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KR20240139212A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

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Publication number
KR20240139212A
KR20240139212A KR1020230032922A KR20230032922A KR20240139212A KR 20240139212 A KR20240139212 A KR 20240139212A KR 1020230032922 A KR1020230032922 A KR 1020230032922A KR 20230032922 A KR20230032922 A KR 20230032922A KR 20240139212 A KR20240139212 A KR 20240139212A
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KR
South Korea
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process time
rotation speed
spin chuck
substrate
during
Prior art date
Application number
KR1020230032922A
Other languages
English (en)
Inventor
백혜빈
노성식
정다미
박재훈
이대명
민충기
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020230032922A priority Critical patent/KR20240139212A/ko
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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고, 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룬다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착 및 세정 공정 등이 수행된다. 이들 공정 중 사진, 식각, 애싱 및 세정 공정은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계 및 현상 단계를 포함한다.
도포단계는 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 바울을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지며, 기판의 패턴 미세화를 위해 100cp 이상의 점도를 가지는 감광액을 사용할 수 있다.
한편, 100cp 이상의 감광액을 기판에 도포시 핑거링 현상과 같은 문제가 발생되어 개선이 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판에 핑거링 현상과 같은 얼룩을 감소시키고, 커버리지 불량과 감광액 비산을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고, 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룬다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 제1 노즐; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도에서 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제1 공정 시간 이후의 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 상기 제2 회전 속도보다 작고 상기 제1 회전 속도보다 큰 제3 회전 속도로 감소시키며, 1초 미만의 시간을 가지고, 상기 제1 공정 시간은, 상기 제2 공정 시간보다 길게 이루어지며, 상기 스핀 척의 가속 변화에 1초 내지 8초 이하의 시간을 가진다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 감광액이 기판 전체 면에서 균일하게 도포되도록 하고, 코팅 커버리지를 개선시킬 수 있어, 기판 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 기판 상의 감광액에 회전 접선력이 작용하는 모습을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 기판 상의 감광액에 회전 접선력이 작용하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 처리액 도포 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 팬 필터 유닛(120), 기판 지지 유닛(130), 액 공급 모듈(140), 바울 부재(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 처리액은 감광액으로서, 감광액은 중점도 이상일 수 있으며, 예시로 100cp 내지 2000cp의 점도를 가질 수 있다. 그리고 식별부호 11은 처리액의 흐름을 표시한 것이고, 식별부호 13은 기류를 표시한 것이다. 그리고 기판(W)이 처리되는 공정 시간은, 제1 공정 시간(0 ~ T1)과, 제2 공정 시간(T1 ~ T3)과, 제3 공정 시간(T3 ~ T4)과, 제4 공정 시간(T4 ~ T5)이 순차로 이어지는 시간을 포함할 수 있다.
하우징(110)은 기판 지지 유닛(130)과 바울 부재(160) 등이 마련되는 공간이 제공될 수 있다. 하우징(110)의 일측에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로서, 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(110)의 공간을 밀폐할 수 있다.
하우징(110)의 하단에는 제1 배기구(113), 제2 배기구(115) 및 배출 라인(117)이 형성될 수 있다. 하우징(110) 내에 형성된 기류는 제1 배기구(113) 및 제2 배기구(115)를 통해 외부로 배기될 수 있다.
예로, 바울 부재(160) 내의 기류는 제1 배기구(113)를 통해 배기되고, 바울 부재(160)의 외측 기류는 제2 배기구(115)를 통해 배기될 수 있다. 그리고 배출 라인(117)을 통해 처리액과 같은 액체가 외부로 배출될 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 하우징(110) 내에는 승강 유닛이 마련될 수 있다. 승강 유닛은 기판 지지 유닛(130)과 바울 부재(160) 간에 상대 높이를 조절할 수 있다. 예시로 승강 유닛은, 바울 부재(160) 또는 기판 지지 유닛(130)에 연결되어 이를 승하강 시키도록 제공될 수 있다. 승강 유닛은 브라켓과 모터를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
팬 필터 유닛(120)은 하우징(110)의 상단에 설치될 수 있다. 팬 필터 유닛(120)은 팬과 필터가 제공될 수 있으며, 하우징(110) 내부 공간에 하강 기류를 형성할 수 있다. 하우징(110)의 내부 공간에 형성된 하강 기류를 통해, 파티클이 제1 배기구(113) 및 제2 배기구(115)를 경유하여 외부로 배출될 수 있다. 팬 필터 유닛(120)은 외부와 연통된 라인이 제공되어, 라인을 통해 외기를 하우징(110) 내부로 공급할 수도 있다.
기판 지지 유닛(130)은 기판(W)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(130)은 스핀 척으로 제공될 수 있으며, 지지 플레이트(132) 및 구동기(136)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(132)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지는 원형의 판으로 제공될 수 있다. 구동기(136)는 모터로 제공될 수 있으며 지지 플레이트(132)가 회전되도록 회전력을 제공할 수 있다. 구동기(136)의 회전 속도는 제어부(170)에 의해 조절될 수 있다.
