[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR970023354A - 내부 전압 레벨 보상회로 - Google Patents

내부 전압 레벨 보상회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970023354A
KR970023354A KR1019950034287A KR19950034287A KR970023354A KR 970023354 A KR970023354 A KR 970023354A KR 1019950034287 A KR1019950034287 A KR 1019950034287A KR 19950034287 A KR19950034287 A KR 19950034287A KR 970023354 A KR970023354 A KR 970023354A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
internal circuit
driving
internal
down converter
Prior art date
Application number
KR1019950034287A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0171952B1 (ko
Inventor
이동민
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950034287A priority Critical patent/KR0171952B1/ko
Publication of KR970023354A publication Critical patent/KR970023354A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0171952B1 publication Critical patent/KR0171952B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체장치에 관한 것으로, 특히 반도체장치에 있어서 칩의 내부회로 구동용 전압을 필요한 만큼의 전압을 보상하기 위한 내부 전압레벨 보상회로에 관한 것이다.
본 발명의 내부 전압레벨 보상회로는 내부회로를 구동하기 위하여 외부 공급원으로 외부 공급전압을 공급받아 일정한 내부회로 구동용 전압을 발생하는 전압다운변환기와, 상기 전압다운변환기가 발생한 내부회로 구동용 전압이 상기 내부회로를 구동하기에 부족한 전압인 경우 내부회로 구동에 전압을 보충하기 위한 보충수단과, 상기 외부공급 전압과 상기 전압다운변환기의 내부회로 구동용 전압을 비교하고 상기 비교상태에 따라 상기 보충수단의 동작을 선택적으로 절환하는 전압레벨감지기로 구성된다.

Description

내부 전압 레벨 보상회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 레벨 보상회로도,
제3도는 제2도에 도시된 외부전압 레벨감지기의 상세 회로도.

Claims (2)

  1. 내부회로를 구동하기 위하여 외부 공급원으로부터 외부 공급전압을 공급받아 내부회로 구동용 전압을 발생하는 전압다운변환기와, 상기 전압다운변환기가 발생한 내부회로 구동용 전압이 상기 내부회로를 구동하기에 부족한 전압인 경우 내부회로 구동에 전압을 보충하기 위한 보충수단과, 상기 외부공급전압과 상기 전압다운변환기의 내부회로 구동용 전압을 비교하고 상기 비교상태에 따라 상기 보충수단의 동작을 선택적으로 절환하는 전압레벨감지기로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부전압 레벨보상회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보충수단은 파모스형 트랜지스터를 포함하고, 상기 전압레벨감지기는 상기 외부공급전압과 상기 기준전압을 비교하고 상기 비교상태에 따라 출력신호의 레벨을 제어하는 차동 증폭기와, 상기 차동증폭기의 출력신호 레벨 상태에 따라 상기 피모스형 트랜지스터의 동작을 절환하는 절환수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 내부전압 레벨보상회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034287A 1995-10-06 1995-10-06 내부 전압 레벨 보상회로 KR0171952B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950034287A KR0171952B1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 내부 전압 레벨 보상회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950034287A KR0171952B1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 내부 전압 레벨 보상회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023354A true KR970023354A (ko) 1997-05-30
KR0171952B1 KR0171952B1 (ko) 1999-03-30

Family

ID=19429435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950034287A KR0171952B1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 내부 전압 레벨 보상회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0171952B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990010546A (ko) * 1997-07-16 1999-02-18 윤종용 저전압 반도체 장치의 전원 구동 회로
KR100496795B1 (ko) * 1997-12-23 2005-09-02 삼성전자주식회사 스태틱 랜덤 액세스 메모리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100587072B1 (ko) 2004-04-19 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990010546A (ko) * 1997-07-16 1999-02-18 윤종용 저전압 반도체 장치의 전원 구동 회로
KR100496795B1 (ko) * 1997-12-23 2005-09-02 삼성전자주식회사 스태틱 랜덤 액세스 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0171952B1 (ko) 1999-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910019056A (ko) 내부강압 전원전압을 가지는 반도체 장치에 있어서의 기판전압 발생회로
KR920006969A (ko) 반도체 집적회로용 전압발생회로
KR900010774A (ko) 백바이어스전압 발생회로
KR950021481A (ko) 내부 강압전원 회로
KR930020449A (ko) 내부전원전압 발생회로
KR960019291A (ko) 내부전압 발생회로
KR950012454A (ko) 다수의 내부 전원을 갖는 동적 메모리장치
KR920009084A (ko) 버퍼회로
KR950030341A (ko) 반도체 소자의 부스트랩 회로
KR950015379A (ko) 반도체 메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로
KR960038542A (ko) 기준전압 발생회로
KR920018758A (ko) 집적 반도체 회로
KR970023354A (ko) 내부 전압 레벨 보상회로
KR940023028A (ko) 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로
KR950021980A (ko) 부트스트랩 회로
KR970019090A (ko) 전압 제어 발진기(Voltage controlled oscillator having an oscillation frequency variation minimized in comparison with a power supply voltage variation)
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR920003629A (ko) 바이어스 전압발생회로 및 연산증폭기
KR960002755A (ko) 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로
KR980005006A (ko) Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR970023359A (ko) 워드라인 구동기용 부트스트랩회로
KR960042724A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로
KR950015744A (ko) 반도체 집적회로의 고전압 발생회로
KR970071787A (ko) 전원 공급 전압에 응답하여 기판 전위 변화를 일으킬 수 있는 기판 전위 제어 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100920

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee