KR20240139212A - Substrate treating apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고, 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룬다.The substrate processing apparatus of the present invention comprises: a spin chuck for supporting a substrate; a nozzle unit for discharging a photoresist onto the substrate; and a control unit for controlling a rotational operation of the spin chuck, wherein the control unit maintains the spin chuck at a first rotation speed during a first process time, and accelerates the spin chuck from the first rotation speed to a second rotation speed during a second process time, and the second process time is 1 second to 8 seconds or less.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device.
반도체 소자의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착 및 세정 공정 등이 수행된다. 이들 공정 중 사진, 식각, 애싱 및 세정 공정은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계 및 현상 단계를 포함한다. The manufacturing process of semiconductor devices includes processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning. Among these processes, the photolithography, etching, ashing, and cleaning processes are processes that process the substrate by supplying a treatment solution onto the substrate. The photolithography process includes a coating step, an exposure step, and a developing step.
도포단계는 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 바울을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지며, 기판의 패턴 미세화를 위해 100cp 이상의 점도를 가지는 감광액을 사용할 수 있다. The coating step is a coating process that coats a photosensitive liquid such as photoresist on a substrate, and some of the used photosensitive liquid is recovered through a bowl. The photosensitive liquid has viscosity, and a photosensitive liquid with a viscosity of 100cp or more can be used to refine the pattern of the substrate.
한편, 100cp 이상의 감광액을 기판에 도포시 핑거링 현상과 같은 문제가 발생되어 개선이 필요하다.Meanwhile, when applying a photosensitive solution of 100cp or more to a substrate, problems such as fingering occur and require improvement.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판에 핑거링 현상과 같은 얼룩을 감소시키고, 커버리지 불량과 감광액 비산을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing device capable of reducing stains such as fingering phenomenon on a substrate and reducing poor coverage and photoresist scattering.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고, 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룬다.An aspect of a substrate processing device of the present invention for achieving the above object comprises: a spin chuck for supporting a substrate; a nozzle unit for discharging a photoresist onto the substrate; and a control unit for controlling a rotational operation of the spin chuck, wherein the control unit maintains the spin chuck at a first rotation speed during a first process time, and accelerates the spin chuck from the first rotation speed to a second rotation speed during a second process time, and the second process time is 1 second to 8 seconds or less.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판으로 감광액을 토출하는 제1 노즐; 및 상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도에서 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제1 공정 시간 이후의 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 상기 제2 회전 속도보다 작고 상기 제1 회전 속도보다 큰 제3 회전 속도로 감소시키며, 1초 미만의 시간을 가지고, 상기 제1 공정 시간은, 상기 제2 공정 시간보다 길게 이루어지며, 상기 스핀 척의 가속 변화에 1초 내지 8초 이하의 시간을 가진다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above task comprises: a spin chuck for supporting a substrate; a first nozzle for discharging a photoresist to the substrate; and a control unit for controlling a rotational operation of the spin chuck, wherein the control unit accelerates the spin chuck from a first rotation speed to a second rotation speed greater than the first rotation speed during a first process time, and reduces the spin chuck from the second rotation speed to a third rotation speed less than the second rotation speed and greater than the first rotation speed during a second process time after the first process time, with a time of less than 1 second, wherein the first process time is longer than the second process time, and the time for the acceleration change of the spin chuck is 1 to 8 seconds.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 감광액이 기판 전체 면에서 균일하게 도포되도록 하고, 코팅 커버리지를 개선시킬 수 있어, 기판 품질을 향상시킬 수 있다.The substrate processing device according to the present invention can improve substrate quality by enabling the photosensitive solution to be uniformly applied over the entire surface of the substrate and improving coating coverage.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 기판 상의 감광액에 회전 접선력이 작용하는 모습을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing device according to some embodiments of the present invention.
Figure 2 is a drawing illustrating a rotational tangential force acting on a photosensitive liquid on a substrate.
