KR950005121A - 플라즈마 프로세싱을 위한 rf 유도 플라즈마 소스 - Google Patents
플라즈마 프로세싱을 위한 rf 유도 플라즈마 소스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950005121A KR950005121A KR1019940018996A KR19940018996A KR950005121A KR 950005121 A KR950005121 A KR 950005121A KR 1019940018996 A KR1019940018996 A KR 1019940018996A KR 19940018996 A KR19940018996 A KR 19940018996A KR 950005121 A KR950005121 A KR 950005121A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- coil
- plasma
- whistler wave
- operative
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
플라즈마 발생기(10)은 플라즈마 소스를 포함하는 챔버(14) 및 챔버(14)의 내부에 배치된 복수의 코일(12)을 포함한다. 챔버(14)의 외부에는 챔버(14)의 축을 따라 플라즈마 소스내에 자계를 설정하도록 동작하고 복수의 다극 영구 자석(34) 및 챔버(14)내의 휘슬러 파에 대한 양호한 전파 방향을 정하는, 챔버 외부에 배치된 한 셋트의 전자석(36)이 배치되어 있다. 코일(12)는 플라즈마 소스내에 플라즈마 상태를 유도하기 위해 플라즈마 소스에 충분한 양의 에너지를 전달하도록 RF 전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합한다. 코일(12)는 또한 플라즈마 소스내의 플라즈마 상태를 또한 지속하는 시변 전자계를 발생시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 챔버(chamber) 내부에 배치된 코일과 플라즈마 소스의 부분적인 개략도를 도시한 부분적인 단면도, 제2도는 제1도의 플라즈마 소스의 평면도.
Claims (20)
- 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 소스에 있어서, 플라즈마와 프로세스 가스를 한정하도록 동작하는 챔버, 상기 챔버내에 휘슬러 파를 발생하도록 동작하는 코일, 및 상기 챔버내의 휘슬러 파의 양호한 전파 방향을 정하도록 동작하는 것으로서, 상기 챔버의 외부에 배치된 최소한 한 셋트의 전자석을 포함하고, 상기 코일은 휘슬러 파를 여기시키기 위해 RF전력을 휘슬러 파에 유도적으로 결합하고 프로세스 가스내에 플라즈마 상태를 유도하기 위해 상기 챔버내의 프로로세스 가스에 충분한 양의 에너지를 전달하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 휘슬러 파를 여기시키기 위해 RF전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 챔버의 측벽들에 실질적으로 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 챔버의 측벽들에 실질적으로 평행하게 배치된 복수의 코일을 포함하고, 상기 복수의 코일은 상기 챔버의 윤곽에 부합하도록 형성되고 상기 챔버의 수직축을 가로지르는 접속코일에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 상기 챔버의 바닥을 따라 상기 챔버의 외부에 경로지정된 제1코일, 및 상기 챔버의 외부에 배치되고 상기 챔버의 측벽들에 실질적으로 평행하게 배치되며, 상기 전자석과 상기 챔버 사이에 배치된 복수의 코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 RF전력은 플라즈마 가스의 이온과 전자 사이클로트론 주파수 사이의 주파수로 되도록 선택되고, 이온과 전자 사이클로트론 주파수는 플라즈마 가스의 전자 플라즈마 주파수 미만인 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 RF 전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합하는 것에 영향을 주는 조건의 범위에 걸쳐 RF전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합시키기 위한 가변 길이의 안테나를 제공하도록 동작하고, 상기 코일은 프로세스 가스의 플라즈마 상태를 지속시키는 시변 자계를 발생시키도록 동작하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 플라즈마를 한정하기 위해 상기 챔버의 표면을 따라 자계를 설정하도록 동작하는 것으로서, 상기 챔버의 외부에 배치된 복수의 다극 영구 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 상기 코일을 냉각시키도록 상기 코일을 통해 냉각제를 순환시키기 위한 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 코일은 상기 코일의 임피던스를 감소시키도록 동작하는 인접 코일들 사이에 놓인 캐패시터들로 세크멘트 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 소스.
