[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2018112372A - Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль - Google Patents

Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль Download PDF

Info

Publication number
RU2018112372A
RU2018112372A RU2018112372A RU2018112372A RU2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
light emitting
emitting device
radiation
paragraphs
Prior art date
Application number
RU2018112372A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2018112372A3 (ru
RU2717381C2 (ru
Inventor
Мотоказу ЯМАДА
Юити ЯМАДА
Original Assignee
Нития Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нития Корпорейшн filed Critical Нития Корпорейшн
Priority claimed from PCT/JP2016/004528 external-priority patent/WO2017061127A1/en
Publication of RU2018112372A publication Critical patent/RU2018112372A/ru
Publication of RU2018112372A3 publication Critical patent/RU2018112372A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2717381C2 publication Critical patent/RU2717381C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/84Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8514Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8515Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Claims (27)

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
основание, включающее в себя токопроводящие дорожки;
светоизлучающий элемент, установленный на основании и выполненный с возможностью излучать световое излучение;
светоотражающую пленку, расположенную на верхней поверхности светоизлучающего элемента; и
оболочку, покрывающую светоизлучающий элемент и светоотражающую пленку, причем отношение (H/W) высоты (Н) оболочки к ширине (W) нижней поверхности оболочки составляет менее 0,5.
2. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором верхняя поверхность оболочки имеет выпуклую изогнутую форму.
3. Светоизлучающее устройство по п. 1 или 2, в котором светоотражающая пленка выполнена так, что коэффициент пропускания светового излучения светоотражающей пленки для указанного светового излучения зависит от угла падения.
4. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-3, в котором коэффициент пропускания светового излучения светоотражающей пленки для указанного светового излучения увеличивается по мере увеличения абсолютного значения угла падения указанного светового излучения.
5. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-4, в котором светоотражающая пленка сформирована из диэлектрической многослойной пленки.
6. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-5, в котором:
диапазон длин волн, отраженных светоотражающей пленкой, для светового излучения, падающего перпендикулярно на светоотражающую пленку, включает длину волны пикового излучения светоизлучающего элемента, и
в указанном диапазоне длин волн отражения область со стороны более длинных длин волн относительно пика излучения шире, чем область со стороны более коротких длин волн относительно пика излучения.
7. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-6, в котором 30% или более от всего светового излучения, излучаемого светоизлучающим устройством, излучается в направлении под углом наклона менее 20° относительно верхней поверхности основания.
8. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-6, в котором 40% или более от всего светового излучения, излучаемого светоизлучающим устройством, излучается в направлении под углом наклона менее 20° относительно верхней поверхности основания.
9. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-8, в котором отношение (H/W) высоты (Н) оболочки к ширине (W) нижней поверхности оболочки составляет 0,3 или менее.
10. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-9, в котором светоизлучающий элемент установлен методом перевернутого кристалла.
11. Интегрированное светоизлучающее устройство, содержащее:
несколько светоизлучающих устройств по любому из пп. 1-10,
при этом по меньшей мере один светоотражающий элемент расположен между соседними указанными светоизлучающими устройствами.
12. Интегрированное светоизлучающее устройство по п. 11, в котором светоотражающий элемент имеет высоту, составляющую 0,3 или менее от расстояния между соседними светоизлучающими устройствами.
13. Интегрированное светоизлучающее устройство по п. 11, в котором светоотражающий элемент имеет высоту, составляющую 0,2 или менее от расстояния между соседними светоизлучающими устройствами.
14. Светоизлучающий модуль, содержащий:
светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-10; и
элемент преобразования длины волны, расположенный со стороны световыводящей поверхности светоизлучающего устройства, причем элемент преобразования длины волны выполнен с возможностью поглощать часть светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом и преобразовывать поглощенное световое излучение в световое излучении с длиной волны, отличной от длины волны светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом.
15. Светоизлучающий модуль, содержащий:
интегрированное светоизлучающее устройство по любому из пп. 11-13; и
элемент преобразования длины волны, расположенный со стороны световыводящей поверхности интегрированного светоизлучающего устройства, причем элемент преобразования длины волны выполнен с возможностью поглощать часть светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом и преобразовывать поглощенное световое излучение в световое излучение с длиной волны, отличной от длины волны светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом.
RU2018112372A 2015-10-08 2016-10-07 Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль RU2717381C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-200445 2015-10-08
JP2015200445 2015-10-08
JP2016-197968 2016-10-06
JP2016197968A JP6506899B2 (ja) 2015-10-08 2016-10-06 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール
PCT/JP2016/004528 WO2017061127A1 (en) 2015-10-08 2016-10-07 Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018112372A true RU2018112372A (ru) 2019-10-07
RU2018112372A3 RU2018112372A3 (ru) 2019-12-05
RU2717381C2 RU2717381C2 (ru) 2020-03-23