FIG. 3 is a graph showing the process time and substrate rotation number of a substrate processing device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing the process time and substrate rotation speed of a substrate processing device according to the second embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The advantages and features of the present invention and the methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and these embodiments are provided only to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art of the scope of the invention, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular includes the plural unless the context clearly dictates otherwise. The terms "comprises" and/or "comprising" as used herein do not exclude the presence or addition of one or more other components, steps, operations, and/or elements.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 기판 상의 감광액에 회전 접선력이 작용하는 모습을 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing device according to some embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a drawing illustrating a state in which a rotational tangential force is applied to a photosensitive liquid on a substrate. In addition, FIG. 3 is a graph illustrating a process time and a substrate rotation number of a substrate processing device according to a first embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 처리액 도포 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 팬 필터 유닛(120), 기판 지지 유닛(130), 액 공급 모듈(140), 바울 부재(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3, a substrate processing device (100) according to an embodiment of the present invention can perform a processing liquid application process. The substrate processing device (100) can include a housing (110), a fan filter unit (120), a substrate support unit (130), a liquid supply module (140), a bowl member (160), and a control unit (170).
본 실시예의 처리액은 감광액으로서, 감광액은 중점도 이상일 수 있으며, 예시로 100cp 내지 2000cp의 점도를 가질 수 있다. 그리고 식별부호 11은 처리액의 흐름을 표시한 것이고, 식별부호 13은 기류를 표시한 것이다. 그리고 기판(W)이 처리되는 공정 시간은, 제1 공정 시간(0 ~ T1)과, 제2 공정 시간(T1 ~ T3)과, 제3 공정 시간(T3 ~ T4)과, 제4 공정 시간(T4 ~ T5)이 순차로 이어지는 시간을 포함할 수 있다.The treatment liquid of this embodiment is a photosensitive liquid, and the photosensitive liquid may have a viscosity higher than medium viscosity, for example, a viscosity of 100 cp to 2000 cp. In addition, the
하우징(110)은 기판 지지 유닛(130)과 바울 부재(160) 등이 마련되는 공간이 제공될 수 있다. 하우징(110)의 일측에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로서, 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(110)의 공간을 밀폐할 수 있다. The housing (110) may be provided with a space in which a substrate support unit (130) and a bowl member (160) are provided. An opening (not shown) may be formed on one side of the housing (110). The opening is an entrance through which a substrate (W) is taken out and a door (not shown) may be installed. When a substrate processing process is performed, the door may block the opening to seal the space of the housing (110).
하우징(110)의 하단에는 제1 배기구(113), 제2 배기구(115) 및 배출 라인(117)이 형성될 수 있다. 하우징(110) 내에 형성된 기류는 제1 배기구(113) 및 제2 배기구(115)를 통해 외부로 배기될 수 있다. A first exhaust port (113), a second exhaust port (115), and an exhaust line (117) may be formed at the bottom of the housing (110). The airflow formed within the housing (110) may be exhausted to the outside through the first exhaust port (113) and the second exhaust port (115).
예로, 바울 부재(160) 내의 기류는 제1 배기구(113)를 통해 배기되고, 바울 부재(160)의 외측 기류는 제2 배기구(115)를 통해 배기될 수 있다. 그리고 배출 라인(117)을 통해 처리액과 같은 액체가 외부로 배출될 수 있다.For example, the airflow inside the bail member (160) can be exhausted through the first exhaust port (113), and the airflow outside the bail member (160) can be exhausted through the second exhaust port (115). In addition, a liquid such as a treatment liquid can be discharged to the outside through the discharge line (117).
도면에 도시하지 않았으나, 하우징(110) 내에는 승강 유닛이 마련될 수 있다. 승강 유닛은 기판 지지 유닛(130)과 바울 부재(160) 간에 상대 높이를 조절할 수 있다. 예시로 승강 유닛은, 바울 부재(160) 또는 기판 지지 유닛(130)에 연결되어 이를 승하강 시키도록 제공될 수 있다. 승강 유닛은 브라켓과 모터를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Although not shown in the drawing, an elevating unit may be provided within the housing (110). The elevating unit may adjust the relative height between the substrate support unit (130) and the bowl member (160). For example, the elevating unit may be provided to be connected to the bowl member (160) or the substrate support unit (130) to elevate and lower it. The elevating unit may include, but is not limited to, a bracket and a motor.
