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KR920003339A - SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 - Google Patents

SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 Download PDF

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KR920003339A
KR920003339A KR1019910012766A KR910012766A KR920003339A KR 920003339 A KR920003339 A KR 920003339A KR 1019910012766 A KR1019910012766 A KR 1019910012766A KR 910012766 A KR910012766 A KR 910012766A KR 920003339 A KR920003339 A KR 920003339A
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large area
film
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타케시 나가이
슈지 이또
쿠니히로 쯔루다
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다니이 아끼오
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1413—Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

내용 없음

Description

SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 소자구조를 표시한 개략도.
제2도는 본 발명의 다른 소자구조를 표시한 개략도.
제3도는 본 발명의 소자에 내부리이드세선이 접속된 더어미스터구조를 표시한 개략도.

Claims (12)

  1. 2개의 표면과 1쌍의 관통구를 가진 절연성기판과, 상기 절연성기판의 한쪽표면에 형성되고 한부분은 빗살형상부, 다른부분은 상기 관통구의 하나를 포함하는 위치에 형성된 큰면적부의 2개의 부분으로 이루어져 각각 서로 접속된 1쌍의 전극막과, 상기 1쌍의 관통구의 1쌍의 내표면에 형성되고 상기 1쌍의 전극막의 큰면적부의 각각에 전기적으로 접속되어 있는 1쌍의 관통도전막과, 상기 절연성기판의 상기 한쪽표면에 형성된 감온저항체막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감온저항체막이, 상기 절연성기판의 상기 한쪽표면에 형성된 SiC스피터막이고, 상기 절연성 기판의 상기 한쪽표면에는 미리 상기 1쌍의 전극막과 상기 1쌍의 관통도전막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연성기판의 다른쪽표면에 형성되고, 상기 1쌍의 관통도전막에 전기적으로 접속된 1쌍의 또 하나의 큰면적 전극부를 부가한 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  4. 2개의 표면과 1쌍의 관통구를 가진 절연성기판과, 상기 절연성기판의 한쪽표면에 형성되고 한부분은 빗살형 상부, 다른부분은 상기 관통구의 하나를 포함하는 위치에 형성된 큰면적부의 2개의 부분으로 이루어져 각각 서로 접속된 1쌍의 전극막과, 상기 1쌍의 관통구의 1쌍의 내표면에 형성되고 상기 1쌍의 전극막의 큰면적부의 각각에 전기적으로 접속되어 있는 1쌍의 관통도전막과, 상기 절연성기판의 상기 한쪽표면에 형성된 감온저항체막과, 상기 절연성기판의 다른쪽 표면에 형성되고, 상기 1쌍의 관통도전막에 전기적으로 접속된 1쌍의 또하나의 큰면적 전극부와, 1쌍의 상기 또하나의 큰면적전극부에 각각 용접된 1쌍의 금속세선으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막더어미스터.
  5. 2개의 표면과 1쌍의 관통구를 가진 절연성 기판과, 상기 절연성기판의 한쪽표면에 형성되고 한부분은 빗살형상부 다른 부분은 상기 관통구의 하나를 포함하는 위치에 형성된 큰면적부의 2개의 부분으로 이루어져 각각 서로 접속된 1쌍의 전극막과, 상기 1쌍의 관통구의 1쌍의 내표면에 형성되고 상기 1쌍의 전극막의 큰면적부의 각각에 전기적으로 접속되어 있는 1쌍의 관통도전막과, 상기 절연성기판의 상기 한쪽표면에 형성된 감온저항체막과, 상기 1쌍의 관통도전막에 전기적으로 각각 접속된 1쌍의 소성도전체와, 상기 1쌍의 소성도전체에 전기적으로 각각 접속된 두께 0.1∼0.5㎜의 1쌍의 금속판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속판이 Fe-Cr합금판인 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  7. 제4항, 제5항에 있어서, 상기 박막더어미스터소자를 매입한 소성유리를 부하한 것을 특징으로 하는 박막더어미스터소자.
  8. 2개의 표면과 1쌍의 관통구를 가진 절연성기판을 준비하는 공정과, 한 부분은 빗살형상부 다른 부분은 상기 관통구의 하나를 포함하는 위치에 형성된 큰면적부의 2개의 부분으로 이루어져 각각 서로 접속된 1쌍의 전극막을 상기 절연성기판의 한쪽표면에 소성에 의해 형성되는 공정과, 상기 1쌍의 전극막의 큰면적부의 각각의 전기적으로 접속되는 1쌍의 관통도전막을 상기 1쌍의 관통구의 1쌍의 내표면에 소성에 의해 형성하는 공정과, 상기 절연성기판의 한쪽표면에 고주파스터링법에 의해 SiC막을 증착한는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 SiC박막더어미스터소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전극막의 소성온도가 상기 관통도전막의 소성온도와 동일한 것을 특징으로 하는 SiC박막더어미스터소자의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 두께 0.1∼0.5㎜의 1쌍의 금속판을 준비하는 공정과, 상기 1쌍의 금속판과 상기 1쌍의 관통도전막을 각각 1쌍의 소성도전체에 의해서 접속하는 공정과, 상기 더어미스터를 소자를 소성보호유리속에 매입하는 공정을 부가해서 이루어진 것을 특징으로 하는 박막더어미스터 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 1쌍의 소성도전체의 소성온도와 상기 소성보호유리의 소성온도가 동일한 것을 특징으로 하는 박막더어미스터의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 소성온도가 650∼700℃인 것을 특징으로 하는 박막더어미스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910012766A 1990-07-25 1991-07-25 SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 KR960011154B1 (ko)

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