RU2206502C2 - Композиционный материал - Google Patents
Композиционный материал Download PDFInfo
- Publication number
- RU2206502C2 RU2206502C2 RU2000129403A RU2000129403A RU2206502C2 RU 2206502 C2 RU2206502 C2 RU 2206502C2 RU 2000129403 A RU2000129403 A RU 2000129403A RU 2000129403 A RU2000129403 A RU 2000129403A RU 2206502 C2 RU2206502 C2 RU 2206502C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- diamond
- vol
- diamond grains
- thermal conductivity
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/52—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3732—Diamonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/252—Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение предназначено для химической промышленности и может быть использовано при изготовлении теплоотводов, теплообменников. Композиционный материал содержит, об. %: зерна алмаза - 50-85; кремний - 2-49; карбид кремния - 1-48. Матрица материала состоит из карбида кремния и кремния. Содержание зерен алмаза размером более 40 мкм - не менее 25% от общего содержания алмаза в материале. Композиционный материал имеет коэффициент теплопроводности при комнатной температуре более 300 Вт/м•К, коэффициент температуропроводности - не менее 1,6•10-4 м2/с. Материал также отличается высокой твердостью и износостойкостью. Из него можно изготовить изделия заданной формы объемом более 10 мм3, не требующие дополнительной механической обработки.
Description
Изобретение относится к области композиционных материалов, а точнее к алмазосодержащим композиционным материалам с высокой теплопроводностью и температуропроводностью.
Материалы с высокой теплопроводностью эффективно используются в теплообменных устройствах для изготовления теплоотводов, теплообменников и т.п.. Среди металлов наивысшие теплопроводности имеют медь (400 Вт/м•К) и серебро (430 Вт/м•К).
Однако серебро довольно дорого, а применение даже меди в ряде случаев не обеспечивает необходимой теплопроводности изделий. Кроме того, медь обладает довольно высокой плотностью (8,9 г/см3), что утяжеляет конструкцию. Высокая плотность меди приводит также к не очень высоким значениям ее температуропроводности a = 1,2•10-4 м2/c(a = λ/c•ρ, где а - коэффициент температуропроводности, λ - коэффициент теплопроводности, ρ - плотность). Тем самым ограничивается применение меди для изделий, в которых требуется быстрая теплопередача. Применение меди также ограничено ее склонностью к окислению. Образующийся на поверхности оксид меди существенно ухудшает тепловые свойства всей детали.
Известен композиционный материал, состоящий из алмазных зерен, связанных медью и медными сплавами (Патент США 5783316, кл.428/660, В 23 К 031/02). В этом материале обеспечивается теплопроводность выше теплопроводности меди за счет введения в композит алмазных зерен, имеющих теплопроводность более 1000 Вт/м•К. Для повышения адгезии медных сплавов к частицам алмаза последние предварительно покрывают тонким слоем карбидообразующих металлов.
Недостатками известного материала являются его относительно высокая плотность, связанная с высокой плотностью меди, и высокий температурный коэффициент линейного расширения, также определяемый медью. Последнее приводит к значительным температурным деформациям изделий при повышенных температурах. Материал, как и чистая медь, недостаточно устойчив к окислению.
В качестве наиболее близкого решения к заявляемому может быть выбран конструкционный материал, описанный в патенте РФ 2151126, кл.C 04 B 35/52. Известный материал состоит из зерен алмаза в матрице, образованной карбидом кремния и кремнием, при этом зерен алмаза - 20-60 об.%, кремния - 1-40 об.%, карбида кремния -3-70 об.%.
Известный конструкционный материал обладает хорошим комплексом физико-механических и теплофизических свойств, таких как низкая плотность, высокий модуль упругости, низкий термический коэффициент расширения. Он стоек к окислению.
Однако теплопроводность материала находится на недостаточно высоком (до 250 Вт/м•К) уровне. Последнее ограничивает применение известного материала. Температуропроводность известного материала по расчету авторов составляет 1,3•10-4 м2/с.