- 플라즈마 기초 프로세스를 수행하도록 동작하고, 프로세스 가스를 포함하고 플라즈마 소스에 대해 반도체 웨이퍼를 고정시키는 챔버에 있어서, 플라즈마를 한정하기 위해 챔버의 표면을 따라 자계를 설정하도록 동작하는 것으로서, 챔버의 외부에 배치된 복수의 다극 영구 자석, 챔버내에 휘슬러 파를 발생하도록 동작하는 코일, 및 챔버내의 휘슬러 파의 양호한 전파 방향을 정하도록 동작하는 것으로서, 챔버의 외부에 배치된 한 셋트의 전자석을 포함하고, 상기 코일은 휘슬러 파를 여기시키기 위해 RF 전력을 휘슬러 파에 유도적으로 결합하고 프로세스 가스내에 플라즈마 상태를 유도하기 위해 프로세스 가스에 충분한 양의 에너지를 전달하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 챔버.
- 챔버내에 프로세스 가스의 플라즈마 상태를 유도하는 방법에 있어서, 코일로 휘슬러 파를 발생시키는 단계, 챔버내의 휘슬러 파의 양호한 전파 방향을 정하는 가변 정적 전자계를 발생시키는 단계, 및 RF전력을 코일로 휘슬러 파에 유도적으로 결합시킴으로써 휘슬러 파를 유도하여, 유도된 파가 프로세스 가스내에 플라즈마 상태를 유도하기 위해 플라즈마 가스에 충분한 에너지를 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 프로세스 가스내에 플라즈마 상태를 지속하기 위해 코일로 시변 전자계를 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가변 정적 전자계 발생 단계는 챔버 외부에 배치된 최소한 한 셋트의 전자석으로 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 플라즈마를 한정하기 위해 챔버의 표면을 따라 자계를 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 여기 단계는 RF전력을 코일로 휘슬러 파에 공진 유도성 결합함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, RF전력의 주파수를 프로세스 가스의 이온과 전자 사이클로트론 주파수 사이가 되도록 선택하는 단계, 및 이온과 전자 사이클론톤 주파수를 프로세스 가스의 전자 플라즈마 주파수 미만이 되도록 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 챔버 외부와 챔버의 바닥을 따라 제1코일을 배치하고, 챔버 외부와 챔버의 측벽들을 따르고 이들에 실질적으로 평행하게 복수의 코일을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 챔버 내부에 그리고 챔버의 측벽들에 실질적으로 평행하게 복수의 코일을 배치하고, 챔버의 수직축을 가로지르는 접속기 코일과 복수의 코일을 접속하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 파를 여기하는 상기 단계는 코일이 RF전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합하는 것에 영향을 주는 조건의 범위에 걸쳐 RF 전력을 휘슬러 파에 공진 유도성 결합시키기 위한 가변 길이의 안테나를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/100,501 US5430355A (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | RF induction plasma source for plasma processing |
US08/100.501 | 1993-07-30 | ||
US8/100.501 | 1993-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950005121A true KR950005121A (ko) | 1995-02-18 |
KR100340164B1 KR100340164B1 (ko) | 2002-11-27 |
Family
ID=22280081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940018996A KR100340164B1 (ko) | 1993-07-30 | 1994-07-30 | 플라즈마 프로세싱을 위한 rf 유도 플라즈마 소스 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5430355A (ko) |
EP (1) | EP0648069B1 (ko) |
JP (2) | JP3837171B2 (ko) |
KR (1) | KR100340164B1 (ko) |
DE (1) | DE69421033T2 (ko) |
TW (1) | TW327267B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100318690B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2001-12-28 | 염근영 | 자장강화된 유도결합형 플라즈마장치 |
KR100861068B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2008-09-30 | 주식회사 월드툴 | 래칫 렌치 |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW249313B (ko) * | 1993-03-06 | 1995-06-11 | Tokyo Electron Co | |
EP0710055B1 (en) * | 1994-10-31 | 1999-06-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactors for processing semi-conductor wafers |
US5625259A (en) * | 1995-02-16 | 1997-04-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma applicator with a helical fluid cooling channel surrounding a microwave transparent discharge tube |
US6238533B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer |
US5962923A (en) | 1995-08-07 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches |
US5716451A (en) * | 1995-08-17 | 1998-02-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5718795A (en) * | 1995-08-21 | 1998-02-17 | Applied Materials, Inc. | Radial magnetic field enhancement for plasma processing |
US6077787A (en) * | 1995-09-25 | 2000-06-20 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method for radiofrequency wave etching |
US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
KR100489918B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
US6254746B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
US6190513B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition |
US6254737B1 (en) | 1996-10-08 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
US6514390B1 (en) | 1996-10-17 | 2003-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method to eliminate coil sputtering in an ICP source |
US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
TW358964B (en) | 1996-11-21 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
US6367410B1 (en) * | 1996-12-16 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system |
US6451179B1 (en) | 1997-01-30 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
US6599399B2 (en) | 1997-03-07 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field |
US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
US6210539B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate |
US6652717B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
US6361661B2 (en) | 1997-05-16 | 2002-03-26 | Applies Materials, Inc. | Hybrid coil design for ionized deposition |
US6579426B1 (en) | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US8779322B2 (en) | 1997-06-26 | 2014-07-15 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US7569790B2 (en) * | 1997-06-26 | 2009-08-04 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6815633B1 (en) | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
