RU2185682C2 - Устройство термообработки полупроводниковых пластин - Google Patents
Устройство термообработки полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU2185682C2 RU2185682C2 RU97118326/28A RU97118326A RU2185682C2 RU 2185682 C2 RU2185682 C2 RU 2185682C2 RU 97118326/28 A RU97118326/28 A RU 97118326/28A RU 97118326 A RU97118326 A RU 97118326A RU 2185682 C2 RU2185682 C2 RU 2185682C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reactor chamber
- radiation
- coating
- semiconductor wafer
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводников. Устройство для термообработки, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины включает в себя камеру реактора, содержащую материал, по существу, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн примерно от 200 до примерно 800 нм, для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины. По меньшей мере, на части камеры реактора может быть покрытие, содержащее материал, по существу, отражающий инфракрасное излучение. Источник излучения подает энергию излучения на, по меньшей мере, одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора. Источник излучения может включать в себя ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения. Покрытие может располагаться на внутренней либо внешней поверхности камеры реактора. Если камера реактора имеет внутреннюю и наружную стенки, то покрытие может быть расположено либо на внутренней, либо на наружной стенке. Технический результат изобретения: повышение качества термообработки полупроводниковых пластин. 4 с. и 6 з.п.ф-лы, 6 ил.
Description
Кремниевые пластины обычно проходят такие стадии обработки, как напыление, окисление и травление пакетами, например, от двенадцати до сорока пластин за раз.
Пакеты обрабатываются в кварцевых трубках, в которых пластины закрепляются по отдельности на "держателях пластин". Трубки и пластины разогреваются с помощью печей до температуры, лежащей в диапазоне от 800oС до примерно 1200oС. Обычно эти печи осуществляют нагрев с помощью электрических спиралей и имеют время обработки порядка нескольких часов.
Не так давно были разработаны поштучные процессы обработки. Вместо длинных трубок с держателями пластин используются камеры меньшего размера, а время обработки одной пластины может быть снижено до величины порядка одной минуты. Одним из самых распространенных процессов поштучной обработки является так называемый процесс быстрой термообработки (RTP). RTP и другие подобные процессы поштучной обработки пластин осуществляют нагрев до температуры примерно от 1000oС до 1200oС; однако здесь вместо нагрева сопротивлением используются вольфрамовые галогенные лампы. В некоторых процессах пакетной обработки также используются вольфрамовые галогенные лампы вместо нагрева сопротивлением. Такие процессы обычно называют "процессами быстрой пакетной обработки", поскольку они требуют большего времени, чем процессы поштучной обработки, но меньшего времени, чем традиционные процессы пакетной обработки.
Известные системы RTP для производства полупроводников используют вольфрамовые галогенные лампы для быстрого нагрева отдельных кремниевых пластин, лежащих горизонтально внутри кварцевых плоскопараллельных реакторов. Коэффициент полезного действия таких систем невелик, поскольку спектр излучения вольфрамовых ламп смещен в сторону инфракрасного диапазона (где поглощение кремния невелико) и поэтому тепло, излучаемое нагретыми кремниевыми поверхностями, передается через стенки реактора и теряется вне его. В добавок к необходимости подвода большого количества электроэнергии по вышеуказанным причинам, имеют место вариации нагрева по поперечному сечению пластин, зависящего от относительного положения пластин и ламп.
Необходимо создать устройство термообработки полупроводниковых пластин с более высоким коэффициентом полезного действия (и соответственно с большим сроком службы ламп и более низким энергопотреблением), чем у известных устройств обработки.
Также необходимо создать устройство термообработки полупроводниковых пластин с повышенной однородностью нагрева по сравнению с известными устройствами обработки и тем самым достичь равномерного распределения температуры по поверхности.
В одном варианте осуществления настоящего изобретения коэффициент полезного действия возрастает за счет покрытия стенок прозрачного реактора избирательным по отношению к длине волны слоем, что позволяет ультрафиолетовому и видимому излучению от ламп проникать в реактор, в то же время блокируя выход инфракрасного излучения, испускаемого нагретыми полупроводниковыми пластинами. Удержание излучения внутри реактора повышает коэффициент полезного действия, требуя меньшего падающего излучения на камеру, и увеличивает равномерность нагрева путем увеличения доли косвенного излучения, которое не зависит от положения ламп.
В другом варианте осуществления изобретения используется галогенная инфракрасная лампа накаливания или лампа с более короткой длиной волны, ртутная или металлогалогенная лампа, которые требуют меньшей мощности, чем вольфрамовые, поскольку излучают на длине волны выше поглощения кремния. Такие лампы также более надежны, поскольку в них отсутствует вольфрамовая нить.
Эти два варианта осуществления изобретения могут быть использованы индивидуально или в комбинации в процессах термообработки, таких, например, как процессы поштучной обработки пластин, процессы пакетной обработки, быстрые процессы термообработки и быстрые процессы пакетной обработки.
Признаки изобретения, претендующие на новизну, подробно раскрываются далее в прилагаемой формуле изобретения. Однако само изобретение как с точки зрения его устройства, так и способа функционирования, вместе с другими его целями и преимуществами можно лучше всего уяснить, обратившись к последующему описанию вместе с прилагаемыми чертежами, на которых одинаковые ссылочные позиции представляют одинаковые элементы и где:
фиг. 1 - поперечное сечение варианта осуществления устройства термообработки согласно настоящему изобретению,
фиг.2 - вид, подобный фиг.1, где избирательное по отношению к длине волны покрытие расположено на внутренней стенке камеры и покрыто пассивирующим слоем,
фигуры с 3 по 5 - виды, подобные показанному на фиг.1, с камерой, имеющей двойные стенки,
фиг. 6 - поперечное сечение варианта вертикального устройства термообработки согласно настоящему изобретению.
фиг. 1 - поперечное сечение варианта осуществления устройства термообработки согласно настоящему изобретению,
фиг.2 - вид, подобный фиг.1, где избирательное по отношению к длине волны покрытие расположено на внутренней стенке камеры и покрыто пассивирующим слоем,
фигуры с 3 по 5 - виды, подобные показанному на фиг.1, с камерой, имеющей двойные стенки,
фиг. 6 - поперечное сечение варианта вертикального устройства термообработки согласно настоящему изобретению.
На фиг.1 показано поперечное сечение варианта 1 осуществления устройства термообработки согласно настоящему изобретению. Полупроводниковая пластина 10 располагается в камере реактора 12 и поддерживается пальцами 14. Камера имеет избирательное по отношению к длине волны покрытие 16, которое получает энергию излучения от ламповых нагревательных элементов 18 и лампового рефлектора 20.
Пластина 10 может содержать любое количество полупроводниковых материалов, таких, например, как кремний, карбид кремния, арсенид галлия, нитрид галлия. Если это необходимо, то эти полупроводниковые материалы могут находиться в сочетании с тонкими изоляторами и/или металлическими слоями. Камера 12 может содержать практически прозрачный материал, позволяющий хорошо пропускать ультрафиолетовое и/или видимое излучение (излучение, включающее в себя длины волн в диапазоне от порядка 200 до порядка 800 нанометров). Примеры материалов для камеры 12 включают в себя кварц; кварц, легированный оксидом алюминия; оксид алюминия и синтетический оксид кремния.
В варианте осуществления по фиг.1 пластина 10 располагается горизонтально внутри камеры и поддерживается пальцами 14, содержащими кварц, причем ее поверхность обращена к противоположной стороне камеры (где нет пальцев) и ламповым нагревательным элементам. Такое расположение пластины в камере не является обязательным. Пластина, к примеру, может удерживаться в наклонном или вертикальном положении или на кварцевой подставке по середине камеры реактора.
Покрытие 16 может быть выполнено из любого числа избирательных по отношению к длине волны материалов, которые отражают инфракрасное излучение, например из оксида индий-олово (ITO), оксида сурьма-олово (АТО), оксида фтор-олово (FTO), нелегированного оксида олова, дихроичных фильтров, или тонких металлических пленок, таких как серебро, алюминий или золото. Дихроичные фильтры могут быть изготовлены, например, из набора слоев диоксида кремния или слоев оксида тантала и диоксида кремния, преимущество которых заключается в том, что они могут длительно работать при высоких температурах. Подобно материалу камеры, материал покрытия способен передавать излучение, включая длины волн, лежащие в диапазоне порядка от 200 до порядка 800 нанометров.
