[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2017128756A - Самовосстанавливающийся конденсатор и способы его получения - Google Patents

Самовосстанавливающийся конденсатор и способы его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2017128756A
RU2017128756A RU2017128756A RU2017128756A RU2017128756A RU 2017128756 A RU2017128756 A RU 2017128756A RU 2017128756 A RU2017128756 A RU 2017128756A RU 2017128756 A RU2017128756 A RU 2017128756A RU 2017128756 A RU2017128756 A RU 2017128756A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
self
healing capacitor
dielectric layer
electrode
healing
Prior art date
Application number
RU2017128756A
Other languages
English (en)
Inventor
Иэн С.Г. КЕЛЛИ-МОРГАН
Павел Иван ЛАЗАРЕВ
Original Assignee
Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед filed Critical Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед
Publication of RU2017128756A publication Critical patent/RU2017128756A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/015—Special provisions for self-healing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
    • C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
    • C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
    • C08G69/32—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids from aromatic diamines and aromatic dicarboxylic acids with both amino and carboxylic groups aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02—Polyamines
    • C08G73/026—Wholly aromatic polyamines
    • C08G73/0266—Polyanilines or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/14—Polyamide-imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/18—Polybenzimidazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D151/00—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D151/003—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers grafted on to macromolecular compounds obtained by reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/02—Polyamines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Claims (73)

1. Самовосстанавливающийся конденсатор, содержащий первый электрод,
второй электрод и
диэлектрический слой, расположенный между указанными первым и вторым электродами и имеющий первую поверхность, обращенную к первому электроду, и вторую поверхность, обращенную ко второму электроду,
причем указанные электроды являются планарными и расположены почти или по существу параллельно друг другу,
причем по меньшей мере один из электродов содержит металлическую пену.
2. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена выполнена с возможностью образования прерывателя контакта в результате испарения металла на конце проводящего канала в диэлектрическом слое при протекании тока в проводящем канале в результате приложения напряжения между первым электродом и вторым электродом.
3. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором указанный диэлектрический слой содержит электропроводящие каналы, причем каждый из указанных каналов имеет одну точку выхода, расположенную на первой поверхности диэлектрического слоя, и вторую точку выхода, расположенную на второй поверхности диэлектрического слоя, и
при этом каждый из указанного первого и второго электродов содержит по меньшей мере один локальный прерыватель контакта, прилегающий к диэлектрическому слою и расположенный напротив по меньшей мере одной точки выхода, который препятствует протеканию электрического тока через проводящие каналы в диэлектрическом слое.
4. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 3, в котором локальный прерыватель контакта представляет собой полость, проходящую по всей толщине соответствующего одного из первого и второго электродов.
5. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 3, в котором локальный прерыватель контакта представляет собой куполообразную структуру.
6. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена включает алюминий (Аl).
7. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена включает никель (Ni).
8. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена включает железо (Fe).
9. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена включает медь (Cu).
10. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором температура плавления металлической пены составляет от приблизительно 400°С до приблизительно 700°С.
11. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором содержание металла в металлической пене составляет от приблизительно 5% до приблизительно 30% по массе.
12. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором металлическая пена представляет собой пену закрытоячеистого типа.
13. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором первый электрод содержит металлическую пену, и второй электрод содержит фольгу.
14. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 13, в котором фольга включает алюминий (Al).
15. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 13, в котором фольга включает никель (Ni).
16. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 13, в котором фольга включает железо (Fe).
17. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 13, в котором фольга включает медь (Сu).
18. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором первый электрод содержит металлическую пену, и второй электрод содержит осажденный в виде тонкой пленки металл.
19. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 18, в котором осажденный в виде тонкой пленки металл включает алюминий (Al).
20. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 18, в котором осажденный в виде тонкой пленки металл включает никель (Ni).
21. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 18, в котором осажденный в виде тонкой пленки металл включает Fe.
22. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 18, в котором осажденный в виде тонкой пленки металл включает Сu.
23. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором удельное сопротивление металлической пены подобрано таким образом, что металлическая пена оплавляется раньше, чем диэлектрический слой при протекании тока в проводящем канале через диэлектрический слой в результате приложения напряжения между первым электродом и вторым электродом.
24. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой содержит модифицированные органические соединения общей структурной формулы I:
Figure 00000001
где Cor представляет собой полициклическое соединение с сопряженной π-системой, каждая М представляет собой модифицирующую функциональную группу, и n представляет собой число модифицирующих функциональных групп, которое больше или равно нулю.
25. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 24, в котором модифицирующие функциональные группы выбраны из группы, состоящей из алкила, арила, замещенного алкила и замещенного арила.
26. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 24, в котором полициклическое органическое соединение включает материал со следующей структурой:
Figure 00000002
,
где n представляет собой число в диапазоне от 1 до 6, R1 представляет собой диизопропилфенил, и R2 представляет собой трет-октифенил.
27. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 24, в котором указанное полициклическое органическое соединение выбрано из группы, состоящей из олигофенила, имидазола, пиразола, аценафтена, триазина, индантрона и структур 1-41:
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
28. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 27, в котором модифицирующие функциональные группы выбраны из группы, состоящей из алкила, арила, замещенного алкила и замещенного арила.
29. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой содержит соединение, выбранное из группы, состоящей из фторированных алкилов, полиэтилена, поли-парафенилен-терефталамида, поли(винилиденфторид- гексафторпропилена), полипропилена, фторированного полипропилена и полидиметилсилоксана.
30. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой содержит полимерный материал, выполненный на основе водорастворимых полимеров, выбранных из структур 42-47:
Figure 00000009
Figure 00000010
31. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой содержит полимерный материал, выполненный на основе полимеров, растворимых в органических растворителях, которые выбраны из структур 48-53:
Figure 00000011
Figure 00000012
где каждый R1 и R2 независимо выбран из алкила, арила, замещенного алкила и замещенного арила.
32. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой является кристаллическим.
33. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором диэлектрический слой содержит коллоидный композит с микродисперсией электропроводящих наночастиц в изолирующей матрице.
34. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 33, в котором электропроводящие наночастицы содержат электропроводящие олигомеры.
35. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 34, в котором продольная ось каждого из электропроводящих олигомеров направлена перпендикулярно по отношению к поверхности электрода.
36. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 34, в котором электропроводящие олигомеры выбраны из структур с 54 по 60:
Figure 00000013
Figure 00000014
где X=2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,11 или 12.
37. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 34, в котором каждый из электропроводящих олигомеров дополнительно содержит группы-заместители и имеет следующую общую структурную формулу II:
(электропроводящий олигомер)-Rq (II),
где R представляет собой группу-заместитель, и q представляет собой число, которое больше или равно нулю.
38. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 37, в котором каждый R независимо представляет собой алкил, арил, замещенный алкил или замещенный арил и любую их комбинацию.
39. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 33, в котором материал изолирующей матрицы выбран из группы, состоящей из поли(акриловой кислоты) (РАА), поли(N-винилпирролидона) (PVP), поли(фторид-гексафторпропилена) [P(VDF-HFP)], этилен-пропиленовых полимеров, которые включают этилен-пропиленовую смолу (EPR) и сополимеры мономеров этилена, пропилена и диена (EPDM), и силиконовой смолы(PDMSO), такой как диметилдихлоросилоксан, диметилсиландиол и полидиметилсилоксан.
40. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором указанный диэлектрический слой содержит поверхностно-активное вещество, выбранное из: додецилбензолсульфоната (DBSA), алкиловых эфиров полиоксиэтиленгликоля, алкиловых эфиров полиоксипропиленгликоля, октилфеноловых эфиров полиоксиэтиленгликоля, сложных эфиров полиоксиэтиленгликоля с алкил-сорбитанамив, сложноэфирных алкил-сорбитанов и додецилдиметиламиноксида.
41. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором указанный диэлектрический слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из оксидов, нитридов, оксинитридов и фторидов.
42. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором указанный диэлектрический слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из SiO2, НfO2, Аl2О3 и Si3N4.
43. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 3, в котором электропроводящий канал включает электрические дефекты, объединенные друг с другом в результате пробоя диэлектрического слоя.
44. Самовосстанавливающийся конденсатор по п. 1, в котором первый электрод и второй электрод содержат металлическую пену.
45. Способ получения самовосстанавливающегося конденсатора, включающий:
(а) приложение электрического напряжения через первый электрод и второй электрод, которые разделены диэлектрическим слоем, причем приложение включает постепенное повышение электрического напряжения с достижением электрического пробоя, и при этом по меньшей мере один из первого и второго электродов включает металлическую пену;
(b) приложение электрического поля через первый электрод и второй электрод с образованием электропроводящих каналов с точками выхода на противоположных поверхностях диэлектрического слоя;
(c) приложение электрического тока через первый и второй электроды, которое обеспечивает (i) джоулев нагрев в по меньшей мере одном из первого и второго электродов и (ii) образование локальных прерывателей контакта в по меньшей мере одном из первого и второго электродов, причем локальные прерыватели контакта образуются около или вблизи точек выхода; и
(d) прекращение приложения тока после образования локальных прерывателей контакта.
46. Способ по п. 45, в котором приложение электрического тока прекращают после того как с по меньшей мере одного из первого и второго электродов испаряется количество металла, достаточное для образования локальных прерывателей контакта.
RU2017128756A 2015-02-26 2016-02-25 Самовосстанавливающийся конденсатор и способы его получения RU2017128756A (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562121328P 2015-02-26 2015-02-26
US62/121,328 2015-02-26
US15/053,943 2016-02-25
PCT/US2016/019641 WO2016138310A1 (en) 2015-02-26 2016-02-25 Self-healing capacitor and methods of production thereof
US15/053,943 US9852846B2 (en) 2015-02-26 2016-02-25 Self-healing capacitor and methods of production thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2017128756A true RU2017128756A (ru) 2019-03-27

Family

ID=56789233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017128756A RU2017128756A (ru) 2015-02-26 2016-02-25 Самовосстанавливающийся конденсатор и способы его получения

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9852846B2 (ru)
JP (1) JP2018511167A (ru)
KR (1) KR20170118764A (ru)
AU (1) AU2016222597A1 (ru)
BR (1) BR112017018189A2 (ru)
CA (1) CA2977776A1 (ru)
IL (1) IL254138A0 (ru)
MX (1) MX2017010875A (ru)
RU (1) RU2017128756A (ru)
SG (1) SG11201706689QA (ru)
WO (1) WO2016138310A1 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2015259291A1 (en) 2014-05-12 2016-11-24 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage device and method of production thereof
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US20170301477A1 (en) 2016-04-04 2017-10-19 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US10340082B2 (en) * 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