팬 필터 유닛(120)은 하우징(110)의 상단에 설치될 수 있다. 팬 필터 유닛(120)은 팬과 필터가 제공될 수 있으며, 하우징(110) 내부 공간에 하강 기류를 형성할 수 있다. 하우징(110)의 내부 공간에 형성된 하강 기류를 통해, 파티클이 제1 배기구(113) 및 제2 배기구(115)를 경유하여 외부로 배출될 수 있다. 팬 필터 유닛(120)은 외부와 연통된 라인이 제공되어, 라인을 통해 외기를 하우징(110) 내부로 공급할 수도 있다. The fan filter unit (120) may be installed at the top of the housing (110). The fan filter unit (120) may be provided with a fan and a filter, and may form a descending airflow in the internal space of the housing (110). Through the descending airflow formed in the internal space of the housing (110), particles may be discharged to the outside via the first exhaust port (113) and the second exhaust port (115). The fan filter unit (120) may be provided with a line connected to the outside, and may supply outside air to the inside of the housing (110) through the line.
기판 지지 유닛(130)은 기판(W)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(130)은 스핀 척으로 제공될 수 있으며, 지지 플레이트(132) 및 구동기(136)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(132)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지는 원형의 판으로 제공될 수 있다. 구동기(136)는 모터로 제공될 수 있으며 지지 플레이트(132)가 회전되도록 회전력을 제공할 수 있다. 구동기(136)의 회전 속도는 제어부(170)에 의해 조절될 수 있다.The substrate support unit (130) can support and rotate the substrate (W). The substrate support unit (130) can be provided as a spin chuck and can include a support plate (132) and a driver (136). The support plate (132) can be provided as a circular plate having a diameter smaller than that of the substrate (W). The driver (136) can be provided as a motor and can provide a rotational force to rotate the support plate (132). The rotational speed of the driver (136) can be controlled by the control unit (170).
액 공급 모듈(140)은 노즐 유닛(141)을 포함할 수 있으며, 노즐 유닛(141)은 스핀 척에 지지된 기판(W)에 처리액(감광액 및/또는 프리 웨트 액)을 토출할 수 있으며, 처리액 토출시 기판(W)의 중심에 위치할 수 있다. 노즐 유닛(141)은 처리액 토출을 위해 감광액용 노즐과 프리 웨트용 노즐을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 도면에 도시하지 않았으나 액 공급 모듈(140)은 노즐 유닛(141)과 물리적으로 분리된 별도의 노즐을 더 포함하고, 별도의 노즐은 기판(W)으로 린스액을 토출할 수 있는 바와 같이 다양한 변형예가 가능하다. 본 실시예의 노즐 유닛(141)은, 제1 공정 시간(0 ~ T1) 내지 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안, 감광액을 토출할 수 있다.The liquid supply module (140) may include a nozzle unit (141), and the nozzle unit (141) may discharge a treatment liquid (photoresist and/or pre-wet liquid) to a substrate (W) supported by a spin chuck, and may be positioned at the center of the substrate (W) when discharging the treatment liquid. The nozzle unit (141) may include a nozzle for the photoresist and a nozzle for the pre-wet liquid for discharging the treatment liquid, but is not limited thereto. Although not shown in the drawing, the liquid supply module (140) may further include a separate nozzle physically separated from the nozzle unit (141), and various modifications are possible, such that the separate nozzle may discharge a rinse liquid to the substrate (W). The nozzle unit (141) of the present embodiment may discharge the photoresist during the first process time (0 to T1) to the fourth process time (T4 to T5).