Задачей заявляемого изобретения является создание материала с высокой теплопроводностью и температуропроводностью, а именно имеющего при комнатной температуре коэффициент теплопроводности более 300 Вт/м•К и коэффициент температуропроводности не менее 1,6•10-4 м2/с.
Технический результат достигается тем, что материал, состоящий из алмазных зерен в матрице из карбида кремния и кремния, содержит указанные компоненты в следующем соотношении: зерна алмаза - 50-85 об.%, кремний - 2-49 об. %, карбид кремния - 1-48 об.%. Оптимальными составами материала являются те, в которых содержание зерен с размером более 40 мкм составляет не менее 25% от общего содержания алмаза в материале.
Заявляемый материал получают способом, включающим следующие стадии.
1. Формование пористой заготовки из алмазосодержащей шихты.
2. Термообработка полученной заготовки для образования полуфабриката, содержащего алмаз и углерод.
3. Пропитка полученного полуфабриката расплавленным кремнием.
При этом технология получения материала обеспечивает его получение в виде изделий заданной формы.
Формование заготовки осуществляют из смеси алмазных кристаллов размером не менее 1 мкм, при этом формуют заготовку с пористостью 12÷50 об.% из алмазных зерен одного размера или смеси алмазных зерен разных размеров. Содержание зерен алмаза в заготовке - не менее 95 мас.%.
Формование заготовки осуществляют известными способами, такими как прессование, шликерное литье, шликерный налив с использованием известного оборудования, со связующим и без него.
Стадию термообработки осуществляют до уменьшения массового содержания алмазных кристаллов в заготовке на не более чем 20 мас.%. Это возможно реализовать двумя путями:
1) путем выдержки заготовки в среде газообразного углеводорода или углеводородов при повышенной температуре, например, природного газа при t= 750-950oC или по крайней мере одного из газов, выбранного из группы, содержащей ацетилен, метан, этан, пропан, пентан, гексан, бензол и их производные при t=510-1200oС. При использовании газообразных углеводородов термообработку целесообразно проводить до уменьшения концентрации кристаллов алмаза в заготовке на не более чем 15 мас.%.
1) путем выдержки заготовки в среде газообразного углеводорода или углеводородов при повышенной температуре, например, природного газа при t= 750-950oC или по крайней мере одного из газов, выбранного из группы, содержащей ацетилен, метан, этан, пропан, пентан, гексан, бензол и их производные при t=510-1200oС. При использовании газообразных углеводородов термообработку целесообразно проводить до уменьшения концентрации кристаллов алмаза в заготовке на не более чем 15 мас.%.
2) путем термообработки в инертной среде, например вакууме или в среде инертного газа при t=l000-1900oС.
Независимо от того, каким из указанных методов осуществлена термообработка заготовки, конечной стадией процесса является пропитка полученного полуфабриката расплавленным кремнием. Указанную пропитку осуществляют известными методами, например, путем расплавления кремния на поверхности полуфабриката, или подачей уже расплавленного кремния на поверхность полуфабриката, или погружением последнего в расплав кремния. На этой стадии происходит взаимодействие кремния с имеющимся в составе полуфабриката углеродом с образованием карбида кремния. Карбид кремния, а также не вступивший в химическое взаимодействие кремний образуют матрицу композиционного материала. Стадии термообработки и пропитки могут быть совмещены в одной печи, когда пропитка следует непосредственно после термообработки.
Содержание указанных компонентов в материале является оптимальным. Уменьшение концентрации алмаза менее 50 об. % нецелесообразно, т.к. это приводит к ухудшению теплофизических свойств. Повышение концентрации алмаза выше 85 об.% затрудняет получение материала: возникают сложности формования заготовок материала, а на стадии пропитки полуфабриката расплавленным кремнием возникают дефекты, существенно ухудшающие комплекс свойств.
Для достижения высоких теплофизических свойств материала целесообразно использовать такие исходные смеси зерен алмаза, которые обеспечили бы в конечном композите содержание зерен алмаза размером более 40 мкм не менее 25% от общего содержания алмаза в материале.
Сущность изобретения состоит в следующем. Предложенный композиционный материал включает три фазы (алмаз, карбид кремния и кремний), обладающие относительно высокой теплопроводностью, которая обеспечивается одинаковым во всех случаях фононным механизмом переноса тепла. Для обеспечения высокого уровня теплопроводности и температуропроводности в композиционном материале необходимо реализовать очень плотное сопряжение отдельных фаз и оптимальную комбинацию фаз с различной плотностью, теплоемкостью и теплопроводностью.
В предлагаемом техническом решении сопряжение отдельных фаз осуществляется за счет их химического взаимодействия. Это следует из описанного выше процесса получения материала и подтверждается исследованиями структуры материала. Тем самым удается добиться высокой скорости распространения фононов в материале и обеспечить большую длину их свободного пробега в материале. Наиболее высокие уровни теплопроводности и температуропроводности достигаются в том случае, если композиционный материал содержит более крупные алмазные зерна. Предпочтительно, если содержание крупных алмазных зерен (более 40 мкм) в материале превышает 25 об.%.
Следует заметить, что отсутствие примесей в материале положительно сказывается на его теплофизических свойствах. Поэтому при реализации процесса целесообразно использовать алмазные зерна с низким содержанием примесей (в том числе дополнительно очищенные обработкой кислотами), а также кремний высокой степени чистоты.
Следующие примеры характеризуют сущность изобретения.
Пример 1. Композиционный материал содержит в своем составе зерна алмаза - 65 об.%, карбид кремния - 28 об.%, кремний - 7 об.%. При этом 58% от общего содержания алмазных зерен составляют зерна размером 400-600 мкм, остальное - зерна менее 14 мкм. Материал имеет коэффициент теплопроводности 495 Вт/м•К, коэффициент температуропроводности - 2,65•10-4 м2/с. Плотность материала - 3,34 г/см3. Удельная теплоемкость материала - 560 Дж/кг•К.
Пример 2. Композиционный материал содержит в своем составе зерна алмаза - 75 об.%, карбид кремния - 15 об.%, кремний - 10 об.%. При этом 67% от общего содержания зерен составляют алмазные зерна размером 400-600 мкм, 24% - зерна с размером - 50-65 мкм и 9% - зерна менее 10 мкм. Материал имеет коэффициент теплопроводности - 660 Вт/м•К, коэффициент температуропроводности - 3,6•10-4 м2/с. Плотность материала - 3,35 г/см3. Удельная теплоемкость материала - 550 Дж/кг•К.
Пример 3. Композиционный материал содержит в своем составе зерна алмаза - 55 об.%, карбид кремния - 36 об.%, кремний - 9 об.%. При этом 70% от общего содержания зерен составляют алмазные зерна размером 50-65 мкм и 30% - зерна менее 14 мкм. Материал имеет коэффициент теплопроводности - 330 Вт/м•К, коэффициент температуропроводности - 1,7•10-4 м2/с. Плотность материала - 3,30 г/см3. Удельная теплоемкость материала - 580 Дж/кг•К.
Пример 4. Композиционный материал содержит в своем составе зерна алмаза 55 об.%, карбид кремния - 5%, кремний - 40%. При этом размер алмазных зерен 50-63 мкм. Материал имеет коэффициент теплопроводности - 380 Вт/м•К, плотность материала - 3,04 г/см3.
Свойства заявляемого материала определялись по следующим методикам.
1. Плотность ρ определяли гидростатическим методом.
2. Коэффициент температуропроводности (а) - методом лазерной вспышки (метод состоит в определении скорости изменения температуры тыльной стороны образца (пластины) после воздействия на его лицевую сторону короткой лазерной вспышки, метод описан в [3]).
3. Коэффициент теплопроводности рассчитывали по соотношению
λ = a•ρ•c,
где с - удельная теплоемкость материала.
λ = a•ρ•c,
где с - удельная теплоемкость материала.
