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KR20240119806A - Display panel and display device including the same - Google Patents

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KR20240119806A
KR20240119806A KR1020230122968A KR20230122968A KR20240119806A KR 20240119806 A KR20240119806 A KR 20240119806A KR 1020230122968 A KR1020230122968 A KR 1020230122968A KR 20230122968 A KR20230122968 A KR 20230122968A KR 20240119806 A KR20240119806 A KR 20240119806A
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KR
South Korea
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voltage
gate
node
electrode
capacitor
Prior art date
Application number
KR1020230122968A
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Korean (ko)
Inventor
손기민
박귀복
김창희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2023216552A priority patent/JP2024108125A/en
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Abstract

표시패널과 이를 포함한 표시장치가 개시된다. 표시패널은 제1 컬러의 서브 픽셀; 제2 컬러의 서브 픽셀; 및 제3 컬러의 서브 픽셀을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 소자; 및 정전압이 인가되는 정전압 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함한다. A display panel and a display device including the same are disclosed. The display panel includes subpixels of a first color; a subpixel of a second color; and subpixels of a third color. Each of the first to third color subpixels includes a first electrode connected to a first node, a gate electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node, and is driven to supply current to the light emitting device. device; and a second capacitor connected between a constant voltage node to which a constant voltage is applied and the third node.

Description

표시패널과 이를 포함한 표시장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Display panel and display device including the same {DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 표시패널과 이를 포함한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel and a display device including the same.

전계 발광 표시장치(Electroluminescence Display)는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 나뉘어질 수 있다. 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기 발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기 발광 표시장치는 OLED가 픽셀들 각각에 형성된다. 유기 발광 표시장치는 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도, 시야각 등이 우수할 뿐 아니라, 블랙 계조를 완전한 블랙으로 표현할 수 있기 때문에 명암비(contrast ratio)와 색재현율이 우수하다.Electroluminescence displays can be divided into inorganic light emitting displays and organic light emitting displays depending on the material of the light emitting layer. The active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (hereinafter referred to as “OLED”) that emits light on its own, has a fast response speed, and has high luminous efficiency, brightness, and viewing angle. There is an advantage. In organic light emitting display devices, OLEDs are formed in each pixel. Organic light emitting display devices not only have a fast response speed and excellent luminous efficiency, brightness, and viewing angle, but also have excellent contrast ratio and color gamut because they can express black gradations in complete black.

표시패널의 제조 공정에서 초래되는 공정 편차와 소자 특성 편차로 인하여 픽셀들 간에 구동 소자의 전기적 특성에서 차이가 있을 수 있다. 이러한 구동 소자들의 전기적 특성 차이는 픽셀들의 구동 시간이 경과됨에 따라 더 커질 수 있다. 픽셀들 간에 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해, 픽셀 회로에 내부 보상 회로가 추가될 수 있다. 내부 보상 회로는 구동 소자의 문턱 전압을 센싱하여 커패시터에 저장하고, 그 구동 소자의 문턱 전압만큼 구동 소자의 게이트 전압을 보상할 수 있다. There may be differences in the electrical characteristics of driving elements between pixels due to process deviations and element characteristic deviations resulting from the display panel manufacturing process. The difference in electrical characteristics of these driving elements may become larger as the driving time of the pixels elapses. To compensate for differences in electrical characteristics of driving elements between pixels, an internal compensation circuit may be added to the pixel circuit. The internal compensation circuit can sense the threshold voltage of the driving element, store it in a capacitor, and compensate the gate voltage of the driving element by the threshold voltage of the driving element.

내부 보상 회로는 소스 팔로워 회로(Source follower circuit)와 다이오드 커넥션 회로(Diode connection circuit)로 나뉘어질 수 있다. 소스 팔로워 회로는 구동 소자의 문턱 전압 센싱 시간과 픽셀 데이터가 픽셀에 기입되는 어드레싱 시간(또는 데이터 기입 시간)이 시간적으로 분리되어 센싱 시간을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다. 그러나 소스 팔로우 회로에서 데이터 전압이 손실될 수 있다. The internal compensation circuit can be divided into a source follower circuit and a diode connection circuit. The source follower circuit has the advantage of securing sufficient sensing time because the threshold voltage sensing time of the driving element and the addressing time (or data writing time) when pixel data is written to the pixel are separated in time. However, data voltage may be lost in the source follower circuit.

본 발명은 전술한 필요성 및/또는 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. The present invention aims to solve the above-described needs and/or problems.

본 발명은 데이터 전압의 손실을 방지할 수 있는 표시패널과 이를 포함한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display panel that can prevent loss of data voltage and a display device including the same.

본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 컬러의 서브 픽셀; 제2 컬러의 서브 픽셀; 및 제3 컬러의 서브 픽셀을 포함한다. 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자; 제4 노드에 연결된 애노드 전극을 포함하고, 상기 구동 소자로부터의 전류에 의해 구동되는 발광 소자; 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터; 및 정전압이 인가되는 정전압 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되거나, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함한다. 상기 서브 픽셀들의 컬러별로 상기 제2 커패시터의 용량이 서로 다르다. A display panel according to an embodiment of the present invention includes a subpixel of a first color; a subpixel of a second color; and subpixels of a third color. Each of the first to third color subpixels includes a driving element including a first electrode connected to a first node, a gate electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node; a light emitting element including an anode electrode connected to a fourth node and driven by current from the driving element; a first capacitor connected between the second node and the third node; and a second capacitor connected between a constant voltage node to which a constant voltage is applied and the third node, or between the third node and the fourth node. The capacity of the second capacitor is different for each color of the subpixels.

상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은 픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자; 및 상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 컬러의 서브 픽셀은 제2-1 커패시터를 포함한다. 상기 제2 컬러의 서브 픽셀은 제2-2 커패시터를 포함한다. 상기 제3 컬러의 서브 픽셀은 제2-3 커패시터를 포함한다. 상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제4 노드에 연결된다. 상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색일 수 있다. 상기 제2-3 커패시터의 용량이 상기 제2-1 및 제2-2 커패시터들 각각의 용량 보다 크고, 상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-1 커패시터의 용량 보다 클 수 있다. Each of the first to third color subpixels includes a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node; And it may further include a second switch element including a first electrode connected to the third node, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node. The first color subpixel includes a 2-1 capacitor. The subpixel of the second color includes a 2-2 capacitor. The third color subpixel includes second-third capacitors. The anode electrode of the light emitting device is connected to the fourth node. The first color may be red, the second color may be green, and the third color may be blue. The capacity of the 2-3 capacitor may be larger than the capacity of each of the 2-1 and 2-2 capacitors, and the capacity of the 2-2 capacitor may be larger than the capacity of the 2-1 capacitor.

상기 표시패널은 제1 절연층 상에 배치되어 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들에 연결된 제1 금속층의 패턴; 상기 제1 금속층의 패턴과 상기 제1 절연층을 덮는 제2 절연층; 상기 제2 절연층 상에 배치되어 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각에 배치되어 상기 서브 픽셀들 간에 분리되는 제2 금속층의 패턴들; 상기 제2 금속층의 패턴들과 상기 제2 절연층을 덮는 제3 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 금속층의 패턴들은 상기 제1 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터 전극; 상기 제2 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터 전극; 및 상기 제3 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-3 커패시터 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2-3 커패시터 전극이 상기 제2-1 및 제2-2 커패시터 전극들 각각의 크기 보다 크고, 상기 제2-2 커패시터 전극이 상기 제2-1 커패시터 전극 보다 클 수 있다. The display panel includes a pattern of a first metal layer disposed on a first insulating layer and connected to the first to third color subpixels; a second insulating layer covering the pattern of the first metal layer and the first insulating layer; Patterns of a second metal layer disposed on the second insulating layer and in each of the first to third color subpixels and separated between the subpixels; It may further include a third insulating layer covering the patterns of the second metal layer and the second insulating layer. The patterns of the second metal layer include a 2-1 capacitor electrode disposed in the first color subpixel; a 2-2 capacitor electrode disposed in the second color subpixel; and a 2-3 capacitor electrode disposed in the third color subpixel. The 2-3 capacitor electrode may be larger than each of the 2-1 and 2-2 capacitor electrodes, and the 2-2 capacitor electrode may be larger than the 2-1 capacitor electrode.

상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다를 수 있다. The constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors may be the same as or different from the pixel driving voltage.

상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은 픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자; 초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자; 기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제5 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제5 스위치 소자; 및 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일할 수 있다. Each of the first to third color subpixels has a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node. A third switch element including; a fourth switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; a fifth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fifth gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node; And it may include a first capacitor connected between the second node and the third node. Capacitances of the first capacitors in the first to third color subpixels may be the same.

상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각에 배치된 픽셀 회로는 초기화 기간, 센싱 기간, 데이터 기입 기간, 애노드 리셋 기간, 및 발광 기간의 순서로 구동될 수 있다. 상기 제1 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 및 상기 발광 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 애노드 리셋 기간 동안 게이트 오프 전압이고, 상기 데이터 기입 기간에 상기 게이트 온 전압 또는 상기 게이트 오프 전압일 수 있다. 상기 제2 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 센싱 기간과 상기 데이터 기입 기간 동안 상기 게이트 오프 전압일 수 있다. 상기 제3 게이트 신호의 전압은 상기 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압일 수 있다. 상기 제4 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간과 상기 센싱 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 데이터 기입 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압일 수 있다. 상기 제5 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 데이터 기입 기간, 및 상기 애노드 리셋 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압일 수 있다. 상기 제1 내지 제5 스위치 소자들 각각이 상기 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온 되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프 될 수 있다. The pixel circuits disposed in each of the first to third color subpixels may be driven in the following order: an initialization period, a sensing period, a data writing period, an anode reset period, and an emission period. The voltage of the first gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, and the light emission period, the gate-off voltage during the anode reset period, and the gate-on voltage or the gate-off voltage during the data writing period. It can be. The voltage of the second gate signal may be the gate-on voltage during the initialization period, the anode reset period, and the light emission period, and may be the gate-off voltage during the sensing period and the data writing period. The voltage of the third gate signal may be the gate-on voltage during the data writing period and the gate-off voltage during the initialization period, the sensing period, the anode reset period, and the light emission period. The voltage of the fourth gate signal may be the gate-on voltage during the initialization period and the sensing period, and may be the gate-off voltage during the data writing period, the anode reset period, and the light emission period. The voltage of the fifth gate signal may be the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, the data writing period, and the anode reset period, and may be the gate-off voltage during the light emission period. Each of the first to fifth switch elements may be turned on in response to the gate-on voltage and may be turned off in response to the gate-off voltage.

상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은 픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 컬러의 서브 픽셀은 제2-1 커패시터를 포함한다. 상기 제2 컬러의 서브 픽셀은 제2-2 커패시터를 포함한다. 상기 제3 컬러의 서브 픽셀은 제2-3 커패시터를 포함한다. 상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결된다. 상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색일 수 있다. 상기 제2-1 커패시터의 용량이 상기 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고, 상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-3 커패시터의 용량 보다 클 수 있다. Each of the first to third color subpixels may further include a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node. there is. The first color subpixel includes a 2-1 capacitor. The subpixel of the second color includes a 2-2 capacitor. The third color subpixel includes second-third capacitors. The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node. The first color may be red, the second color may be green, and the third color may be blue. The capacity of the 2-1 capacitor may be larger than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors, and the capacity of the 2-2 capacitor may be larger than the capacity of the 2-3 capacitor.

상기 제3 컬러의 서브 픽셀, 상기 제2 컬러의 서브 픽셀, 및 상기 제1 컬러의 서브 픽셀 순으로 상기 발광 소자의 커패시터 용량이 클 수 있다. 상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다를 수 있다. The capacitor capacity of the light emitting device may be large in that order: the third color subpixel, the second color subpixel, and the first color subpixel. The constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors may be the same as or different from the pixel driving voltage.

상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은 픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자; 초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자; 기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자; 및 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일할 수 있다. Each of the first to third subpixels includes a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node. 2 switch elements; a third switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; a fourth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node; And it may include a first capacitor connected between the second node and the third node. Capacitances of the first capacitors in the first to third subpixels may be the same.

상기 제1 컬러의 서브 픽셀은 제2-1 커패시터를 포함한다. 상기 제2 컬러의 서브 픽셀은 제2-2 커패시터를 포함한다. 상기 제3 컬러의 서브 픽셀은 제2-3 커패시터를 포함한다. 상기 제1 노드에 픽셀 구동 전압이 인가된다. 상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결된다. The first color subpixel includes a 2-1 capacitor. The subpixel of the second color includes a 2-2 capacitor. The third color subpixel includes second-third capacitors. A pixel driving voltage is applied to the first node. The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node.

상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색일 수 있다. 상기 제2-1 커패시터의 용량이 상기 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고, 상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-3 커패시터의 용량 보다 클 수 있다. The first color may be red, the second color may be green, and the third color may be blue. The capacity of the 2-1 capacitor may be larger than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors, and the capacity of the 2-2 capacitor may be larger than the capacity of the 2-3 capacitor.

상기 제3 컬러의 서브 픽셀, 상기 제2 컬러의 서브 픽셀, 및 상기 제1 컬러의 서브 픽셀 순으로 상기 발광 소자의 커패시터 용량이 클 수 있다. 상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다를 수 있다. The capacitor capacity of the light emitting device may be large in that order: the third color subpixel, the second color subpixel, and the first color subpixel. The constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors may be the same as or different from the pixel driving voltage.

상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은 픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제1 스위치 소자; 초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자; 기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자; 및 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일할 수 있다. Each of the first to third subpixels includes a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node. 1 switch element; a second switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; a third switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node; And it may include a first capacitor connected between the second node and the third node. Capacitances of the first capacitors in the first to third subpixels may be the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 표시패널을 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes the display panel.

본 발명은 고휘도, 고효율, 및 저전력 구동이 가능한 픽셀 회로를 구현할 수 있다.The present invention can implement a pixel circuit capable of high brightness, high efficiency, and low power operation.

본 발명은 소스 팔로워 방식의 내부 보상 회로가 포함된 픽셀 회로에서 데이터 전압 손실을 줄이기 위한 제2 커패시터의 용량을 서브 픽셀들의 컬러 별로 최적화함으로써 데이터 전압을 높이지 않고 그리고, 데이터 전압 범위를 확대하지 않고 고휘도로 픽셀들을 구동할 수 있다.The present invention optimizes the capacity of the second capacitor for each color of subpixels to reduce data voltage loss in a pixel circuit including a source follower internal compensation circuit, without increasing the data voltage and expanding the data voltage range. Pixels can be driven at high brightness.

본 발명의 표시장치는 소스 팔로워 방식의 내부 보상 회로가 포함된 픽셀 회로의 구동 한계를 극복하여 비교적 낮은 데이터 전압으로 고휘도의 영상을 구현할 수 있다. The display device of the present invention overcomes the driving limitations of a pixel circuit including a source-follower type internal compensation circuit and can implement a high-brightness image with a relatively low data voltage.

본 발명은 데이터 구동부가 집적된 드라이브 IC의 크기와 비용을 줄이고, 드라이브 IC의 소비 전력을 줄여 표시장치의 저전력 구동을 가능하게 하고 드라이브 IC의 발열량을 줄일 수 있다. The present invention reduces the size and cost of the drive IC in which the data driver is integrated, reduces the power consumption of the drive IC, enables low-power operation of the display device, and reduces the heat generation of the drive IC.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 3a는 서브 픽셀들에 연결된 제2 커패시터의 일례를 보여 주는 도면이다.
도 3b는 서브 픽셀들에 연결된 제2 커패시터의 다른 예를 보여 주는 도면이다.
도 4는 서브 픽셀들의 컬러별 제2 커패시터를 보여 주는 평면도이다.
도 5는 도 4에서 선 “'”을 따라 절취한 제2 커패시터의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호들과 주요 노드들의 전압을 보여 주는 파형도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 9는 도 8에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호들과 주요 노드들의 전압을 보여 주는 파형도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다.
도 12는 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로가 적용된 서브 픽셀들의 컬러별 제2 커패시터를 보여 주는 평면도이다.
도 13은 도 12에서 선 “B-B'”을 따라 절취한 제2 커패시터의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다.
1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the display panel shown in FIG. 1.
FIG. 3A is a diagram showing an example of a second capacitor connected to subpixels.
FIG. 3B is a diagram showing another example of a second capacitor connected to subpixels.
Figure 4 is a plan view showing the second capacitor for each color of subpixels.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the second capacitor cut along the line “'” in FIG. 4.
Figure 6 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a waveform diagram showing gate signals applied to the pixel circuit shown in FIG. 6 and voltages of main nodes.
Figure 8 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a waveform diagram showing gate signals applied to the pixel circuit shown in FIG. 8 and voltages of main nodes.
Figure 10 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to another embodiment of the present invention.
Figure 11 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a plan view showing second capacitors for each color of subpixels to which the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11 is applied.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the second capacitor taken along the line “B-B'” in FIG. 12.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms. The embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will be able to understand the present invention. It is provided to completely inform the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. The shape, size, ratio, angle, number, etc. shown in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown in the drawings. Like reference numerals refer to substantially like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 명세서 상에서 언급된 “구비한다”, “포함한다”, “갖는다”, “이루어진다” 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다. When “provides,” “includes,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless ‘only’ is used. If a component is expressed in the singular, it may be interpreted as plural unless specifically stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

'~ 상에', '~ 상부에', '~ 하부에', '~ 옆에', '~ 연결 또는 결합(connect, couple)', 교차(crossing, intersecting) 등과 같이 두 구성요소들 간에 위치 관계와 상호 연결 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'과 같은 언급이 없는 한 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다. Position between two components, such as 'on', 'on top', 'on the bottom', 'next to', '~ connect, couple', crossing, intersecting, etc. When relationships and interconnections are described, one or more other components may be interposed between the components, unless reference is made to 'immediately' or 'directly'.

'~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 시간축 상에서 연속적이지 않을 수 있다. If a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., it may not be continuous on the time axis unless 'immediately' or 'directly' is used. .

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다. First, second, etc. may be used to distinguish components, but the function or structure of these components is not limited by the ordinal number or component name in front of the component.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments can be partially or fully combined or combined with each other, and various technological interconnections and drives are possible. Each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship.

본 발명의 표시장치에서 픽셀 회로와 게이트 구동 회로는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함한 Oxide TFT(Thin Film Transistor) 또는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 LTPS TFT일 수 있다. 이하에서, 픽셀 회로와 게이트 구동회로를 구성하는 트랜지스터들은 Oxide TFT로 구현된 n 채널 Oxide TFT로 구현된 예를 중심으로 설명되나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.In the display device of the present invention, the pixel circuit and the gate driving circuit may include a plurality of transistors. The transistor may be an Oxide TFT (Thin Film Transistor) containing an oxide semiconductor or a LTPS TFT containing Low Temperature Poly Silicon (LTPS). Hereinafter, the transistors constituting the pixel circuit and the gate driving circuit will be described focusing on an example implemented as an n-channel oxide TFT, but the present invention is not limited thereto.

트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.A transistor is a three-electrode device including a gate, source, and drain. The source is an electrode that supplies carriers to the transistor. Within the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is the electrode through which carriers exit the transistor. In a transistor, the flow of carriers flows from the source to the drain. In the case of an n-channel transistor, because the carriers are electrons, the source voltage has a lower voltage than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-channel transistor, the direction of current flows from the drain to the source. In the case of a p-channel transistor, since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-channel transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of a transistor are not fixed. For example, the source and drain may change depending on the applied voltage. Therefore, the invention is not limited by the source and drain of the transistor. In the following description, the source and drain of the transistor will be referred to as first and second electrodes.

게이트 신호는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙(swing)하는 펄스를 포함할 수 있다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정된다. 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. The gate signal may include a pulse that swings between the gate on voltage and the gate off voltage. The gate-on voltage is set to a voltage higher than the threshold voltage of the transistor. The gate-off voltage is set to a voltage lower than the threshold voltage of the transistor.

트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다. n 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage)일 수 있다.The transistor turns on in response to the gate on voltage, while it turns off in response to the gate off voltage. In the case of an n-channel transistor, the gate-on voltage may be the gate high voltage and the gate-off voltage may be the gate low voltage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. 1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the display panel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(100), 표시패널(100)의 픽셀들에 픽셀 데이터를 기입(write)하기 위한 표시패널 구동회로, 및 픽셀들과 표시패널 구동회로의 구동에 필요한 전원을 발생하는 전원부(140)를 포함한다. 1 and 2, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 100, a display panel driving circuit for writing pixel data to pixels of the display panel 100, and pixels. and a power supply unit 140 that generates power necessary to drive the display panel driving circuit.