US6924455B1 (en) | 1997-06-26 | 2005-08-02 | Applied Science & Technology, Inc. | Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source |
US7166816B1 (en) * | 1997-06-26 | 2007-01-23 | Mks Instruments, Inc. | Inductively-coupled torodial plasma source |
US6375810B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma vapor deposition with coil sputtering |
US6345588B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Use of variable RF generator to control coil voltage distribution |
US6235169B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Modulated power for ionized metal plasma deposition |
US5902461A (en) * | 1997-09-03 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for enhancing uniformity of a metal film formed on a substrate with the aid of an inductively coupled plasma |
US6565717B1 (en) | 1997-09-15 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma |
US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
US7253109B2 (en) * | 1997-11-26 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system |
US20050272254A1 (en) * | 1997-11-26 | 2005-12-08 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects |
WO1999027579A1 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Applied Materials, Inc. | Damage-free sculptured coating deposition |
US6280579B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Target misalignment detector |
US6506287B1 (en) | 1998-03-16 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Overlap design of one-turn coil |
US6155199A (en) * | 1998-03-31 | 2000-12-05 | Lam Research Corporation | Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system |
US6254738B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution |
US6146508A (en) * | 1998-04-22 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil |
US6660134B1 (en) | 1998-07-10 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Feedthrough overlap coil |
TW434636B (en) | 1998-07-13 | 2001-05-16 | Applied Komatsu Technology Inc | RF matching network with distributed outputs |
US6132566A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
US6231725B1 (en) | 1998-08-04 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma |
JP2000099922A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sony Corp | 磁気トンネル素子及びその製造方法 |
US6238528B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
JP3608416B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2005-01-12 | 日新電機株式会社 | プラズマ源 |
US6217718B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma |
US6237526B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma |
US6474258B2 (en) | 1999-03-26 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma |
DE60038811D1 (de) * | 1999-11-15 | 2008-06-19 | Lam Res Corp | Behandlungsvorrichtungen |
US6320320B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform process rates |
US6494998B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-12-17 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element |
US7510664B2 (en) | 2001-01-30 | 2009-03-31 | Rapt Industries, Inc. | Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces |
US7591957B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-09-22 | Rapt Industries, Inc. | Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification |
US6673199B1 (en) | 2001-03-07 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity |
US6660177B2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-12-09 | Rapt Industries Inc. | Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition |
TWI241868B (en) | 2002-02-06 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
US7371992B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-05-13 | Rapt Industries, Inc. | Method for non-contact cleaning of a surface |
US7304263B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-12-04 | Rapt Industries, Inc. | Systems and methods utilizing an aperture with a reactive atom plasma torch |
US7297892B2 (en) * | 2003-08-14 | 2007-11-20 | Rapt Industries, Inc. | Systems and methods for laser-assisted plasma processing |
KR100858102B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2008-09-10 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 플라즈마발생장치 |
JP2007220600A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置 |
US8593064B2 (en) * | 2007-02-16 | 2013-11-26 | Ad Astra Rocket Company | Plasma source improved with an RF coupling system |
US7972471B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-07-05 | Lam Research Corporation | Inductively coupled dual zone processing chamber with single planar antenna |
DE102009018912A1 (de) | 2009-04-28 | 2010-11-18 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie Plasmaquelle |
US8698400B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-04-15 | Leybold Optics Gmbh | Method for producing a plasma beam and plasma source |
WO2011139128A2 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 나노세미콘(주) | 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치 |
KR101101364B1 (ko) | 2010-05-07 | 2012-01-02 | 유정호 | 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치 |
US9520531B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-12-13 | Amtech Systems, Inc. | Systems and methods for depositing and charging solar cell layers |