액 공급 모듈(140)은 노즐 유닛(141)을 포함할 수 있으며, 노즐 유닛(141)은 스핀 척에 지지된 기판(W)에 처리액(감광액 및/또는 프리 웨트 액)을 토출할 수 있으며, 처리액 토출시 기판(W)의 중심에 위치할 수 있다. 노즐 유닛(141)은 처리액 토출을 위해 감광액용 노즐과 프리 웨트용 노즐을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 도면에 도시하지 않았으나 액 공급 모듈(140)은 노즐 유닛(141)과 물리적으로 분리된 별도의 노즐을 더 포함하고, 별도의 노즐은 기판(W)으로 린스액을 토출할 수 있는 바와 같이 다양한 변형예가 가능하다. 본 실시예의 노즐 유닛(141)은, 제1 공정 시간(0 ~ T1) 내지 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안, 감광액을 토출할 수 있다.
더불어 노즐 유닛(141)은 위치 변경을 위해 노즐 암(도시하지 않음), 가이드 레일(도시하지 않음), 그리고 구동기(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 노즐 암은 노즐 유닛(141)을 지지할 수 있다. 노즐 암은 구동기에 의해 이동되어, 노즐 암에 설치된 노즐 유닛(141)의 위치는 변경될 수 있다. 노즐 유닛(141)의 위치 변경은, 기판(W)을 처리하기 위한 도포 위치와 홈포트(도시하지 않음)에서 대기하는 대기 위치 사이일 수 있다.
제어부(170)는 기판 지지 유닛(130)으로 제공되는 스핀 척의 회전 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어 제어부(170)는 구동기(136)의 동작을 제어하여 기판(W)의 회전 RPM을 제어할 수 있으며, 스핀 척의 회전 속도(구동기(136)의 동작으로 수행함)를 제1 회전 속도(도 3 및 도 4의 'A'참조), 제2 회전 속도(도 3 및 도 4의 'C' 참조) 및 제3 회전 속도(도 3 및 도 4의 'B' 참조)로 제어할 수 있다.
예를 들어 기판(W)이 회전하면, 기판(W) 표면을 흐르는 중점도 이상의 감광액은 기판(W) 전체 면에서 균일하게 도포되지 않고, 얼룩(핑거링 현상)이 발생되는 문제가 있다. 얼룩이 발생하는 위치는 회전 레이놀즈 수(rotational reynolds number)의 식으로부터 구할 수 있다. 회전 레이놀즈 수(Rew)는, 아래 수학식 1과 같다.
[수학식 1]
Rew = ρωv2 /2/μ
여기서, r은 반경 위치, ω은 회전각, ρ는 밀도, μ는 점도를 의미한다.
수학식 1을 참조하면, 기판(W)의 RPM이 상승하면 ω이 상승하여, 회전 레이놀즈 수가 증가하므로, 기판 처리 과정(예, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안)에서 스핀 척의 회전 속도를 범용의 구동기(136)에서 제공되는 설정값으로 순간 가속(도 3의 'E1' 기울기 참조, 'E1'은 비교예의 기울기)하면, 기판(W) 표면에 핑거링 현상이 발생할 수 있다.
그리고 수학식 2를 참조하면, 감광액은, RPM 변화량 대비하여 작은 가속 시간을 가하면, 회전 접선력(Ft, 도 2의 화살표 참조) 증가로 감광액이 비산될 수 있다. 즉 가속 시간이 순간 이루어져 작으면, 회전 접선력이 커져 비산 문제가 커질 수 있다.
[수학식 2]
Ft = mat
at = r(dw/dt) = r(d2θ/dt2)
여기서, F는 회전 접선력, a는 가속도, r은 반경을 의미한다.
이에 따라 본 실시예의 제어부(170)는 기판 처리 과정에서 기판(W)의 RPM이 순간 가속되지 않도록 하여 핑거링 현상 및 비산을 줄이기 위한 제어를 수행할 수 있다. 간략하게 제어부(170)는 기판(W)이 처리되도록 감광액이 토출되는 시작 시점부터 스핀 척의 회전을 제2 회전 속도로 가속하지 않고, 공정 과정(예, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안)에서 스핀 척의 회전 속도를 가속시킬 수 있다. 여기서 회전 속도가 가속되는 시간은, 기판(W)의 처리가 마무리되는 시점(예, 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 동안)에서 속도가 감소되는 시간보다 길게 이루어질 수 있다.
구체적으로 제어부(170)는 도 3 및 도 4를 참조하는 바와 같이(도 3은 E2 그래프 참조, E1은 비교예의 그래프), 제1 공정 시간(0 ~ T1) 내지 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안 아래와 같이 제어할 수 있다.
먼저 제1 공정 시간(0 ~ T1) 동안, 스핀 척은 제1 회전 속도(식별번호 'A' 참조)로 유지될 수 있다. 예시로 제1 회전 속도는, 0 내지 200 RPM을 이룰 수 있다.
그리고 나서 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안, 스핀 척은 회전 회전 속도가 가속될 수 있어, 스핀 척은 제1 회전 속도에서 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도(식별번호 'C' 참조)까지 가속될 수 있다. 예시로 제2 회전 속도는, 1200 내지 1800 RPM을 이룰 수 있다.