더불어 노즐 유닛(141)은 위치 변경을 위해 노즐 암(도시하지 않음), 가이드 레일(도시하지 않음), 그리고 구동기(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 노즐 암은 노즐 유닛(141)을 지지할 수 있다. 노즐 암은 구동기에 의해 이동되어, 노즐 암에 설치된 노즐 유닛(141)의 위치는 변경될 수 있다. 노즐 유닛(141)의 위치 변경은, 기판(W)을 처리하기 위한 도포 위치와 홈포트(도시하지 않음)에서 대기하는 대기 위치 사이일 수 있다. In addition, the nozzle unit (141) may include a nozzle arm (not shown), a guide rail (not shown), and a driver (not shown) for changing the position. The nozzle arm may support the nozzle unit (141). The nozzle arm may be moved by the driver, so that the position of the nozzle unit (141) installed on the nozzle arm may be changed. The change in the position of the nozzle unit (141) may be between a coating position for processing a substrate (W) and a waiting position in a home port (not shown).
제어부(170)는 기판 지지 유닛(130)으로 제공되는 스핀 척의 회전 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어 제어부(170)는 구동기(136)의 동작을 제어하여 기판(W)의 회전 RPM을 제어할 수 있으며, 스핀 척의 회전 속도(구동기(136)의 동작으로 수행함)를 제1 회전 속도(도 3 및 도 4의 'A'참조), 제2 회전 속도(도 3 및 도 4의 'C' 참조) 및 제3 회전 속도(도 3 및 도 4의 'B' 참조)로 제어할 수 있다. The control unit (170) can control the rotational operation of the spin chuck provided as the substrate support unit (130). For example, the control unit (170) can control the rotational RPM of the substrate (W) by controlling the operation of the driver (136), and can control the rotational speed of the spin chuck (performed by the operation of the driver (136)) to a first rotational speed (see 'A' of FIGS. 3 and 4), a second rotational speed (see 'C' of FIGS. 3 and 4), and a third rotational speed (see 'B' of FIGS. 3 and 4).
예를 들어 기판(W)이 회전하면, 기판(W) 표면을 흐르는 중점도 이상의 감광액은 기판(W) 전체 면에서 균일하게 도포되지 않고, 얼룩(핑거링 현상)이 발생되는 문제가 있다. 얼룩이 발생하는 위치는 회전 레이놀즈 수(rotational reynolds number)의 식으로부터 구할 수 있다. 회전 레이놀즈 수(Rew)는, 아래 수학식 1과 같다.For example, when the substrate (W) rotates, the photoresist having a viscosity higher than that of the medium flowing on the surface of the substrate (W) is not uniformly applied over the entire surface of the substrate (W), and there is a problem that unevenness (fingering phenomenon) occurs. The location where unevenness occurs can be obtained from the equation for the rotational Reynolds number. The rotational Reynolds number (Re w ) is as follows:
[수학식 1] [Mathematical Formula 1]
Rew = ρωv2 /2/μRe w = ρωv 2 /2 /μ
여기서, r은 반경 위치, ω은 회전각, ρ는 밀도, μ는 점도를 의미한다.Here, r represents the radial position, ω represents the rotation angle, ρ represents the density, and μ represents the viscosity.
수학식 1을 참조하면, 기판(W)의 RPM이 상승하면 ω이 상승하여, 회전 레이놀즈 수가 증가하므로, 기판 처리 과정(예, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안)에서 스핀 척의 회전 속도를 범용의 구동기(136)에서 제공되는 설정값으로 순간 가속(도 3의 'E1' 기울기 참조, 'E1'은 비교예의 기울기)하면, 기판(W) 표면에 핑거링 현상이 발생할 수 있다.Referring to mathematical expression 1, when the RPM of the substrate (W) increases, ω increases and the rotational Reynolds number increases. Therefore, if the rotational speed of the spin chuck is instantaneously accelerated to a set value provided by the universal actuator (136) during the substrate processing process (e.g., during the second process time (T1 to T3)) (see the slope of 'E1' in FIG. 3, 'E1' is the slope of the comparative example), a fingering phenomenon may occur on the surface of the substrate (W).