표시패널(100)은 X축 방향의 길이, Y축 방향의 폭 및 Z축 방향의 두께를 가지는 장방형 구조의 패널일 수 있다. 표시패널(100)의 표시 영역(AA)은 입력 영상을 표시하는 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 복수의 데이터 라인들(102), 데이터 라인들(102)과 교차되는 복수의 게이트 라인들(103), 및 매트릭스 형태로 배치되는 픽셀들을 포함한다. 표시패널(100)은 픽셀들에 공통으로 연결된 전원 라인들을 더 포함할 수 있다. 전원 라인들은 픽셀 회로들의 정전압 라인들에 연결되어 픽셀들(101)의 구동에 필요한 정전압을 픽셀들(101)에 공급한다. The display panel 100 may be a panel with a rectangular structure having a length in the X-axis direction, a width in the Y-axis direction, and a thickness in the Z-axis direction. The display area AA of the display panel 100 includes a pixel array that displays an input image. The pixel array includes a plurality of data lines 102, a plurality of gate lines 103 that intersect the data lines 102, and pixels arranged in a matrix form. The display panel 100 may further include power lines commonly connected to pixels. The power lines are connected to the constant voltage lines of the pixel circuits to supply the pixels 101 with a constant voltage necessary to drive the pixels 101.

픽셀들(101) 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 서브 픽셀들 각각은 도 6 내지 도 11에 도시된 바와 같이 소스 팔로워 방식의 내부 보상 회로로 구현된 픽셀 회로를 포함할 수 있다. 픽셀 회로 각각은 데이터 라인과 게이트 라인, 그리고 전원 라인에 연결된다. 픽셀 회로는 도 6 내지 도 11에 도시된 소스 팔로워 방식의 내부 보상 회로를 포함한 회로로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Each of the pixels 101 may be divided into a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel to implement color. Each of the pixels may further include a white subpixel. Each of the subpixels may include a pixel circuit implemented as a source follower internal compensation circuit as shown in FIGS. 6 to 11 . Each pixel circuit is connected to a data line, gate line, and power line. The pixel circuit may be implemented as a circuit including the source follower type internal compensation circuit shown in FIGS. 6 to 11, but is not limited thereto.

픽셀들은 리얼(real) 컬러 픽셀과, 펜타일(pentile) 픽셀로 배치될 수 있다. 펜타일 픽셀은 미리 설정된 픽셀 렌더링 알고리즘(pixel rendering algorithm)을 이용하여 컬러가 다른 두 개의 서브 픽셀들을 하나의 픽셀(101)로 구동하여 리얼 컬러 픽셀 보다 높은 해상도를 구현할 수 있다. 픽셀 렌더링 알고리즘은 픽셀들 각각에서 부족한 컬러 표현을 인접한 픽셀에서 발광된 빛의 컬러로 보상할 수 있다.Pixels can be arranged as real color pixels and pentile pixels. Pentile pixels can implement higher resolution than real color pixels by driving two sub-pixels of different colors into one pixel (101) using a preset pixel rendering algorithm. The pixel rendering algorithm can compensate for insufficient color expression in each pixel with the color of light emitted from adjacent pixels.

픽셀 어레이는 복수의 픽셀 라인들(L1~Ln)을 포함한다. 픽셀 라인들(L1~Ln) 각각은 표시패널(100)의 픽셀 어레이에서 라인 방향(X축 방향)을 따라 배치된 1 라인의 픽셀들을 포함한다. 1 픽셀 라인에 배치된 픽셀들은 게이트 라인들(103)을 공유한다. 데이터 라인 방향을 따라 컬럼 방향(Y)으로 배치된 서브 픽셀들은 동일한 데이터 라인(102)을 공유한다. 1 수평 기간은 1 프레임 기간을 픽셀 라인들(L1~Ln)의 총 개수로 나눈 시간이다. The pixel array includes a plurality of pixel lines (L1 to Ln). Each of the pixel lines L1 to Ln includes one line of pixels arranged along the line direction (X-axis direction) in the pixel array of the display panel 100. Pixels placed in one pixel line share gate lines 103. Subpixels arranged in the column direction (Y) along the data line direction share the same data line 102. 1 horizontal period is the time divided by 1 frame period by the total number of pixel lines (L1 to Ln).

표시패널(100)은 비투과형 표시패널 또는 투과형 표시패널로 구현될 수 있다. 투과형 표시패널은 화면 상에 영상이 표시되고 배경의 실물이 보이는 투명 표시장치에 적용될 수 있다. 표시패널(100)은 플렉시블 표시패널로 제작될 수 있다.The display panel 100 may be implemented as a non-transmissive display panel or a transmissive display panel. A transmissive display panel can be applied to a transparent display device where an image is displayed on the screen and the actual object in the background is visible. The display panel 100 may be manufactured as a flexible display panel.

표시패널(100)의 단면 구조는 도 2에 도시된 바와 같이 기판(SUBS) 상에서 적층된 회로층(CIR), 발광 소자층(EMIL), 및 봉지층(encapsulation layer)(ENC)을 포함할 수 있다. The cross-sectional structure of the display panel 100 may include a circuit layer (CIR), a light emitting element layer (EMIL), and an encapsulation layer (ENC) stacked on a substrate (SUBS) as shown in FIG. 2. there is.

회로층(CIR)은 데이터 라인, 게이트 라인, 전원 라인 등의 배선들에 연결된 픽셀 회로를 포함한 TFT 어레이, 디멀티플렉서 어레이(112), 게이트 구동부(120) 등을 포함할 수 있다. 회로층(CIR)은 절연층들을 사이에 두고 절연된 복수의 금속층들과, 반도체 물질층을 포함한다. 회로층(CIR)에 형성된 모든 트랜지스터들은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The circuit layer (CIR) may include a TFT array including a pixel circuit connected to wires such as data lines, gate lines, and power lines, a demultiplexer array 112, and a gate driver 120. The circuit layer (CIR) includes a plurality of metal layers insulated with insulating layers interposed therebetween, and a semiconductor material layer. All transistors formed in the circuit layer (CIR) may be implemented as n-channel oxide TFTs, but are not limited to this.

발광 소자층(EMIL)은 픽셀 회로에 의해 구동되는 발광 소자(EL)를 포함할 수 있다. 발광 소자(EL)는 적색 서브 픽셀의 발광 소자, 녹색 서브 픽셀의 발광 소자, 및 청색 서브 픽셀의 발광 소자를 포함할 수 있다. 발광 소자층(EMIL)은 백색 서브 픽셀의 발광 소자를 더 포함할 수 있다. 서브 픽셀들 각각에서 발광 소자층(EMIL)은 발광 소자와 컬러 필터가 적층된 구조를 가질 수 있다. 발광 소자층(EMIL)의 발광 소자들(EL)은 유기막 및 무기막을 포함한 다중 보호층에 의해 덮여질 수 있다. The light emitting device layer (EMIL) may include a light emitting device (EL) driven by a pixel circuit. The light emitting device EL may include a red subpixel light emitting device, a green subpixel light emitting device, and a blue subpixel light emitting device. The light emitting device layer (EMIL) may further include a white subpixel light emitting device. The light emitting element layer (EMIL) in each subpixel may have a structure in which a light emitting element and a color filter are stacked. The light emitting elements EL of the light emitting element layer EMIL may be covered with multiple protective layers including an organic layer and an inorganic layer.

봉지층(ENC)은 회로층(CIR)과 발광 소자층(EMIL)을 밀봉하도록 발광 소자층(EMIL)을 덮는다. 봉지층(ENC)은 유기막과 무기막이 교대로 적층된 멀티 절연막 구조일 수도 있다. 무기막은 수분이나 산소의 침투를 차단한다. 유기막은 무기막의 표면을 평탄화한다. 유기막과 무기막이 다층으로 적층되면, 단일 층에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길어져 발광 소자층(EMIL)에 영향을 주는 수분과 산소의 침투가 효과적으로 차단될 수 있다.The encapsulation layer (ENC) covers the light emitting device layer (EMIL) to seal the circuit layer (CIR) and the light emitting device layer (EMIL). The encapsulation layer (ENC) may have a multi-insulating film structure in which organic and inorganic films are alternately stacked. The inorganic membrane blocks the penetration of moisture or oxygen. The organic film flattens the surface of the inorganic film. When an organic film and an inorganic film are stacked in multiple layers, the movement path of moisture or oxygen is longer compared to a single layer, so the penetration of moisture and oxygen that affects the light emitting device layer (EMIL) can be effectively blocked.

봉지층(ENC) 상에 도면에서 생략된 터치 센서층이 형성되고 그 위에 편광판이나 컬러필터층이 배치될 수 있다. 터치 센서층은 터치 입력 전후에 용량(capacitance)의 변화를 바탕으로 터치 입력을 센싱하는 정전 용량 방식의 터치 센서들을 포함할 수 있다. 터치 센서층은 터치 센서들의 용량을 형성하는 금속 배선 패턴들과 절연막들을 포함할 수 있다. 절연막들은 금속 배선 패턴들에서 교차되는 부분을 절연하고 터치 센서층의 표면을 평탄화 할 수 있다. 편광판은 터치 센서층과 회로층의 금속에 의해 반사된 외부 광의 편광을 변환하여 시인성과 명암비를 향상시킬 수 있다. 편광판은 선편광판과 위상지연필름이 접합된 편광판 또는 원편광판으로 구현될 수 있다. 편광판 상에 커버 글래스가 접착될 수 있다. 컬러 필터층은 적색, 녹색, 및 청색 컬러 필터를 포함할 수 있다. 컬러 필터층은 블랙 매트릭스 패턴을 더 포함할 수 있다. 컬러 필터층은 회로층과 터치 센서층으로부터 반사된 빛의 파장 일부를 흡수하여 편광판의 역할을 대신하고 픽셀 어레이에서 재현되는 영상의 색순도를 높일 수 있다.A touch sensor layer (omitted from the drawing) may be formed on the encapsulation layer (ENC), and a polarizing plate or color filter layer may be disposed thereon. The touch sensor layer may include capacitive touch sensors that sense touch input based on changes in capacitance before and after touch input. The touch sensor layer may include metal wiring patterns and insulating films that form the capacitance of the touch sensors. The insulating films can insulate the intersections of metal wiring patterns and flatten the surface of the touch sensor layer. The polarizer can improve visibility and contrast ratio by converting the polarization of external light reflected by the metal of the touch sensor layer and circuit layer. The polarizer may be implemented as a polarizer or circular polarizer in which a linear polarizer and a phase retardation film are bonded. A cover glass may be adhered onto the polarizer. The color filter layer may include red, green, and blue color filters. The color filter layer may further include a black matrix pattern. The color filter layer absorbs part of the wavelength of light reflected from the circuit layer and the touch sensor layer, taking the role of a polarizer and increasing the color purity of the image reproduced in the pixel array.

전원부(140)는 표시패널(100)의 픽셀 어레이와 표시패널 구동회로의 구동에 필요한 직류(DC) 전압(또는 정전압)을 발생한다. 직류-직류 변환기는 차지 펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck Converter), 부스트 변환기(Boost Converter) 등을 포함할 수 있다. 전원부(140)는 호스트 시스템(200)으로부터 인가되는 직류 입력 전압의 레벨을 조정하여 감마 기준 전압(VGMA), 게이트 온 전압(VGH). 게이트 오프 전압(VGL), 픽셀 구동 전압(EVDD), 픽셀 기저 전압(EVSS), 초기화 전압(Vinit), 기준 전압(Vref) 등의 정전압을 발생할 수 있다. 감마 기준 전압(VGMA)은 데이터 구동부(110)에 공급된다. 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL)은 레벨 시프터(Level shifter)(150)와 게이트 구동부(120)에 공급된다. The power supply unit 140 generates direct current (DC) voltage (or constant voltage) required to drive the pixel array of the display panel 100 and the display panel driving circuit. The DC-DC converter may include a charge pump, regulator, buck converter, boost converter, etc. The power unit 140 adjusts the level of the direct current input voltage applied from the host system 200 to the gamma reference voltage (VGMA) and the gate-on voltage (VGH). Constant voltages such as gate-off voltage (VGL), pixel driving voltage (EVDD), pixel base voltage (EVSS), initialization voltage (Vinit), and reference voltage (Vref) can be generated. The gamma reference voltage (VGMA) is supplied to the data driver 110. The gate-on voltage (VGH) and gate-off voltage (VGL) are supplied to the level shifter 150 and the gate driver 120.

픽셀 구동 전압(EVDD), 픽셀 기저 전압(EVSS), 초기화 전압(Vinit), 기준 전압(Vref) 등의 정전압은 픽셀들(101)에 공통으로 연결된 전원 라인들을 통해 픽셀들(101)에 공급된다.Constant voltages such as the pixel driving voltage (EVDD), pixel base voltage (EVSS), initialization voltage (Vinit), and reference voltage (Vref) are supplied to the pixels 101 through power lines commonly connected to the pixels 101. .

전원부(140)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 제2 커패시터(Ca)에 인가되는 정전압(Vdc)을 출력할 수 있다. 정전압(Vdc)은 별도의 정전압일 수 있고, 픽셀 회로에 인가되는 다른 정전압과 같은 전압 예를 들어, 픽셀 구동 전압(EVDD)으로 대체될 수 있다. The power supply unit 140 may output a constant voltage (Vdc) applied to the second capacitor (Ca) shown in FIGS. 3A and 3B. The constant voltage (Vdc) may be a separate constant voltage, or may be replaced with a voltage such as another constant voltage applied to the pixel circuit, for example, the pixel driving voltage (EVDD).

표시패널 구동회로는 타이밍 콘트롤러(Timing controller)(130)의 제어 하에 표시패널(100)의 픽셀들에 입력 영상의 픽셀 데이터를 기입한다. The display panel driving circuit writes pixel data of the input image to the pixels of the display panel 100 under the control of a timing controller 130.

표시패널 구동회로는 데이터 구동부(110)와 게이트 구동부(120)를 포함한다. 표시패널 구동회로는 데이터 구동부(110)와 데이터 라인들(102) 사이에 배치된 디멀티플렉서 어레이(112)를 더 포함할 수 있다.The display panel driving circuit includes a data driver 110 and a gate driver 120. The display panel driving circuit may further include a demultiplexer array 112 disposed between the data driver 110 and the data lines 102.

디멀티플렉서 어레이(112)는 복수의 디멀티플렉서(De-multiplexer, DEMUX)를 이용하여 데이터 구동부(110)의 채널들로부터 출력된 데이터 전압을 데이터 라인들(102)에 순차적으로 공급한다. 디멀티플렉서는 표시패널(100) 상에 배치된 다수의 스위치 소자들을 포함할 수 있다. 디멀티플렉서가 데이터 구동부(110)의 출력 단자들과 데이터 라인들(102) 사이에 배치되면, 데이터 구동부(110)의 채널 개수가 감소될 수 있다. 디멀티플렉서 어레이(112)는 생략될 수 있다. The demultiplexer array 112 sequentially supplies data voltages output from channels of the data driver 110 to the data lines 102 using a plurality of de-multiplexers (DEMUX). The demultiplexer may include a plurality of switch elements disposed on the display panel 100. If the demultiplexer is disposed between the output terminals of the data driver 110 and the data lines 102, the number of channels of the data driver 110 may be reduced. The demultiplexer array 112 may be omitted.

표시패널 구동회로는 터치 센서들을 구동하기 위한 터치 센서 구동부를 더 포함할 수 있다. 터치 센서 구동부는 도 1에서 생략되어 있다. 데이터 구동부(110)와 터치 센서 구동부는 하나의 드라이브 IC(Integrated Circuit)에 집적될 수 있다. 모바일 기기나 웨어러블 기기에서 타이밍 콘트롤러(130), 전원부(140), 데이터 구동부(110) 등은 하나의 드라이브 IC에 집적될 수 있다. The display panel driving circuit may further include a touch sensor driving unit for driving the touch sensors. The touch sensor driver is omitted in FIG. 1. The data driver 110 and the touch sensor driver may be integrated into one drive IC (Integrated Circuit). In a mobile device or wearable device, the timing controller 130, power supply unit 140, data driver 110, etc. may be integrated into one drive IC.

표시패널 구동회로는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 저속 구동 모드(Low speed driving mode)로 동작할 수 있다. 저속 구동 모드에서 표시패널(100)과 표시패널 구동회로의 소비전력이 감소되어 표시장치가 저전력 구동될 수 있다. 저속 구동 모드는 입력 영상을 분석하여 입력 영상이 미리 설정된 프레임 개수만큼 변화가 없을 때 표시장치의 소비 전력을 줄이기 위하여 설정될 수 있다. 저속 구동 모드는 정지 영상이 일정 시간 이상 입력될 때 픽셀들에 픽셀 데이터가 기입되는 프레임 주파수 즉, 리프레시 레이트(Refresh rate)를 낮춤으로써 표시패널 구동회로와 표시패널(100)의 소비 전력을 줄일 수 있다. 저속 구동 모드는 정지 영상이 입력될 때에 한정되지 않는다. 예컨대, 표시장치가 대기 모드로 동작하거나, 사용자 명령 또는 입력 영상이 소정 시간 이상 표시패널 구동 회로에 입력되지 않을 때 표시패널 구동 회로는 저속 구동 모드로 동작할 수 있다.The display panel driving circuit may operate in a low speed driving mode under the control of the timing controller 130. In the low-speed driving mode, the power consumption of the display panel 100 and the display panel driving circuit is reduced, so that the display device can be driven at low power. The low-speed driving mode can be set to analyze the input image and reduce power consumption of the display device when the input image does not change by a preset number of frames. The low-speed driving mode can reduce the power consumption of the display panel driving circuit and the display panel 100 by lowering the frame frequency at which pixel data is written to the pixels, that is, the refresh rate, when a still image is input for more than a certain period of time. there is. The low-speed drive mode is not limited to when a still image is input. For example, when the display device operates in standby mode or when a user command or input image is not input to the display panel driving circuit for more than a predetermined period of time, the display panel driving circuit may operate in a low-speed driving mode.

데이터 구동부(110)는 타이밍 콘트롤러(130)로부터 디지털 신호로 수신되는 입력 영상의 픽셀 데이터를 입력 받아 데이터 전압을 출력한다. 데이터 구동부(110)는 DAC(Digital to Analog Converter)를 이용하여 노멀 구동 모드(Normal driving mode)에서 매 프레임 기간마다 입력 영상의 픽셀 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압(VDATA)을 출력한다. 데이터 구동부(110)는 저속 구동 모드에서 리프레시 프레임(Refresh frame)에만 DAC를 이용하여 입력 영상의 픽셀 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압(VDATA)을 출력하고, 홀드 프레임(Hold frame)에서 구동을 멈추어 데이터 전압을 출력하지 않는다. 저속 구동 모드에서, 픽셀들(101)은 리프레시 프레임에서 픽셀 데이터 전압을 충전하고, 홀드 프레임에서 이전 데이터 전압을 유지한다.The data driver 110 receives pixel data of an input image received as a digital signal from the timing controller 130 and outputs a data voltage. The data driver 110 uses a digital to analog converter (DAC) to convert pixel data of the input image into a gamma compensation voltage every frame period in normal driving mode and outputs a data voltage (VDATA). In low-speed driving mode, the data driver 110 converts the pixel data of the input image into a gamma compensation voltage using the DAC only in the refresh frame, outputs a data voltage (VDATA), and drives in the hold frame. stops and does not output data voltage. In the low-speed drive mode, the pixels 101 charge the pixel data voltage in a refresh frame and maintain the previous data voltage in a hold frame.

감마 기준 전압(VGMA)은 분압회로를 통해 계조별 감마 보상 전압으로 분압된다. 계조별 감마 보상 전압은 데이터 구동부(110)의 DAC에 제공된다. 데이터 전압(VDATA)은 데이터 구동부(110)의 채널들 각각에서 출력 버퍼를 통해 출력된다. The gamma reference voltage (VGMA) is divided into a gamma compensation voltage for each gray level through a voltage divider circuit. The gamma compensation voltage for each gray level is provided to the DAC of the data driver 110. The data voltage VDATA is output from each channel of the data driver 110 through an output buffer.

게이트 구동부(120)는 픽셀 어레이의 TFT 어레이 및 배선들과 함께 표시패널(100) 상의 회로층(CIR)에 형성되는 GIP(Gate in panel) 회로로 구현될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 표시패널(100)의 비표시 영역인 베젤 영역(Bezel, BZ) 상에 배치되거나 입력 영상이 재현되는 픽셀 어레이 내에 분산 배치될 수 있다.The gate driver 120 may be implemented as a gate in panel (GIP) circuit formed in the circuit layer (CIR) on the display panel 100 along with the TFT array and wires of the pixel array. The gate driver 120 may be placed on the bezel area (BZ), which is a non-display area of the display panel 100, or may be dispersed within the pixel array where the input image is reproduced.