Инфракрасные избирательные зеркальные покрытия, содержащие легированные полупроводниковые оксиды, называемые зеркальными покрытиями Drude, отличаются по своим электрическим, оптическим свойствам и материалу, как это описано в публикации Т. Gerfin and M. Gratzel "Optical properties of tin-doped indium oxide determined bу spectroscopic ellipsometry", J. Apple. Phys., Vol. 79, pp. 1722-1729, 1 Feb. 1966. Зеркальные покрытия Drude используются на стеклянных панелях оранжерей для уменьшения потерь энергии, вызываемых инфракрасным излучением, позволяя при этом беспрепятственно проходить солнечному свету, как это описано в публикации S. D. Silverstein, "Effect of Infrared Transparency on the Heat Transfer Through Windows: A Clarification of the Greenhouse Effect", Science, Vol. 193, pp. 229-31, 16 July 1976. Пленки из оксида сурьма-олово (АТО) напыляются посредством химического осаждения из паровой фазы на слои оксида кремния, как это раскрыто в публикации Т. Р. Chow, M. Ghezzo and В. G. Baliga "Antimony-doped tin oxide films deposited by the oxidation of tetramethyltin and trimethylantimony", Electrochem. Soc., pp. 1040-45, May 1982, и следует ожидать, что АТО пленки можно будет напылять и на кварц. Дихроичные фильтры используются в галогенных инфракрасных параболических алюминиевых рефлекторных (PAR) лампах, поставляемых General Electric Company, Clevelend, Ohio, для отражения инфракрасного теплового излучения от баллона лампы - при этом видимое излучение беспрепятственно передается наружу. Настоящее изобретение отличается от такого рода галогенных инфракрасных ламп (PAR ламп), в которых источник излучения находится внутри камеры с покрытием, поскольку в настоящем изобретении источник излучения расположен вне камеры с покрытием.
Ламповые нагревательные элементы 18 могут содержать ультрафиолетовые (UV) газоразрядные лампы, такие как, например, газоразрядные лампы, металлогалогенные разрядные лампы видимого света или галогенные инфракрасные лампы накаливания. Диапазон длин волн для видимого спектра составляет примерно от 200 нанометров до порядка 400 нанометров, а диапазон длин волн для UV спектра составляет примерно от 400 до порядка 800 нанометров. Следовательно, предпочтительно, чтобы камера 12 и покрытие 16 были способны пропускать излучение на длинах волн в диапазоне от порядка 200 до примерно 800 нанометров.
Если ламповые нагревательные элементы являются цилиндрическими, то они могут быть расположены параллельно с повторяющимся расстоянием друг от друга и на одинаковом расстоянии от полупроводниковой пластины. Ламповый рефлектор 20 может содержать набор вогнутых зеркал 22, размещенных над лампами, для эффективного отражения излучения ламп, направленного назад.
Например, при использовании UV газоразрядных ламп для обработки кремниевых пластин можно ожидать повышением эффективности использования излучения на тридцать процентов или более по сравнению с известными конструкциями вольфрамовых ламп даже без использования покрытия на камере. Повышение эффективности ожидается из-за того факта, что спектр поглощения кремния имеет большее перекрытие со спектром излучения газоразрядной лампы. Можно ожидать, что использование покрытия для обеспечения сохранения тепла повысит эффективность использования мощности еще на шестьдесят пять процентов. Ожидается, что общее повышение составит девяносто пять процентов.
На фиг. 2 представлен вид, подобный фиг.1, на котором избирательное по отношению к длине волны покрытие 16а располагается на внутренней стороне стенки камеры 12а и покрыто пассивирующим слоем 24. Расположение покрытия на внутренней стороне стенки помогает уменьшить поглощение IR излучения стенкой камеры 12а. Покрытие в этом варианте осуществления должно быть выполнено из отражающего материала, такого, например, как оксид кремния (SiO2) с толщиной в диапазоне порядка от 0.1 до примерно 0.2 микрона и может служить дополнением к покрытию 16а по фиг.2 или покрытию 16 по фиг.1 для защиты такого покрытия.
