[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2014134056A - Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения - Google Patents

Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения Download PDF

Info

Publication number
RU2014134056A
RU2014134056A RU2014134056A RU2014134056A RU2014134056A RU 2014134056 A RU2014134056 A RU 2014134056A RU 2014134056 A RU2014134056 A RU 2014134056A RU 2014134056 A RU2014134056 A RU 2014134056A RU 2014134056 A RU2014134056 A RU 2014134056A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chemical mechanical
mechanical polishing
silicon dioxide
colloidal silicon
abrasive
Prior art date
Application number
RU2014134056A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2661219C2 (ru
Inventor
Аллен С. БЬЮЛИК
Хидеаки НИСИЗАВА
Казуки МОРИЯМА
Коити ЙОСИДА
Сундзи ЕЗАВА
Селванатхан АРУМУГАМ
Original Assignee
Нитта Хаас Инкорпорейтед
РОМ ЭНД ХААС ЭЛЕКТРОНИК МАТИРИАЛЗ СиЭмПи ХОЛДИНГЗ, ИНК.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нитта Хаас Инкорпорейтед, РОМ ЭНД ХААС ЭЛЕКТРОНИК МАТИРИАЛЗ СиЭмПи ХОЛДИНГЗ, ИНК. filed Critical Нитта Хаас Инкорпорейтед
Publication of RU2014134056A publication Critical patent/RU2014134056A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2661219C2 publication Critical patent/RU2661219C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02035—Shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

1. Способ полирования сапфировой подложки, включающий:обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность;обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей рН>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов:диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм;необязательно пестицид;необязательно неионный пеногаситель; и,необязательно рН-регулятор;обеспечение химической механической полирующей подушки;создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; ираспределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой,в котором, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механическойполирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.2. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 5-40% масс. коллоидного диоксида кремния

Claims (10)

1. Способ полирования сапфировой подложки, включающий:
обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность;
обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей рН>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов:
диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм;
необязательно пестицид;
необязательно неионный пеногаситель; и,
необязательно рН-регулятор;
обеспечение химической механической полирующей подушки;
создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и
распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой,
в котором, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической
полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.
2. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 5-40% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива.
3. Способ по п. 1, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-185 нм.
4. Способ по п. 3, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.
5. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 90-110 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,2-1,5% масс. неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором
химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥15000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.
6. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую
подушку, пропитанную полиуретаном.
7. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.
8. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН; в котором
механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.
9. Способ по п. 1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН; в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива
представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.
10. Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности, содержащая в качестве исходных компонентов:
коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм;
неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель;
необязательно, пестицид; и
необязательно, рН-регулятор.
RU2014134056A 2013-08-26 2014-08-19 Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения RU2661219C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/975,890 US9633831B2 (en) 2013-08-26 2013-08-26 Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same
US13/975,890 2013-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014134056A true RU2014134056A (ru) 2016-03-10
RU2661219C2 RU2661219C2 (ru) 2018-07-13

Family

ID=52446874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014134056A RU2661219C2 (ru) 2013-08-26 2014-08-19 Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9633831B2 (ru)
JP (1) JP6437762B2 (ru)
KR (1) KR102350734B1 (ru)
CN (1) CN104416450A (ru)
DE (1) DE102014010808A1 (ru)
FR (1) FR3009802B1 (ru)
MY (1) MY172434A (ru)
RU (1) RU2661219C2 (ru)
TW (1) TWI646180B (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6506913B2 (ja) * 2014-03-31 2019-04-24 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
JP2016155900A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
CN107735478A (zh) * 2015-06-26 2018-02-23 福吉米株式会社 研磨用组合物
JP2018524193A (ja) * 2015-07-30 2018-08-30 ジェイエイチ ローデス カンパニー， インコーポレイテッド ポリマーラップ加工材料、ポリマーラップ加工材料を含む媒体およびシステム、およびそれらを形成し使用する方法
JP2017039883A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 日立化成株式会社 サファイア用研磨液、貯蔵液及び研磨方法
US9293339B1 (en) * 2015-09-24 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing semiconductor substrate
JP6974336B2 (ja) * 2016-02-16 2021-12-01 シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド Ｉｉｉ−ｖ族材料の研磨方法
RU2635132C1 (ru) * 2017-02-20 2017-11-09 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Компас" (ООО "НТЦ "Компас") Полировальная суспензия для сапфировых подложек
SG10201904669TA (en) * 2018-06-28 2020-01-30 Kctech Co Ltd Polishing Slurry Composition
CA3148217A1 (en) 2019-07-31 2021-02-04 Dig Labs Corporation Animal health assessment