게이트 구동부(120)는 표시패널의 표시 영역을 사이에 두고 표시패널(100)의 일측 또는 양측 비표시 영역(BZ)에 배치되어 싱글 피딩(Single feeding) 또는 더블 피딩(Double feeding) 방식으로 게이트 라인들(103)에 게이트 펄스를 공급할 수 있다. 게이트 구동부(120)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 게이트 신호들의 펄스를 게이트 라인들로 순차적으로 출력한다. 게이트 구동부(120)는 하나 이상의 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호를 시프트시킴으로써 그 신호들을 게이트 라인들(103)에 순차적으로 공급할 수 있다. The gate driver 120 is disposed on one or both non-display areas (BZ) of the display panel 100 with the display area of the display panel in between, and feeds the gate line by single feeding or double feeding. Gate pulses can be supplied to fields 103. The gate driver 120 sequentially outputs pulses of gate signals to gate lines under the control of the timing controller 130. The gate driver 120 can sequentially supply the signals to the gate lines 103 by shifting the gate signals using one or more shift registers.

타이밍 콘트롤러(130)는 호스트 시스템(200)으로부터 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(DATA)와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신할 수 있다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 클럭(CLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함할 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)를 카운트하는 방법으로 수직 기간과 수평 기간을 알 수 있기 때문에 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)는 1 수평 기간(1H)의 주기를 갖는다.The timing controller 130 may receive digital video data (DATA) of an input image and a timing signal synchronized therewith from the host system 200. The timing signal may include a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), a clock (CLK), and a data enable signal (DE). Since the vertical period and horizontal period can be known by counting the data enable signal (DE), the vertical synchronization signal (Vsync) and horizontal synchronization signal (Hsync) can be omitted. The data enable signal (DE) has a period of 1 horizontal period (1H).

호스트 시스템(200)은 TV(Television) 시스템, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 모바일 기기, 웨어러블 기기, 차량 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 호스트 시스템(200)은 비디오 소스로부터의 영상 신호를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 스케일링하여 타이밍 신호와 함께 타이밍 콘트롤러(130)에 전송할 수 있다. The host system 200 may be any one of a television (TV) system, a tablet computer, a laptop computer, a navigation system, a personal computer (PC), a home theater system, a mobile device, a wearable device, or a vehicle system. The host system 200 may scale an image signal from a video source to match the resolution of the display panel 100 and transmit it to the timing controller 130 along with a timing signal.

타이밍 콘트롤러(130)는 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 입력 프레임 주파수×i(i는 자연수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동회로의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 입력 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다. The timing controller 130 multiplies the input frame frequency by i and controls the operation timing of the display panel driving circuit with a frame frequency of input frame frequency x i (i is a natural number) Hz. The input frame frequency is 60Hz in the NTSC (National Television Standards Committee) method and 50Hz in the PAL (Phase-Alternating Line) method.

호스트 시스템(200)이나 타이밍 콘트롤러(130)는 입력 영상의 움직임이나 콘텐츠 특성에 맞게 리프레시 레이트 또는 프레임 주파수를 가변하거나, 입력 영상의 컨텐츠에 따라 리프레시 레이트 또는 프레임 주파수를 가변할 수 있다.The host system 200 or the timing controller 130 may vary the refresh rate or frame frequency according to the motion or content characteristics of the input image, or may vary the refresh rate or frame frequency according to the content of the input image.

타이밍 콘트롤러(130)는 저속 구동 모드에서 노멀 구동 모드에 비하여 픽셀 데이터가 픽셀들에 기입되는 리프레시 프레임 주파수를 낮춘다. 예를 들어, 노멀 구동 모드에서 픽셀 데이터가 픽셀들에 기입되는 리프레시 프레임 주파수는 60Hz 이상의 주파수 예를 들어, 60Hz, 120Hz, 144Hz, 240Hz 중 어느 하나일 수 있으며, 저속 구동 모드에서 리프레시 프레임 주파수는 노멀 구동 모드의 그 것 보다 낮은 주파수일 수 있다. 타이밍 콘트롤러(130)는 저속 구동 모드에서 픽셀들의 리프레시 레이트를 낮추기 위하여 리프레시 프레임 이후에 다수의 홀드(hold) 프레임을 설정하여 표시패널 구동회로와 픽셀들의 구동 주파수를 낮출 수 있다.The timing controller 130 lowers the refresh frame frequency at which pixel data is written to pixels in the low-speed drive mode compared to the normal drive mode. For example, in normal driving mode, the refresh frame frequency at which pixel data is written to pixels may be any one of 60Hz, 120Hz, 144Hz, and 240Hz, and in low-speed driving mode, the refresh frame frequency is 60Hz or higher. It may be a lower frequency than that of the drive mode. The timing controller 130 may lower the driving frequency of the display panel driving circuit and the pixels by setting a number of hold frames after the refresh frame to lower the refresh rate of the pixels in the low-speed driving mode.

타이밍 콘트롤러(130)는 호스트 시스템(200)으로부터 수신된 타이밍 신호를 바탕으로 데이터 구동부(110)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호, 디멀티플렉서 어레이(112)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 MUX 제어 신호, 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다. 타이밍 콘트롤러(130)는 표시패널 구동회로의 동작 타이밍을 제어하여 데이터 구동부(110), 디멀티플렉서 어레이(112), 터치 센서 구동부, 및 게이트 구동부(120)를 동기시킨다.The timing controller 130 provides a data timing control signal for controlling the operation timing of the data driver 110 based on the timing signal received from the host system 200, and a MUX control for controlling the operation timing of the demultiplexer array 112. A gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate driver 120 is generated. The timing controller 130 controls the operation timing of the display panel driving circuit and synchronizes the data driver 110, the demultiplexer array 112, the touch sensor driver, and the gate driver 120.

타이밍 콘트롤러(130)로부터 출력된 MUX 제어 신호와 게이트 타이밍 제어신호는 레벨 시프터(150)를 통해 디멀티플렉서 어레이(112)와 게이트 구동부(120)에 입력될 수 있다. 레벨 시프터(150)는 게이트 타이밍 제어 신호를 입력 받아 스타트 펄스와 시프트 클럭을 발생할 수 있다. 레벨 시프터(150)로부터 출력되는 스타트 펄스와 시프트 클럭은 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL) 사이에서 스윙하며 클럭 라인들(CL)을 통해 게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터에 입력될 수 있다. The MUX control signal and the gate timing control signal output from the timing controller 130 may be input to the demultiplexer array 112 and the gate driver 120 through the level shifter 150. The level shifter 150 may receive a gate timing control signal and generate a start pulse and shift clock. The start pulse and shift clock output from the level shifter 150 swing between the gate-on voltage (VGH) and the gate-off voltage (VGL) and are input to the shift register of the gate driver 120 through the clock lines (CL). You can.

픽셀들(101) 각각은 적어도 제1 컬러의 서브 픽셀, 제2 컬러의 서브 픽셀 및 제3 컬러의 서브 픽셀을 포함한다. 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은 제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 발광 소자에 전류를 공급하는 구동 소자를 포함한다. 또한, 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은 정전압이 인가되는 정전압 라인과 상기 제3 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함한다. 서브 픽셀들의 컬러별로 제2 커패시터의 용량이 다르게 설정된다. 이하의 실시예에서 이러한 특징에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Each of the pixels 101 includes at least a subpixel of a first color, a subpixel of a second color, and a subpixel of a third color. Each of the first to third subpixels includes a driving element that supplies current to the light emitting element, including a first electrode connected to the first node, a gate electrode connected to the second node, and a second electrode connected to the third node. do. Additionally, each of the first to third subpixels includes a second capacitor connected between a constant voltage line to which a constant voltage is applied and the third node. The capacity of the second capacitor is set differently for each color of subpixels. These features will be described in detail in the following examples.

도 3a 및 도 3b는 서브 픽셀들에 연결된 제2 커패시터의 예들을 보여 주는 도면이다. 3A and 3B are diagrams showing examples of second capacitors connected to subpixels.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 서브 픽셀들(R, G, B)은 데이터 전압(Vdata(R), Vdata(G), Vdata(B))이 인가되는 데이터 라인(DL1, DL2, DL3)과, 게이트 신호(GATE)가 인가되는 하나 이상의 게이트 라인(GL)에 연결된다. Referring to FIGS. 3A and 3B, the subpixels (R, G, B) have data lines (DL1, DL2, DL3) to which data voltages (Vdata(R), Vdata(G), and Vdata(B)) are applied. And, it is connected to one or more gate lines (GL) to which the gate signal (GATE) is applied.

서브 픽셀들(R, G, B) 각각은 제1 및 제2 커패시터를 포함할 수 있다. 제1 커패시터는 도 3a 및 도 3b에서 생략되어 있다. 제2 커패시터는 제2-1 커패시터(Ca1), 제2-2 커패시터(Ca2), 및 제2-3 커패시터(Ca3)를 포함한다.Each of the subpixels R, G, and B may include first and second capacitors. The first capacitor is omitted in FIGS. 3A and 3B. The second capacitor includes a 2-1 capacitor (Ca1), a 2-2 capacitor (Ca2), and a 2-3 capacitor (Ca3).

적색 서브 픽셀(R)은 제2-1 커패시터(Ca1)를 포함한다. 녹색 서브 픽셀(G)은 제2-2 커패시터(Ca2)를 포함한다. 청색 서브 픽셀(B)은 제2-3 커패시터(Ca3)를 포함한다. The red subpixel (R) includes the 2-1 capacitor (Ca1). The green subpixel (G) includes the 2-2 capacitor (Ca2). The blue subpixel (B) includes the second-third capacitor (Ca3).

도 3a에 도시된 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)은 도 6, 10-11에 도시된 바와 같이 구동 소자(DT)와 발광 소자(EL) 사이의 제3 노드와, 정전압(Vdc)이 인가되는 정전압 라인 사이에 연결될 수 있고, 픽셀 회로의 제1 커패시터와 구동 소자의 게이트 전극에 픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가될 때 데이터 전압의 전달률을 높여 데이터 전압의 손실을 줄인다. The second capacitors (Ca1, Ca2, Ca3) shown in FIG. 3A are connected to the third node between the driving element (DT) and the light emitting element (EL) and the constant voltage (Vdc) as shown in FIGS. 6 and 10-11. It can be connected between the applied constant voltage lines, and when the data voltage of the pixel data is applied to the first capacitor of the pixel circuit and the gate electrode of the driving element, the transfer rate of the data voltage is increased to reduce the loss of the data voltage.

도 3b에 도시된 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)은 도 8에 도시된 바와 같이 구동 소자(DT)와 제2 스위치 소자(T02) 사이의 제3 노드와 제2 스위치 소자(T02)와 발광 소자(EL) 사이의 제4 노드 사이에 연결될 수 있고, 제2 스위치 소자(T02)가 부스팅 기간 동안 턴-온 되면 제3 노드와 제4 노드가 동일 노드가 되어 제2 커패시터(Ca)가 보이지 않는 효과로 부스팅 속도가 빨라지게 된다.The second capacitors (Ca1, Ca2, Ca3) shown in FIG. 3B are connected to the third node between the driving element (DT) and the second switch element (T02) as shown in FIG. 8. It may be connected between the fourth node between and the light emitting element (EL), and when the second switch element (T02) is turned on during the boosting period, the third node and the fourth node become the same node and the second capacitor (Ca) The boosting speed becomes faster due to the invisible effect.

픽셀(101)의 제한된 크기 내에서 서브 픽셀들(R, G, B)에 각각 형성된 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)은 동일한 용량으로 설계될 수 있다. 이 경우, 일부 서브 픽셀 예를 들어, 청색 서브 픽셀(B)에서 제2-3 커패시터(Ca3)의 용량이 충분하지 않기 때문에 데이터 전압의 손실이 발생될 수 있다. Within the limited size of the pixel 101, the second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 formed in each of the subpixels (R, G, and B) may be designed to have the same capacity. In this case, loss of data voltage may occur in some subpixels, for example, the blue subpixel B, because the capacity of the 2-3 capacitor Ca3 is not sufficient.

서브 픽셀들(R, G, B)에서 발광 소자가 발광 될 수 있는 전류는 컬러별로 다를 수 있다. 예를 들어, 서브 픽셀들이 정상적으로 구동되게 하는 요구 전류는 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G), 및 청색 서브 픽셀(B) 순으로 클 수 있다. 예를 들어, 색온도 6500K에서의 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G) 및 청색 서브 픽셀(B)의 요구 전류는 이 서브 픽셀들이 1600nit로 발광될 때 적색 서브 픽셀(R)은 60~70[nA], 녹색 서브 픽셀(G)은 70~80[nA], 그리고 청색 서브 픽셀(B)은 150~160[nA] 일 수 있다. The current through which the light emitting device can emit light in the subpixels (R, G, B) may vary for each color. For example, the required current to drive the subpixels normally may be larger in the following order: red subpixel (R), green subpixel (G), and blue subpixel (B). For example, the required current of the red subpixel (R), green subpixel (G), and blue subpixel (B) at a color temperature of 6500K is 60~60% when these subpixels emit light at 1600nit. 70[nA], the green subpixel (G) can be 70~80[nA], and the blue subpixel (B) can be 150~160[nA].

제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)이 동일한 용량일 때, 픽셀들에서 데이터 전압의 손실량이 크기 때문에 데이터 구동부(110)로부터 출력되는 데이터 전압의 전압 레벨이 더 높아져야 하고, 데이터 전압의 최소 전압과 최대 전압 사이의 전압 범위(Voltage range)가 커져야 한다. 이는 데이터 구동부(110)가 집적되는 드라이브 IC의 크기와 비용 증가를 초래할 뿐 아니라, 드라이브 IC의 소비 전력을 크게 하고 발열량을 크게 할 수 있다.When the second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 have the same capacity, the amount of data voltage loss in the pixels is large, so the voltage level of the data voltage output from the data driver 110 must be higher, and the minimum voltage of the data voltage must be higher. The voltage range between and maximum voltage must be increased. This not only increases the size and cost of the drive IC in which the data driver 110 is integrated, but also increases the power consumption and heat generation of the drive IC.

본 발명은 도 6 및 8에 도시된 바와 같이 구동 소자(DT)와 발광 소자(EL) 사이에 발광 제어 신호(EM2)에 따라 온/오프되는 스위치 소자(T02)를 포함한 픽셀 회로의 경우에, 서브 픽셀들(R, G, B)에서 상이한 요구 전류에 대응하여 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량을 서브 픽셀들의 컬러별로 상이하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 청색 서브 픽셀의 제2-3 커패시터(Ca3)의 용량은 적색 및 녹색의 제2-1 및 2-2 커패시터들(Ca1, Ca2)의 용량 보다 크고, 제2-2 커패시터(Ca2)의 용량은 제2-1 커패시터(Ca1)의 용량 보다 크다. 다시 말하여, 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G), 및 청색 서브 픽셀(B) 순으로 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량이 크다. 일 예로, 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량은 Ca1=138[fF], Ca2=160[fF], Ca3=225[fF]로 설계될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The present invention, as shown in FIGS. 6 and 8, in the case of a pixel circuit including a switch element (T02) between the driving element (DT) and the light emitting element (EL) that is turned on/off according to the light emission control signal (EM2), In response to different required currents in the subpixels (R, G, and B), the capacities of the second capacitors (Ca1, Ca2, and Ca3) may be set differently for each color of the subpixels. For example, the capacity of the 2-3 capacitor (Ca3) of the blue subpixel is larger than the capacity of the red and green 2-1 and 2-2 capacitors (Ca1, Ca2), and the 2-2 capacitor (Ca2) ) is larger than the capacity of the 2-1 capacitor (Ca1). In other words, the second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 have large capacities in that order: the red subpixel (R), the green subpixel (G), and the blue subpixel (B). For example, the capacities of the second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 may be designed to be Ca1=138[fF], Ca2=160[fF], and Ca3=225[fF], but are not limited thereto.

다른 실시예로, 본 발명은 도 10및 도 11에 도시된 바와 같이 구동 소자(DT)와 발광 소자(EL) 사이에 스위치 소자가 없는 픽셀 회로의 경우에, 서브 픽셀들(R, G, B)의 개구율과 발광 소자(EL)의 커패시터 용량을 고려하여 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량을 서브 픽셀들의 컬러별로 상이하게 설정할 수 있다. 이 경우, 청색 서브 픽셀(B), 녹색 서브 픽셀(G), 및 적색 서브 픽셀(R) 순으로 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량을 크게 설계하는 것이 바람직하다.In another embodiment, the present invention provides, in the case of a pixel circuit without a switch element between the driving element (DT) and the light emitting element (EL) as shown in FIGS. 10 and 11, subpixels (R, G, B) ) and the capacitance of the light emitting element EL, the capacitances of the capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 can be set differently for each color of the subpixels. In this case, it is desirable to design the capacities of the second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 to be large in the order of the blue subpixel (B), green subpixel (G), and red subpixel (R).

도 4는 서브 픽셀들의 컬러별 제2 커패시터를 보여 주는 평면도이다. 도 5는 도 4에서 선 “A-A'”을 따라 절취한 제2 커패시터의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. Figure 4 is a plan view showing the second capacitor for each color of subpixels. FIG. 5 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the second capacitor taken along the line “A-A'” in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 표시패널(100)은 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)을 포함할 수 있다. 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)은 회로층(CIR)에 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 5 , the display panel 100 may include second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3. The second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 may be disposed in the circuit layer CIR.

표시패널(100)은 제1 절연층(INS1), 제1 절연층(INS1) 상에 배치된 제1 금속층의 패턴(Mb), 제1 금속층의 패턴(Mb)과 제1 절연층(INS1)을 덮는 제2 절연층(INS2), 제2 절연층 상에 배치된 제2 금속층의 패턴들(Ma1, Ma2, Ma3), 및 제2 금속층의 패턴(Ma1, Ma2, Ma3)과 제2 절연층(INS2)을 덮는 제3 절연층(INS3)을 포함한다. The display panel 100 includes a first insulating layer (INS1), a pattern (Mb) of the first metal layer disposed on the first insulating layer (INS1), a pattern (Mb) of the first metal layer, and a first insulating layer (INS1). a second insulating layer (INS2) covering the second insulating layer, patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer disposed on the second insulating layer, and patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer and the second insulating layer. It includes a third insulating layer (INS3) covering (INS2).

제1 금속층의 패턴(Mb)은 서브 픽셀들(R, G, B)에 끊기지 않고 연결되어 서브 픽셀들(R, G, B) 간에 공유되는 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 공통 전극(또는 하부 전극)이다. 제1 금속층의 패턴(Mb)에 정전압(Vdc)이나 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가된다. 따라서, 도 6, 8, 10, 11에 도시된 픽셀 회로에서 제1 금속층의 패턴(Mb)은 정전압(Vdc)이 인가되는 정전압 라인, 또는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 정전압 라인을 포함한다. The pattern Mb of the first metal layer is connected to the subpixels R, G, and B without interruption, and the common capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 are shared between the subpixels R, G, and B. It is an electrode (or lower electrode). A constant voltage (Vdc) or a pixel driving voltage (EVDD) is applied to the pattern (Mb) of the first metal layer. Accordingly, in the pixel circuit shown in FIGS. 6, 8, 10, and 11, the pattern (Mb) of the first metal layer includes a constant voltage line to which the constant voltage (Vdc) is applied, or a constant voltage line to which the pixel driving voltage (EVDD) is applied. .

제2 금속층의 패턴(Ma1, Ma2, Ma3)은 이웃한 서브 픽셀들(R, G, B) 간에 분리된 독립적인 패턴 또는 아일랜드 패턴(Island pattern)으로 형성된다. 제2 금속층의 패턴(Ma1, Ma2, Ma3)은 적색 서브 픽셀(R)에 배치된 제2-1 커패시터 전극(또는 상부 전극)(Ma1), 녹색 서브 픽셀(G)에 배치된 제2-2 커패시터 전극(Ma2), 및 청색 서브 픽셀(B)에 배치된 제2-3 커패시터 전극(Ma3)으로 나뉘어진다. The patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer are formed as independent patterns or island patterns separated between neighboring subpixels (R, G, B). The patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer include a 2-1 capacitor electrode (or upper electrode) (Ma1) disposed in the red subpixel (R), and a 2-2 disposed in the green subpixel (G). It is divided into a capacitor electrode (Ma2) and a second-third capacitor electrode (Ma3) disposed in the blue subpixel (B).