그리고 수학식 2를 참조하면, 감광액은, RPM 변화량 대비하여 작은 가속 시간을 가하면, 회전 접선력(Ft, 도 2의 화살표 참조) 증가로 감광액이 비산될 수 있다. 즉 가속 시간이 순간 이루어져 작으면, 회전 접선력이 커져 비산 문제가 커질 수 있다.And referring to mathematical expression 2, if a small acceleration time is applied compared to the amount of RPM change, the photosensitive liquid may scatter due to an increase in the rotational tangential force (F t , see arrow in Fig. 2). In other words, if the acceleration time is instantaneous and short, the rotational tangential force may increase, which may increase the scattering problem.
[수학식 2] [Mathematical formula 2]
Ft = mat F t = ma t
at = r(dw/dt) = r(d2θ/dt2)a t = r(dw/dt) = r(d 2 θ/dt 2 )
여기서, F는 회전 접선력, a는 가속도, r은 반경을 의미한다.Here, F represents the rotational tangential force, a represents the acceleration, and r represents the radius.
이에 따라 본 실시예의 제어부(170)는 기판 처리 과정에서 기판(W)의 RPM이 순간 가속되지 않도록 하여 핑거링 현상 및 비산을 줄이기 위한 제어를 수행할 수 있다. 간략하게 제어부(170)는 기판(W)이 처리되도록 감광액이 토출되는 시작 시점부터 스핀 척의 회전을 제2 회전 속도로 가속하지 않고, 공정 과정(예, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안)에서 스핀 척의 회전 속도를 가속시킬 수 있다. 여기서 회전 속도가 가속되는 시간은, 기판(W)의 처리가 마무리되는 시점(예, 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 동안)에서 속도가 감소되는 시간보다 길게 이루어질 수 있다.Accordingly, the control unit (170) of the present embodiment can perform control to reduce the fingering phenomenon and scattering by preventing the RPM of the substrate (W) from being instantly accelerated during the substrate processing process. Briefly, the control unit (170) can accelerate the rotation speed of the spin chuck during the process (e.g., during the second process time (T1 to T3)) without accelerating the rotation of the spin chuck to the second rotation speed from the start time when the photoresist is discharged so that the substrate (W) is processed. Here, the time during which the rotation speed is accelerated can be longer than the time during which the speed is reduced at the time when the processing of the substrate (W) is finished (e.g., during the third process time (T3 to T4)).
구체적으로 제어부(170)는 도 3 및 도 4를 참조하는 바와 같이(도 3은 E2 그래프 참조, E1은 비교예의 그래프), 제1 공정 시간(0 ~ T1) 내지 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안 아래와 같이 제어할 수 있다.Specifically, the control unit (170) can control as follows during the first process time (0 to T1) to the fourth process time (T4 to T5), as shown in FIG. 3 and FIG. 4 (see FIG. 3 for E2 graph, E1 for comparative example graph).
먼저 제1 공정 시간(0 ~ T1) 동안, 스핀 척은 제1 회전 속도(식별번호 'A' 참조)로 유지될 수 있다. 예시로 제1 회전 속도는, 0 내지 200 RPM을 이룰 수 있다.First, during the first process time (0 to T1), the spin chuck can be maintained at a first rotation speed (see identification number 'A'). For example, the first rotation speed can be 0 to 200 RPM.
그리고 나서 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 동안, 스핀 척은 회전 회전 속도가 가속될 수 있어, 스핀 척은 제1 회전 속도에서 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도(식별번호 'C' 참조)까지 가속될 수 있다. 예시로 제2 회전 속도는, 1200 내지 1800 RPM을 이룰 수 있다.Then, during the second process time (T1 to T3), the spin chuck can be accelerated in rotational speed, so that the spin chuck can be accelerated from the first rotational speed to a second rotational speed (see identification number 'C') greater than the first rotational speed. For example, the second rotational speed can be 1200 to 1800 RPM.