CN107592939B (zh) 2014-11-04 2020-05-05 电容器科学股份公司 储能器件及其生产方法
KR20170118764A (ko) 2015-02-26 2017-10-25 캐패시터 사이언시스 인코포레이티드 자기-회복 커패시터 및 이들의 생산 방법
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10026553B2 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Capacitor Sciences Incorporated Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
FR3057100A1 (fr) 2016-10-03 2018-04-06 Blue Solutions Condensateur film a tres haute capacite et un procede de fabrication
US10395841B2 (en) 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device
US10163575B1 (en) 2017-11-07 2018-12-25 Capacitor Sciences Incorporated Non-linear capacitor and energy storage device comprising thereof
US10403435B2 (en) 2017-12-15 2019-09-03 Capacitor Sciences Incorporated Edder compound and capacitor thereof
US11901133B2 (en) * 2019-03-20 2024-02-13 Blue Horizons Innovations, Llc Dense energy storage element with multilayer electrodes
WO2021074104A1 (de) * 2019-10-16 2021-04-22 Merck Patent Gmbh Elektronische vorrichtungen
CN115210234A (zh) 2020-03-24 2022-10-18 默克专利有限公司 用于电子器件的材料

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB547853A (en) 1941-03-12 1942-09-15 Norman Hulton Haddock New perylene derivatives
GB923148A (en) 1960-03-24 1963-04-10 Ici Ltd New anthraquinone dyestuffs
US3407394A (en) 1964-10-23 1968-10-22 Xerox Corp Selenium trapping memory
GB2084585B (en) 1980-09-25 1983-11-30 Dearborn Chemicals Ltd The preparation of high molecular weight hydrophilic polymer gels
DE3401338A1 (de) 1984-01-17 1985-07-25 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Fluessigkristall-phase
US4694377A (en) 1986-05-28 1987-09-15 Aerovox Incorporated Segmented capacitor
DE3926563A1 (de) 1989-08-11 1991-02-14 Hoechst Ag Sulfonsaeuregruppenhaltige perylenverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
JP2786298B2 (ja) 1990-03-02 1998-08-13 株式会社日立製作所 フイルムコンデンサ及びその製造方法
US5514799A (en) 1993-08-02 1996-05-07 Enichem S.P.A. 1,1-vinyl substituted nonlinear optical materials
US5395556A (en) 1990-12-12 1995-03-07 Enichem S.P.A. Tricyanovinyl substitution process for NLO polymers
CA2362719A1 (en) 1991-03-01 1992-09-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Synthesis of nicotinic analogs useful for the treatment of degenerative diseases of the nervous system
JP3362865B2 (ja) 1991-03-21 2003-01-07 クラリアント・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング ペリレン化合物の分子内塩、その製造方法およびその用途
JP2741804B2 (ja) 1991-06-14 1998-04-22 松下電器産業株式会社 コンデンサ及びその製造方法
EP0585999A1 (en) 1992-08-14 1994-03-09 ENICHEM S.p.A. Functional heteroaromatics for NLO applications
US5384521A (en) 1992-09-25 1995-01-24 Coe; Carlos J. Power capacitor powertrain
EP0602654A1 (en) 1992-12-18 1994-06-22 ENICHEM S.p.A. Efficient electron-donating groups for nonlinear optical applictions
FR2713387B1 (fr) 1993-11-30 1996-01-12 Merlin Gerin Condenseur de puissance.
US6501093B1 (en) 1994-04-04 2002-12-31 Alvin M. Marks Quantum energy storage or retrieval device
US5679763A (en) 1995-02-24 1997-10-21 Enichem S.P.A. Polyquinoline-based nonlinear optical materials
EP0791849A1 (en) 1996-02-26 1997-08-27 ENICHEM S.p.A. Non-linear optical compounds
JP3637163B2 (ja) 1996-10-01 2005-04-13 本田技研工業株式会社 蓄電式電源装置
US5742471A (en) 1996-11-25 1998-04-21 The Regents Of The University Of California Nanostructure multilayer dielectric materials for capacitors and insulators
FR2760911B1 (fr) 1997-03-13 1999-05-07 Renault Dispositif d'alimentation electrique avec batterie d'accumulateurs et supercondensateur
JP4103975B2 (ja) 1998-09-10 2008-06-18 富士フイルム株式会社 電解質、光電気化学電池、及び電解質層を形成する方法
DE10006839A1 (de) 1999-02-17 2000-08-24 Hitachi Maxell Elektrode für einen Kondensator, Verfahren zur deren Herstellung und ein Kondensator
US6426861B1 (en) 1999-06-22 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. High energy density metallized film capacitors and methods of manufacture thereof
US6426863B1 (en) 1999-11-25 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. Electrochemical capacitor
US6341056B1 (en) 2000-05-17 2002-01-22 Lsi Logic Corporation Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same
WO2002026774A2 (en) 2000-09-27 2002-04-04 The Procter & Gamble Company Melanocortin receptor ligands
DE60030131T2 (de) 2000-10-25 2007-03-01 Maxwell Technologies Sa Aus übereinander gewickelten Bändern bestehende Vorrichtung zur elektrischen Energiespeicherung und Herstellungsverfahren
US6391104B1 (en) 2000-12-01 2002-05-21 Bayer Corporation Perylene pigment compositions
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US6765781B2 (en) 2001-12-03 2004-07-20 Tdk Corporation Multilayer capacitor
EP1476885A1 (en) 2002-01-24 2004-11-17 Toray Plastics (America), Inc. Polymer coated capacitor films
DE10203918A1 (de) 2002-01-31 2003-08-21 Bayerische Motoren Werke Ag Elektrischer Speicher in einem Kraftfahrzeug, insbesondere für einen Hybridantrieb
DE10248722A1 (de) 2002-10-18 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
JP4734823B2 (ja) 2003-06-11 2011-07-27 富士通株式会社 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子
US7025900B2 (en) 2003-06-25 2006-04-11 Nitto Denko Corporation Perylenetetracarboxylic acid dibenzimidazole sulfoderivatives containing oxo-groups in the perylene core which form part of a para-quinoid system of bonds, lyotropic liquid crystal systems and anisotropic films containing the same, and methods for making the same
JP4715079B2 (ja) 2003-06-26 2011-07-06 パナソニック株式会社 車両用電源装置
CN1591936A (zh) 2003-09-05 2005-03-09 日本电池株式会社 含锂物质及含该物质的非水电解质电化学储能装置的制法
US7625497B2 (en) 2003-11-21 2009-12-01 Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education On Behalf Of The University Of Nevada, Reno Materials and methods for the preparation of anisotropically-ordered solids
EP1719749B1 (en) 2004-02-25 2016-08-24 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Polyacene compound and organic semiconductor thin film
US7354532B2 (en) 2004-04-13 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
US8344142B2 (en) 2004-06-14 2013-01-01 Georgia Tech Research Corporation Perylene charge-transport materials, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof
US7466536B1 (en) 2004-08-13 2008-12-16 Eestor, Inc. Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU)
US7211824B2 (en) 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
JP2006147606A (ja) 2004-11-16 2006-06-08 Nec Toppan Circuit Solutions Inc シート状コンデンサとその製造方法
US7428137B2 (en) 2004-12-03 2008-09-23 Dowgiallo Jr Edward J High performance capacitor with high dielectric constant material
DE102005010162B4 (de) 2005-03-02 2007-06-14 Ormecon Gmbh Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie
DE102005018172A1 (de) 2005-04-19 2006-10-26 Conti Temic Microelectronic Gmbh Leistungskondensator
JP3841814B1 (ja) 2005-04-28 2006-11-08 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材の製造方法
DE102005053995A1 (de) 2005-11-10 2007-05-24 Basf Ag Verwendung von Rylenderivaten als Photosensibilisatoren in Solarzellen