Из примеров видно, что по своим теплофизическим свойствам предлагаемый материал значительно превосходит известные. Комплекс высоких свойств заявляемого материала позволяет использовать его для изготовления прецизионных приборов и устройств, особенно тех, в которых необходимы высокие теплофизические свойства.
Несомненным достоинством материала является возможность получения из него изделий объемом более 10 мм3 заданной формы, требующих минимальной механической обработки, что связано с особенностями технологии изготовления данного материала.
Следует отметить, что полученный материал отличается высокой твердостью и износостойкостью и может быть использован в условиях интенсивного абразивного износа.
Источники, использованные при составлении описания
1. Патент США 5783316, кл. В 23 К 031/02, 1998.
1. Патент США 5783316, кл. В 23 К 031/02, 1998.
2. Патент РФ 2151126, кл. С 04 В 35/52, 2000.
3. A. Cezairliyan et al. High temperature Laser-Pulse Thermal Diffusivity Apparatus, International Journal of Thermophysics, V.15, #2, 1994, р. 317-341.
Claims (1)
- Композиционный материал с высокой теплопроводностью, содержащий алмазные зерна в матрице из карбида кремния и кремния, отличающийся тем, что он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, об.%:
Зерна алмаза - 50 - 85
Кремний - 2 - 49
Карбид кремния - 1 - 48
при этом содержание зерен алмаза размером более 40 мкм составляет не менее 25% от общего содержания алмаза в материале.
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2000129403A RU2206502C2 (ru) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | Композиционный материал |
US10/432,165 US6914025B2 (en) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | Heat conductive material |
RU2003118430/03A RU2270821C2 (ru) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | Теплопроводящий материал |
DE2001623825 DE60123825T2 (de) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | Wärmeleitendes material |
ES01972038T ES2273889T3 (es) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | Material conductor de calor. |
AU9184801A AU9184801A (en) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | A heat conductive material |
JP2002544380A JP4862169B2 (ja) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | 熱伝導性材料 |
PCT/EP2001/010439 WO2002042240A2 (en) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | A heat conductive material |
AT01972038T ATE342244T1 (de) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | Wärmeleitendes material |
EP01972038A EP1337497B1 (en) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | A heat conductive material |
CNB018192742A CN1263704C (zh) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | 一种导热材料 |
KR1020037006802A KR100758178B1 (ko) | 2000-11-21 | 2001-09-10 | 열전도성 재료 |
ZA200303525A ZA200303525B (en) | 2000-11-21 | 2003-05-07 | A heat conductive material. |
HK05104806A HK1072929A1 (en) | 2000-11-21 | 2005-06-08 | A heat conductive material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2000129403A RU2206502C2 (ru) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | Композиционный материал |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2000129403A RU2000129403A (ru) | 2002-10-27 |
RU2206502C2 true RU2206502C2 (ru) | 2003-06-20 |
Family
ID=20242528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000129403A RU2206502C2 (ru) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | Композиционный материал |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6914025B2 (ru) |
EP (1) | EP1337497B1 (ru) |
JP (1) | JP4862169B2 (ru) |
KR (1) | KR100758178B1 (ru) |
CN (1) | CN1263704C (ru) |
AT (1) | ATE342244T1 (ru) |
AU (1) | AU9184801A (ru) |
DE (1) | DE60123825T2 (ru) |
ES (1) | ES2273889T3 (ru) |
HK (1) | HK1072929A1 (ru) |
RU (1) | RU2206502C2 (ru) |
WO (1) | WO2002042240A2 (ru) |
ZA (1) | ZA200303525B (ru) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EA014582B1 (ru) * | 2009-10-21 | 2010-12-30 | Андрей Михайлович Абызов | Композиционный материал с высокой теплопроводностью и способ его получения |