여기서 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)과 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 이어지는 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)을 포함할 수 있다. 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2) 동안, 스핀 척은 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속될 수 있고, 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3) 동안 스핀 척은 제2 회전 속도로 유지될 수 있다.Here, the second process time (T1 to T3) may include a first sub-process time (T1 to T2) and a second sub-process time (T2 to T3) following the first sub-process time (T1 to T2). During the first sub-process time (T1 to T2), the spin chuck may be accelerated from the first rotation speed to the second rotation speed, and during the second sub-process time (T2 to T3), the spin chuck may be maintained at the second rotation speed.
제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)은, 스핀 척의 회전 속도가 1초 미만과 같이 순간 가속되지 않도록 지연될 수 있다. 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)은, 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 시간보다 길게 이루어지며, 예시로 1초 내지 8초 이하의 시간을 이룰 수 있다. 즉 구동기(136)의 초기값으로 제공될 수 있는 순간 가속 시간으로 설정하지 않고, 가속 시간을 얼룩이 방지될 수 있는 최적화된 시간으로 제어할 수 있다.The first sub-process time (T1 to T2) can be delayed so that the rotation speed of the spin chuck is not instantaneously accelerated for less than 1 second. The first sub-process time (T1 to T2) is longer than the fourth process time (T4 to T5), and can be, for example, 1 to 8 seconds or less. That is, rather than setting the instantaneous acceleration time that can be provided as the initial value of the driver (136), the acceleration time can be controlled to an optimized time that can prevent staining.
이와 같이 기판(W)의 RPM 가속 시간이 1초 미만과 같이 순간 이루어지지 않고, 길어질 수 있어 감광액이 천천히 확산될 수 있으므로, 범용의 구동기(136)에서 제공되는 순간 가속으로 속도를 증가시키는 것에 비하여 비교적 적은 유량으로도 커버리지(Coverage) 확보가 가능하다. 따라서 감광액의 유량 절감 효과가 있으며, 감광액의 비산 발생이 줄어서 결함(Defect)도 방지될 수 있다.In this way, since the RPM acceleration time of the substrate (W) is not instantaneous, such as less than 1 second, but can be long, the photoresist can spread slowly, so that coverage can be secured even with a relatively small flow rate compared to increasing the speed with the instantaneous acceleration provided by the general-purpose driver (136). Accordingly, there is an effect of reducing the flow rate of the photoresist, and since the occurrence of scattering of the photoresist is reduced, defects can also be prevented.
아울러 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 관계 없이 총 시간이 설정되어, 실시예에 따라 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)이 증가하면 이에 대응하여 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)은 감소될 수 있다. 즉 제2 공정 시간(T1 ~ T3)의 총 시간이 7초이면, 실시예의 변형에 따라 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)이 3초, 5초 등을 이루고, 이에 대응하여 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)은 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)을 제외한 나머지 시간인 4초, 2초 등을 이룰 수 있다.In addition, the second process time (T1 to T3) is set as a total time regardless of the first sub-process time (T1 to T2), and if the first sub-process time (T1 to T2) increases according to an embodiment, the second sub-process time (T2 to T3) may decrease correspondingly. That is, if the total time of the second process time (T1 to T3) is 7 seconds, the first sub-process time (T1 to T2) may be 3 seconds, 5 seconds, etc. depending on a variation of the embodiment, and correspondingly, the second sub-process time (T2 to T3) may be 4 seconds, 2 seconds, etc., which is the remaining time excluding the first sub-process time (T1 to T2).
그리고 나서, 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 동안, 스핀 척은 제2 회전 속도에서 제2 회전 속도보다 작은 제3 회전 속도(식별번호 'B' 참조)로 가변될 수 있다. 예시로 제3 회전 속도는, 300 내지 800 RPM을 이룰 수 있다.Then, during the third process time (T3 to T4), the spin chuck can be varied from the second rotation speed to a third rotation speed (see identification number 'B') that is lower than the second rotation speed. For example, the third rotation speed can be 300 to 800 RPM.
이어서, 제4 공정 시간(T4 ~ T5) 동안, 스핀 척은 제3 회전 속도로 유지될 수 있다.Then, during the fourth process time (T4 to T5), the spin chuck can be maintained at the third rotation speed.
