на основном устройстве, используемом для нанесения покрытия, снижая эффективность процесса нанесения покрытия, и в наиболее неблагоприятном случае фактически приводят к тому, что процесс нанесения покрытия полностью останавливается. Использование в соответствии с настоящим изобретением сурьмаорганических соединений-предшественников, устойчивых на воздухе и стойких к воздействию влаги, приведет к снижению времени вынужденного простоя оборудования из-за образования нароста твердого вещества - соединений Sb/O/Cl.
Поток реагентов, содержащий сурьмаорганическое соединение, объединяют с потоком реагентов, содержащим оловоорганическое соединение, в точке, расположенной до зоны подачи реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки, на которую наносят покрытие, но предпочтительно на близком расстоянии от нее. Поток реагентов, содержащий сурьмаорганическое соединение, может быть подготовлен посредством испарения этого соединения с использованием любого подходящего метода, например методов, описанных выше, для испарения оловоорганического соединения. Поток подвергнутого испарению реагента, содержащий сурьмаорганическое соединение, может быть объединен с потоком реагентов, содержащим подвергнутое испарению оловоорганическое соединение, смешением двух газообразных потоков перед подачей реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки. В качестве альтернативы поток реагентов, содержащий сурьмаорганическое соединение, в жидком состоянии или в виде раствора можно вводить в поток горячих реагентов, содержащий испаренное оловоорганическое соединение, подвергая при этом испарению раствор, содержащий сурьмаорганическое соединение, или это соединение в жидком состоянии. После объединения потоков подвергнутые испарению оловоорганическое соединение, сурьмаорганическое соединение, воду и кислородсодержащее соединение подают к поверхности горячего стекла, где они взаимодействуют с образованием на стекле покрытия из оксида олова, легированного сурьмой.
В соответствии с предпочтительным воплощением настоящего изобретения поток, содержащий оловоорганическое соединение, формируется из подвергнутого испарению диметилоловодихлорида и инертного газа-носителя, например, такого как азот, гелий или их смесь, в испарителе такого типа, как указано выше. Полученный газообразный поток затем объединяют с газообразным кислородом. В то же самое время подвергают испарению Ph3Sb и воду, и полученный поток газообразных реагентов, содержащий сурьмаорганическое соединение и пары воды, объединяют с потоком газа, содержащим оловоорганическое соединение, с формированием при этом однородного газообразного потока реагентов. Этот однородный газообразный поток реагентов подают к поверхности горячей стеклянной подложки, где при осаждении на горячей стеклянной подложке происходит формирование покрытия из оксида олова, легированного сурьмой. Такой однородный газообразный поток реагентов может быть подан к поверхности стекла с использованием любого подходящего устройства для нанесения покрытия. Одно из предпочтительных устройств для нанесения покрытия описано в патенте US №4504526, которое в полном объеме включено в описание настоящего изобретения в качестве ссылки.
Однородная газообразная смесь реагентов, которую подают к поверхности горячей стеклянной подложки в соответствии с настоящим изобретением, предпочтительно включает (все указанные процентные значения относятся к мольным процентам) от приблизительно 10 до приблизительно 60% кислорода, от приблизительно 2 до приблизительно 50% воды, и от приблизительно 0,01 до приблизительно 4% сурьмаорганического соединения, и наиболее предпочтительно включает от приблизительно 10 до приблизительно 50% кислорода, от приблизительно 15 до приблизительно 35% воды, и от приблизительно 0,01 до приблизительно 0,05% сурьмаорганического соединения. Однородная газообразная смесь реагентов также включает оловоорганическое соединение, необходимая концентрация которого находится в зависимости от требуемой толщины покрытия из оксида олова и от линейной скорости движения подложки. Таким образом, как это будет понятно специалисту в данной области техники, оловоорганическое соединение вводят в газообразную смесь реагентов в количестве, достаточном для нанесения покрытия необходимой толщины при заданной линейной скорости движения подложки. Для типичных используемых в промышленности операций газообразная смесь реагентов будет, как правило, содержать от приблизительно 0,01 до приблизительно 8% оловоорганического соединения.