MD249Z (ru) * | 2009-04-29 | 2011-02-28 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа |
RU2413329C9 (ru) * | 2009-09-08 | 2016-04-20 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Теплоотводящий элемент |
RU2731703C1 (ru) * | 2019-11-15 | 2020-09-08 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") | Композиционный материал |
RU2759858C1 (ru) * | 2020-12-25 | 2021-11-18 | Государственное Научное Учреждение Институт Порошковой Металлургии Имени Академика О.В. Романа | Способ получения износостойкого композиционного материала на основе карбида кремния |
RU2787570C1 (ru) * | 2021-08-10 | 2023-01-11 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Пролетный канал электронного потока СВЧ-прибора пролетного типа высокой мощности |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7027304B2 (en) * | 2001-02-15 | 2006-04-11 | Integral Technologies, Inc. | Low cost thermal management device or heat sink manufactured from conductive loaded resin-based materials |
EP2428590B1 (en) * | 2001-11-09 | 2018-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sintered diamond having high thermal conductivity and method for producing the same and heat sink employing it |
GB0223321D0 (en) * | 2002-10-08 | 2002-11-13 | Element Six Ltd | Heat spreader |
US7173334B2 (en) * | 2002-10-11 | 2007-02-06 | Chien-Min Sung | Diamond composite heat spreader and associated methods |
AT7382U1 (de) * | 2003-03-11 | 2005-02-25 | Plansee Ag | Wärmesenke mit hoher wärmeleitfähigkeit |
CN100345637C (zh) * | 2003-03-14 | 2007-10-31 | 攀枝花钢铁有限责任公司钢铁研究院 | 一种耐冲击构件及制造方法 |
SE0301117L (sv) | 2003-04-14 | 2004-10-15 | Skeleton Technologies Ag | Metod att tillverka en diamantkomposit |
US7279023B2 (en) | 2003-10-02 | 2007-10-09 | Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation | High thermal conductivity metal matrix composites |
DE102005024790A1 (de) | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Strahlungsheizung zum Heizen des Aufbaumaterials in einer Lasersintervorrichtung |
US7359487B1 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-15 | Revera Incorporated | Diamond anode |
US7791188B2 (en) | 2007-06-18 | 2010-09-07 | Chien-Min Sung | Heat spreader having single layer of diamond particles and associated methods |
WO2010027504A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation | Machinable metal/diamond metal matrix composite compound structure and method of making same |
US20110027603A1 (en) * | 2008-12-03 | 2011-02-03 | Applied Nanotech, Inc. | Enhancing Thermal Properties of Carbon Aluminum Composites |
US20100139885A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Renewable Thermodynamics, Llc | Sintered diamond heat exchanger apparatus |
US20100149756A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | David Rowcliffe | Heat spreader |
KR101005608B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2011-01-05 | 대중기계 주식회사 | 재단기의 재단도 높이 조정 장치 |
CN101578030B (zh) * | 2009-06-12 | 2011-10-26 | 陈伟恩 | 散热结构及其制造方法 |
CA2767569C (en) | 2009-07-10 | 2016-06-21 | Takao Kanemaru | Stirling cycle transducer for converting between thermal energy and mechanical energy |
US9006086B2 (en) | 2010-09-21 | 2015-04-14 | Chien-Min Sung | Stress regulated semiconductor devices and associated methods |
US8778784B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-07-15 | Ritedia Corporation | Stress regulated semiconductor devices and associated methods |
TWI464839B (zh) | 2010-09-21 | 2014-12-11 | Ritedia Corp | 單層鑽石顆粒散熱器及其相關方法 |
EP2640951A4 (en) | 2010-11-18 | 2015-11-18 | Etalim Inc | STIRLING CYCLE CONVERTER |
US8946603B2 (en) * | 2011-09-16 | 2015-02-03 | Be Aerospace, Inc. | Drain/fill fitting |
US9315732B1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-04-19 | Infinitus Renewable Energy, LLC | Ash filter and reboiler |
EP3280566B1 (en) | 2015-04-06 | 2024-09-04 | II-VI Delaware, Inc. | Article having diamond-only contact surfaces |
JP7116243B2 (ja) | 2018-07-16 | 2022-08-09 | コーニング インコーポレイテッド | 改善された特性を有するガラスセラミックス物品およびその製造方法 |
US12071367B2 (en) | 2018-07-16 | 2024-08-27 | Corning Incorporated | Glass substrates including uniform parting agent coatings and methods of ceramming the same |
CN112437759A (zh) | 2018-07-16 | 2021-03-02 | 康宁股份有限公司 | 具有改善的翘曲的玻璃制品的陶瓷化方法 |
US11834363B2 (en) | 2018-07-16 | 2023-12-05 | Corning Incorporated | Methods for ceramming glass with nucleation and growth density and viscosity changes |
CN112424132A (zh) * | 2018-07-16 | 2021-02-26 | 康宁股份有限公司 | 给定器板和使用其的玻璃制品陶瓷化方法 |
CN112694335B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-09-27 | 北京科技大学广州新材料研究院 | 金刚石-碳化硅基板及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4151686A (en) | 1978-01-09 | 1979-05-01 | General Electric Company | Silicon carbide and silicon bonded polycrystalline diamond body and method of making it |
US4220455A (en) | 1978-10-24 | 1980-09-02 | General Electric Company | Polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body and process for making said body |
US4242106A (en) | 1979-01-02 | 1980-12-30 | General Electric Company | Composite of polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride body/silicon carbide substrate |
JPS57500976A (ru) | 1980-07-09 | 1982-06-03 | ||
AU7919682A (en) | 1981-01-21 | 1982-07-29 | General Electric Company | Silicon carbide-diamond/boron nitride composite |
US4381271A (en) | 1981-02-02 | 1983-04-26 | General Electric Company | Use of fired fibrous graphite in fabricating polycrystalline diamond and/or cubic boron nitride/silicon carbide/silicon composite bodies |
US5106393A (en) | 1988-08-17 | 1992-04-21 | Australian National University | Diamond compact possessing low electrical resistivity |
JPH06199571A (ja) | 1991-06-20 | 1994-07-19 | Nippon Seratetsuku:Kk | 耐摩耗性セラミックス材料およびその製造方法 |
RU2036779C1 (ru) | 1992-12-08 | 1995-06-09 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Способ получения алмазосодержащего материала |
US6264882B1 (en) | 1994-05-20 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating composite material having high thermal conductivity |
JP3617232B2 (ja) | 1997-02-06 | 2005-02-02 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体パッケージ |
JP3893681B2 (ja) | 1997-08-19 | 2007-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法 |
ATE224858T1 (de) * | 1997-09-05 | 2002-10-15 | Frenton Ltd | Verfahren zur herstellung eines diamant- siliciumcarbid-siliciumkomposits und ein nach diesem verfahren hergestelltes komposit |
US6447852B1 (en) * | 1999-03-04 | 2002-09-10 | Ambler Technologies, Inc. | Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same |
WO2000018702A1 (en) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Scientific Research Center 'amt' Of Central Research Institure For Materials | Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same |
-
2000
- 2000-11-21 RU RU2000129403A patent/RU2206502C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-09-10 EP EP01972038A patent/EP1337497B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-10 DE DE2001623825 patent/DE60123825T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-10 US US10/432,165 patent/US6914025B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-10 JP JP2002544380A patent/JP4862169B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-10 KR KR1020037006802A patent/KR100758178B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-10 ES ES01972038T patent/ES2273889T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-10 CN CNB018192742A patent/CN1263704C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-10 WO PCT/EP2001/010439 patent/WO2002042240A2/en active IP Right Grant
- 2001-09-10 AU AU9184801A patent/AU9184801A/xx not_active Withdrawn
- 2001-09-10 AT AT01972038T patent/ATE342244T1/de not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-07 ZA ZA200303525A patent/ZA200303525B/en unknown
-
2005
- 2005-06-08 HK HK05104806A patent/HK1072929A1/xx not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ХИМИЧЕСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ/Под ред. И.Л. Кнунянца. - М.: Советская энциклопедия, 1988, т.1, с.106, т.2, с. 508, 519. * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD249Z (ru) * | 2009-04-29 | 2011-02-28 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа |
RU2413329C9 (ru) * | 2009-09-08 | 2016-04-20 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Теплоотводящий элемент |
EA014582B1 (ru) * | 2009-10-21 | 2010-12-30 | Андрей Михайлович Абызов | Композиционный материал с высокой теплопроводностью и способ его получения |
RU2731703C1 (ru) * | 2019-11-15 | 2020-09-08 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") | Композиционный материал |
RU2759858C1 (ru) * | 2020-12-25 | 2021-11-18 | Государственное Научное Учреждение Институт Порошковой Металлургии Имени Академика О.В. Романа | Способ получения износостойкого композиционного материала на основе карбида кремния |
RU2787570C1 (ru) * | 2021-08-10 | 2023-01-11 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Пролетный канал электронного потока СВЧ-прибора пролетного типа высокой мощности |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1072929A1 (en) | 2005-09-16 |
WO2002042240A2 (en) | 2002-05-30 |
EP1337497A2 (en) | 2003-08-27 |
CN1575265A (zh) | 2005-02-02 |
DE60123825D1 (de) | 2006-11-23 |
KR100758178B1 (ko) | 2007-09-12 |
ATE342244T1 (de) | 2006-11-15 |
KR20030074623A (ko) | 2003-09-19 |
DE60123825T2 (de) | 2007-05-16 |
JP4862169B2 (ja) | 2012-01-25 |
AU9184801A (en) | 2002-06-03 |
ZA200303525B (en) | 2004-03-30 |
CN1263704C (zh) | 2006-07-12 |
US6914025B2 (en) | 2005-07-05 |
US20040053039A1 (en) | 2004-03-18 |
JP2004525050A (ja) | 2004-08-19 |
WO2002042240A3 (en) | 2002-10-10 |
EP1337497B1 (en) | 2006-10-11 |
ES2273889T3 (es) | 2007-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2206502C2 (ru) | Композиционный материал | |
US5264071A (en) | Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same | |
JP4225684B2 (ja) | ダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料の製造法 | |
Yen et al. | Spheroidization of tubular voids in Al2 O3 crystals at high temperatures | |
JP2528217B2 (ja) | 複合セラミック体 | |
EP2879990B1 (en) | Ultrahard nanotwinned boron nitride bulk materials and synthetic method thereof | |
Hou et al. | Effect of porosity on the grinding performance of vitrified bond diamond wheels for grinding PCD blades | |
Lu et al. | The mechanical properties of co-continuous Si3N4/Al composites manufactured by squeeze casting | |
JPS61201751A (ja) | 高硬度焼結体およびその製造方法 | |
JP2001511106A (ja) | 312三元セラミック材料の表面処理およびその製品 | |
EP1149937B1 (en) | Thermally-diffused boron diamond and its production | |
DK169783B1 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af keramiske produkter | |
Lubis et al. | Microstructure‐Property Relations of Hot‐Pressed Silicon Carbide‐Aluminum Nitride Compositions at Room and Elevated Temperatures | |
Zhang et al. | Abrasive Wear Behavior of Heat‐Treated ABC‐Silicon Carbide | |
JP4490417B2 (ja) | ダイヤモンド複合材料の製造方法 | |
HU204240B (en) | Process for producing self-carrying ceramic composite structure | |
Narushima et al. | Oxidation of boron carbide-silicon carbide composite at 1073 to 1773 K | |
Ohashi et al. | Some properties and cutting performance of polycrystalline cubic boron nitride with no additives | |
RU2151126C1 (ru) | Конструкционный материал | |
Lavrenko et al. | High temperature oxidation of silicon carbide based materials | |
Hong et al. | Directional solidification of SiC-B4C eutectic: Growth and some properties | |
Delverdier et al. | Thermal behavior of polymer-derived ceramics. IV. Si C N O fibers from an oxygen-cured polycarbosilazane | |
Hirai et al. | Predominant parameters in the shock‐induced transition from graphite to diamond | |
RU2151814C1 (ru) | Способ получения алмазосодержащего материала и материал, полученный этим способом | |
RU2147509C1 (ru) | Способ получения абразивного изделия и абразивное изделие, полученное этим способом |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20071122 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20100320 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151122 |