제2-1 커패시터 전극(Ma1)은 적색 서브 픽셀(R) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. 제2-2 커패시터 전극(Ma2)은 녹색 서브 픽셀(G) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. 제2-3 커패시터 전극(Ma3)은 청색 서브 픽셀(B) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. The 2-1 capacitor electrode Ma1 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the red subpixel R with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do. The 2-2 capacitor electrode Ma2 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the green subpixel G with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do. The 2-3 capacitor electrode Ma3 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the blue subpixel B with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do.

도 6, 8, 10 및 11에 도시된 픽셀 회로에서, 제2-1 커패시터 전극(Ma1)은 적색 서브 픽셀(R)의 제3 노드(DTS)를 포함한다. 제2-2 커패시터 전극(Ma2)은 녹색 서브 픽셀(G)의 제3 노드(DTS)를 포함한다. 제2-3 커패시터 전극(Ma3)은 청색 서브 픽셀(B)의 제3 노드(DTS)를 포함한다.In the pixel circuit shown in FIGS. 6, 8, 10, and 11, the 2-1 capacitor electrode Ma1 includes the third node (DTS) of the red subpixel (R). The 2-2 capacitor electrode Ma2 includes the third node DTS of the green subpixel G. The 2-3rd capacitor electrode Ma3 includes the third node (DTS) of the blue subpixel (B).

도 6 및 8에 도시된 픽셀 회로가 적용된 서브 픽셀들(R, G, B)에서 제2 커패시터 용량을 차등 적용하기 위하여, 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G), 및 청색 서브 픽셀(B) 순으로 커패시터 전극들(Ma1, Ma2, Ma3)의 크기가 커질 수 있다. 다시 말하여, 제2-3 커패시터 전극(Ma3)이 제2-1 및 제2-2 커패시터 전극들(Ma1, Ma2) 각각의 크기 보다 크고, 제2-2 커패시터 전극(Ma2)은 제2-1 커패시터 전극(Ma1) 보다 클 수 있다.In order to differentially apply the second capacitor capacity to the subpixels (R, G, and B) to which the pixel circuit shown in FIGS. 6 and 8 is applied, the red subpixel (R), green subpixel (G), and blue subpixel (B) The sizes of the capacitor electrodes (Ma1, Ma2, and Ma3) may increase in that order. In other words, the 2-3 capacitor electrode Ma3 is larger than the size of each of the 2-1 and 2-2 capacitor electrodes Ma1 and Ma2, and the 2-2 capacitor electrode Ma2 is the 2- It may be larger than 1 capacitor electrode (Ma1).

도 6 및 8에 도시된 픽셀 회로의 경우, 제1 커패시터(Cst)를 사이에 두고 제2 노드(DTG)와 커플링(Coupling)된 제3 노드(DTS)가 플로팅(Floating) 상태이기 때문에 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가될 때 제3 노드(DTS)의 전압이 데이터 전압(Vdata)의 영향으로 인하여 변할 수 있고, 이러한 커플링의 영향으로 인하여 데이터 전압(Vdata)의 손실(Loss)이 발생될 수 있다. 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)은 이러한 데이터 전압(Vdata)의 손실을 줄인다. 본 발명은 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 용량을 서브 픽셀들에서 컬러별로 요구되는 전류를 바탕으로 차등 설계함으로써 고휘도에서 데이터 전압의 전압 레벨을 높이지 않고 서브 픽셀들(R, G, B)의 휘도를 높일 수 있다. 그 결과, 본 발명은 데이터 구동부(110)가 집적된 드라이브 IC의 크기와 비용을 줄이고, 드라이브 IC의 소비 전력을 줄여 표시장치의 저전력 구동을 가능하게 하고 드라이브 IC의 발열량을 줄일 수 있다. In the case of the pixel circuit shown in FIGS. 6 and 8, the third node (DTS) coupled with the second node (DTG) across the first capacitor (Cst) is floating, so the pixel When the data voltage (Vdata) of data is applied to the second node (DTG), the voltage of the third node (DTS) may change due to the influence of the data voltage (Vdata), and due to the influence of this coupling, the data voltage ( Loss of Vdata may occur. The second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 reduce the loss of the data voltage Vdata. The present invention differentially designs the capacities of the second capacitors (Ca1, Ca2, and Ca3) based on the current required for each color in the subpixels, without increasing the voltage level of the data voltage at high brightness. , B) can increase the luminance. As a result, the present invention reduces the size and cost of the drive IC in which the data driver 110 is integrated, reduces the power consumption of the drive IC, enables low-power operation of the display device, and reduces heat generation of the drive IC.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 7은 도 6에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호와 주요 노드들의 전압을 보여 주는 파형도이다. Figure 6 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a waveform diagram showing the gate signal applied to the pixel circuit shown in FIG. 6 and the voltages of main nodes.

도 6 및 도 7을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(T01~T05), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(Ca)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(T01~T05)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다. 6 and 7, the pixel circuit includes a light-emitting element (EL), a driving element (DT) that drives the light-emitting element (EL), a plurality of switch elements (T01 to T05), a first capacitor (Cst), and a second capacitor (Ca). The driving element (DT) and switch elements (T01 to T05) can be implemented as n-channel oxide TFT.

픽셀 회로는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL5)에 연결된다. 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1), 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4), 정전압(Vdc)이 인가되는 제5 정전압 라인(PL5) 등 직류 전압(또는 정전압)이 인가되는 전원 라인들에 연결된다. 표시패널(100) 상에서 정전압 라인들이 연결된 전원 라인들은 모든 픽셀들에 공통으로 연결될 수 있다. 정전압(Vdc)은 픽셀 구동 전압(EVDD)으로 대체될 수 있다. 이 경우, 제2 커패시터(Ca)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결되기 때문에 제5 정전압 라인(PL5)이 생략될 수 있다. The pixel circuit is connected to a data line (DL) to which the data voltage (Vdata) of pixel data is applied, and to gate lines (GL1 to GL5) to which gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, and SENSE) are applied. The pixel circuit includes a first constant voltage line (PL1) to which the pixel driving voltage (EVDD) is applied, a second constant voltage line (PL2) to which the pixel base voltage (EVSS) is applied, and a third constant voltage line to which the initialization voltage (Vinit) is applied ( It is connected to power lines to which a direct current voltage (or constant voltage) is applied, such as PL3), a fourth constant voltage line (PL4) to which a reference voltage (Vref) is applied, and a fifth constant voltage line (PL5) to which a constant voltage (Vdc) is applied. Power lines to which constant voltage lines are connected on the display panel 100 may be commonly connected to all pixels. Constant voltage (Vdc) can be replaced with pixel driving voltage (EVDD). In this case, since the second capacitor Ca is connected to the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied, the fifth constant voltage line PL5 may be omitted.

픽셀 회로에 인가되는 정전압들(EVDD, EVSS, Vinit, Vref) 각각의 전압 레벨은 구동 소자(DT)의 포화(saturation) 영역 동작을 위한 전압 마진(margin)을 고려하여 설정될 수 있다. 정전압들(EVDD, EVSS, Vinit, Vref)의 전압 레벨은 EVDD > Vref > Vinit > EVSS의 조건으로 설정될 수 있다. 제2 커패시터(Ca)에 인가되는 정전압(Vdc)은 기준 전압(Vref) 이상의 전압 레벨로 설정될 수 있다. The voltage level of each of the constant voltages (EVDD, EVSS, Vinit, and Vref) applied to the pixel circuit may be set in consideration of the voltage margin for operation in the saturation region of the driving element DT. The voltage levels of constant voltages (EVDD, EVSS, Vinit, Vref) can be set to the condition EVDD > Vref > Vinit > EVSS. The constant voltage Vdc applied to the second capacitor Ca may be set to a voltage level higher than the reference voltage Vref.

게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)은 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL) 사이에서 스윙(Swing)하는 펄스를 포함한다. 게이트 온 전압(VGH)은 픽셀 구동 전압(EVDD) 보다 높은 전압 레벨로 설정되고, 게이트 오프 전압(VGL)은 픽셀 기저 전압 보다 낮은 전압 레벨로 설정될 수 있다.The gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE) include pulses that swing between the gate-on voltage (VGH) and the gate-off voltage (VGL). The gate-on voltage (VGH) may be set to a voltage level higher than the pixel driving voltage (EVDD), and the gate-off voltage (VGL) may be set to a voltage level lower than the pixel base voltage.

게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM1, EM2)은 제1 발광 제어 신호(이하, “신호”라 함)(EM1), 제2 EM 신호(EM2), 제1 스캔 신호(SCAN), 제2 스캔 신호(INIT), 및 제3 스캔 신호(SENSE)를 포함한다. 제1 EM 신호(EM1)는 제1 게이트 신호, 제2 EM 신호(EM2)는 제2 게이트 신호, 제1 스캔 신호(SCAN)는 제3 게이트 신호, 제2 스캔 신호(INIT)는 제4 게이트 신호, 그리고 제3 스캔 신호(SENSE)는 제5 게이트 신호로 각각 해석될 수 있다. The gate signals (INIT, SENSE, SCAN, EM1, EM2) include a first emission control signal (hereinafter referred to as “signal”) (EM1), a second EM signal (EM2), a first scan signal (SCAN), It includes a second scan signal (INIT) and a third scan signal (SENSE). The first EM signal EM1 is the first gate signal, the second EM signal EM2 is the second gate signal, the first scan signal SCAN is the third gate signal, and the second scan signal INIT is the fourth gate signal. signal and the third scan signal (SENSE) can each be interpreted as a fifth gate signal.

서브 픽셀들 각각에 배치된 픽셀 회로는 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)의 순서로 구동될 수 있다. 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)은 게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)의 파형에 의해 정의될 수 있다. 발광 기간(EMIS)의 초기에 제2 및 제3 노드들(DTG, DTS)의 전압이 상승하는 부스팅 기간(BOOST)이 포함될 수 있다. The pixel circuit disposed in each subpixel may be driven in the following order: an initialization period (INI), a sensing period (SEN), a data writing period (WR), an anode reset period (AR), and an emission period (EMIS). The initialization period (INI), sensing period (SEN), data writing period (WR), anode reset period (AR), and emission period (EMIS) are based on the waveforms of the gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE). It can be defined by A boosting period (BOOST) in which the voltage of the second and third nodes (DTG and DTS) increases may be included at the beginning of the emission period (EMIS).

제1 EM 신호(EM1)의 전압은 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 및 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 애노드 리셋 기간(AR) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제1 EM 신호(EM1)의 전압은 데이터 기입 기간(WR)에 게이트 온 전압(VGH), 또는 게이트 오프 전압(VGL)일 수 있다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the first EM signal (EM1) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), the sensing period (SEN), and the emission period (EMIS), and the gate-off voltage (VGL) during the anode reset period (AR). am. The voltage of the first EM signal EM1 may be the gate-on voltage (VGH) or the gate-off voltage (VGL) during the data writing period (WR). The first switch element T01 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the first EM signal EM1 and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the first EM signal EM1. .

제2 EM 신호(EM2)의 전압은 초기화 기간(INI), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 센싱 기간(SEN)과 데이터 기입 기간(WR) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제2 스위치 소자(T02)는 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the second EM signal (EM2) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), anode reset period (AR), and emission period (EMIS), and is the gate-on voltage (VGH) during the sensing period (SEN) and data writing period (WR). is the gate-off voltage (VGL). The second switch element T02 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second EM signal EM2 and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the second EM signal EM2. .

제1 스캔 신호(SCAN)의 전압은 데이터 기입 기간(WR) 동안 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 게이트 온 전압(VGH)의 펄스로 발생되고, 그 이외의 기간(INI, SEN, AR, EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제3 스위치 소자(T03)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the first scan signal (SCAN) is generated as a pulse of the gate-on voltage (VGH) that is synchronized with the data voltage (Vdata) of the pixel data during the data writing period (WR), and during the other periods (INI, SEN, AR , EMIS) is the gate-off voltage (VGL). The third switch element T03 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the first scan signal SCAN and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the first scan signal SCAN. .

제2 스캔 신호(INIT)의 전압은 초기화 기간(INI)과 센싱 기간(SEN) 동안 게이트 온 전압(VGH)의 펄스로 발생되고, 그 이외의 다른 기간(WR, AR, EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제4 스위치 소자(T04)는 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다. The voltage of the second scan signal (INIT) is generated as a pulse of the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI) and the sensing period (SEN), and is a gate-off voltage during other periods (WR, AR, EMIS). (VGL). The fourth switch element T04 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the second scan signal INIT. .

제3 스캔 신호(SENSE)의 전압은 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 및 애노드 리셋 기간(AR) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제5 스위치 소자(T05)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the third scan signal (SENSE) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), sensing period (SEN), data writing period (WR), and anode reset period (AR), and the emission period (EMIS) is the gate-off voltage (VGL). The fifth switch element T05 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the third scan signal SENSE and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the third scan signal SENSE. .

초기화 기간(INI) 동안, 제2 노드(DTG)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(DTS)에 기준 전압(Vref)이 인가되어 제1 커패시터(Cst)와 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 초기화된다. 센싱 기간(SEN) 기간 동안, 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 샘플링되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. 데이터 기입 기간(WR) 동안, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가되어 제1 커패시터(Cst)에 충전된 전압이 구동 소자(DT)의 문턱 전압만큼 보상된 데이터 전압(Vdata)으로 변한다. 애노드 리셋 기간(AR) 동안, 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4)에 기준 전압(Vref)이 인가되어 저속 구동 모드에서 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs) 변동이 억제된다. 발광 기간(EMIS) 동안, 제1 정전압 라인(PL1)과 제2 정전압 라인(PL2) 사이에 전류 패스(Current path)가 형성되고 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발생되는 전류에 의해 발광 소자(EL)가 구동된다. 발광 소자(EL)는 발광 기간(EMIS) 동안 부스팅 기간(BOOST) 후부터 구동 소자(DT)로부터의 전류에 따라 발광될 수 있다.During the initialization period (INI), the initialization voltage (Vinit) is applied to the second node (DTG), and the reference voltage (Vref) is applied to the third node (DTS) to form the first capacitor (Cst) and the driving element (DT). The gate-source voltage (Vgs) is initialized. During the sensing period (SEN), the threshold voltage (Vth) of the driving element (DT) is sampled and stored in the first capacitor (Cst). During the data writing period (WR), the data voltage (Vdata) is applied to the second node (DTG), and the voltage charged in the first capacitor (Cst) is compensated to the data voltage (Vdata) by the threshold voltage of the driving element (DT). changes to During the anode reset period (AR), the reference voltage (Vref) is applied to the third node (DTS) and the fourth node (n4), so that the gate-source voltage (Vgs) of the driving element (DT) changes in the low-speed driving mode. It is suppressed. During the emission period (EMIS), a current path is formed between the first constant voltage line (PL1) and the second constant voltage line (PL2) and is generated according to the gate-source voltage (Vgs) of the driving element (DT). The light emitting element (EL) is driven by the current. The light emitting element EL may emit light according to the current from the driving element DT after the boosting period BOOST during the light emission period EMIS.

구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 전류를 발생하여 발광 소자(EL)를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제1 노드(DTD)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(DTG)에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드(DTS)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The driving element (DT) generates a current according to the gate-source voltage (Vgs) to drive the light emitting element (EL). The driving element DT includes a first electrode connected to the first node DTD, a gate electrode connected to the second node DTG, and a second electrode connected to the third node DTS.

발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 이 전극들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2)에 연결될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 커패시터(Cel)를 포함한다. The light emitting element (EL) can be implemented as OLED. The light emitting element EL includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic compound layer formed between these electrodes. The anode electrode of the light emitting device EL may be connected to the fourth node n4, and the cathode electrode may be connected to the second constant voltage line PL2 to which the pixel base voltage EVSS is applied. The light emitting element (EL) includes a capacitor (Cel) formed between an anode electrode and a cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Light emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동하여 여기자가 형성된다. 이 때, 발광층(EML)으로부터 가시광이 방출된다. 발광 소자(EL)는 복수의 발광층들이 적층된 텐덤(Tandem) 구조로 구현될 수 있다. 텐덤 구조의 발광 소자(EL)는 픽셀의 휘도와 수명을 향상시킬 수 있다.The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer. , EIL), but is not limited thereto. When voltage is applied to the anode and cathode electrodes of the light emitting device (EL), holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) move to the light emitting layer (EML), forming excitons. At this time, visible light is emitted from the light emitting layer (EML). The light emitting device (EL) may be implemented in a tandem structure in which a plurality of light emitting layers are stacked. Tandem-structured light emitting elements (ELs) can improve the brightness and lifespan of pixels.

서브 픽셀들의 컬러별 수명과 요구 전류를 고려하여 컬러 별로 서브 픽셀들의 크기와 개구율이 상이하고, 그에 따라 서브 픽셀들의 컬러별로 발광 소자(EL)의 커패시터 용량과 크기가 상이할 수 있다. Considering the lifespan and required current of each color of the subpixels, the size and aperture ratio of the subpixels are different for each color, and accordingly, the capacitor capacity and size of the light emitting element EL may be different for each color of the subpixels.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(DTG)와 제3 노드(DTS) 사이에 연결된다. 제1 커패시터(Cst)는 초기화 기간(INI)에 초기화된 후, 센싱 기간(SEN)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)을 저장한다. 제1 커패시터(Cst)는 데이터 기입 기간(WR)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상된 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)을 저장한 다음, 애노드 리셋 기간(AR)과 발광 기간(EMIS) 동안 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 유지한다. The first capacitor (Cst) is connected between the second node (DTG) and the third node (DTS). The first capacitor Cst is initialized in the initialization period INI and then stores the threshold voltage Vth of the driving element DT in the sensing period SEN. The first capacitor (Cst) stores the data voltage (Vdata) of the pixel data compensated by the threshold voltage (Vth) of the driving element (DT) in the data writing period (WR), and then stores the data voltage (Vdata) of the pixel data in the anode reset period (AR) and the light emission period. The voltage (Vgs) between the gate and source of the driving element (DT) is maintained during (EMIS).

제2 커패시터(Ca)는 제5 정전압 라인(PL5)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결되거나, 제1 정전압 라인(PL1)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결될 수 있다. 데이터 기입 기간(WR) 동안 데이터 전압(Vdata)의 손실을 방지한다. 데이터 전압(Vdata)의 전달률(Data DR)은 아래의 수학식 1과 같다.The second capacitor Ca may be connected between the fifth constant voltage line PL5 and the third node DTS, or between the first constant voltage line PL1 and the third node DTS. Prevents loss of data voltage (Vdata) during the data writing period (WR). The transfer rate (Data DR) of the data voltage (Vdata) is expressed in Equation 1 below.

여기서, CDTS_par는 제3 노드(DTS)에 연결된 기생 용량이다. Here, C DTS_par is the parasitic capacity connected to the third node (DTS).

CDTS_hold 값이 클수록 데이터 전압(Vdata)이 온전히 전달되어 데이터 전압(Vdata)의 손실이 적다. 한편, 서브 픽셀의 설계 영역이 제한되기 때문에 서브 픽셀들에서 동일한 용량으로 제2 커패시터(Ca)를 설계하면, 요구 전류량이 큰 서브 픽셀에서 데이터 전압의 손실이 발생될 수 있다. 본 발명은 서브 픽셀들(R, G, B)의 컬러별 요구 전류량을 고려하여 요구 전류량이 큰 서브 픽셀에서 상대적으로 제2 커패시터(Ca)를 크게 하여 모든 서브 픽셀들에서 데이터 전압의 손실을 최소화하고 데이터 전압을 높이지 않더라도 고휘도로 픽셀들이 발광하게 할 수 있다. The larger the C DTS_hold value, the less data voltage (Vdata) is transmitted and the loss of data voltage (Vdata) is reduced. Meanwhile, because the design area of the subpixel is limited, if the second capacitor Ca is designed with the same capacity in the subpixels, loss of data voltage may occur in the subpixel with a large current demand. The present invention considers the amount of current required for each color of the subpixels (R, G, B) and minimizes the loss of data voltage in all subpixels by relatively enlarging the second capacitor (Ca) in the subpixel with a large current requirement. And even without increasing the data voltage, the pixels can be made to emit high brightness.