Необходимо также отметить, что в том случае, когда формируют покрытие из оксида олова, легированного сурьмой, в соответствии с настоящим изобретением предпочтительно наносить слой вещества, которое выполняет функцию барьера, препятствующего диффузии натрия между стеклянной подложкой и покрытием из оксида олова, легированного сурьмой. Как было обнаружено, если в соответствии с настоящим изобретением покрытие наносят не непосредственно на стекло, а на стекло, снабженное промежуточным слоем для предотвращения диффузии натрия, стеклянные изделия с покрытием из оксида олова, легированного сурьмой, характеризуются пониженным коэффициентом излучения, низким поверхностным сопротивлением и пониженной матовостью. Предпочтительно этот слой, препятствующий диффузии натрия, получают из диоксида кремния. Такой слой диоксида кремния предпочтительно наносят с использованием общепринятой технологии CVD.
В наиболее предпочтительном варианте осуществления настоящего изобретения на поверхность горячей подложки сначала наносят тонкую пленку оксида олова, поверх которой осаждают тонкую пленку диоксида кремния, таким образом, между стеклом и нанесенным впоследствии слоем оксида олова, легированного сурьмой, формируется промежуточная структура - подслой оксид олова / диоксид кремния. Согласно этому варианту пленка диоксида кремния действует не только как барьер, препятствующий диффузии натрия, но к тому же в сочетании с первой (нелегированной) пленкой способствует подавлению иридесценции в готовом стеклянном изделии с покрытием. Использование таких антииридисцентных слоев описано в патенте US №4377613, который в полном объеме включен в настоящее описание в качестве ссылки.
Следует отметить, что в соответствии с настоящим изобретением для благоприятного объединения и подачи подвергнутых испарению реагентов условия осуществления процесса не имеют критического значения. Выше при описании условий проведения процесса указаны такие характеристики, которые обычны для осуществления способа согласно настоящему изобретению. Однако такие условия осуществления способа иногда могут оказаться не в точности приемлемыми для любого соединения, использование которого входит в объем настоящего изобретения. Такие соединения, для которых это может произойти, обычно легко могут быть определены специалистом в данной области техники. Во всех таких случаях можно либо успешно осуществить предлагаемый способ посредством внесения обычных модификаций, известных специалисту в данной области техники, например при повышении или понижении температуры, путем варьирования соотношения объединяемых реагентов - оловоорганического соединения и сурьмаорганического соединения, посредством обычной модификации условий проведения процесса испарения и т.д., либо возможно использовать при осуществлении способа другие режимы, которые во всем остальном подходят для реализации данного изобретения.
Необходимо также отметить, что осуществление способа, являющегося предметом настоящего изобретения, можно повторить столько раз, сколько необходимо для того, чтобы сформировать на данной подложке покрытие, состоящее из нескольких последовательно нанесенных слоев, при этом необязательно, чтобы состав каждого их этих слоев был одинаковым. Несомненно, является очевидным, что толщина слоя - покрытия при данной скорости потока реагентов зависит от скорости движения подложки. В этом случае, если необходимо, число реакционных зон может быть увеличено посредством размещения рядом двух или более устройств для нанесения покрытия. Таким образом, последующие слои наносят до того, как предыдущие слои успеют остыть, получая при этом на всей поверхности гомогенное покрытие.
Ниже для пояснения изобретения приводятся примеры, позволяющие лучше понять изобретение. Однако следует понимать, что эти конкретные примеры приведены только для иллюстрации, и изобретение можно осуществить и иначе, чем показано в примерах, не выходя при этом за границы, определяющие объем изобретения.
Примеры
Примеры 1 и 2
Для осуществления примеров 1 и 2 используют следующие экспериментальные условия.
Используют лабораторную печь, снабженную движущимся транспортером для перемещения через указанную печь листа стекла, или листов, со скоростью 200 дюйм/минута, а также содержащую одно, шириной 10 дюймов, двунаправленное устройство для нанесения покрытия, причем применяют устройство для нанесения покрытия, пригодное для подачи испаренных реагентов с получением при этом осаждением из газовой фазы пленки или многослойной пленки.
Листы стекла нагревают до приблизительно 1170°С, в то время как в устройстве для нанесения покрытия со стороны реактора, т.е. в зоне, ближайшей к поверхности стекла, температура составляет приблизительно 500°F.
Подготовка различных веществ-предшественников выполняется с использованием многоканальной подающей камеры, называемой барботером, которая используется для барботирования через следующие вещества: этилацетат (EtOAc), трифенилсурьму (Ph3Sb) и диметилоловодихлорид (Me2SnCl2), которые поддерживают при конкретной температуре. Газообразный гелий вводят в барботер с заданной скоростью потока.