한편, 본 실시예의 제2 공정 시간(T1 ~ T3)은, 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)과 제1 서브 공정 시간(T1 ~ T2)에 이어지는 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3)을 포함하여, 제2 서브 공정 시간(T2 ~ T3) 시간 동안 제2 회전 속도가 유지되는 것을 예시하였으나 이에 한정되지 않는다. 이와 다른 예를 아래에서 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Meanwhile, the second process time (T1 to T3) of the present embodiment includes the first sub-process time (T1 to T2) and the second sub-process time (T2 to T3) following the first sub-process time (T1 to T2), and exemplifies that the second rotation speed is maintained during the second sub-process time (T2 to T3), but is not limited thereto. Other examples will be described below with reference to the drawings.
이하에서는 도 4를 참조하여 본 실시예의 변형예를 설명하도록 하며, 동일한 기능을 하는 동일한 구성의 중복되는 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, a modified example of the present embodiment will be described with reference to FIG. 4, and redundant descriptions of the same components performing the same function will be omitted.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 시간과 기판 회전수를 도시한 그래프이다. 도 4를 참조하여, 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.Fig. 4 is a graph showing the process time and substrate rotation speed of a substrate processing device according to the second embodiment of the present invention. With reference to Fig. 4, differences from those described using Fig. 3 will be mainly explained.
제2 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 제1 실시예와 동일하거나 유사하게 처리액 도포 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 팬 필터 유닛(120), 기판 지지 유닛(130), 액 공급 모듈(140), 바울 부재(160) 및 제어부(170)를 포함할 수 있다.The substrate processing device (100) according to the second embodiment can perform a processing liquid application process identical to or similar to that of the first embodiment. The substrate processing device (100) can include a housing (110), a fan filter unit (120), a substrate support unit (130), a liquid supply module (140), a bowl member (160), and a control unit (170).
한편 제2 실시예는, 제1 실시예와 달리 스핀 척이 제2 회전 속도로 유지되지 않고, 제2 공정 시간(T1 ~ T3) 시간 동안 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속되고, 이어서 바로 제3 공정 시간(T3 ~ T4) 시간 동안 제2 회전 속도에서 제3 회전 속도로 감속될 수 있다.Meanwhile, in the second embodiment, unlike the first embodiment, the spin chuck is not maintained at the second rotation speed, but is accelerated from the first rotation speed to the second rotation speed during the second process time (T1 to T3), and then immediately decelerated from the second rotation speed to the third rotation speed during the third process time (T3 to T4).
즉 본 실시예들은, 가속 시간을 지연시킴으로써 얼룩과 같은 문제를 방지하고 비산 문제를 최소화하는 것으로, 스핀 척의 회전 속도가 가속되는 시간을 스핀 척의 회전 속도가 감속되는 시간보다 길게 이루어, 스핀 척의 회전 속도가 최고 속도로 도달한 이후 일정 시간 동안(예, 제2 서브 공정시간(T2 ~ T3)유지되거나, 생략될 수 있다.That is, the present embodiments prevent problems such as staining and minimize flying problems by delaying the acceleration time, and the time for accelerating the rotation speed of the spin chuck is made longer than the time for decelerating the rotation speed of the spin chuck, so that the rotation speed of the spin chuck can be maintained for a certain period of time (e.g., the second sub-process time (T2 to T3)) or omitted after reaching the maximum speed.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the attached drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
100: 기판 처리 장치
110: 하우징
140: 액 공급 유닛
170: 제어부100: Substrate processing device 110: Housing
140: Liquid supply unit 170: Control unit
Claims (9)
상기 기판으로 감광액을 토출하는 노즐 유닛; 및
상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도로 유지시키고,
제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고,
상기 제2 공정 시간은, 1초 내지 8초 이하의 시간을 이루는, 기판 처리 장치.Spin chuck supporting the substrate;
A nozzle unit for ejecting a photosensitive liquid onto the substrate; and
Including a control unit that controls the rotational motion of the spin chuck,
The above control unit,
During the first process time, the spin chuck is maintained at the first rotation speed,
During the second process time, the spin chuck is accelerated from the first rotation speed to the second rotation speed,
A substrate processing device, wherein the second process time is 1 second to 8 seconds or less.