제1 스위치 소자(T01)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)과, 제1 노드(DTD) 사이에 연결되어 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제1 스위치 소자(T01)가 턴-온될 때, 픽셀 구동 전압(EVDD)이 제1 노드(DTD)에 인가된다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 EM 신호(EM1)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 신호(EM1)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(DTD)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element T01 is connected between the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied and the first node DTD to set the gate-on voltage VGH of the first EM signal EM1. It turns on in response. When the first switch element T01 is turned on, the pixel driving voltage EVDD is applied to the first node DTD. The first switch element T01 is in an off state when the voltage of the first EM signal EM1 is the gate-off voltage VGL. The first switch element T01 includes a first electrode connected to the first constant voltage line PL1, a gate electrode connected to the first gate line GL1 to which the first EM signal EM1 is applied, and a first node DTD. It includes a second electrode connected to.

제2 스위치 소자(T02)는 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이에 연결되어 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제2 스위치 소자(T02)가 턴-온될 때, 제3 노드(DTS)가 제4 노드(n4)에 연결된다. 제2 스위치 소자(T02)는 제2 EM 신호(EM2)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제2 스위치 소자(T02)는 제3 노드(DTS)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 신호(EM2)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The second switch element T02 is connected between the third node DTS and the fourth node n4 and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second EM signal EM2. When the second switch element T02 is turned on, the third node DTS is connected to the fourth node n4. The second switch element T02 is in an off state when the voltage of the second EM signal EM2 is the gate-off voltage VGL. The second switch element T02 is connected to a first electrode connected to the third node DTS, a gate electrode connected to the second gate line GL2 to which the second EM signal EM2 is applied, and a fourth node n4. It includes a connected second electrode.

제3 스위치 소자(T03)는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 스위치 소자(T03)가 턴-온될 때, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제3 스위치 소자(T03)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제3 스위치 소자(T03)는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 제1 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The third switch element (T03) is connected between the data line (DL) to which the data voltage (Vdata) of the pixel data is applied and the second node (DTG) and is connected to the gate-on voltage (VGH) of the first scan signal (SCAN). It turns on in response. When the third switch element T03 is turned on, the data voltage Vdata is applied to the second node DTG. The third switch element T03 is in an off state when the voltage of the first scan signal SCAN is the gate-off voltage VGL. The third switch element T03 includes a first electrode connected to the data line DL, a gate electrode connected to the third gate line GL3 to which the first scan signal SCAN is applied, and a second node connected to DTG. Includes a second electrode.

제4 스위치 소자(T04)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3)과, 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 스위치 소자(T04)가 턴-온될 때, 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제4 스위치 소자(T04)는 제2 스캔 신호(INIT)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제4 스위치 소자(T04)는 제3 정전압 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 제2 스캔 신호(INIT)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The fourth switch element T04 is connected between the third constant voltage line PL3 to which the initialization voltage Vinit is applied and the second node DTG and is connected to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT. It turns on in response. When the fourth switch element T04 is turned on, the initialization voltage Vinit is applied to the second node DTG. The fourth switch element T04 is in an off state when the voltage of the second scan signal INIT is the gate-off voltage VGL. The fourth switch element T04 includes a first electrode connected to the third constant voltage line PL3, a gate electrode connected to the fourth gate line GL4 to which the second scan signal INIT is applied, and a second node DTG. It includes a second electrode connected to.

제5 스위치 소자(T05)는 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4)과, 제4 노드(n4) 사이에 연결되어 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제5 스위치 소자(T05)가 턴-온될 때, 기준 전압(Vref)이 제4 노드(n4)에 인가된다. 제5 스위치 소자(T05)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제5 스위치 소자(T05)는 제4 정전압 라인(PL4)에 연결된 제1 전극, 제3 스캔 신호(SENSE)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The fifth switch element (T05) is connected between the fourth constant voltage line (PL4) to which the reference voltage (Vref) is applied and the fourth node (n4) and is connected to the gate-on voltage (VGH) of the third scan signal (SENSE). It turns on in response. When the fifth switch element T05 is turned on, the reference voltage Vref is applied to the fourth node n4. The fifth switch element T05 is in an off state when the voltage of the third scan signal SENSE is the gate-off voltage VGL. The fifth switch element T05 includes a first electrode connected to the fourth constant voltage line PL4, a gate electrode connected to the fifth gate line GL5 to which the third scan signal SENSE is applied, and a fourth node n4. It includes a second electrode connected to.

서브 픽셀들(R, G, B)의 컬러별로 제1 커패시터(Cst)와 제2 커패시터(Ca)의 비율이 달라질 수 있다. 데이터 전압 손실을 최소화하고 데이터 전압 범위를 줄여 서브 픽셀들이 고휘도로 발광될 수 있게 하는 제1 커패시터(Cst) 대비 제2 커패시터(Ca)의 비율은 색온도 6500K에서 적색 : 녹색 : 청색에서 1 : 1.5 : 2 일 수 있다. 예를 들어, 적색 서브 픽셀(R)에서 제1 커패시터(Cst)와 제2 커패시터(Ca)의 용량은 서로 동일한 값이다. 이에 비해, 녹색 서브 픽셀(G)에서 제2 커패시터(Ca)의 용량은 제1 커패시터(Cst)에 비해 1.5배 크고, 청색 서브 픽셀(B)에서 제2 커패시터(Ca)의 용량은 제1 커패시터(Cst)에 비해 2배 클 수 있다. 모든 서브 픽셀들(R, G, B)에서 제1 커패시터(Cst)의 용량은 같은 값으로 설계될 수 있다. 이 경우, 서브 픽셀들(R, G, B)에서 제2 커패시터(Ca)의 용량이 적색 : 녹색 : 청색에서 1 : 1.5 : 2 로 차등 적용될 수 있다. 제2 커패시터(Ca)의 용량은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 서브 픽셀들에서 커패시터의 유전층 두께가 같을 때 전극의 크기로 결정될 수 있다. 한편, 색온도값이 다를 때 위 비율은 달라질 수 있다. The ratio of the first capacitor (Cst) and the second capacitor (Ca) may vary depending on the color of the subpixels (R, G, and B). The ratio of the second capacitor (Ca) to the first capacitor (Cst), which minimizes data voltage loss and reduces the data voltage range so that subpixels can emit light with high brightness, is 1:1.5 in red:green:blue at a color temperature of 6500K. It could be 2. For example, in the red subpixel R, the capacitances of the first capacitor Cst and the second capacitor Ca have the same value. In comparison, the capacity of the second capacitor (Ca) in the green subpixel (G) is 1.5 times larger than the first capacitor (Cst), and the capacity of the second capacitor (Ca) in the blue subpixel (B) is greater than that of the first capacitor (Cst). It can be twice as large as (Cst). The capacity of the first capacitor Cst in all subpixels R, G, and B may be designed to have the same value. In this case, the capacity of the second capacitor Ca may be differentially applied to the subpixels R, G, and B in a ratio of 1:1.5:2 in red:green:blue. The capacity of the second capacitor Ca may be determined by the size of the electrode when the dielectric layer thickness of the capacitor is the same in the subpixels, as shown in FIGS. 4 and 5. Meanwhile, the above ratio may vary when the color temperature values are different.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 도 9는 도 8에 도시된 픽셀 회로에 인가되는 게이트 신호와 주요 노드들의 전압을 보여주는 파형도이다. 도 8에 도시된 픽셀 회로에서 전술한 실시예의 픽셀회로와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. Figure 8 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a waveform diagram showing the gate signal applied to the pixel circuit shown in FIG. 8 and the voltages of main nodes. Components of the pixel circuit shown in FIG. 8 that are substantially the same as those of the pixel circuit of the above-described embodiment will be assigned the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 8 및 도 9를 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(T01~T05), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(CA)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(T01~T05)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다. Referring to Figures 8 and 9, the pixel circuit includes a light-emitting element (EL), a driving element (DT) that drives the light-emitting element (EL), a plurality of switch elements (T01 to T05), a first capacitor (Cst), and a second capacitor (CA). The driving element (DT) and switch elements (T01 to T05) can be implemented as n-channel oxide TFT.

픽셀 회로는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL5)에 연결된다. 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1), 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4) 등 직류 전압(또는 정전압)이 인가되는 전원 라인들에 연결된다. 표시패널(100) 상에서 정전압 라인들이 연결된 전원 라인들은 모든 픽셀들에 공통으로 연결될 수 있다. The pixel circuit is connected to a data line (DL) to which the data voltage (Vdata) of pixel data is applied, and to gate lines (GL1 to GL5) to which gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, and SENSE) are applied. The pixel circuit includes a first constant voltage line (PL1) to which the pixel driving voltage (EVDD) is applied, a second constant voltage line (PL2) to which the pixel base voltage (EVSS) is applied, and a third constant voltage line to which the initialization voltage (Vinit) is applied ( It is connected to power lines to which direct current voltage (or constant voltage) is applied, such as PL3) and the fourth constant voltage line PL4 to which the reference voltage (Vref) is applied. Power lines to which constant voltage lines are connected on the display panel 100 may be commonly connected to all pixels.

픽셀 회로에 인가되는 정전압들(EVDD, EVSS, Vinit, Vref) 각각의 전압 레벨은 구동 소자(DT)의 포화(saturation) 영역 동작을 위한 전압 마진(margin)을 고려하여 설정될 수 있다. 정전압들(EVDD, EVSS, Vinit, Vref)의 전압 레벨은 EVDD > Vref > Vinit > EVSS의 조건으로 설정될 수 있다. The voltage level of each of the constant voltages (EVDD, EVSS, Vinit, and Vref) applied to the pixel circuit may be set in consideration of the voltage margin for operation in the saturation region of the driving element DT. The voltage levels of constant voltages (EVDD, EVSS, Vinit, Vref) can be set to the condition EVDD > Vref > Vinit > EVSS.

게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)은 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL) 사이에서 스윙(Swing)하는 펄스를 포함한다. 게이트 온 전압(VGH)은 픽셀 구동 전압(EVDD) 보다 높은 전압 레벨로 설정되고, 게이트 오프 전압(VGL)은 픽셀 기저 전압 보다 낮은 전압 레벨로 설정될 수 있다.The gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE) include pulses that swing between the gate-on voltage (VGH) and the gate-off voltage (VGL). The gate-on voltage (VGH) may be set to a voltage level higher than the pixel driving voltage (EVDD), and the gate-off voltage (VGL) may be set to a voltage level lower than the pixel base voltage.

게이트 신호들(INIT, SENSE, SCAN, EM1, EM2)은 제1 발광 제어 신호(이하, “신호”라 함)(EM1), 제2 EM 신호(EM2), 제1 스캔 신호(SCAN), 제2 스캔 신호(INIT), 및 제3 스캔 신호(SENSE)를 포함한다. 제1 EM 신호(EM1)는 제1 게이트 신호, 제2 EM 신호(EM2)는 제2 게이트 신호, 제1 스캔 신호(SCAN)는 제3 게이트 신호, 제2 스캔 신호(INIT)는 제4 게이트 신호, 그리고 제3 스캔 신호(SENSE)는 제5 게이트 신호로 각각 해석될 수 있다. The gate signals (INIT, SENSE, SCAN, EM1, EM2) include a first emission control signal (hereinafter referred to as “signal”) (EM1), a second EM signal (EM2), a first scan signal (SCAN), It includes a second scan signal (INIT) and a third scan signal (SENSE). The first EM signal EM1 is the first gate signal, the second EM signal EM2 is the second gate signal, the first scan signal SCAN is the third gate signal, and the second scan signal INIT is the fourth gate signal. signal and the third scan signal (SENSE) can each be interpreted as a fifth gate signal.

서브 픽셀들 각각에 배치된 픽셀 회로는 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)의 순서로 구동될 수 있다. 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)은 게이트 신호들(EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE)의 파형에 의해 정의될 수 있다. 발광 기간(EMIS)의 초기에 제2 및 제3 노드들(DTG, DTS)의 전압이 상승하는 부스팅 기간(BOOST)이 포함될 수 있다. The pixel circuit disposed in each subpixel may be driven in the following order: an initialization period (INI), a sensing period (SEN), a data writing period (WR), an anode reset period (AR), and an emission period (EMIS). The initialization period (INI), sensing period (SEN), data writing period (WR), anode reset period (AR), and emission period (EMIS) are based on the waveforms of the gate signals (EM1, EM2, INIT, SCAN, SENSE). It can be defined by A boosting period (BOOST) in which the voltages of the second and third nodes (DTG and DTS) increase may be included at the beginning of the emission period (EMIS).

제1 EM 신호(EM1)의 전압은 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 및 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 애노드 리셋 기간(AR) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제1 EM 신호(EM1)의 전압은 데이터 기입 기간(WR)에 게이트 온 전압(VGH), 또는 게이트 오프 전압(VGL)일 수 있다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the first EM signal (EM1) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), the sensing period (SEN), and the emission period (EMIS), and the gate-off voltage (VGL) during the anode reset period (AR). am. The voltage of the first EM signal EM1 may be the gate-on voltage (VGH) or the gate-off voltage (VGL) during the data writing period (WR). The first switch element T01 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the first EM signal EM1 and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the first EM signal EM1. .

제2 EM 신호(EM2)의 전압은 초기화 기간(INI), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 센싱 기간(SEN)과 데이터 기입 기간(WR) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제2 스위치 소자(T02)는 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the second EM signal (EM2) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), anode reset period (AR), and emission period (EMIS), and is the gate-on voltage (VGH) during the sensing period (SEN) and data writing period (WR). is the gate-off voltage (VGL). The second switch element T02 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second EM signal EM2 and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the second EM signal EM2. .

제1 스캔 신호(SCAN)의 전압은 데이터 기입 기간(WR) 동안 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)과 동기되는 게이트 온 전압(VGH)의 펄스로 발생되고, 그 이외의 기간(INI, SEN, AR, EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제3 스위치 소자(T03)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the first scan signal (SCAN) is generated as a pulse of gate-on voltage (VGH) synchronized with the data voltage (Vdata) of pixel data during the data writing period (WR), and is a gate-off voltage (VGL) during other periods (INI, SEN, AR, EMIS). The third switch element (T03) is turned on in response to the gate-on voltage (VGH) of the first scan signal (SCAN), and is turned off in response to the gate-off voltage (VGL) of the first scan signal (SCAN).

제2 스캔 신호(INIT)의 전압은 초기화 기간(INI)과 센싱 기간(SEN) 동안 게이트 온 전압(VGH)의 펄스로 발생되고, 그 이외의 다른 기간(WR, AR, EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제4 스위치 소자(T04)는 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다. The voltage of the second scan signal (INIT) is generated as a pulse of the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI) and the sensing period (SEN), and is a gate-off voltage during other periods (WR, AR, EMIS). (VGL). The fourth switch element T04 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the second scan signal INIT. .

제3 스캔 신호(SENSE)의 전압은 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 및 애노드 리셋 기간(AR) 동안 게이트 온 전압(VGH)이고, 발광 기간(EMIS) 동안 게이트 오프 전압(VGL)이다. 제5 스위치 소자(T05)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온되고, 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 오프 전압(VGL)에 따라 턴-오프된다.The voltage of the third scan signal (SENSE) is the gate-on voltage (VGH) during the initialization period (INI), sensing period (SEN), data writing period (WR), and anode reset period (AR), and the emission period (EMIS) is the gate-off voltage (VGL). The fifth switch element T05 is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the third scan signal SENSE and turned off in response to the gate-off voltage VGL of the third scan signal SENSE. .

초기화 기간(INI) 동안, 제2 노드(DTG)에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제3 노드(DTS)에 기준 전압(Vref)이 인가되어 제1 커패시터(Cst)와 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 초기화된다. 센싱 기간(SEN) 동안, 제2 스위치 소자(T02)가 턴-오프 되고 제5 스위치 소자(T05)가 턴-온 되기 때문에 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이의 전류 패스(current path)가 차단되고 발광 소자(EL)의 애노드 전극에 기준 전압(Vref)이 인가된다. 이로 인하여, 발광 소자(EL)의 잔류 전하를 제거할 수 있고, 저전위 전원 전압(ELVSS)의 리플(ripple)이 발광 소자(EL)의 애노드와 제3 노드(DTS)에 영향을 주는 현상을 방지할 수 있다. During the initialization period (INI), the initialization voltage (Vinit) is applied to the second node (DTG), and the reference voltage (Vref) is applied to the third node (DTS) to form the first capacitor (Cst) and the driving element (DT). The gate-source voltage (Vgs) is initialized. During the sensing period (SEN), the second switch element (T02) is turned off and the fifth switch element (T05) is turned on, so the current path between the third node (DTS) and the fourth node (n4) current path) is blocked and a reference voltage (Vref) is applied to the anode electrode of the light emitting element (EL). As a result, the residual charge of the light emitting device (EL) can be removed, and the phenomenon in which the ripple of the low potential power supply voltage (ELVSS) affects the anode and the third node (DTS) of the light emitting device (EL) can be prevented. It can be prevented.

센싱 기간(SEN) 기간 동안, 제3 노드(DTS)의 전압이 상승하여 제2 및 제3 노드들(DTG, DTS) 간의 전압 즉, 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 구동 소자(DT)가 턴-오프되고 그 문턱 전압(Vth)이 샘플링되어 제1 커패시터(Cst)에 저장된다. During the sensing period (SEN), the voltage of the third node (DTS) increases, so that the voltage between the second and third nodes (DTG, DTS), that is, the gate-source voltage (Vgs) of the driving element (DT) increases. When the threshold voltage (Vth) is reached, the driving element (DT) is turned off and the threshold voltage (Vth) is sampled and stored in the first capacitor (Cst).

데이터 기입 기간(WR) 동안, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가되어 제1 커패시터(Cst)에 충전된 전압이 구동 소자(DT)의 문턱 전압만큼 보상된 데이터 전압(Vdata)으로 변한다. During the data writing period (WR), the data voltage (Vdata) is applied to the second node (DTG), and the voltage charged in the first capacitor (Cst) is compensated to the data voltage (Vdata) by the threshold voltage of the driving element (DT). changes to

애노드 리셋 기간(AR) 동안, 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4)에 기준 전압(Vref)이 인가되어 저속 구동 모드에서 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs) 변동이 억제된다. During the anode reset period (AR), the reference voltage (Vref) is applied to the third node (DTS) and the fourth node (n4), so that the gate-source voltage (Vgs) of the driving element (DT) changes in the low-speed driving mode. It is suppressed.

부스팅 기간(BOOST) 동안, 제2 및 제3 노드들(DTG, DTS)의 전압이 발광 소자(EL)의 턴-온 전압까지 상승하는데, 이 때 스위치 소자(T02)가 턴-온 되어 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4)가 연결되고 동일 노드가 되므로 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이에 연결된 제2 커패시터(CA)의 영향을 받지 않고 부스팅 속도가 빨라지게 된다. During the boosting period (BOOST), the voltage of the second and third nodes (DTG, DTS) rises to the turn-on voltage of the light emitting device (EL), and at this time, the switch device (T02) turns on and turns on the third node (DTG, DTS). Since the node (DTS) and the fourth node (n4) are connected and become the same node, the boosting speed is increased without being affected by the second capacitor (CA) connected between the third node (DTS) and the fourth node (n4). do.

발광 기간(EMIS) 동안, 제1 정전압 라인(PL1)과 제2 정전압 라인(PL2) 사이에 전류 패스(Current path)가 형성되고, 픽셀 회로가 소스 팔로워(Source follower) 회로로 동작하여 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발생되는 전류에 의해 발광 소자(EL)가 구동된다. 발광 소자(EL)는 발광 기간(EMIS) 동안 부스팅 기간(BOOST) 후부터 구동 소자(DT)로부터의 전류에 따라 발광될 수 있다.During the emission period (EMIS), a current path is formed between the first constant voltage line (PL1) and the second constant voltage line (PL2), and the pixel circuit operates as a source follower circuit to drive the driving element ( The light emitting element (EL) is driven by a current generated according to the gate-source voltage (Vgs) of DT). The light emitting element EL may emit light according to the current from the driving element DT after the boosting period BOOST during the light emission period EMIS.

제1 및 제2 EM 신호(EM1, EM2)의 전압은 발광 단계(Tem)에서 저계조 표현력을 향상시키기 위하여, 게이트 온 전압(VGH)과 게이트 오프 전압(VGL) 사이에서 스윙 될 수 있다. 제1 및 제2 EM 신호(EM1, EM2)의 전압은 발광 기간(EMIS) 동안 미리 설정된 PWM(Pulse Width Modulation)로 설정된 듀티비(duty ratio)로 스윙될 수 있다.The voltages of the first and second EM signals EM1 and EM2 may swing between the gate-on voltage (VGH) and the gate-off voltage (VGL) to improve low gray level expression in the light emission stage (Tem). The voltages of the first and second EM signals EM1 and EM2 may swing at a duty ratio set to a preset pulse width modulation (PWM) during the emission period EMIS.

구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 전류를 발생하여 발광 소자(EL)를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제1 노드(DTD)에 연결된 제1 전극, 제2 노드(DTG)에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드(DTS)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The driving element (DT) generates a current according to the gate-source voltage (Vgs) to drive the light emitting element (EL). The driving element DT includes a first electrode connected to the first node DTD, a gate electrode connected to the second node DTG, and a second electrode connected to the third node DTS.

발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 이 전극들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제4 노드(n4)에 연결되고, 캐소드 전극은 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2)에 연결될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 커패시터(Cel)를 포함 할 수 있다. The light emitting element (EL) can be implemented as OLED. The light emitting element EL includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic compound layer formed between these electrodes. The anode electrode of the light emitting device EL may be connected to the fourth node n4, and the cathode electrode may be connected to the second constant voltage line PL2 to which the pixel base voltage EVSS is applied. The light emitting element (EL) may include a capacitor (Cel) formed between an anode electrode and a cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Light emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동하여 여기자가 형성된다. 이 때, 발광층(EML)으로부터 가시광이 방출된다. 발광 소자(EL)는 복수의 발광층들이 적층된 텐덤(Tandem) 구조로 구현될 수 있다. 텐덤 구조의 발광 소자(EL)는 픽셀의 휘도와 수명을 향상시킬 수 있다.The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer. , EIL), but is not limited thereto. When voltage is applied to the anode and cathode electrodes of the light emitting device (EL), holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) move to the light emitting layer (EML), forming excitons. At this time, visible light is emitted from the light emitting layer (EML). The light emitting device (EL) may be implemented in a tandem structure in which a plurality of light emitting layers are stacked. Tandem-structured light emitting elements (ELs) can improve the brightness and lifespan of pixels.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(DTG)와 제3 노드(DTS) 사이에 연결된다. 제1 커패시터(Cst)는 초기화 기간(INI)에 초기화된 후, 센싱 기간(SEN)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)을 저장한다. 제1 커패시터(Cst)는 데이터 기입 기간(WR)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상된 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)을 저장한 다음, 애노드 리셋 기간(AR)과 발광 기간(EMIS) 동안 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 유지한다. The first capacitor (Cst) is connected between the second node (DTG) and the third node (DTS). The first capacitor Cst is initialized in the initialization period INI and then stores the threshold voltage Vth of the driving element DT in the sensing period SEN. The first capacitor (Cst) stores the data voltage (Vdata) of the pixel data compensated by the threshold voltage (Vth) of the driving element (DT) in the data writing period (WR), and then stores the data voltage (Vdata) of the pixel data in the anode reset period (AR) and the light emission period. The voltage (Vgs) between the gate and source of the driving element (DT) is maintained during (EMIS).

제2 커패시터(CA)는 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이에 연결된다. 부스팅 기간(BOOST)에서 제2 스위치 소자(T02)가 턴-온 될 때, 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4)가 턴-온 될 제2 스위치 소자(T02)를 통해 단락(short circuit)되어 실질적으로 동일 노드가 되므로 제2 커패시터(CA)에 전하가 방전되고 추가로 전하가 충전되지 않는다. 따라서, 부스팅 기간(BOOST) 동안 제2 및 제3 노드들(DTG, DTS)의 전압 부스팅은 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이에 연결된 제2 커패시터(CA)의 영향을 받지 않는다. 그 결과, 제2 노드(DTG)와 제3 노드(DTS)의 전압 부스팅 속도가 빨라져 부스팅 기간(BOOST)이 단축된다.The second capacitor (CA) is connected between the third node (DTS) and the fourth node (n4). When the second switch element (T02) is turned on in the boosting period (BOOST), the third node (DTS) and the fourth node (n4) are shorted through the second switch element (T02) to be turned on. circuit) and become substantially the same node, the charge is discharged in the second capacitor (CA) and no additional charge is charged. Accordingly, the voltage boosting of the second and third nodes (DTG and DTS) during the boosting period (BOOST) is not affected by the second capacitor (CA) connected between the third node (DTS) and the fourth node (n4). No. As a result, the voltage boosting speed of the second node (DTG) and the third node (DTS) increases, thereby shortening the boosting period (BOOST).

부스팅 기간(BOOST)의 단축은 발광 소자(EL)의 전류량이 빠르게 증가되므로 제3 노드(DTS)의 전압 변화에 따른 발광 소자(EL)의 휘도 민감도가 감소된다. 그 결과, 구동 소자(DT)의 S-factor가 커지는 효과와 같은 효과를 얻을 수 있다. S-factor는 “sub-threshold slope"와 같은 의미로 해석될 수 있다. S-factor가 커질수록 저계조 영역에서의 화질 저하를 초래하는 구동 소자의 문턱 전압 및/또는 이동도 편차, 제1 커패시터(Cst)의 용량 편차, 정전압(EVDD, EVSS, Vinit, Vref) 편차 등에서 발광 소자(EL)의 휘도가 민감하게 변하지 않기 때문에 저계조에서 픽셀들의 휘도 및 색도가 균일하게 제어될 수 있다. Shortening the boosting period (BOOST) quickly increases the current amount of the light emitting device (EL), thereby reducing the luminance sensitivity of the light emitting device (EL) according to the voltage change of the third node (DTS). As a result, an effect similar to that of increasing the S-factor of the driving element DT can be obtained. S-factor can be interpreted as having the same meaning as “sub-threshold slope.” As S-factor increases, the threshold voltage and/or mobility deviation of the driving element, which causes deterioration of image quality in low grayscale areas, and the first capacitor Since the luminance of the light emitting element (EL) does not change sensitively due to the capacitance deviation of (Cst), constant voltage (EVDD, EVSS, Vinit, Vref) deviation, etc., the luminance and chromaticity of the pixels can be uniformly controlled in low gray levels.

부스팅 기간(BOOST)의 단축으로 인하여 발광 소자(EL)의 전류량이 빠르게 상승할 수 있다. 부스팅 기간(BOOST)의 단축은 저계조 즉, 픽셀이 저휘도로 구동될 때의 화질을 개선할 수 있을 뿐 아니라, 화질 저하 없이 데이터 전압(Vdata)이 낮아질 수 있으므로 표시장치의 소비 전력이 개선될 수 있다. Due to the shortening of the boosting period (BOOST), the current amount of the light emitting element (EL) can quickly increase. Shortening the boosting period (BOOST) can not only improve image quality at low gray levels, that is, when pixels are driven at low brightness, but also improve power consumption of the display device because the data voltage (Vdata) can be lowered without deteriorating image quality. You can.

제1 스위치 소자(T01)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)과, 제1 노드(DTD) 사이에 연결되어 제1 EM 신호(EM1)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제1 스위치 소자(T01)가 턴-온 될 때, 픽셀 구동 전압(EVDD)이 제1 노드(DTD)에 인가된다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 EM 신호(EM1)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제1 스위치 소자(T01)는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, 제1 EM 신호(EM1)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(DTD)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element T01 is connected between the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied and the first node DTD to set the gate-on voltage VGH of the first EM signal EM1. It turns on in response. When the first switch element T01 is turned on, the pixel driving voltage EVDD is applied to the first node DTD. The first switch element T01 is in an off state when the voltage of the first EM signal EM1 is the gate-off voltage VGL. The first switch element T01 includes a first electrode connected to the first constant voltage line PL1, a gate electrode connected to the first gate line GL1 to which the first EM signal EM1 is applied, and a first node DTD. It includes a second electrode connected to.

제2 스위치 소자(T02)는 제3 노드(DTS)와 제4 노드(n4) 사이에 연결되어 제2 EM 신호(EM2)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제2 스위치 소자(T02)가 턴-온 될 때, 제3 노드(DTS)가 제4 노드(n4)에 연결된다. 제2 스위치 소자(T02)는 제2 EM 신호(EM2)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제2 스위치 소자(T02)는 제3 노드(DTS)에 연결된 제1 전극, 제2 EM 신호(EM2)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The second switch element T02 is connected between the third node DTS and the fourth node n4 and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second EM signal EM2. When the second switch element T02 is turned on, the third node DTS is connected to the fourth node n4. The second switch element T02 is in an off state when the voltage of the second EM signal EM2 is the gate-off voltage VGL. The second switch element T02 is connected to a first electrode connected to the third node DTS, a gate electrode connected to the second gate line GL2 to which the second EM signal EM2 is applied, and a fourth node n4. It includes a connected second electrode.

제3 스위치 소자(T03)는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제3 스위치 소자(T03)가 턴-온 될 때, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제3 스위치 소자(T03)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제3 스위치 소자(T03)는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 제1 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The third switch element (T03) is connected between the data line (DL) to which the data voltage (Vdata) of the pixel data is applied and the second node (DTG) and is connected to the gate-on voltage (VGH) of the first scan signal (SCAN). It turns on in response. When the third switch element T03 is turned on, the data voltage Vdata is applied to the second node DTG. The third switch element T03 is in an off state when the voltage of the first scan signal SCAN is the gate-off voltage VGL. The third switch element T03 includes a first electrode connected to the data line DL, a gate electrode connected to the third gate line GL3 to which the first scan signal SCAN is applied, and a second node connected to DTG. Includes a second electrode.

제4 스위치 소자(T04)는 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3)과, 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제4 스위치 소자(T04)가 턴-온 될 때, 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제4 스위치 소자(T04)는 제2 스캔 신호(INIT)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제4 스위치 소자(T04)는 제3 정전압 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 제2 스캔 신호(INIT)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The fourth switch element T04 is connected between the third constant voltage line PL3 to which the initialization voltage Vinit is applied and the second node DTG and is connected to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT. It turns on in response. When the fourth switch element T04 is turned on, the initialization voltage Vinit is applied to the second node DTG. The fourth switch element T04 is in an off state when the voltage of the second scan signal INIT is the gate-off voltage VGL. The fourth switch element T04 includes a first electrode connected to the third constant voltage line PL3, a gate electrode connected to the fourth gate line GL4 to which the second scan signal INIT is applied, and a second node DTG. It includes a second electrode connected to.

제5 스위치 소자(T05)는 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4)과, 제4 노드(n4) 사이에 연결되어 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제5 스위치 소자(T05)가 턴-온 될 때, 기준 전압(Vref)이 제4 노드(n4)에 인가된다. 제5 스위치 소자(T05)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제5 스위치 소자(T05)는 제4 정전압 라인(PL4)에 연결된 제1 전극, 제3 스캔 신호(SENSE)가 인가되는 제5 게이트 라인(GL5)에 연결된 게이트 전극, 및 제4 노드(n4)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The fifth switch element (T05) is connected between the fourth constant voltage line (PL4) to which the reference voltage (Vref) is applied and the fourth node (n4) and is connected to the gate-on voltage (VGH) of the third scan signal (SENSE). It turns on in response. When the fifth switch element T05 is turned on, the reference voltage Vref is applied to the fourth node n4. The fifth switch element T05 is in an off state when the voltage of the third scan signal SENSE is the gate-off voltage VGL. The fifth switch element T05 includes a first electrode connected to the fourth constant voltage line PL4, a gate electrode connected to the fifth gate line GL5 to which the third scan signal SENSE is applied, and a fourth node n4. It includes a second electrode connected to.

도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 픽셀 회로들을 보여 주는 회로도들이다. 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로에서 전술한 실시예의 픽셀 회로와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 10 and 11 are circuit diagrams showing pixel circuits according to another embodiment of the present invention. In the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11, components that are substantially the same as those of the pixel circuit in the above-described embodiment will be assigned the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 10을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(T11~T14), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(Ca)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(T11~T14)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 10, the pixel circuit includes a light-emitting element (EL), a driving element (DT) for driving the light-emitting element (EL), a plurality of switch elements (T11 to T14), a first capacitor (Cst), and a second Contains a capacitor (Ca). The driving element (DT) and switch elements (T11 to T14) can be implemented as n-channel oxide TFT.

픽셀 회로는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 게이트 신호들(EM, INIT, SCAN, SENSE)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL4)에 연결된다. 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1), 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4), 정전압(Vdc)이 인가되는 제5 정전압 라인(PL5) 등 직류 전압(또는 정전압)이 인가되는 전원 라인들에 연결된다. 표시패널(100) 상에서 정전압 라인들이 연결된 전원 라인들은 모든 픽셀들에 공통으로 연결될 수 있다. 정전압(Vdc)은 픽셀 구동 전압(EVDD)으로 대체될 수 있다. 이 경우, 제2 커패시터(Ca)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결되기 때문에 제5 정전압 라인(PL5)이 생략될 수 있다. The pixel circuit is connected to a data line (DL) to which the data voltage (Vdata) of pixel data is applied and to gate lines (GL1 to GL4) to which gate signals (EM, INIT, SCAN, and SENSE) are applied. The pixel circuit includes a first constant voltage line (PL1) to which the pixel driving voltage (EVDD) is applied, a second constant voltage line (PL2) to which the pixel base voltage (EVSS) is applied, and a third constant voltage line to which the initialization voltage (Vinit) is applied ( It is connected to power lines to which a direct current voltage (or constant voltage) is applied, such as PL3), a fourth constant voltage line (PL4) to which a reference voltage (Vref) is applied, and a fifth constant voltage line (PL5) to which a constant voltage (Vdc) is applied. Power lines to which constant voltage lines are connected on the display panel 100 may be commonly connected to all pixels. Constant voltage (Vdc) can be replaced with pixel driving voltage (EVDD). In this case, since the second capacitor Ca is connected to the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied, the fifth constant voltage line PL5 may be omitted.

게이트 신호들(EM, INIT, SCAN, SENSE)은 EM 신호(EM), 제1 스캔 신호(SCAN), 제2 스캔 신호(INIT), 및 제3 스캔 신호(SENSE)를 포함한다. EM 신호(EM1)는 제1 게이트 신호, 제1 스캔 신호(SCAN)는 제2 게이트 신호, 제2 스캔 신호(INIT)는 제3 게이트 신호, 그리고 제3 스캔 신호(SENSE)는 제4 게이트 신호로 각각 해석될 수 있다. The gate signals (EM, INIT, SCAN, SENSE) include an EM signal (EM), a first scan signal (SCAN), a second scan signal (INIT), and a third scan signal (SENSE). The EM signal (EM1) is the first gate signal, the first scan signal (SCAN) is the second gate signal, the second scan signal (INIT) is the third gate signal, and the third scan signal (SENSE) is the fourth gate signal. Each can be interpreted as:

도 10에 도시된 픽셀 회로의 구동 기간은 전술한 바와 같이, 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)으로 나뉘어질 수 있다. 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)은 게이트 신호들(EM, INIT, SCAN, SENSE)의 파형에 의해 정의될 수 있다. As described above, the driving period of the pixel circuit shown in FIG. 10 is divided into an initialization period (INI), a sensing period (SEN), a data writing period (WR), an anode reset period (AR), and an emission period (EMIS). You can lose. The initialization period (INI), sensing period (SEN), data writing period (WR), anode reset period (AR), and emission period (EMIS) are defined by the waveforms of the gate signals (EM, INIT, SCAN, SENSE). It can be.

발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제3 노드(DTS)에 연결되고, 캐소드 전극은 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2)에 연결될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 커패시터(Cel)를 포함한다. The anode electrode of the light emitting device EL may be connected to the third node DTS, and the cathode electrode may be connected to the second constant voltage line PL2 to which the pixel base voltage EVSS is applied. The light emitting element (EL) includes a capacitor (Cel) formed between an anode electrode and a cathode electrode.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(DTG)와 제3 노드(DTS) 사이에 연결된다. 제2 커패시터(Ca)는 제5 정전압 라인(PL5)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결되거나, 제1 정전압 라인(PL1)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결될 수 있다. The first capacitor (Cst) is connected between the second node (DTG) and the third node (DTS). The second capacitor Ca may be connected between the fifth constant voltage line PL5 and the third node DTS, or between the first constant voltage line PL1 and the third node DTS.

제1 스위치 소자(T11)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)과, 제1 노드(DTD) 사이에 연결되어 EM 신호(EM)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제1 스위치 소자(T11)는 EM 신호(EM)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. EM 신호(EM)는 도 7에 도시된 제1 EM 신호(EM1)로 적용될 수 있다. 제1 스위치 소자(T11)는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결된 제1 전극, EM 신호(EM)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 및 제1 노드(DTD)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element T11 is connected between the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied and the first node DTD and responds to the gate-on voltage VGH of the EM signal EM. It turns on. The first switch element T11 is in an off state when the voltage of the EM signal EM is the gate-off voltage VGL. The EM signal (EM) may be applied as the first EM signal (EM1) shown in FIG. 7. The first switch element T11 includes a first electrode connected to the first constant voltage line PL1, a gate electrode connected to the first gate line GL1 to which the EM signal EM is applied, and a first node connected to DTD. Includes a second electrode.

제2 스위치 소자(T12)는 데이터 라인(DL)과 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 도 7에 도시된 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제2 스위치 소자(T12)가 턴-온될 때, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제2 스위치 소자(T12)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제2 스위치 소자(T12)는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 제1 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The second switch element T12 is connected between the data line DL and the second node DTG and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the first scan signal SCAN shown in FIG. 7. . When the second switch element T12 is turned on, the data voltage Vdata is applied to the second node DTG. The second switch element T12 is in an off state when the voltage of the first scan signal SCAN is the gate-off voltage VGL. The second switch element T12 includes a first electrode connected to the data line DL, a gate electrode connected to the second gate line GL2 to which the first scan signal SCAN is applied, and a second node connected to DTG. Includes a second electrode.

제3 스위치 소자(T13)는 제3 정전압 라인(PL3)과 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 도 7에 도시된 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제3 스위치 소자(T13)가 턴-온될 때, 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제3 스위치 소자(T13)는 제2 스캔 신호(INIT)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제3 스위치 소자(T13)는 제3 정전압 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 제2 스캔 신호(INIT)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The third switch element T13 is connected between the third constant voltage line PL3 and the second node DTG and turns on in response to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT shown in FIG. 7. It comes on. When the third switch element T13 is turned on, the initialization voltage Vinit is applied to the second node DTG. The third switch element T13 is in an off state when the voltage of the second scan signal INIT is the gate-off voltage VGL. The third switch element T13 includes a first electrode connected to the third constant voltage line PL3, a gate electrode connected to the third gate line GL3 to which the second scan signal INIT is applied, and a second node DTG. It includes a second electrode connected to.

제4 스위치 소자(T14)는 제4 정전압 라인(PL4)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결되어 도 7에 도시된 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제4 스위치 소자(T14)가 턴-온될 때, 기준 전압(Vref)이 제3 노드(DTS)에 인가된다. 제4 스위치 소자(T14)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제4 스위치 소자(T14)는 제4 정전압 라인(PL4)에 연결된 제1 전극, 제3 스캔 신호(SENSE)가 인가되는 제4 게이트 라인(GL4)에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드(DTS)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The fourth switch element T14 is connected between the fourth constant voltage line PL4 and the third node DTS and turns on in response to the gate-on voltage VGH of the third scan signal SENSE shown in FIG. 7. It comes on. When the fourth switch element T14 is turned on, the reference voltage Vref is applied to the third node DTS. The fourth switch element T14 is in an off state when the voltage of the third scan signal SENSE is the gate-off voltage VGL. The fourth switch element T14 includes a first electrode connected to the fourth constant voltage line PL4, a gate electrode connected to the fourth gate line GL4 to which the third scan signal SENSE is applied, and a third node DTS. It includes a second electrode connected to.

도 11을 참조하면, 픽셀 회로는 발광 소자(EL), 발광 소자(EL)를 구동하는 구동 소자(DT), 복수의 스위치 소자들(T1~T3), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(Ca)를 포함한다. 구동 소자(DT)와 스위치 소자들(T1~T3)은 n 채널 Oxide TFT로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 11, the pixel circuit includes a light-emitting element (EL), a driving element (DT) for driving the light-emitting element (EL), a plurality of switch elements (T1 to T3), a first capacitor (Cst), and a second Contains a capacitor (Ca). The driving element (DT) and switch elements (T1 to T3) can be implemented as n-channel oxide TFT.

픽셀 회로는 픽셀 데이터의 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 데이터 라인(DL)과, 게이트 신호들(INIT, SCAN, SENSE)이 인가되는 게이트 라인들(GL1~GL3)에 연결된다. 픽셀 회로는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1), 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2), 초기화 전압(Vinit)이 인가되는 제3 정전압 라인(PL3), 기준 전압(Vref)이 인가되는 제4 정전압 라인(PL4), 정전압(Vdc)이 인가되는 제5 정전압 라인(PL5) 등 직류 전압(또는 정전압)이 인가되는 전원 라인들에 연결된다. 표시패널(100) 상에서 정전압 라인들이 연결된 전원 라인들은 모든 픽셀들에 공통으로 연결될 수 있다. 정전압(Vdc)은 픽셀 구동 전압(EVDD)으로 대체될 수 있다. 이 경우, 제2 커패시터(Ca)는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제1 정전압 라인(PL1)에 연결되기 때문에 제5 정전압 라인(PL5)이 생략될 수 있다. The pixel circuit is connected to a data line (DL) to which a data voltage (Vdata) of pixel data is applied, and gate lines (GL1 to GL3) to which gate signals (INIT, SCAN, and SENSE) are applied. The pixel circuit includes a first constant voltage line (PL1) to which the pixel driving voltage (EVDD) is applied, a second constant voltage line (PL2) to which the pixel base voltage (EVSS) is applied, and a third constant voltage line to which the initialization voltage (Vinit) is applied ( It is connected to power lines to which a direct current voltage (or constant voltage) is applied, such as PL3), a fourth constant voltage line (PL4) to which a reference voltage (Vref) is applied, and a fifth constant voltage line (PL5) to which a constant voltage (Vdc) is applied. Power lines to which constant voltage lines are connected on the display panel 100 may be commonly connected to all pixels. Constant voltage (Vdc) can be replaced with pixel driving voltage (EVDD). In this case, since the second capacitor Ca is connected to the first constant voltage line PL1 to which the pixel driving voltage EVDD is applied, the fifth constant voltage line PL5 may be omitted.

게이트 신호들(INIT, SCAN, SENSE)은 제1 스캔 신호(SCAN), 제2 스캔 신호(INIT), 및 제3 스캔 신호(SENSE)를 포함한다. 제1 스캔 신호(SCAN)는 제1 게이트 신호, 제2 스캔 신호(INIT)는 제2 게이트 신호, 그리고 제3 스캔 신호(SENSE)는 제3 게이트 신호로 각각 해석될 수 있다. The gate signals INIT, SCAN, and SENSE include a first scan signal SCAN, a second scan signal INIT, and a third scan signal SENSE. The first scan signal SCAN can be interpreted as a first gate signal, the second scan signal INIT can be interpreted as a second gate signal, and the third scan signal SENSE can be interpreted as a third gate signal.

도 11에 도시된 픽셀 회로의 구동 기간은 전술한 바와 같이, 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)으로 나뉘어질 수 있다. 초기화 기간(INI), 센싱 기간(SEN), 데이터 기입 기간(WR), 애노드 리셋 기간(AR), 및 발광 기간(EMIS)은 게이트 신호들(INIT, SCAN, SENSE)의 파형에 의해 정의될 수 있다. As described above, the driving period of the pixel circuit shown in FIG. 11 is divided into an initialization period (INI), a sensing period (SEN), a data writing period (WR), an anode reset period (AR), and an emission period (EMIS). You can lose. The initialization period (INI), sensing period (SEN), data write period (WR), anode reset period (AR), and emission period (EMIS) can be defined by the waveforms of the gate signals (INIT, SCAN, SENSE). there is.

발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제3 노드(DTS)에 연결되고, 캐소드 전극은 픽셀 기저 전압(EVSS)이 인가되는 제2 정전압 라인(PL2)에 연결될 수 있다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 커패시터(Cel)를 포함한다. The anode electrode of the light emitting device EL may be connected to the third node DTS, and the cathode electrode may be connected to the second constant voltage line PL2 to which the pixel base voltage EVSS is applied. The light emitting element (EL) includes a capacitor (Cel) formed between an anode electrode and a cathode electrode.

제1 커패시터(Cst)는 제2 노드(DTG)와 제3 노드(DTS) 사이에 연결된다. 제2 커패시터(Ca)는 제5 정전압 라인(PL5)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결되거나, 제1 정전압 라인(PL1)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결될 수 있다. The first capacitor (Cst) is connected between the second node (DTG) and the third node (DTS). The second capacitor Ca may be connected between the fifth constant voltage line PL5 and the third node DTS, or between the first constant voltage line PL1 and the third node DTS.

제1 스위치 소자(T1)는 데이터 라인(DL)과 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제1 스캔 신호(SCAN)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제1 스위치 소자(T1)가 턴-온 될 때, 데이터 전압(Vdata)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제1 스위치 소자(T1)는 제1 스캔 신호(SCAN)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제1 스위치 소자(T1)는 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 전극, 제1 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element T1 is connected between the data line DL and the second node DTG and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the first scan signal SCAN. When the first switch element T1 is turned on, the data voltage Vdata is applied to the second node DTG. The first switch element T1 is in an off state when the voltage of the first scan signal SCAN is the gate-off voltage VGL. The first switch element T1 includes a first electrode connected to the data line DL, a gate electrode connected to the first gate line GL1 to which the first scan signal SCAN is applied, and a second node connected to the DTG. Includes a second electrode.

제2 스위치 소자(T2)는 제3 정전압 라인(PL3)과 제2 노드(DTG) 사이에 연결되어 제2 스캔 신호(INIT)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 제2 스위치 소자(T2)가 턴-온 될 때, 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(DTG)에 인가된다. 제2 스위치 소자(T2)는 제2 스캔 신호(INIT)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제2 스위치 소자(T2)는 제3 정전압 라인(PL3)에 연결된 제1 전극, 제2 스캔 신호(INIT)가 인가되는 제2 게이트 라인(GL2)에 연결된 게이트 전극, 및 제2 노드(DTG)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The second switch element T2 is connected between the third constant voltage line PL3 and the second node DTG and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the second scan signal INIT. When the second switch element T2 is turned on, the initialization voltage Vinit is applied to the second node DTG. The second switch element T2 is in an off state when the voltage of the second scan signal INIT is the gate-off voltage VGL. The second switch element T2 includes a first electrode connected to the third constant voltage line PL3, a gate electrode connected to the second gate line GL2 to which the second scan signal INIT is applied, and a second node DTG. It includes a second electrode connected to.

제3 스위치 소자(T3)는 제4 정전압 라인(PL4)과 제3 노드(DTS) 사이에 연결되어 제3 스캔 신호(SENSE)의 게이트 온 전압(VGH)에 응답하여 턴-온 된다. 제3 스위치 소자(T3)가 턴-온 될 때, 기준 전압(Vref)이 제3 노드(DTS)에 인가된다. 제3 스위치 소자(T3)는 제3 스캔 신호(SENSE)의 전압이 게이트 오프 전압(VGL)일 때 오프 상태이다. 제3 스위치 소자(T3)는 제4 정전압 라인(PL4)에 연결된 제1 전극, 제3 스캔 신호(SENSE)가 인가되는 제3 게이트 라인(GL3)에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드(DTS)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The third switch element T3 is connected between the fourth constant voltage line PL4 and the third node DTS and is turned on in response to the gate-on voltage VGH of the third scan signal SENSE. When the third switch element T3 is turned on, the reference voltage Vref is applied to the third node DTS. The third switch element T3 is in an off state when the voltage of the third scan signal SENSE is the gate-off voltage VGL. The third switch element T3 includes a first electrode connected to the fourth constant voltage line PL4, a gate electrode connected to the third gate line GL3 to which the third scan signal SENSE is applied, and a third node DTS. It includes a second electrode connected to.

도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로들의 경우, 구동 소자(DT)와 발광 소자(EL) 사이에 스위치 소자가 없다. 이 경우, 데이터 기입 기간(WR) 동안 제3 노드(DTS)에 제2 커패시터(Ca)와 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel)가 연결되기 때문에 이 커패시터들(Ca, Cel)이 데이터 전압(Vdata)의 전달률에 영향을 끼친다. 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로들의 경우, 수학식 1에서 CDTS_hold로 표현될 수 있다. In the case of the pixel circuits shown in FIGS. 10 and 11, there is no switch element between the driving element (DT) and the light emitting element (EL). In this case, since the second capacitor (Ca) and the capacitor (Cel) of the light emitting element (EL) are connected to the third node (DTS) during the data writing period (WR), these capacitors (Ca, Cel) are connected to the data voltage ( It affects the transfer rate of Vdata). For the pixel circuits shown in FIGS. 10 and 11, C DTS_hold in Equation 1 is It can be expressed as

발광 소자(EL)의 크기는 서브 픽셀들(R, G, B)의 크기 내에서 제한된다. 따라서, 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel)는 서브 픽셀들(R, G, B)의 개구율에 영향을 받는다. 서브 픽셀들(R, G, B)의 개구율은 발광 소자(EL)의 수명을 감안하여 컬러별로 상이하게 적용된다. 서브 픽셀들(R, G, B)에서 수명이 가장 우려가 되는 청색 서브 픽셀(B)이 다른 컬러들의 서브 픽셀들 보다 크다. 따라서, 청색 서브 픽셀(B)에 형성된 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel)의 용량이 다른 컬러의 서브 픽셀들(R, B) 보다 크다. 예를 들어, 색온도 6500K에서 적색 : 녹색 : 청색에서 서브 픽셀들의 개구율 비는 1 : 3~4 : 5~6 일 수 있다. 이러한 컬러별 서브 픽셀의 개구율 비에 따라 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel)의 용량은 적색 서브 픽셀(R), 녹색 서브 픽셀(G), 및 청색 서브 픽셀(B) 순으로 크게 된다. 따라서, 적색 서브 픽셀(R)이 다른 컬러의 서브 픽셀들(G, B)에 비해 발광 소자(EL)의 커패시터(Cel) 용량이 작기 때문에 데이터 전압의 전달 손실이 커질 수 있다. The size of the light emitting element (EL) is limited within the size of the subpixels (R, G, B). Accordingly, the capacitor Cel of the light emitting element EL is affected by the aperture ratio of the subpixels R, G, and B. The aperture ratio of the subpixels (R, G, B) is applied differently for each color in consideration of the lifespan of the light emitting element (EL). Among the subpixels (R, G, B), the blue subpixel (B), whose lifespan is of greatest concern, is larger than subpixels of other colors. Accordingly, the capacity of the capacitor Cel of the light emitting element EL formed in the blue subpixel B is larger than that of the subpixels R and B of other colors. For example, at a color temperature of 6500K, the aperture ratio of subpixels in red:green:blue may be 1:3~4:5~6. According to the aperture ratio of the subpixels for each color, the capacity of the capacitor Cel of the light emitting element EL increases in the following order: red subpixel (R), green subpixel (G), and blue subpixel (B). Accordingly, since the capacitor Cel of the light emitting element EL of the red subpixel R is smaller than that of the subpixels G and B of other colors, the transmission loss of the data voltage may increase.

도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로들의 경우, 컬러별 상이한 서브 픽셀의 개구율을 고려하여 제2 커패시터(Ca)의 용량은 청색 서브 픽셀(B), 녹색 서브 픽셀(G), 및 적색 서브 픽셀(R) 순으로 크게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로가 적용된 서브 픽셀들(R, G, B)에서 제2 커패시터(Ca)의 용량이 적색 : 녹색 : 청색에서 2 : 1.5 : 1 로 차등 적용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 색온도값이 다를 때 위 비율은 달라질 수 있다. In the case of the pixel circuits shown in FIGS. 10 and 11, considering the aperture ratio of different subpixels for each color, the capacity of the second capacitor (Ca) is the blue subpixel (B), green subpixel (G), and red subpixel. It is desirable to increase in order of (R). For example, in the subpixels (R, G, B) to which the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11 is applied, the capacity of the second capacitor (Ca) is differentially applied in red: green: blue at 2:1.5:1. However, it is not limited to this. The above ratio may vary when color temperature values are different.

도 12는 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로가 적용된 서브 픽셀들의 컬러별 제2 커패시터를 보여 주는 평면도이다. 도 13은 도 12에서 선 “B-B'”을 따라 절취한 제2 커패시터의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. FIG. 12 is a plan view showing second capacitors for each color of subpixels to which the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11 is applied. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the second capacitor taken along the line “B-B'” in FIG. 12.

도 12 및 도 13을 참조하면, 표시패널(100)은 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 12 and 13 , the display panel 100 may include second capacitors Ca1, Ca2, and Ca3.

제1 금속층의 패턴(Mb)은 서브 픽셀들(R, G, B)에 끊기지 않고 연결되어 서브 픽셀들(R, G, B) 간에 공유되는 제2 커패시터들(Ca1, Ca2, Ca3)의 공통 전극(또는 하부 전극)이다. 제1 금속층의 패턴(Mb)에 정전압(Vdc)이나 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가된다. 따라서, 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로에서 제1 금속층의 패턴(Mb)은 정전압(Vdc)이 인가되는 정전압 라인, 또는 픽셀 구동 전압(EVDD)이 인가되는 정전압 라인을 포함한다. The pattern Mb of the first metal layer is connected to the subpixels R, G, and B without interruption, and the common capacitors Ca1, Ca2, and Ca3 are shared between the subpixels R, G, and B. It is an electrode (or lower electrode). A constant voltage (Vdc) or a pixel driving voltage (EVDD) is applied to the pattern (Mb) of the first metal layer. Accordingly, in the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11 , the pattern Mb of the first metal layer includes a constant voltage line to which the constant voltage Vdc is applied, or a constant voltage line to which the pixel driving voltage EVDD is applied.

제2 금속층의 패턴(Ma1, Ma2, Ma3)은 이웃한 서브 픽셀들(R, G, B) 간에 분리된 독립적인 패턴 또는 아일랜드 패턴(Island pattern)으로 형성된다. 제2 금속층의 패턴(Ma1, Ma2, Ma3)은 적색 서브 픽셀(R)에 배치된 제2-1 커패시터 전극(또는 상부 전극)(Ma1), 녹색 서브 픽셀(G)에 배치된 제2-2 커패시터 전극(Ma2), 및 청색 서브 픽셀(B)에 배치된 제2-3 커패시터 전극(Ma3)으로 나뉘어진다. The patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer are formed as independent patterns or island patterns separated between neighboring subpixels (R, G, B). The patterns (Ma1, Ma2, Ma3) of the second metal layer include a 2-1 capacitor electrode (or upper electrode) (Ma1) disposed in the red subpixel (R), and a 2-2 disposed in the green subpixel (G). It is divided into a capacitor electrode (Ma2) and a second-third capacitor electrode (Ma3) disposed in the blue subpixel (B).

제2-1 커패시터 전극(Ma1)은 적색 서브 픽셀(R) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. 제2-2 커패시터 전극(Ma2)은 녹색 서브 픽셀(G) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. 제2-3 커패시터 전극(Ma3)은 청색 서브 픽셀(B) 내에서 제2 절연층(INS2)을 사이에 두고 제1 금속층의 패턴(Mb)과 중첩되어 제1 금속층의 패턴(Mb)과 대면한다. The 2-1 capacitor electrode Ma1 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the red subpixel R with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do. The 2-2 capacitor electrode Ma2 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the green subpixel G with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do. The 2-3 capacitor electrode Ma3 overlaps the pattern Mb of the first metal layer within the blue subpixel B with the second insulating layer INS2 in between and faces the pattern Mb of the first metal layer. do.

제2-1 커패시터 전극(Ma1)은 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로에서 적색 서브 픽셀(R)의 제3 노드(DTS)를 포함한다. 제2-2 커패시터 전극(Ma2)은 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로에서 녹색 서브 픽셀(G)의 제3 노드(DTS)를 포함한다. 제2-3 커패시터 전극(Ma3)은 도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로에서 청색 서브 픽셀(B)의 제3 노드(DTS)를 포함한다.The 2-1 capacitor electrode Ma1 includes the third node DTS of the red subpixel R in the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11. The 2-2 capacitor electrode Ma2 includes the third node DTS of the green subpixel G in the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11. The 2-3 capacitor electrode Ma3 includes the third node DTS of the blue subpixel B in the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11.

도 10 및 도 11에 도시된 픽셀 회로가 적용된 서브 픽셀들(R, G, B)의 경우, 청색 서브 픽셀(B), 녹색 서브 픽셀(G), 및 적색 서브 픽셀(R) 순으로 커패시터 전극들의 크기가 커질 수 있다. 다시 말하여, 제2-1 커패시터 전극(Ma1)이 제2-2 및 제2-3 커패시터 전극들(Ma2, Ma3) 보다 크고, 제2-2 커패시터 전극(Ma2)이 제2-3 커패시터 전극(Ma3) 보다 크기가 클 수 있다.In the case of the subpixels (R, G, B) to which the pixel circuit shown in FIGS. 10 and 11 is applied, the capacitor electrode is applied to the blue subpixel (B), green subpixel (G), and red subpixel (R) in that order. Their size may increase. In other words, the 2-1 capacitor electrode Ma1 is larger than the 2-2 and 2-3 capacitor electrodes Ma2 and Ma3, and the 2-2 capacitor electrode Ma2 is larger than the 2-3 capacitor electrode Ma2. It may be larger than (Ma3).

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다. Since the contents of the specification described in the problem to be solved, the means to solve the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the specification.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

100: 표시패널 110: 데이터 구동부
120: 게이트 구동부 130: 타이밍 콘트롤러
140: 전원부 R: 적색 서브 픽셀
G: 녹색 서브 픽셀 B: 청색 서브 픽셀
C1: 제1 커패시터 Ca: 제2 커패시터
Mb: 제1 금속층의 패턴
Ma1, Ma2, Ma3: 제2 금속층의 패턴(커패시터 전극)
INS1, INS2, INS3: 절연층 EL: 발광 소자
DT: 구동 소자
T01~T05, T11~T14, T1~T3: 스위치 소자
INI: 초기화 기간 SEN: 센싱 기간
WR: 데이터 기입 기간 AR: 애노드 리셋 기간
EMIS: 발광 기간
100: display panel 110: data driver
120: Gate driver 130: Timing controller
140: Power supply R: Red subpixel
G: Green subpixel B: Blue subpixel
C1: first capacitor Ca: second capacitor
Mb: Pattern of the first metal layer
Ma1, Ma2, Ma3: Pattern of the second metal layer (capacitor electrode)
INS1, INS2, INS3: Insulating layer EL: Light emitting element
DT: driving element
T01~T05, T11~T14, T1~T3: Switch elements
INI: Initialization period SEN: Sensing period
WR: data writing period AR: anode reset period
EMIS: Emission Period

Claims (22)