Конкретные подаваемые вещества и температура барботирования, а также скорость потока приведены ниже:
Вещество, через которое барботируют газообразный гелий | EtOAc | Ph3Sb | Me2SnCl2 |
Температура | 97°F | 465°F | 355°F |
Скорость потока гелия | 0,5-0,75 л/мин в стандартных условиях | 1,0 л/мин в стандартных условиях | 1,2 л/мин в стандартных условиях |
Подготовленные реагенты вводят в лабораторное устройство для нанесения покрытия вместе с кислородом (О2) при скорости подачи 5,25 л/мин в стандартных условиях и водой (Н2О) при скорости подачи 12,4 л/мин в стандартных условиях.
Различные описанные выше реагенты объединяют в лабораторном устройстве для нанесения покрытия с осаждением при этом покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, в данном случае - на листе прозрачного натриево-кальциевого силикатного стекла, на которое предварительно был нанесен слой SiO2 толщиной 200Å.
Толщина пленки | Поверхностное сопротивление | Tvis | Tsol | |
Пример 1 | 1951Å | 142 ом/квадрат | 63% | 48% |
Пример 2 | 2158Å | 119 ом/квадрат | 67% | 55% |
Толщину пленки определяли методом профилометрии.
Тvis представляет собой пропускание света видимого спектрального диапазона (от 400 до 800 нм) через стекло с покрытием.
Tsol представляет собой суммарное пропускание солнечного излучения через стекло с покрытием.
Следует отметить, что скорость потока гелия (Не) через устройство для барботирования, содержащее EtOAc, составляет 0,75 л/мин в стандартных условиях в примере 1 и 0,50 л/мин в стандартных условиях в примере 2. Другие параметры для обоих этих примеров приведены выше.
Пленки, полученные согласно этим примерам, однородны по толщине и удельной проводимости, обладают низкой матовостью и хорошим селективным поглощением солнечного света.
Пример 3
Было также обнаружено, что пленки из оксида олова, легированного сурьмой, могут быть получены с использованием раствора арильного производного сурьмы, такого как трифенилсурьма (Ph3Sb), в виде раствора в этилацетате (EtOAc). Другие приемлемые растворители включают, но не ограничиваются указанным, такие растворители, как гексан, толуол, дихлорметан и ацетонитрил. Инертный газ барботируют через газообразный диметиоловодихлорид (Me2SnCl2), как в примерах 1 и 2. Оба потока реагентов объединяют с кислородом и водой, как и в примерах 1 и 2.
Условия в лабораторной печи и установка для нанесения покрытия, используемые согласно примеру 3, являются такими же, как и при осуществлении примеров 1 и 2.
Поток реагентов Ph3Sb/EtOAc, включающий 18% по массе Ph3Sb, со скоростью потока 11 кубических сантиметров в минуту, объединяют с потоком реагента Me2SnCl2, полученным при пропускании газа со скоростью 1,2 л/мин в стандартных условиях через газообразный Me2SnCl2, вместе с кислородом со скоростью потока 5,25 л/мин в стандартных условиях и водой со скоростью потока 12,4 л/мин в стандартных условиях с получением при этом на подложке - натриево-кальциевом силикатном стекле, на которое предварительно был нанесен барьерный слой диоксида кремния толщиной 200Å, покрытия - пленки со следующими свойствами:
Толщина пленки | Поверхностное сопротивление | Tvis | Tsol | |
Пример 3 | ≈2000Å | 135 Ом/квадрат | 74% | 58% |
Приведенные примеры можно рассматривать как предпочтительные варианты осуществления изобретения. Однако следует понимать, что данные конкретные варианты осуществления изобретения приведены только в качестве иллюстрации, и настоящее изобретение может быть осуществлено и иным образом, чем показано в примерах, в пределах объема настоящего изобретения.
Claims (17)
1. Способ химического осаждения из газовой фазы с нанесением на горячую стеклянную подложку покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, включающий:
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида олова;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение олова, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, в котором имеется по меньшей мере одна связь C-Sb и которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F; где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой соединение формулы (R1)xSb(R2)3-x, в которой R1 представляет собой арильную группу, R2 представляет собой алкильную группу и х=3 или 2.
в) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки, где однородная подвергнутая испарению смесь реагентов взаимодействует с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, и
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
2. Способ по п.1, в котором указанное оловосодержащее соединение-предшественник представляет собой оловоорганическое соединение.
3. Способ по п.1, в котором указанное оловосодержащее соединение-предшественник представляет собой диметилоловодихлорид.
4. Способ по п.1, в котором указанный способ нанесения покрытия представляет собой стадию производства листового стекла с использованием флоат-процесса.
5. Способ по п.4, в котором указанный способ нанесения покрытия осуществляют в флоат-ванне или вблизи нее.
6. Способ по п.5, в котором указанный способ нанесения покрытия осуществляют при температуре 900-1350°F.
7. Способ по п.6, в котором указанный способ нанесения покрытия осуществляют при температуре 1100-1280°F.
8. Способ по п.7, в котором наносят покрытие толщиной от 1000 Å до 3500 Å.
9. Способ по п.6, в котором наносят покрытие толщиной от 1000 Å до 5000 Å.
10. Способ по п.1, в котором перед осаждением покрытия из оксида олова, легированного сурьмой, на подложку наносят покрытие, препятствующее появлению окраски, а поверх него осаждают указанное покрытие из оксида олова, легированного сурьмой.
11. Способ по п.1, в котором указанное сурьмаорганическое соединение по существу не взаимодействует с водой и кислородом.
12. Способ химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на горячую стеклянную подложку, включающий:
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) нанесение барьерного слоя, препятствующего диффузии натрия, непосредственно на горячую стеклянную подложку;
в) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F; где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой соединение формулы (R1)xSb(R2)3-x, в которой R1 представляет собой арильную группу, R2 представляет собой алкильную группу и х=3 или 2.
г) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, и
д) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
13. Способ по п.12, в котором барьерный слой, препятствующий диффузии натрия, включает диоксид кремния.
14. Способ химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на горячую стеклянную подложку, включающий
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F; где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой соединение формулы (R1)xSb(R2)3-x, в которой R1 представляет собой арильную группу, R2 представляет собой алкильную группу и х=3 или 2.
в) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, и
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
15. Способ химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на горячую стеклянную подложку, включающий
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F; где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой соединение - диарилалкильное производное сурьмы.
в) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, и
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
16. Способ химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на горячую стеклянную подложку, включающий
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F; где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой триарильное производное сурьмы, выбранное из группы, состоящей из (Mes)3Sb, Ph3Sb, (Tolyl)3Sb и (RхС6Н5-х)3Sb, где R представляет собой органическую короткоцепочечную группу, содержащую в цепи от одного до четырех атомов углерода, и х=1-5.
в) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, и
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
17. Способ химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, на горячую стеклянную подложку, включающий
а) подготовку горячей стеклянной подложки, на поверхность которой необходимо нанести легированное сурьмой покрытие из оксида металла;
б) приготовление однородной смеси подвергнутых испарению реагентов, содержащей соединение металла, кислородсодержащее соединение, воду и сурьмаорганическое соединение, которое не подвержено преждевременному гидролизу и/или окислению при температуре ниже 550°F, где указанное сурьмаорганическое соединение представляет собой Ph3Sb.
в) подачу подвергнутой испарению смеси реагентов к поверхности горячей стеклянной подложки и взаимодействие этой смеси с осаждением на поверхности горячей стеклянной подложки покрытия из оксида металла, легированного сурьмой, и
г) охлаждение стеклянной подложки с нанесенным на нее покрытием до температуры окружающей среды.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/836,647 | 2001-04-17 | ||
US09/836,647 US6521295B1 (en) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003132541A RU2003132541A (ru) | 2005-04-27 |
RU2302393C2 true RU2302393C2 (ru) | 2007-07-10 |
Family
ID=25272408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003132541/03A RU2302393C2 (ru) | 2001-04-17 | 2002-04-09 | Химическое осаждение из газовой фазы оксида металла, легированного сурьмой |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6521295B1 (ru) |
EP (1) | EP1379476B1 (ru) |
JP (1) | JP4290993B2 (ru) |
KR (1) | KR20030092075A (ru) |
CN (1) | CN1263696C (ru) |
BR (1) | BR0208966A (ru) |
MX (1) | MXPA03009494A (ru) |
PL (1) | PL371598A1 (ru) |
RU (1) | RU2302393C2 (ru) |
WO (1) | WO2002083588A1 (ru) |
Families Citing this family (372)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
WO2014101104A1 (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 财团法人工业技术研究院 | 氧化锡膜及其制造方法 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US8894870B2 (en) * | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
KR102235595B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2021-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주석 산화물 반도체용 조성물 및 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법 |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102264419B1 (ko) | 2014-10-23 | 2021-06-11 | 인프리아 코포레이션 | 유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법 |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
WO2016132131A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Pilkington Group Limited | A chemical vapour deposition process for depositing an iron doped tin oxide coating and a coated glass article formed thereby |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
EP4089482A1 (en) | 2015-10-13 | 2022-11-16 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
EP3439873B1 (en) * | 2016-04-08 | 2023-11-01 | Pilkington Group Limited | Light emitting diode display and insulated glass unit including the same |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI756590B (zh) | 2019-01-22 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
CN113924279A (zh) * | 2019-05-20 | 2022-01-11 | 皮尔金顿集团有限公司 | 减小涂覆的玻璃制品的发射率的方法 |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115196884A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-18 | 深圳市楠轩光电科技有限公司 | 一种光学玻璃镀膜方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4293594A (en) | 1980-08-22 | 1981-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate |
US4377613A (en) | 1981-09-14 | 1983-03-22 | Gordon Roy G | Non-iridescent glass structures |
US4504526A (en) | 1983-09-26 | 1985-03-12 | Libbey-Owens-Ford Company | Apparatus and method for producing a laminar flow of constant velocity fluid along a substrate |
GB8630918D0 (en) | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
US5090985A (en) | 1989-10-17 | 1992-02-25 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
JP3201209B2 (ja) | 1994-03-29 | 2001-08-20 | 日本板硝子株式会社 | 建築物用ガラス |
GB2302102B (en) | 1995-06-09 | 1999-03-10 | Glaverbel | A glazing panel having solar screening properties and a process for making such a panel |
MY129739A (en) | 1996-01-09 | 2007-04-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Coated glass for buildings |
US6005127A (en) | 1997-11-24 | 1999-12-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antimony/Lewis base adducts for Sb-ion implantation and formation of antimonide films |
-
2001
- 2001-04-17 US US09/836,647 patent/US6521295B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-09 JP JP2002581347A patent/JP4290993B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-09 CN CNB028119053A patent/CN1263696C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-09 EP EP02762022.8A patent/EP1379476B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-09 BR BRPI0208966-1A patent/BR0208966A/pt not_active Application Discontinuation
- 2002-04-09 PL PL02371598A patent/PL371598A1/xx unknown
- 2002-04-09 WO PCT/US2002/011120 patent/WO2002083588A1/en active Application Filing
- 2002-04-09 MX MXPA03009494A patent/MXPA03009494A/es active IP Right Grant
- 2002-04-09 KR KR10-2003-7013529A patent/KR20030092075A/ko active IP Right Grant
- 2002-04-09 RU RU2003132541/03A patent/RU2302393C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR0208966A (pt) | 2006-11-28 |
JP4290993B2 (ja) | 2009-07-08 |
EP1379476B1 (en) | 2017-10-04 |
MXPA03009494A (es) | 2004-02-12 |
JP2005508819A (ja) | 2005-04-07 |
CN1531512A (zh) | 2004-09-22 |
RU2003132541A (ru) | 2005-04-27 |
KR20030092075A (ko) | 2003-12-03 |
WO2002083588A1 (en) | 2002-10-24 |
PL371598A1 (en) | 2005-06-27 |
CN1263696C (zh) | 2006-07-12 |
EP1379476A1 (en) | 2004-01-14 |
US6521295B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2302393C2 (ru) | Химическое осаждение из газовой фазы оксида металла, легированного сурьмой | |
RU2194089C2 (ru) | Способ получения покрытия из оксида олова на стекле | |
US7211513B2 (en) | Process for chemical vapor desposition of a nitrogen-doped titanium oxide coating | |
EP2817433B1 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing a silica coating on a glass substrate | |
McCurdy | Successful implementation methods of atmospheric CVD on a glass manufacturing line | |
EP1725504A1 (en) | Method for depositing gallium oxide coatings on flat glass | |
US4600654A (en) | Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings | |
US7160578B2 (en) | Method for depositing aluminum oxide coatings on flat glass | |
US7670647B2 (en) | Method for depositing zinc oxide coatings on flat glass | |
EP1730087B1 (en) | Process for the deposition of aluminium oxide coatings | |
EP3417088B1 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing a coating | |
WO2019043398A1 (en) | COATED GLASS ARTICLE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PHOTOVOLTAIC CELL MADE THEREWITH | |
CN118696015A (zh) | 形成涂层的方法 | |
WO2023214161A1 (en) | Method of forming a tin oxide coating | |
WO2023227885A1 (en) | Process for forming a coating | |
MXPA98000254A (en) | Method for forming a tin oxide coating on vid | |
WO2019043399A1 (en) | CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FORMING SILICON OXIDE COATING | |
WO2017137773A1 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing a mixed metal oxide coating and the coated article formed thereby |