여기서 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)과 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 이어지는 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)을 포함할 수 있다. 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2) 동안, 스핀 척은 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속될 수 있고, 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3) 동안 스핀 척은 제2 회전 속도로 유지될 수 있다.
제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)은, 스핀 척의 회전 속도가 1초 미만과 같이 순간 가속되지 않도록 지연될 수 있다. 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)은, 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 시간보다 길게 이루어지며, 예시로 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룰 수 있다. 즉 구동기(136)의 초기값으로 제공될 수 있는 순간 가속 시간으로 설정하지 않고, 가속 시간을 얼룩이 방지될 수 있는 최적화된 시간으로 제어할 수 있다.
이와 같이 기판(W)의 RPM 가속 시간이 1초 미만과 같이 순간 이루어지지 않고, 길어질 수 있어 감광액이 천천히 확산될 수 있으므로, 범용의 구동기(136)에서 제공되는 순간 가속으로 속도를 증가시키는 것에 비하여 비교적 적은 유량으로도 커버리지(Coverage) 확보가 가능하다. 따라서 감광액의 유량 절감 효과가 있으며, 감광액의 비산 발생이 줄어서 결함(Defect)도 방지될 수 있다.
아울러 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 관계 없이 총 시간이 설정되어, 실시예에 따라 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)이 증가하면 이에 대응하여 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)은 감소될 수 있다. 즉 제2 공정 시간(T1 ~ T3)의 총 시간이 7초이면, 실시예의 변형에 따라 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)이 3초, 5초 등을 이루고, 이에 대응하여 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)은 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)을 제외한 나머지 시간인 4초, 2초 등을 이룰 수 있다.
그리고 나서, 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 동안, 스핀 척은 제2 회전 속도에서 제2 회전 속도보다 작은 제3 회전 속도(식별번호 'B' 참조)로 가변될 수 있다. 예시로 제3 회전 속도는, 300 내지 800 RPM을 이룰 수 있다.
이어서, 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안, 스핀 척은 제3 회전 속도로 유지될 수 있다.
한편, 본 실시예의 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)과 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 이어지는 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)을 포함하여, 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3) 시간 동안 제2 회전 속도가 유지되는 것을 예시하였으나 이에 한정되지 않는다. 이와 다른 예를 아래에서 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
이하에서는 도 4를 참조하여 본 실시예의 변형예를 설명하도록 하며, 동일한 기능을 하는 동일한 구성의 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다. 도 4를 참조하여, 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 제1 실시예와 동일하거나 유사하게 처리액 도포 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 팬 필터 유닛(120), 기판 지지 유닛(130), 액 공급 모듈(140), 바울 부재(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.
한편 제2 실시예는, 제1 실시예와 달리 스핀 척이 제2 회전 속도로 유지되지 않고, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 시간 동안 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속되고, 이어서 바로 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 시간 동안 제2 회전 속도에서 제3 회전 속도로 감속될 수 있다.
즉 본 실시예들은, 가속 시간을 지연시킴으로써 얼룩과 같은 문제를 방지하고 비산 문제를 최소화하는 것으로, 스핀 척의 회전 속도가 가속되는 시간을 스핀 척의 회전 속도가 감속되는 시간보다 길게 이루어, 스핀 척의 회전 속도가 최고 속도로 도달한 이후 일정 시간 동안(예, 제2 서브 공정시간(T2 ~ T3)유지되거나, 생략될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 장치 110: 하우징
140: 액 공급 유닛 170: 제어부

Claims (9)

  1. 기판을 지지하는 스핀 척;
    상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및
    상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고,
    제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고,
    상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이루는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    제3 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 제3 회전 속도로 가변시키며,
    제4 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제3 회전 속도로 유지시키는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 공정 시간은, 제1 서브 공정 시간과 상기 제1 서브 공정 시간에 이어지는 제2 서브 공정 시간을 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 서브 공정 시간 동안 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 서브 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도로 유지시키는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 서브 공정 시간은, 상기 제3 공정 시간보다 길게 이루어지는, 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정 시간과, 상기 제2 공정 시간과, 상기 제3 공정 시간과, 상기 제4 공정 시간은 순차로 이어지고,
    상기 제1 노즐은, 상기 제1 공정 시간 내지 상기 제4 공정 시간 동안, 상기 감광액을 토출하고,
    상기 감광액은, 100 CP 내지 2000cp 범위의 점도를 가지는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 회전 속도는, 0 내지 200 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 회전 속도는, 1200 내지 1800 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 회전 속도는, 300 내지 800 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.
  9. 기판을 지지하는 스핀 척;
    상기 기판으로 감광액을 토출하는 제1 노즐; 및
    상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도에서 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도까지 가속시키고,
    상기 제1 공정 시간 이후의 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 상기 제2 회전 속도보다 작고 상기 제1 회전 속도보다 큰 제3 회전 속도로 감소시키며, 1초 미만의 시간을 가지고,
    상기 제1 공정 시간은, 상기 제2 공정 시간보다 길게 이루어지며, 상기 스핀 척의 가속 변화에 1초 내지 8초 이하의 시간을 가지는, 기판 처리 장치.


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