Family

ID=58538425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018112372A RU2717381C2 (ru) 2015-10-08 2016-10-07 Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль

Country Status (8)

Country Link
JP (3) JP6506899B2 (ru)
KR (1) KR102632427B1 (ru)
CN (2) CN106571421B (ru)
AU (1) AU2016238924B2 (ru)
BR (1) BR112018006931B1 (ru)
CA (1) CA2999401A1 (ru)
RU (1) RU2717381C2 (ru)
TW (2) TWI799754B (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109285929B (zh) * 2017-07-21 2023-09-08 日亚化学工业株式会社 发光装置、集成型发光装置以及发光模块
JP7082273B2 (ja) * 2017-07-21 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール
CN109390327B (zh) * 2017-08-02 2020-10-30 吴裕朝 发光装置、应用其的背光模组、光源模组及其制备方法
KR102631105B1 (ko) * 2017-08-31 2024-01-30 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP7522529B2 (ja) * 2017-08-31 2024-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7082272B2 (ja) * 2017-09-27 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7174216B2 (ja) * 2017-10-23 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび集積型発光モジュール
TWI793203B (zh) 2017-10-26 2023-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6870592B2 (ja) 2017-11-24 2021-05-12 豊田合成株式会社 発光装置
JP7177331B2 (ja) 2018-06-29 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7180552B2 (ja) * 2019-06-21 2022-11-30 豊田合成株式会社 発光装置の製造管理方法
JP7226131B2 (ja) * 2019-06-25 2023-02-21 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2021009806A (ja) * 2019-07-01 2021-01-28 大日本印刷株式会社 バックライトモジュール、および表示装置
CN112485803A (zh) * 2019-08-21 2021-03-12 Oppo广东移动通信有限公司 激光发射装置及制作方法、飞行时间测量装置
JP7508278B2 (ja) * 2020-06-04 2024-07-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
US20230378403A1 (en) * 2020-10-20 2023-11-23 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Surface-emitting device, display device, sealing member sheet for surface-emitting device, and method for producing surface-emitting device
CN116779744A (zh) * 2023-06-30 2023-09-19 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种芯片级led封装元件

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
JP2001257381A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
AU2002217845A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Microelectronic package having improved light extraction
JP2002280614A (ja) * 2001-03-14 2002-09-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
RU2207663C2 (ru) * 2001-07-17 2003-06-27 Ооо Нпц Оэп "Оптэл" Светодиод
JP2004253436A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2004304041A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2006049857A (ja) * 2004-06-29 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 光源、および光源の作製方法、並びにカラー感熱プリンタ
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
RU53500U1 (ru) * 2005-11-22 2006-05-10 Емельян Михайлович Гамарц Электролюминесцентный излучатель
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
KR100649765B1 (ko) * 2005-12-21 2006-11-27 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
JP2008041290A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法
US8755005B2 (en) * 2008-09-24 2014-06-17 Koninklijke Philips N.V. Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface
JP2010092672A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Harison Toshiba Lighting Corp バックライト装置および表示装置
JP5347953B2 (ja) * 2009-12-28 2013-11-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US9263315B2 (en) * 2010-03-30 2016-02-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate
US9341766B2 (en) * 2010-06-15 2016-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device and television device
JP5178796B2 (ja) * 2010-09-10 2013-04-10 三菱電機株式会社 発光装置及び照明装置
WO2012090576A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2012204370A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
JP5401534B2 (ja) * 2011-03-25 2014-01-29 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、および表示装置
JP5796209B2 (ja) * 2011-05-23 2015-10-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
US8624482B2 (en) * 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
JP2013077798A (ja) * 2011-09-14 2013-04-25 Toyoda Gosei Co Ltd ガラス封止ledランプ及びその製造方法
JP6048001B2 (ja) * 2012-07-13 2016-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201413347A (zh) * 2012-09-19 2014-04-01 Chi Lin Technology Co Ltd 具有光波長轉換元件之背光模組
TWI528083B (zh) * 2012-11-29 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 背光模組
JP2014187095A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp Ledモジュールおよび照明装置
JP6179854B2 (ja) * 2013-07-23 2017-08-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明器具
JP6273124B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-31 シチズン電子株式会社 Led照明装置
EP3095142B1 (en) * 2013-12-19 2020-10-07 Lumileds Holding B.V. Led module with uniform phosphor illumination
CN104766916A (zh) * 2014-01-07 2015-07-08 易美芯光(北京)科技有限公司 一种采用倒装蓝光芯片封装的led集成光源
CN103872223A (zh) * 2014-01-26 2014-06-18 上海瑞丰光电子有限公司 一种led晶片级封装方法
RU151161U1 (ru) * 2014-08-19 2015-03-20 Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРКОМ" Источник белого света и светильник, содержащий такой источник

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018139303A (ja) 2018-09-06
AU2016238924B2 (en) 2021-06-10
RU2018112372A3 (ru) 2019-12-05
JP2017073549A (ja) 2017-04-13
AU2016238924A1 (en) 2017-04-27
CA2999401A1 (en) 2017-04-13
CN113437202A (zh) 2021-09-24
JP7175099B2 (ja) 2022-11-18
JP2021170688A (ja) 2021-10-28
CN106571421B (zh) 2021-07-09
BR112018006931A2 (pt) 2018-10-16
TWI799754B (zh) 2023-04-21
KR20170044032A (ko) 2017-04-24
KR102632427B1 (ko) 2024-01-31
JP6506899B2 (ja) 2019-04-24
RU2717381C2 (ru) 2020-03-23
TW201724554A (zh) 2017-07-01
JP7252483B2 (ja) 2023-04-05
BR112018006931B1 (pt) 2022-11-29
CN106571421A (zh) 2017-04-19
TWI712181B (zh) 2020-12-01
TW202112181A (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018112372A (ru) Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль
JP2018139303A5 (ru)
JP2021170688A5 (ru)
JP2020537828A5 (ru)
JP2017535966A5 (ru)
JP6235491B2 (ja) 均一な照明を得るための光学素子
US20180190882A1 (en) Flip chip light emitting diode package structure
JP2014075584A5 (ru)
US20110292658A1 (en) Optical light emitting device
JP2015517199A5 (ru)
WO2011112914A3 (en) Scattered-photon extraction-based light fixtures
RU2013147731A (ru) Лампа
US20190011088A1 (en) Lighting device
JP5788966B2 (ja) カバーパネル付き照明器具
RU2017136552A (ru) Светодиодное осветительное устройство
RU2017112983A (ru) Гибкое светоизлучающее устройство
CN104124239A (zh) 发光二极管模组
JP2012511244A5 (ru)
JP6251883B2 (ja) 紫外線発光素子
JP2013211487A5 (ja) 二次レンズ、太陽電池実装体及び集光型太陽光発電モジュール
JP6069610B2 (ja) ライン光照射装置
JP2013065660A (ja) 発光モジュールおよび発光装置
US8957446B2 (en) Light emitting device
TWI521749B (zh) 發光二極體模組
KR20160060843A (ko) 배광특성 가변형 조명장치