На фигурах 3-5 представлены сечения, подобные фиг.1, где камера имеет двойные стенки для газового охлаждения, которое полезно, когда применение одинарной стенки может привести к тому, что температура стенки камеры превысит термоустойчивость покрытия. Это практично, поскольку в кремниевых пластинах, например, температуры могут превышать 1000oС. На фигурах 3 и 4 соответствующие покрытия 16b и 16с расположены между стенками камеры 12b и 26 и 12с и 26с соответственно. Между стенками камеры можно закачать сжатый воздух 28 и 28с. На фиг.3 покрытие 16b расположено на внешней поверхности стенки камеры 12b, а на фиг.4 покрытие 16с располагается на внутренней поверхности стенки камеры 28с. На фиг.5 между стенками камеры 12d и 26d закачан сжатый воздух 28d, а покрытие 16d находится на внутренней поверхности стенки камеры 12d. Кроме того, на фиг.5 показано множество пластин 10а и 10b в одной камере 12d.
Фиг.6 представляет собой поперечное сечение вертикального варианта 2 установки для термообработки согласно настоящему изобретению, в котором камера 612 покрыта избирательным по отношению к длине волны покрытием 616 и вмещает в себя множество пластин 610, которые могут быть собраны в пакеты с использованием, например, кварцевых пальцев (не показаны). Камера герметизирована крышкой 630, которая может содержать такой материал, как, например, кварц. Газы, такие как N2O2 или пирогенный пар, могут подаваться через впускное отверстие для газа 632 и выводится через выпускное отверстие для газа 634. Энергия излучения подается с помощью ламповых нагревательных элементов 618 ламповых сборок 619.
Хотя здесь были приведены в качестве примеров и описаны только некоторые признаки изобретения, специалисты смогут предложить множество модификаций и изменений. Следовательно, необходимо иметь ввиду, что прилагаемая формула изобретения покрывает все подобные модификации и изменения, которые не выходят за рамки сущности данного изобретения.
Claims (10)
1. Устройство термообработки, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, содержащее камеру реактора для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нм; покрытие на, по меньшей мере, части камеры реактора, отличающееся тем, что покрытие содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нм и, по существу, отражающий инфракрасное излучение; причем имеется источник излучения для подачи энергии излучения на, по меньшей мере, одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что источник излучения представляет собой ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что камера реактора выполнена из кварца, кварца, легированного оксидом алюминия, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что покрытие выполнено из оксида индий-олово, оксида сурьма-олово, оксида фтор-олово, нелегированного оксида олова, дихроичного фильтра или тонкой металлической пленки.
5. Устройство термообработки, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, содержащее камеру реактора для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нм, отличающееся тем, что предусмотрена лампа, содержащая ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения, причем лампа способна подавать энергию излучения на, по меньшей мере, одну полупроводниковую пластину через камеру реактора.
6. Устройство по п. 5, в котором камера реактора выполнена из кварца, кварца, легированного оксидом алюминия, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.
7. Устройство термообработки, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, содержащее прозрачную камеру реактора для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, отличающееся тем, что устройство содержит покрытие, содержащее материал, избирательно отражающий инфракрасное излучение, который покрывает, по меньшей мере, часть камеры реактора; и ультрафиолетовую газоразрядную лампу для подачи энергии излучения на, по меньшей мере, одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора.
8. Устройство по п. 7, в котором камера реактора выполнена из кварца, кварца, легированного оксидом алюминия, оксида алюминия или синтетического оксида кремния, а покрытие выполнено из оксида индий-олово, оксида сурьма-олово, оксида фтор-олово, нелегированного оксида олова, дихроичного фильтра или тонкой металлической пленки.
9. Устройство для использования в устройстве термообработки, причем указанное устройство содержит камеру реактора для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины, причем камера реактора содержит материал, по существу, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нм, отличающееся тем, что устройство содержит покрытие на, по меньшей мере, части камеры реактора, причем покрытие содержит материал, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн от около 200 до около 800 нм и, по существу, отражающий инфракрасное излучение.