US8338211B2 (en) | 2010-07-27 | 2012-12-25 | Amtech Systems, Inc. | Systems and methods for charging solar cell layers |
US8884526B2 (en) * | 2012-01-20 | 2014-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Coherent multiple side electromagnets |
US10249479B2 (en) * | 2015-01-30 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Magnet configurations for radial uniformity tuning of ICP plasmas |
JP6707559B2 (ja) | 2015-03-31 | 2020-06-10 | ビューラー アルツェナウ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングBuehler Alzenau GmbH | 被覆された基板の製造方法 |
SK500322019A3 (sk) * | 2019-07-11 | 2021-01-13 | STATON, s. r. o. | Zdroj plazmy využívajúci katódový vákuový oblúk s vylepšenou konfiguráciou magnetického poľa a spôsob jeho činnosti |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0740468B2 (ja) * | 1984-12-11 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | 高周波プラズマ発生装置 |
DE3629000C1 (de) * | 1986-08-27 | 1987-10-29 | Nukem Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht durch plasmachemischen Prozess |
EP0339554A3 (de) * | 1988-04-26 | 1989-12-20 | Hauzer Holding B.V. | Hochfrequenz-Ionenstrahlquelle |
US5122251A (en) * | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
JPH03120359A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-22 | Yokogawa Electric Corp | スパッタリング装置 |
JP3071814B2 (ja) * | 1990-10-08 | 2000-07-31 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびその処理方法 |
US5225740A (en) * | 1992-03-26 | 1993-07-06 | General Atomics | Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation |
US5231334A (en) * | 1992-04-15 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma source and method of manufacturing |
DE4235064A1 (de) * | 1992-10-17 | 1994-04-21 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung |
US5309063A (en) * | 1993-03-04 | 1994-05-03 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus |
-
1993
- 1993-07-30 US US08/100,501 patent/US5430355A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-29 EP EP94111879A patent/EP0648069B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-29 DE DE69421033T patent/DE69421033T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-30 KR KR1019940018996A patent/KR100340164B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-08-01 JP JP21034094A patent/JP3837171B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-29 TW TW083107894A patent/TW327267B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-05-06 JP JP2005134844A patent/JP3987545B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100318690B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2001-12-28 | 염근영 | 자장강화된 유도결합형 플라즈마장치 |
KR100861068B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2008-09-30 | 주식회사 월드툴 | 래칫 렌치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3837171B2 (ja) | 2006-10-25 |
TW327267B (en) | 1998-02-21 |
JP2005244255A (ja) | 2005-09-08 |
KR100340164B1 (ko) | 2002-11-27 |
US5430355A (en) | 1995-07-04 |
EP0648069B1 (en) | 1999-10-06 |
JP3987545B2 (ja) | 2007-10-10 |
DE69421033D1 (de) | 1999-11-11 |
DE69421033T2 (de) | 2000-05-31 |
EP0648069A1 (en) | 1995-04-12 |
JPH088095A (ja) | 1996-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950005121A (ko) | 플라즈마 프로세싱을 위한 rf 유도 플라즈마 소스 | |
JPH04503589A (ja) | 改良された共鳴無線周波数波結合器装置 | |
KR100291152B1 (ko) | 플라즈마발생장치 | |
US5619103A (en) | Inductively coupled plasma generating devices | |
US6060836A (en) | Plasma generating apparatus and ion source using the same | |
JP2822103B2 (ja) | 改良された共鳴無線周波数波結合器装置 | |
US4727293A (en) | Plasma generating apparatus using magnets and method | |
KR910005733A (ko) | 자기커플 플래너 플라즈마를 만드는 방법과 장치 | |
US5173641A (en) | Plasma generating apparatus | |
KR930005132A (ko) | 플라즈마 처리장치 및 방법 | |
KR19990028399A (ko) | 유도 결합 플라즈마 소스를 위한 저 인덕턴스 대면적 코일 | |
WO2003054912A1 (en) | Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece | |
KR960026342A (ko) | 플라즈마처리 장치와 플라즈마처리 방법 | |
US5666023A (en) | Device for producing a plasma, enabling microwave propagation and absorption zones to be dissociated having at least two parallel applicators defining a propogation zone and an exciter placed relative to the applicator | |
US9215789B1 (en) | Hybrid plasma source | |
JP4803179B2 (ja) | 表面波励起プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR930005012B1 (ko) | 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 | |
TW579661B (en) | Plasma generation device and plasma processing device | |
JP3883615B2 (ja) | プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置 | |
RU2120681C1 (ru) | Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред | |
JP4017098B2 (ja) | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 | |
KR101980273B1 (ko) | 선형 마이크로웨이브 플라즈마 발생장치 | |
JP4600928B2 (ja) | マイクロ波方向性結合器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 | |
JP3736054B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100478106B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 발생 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130429 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140430 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |