KR970060242A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플래쉬 메모리 장치(Flash Memory device)에 관한 것으로서, 멀티레벨 셀(multi level cell) 각각의 워드라인에 각기 다른 전압을 공급하여 하나의 센스앰프로 프로그램 확인동작을 시행하도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도.
제3도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치에 있어서 워드라인의 접속관계를 도시한 회로도.
Claims (4)
- 멀티레벨 셀 각각의 워드라인에 프로그램 확인 동작시 워드라인 전압 발생회로로부터 각기 다른 전압레벨을 공급하고 하나의 센스앰프로 프로그램 확인동작을 시행할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 워드라인은 선택된 로우 디코더의 출력에 의해 제1 워드라인 전압은 인버터를 통해 제1 워드라인으로 공급되고, 상기 제1 워드라인 전압에 의해 통제되는 NMOS 트랜지스터는 소오스전극이 접지단자에 접속되고, 드레인전극이 저항을 통해 제2 워드라인 전압단자에 접속되며, 상기 제1 워드라인 전압에 의해 제2 워드라인 전압은 인버터를 통해 제2 워드라인으로 공급되고, 제 N-1 워드라인 전압에 의해 제N 워드라인 전압은 인버터를 통해 제N 워드라인으로 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 워드라인은 선택된 로우 디코더의 출력에 의해 각기 다른 워드라인 전압이 인버터를 통해 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 워드라인 전압 발생회로는 입력되는 두 입출력신호에 따라 데이타를 래치하는 래치 회로와, 프로그램 인에이블바신호에 따라 상기 래치회로에 저장된 프로그램시 워드라인 전압을 선택적으로 출력되는 PMOS 트랜지스터와, 상기 프로그램 인에이블바신호에 따라 상기 래치회로에 저장된 프로그램 확인시 워드라인 전압을 선택적으로 출력하는 NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001661A KR970060242A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 플래쉬 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001661A KR970060242A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 플래쉬 메모리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970060242A true KR970060242A (ko) | 1997-08-12 |
Family
ID=66218488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960001661A KR970060242A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 플래쉬 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970060242A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680479B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 검증 방법 |
| KR100684873B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드라인 전압 제어 방법 |
-
1996
- 1996-01-26 KR KR1019960001661A patent/KR970060242A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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