10. Устройство по п. 9, в котором камера реактора выполнена из кварца, кварца, легированного оксидом алюминия, оксида алюминия или синтетического оксида кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/743,587 US6067931A (en) | 1996-11-04 | 1996-11-04 | Thermal processor for semiconductor wafers |
| US08/743,587 | 1996-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU97118326A RU97118326A (ru) | 1999-10-10 |
| RU2185682C2 true RU2185682C2 (ru) | 2002-07-20 |
Family
ID=24989354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97118326/28A RU2185682C2 (ru) | 1996-11-04 | 1997-11-03 | Устройство термообработки полупроводниковых пластин |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6067931A (ru) |
| EP (1) | EP0840359A3 (ru) |
| JP (1) | JPH10256171A (ru) |
| KR (1) | KR19980041866A (ru) |
| CA (1) | CA2216464A1 (ru) |
| IL (1) | IL122034A (ru) |
| RU (1) | RU2185682C2 (ru) |
| SG (1) | SG55398A1 (ru) |
| TW (1) | TW457594B (ru) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291868B1 (en) | 1998-02-26 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Forming a conductive structure in a semiconductor device |
| US6666924B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
| DE10045264A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Zeiss Carl | Verfahren zum Aufheizen eines Werkstückes, insbesondere eines optischen Elementes |
| DE10051125A1 (de) | 2000-10-16 | 2002-05-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| US6902622B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-06-07 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate |
| US6707011B2 (en) | 2001-04-17 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
| US6600138B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-07-29 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
| KR100429296B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2004-04-29 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| US6815241B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-09 | Cao Group, Inc. | GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture |
| KR20040042238A (ko) * | 2002-11-13 | 2004-05-20 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 산화막 형성 장치 및 실리콘 웨이퍼의산화막 형성 방법 |
| US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
| TWI224868B (en) * | 2003-10-07 | 2004-12-01 | Ind Tech Res Inst | Method of forming poly-silicon thin film transistor |
| US7037612B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-05-02 | Utc Fuel Cells, Llc | Moisture stabilization for a fuel cell power plant system |
| DE102004038233A1 (de) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Schott Ag | Solarabsorber |
| JP4852852B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2012-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 加熱ユニット |
| DE102005038672A1 (de) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleitersubstraten |
| US20070148367A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Lewis Daniel J | Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus |
| RU2010143546A (ru) * | 2008-03-26 | 2012-05-10 | ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) | Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ |
| US20120237695A1 (en) * | 2009-12-23 | 2012-09-20 | 2-Pye Solar, LLC | Method and apparatus for depositing a thin film |
| US20120244684A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Kunihiko Suzuki | Film-forming apparatus and method |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
| US20160379854A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Vacuum Compatible LED Substrate Heater |
| FR3044023B1 (fr) * | 2015-11-19 | 2017-12-22 | Herakles | Dispositif pour le revetement d'un ou plusieurs fils par un procede de depot en phase vapeur |
| JP7257813B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 水蒸気処理装置及び水蒸気処理方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3372672A (en) * | 1966-03-21 | 1968-03-12 | Gen Electric | Photopolymerization means in a vapor deposition coating apparatus |
| DE1924997A1 (de) * | 1969-05-16 | 1970-11-19 | Siemens Ag | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial |
| US4496609A (en) * | 1969-10-15 | 1985-01-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor |
| US4160929A (en) * | 1977-03-25 | 1979-07-10 | Duro-Test Corporation | Incandescent light source with transparent heat mirror |
| US4409512A (en) * | 1979-06-05 | 1983-10-11 | Duro-Test Corporation | Incandescent electric lamp with etalon type transparent heat mirror |
| US4435445A (en) * | 1982-05-13 | 1984-03-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photo-assisted CVD |
| JPS5994829A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6074425A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Nec Corp | 基板加熱装置 |