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356107A (en) * 1979-11-26 1982-10-26 Nalco Chemical Company Process for preparing silica sols
US5385604A (en) * 1993-12-20 1995-01-31 Huntington Laboratories, Inc. Germicide resistant floor finish
US5575706A (en) * 1996-01-11 1996-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method
US6143662A (en) * 1998-02-18 2000-11-07 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
US6190234B1 (en) * 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
IL151794A0 (en) * 2000-03-31 2003-04-10 Bayer Ag Polishing agent and method for producing planar layers
JP2001300285A (ja) * 2000-04-18 2001-10-30 Sanyo Chem Ind Ltd 研磨用砥粒分散剤及び研磨用スラリー
CA2607856C (en) * 2000-05-12 2009-10-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Polishing composition
US6638328B1 (en) 2002-04-25 2003-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Bimodal slurry system
US7201784B2 (en) * 2003-06-30 2007-04-10 Intel Corporation Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics
US7485241B2 (en) 2003-09-11 2009-02-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
CN100335581C (zh) * 2004-11-24 2007-09-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
US20060196849A1 (en) 2005-03-04 2006-09-07 Kevin Moeggenborg Composition and method for polishing a sapphire surface
US7294044B2 (en) 2005-04-08 2007-11-13 Ferro Corporation Slurry composition and method for polishing organic polymer-based ophthalmic substrates
US7169031B1 (en) * 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US20070117497A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Friction reducing aid for CMP
US20130000214A1 (en) * 2006-01-11 2013-01-03 Jia-Ni Chu Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing
JP2007300070A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用エッチング液組成物、それを用いた研磨用組成物の製造方法、及び研磨加工方法
US20080283502A1 (en) * 2006-05-26 2008-11-20 Kevin Moeggenborg Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates
JP2008044078A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア基板の研磨方法
TW200916564A (en) * 2007-01-31 2009-04-16 Advanced Tech Materials Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
CN101681130A (zh) * 2007-03-31 2010-03-24 高级技术材料公司 用于晶圆再生的材料剥除方法
US8372305B2 (en) 2007-05-24 2013-02-12 Basf Se Chemical-mechanical polishing composition comprising metal-organic framework materials
JP5098483B2 (ja) * 2007-07-25 2012-12-12 住友金属鉱山株式会社 サファイア基板の研磨方法
WO2009042696A1 (en) 2007-09-24 2009-04-02 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for transmitting multiple multicast communications over a wireless communication network
WO2009046311A2 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
AU2008308583B2 (en) * 2007-10-05 2012-03-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing of sapphire with composite slurries
CN102217042A (zh) * 2008-10-02 2011-10-12 高级技术材料公司 表面活性剂/消泡剂混合物用于增强硅基板的金属负载及表面钝化的应用
US20100159807A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 Jinru Bian Polymeric barrier removal polishing slurry
US8247328B2 (en) 2009-05-04 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Polishing silicon carbide
EP2614123B1 (en) * 2010-09-08 2017-06-28 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices
MY170196A (en) * 2010-09-08 2019-07-09 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices
WO2012141111A1 (ja) * 2011-04-11 2012-10-18 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
US20120264303A1 (en) 2011-04-15 2012-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing slurry, system and method
US20140302753A1 (en) * 2011-11-08 2014-10-09 Fujimi Incorporated Polishing composition
CN102585705B (zh) 2011-12-21 2014-02-05 上海新安纳电子科技有限公司 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用
SG11201507532PA (en) * 2013-03-15 2015-10-29 Ecolab Usa Inc Methods of polishing sapphire surfaces
US9388328B2 (en) * 2013-08-23 2016-07-12 Diamond Innovations, Inc. Lapping slurry having a cationic surfactant

Also Published As

Publication number Publication date
US9633831B2 (en) 2017-04-25
CN104416450A (zh) 2015-03-18
FR3009802B1 (fr) 2018-04-20
JP2015051497A (ja) 2015-03-19
RU2661219C2 (ru) 2018-07-13
FR3009802A1 (fr) 2015-02-27
JP6437762B2 (ja) 2018-12-12
DE102014010808A1 (de) 2015-02-26
US20150053642A1 (en) 2015-02-26
KR102350734B1 (ko) 2022-01-12
MY172434A (en) 2019-11-25
TWI646180B (zh) 2019-01-01
KR20150024275A (ko) 2015-03-06
TW201512383A (zh) 2015-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014134056A (ru) Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
JP2011139030A5 (ru)
TWI431678B (zh) 拋光半導體晶圓邊緣的方法
CN102786879A (zh) 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用
JP2019036714A5 (ru)
JP2012511251A5 (ru)
TW200621635A (en) Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
JP2013214784A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
MY170361A (en) Sapphire polishing slurry and sapphire polishing method
JP2011530166A5 (ru)
JP2013042132A5 (ru)
JP2009543337A5 (ru)
CN102952467A (zh) 抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法
TW201142933A (en) Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride
KR20170063597A (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
EP1928966A2 (en) Polishing slurries and methods for utilizing same
JP2019057710A5 (ru)
WO2011088275A3 (en) Active tribology management of cmp polishing material
CN105505316A (zh) 蓝宝石粗磨用研磨助剂、研磨液及它们的制备方法
TWI421334B (zh) 研磨組成物及其用途
JP2009510773A5 (ru)
WO2007016498A3 (en) Nonwoven polishing pads for chemical mechanical polishing
JP2011205097A5 (ru)
TW200602473A (en) Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method
JP2016204187A5 (ru)