JP4241714B2 (ja) 2005-11-17 2009-03-18 パナソニック電工株式会社 電動工具用の電池パック
DE102005055075A1 (de) 2005-11-18 2007-05-24 Bayerische Motoren Werke Ag Kraftfahrzeug mit einer Kondensatoreinrichtung zur Speicherung elektrischer Energie
US20090030152A1 (en) 2005-12-28 2009-01-29 Qiming Zhang High Electric Energy Density Polymer Capacitors With Fast Discharge Speed and High Efficiency Based On Unique Poly (Vinylidene Fluoride) Copolymers and Terpolymers as Dielectric Materials
US7460352B2 (en) 2006-01-09 2008-12-02 Faradox Energy Storage, Inc. Flexible dielectric film and method for making
JP2007287829A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサ
US20080002329A1 (en) 2006-07-02 2008-01-03 Pohm Arthur V High Dielectric, Non-Linear Capacitor
GB0616358D0 (en) 2006-08-16 2006-09-27 Crysoptix Ltd Anisotropic polymer film and method of production thereof
GB0618955D0 (en) 2006-09-26 2006-11-08 Cryscade Solar Ltd Organic compound and organic photovoltaic device
GB0622150D0 (en) 2006-11-06 2006-12-20 Kontrakt Technology Ltd Anisotropic semiconductor film and method of production thereof
CN101622253B (zh) 2007-01-08 2015-04-29 破立纪元有限公司 用于制备基于芳烃-双（二羧酰亚胺）的半导体材料的方法和用于制备它们的相关中间体
WO2009005555A2 (en) 2007-04-11 2009-01-08 The Penn State Research Foundation Methods to improve the efficiency and reduce the energy losses in high energy density capacitor films and articles comprising the same
US7804678B2 (en) 2007-04-25 2010-09-28 Industrial Technology Research Institute Capacitor devices
US7745821B2 (en) 2007-05-15 2010-06-29 Eastman Kodak Company Aryl dicarboxylic acid diimidazole-based compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors
CN101855740A (zh) 2007-09-12 2010-10-06 富士胶片株式会社 制造脱取代的化合物的方法、有机半导体膜和其制造方法
EP2062944A1 (en) 2007-11-20 2009-05-27 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Water-soluble rylene dyes, methods for preparing the same and uses thereof as fluorescent labels for biomolecules
DE102008061452A1 (de) 2007-12-12 2010-07-08 Langhals, Heinz, Prof. Dr. Imidazoloperylenbisimide
FR2925790B1 (fr) 2007-12-19 2010-01-15 Sagem Defense Securite Convertisseur alternatif/continu a isolement galvanique
TWI534146B (zh) 2008-02-05 2016-05-21 巴地斯顏料化工廠 1-烷基取代之烷基氮官能團化苝二醯亞胺化合物及其衍生物
JP4868183B2 (ja) 2008-09-30 2012-02-01 日産化学工業株式会社 新規なフッ素化テトラカルボン酸二無水物、これより得られるポリイミド前駆体、ポリイミドとその利用
JP2010160989A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 導電性被膜の製造方法
EP2387793A1 (en) 2009-01-16 2011-11-23 The Board of Trustees of The Leland Stanford Junior University Quantum dot ultracapacitor and electron battery
KR20100096625A (ko) 2009-02-25 2010-09-02 삼성전기주식회사 커패시터 및 그 제조방법
US9242297B2 (en) 2009-03-30 2016-01-26 Mitsubishi Materials Corporation Process for producing porous sintered aluminum, and porous sintered aluminum
EP2415069A1 (en) 2009-04-01 2012-02-08 The Board of Trustees of The Leland Stanford Junior University All-electron battery having area-enhanced electrodes
JP2011029442A (ja) 2009-07-27 2011-02-10 Daikin Industries Ltd フィルムコンデンサ用フィルム、該フィルムを用いたフィルムコンデンサ、該フィルム及びフィルムコンデンサの製造方法
US20110079773A1 (en) 2009-08-21 2011-04-07 Wasielewski Michael R Selectively Functionalized Rylene Imides and Diimides
WO2011056903A1 (en) 2009-11-03 2011-05-12 Henry Tran Compositions and methods for generating conductive films and coatings of oligomers
CN101786864B (zh) 2009-12-22 2012-12-05 广东风华高新科技股份有限公司 一种与镍内电极匹配的陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法