| US4579080A (en) * | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
| JPS611017A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の熱処理装置 |
| JPS61129834A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光照射型熱処理装置 |
| US4653428A (en) * | 1985-05-10 | 1987-03-31 | General Electric Company | Selective chemical vapor deposition apparatus |
| US4654509A (en) * | 1985-10-07 | 1987-03-31 | Epsilon Limited Partnership | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus |
| US4938815A (en) * | 1986-10-15 | 1990-07-03 | Advantage Production Technology, Inc. | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus |
| JPH0474859A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 熱処理装置の加熱装置 |
| DE4026728C2 (de) * | 1990-08-24 | 2001-05-17 | Dornier Gmbh | Verwendung von beschichteten transparenten Sichtscheiben aus Kunststoff |
| JPH0729844A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の赤外線加熱方法及び赤外線加熱装置 |
| JPH07245374A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Mitsui High Tec Inc | リ−ドフレ−ム及び半導体装置 |
| US5433791A (en) * | 1994-05-26 | 1995-07-18 | Hughes Aircraft Company | MBE apparatus with photo-cracker cell |
| JPH0897167A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び熱処理装置 |
| US5715361A (en) * | 1995-04-13 | 1998-02-03 | Cvc Products, Inc. | Rapid thermal processing high-performance multizone illuminator for wafer backside heating |
| US5636320A (en) * | 1995-05-26 | 1997-06-03 | International Business Machines Corporation | Sealed chamber with heating lamps provided within transparent tubes |
| US5781693A (en) * | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
-
1996
- 1996-11-04 US US08/743,587 patent/US6067931A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-30 KR KR1019970045103A patent/KR19980041866A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-09-25 CA CA002216464A patent/CA2216464A1/en not_active Abandoned
- 1997-10-03 TW TW086114413A patent/TW457594B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-23 SG SG1997003852A patent/SG55398A1/en unknown
- 1997-10-27 IL IL12203497A patent/IL122034A/en not_active IP Right Cessation
- 1997-10-30 JP JP9297616A patent/JPH10256171A/ja not_active Withdrawn
- 1997-11-03 RU RU97118326/28A patent/RU2185682C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-11-04 EP EP97308821A patent/EP0840359A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980041866A (ko) | 1998-08-17 |
| EP0840359A3 (en) | 2002-04-03 |
| TW457594B (en) | 2001-10-01 |
| SG55398A1 (en) | 1998-12-21 |
| IL122034A (en) | 2001-05-20 |
| JPH10256171A (ja) | 1998-09-25 |
| MX9708509A (es) | 1998-05-31 |
| CA2216464A1 (en) | 1998-05-04 |
| US6067931A (en) | 2000-05-30 |
| EP0840359A2 (en) | 1998-05-06 |
| IL122034A0 (en) | 1998-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2185682C2 (ru) | Устройство термообработки полупроводниковых пластин | |
| US7777198B2 (en) | Apparatus and method for exposing a substrate to a rotating irradiance pattern of UV radiation | |
| US8338809B2 (en) | Ultraviolet reflector with coolant gas holes and method | |
| US7909595B2 (en) | Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using a reflector having both elliptical and parabolic reflective sections | |
| US7566891B2 (en) | Apparatus and method for treating a substrate with UV radiation using primary and secondary reflectors | |
| EP2257973B1 (en) | Silver reflectors for semiconductor processing chambers | |
| US7692171B2 (en) | Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using asymmetric reflectors | |
| US5138219A (en) | Optical interference coating and lamps using same | |
| US8455849B2 (en) | Method and apparatus for modulating wafer treatment profile in UV chamber | |
| JP2925700B2 (ja) | 低圧化学蒸着法によって光学干渉被膜で被覆されたガラス反射体 | |
| RU97118326A (ru) | Устройство термообработки полупроводниковых пластин | |
| EP0970508A1 (en) | Incandescent microcavity lightsource and method | |
| US6441541B1 (en) | Optical interference coatings and lamps using same | |
| US20050163939A1 (en) | Method for coating the quartz burner of an hid lamp | |
| CN1188823A (zh) | 半导体圆片的热处理器 | |
| MXPA97008509A (en) | Thermal processor for semiconductor plates | |
| US20110262116A1 (en) | Infrared filter of a light source for heating an object | |
| CN221686675U (zh) | 二次反射镜、紫外光源组件和紫外光固化设备 | |
| Leroy et al. | High performance incandescent light bulb using a selective emitter and nanophotonic filters | |
| WO2004003984A1 (ja) | 半導体製造装置 | |
| Rancourt et al. | High temperature lamp coatings | |
| JPH07294705A (ja) | 紫外線照射後処理方法 | |
| Aleksandrov et al. | Multilayer film structures for light sources |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20041104 |