상기 제어부는,
제3 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 제3 회전 속도로 가변시키며,
제4 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제3 회전 속도로 유지시키는, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
The above control unit,
During the third process time, the spin chuck is varied from the second rotation speed to the third rotation speed,
A substrate processing device, which maintains the spin chuck at the third rotation speed during the fourth process time.
상기 제2 공정 시간은, 제1 서브 공정 시간과 상기 제1 서브 공정 시간에 이어지는 제2 서브 공정 시간을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 서브 공정 시간 동안 상기 스핀 척을 상기 제1 회전 속도에서 제2 회전 속도까지 가속시키고, 상기 제2 서브 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도로 유지시키는, 기판 처리 장치.In the second paragraph,
The above second process time includes the first sub-process time and the second sub-process time following the first sub-process time,
A substrate processing device, wherein the control unit accelerates the spin chuck from the first rotation speed to the second rotation speed during the first sub-process time, and maintains the spin chuck at the second rotation speed during the second sub-process time.
상기 제1 서브 공정 시간은, 상기 제3 공정 시간보다 길게 이루어지는, 기판 처리 장치.In the third paragraph,
A substrate processing device, wherein the first sub-process time is longer than the third process time.
상기 제1 공정 시간과, 상기 제2 공정 시간과, 상기 제3 공정 시간과, 상기 제4 공정 시간은 순차로 이어지고,
상기 제1 노즐은, 상기 제1 공정 시간 내지 상기 제4 공정 시간 동안, 상기 감광액을 토출하고,
상기 감광액은, 100 CP 내지 2000cp 범위의 점도를 가지는, 기판 처리 장치.In the second paragraph,
The above first process time, the above second process time, the above third process time, and the above fourth process time are sequentially performed,
The above first nozzle discharges the photosensitive liquid during the first process time to the fourth process time,
A substrate processing device, wherein the photosensitive liquid has a viscosity in the range of 100 CP to 2000 CP.
상기 제1 회전 속도는, 0 내지 200 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.In the first paragraph,
A substrate processing device, wherein the first rotation speed is 0 to 200 RPM.
상기 제2 회전 속도는, 1200 내지 1800 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.In Article 6,
The above second rotation speed is a substrate processing device of 1200 to 1800 RPM.
상기 제3 회전 속도는, 300 내지 800 RPM을 이루는, 기판 처리 장치.In Article 7,
The third rotation speed is a substrate processing device of 300 to 800 RPM.
상기 기판으로 감광액을 토출하는 제1 노즐; 및
상기 스핀 척의 회전 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
제1 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 제1 회전 속도에서 상기 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도까지 가속시키고,
상기 제1 공정 시간 이후의 제2 공정 시간 동안, 상기 스핀 척을 상기 제2 회전 속도에서 상기 제2 회전 속도보다 작고 상기 제1 회전 속도보다 큰 제3 회전 속도로 감소시키며, 1초 미만의 시간을 가지고,
상기 제1 공정 시간은, 상기 제2 공정 시간보다 길게 이루어지며, 상기 스핀 척의 가속 변화에 1초 내지 8초 이하의 시간을 가지는, 기판 처리 장치.
Spin chuck supporting the substrate;
A first nozzle for ejecting a photosensitive liquid onto the substrate; and
Including a control unit that controls the rotational motion of the spin chuck,
The above control unit,
During the first process time, the spin chuck is accelerated from a first rotation speed to a second rotation speed greater than the first rotation speed,
During a second process time after the first process time, the spin chuck is reduced from the second rotation speed to a third rotation speed that is less than the second rotation speed and greater than the first rotation speed, with a time of less than 1 second.
A substrate processing device wherein the first process time is longer than the second process time, and the acceleration change of the spin chuck has a time of 1 second to 8 seconds or less.
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