Claims (13)
반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 소자 분리층이 형성된 웨이퍼가 제공되는 단계; 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 상기 웨이퍼를 튜브에 로딩하는 단계; 1차 감압공정을 실시하는 단계; 산화막 형성 온도까지 온도를 상승시키는 단계; 온도 안정화 공정을 거친 후, 2차 감압공정을 실시하는 단계; 및 N2O 가스를 사용한 산화 공정으로 상기 실리콘 기판 상에 게이트 산화막을 형성시키고, 온도 하강 공정 및 상기 웨이퍼 언로딩공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.A method for forming a gate oxide film of a semiconductor device, comprising: providing a wafer on which a device isolation layer is formed on a silicon substrate; Cleaning the wafer; Loading the wafer into a tube; Performing a first pressure reducing step; Raising the temperature to an oxide film formation temperature; Performing a second pressure reduction step after the temperature stabilization step; And forming a gate oxide film on the silicon substrate by an oxidation process using N 2 O gas, and performing a temperature lowering process and a wafer unloading process.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 공정은 PNF 세정액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method according to claim 1, wherein the wafer process uses a PNF cleaning liquid.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩 및 언로딩시 뉴브 내의 온도는 400℃이하이고, 압력은 대기압 상태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method according to claim 1, wherein the temperature in the nub during loading and unloading of the wafer is 400 DEG C or lower and the pressure is at atmospheric pressure.
제1항에 있어서, 상기 1차 감압 공정은, 상기 튜브 내로 유입된 대기 중의 산소를 제거하기 위하여, 수 내지 수십 mTorr의 압력 범위가 될 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method for forming a gate oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the first depressurization step is carried out until a pressure ranging from several to several tens of mTorr is applied in order to remove oxygen in the atmosphere introduced into the tube .
제1항에 있어서, 상기 온도 상승 공정은 상기 튜브 내의 온도가 800 내지 1000℃가 될 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method for forming a gate oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of raising the temperature is performed until the temperature in the tube reaches 800 to 1000 占 폚.
제1항에 있어서, 상기 온도 상승 공정 동안 상기 튜브 내로 소량의 산소 가스를 유입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method according to claim 1, wherein a small amount of oxygen gas is introduced into the tube during the temperature raising step.
제6항에 있어서, 상기 온도 상승 공정 동안 유입되는 산소 가스의 양은 약 10slm 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method of claim 6, wherein the amount of oxygen gas introduced during the temperature raising step is about 10 slm.
제1항에 있어서, 상기 온도 안정화 공정 동안 상기 튜브 내로 불활성 가스를 유입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.2. The method of claim 1, wherein an inert gas is introduced into the tube during the temperature stabilization process.
제8항에 있어서, 상기 불활성 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.9. The method according to claim 8, wherein the inert gas is a nitrogen gas.
제1항에 있어서, 2차 감압 공정은 10 내지 300Torr의 압력 범위가 될 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method for forming a gate oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the second vacuum step is performed until a pressure ranging from 10 to 300 Torr is reached.
제1항에 있어서, 상기 N2O 가스의 양은 10 내지 20slm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method according to claim 1, wherein the amount of the N 2 O gas is 10 to 20 slm.
제1항에 있어서, 상기 산화 공정은 상기 튜브 내의 온도가 800 내지 1000℃인 상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method for forming a gate oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the oxidation is performed in a temperature range of 800 to 1000 占 폚 in the tube.
제1항에 있어서, 상기 산화 공정은 10 내지 300Torr의 압력 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법.The method for forming a gate oxide film of a semiconductor device according to claim 1, wherein the oxidation process is performed in a pressure range of 10 to 300 Torr.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.