US20120302489A1 (en) 2009-12-28 2012-11-29 Akzo Nobel Chemicals International B.V. Functionalized polyvinyl alcohol films
US20110228442A1 (en) 2010-03-16 2011-09-22 Strategic Polymer Sciences, Inc. Capacitor having high temperature stability, high dielectric constant, low dielectric loss, and low leakage current
KR20110122051A (ko) 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US20120008251A1 (en) 2010-07-12 2012-01-12 Wei-Ching Yu Film capacitors comprising melt-stretched films as dielectrics
US8929054B2 (en) 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
WO2012012672A2 (en) 2010-07-21 2012-01-26 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
JP5562169B2 (ja) 2010-08-09 2014-07-30 小島プレス工業株式会社 積層形フィルムコンデンサ及びその製造方法
JP5257708B2 (ja) 2010-08-25 2013-08-07 株式会社豊田中央研究所 ナノ複合体およびそれを含む分散液
US20120056600A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Nevin Donald M Capacitor vehicle having high speed charging ability and method of operating a capacitor vehicle
KR20140004095A (ko) 2010-11-09 2014-01-10 크리소프틱스 케이케이 네가티브 분산 지연 플레이트 및 무색성 원형 편광자
DE102010063718A1 (de) 2010-12-21 2012-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Dielektrische Schicht für ein elektrisches Bauelement, elektrisches Bauelement mit dielektrischer Schicht und Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements mit dielektrischer Schicht
KR101865681B1 (ko) 2011-03-10 2018-07-04 크리스케이드 솔라 리미티드 유기 화합물 및 이를 포함하는 광기전 소자
US9457496B2 (en) 2011-03-23 2016-10-04 Akron Polymer Systems, Inc. Aromatic polyamide films for transparent flexible substrates
DE102011101304A1 (de) 2011-05-12 2012-11-15 Hans-Josef Sterzel Halbleiterspeicher hoher Energiedichte
KR101517532B1 (ko) 2011-07-05 2015-05-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 박막, 유전체 박막 소자 및 박막 콘덴서
EP3549872B1 (en) 2011-09-09 2021-02-24 SZ DJI Osmo Technology Co., Ltd. Dual-axis platform for use in a small unmanned aerial vehicle and tri-axis platform for use in a small unmanned aerial vehicle
WO2013033954A1 (zh) 2011-09-09 2013-03-14 深圳市大疆创新科技有限公司 陀螺式动态自平衡云台
US9087645B2 (en) 2012-01-30 2015-07-21 QuantrumScape Corporation Solid state energy storage devices
FR2987180B1 (fr) 2012-02-16 2014-12-05 Alstom Transport Sa Chaine de stockage d'energie pour vehicule, comprenant au moins un module de supercondensateurs, systeme de stockage d'energie comprenant une telle chaine et vehicule ferroviaire comprenant un tel systeme
JP2013247206A (ja) 2012-05-25 2013-12-09 Kojima Press Industry Co Ltd フィルムコンデンサ素子及びフィルムコンデンサ並びにフィルムコンデンサ素子の製造方法
US20130334657A1 (en) 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planar interdigitated capacitor structures and methods of forming the same
TWI450907B (zh) 2012-06-26 2014-09-01 Far Eastern New Century Corp 製造導電聚合物分散液的方法、由其形成之導電聚合物材料及利用該導電聚合物材料之固態電容
GB201212487D0 (en) 2012-07-13 2012-08-29 Secr Defence A device for measuring the hydration level of humans
DE102012016438A1 (de) 2012-08-18 2014-02-20 Audi Ag Energiespeicheranordnung und Kraftfahrzeug
CN203118781U (zh) 2012-08-21 2013-08-07 深圳圣融达科技有限公司 一种多层复合介质薄膜电容器
US8878341B2 (en) 2012-10-09 2014-11-04 Saudi Basic Industries Corporation Graphene-based composite materials, method of manufacture and applications thereof
CN104937685A (zh) 2012-11-21 2015-09-23 3M创新有限公司 包括第一介电层和第二介电层的多层膜
JP2014139296A (ja) 2012-12-21 2014-07-31 Toray Ind Inc 芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドフィルムおよび積層体
US9928966B2 (en) 2012-12-28 2018-03-27 Intel Corporation Nanostructured electrolytic energy storage devices
