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KR920018758A - 집적 반도체 회로 - Google Patents

집적 반도체 회로 Download PDF

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KR920018758A
KR920018758A KR1019920004472A KR920004472A KR920018758A KR 920018758 A KR920018758 A KR 920018758A KR 1019920004472 A KR1019920004472 A KR 1019920004472A KR 920004472 A KR920004472 A KR 920004472A KR 920018758 A KR920018758 A KR 920018758A
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KR
South Korea
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gate
signal
integrated semiconductor
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KR1019920004472A
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미끼 니시모리
테루오 세끼
Original Assignee
세끼사와 요시
후지쓰 가부시끼가이샤
하요시 도시유끼
후지쓰 브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

집적 반도체 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 집적 반도체 회로에서의 승압회로(boost circuit)의 원리를 설명하고, 본 발명의 집적 반도체 회로의 일실시예를 설명하기 위한 개략도이다.
제2도는 제1도의 반도체 회로에 대한 일실시예에서의 파형을 도시한 파형도이다.

Claims (6)

  1. 고전위 전원보다 더 높은 전압을 발생시키기 위한 승압회로는, 승압신호(a)로서 승압된 신호(b)를 유도하기 위한 드라이버(driver)로서의 P채널형 트랜지스터와, 상기 P채널형 트랜지스터에서 상기 승압신호를 인가하기 전에 소정의 레벨로 상기 P채널형 트랜지스터의 백 게이트를 충전시키기 위한 충전수단으로 구성됨을 특징으로 하는 직접 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 승압회로는 상기 고전위 전원에 연결된 소스 및 드레인을 갖는 N채널형 트랜지스터와, 상기 P채널형 트랜지스터의 소스에 연결된 N 채널형 트랜지스터의 드레인과 상기 P채널형 트랜지스터는 기판에 연결된 드레인을 갖고, 상기 잭 게이트의 신호는 승압신호가 인가되기 전에 상기 P 채널형 트랜지스터를 "턴온"시키며, 게이트는 입력신호가 인가되고, 상기 N채널형 트랜지스터와 상기 P 채널형 트랜지스터 사이의 노드는 승압 신호 발생 수단의 출력에 연결되도록 구성됨을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 승압 신호 발생 수단은 오실레이션 수단과 커패시터로 구성됨을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 P채널형 트랜지스터의 백 게이트에 대한 충전수단은 오실레이션 수단과 커패시터로 구성됨을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 P채널형 트랜지스터의 백 게이트에 대한 충전수단은 정전압원(constant voltage source)로 구성됨을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 충전수단은 소스와 게이트가 고전위 전원에 연결되고, 소스 및 드레인이 상기 P 채널형 트랜지스터의 백 게이트에 연결된 N 채널형 트랜지스터를 추가 포함함을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920004472A 1991-03-18 1992-03-18 집적 반도체 회로 KR960003595B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-051874 1991-03-18
JP91-51874 1991-03-18
JP3051874A JPH04287418A (ja) 1991-03-18 1991-03-18 半導体集積回路

Publications (2)

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KR920018758A true KR920018758A (ko) 1992-10-22
KR960003595B1 KR960003595B1 (ko) 1996-03-20

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