JPH0474859A - 熱処理装置の加熱装置 - Google Patents
熱処理装置の加熱装置Info
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- JPH0474859A JPH0474859A JP19016590A JP19016590A JPH0474859A JP H0474859 A JPH0474859 A JP H0474859A JP 19016590 A JP19016590 A JP 19016590A JP 19016590 A JP19016590 A JP 19016590A JP H0474859 A JPH0474859 A JP H0474859A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、熱処理装置の密封室内に設けた基板を加熱す
る加熱装置に関する。
る加熱装置に関する。
「従来の技術j
従来、レーザビームを用いた酸化物薄膜体積装置等の熱
処理装置においては、密封室内に収容した基板を加熱す
る必要があり、そのために、密封室に開口を形成すると
ともにこの開口を高温耐熱性の赤外線透過材料からなる
閉鎖部材で閉鎖させ、上記密封室の外部に設けた赤外線
ヒータからの熱を反射鏡により上記閉鎖部材を透過して
上記基板に案内し、それによって基板を加熱するように
した加熱装置が提案されている(特開平1−14632
0号公報)。
処理装置においては、密封室内に収容した基板を加熱す
る必要があり、そのために、密封室に開口を形成すると
ともにこの開口を高温耐熱性の赤外線透過材料からなる
閉鎖部材で閉鎖させ、上記密封室の外部に設けた赤外線
ヒータからの熱を反射鏡により上記閉鎖部材を透過して
上記基板に案内し、それによって基板を加熱するように
した加熱装置が提案されている(特開平1−14632
0号公報)。
この種の加熱装置では、赤外線ヒータを密封室の外部に
設けているので、赤外線ヒータを密封室内に設ける場合
に比較して密封室内の容積を小さくでき、したがって密
封室内を高真空に維持し易くなり、また密封室内に一酸
ノに窒素や酸素等を供給する場合にもそれらを相対的に
少量だけ供給すれば良いという利点がある。
設けているので、赤外線ヒータを密封室内に設ける場合
に比較して密封室内の容積を小さくでき、したがって密
封室内を高真空に維持し易くなり、また密封室内に一酸
ノに窒素や酸素等を供給する場合にもそれらを相対的に
少量だけ供給すれば良いという利点がある。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら上記加熱装置では、上記反射鏡を赤外線ヒ
ータに隣接させて開口とは反対側に配置し、赤外線ヒー
タから上記開口とは反対側に放射された熱を開口に向け
て反射させるようにしただけなので熱効率が悪かった。
ータに隣接させて開口とは反対側に配置し、赤外線ヒー
タから上記開口とは反対側に放射された熱を開口に向け
て反射させるようにしただけなので熱効率が悪かった。
本発明はそのような事情に鑑み、効率よく基板を加熱す
ることができる熱処理装置の加熱装置を提供するもので
ある。
ることができる熱処理装置の加熱装置を提供するもので
ある。
「課題を解決するための手段」
すなわち本発明は、上述した熱処理装置の加熱装置にお
いて、上記反射鏡を、上記閉鎖部材を挟んで密封室の内
側と外側とに設けるとともに、該反射鏡全体の形状を一
端が開口した有底筒状に形成し、その一端開口部を上記
密封室内で基板に対向させ、かつ反射鏡の密封室外の内
側底部に上記赤外線ヒータを収容したものである。
いて、上記反射鏡を、上記閉鎖部材を挟んで密封室の内
側と外側とに設けるとともに、該反射鏡全体の形状を一
端が開口した有底筒状に形成し、その一端開口部を上記
密封室内で基板に対向させ、かつ反射鏡の密封室外の内
側底部に上記赤外線ヒータを収容したものである。
「作用」
上記構成によれば、反射鏡が有底筒状に形成されて赤外
線ヒータがその反射鏡の密封室外の内側底部に収容され
ているので、該赤外線ヒータからの熱は大部分が反射鏡
の一端の開口に向けて反射されるようになる。そしてこ
の反射鏡は、上記高温耐熱性の赤外線透過材料からなる
閉鎖部材を挟んで密封室の内側と外側とに設けてあり、
かつ該反射鏡の開口部を上記密封室内で基板に対向させ
ているので、該基板を効率よく加熱することができる。
線ヒータがその反射鏡の密封室外の内側底部に収容され
ているので、該赤外線ヒータからの熱は大部分が反射鏡
の一端の開口に向けて反射されるようになる。そしてこ
の反射鏡は、上記高温耐熱性の赤外線透過材料からなる
閉鎖部材を挟んで密封室の内側と外側とに設けてあり、
かつ該反射鏡の開口部を上記密封室内で基板に対向させ
ているので、該基板を効率よく加熱することができる。
「実施例」
以下図示実施例について本発明を説明すると、図におい
て、ステンレス材料によって円筒形状に形成した国体1
の内部に密封室2を形成してあり、この密封室2の内部
にセラミックス製の円板状のテーブル3を水平に配置し
、該テーブル3をセラミックス製の支柱4によって水平
に支持している。上記テーブル3の中央部には孔3aを
穿設してあり、この孔3aを高温耐熱性を有する蓄熱材
料、例えば不透明石英ガラスやゲルマニウムからなる基
板支持台5で覆っている。そしてこの基板支持台5上に
耐酸化性の大きいモリブデン製の板6を介してサファイ
ア製の基板7を載置している。
て、ステンレス材料によって円筒形状に形成した国体1
の内部に密封室2を形成してあり、この密封室2の内部
にセラミックス製の円板状のテーブル3を水平に配置し
、該テーブル3をセラミックス製の支柱4によって水平
に支持している。上記テーブル3の中央部には孔3aを
穿設してあり、この孔3aを高温耐熱性を有する蓄熱材
料、例えば不透明石英ガラスやゲルマニウムからなる基
板支持台5で覆っている。そしてこの基板支持台5上に
耐酸化性の大きいモリブデン製の板6を介してサファイ
ア製の基板7を載置している。
上記基板7の斜め上方位置にPb−Zr−Tiの酸化物
からなるターゲット8を設けてあり、このターゲット8
はステンレス製のアーム9の先端部に取付けている。上
記アーム9は密封室1の外部に設けたアクチエータ10
によって昇降させることができるようになっている。
からなるターゲット8を設けてあり、このターゲット8
はステンレス製のアーム9の先端部に取付けている。上
記アーム9は密封室1の外部に設けたアクチエータ10
によって昇降させることができるようになっている。
上記国体1の上方側面には筒状の導管11の一端を取付
けてあり、この導管11の他端に取付けた透明石英ガラ
スからなる窓12を介して導管11および密封室2内に
レーザビームLを導入することができるようなっている
。このレーザビームしは上記ターゲット8に照射されて
ベーパを発生させ、該ベーパは上記基板7上に堆積され
て薄膜を形成するようになる。
けてあり、この導管11の他端に取付けた透明石英ガラ
スからなる窓12を介して導管11および密封室2内に
レーザビームLを導入することができるようなっている
。このレーザビームしは上記ターゲット8に照射されて
ベーパを発生させ、該ベーパは上記基板7上に堆積され
て薄膜を形成するようになる。
また上記国体1に真空通路13を接続するとともに、上
記導管11の外周にガス供給管14を接続し、真空通路
13によって上記密封室1内を真空にするとともに、ガ
ス供給管14から密封室1内にN、0ガスや02ガスを
供給することができるようになっている。このとき、上
記ターゲット8からのベーパが窓12に付着するのを防
止するために、上記国体1に取付けた導管11に窓12
を設けて該窓12とターゲット8とをできるだけ離隔さ
せ、かつガス供給管14をその窓12に隣接させて設け
ている。
記導管11の外周にガス供給管14を接続し、真空通路
13によって上記密封室1内を真空にするとともに、ガ
ス供給管14から密封室1内にN、0ガスや02ガスを
供給することができるようになっている。このとき、上
記ターゲット8からのベーパが窓12に付着するのを防
止するために、上記国体1に取付けた導管11に窓12
を設けて該窓12とターゲット8とをできるだけ離隔さ
せ、かつガス供給管14をその窓12に隣接させて設け
ている。
上記国体1の上面には基板7の直上位置に透明石英ガラ
スからなる窓15を設けてあり、この窓15を介して基
板7にレーザビームを照射することにより、基板7に堆
積中の薄膜の表面を改質することができるようにしてい
る。
スからなる窓15を設けてあり、この窓15を介して基
板7にレーザビームを照射することにより、基板7に堆
積中の薄膜の表面を改質することができるようにしてい
る。
さらに、上記国体lの底面には大きな開口21を形成し
てあり、この間口21を高温耐熱性の赤外線透過材料、
例えば透明石英ガラスからなる閉鎖部材22で閉鎖して
いる。この閉鎖部材22は、その外周に設けたステンレ
ス製の枠部材23を上記国体1に図示しないボルトによ
って固定することによって、国体1に取付けている。
てあり、この間口21を高温耐熱性の赤外線透過材料、
例えば透明石英ガラスからなる閉鎖部材22で閉鎖して
いる。この閉鎖部材22は、その外周に設けたステンレ
ス製の枠部材23を上記国体1に図示しないボルトによ
って固定することによって、国体1に取付けている。
上記基板支持台5および基板7を加熱する赤外線ヒータ
24は密封室1の外部に設けてあり、この赤外線ヒータ
24からの熱を反射鏡25により上記閉鎖部材22を透
過して上記基板支持台5に案内することができるように
している。上記反射鏡25は上記閉鎖部材22を挟んで
密封室2の内側と外側とに設けてあり、外側の反射鏡2
5Aは底部を丸くしたコツプ形状に、内側の反射125
Bは上方が窄まった円筒形状に形成し、それによって反
射鏡25の全体形状を一端が開口した有底筒状に、図示
実施例では上端部を切除した卵形に形成している。
24は密封室1の外部に設けてあり、この赤外線ヒータ
24からの熱を反射鏡25により上記閉鎖部材22を透
過して上記基板支持台5に案内することができるように
している。上記反射鏡25は上記閉鎖部材22を挟んで
密封室2の内側と外側とに設けてあり、外側の反射鏡2
5Aは底部を丸くしたコツプ形状に、内側の反射125
Bは上方が窄まった円筒形状に形成し、それによって反
射鏡25の全体形状を一端が開口した有底筒状に、図示
実施例では上端部を切除した卵形に形成している。
上記外側の反射鏡25Aは枠部材23の内周面に、また
内側の反射鏡25Bは開口21の内周面にそれぞれ取付
けてあり、かつ外側のコツプ形状の反射鏡25A内に上
記赤外線ヒータ24を収容し、また内側の円筒形状の反
射鏡25Bの上端開口部を上記密封室1内で基板支持台
5に対向させている。
内側の反射鏡25Bは開口21の内周面にそれぞれ取付
けてあり、かつ外側のコツプ形状の反射鏡25A内に上
記赤外線ヒータ24を収容し、また内側の円筒形状の反
射鏡25Bの上端開口部を上記密封室1内で基板支持台
5に対向させている。
以上の構成において、基板7上に薄膜を形成する際には
、上記真空通路13によって密封室1内を真空に維持す
るとともに、ガス供給管14から密封室1内に所要濃度
のガスを供給する。また赤外線ヒータ24に通電して該
赤外線ヒータ24からの熱を外側の反射g 25Aによ
って透明石英ガラスからなる閉鎖部材22に反射案内し
、この閉鎖部材22を透過した熱を内側の反射鏡25B
を介して基板支持台5に反射案内する。これにより蓄熱
材料からなる基板支持台5が加熱されて蓄熱され、該基
板支持台5の熱によって上記基板7が800°C前後に
加熱される。
、上記真空通路13によって密封室1内を真空に維持す
るとともに、ガス供給管14から密封室1内に所要濃度
のガスを供給する。また赤外線ヒータ24に通電して該
赤外線ヒータ24からの熱を外側の反射g 25Aによ
って透明石英ガラスからなる閉鎖部材22に反射案内し
、この閉鎖部材22を透過した熱を内側の反射鏡25B
を介して基板支持台5に反射案内する。これにより蓄熱
材料からなる基板支持台5が加熱されて蓄熱され、該基
板支持台5の熱によって上記基板7が800°C前後に
加熱される。
このとき、上記赤外線ヒータ24を全体として端が開口
した有底筒状となる反射鏡25内に収容しているので、
該赤外線ヒータ24からの熱を効率的に基板支持台5お
よび基板7に案内して基板7を加熱することができる。
した有底筒状となる反射鏡25内に収容しているので、
該赤外線ヒータ24からの熱を効率的に基板支持台5お
よび基板7に案内して基板7を加熱することができる。
そして赤外線ヒータ24からの熱がステンレス類の国体
1等を過度に加熱することがなく、しかも基板支持台5
を支持するテーブル3は耐高温、耐酸化性に優れたセラ
ミックスから製造しているので、ステンレスの加熱によ
りその内部からCが発生することが防止でき、それによ
って基板7上に堆積される薄膜の純度が低下するのが防
止できる。
1等を過度に加熱することがなく、しかも基板支持台5
を支持するテーブル3は耐高温、耐酸化性に優れたセラ
ミックスから製造しているので、ステンレスの加熱によ
りその内部からCが発生することが防止でき、それによ
って基板7上に堆積される薄膜の純度が低下するのが防
止できる。
そして上述した状態で図示しないレーザ発振器からレー
ザビームを放射させ、該レーザビームを急12から導管
11を介してターゲット8に照射させれば、該ターゲッ
ト8からベーパが発生されて基板7上に堆積され、薄膜
を形成するようになる。
ザビームを放射させ、該レーザビームを急12から導管
11を介してターゲット8に照射させれば、該ターゲッ
ト8からベーパが発生されて基板7上に堆積され、薄膜
を形成するようになる。
「発明の効果」
以上のように、本発明によれば、反射鏡を有底筒状に形
成して赤外線ヒータをその内部に収容しているので、該
赤外線ヒータからの熱を効率よく基板に伝達して該基板
を効果的に加熱することができるという効果が得られる
。
成して赤外線ヒータをその内部に収容しているので、該
赤外線ヒータからの熱を効率よく基板に伝達して該基板
を効果的に加熱することができるという効果が得られる
。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
1・・・国体 2・・・密封室5・・・基板支
持台 7・・・基板
持台 7・・・基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板を収容した密封室と、この密封室に形成した開口
を閉鎖する高温耐熱性の赤外線透過材料からなる閉鎖部
材と、上記密封室の外部に設けた赤外線ヒータと、この
赤外線ヒータからの熱を上記閉鎖部材を透過して上記基
板に案内する反射鏡とを備える熱処理装置の加熱装置に
おいて、 上記反射鏡を、上記閉鎖部材を挟んで密封室の内側と外
側とに設けるとともに、該反射鏡全体の形状を一端が開
口した有底筒状に形成し、その一端開口部を上記密封室
内で基板に対向させ、かつ反射鏡の密封室外の内側底部
に上記赤外線ヒータを収容したことを特徴とする熱処理
装置の加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19016590A JPH0474859A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 熱処理装置の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19016590A JPH0474859A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 熱処理装置の加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474859A true JPH0474859A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16253515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19016590A Pending JPH0474859A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 熱処理装置の加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474859A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6067931A (en) * | 1996-11-04 | 2000-05-30 | General Electric Company | Thermal processor for semiconductor wafers |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP19016590A patent/JPH0474859A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6067931A (en) * | 1996-11-04 | 2000-05-30 | General Electric Company | Thermal processor for semiconductor wafers |
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