TWI478185B (zh) * 2013-03-12 2015-03-21 Univ Nat Taiwan 超級電容器及其製造方法
US8818601B1 (en) 2013-03-14 2014-08-26 GM Global Technology Operations LLC Extended-range electric vehicle with supercapacitor range extender
US10102978B2 (en) 2013-03-15 2018-10-16 Cleanvolt Energy, Inc. Electrodes and currents through the use of organic and organometallic high dielectric constant materials in energy storage devices and associated methods
SG11201600151XA (en) 2013-07-09 2016-02-26 Evonik Degussa Gmbh Electroactive polymers, manufacturing process thereof, electrode and use thereof
US9592744B2 (en) 2013-12-06 2017-03-14 SZ DJI Technology Co., Ltd Battery and unmanned aerial vehicle with the battery
AU2015259291A1 (en) 2014-05-12 2016-11-24 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage device and method of production thereof
RU2016143559A (ru) 2014-05-12 2018-06-19 Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед Конденсатор и способ его изготовления
EP3786742B1 (en) 2014-05-30 2025-02-19 SZ DJI Technology Co., Ltd. Systems and methods for uav docking
CN107592939B (zh) 2014-11-04 2020-05-05 电容器科学股份公司 储能器件及其生产方法
KR20170118764A (ko) 2015-02-26 2017-10-25 캐패시터 사이언시스 인코포레이티드 자기-회복 커패시터 및 이들의 생산 방법
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016138310A1 (en) 2016-09-01
IL254138A0 (en) 2017-10-31
BR112017018189A2 (pt) 2018-04-17
CA2977776A1 (en) 2016-09-01
US9852846B2 (en) 2017-12-26
KR20170118764A (ko) 2017-10-25
SG11201706689QA (en) 2017-09-28
JP2018511167A (ja) 2018-04-19
US20160254092A1 (en) 2016-09-01
AU2016222597A1 (en) 2017-08-31
MX2017010875A (es) 2017-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017128756A (ru) Самовосстанавливающийся конденсатор и способы его получения
RU2017112074A (ru) Устройства для хранения энергии и способы их получения
US10685782B2 (en) Capacitor and method of production thereof
CN106575573B (zh) 能量储存器件及其制造方法
CN106463618B (zh) 电容器及其制造方法
CN109478466B (zh) 电解电容器及其制造方法
WO2009151694A3 (en) Device with a dielectric layer comprising a high energy density polymeric composition
KR101632785B1 (ko) 자가충전 복합전지 및 이를 포함하는 전자 소자
Suzuki et al. Space charge accumulation and electric breakdown in XLPE under DC high electric field
Zhou et al. Recyclable insulation material for HVDC cables in global energy interconnection
Boukhari et al. Simulation of space charge dynamic in polyethylene under DC continuous electrical stress
CN105932207A (zh) 锂离子电池可逆过充保护用凝胶聚合物复合隔膜及其制备方法
CN202615814U (zh) 用于电容器的金属化薄膜
CN105810498A (zh) 一种真空断路器及其制造方法
Tanaka et al. Flashover characteristics of silicone rubber surface influenced by surface charge
Cheng et al. Polymer-based dielectric materials for high-temperature film capacitors
Cao et al. Solid-state batteries based on composite polymer electrolytes
WO2015139736A1 (en) A method for manufacturing a high-power cable
EP3261759A1 (en) Self-healing capacitor and methods of production thereof
Zhou et al. Enhancing High-Temperature Capacitive Energy Storage Performance of Dielectric Polymers via Electrical Conduction Suppression
US20100157509A1 (en) High Temperature Boron Oxynitride Capacitor
Rogti et al. Temperature effect on space charge dynamics in multi-layer insulation Fluorinated Ethylene Propylene (FEP) Low Density Polyethylene (LDPE)
Taniguchi et al. Space charge behaviors of various low density polyethylene
Chahal et al. Some investigations on packet charge formation in LDPE
Chahal et al. Space charge dynamics in LDPE