제1 컬러의 서브 픽셀;
제2 컬러의 서브 픽셀; 및
제3 컬러의 서브 픽셀을 포함하고,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은,
제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자;
제4 노드에 연결된 애노드 전극을 포함하고, 상기 구동 소자로부터의 전류에 의해 구동되는 발광 소자;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터; 및
정전압이 인가되는 정전압 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되거나, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함하고,
상기 서브 픽셀들의 컬러별로 상기 제2 커패시터의 용량이 서로 다른 표시패널.
A subpixel of a first color;
a subpixel of a second color; and
comprising subpixels of a third color,
Each of the first to third color subpixels is,
A driving element including a first electrode connected to a first node, a gate electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node;
a light emitting element including an anode electrode connected to a fourth node and driven by current from the driving element;
a first capacitor connected between the second node and the third node; and
A second capacitor connected between a constant voltage node to which a constant voltage is applied and the third node, or connected between the third node and the fourth node,
A display panel wherein the capacity of the second capacitor is different for each color of the subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자; 및
상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자를 더 포함하고,
상기 제2 커패시터는,
상기 제1 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터;
상기 제2 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터; 및
상기 제3 컬러의 서브 픽셀은 제2-3 커패시터를 포함하고,
상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색이며,
상기 제2-3 커패시터의 용량이 상기 제2-1 및 제2-2 커패시터들 각각의 용량 보다 크고,
상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-1 커패시터의 용량 보다 큰 표시패널.
According to claim 1,
Each of the first to third color subpixels is,
a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node; and
Further comprising a second switch element including a first electrode connected to the third node, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node,
The second capacitor is,
a 2-1 capacitor disposed in the first color subpixel;
a 2-2 capacitor disposed in the second color subpixel; and
The third color subpixel includes second-third capacitors,
The first color is red, the second color is green, and the third color is blue,
The capacity of the 2-3 capacitor is greater than the capacity of each of the 2-1 and 2-2 capacitors,
A display panel in which the capacity of the 2-2 capacitor is greater than the capacity of the 2-1 capacitor.
제 2 항에 있어서,
제1 절연층 상에 배치되어 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들에 연결된 제1 금속층의 패턴;
상기 제1 금속층의 패턴과 상기 제1 절연층을 덮는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상에 배치되어 상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각에 배치되어 상기 서브 픽셀들 간에 분리되는 제2 금속층의 패턴들;
상기 제2 금속층의 패턴들과 상기 제2 절연층을 덮는 제3 절연층을 더 포함하고,
상기 제2 금속층의 패턴들은,
상기 제1 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터 전극;
상기 제2 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터 전극; 및
상기 제3 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-3 커패시터 전극을 포함하고,
상기 제2-3 커패시터 전극이 상기 제2-1 및 제2-2 커패시터 전극들 각각의 크기 보다 크고,
상기 제2-2 커패시터 전극이 상기 제2-1 커패시터 전극 보다 큰 표시패널.
According to claim 2,
A pattern of a first metal layer disposed on a first insulating layer and connected to the first to third color subpixels;
a second insulating layer covering the pattern of the first metal layer and the first insulating layer;
Patterns of a second metal layer disposed on the second insulating layer and in each of the first to third color subpixels and separated between the subpixels;
Further comprising a third insulating layer covering the patterns of the second metal layer and the second insulating layer,
The patterns of the second metal layer are,
a 2-1 capacitor electrode disposed in the first color subpixel;
a 2-2 capacitor electrode disposed in the second color subpixel; and
Includes 2-3 capacitor electrodes disposed in the third color subpixel,
The 2-3 capacitor electrode is larger than each of the 2-1 and 2-2 capacitor electrodes,
A display panel in which the 2-2 capacitor electrode is larger than the 2-1 capacitor electrode.
제 2 항에 있어서,
상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다른 표시패널.
According to claim 2,
A display panel wherein the constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors is equal to or different from the pixel driving voltage.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자;
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제5 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제5 스위치 소자를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일한 표시패널.
According to claim 2,
Each of the first to third color subpixels is,
a third switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a fourth switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
A fifth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fifth gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node,
A display panel wherein capacitances of the first capacitors in the subpixels of the first to third colors are the same.
제 5 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각에 배치된 픽셀 회로는 초기화 기간, 센싱 기간, 데이터 기입 기간, 애노드 리셋 기간, 및 발광 기간의 순서로 구동되고,
상기 제1 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 및 상기 발광 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 애노드 리셋 기간 동안 게이트 오프 전압이고, 상기 데이터 기입 기간에 상기 게이트 온 전압 또는 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제2 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 센싱 기간과 상기 데이터 기입 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제3 게이트 신호의 전압은 상기 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제4 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간과 상기 센싱 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 데이터 기입 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제5 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 데이터 기입 기간, 및 상기 애노드 리셋 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제5 스위치 소자들 각각이 상기 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 표시패널.
According to claim 5,
The pixel circuit disposed in each of the first to third color subpixels is driven in the following order: an initialization period, a sensing period, a data writing period, an anode reset period, and an emission period,
The voltage of the first gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, and the light emission period, the gate-off voltage during the anode reset period, and the gate-on voltage or the gate-off voltage during the data writing period. ego,
The voltage of the second gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the anode reset period, and the light emission period, and the gate-off voltage during the sensing period and the data writing period,
The voltage of the third gate signal is the gate-on voltage during the data writing period, and the gate-off voltage during the initialization period, the sensing period, the anode reset period, and the light emission period,
The voltage of the fourth gate signal is the gate-on voltage during the initialization period and the sensing period, and the gate-off voltage during the data writing period, the anode reset period, and the light emission period,
The voltage of the fifth gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, the data writing period, and the anode reset period, and the gate-off voltage during the light emission period,
A display panel in which each of the first to fifth switch elements is turned on in response to the gate-on voltage and turned off in response to the gate-off voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 컬러의 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자를 더 포함하고,
상기 제2 커패시터는,
상기 제1 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터;
상기 제2 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터; 및
상기 제3 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-3 커패시터를 포함하고,
상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결되고,
상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색이며,
상기 제2-1 커패시터의 용량이 상기 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고,
상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-3 커패시터의 용량 보다 큰 표시패널.
According to claim 1,
Each of the first to third color subpixels is,
It further includes a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node,
The second capacitor is,
a 2-1 capacitor disposed in the first color subpixel;
a 2-2 capacitor disposed in the second color subpixel; and
Including a 2-3 capacitor disposed in the third color subpixel,
The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node,
The first color is red, the second color is green, and the third color is blue,
The capacity of the 2-1 capacitor is greater than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors,
A display panel in which the capacity of the 2-2 capacitor is greater than the capacity of the 2-3 capacitor.
제 7 항에 있어서,
상기 제3 컬러의 서브 픽셀, 상기 제2 컬러의 서브 픽셀, 및 상기 제1 컬러의 서브 픽셀 순으로 상기 발광 소자의 커패시터 용량이 큰 표시패널.
According to claim 7,
A display panel in which the capacitor capacity of the light emitting device is large in that order: the third color subpixel, the second color subpixel, and the first color subpixel.
제 7 항에 있어서,
상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다른 표시패널.
According to claim 7,
A display panel wherein the constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors is equal to or different from the pixel driving voltage.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자; 및
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일한 표시패널.
According to claim 7,
Each of the first to third subpixels,
a second switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a third switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; and
A fourth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node,
A display panel wherein the first capacitors in the first to third subpixels have the same capacity.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 커패시터는,
상기 제1 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터;
상기 제2 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터; 및
상기 제3 컬러의 서브 픽셀에 배치된 제2-3 커패시터를 포함하고,
상기 제1 노드에 픽셀 구동 전압이 인가되고,
상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결되고,
상기 제1 컬러는 적색이고, 상기 제2 컬러는 녹색이고, 상기 제3 컬러는 청색이며,
상기 제2-1 커패시터의 용량이 상기 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고,
상기 제2-2 커패시터의 용량이 상기 제2-3 커패시터의 용량 보다 큰 표시패널.
According to claim 1,
The second capacitor is,
a 2-1 capacitor disposed in the first color subpixel;
a 2-2 capacitor disposed in the second color subpixel; and
Including a 2-3 capacitor disposed in the third color subpixel,
A pixel driving voltage is applied to the first node,
The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node,
The first color is red, the second color is green, and the third color is blue,
The capacity of the 2-1 capacitor is greater than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors,
A display panel in which the capacity of the 2-2 capacitor is greater than the capacity of the 2-3 capacitor.
제 11 항에 있어서,
상기 제3 컬러의 서브 픽셀, 상기 제2 컬러의 서브 픽셀, 및 상기 제1 컬러의 서브 픽셀 순으로 상기 발광 소자의 커패시터 용량이 큰 표시패널.
According to claim 11,
A display panel in which the capacitor capacity of the light emitting device is large in that order: the third color subpixel, the second color subpixel, and the first color subpixel.
제 11 항에 있어서,
상기 제2-1 내지 제2-3 커패시터들에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같거나 다른 표시패널.
According to claim 11,
A display panel wherein the constant voltage applied to the 2-1st to 2-3rd capacitors is equal to or different from the pixel driving voltage.
제 11 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함 한 제1 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자; 및
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자를 포함하 고,
상기 제1 내지 제3 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일한 표시패널.
According to claim 11,
Each of the first to third subpixels,
A first switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a second switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; and
It includes a third switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node,
A display panel wherein the first capacitors in the first to third subpixels have the same capacity.
복수의 데이터 라인들, 복수의 게이트 라인들, 복수의 전원 라인들, 및 복수 의 적색 서브 픽셀들, 복수의 녹색 서브 픽셀들, 및 복수의 청색 서브 픽셀들이 배치된 표시패널;
픽셀 데이터의 데이터 전압을 상기 데이터 라인들로 출력하는 데이터 구동부; 및
상기 게이트 라인들에 게이트 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
상기 서브 픽셀들 각각은 픽셀 회로를 포함하고,
상기 픽셀 회로는,
제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 및 제3 노드 에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자;
제4 노드에 연결된 애노드 전극을 포함하고, 상기 구동 소자로부터의 전류에 의해 구동되는 발광 소자;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터; 및
정전압이 인가되는 정전압 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되거나, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함하고,
상기 서브 픽셀들의 컬러별로 상기 제2 커패시터의 용량이 서로 다른 표시장치.
A display panel including a plurality of data lines, a plurality of gate lines, a plurality of power lines, and a plurality of red subpixels, a plurality of green subpixels, and a plurality of blue subpixels;
a data driver that outputs a data voltage of pixel data to the data lines; and
It includes a gate driver that sequentially supplies gate signals to the gate lines,
Each of the subpixels includes a pixel circuit,
The pixel circuit is,
A driving element including a first electrode connected to a first node, a gate electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node;
a light emitting element including an anode electrode connected to a fourth node and driven by current from the driving element;
a first capacitor connected between the second node and the third node; and
A second capacitor connected between a constant voltage node to which a constant voltage is applied and the third node, or connected between the third node and the fourth node,
A display device in which the capacity of the second capacitor is different for each color of the subpixels.
제 15 항에 있어서,
상기 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자;
상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자;
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자; 및
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제5 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제5 스위치 소자를 포함하 고,
상기 제2 커패시터에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같 거나 다르고,
상기 적색 서브 픽셀들, 상기 녹색 서브 픽셀들, 및 상기 청색 서브 픽셀들 에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일하고,
상기 청색 서브 픽셀들의 제2-3 커패시터의 용량이 상기 적색 및 녹색 서브 픽셀들의 제2-1 및 제2-2 커패시터 각각의 용량 보다 크고,
상기 녹색 서브 픽셀들의 제2-2 커패시터의 용량이 상기 적색 서브 픽셀들의 제2-1 커패시터의 용량 보다 큰 표시장치.
According to claim 15,
Each of the subpixels is,
a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node;
a second switch element including a first electrode connected to the third node, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node;
a third switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a fourth switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; and
A fifth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fifth gate signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node,
The constant voltage applied to the second capacitor is the same as or different from the pixel driving voltage,
Capacitances of the first capacitors in the red subpixels, green subpixels, and blue subpixels are the same,
The capacity of the 2-3 capacitor of the blue subpixels is greater than the capacity of each of the 2-1 and 2-2 capacitors of the red and green subpixels,
A display device in which the capacity of the 2-2 capacitor of the green subpixels is greater than the capacity of the 2-1 capacitor of the red subpixels.
제 16 항에 있어서,
상기 표시패널은,
제1 절연층 상에 배치되어 상기 적색 서브 픽셀들, 상기 녹색 서브 픽셀들, 및 상기 청색 서브 픽셀들에 연결된 제1 금속층의 패턴;
상기 제1 금속층의 패턴과 상기 제1 절연층을 덮는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 상에 배치되어 상기 적색 서브 픽셀들, 상기 녹색 서브 픽셀들, 및 상기 청색 서브 픽셀들 각각에 배치되어 이웃한 상기 서브 픽셀들 간에 분리되는 제2 금속층의 패턴들;
상기 제2 금속층의 패턴들과 상기 제2 절연층을 덮는 제3 절연층을 더 포함하고,
상기 제2 금속층의 패턴들은,
상기 적색 서브 픽셀에 배치된 제2-1 커패시터 전극;
상기 녹색 서브 픽셀에 배치된 제2-2 커패시터 전극; 및
상기 청색 서브 픽셀에 배치된 제2-3 커패시터 전극을 포함하고,
상기 제2-3 커패시터 전극이 상기 제2-1 및 제2-2 커패시터 전극들 각각의 크기 보다 크고,
상기 제2-2 커패시터 전극이 상기 제2-1 커패시터 전극 보다 큰 표시장치.
According to claim 16,
The display panel is,
a pattern of a first metal layer disposed on a first insulating layer and connected to the red subpixels, the green subpixels, and the blue subpixels;
a second insulating layer covering the pattern of the first metal layer and the first insulating layer;
Patterns of a second metal layer disposed on the second insulating layer and disposed on each of the red subpixels, the green subpixels, and the blue subpixels to separate neighboring subpixels;
Further comprising a third insulating layer covering the patterns of the second metal layer and the second insulating layer,
The patterns of the second metal layer are,
a 2-1 capacitor electrode disposed in the red subpixel;
a 2-2 capacitor electrode disposed in the green sub-pixel; and
It includes second-third capacitor electrodes disposed in the blue subpixel,
The 2-3 capacitor electrode is larger than each of the 2-1 and 2-2 capacitor electrodes,
A display device in which the 2-2 capacitor electrode is larger than the 2-1 capacitor electrode.
제 15 항에 있어서,
상기 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결되는 제1 스위치 소자;
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자; 및
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제4 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제4 스위치 소자를 포함하 고,
상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결되고,
상기 제2 커패시터에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같 거나 다르고,
상기 적색 서브 픽셀들, 상기 녹색 서브 픽셀들, 및 상기 청색 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일하고,
상기 청색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량이 상기 적색 서브 픽셀들 및 상기 녹색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량 보다 크고,
상기 녹색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량이 상기 적색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량 보다 크고,
상기 적색 서브 픽셀들의 제2-1 커패시터의 용량이 상기 녹색 및 청색 서브 픽셀들의 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고,
상기 녹색 서브 픽셀들의 제2-2 커패시터의 용량이 상기 청색 서브 픽셀들의 제2-3 커패시터의 용량 보다 큰 표시장치.
According to claim 15,
Each of the subpixels is,
a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a first switch element connected to the first node;
a second switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a third switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; and
It includes a fourth switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a fourth gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node,
The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node,
The constant voltage applied to the second capacitor is the same as or different from the pixel driving voltage,
Capacitances of the first capacitors in the red subpixels, the green subpixels, and the blue subpixels are the same,
The capacitor capacity of the light emitting devices of the blue subpixels is greater than the capacitor capacity of the light emitting devices of the red subpixels and the green subpixels,
The capacitor capacity of the light emitting device of the green subpixels is greater than the capacitor capacity of the light emitting device of the red subpixels,
The capacity of the 2-1 capacitor of the red subpixels is greater than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors of the green and blue subpixels,
A display device in which the capacity of the 2-2 capacitor of the green subpixels is greater than the capacity of the 2-3 capacitor of the blue subpixels.
제 15 항에 있어서,
상기 서브 픽셀들 각각은,
픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가되는 데이터 라인에 연결된 제1 전극, 제1 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제1 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제2 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제2 스위치 소자; 및
기준 전압이 인가되는 제1 전극, 제3 게이트 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 제3 스위치 소자를 포함하 고,
상기 발광 소자의 애노드 전극이 상기 제3 노드에 연결되고,
상기 제1 노드에 픽셀 구동 전압이 인가되고,
상기 제2 커패시터에 인가되는 상기 정전압이 상기 픽셀 구동 전압과 같 거나 다르고,
상기 적색 서브 픽셀들, 상기 녹색 서브 픽셀들, 및 상기 청색 서브 픽셀들에서 상기 제1 커패시터의 용량이 서로 동일하고,
상기 청색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량이 상기 적색 서브 픽셀들 및 상기 녹색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량 보다 크고,
상기 녹색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량이 상기 적색 서브 픽셀들의 발광 소자의 커패시터 용량 보다 크고,
상기 적색 서브 픽셀들의 제2-1 커패시터의 용량이 상기 녹색 및 청색 서브 픽셀들의 제2-2 및 제2-3 커패시터들 각각의 용량 보다 크고, 상기 녹색 서브 픽셀들의 제2-2 커패시터의 용량이 상기 청색 서브 픽셀들의 제2-3 커패시터의 용량 보다 큰 표시장치.
According to claim 15,
Each of the subpixels is,
A first switch element including a first electrode connected to a data line to which a data voltage of pixel data is applied, a gate electrode to which a first gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node;
a second switch element including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a second gate signal is applied, and a second electrode connected to the second node; and
It includes a third switch element including a first electrode to which a reference voltage is applied, a gate electrode to which a third gate signal is applied, and a second electrode connected to the third node,
The anode electrode of the light emitting device is connected to the third node,
A pixel driving voltage is applied to the first node,
The constant voltage applied to the second capacitor is the same as or different from the pixel driving voltage,
Capacitances of the first capacitors in the red subpixels, the green subpixels, and the blue subpixels are the same,
The capacitor capacity of the light emitting devices of the blue subpixels is greater than the capacitor capacity of the light emitting devices of the red subpixels and the green subpixels,
The capacitor capacity of the light emitting device of the green subpixels is greater than the capacitor capacity of the light emitting device of the red subpixels,
The capacity of the 2-1 capacitor of the red subpixels is greater than the capacity of each of the 2-2 and 2-3 capacitors of the green and blue subpixels, and the capacity of the 2-2 capacitor of the green subpixels is greater than the capacitance of each of the 2-2 and 2-3 capacitors of the green and blue subpixels. A display device larger than the capacity of the second-third capacitors of the blue subpixels.
제1 노드에 연결된 제1 전극, 제2 노드에 연결된 게이트 전극, 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함한 구동 소자;
제4 노드에 연결된 애노드 전극과, 픽셀 기저 전압이 인가되는 캐소드 전극을 포함하는 발광 소자;
픽셀 구동 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 EM 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제1 EM 신호의 게이트 온 전압에 응답하여 상기 정전압 라인을 상기 제1 노드에 연결하는 제1 스위치 소자;
상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 제2 EM 신호가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제2 EM 신호의 게이트 온 전압에 응답하여 상기 제3 노드를 상기 제4 노드에 연결하는 제2 스위치 소자;
데이터 전압이 인가되는 제1 전극, 제1 스캔 펄스가 인가되는 게이트 전극, 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제1 스캔 펄스의 게이트 온 전압에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제3 스위치 소자;
초기화 전압이 인가되는 제1 전극, 제2 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하여 상기 제2 스캔 신호의 게이트 온 전압에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 제2 노드에 공급하는 제4 스위치 소자;
상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 제3 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 기준 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하여 상기 제3 스캔 신호의 게이트 온 전압에 응답하여 상기 제4 노드에 상기 기준 전압을 공급하는 제5 스위치 소자;
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제1 커패시터: 및
상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함하는 픽셀회로.
A driving element including a first electrode connected to a first node, a gate electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node;
A light emitting device including an anode electrode connected to a fourth node and a cathode electrode to which a pixel base voltage is applied;
It includes a first electrode to which a pixel driving voltage is applied, a gate electrode to which a first EM signal is applied, and a second electrode connected to the first node to generate the constant voltage line in response to the gate-on voltage of the first EM signal. a first switch element connected to the first node;
The third node is connected in response to the gate-on voltage of the second EM signal, including a first electrode connected to the third node, a gate electrode to which the second EM signal is applied, and a second electrode connected to the fourth node. a second switch element connected to the fourth node;
Including a first electrode to which a data voltage is applied, a gate electrode to which a first scan pulse is applied, and a second electrode connected to the second node, the data voltage is converted to the second node in response to the gate-on voltage of the first scan pulse. A third switch element supplies power to node 2;
Including a first electrode to which an initialization voltage is applied, a gate electrode to which a second scan signal is applied, and a second electrode connected to the second node, the initialization voltage is applied to the second electrode in response to the gate-on voltage of the second scan signal. a fourth switch element supplying power to the node;
A first electrode connected to the fourth node, a gate electrode to which a third scan signal is applied, and a second electrode to which a reference voltage is applied are connected to the fourth node in response to the gate-on voltage of the third scan signal. A fifth switch element that supplies voltage;
A first capacitor connected between the second node and the third node: and
A pixel circuit including a second capacitor connected between the third node and the fourth node.
제 20 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 기간, 센싱 기간, 데이터 기입 기간, 애노드 리셋 기간, 및 발광 기간의 순서로 구동되고,
상기 제1 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 및 상기 발광 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 애노드 리셋 기간 동안 게이트 오프 전압이고, 상기 데이터 기입 기간에 상기 게이트 온 전압 또는 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제2 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 센싱 기간과 상기 데이터 기입 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제3 게이트 신호의 전압은 상기 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압이고, 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제4 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간과 상기 센싱 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 데이터 기입 기간, 상기 애노드 리셋 기간, 및 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이고,
상기 제5 게이트 신호의 전압은 상기 초기화 기간, 상기 센싱 기간, 상기 데이터 기입 기간, 및 상기 애노드 리셋 기간 동안 상기 게이트 온 전압이고, 상기 발광 기간 동안 상기 게이트 오프 전압이며,
상기 제1 내지 제5 스위치 소자들 각각이 상기 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온되고, 상기 게이트 오프 전압에 따라 턴-오프되는 픽셀회로.
According to claim 20,
The pixel circuit is driven in the following order: an initialization period, a sensing period, a data writing period, an anode reset period, and an emission period,
The voltage of the first gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, and the light emission period, the gate-off voltage during the anode reset period, and the gate-on voltage or the gate-off voltage during the data writing period. ego,
The voltage of the second gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the anode reset period, and the light emission period, and the gate-off voltage during the sensing period and the data writing period,
The voltage of the third gate signal is the gate-on voltage during the data writing period, and the gate-off voltage during the initialization period, the sensing period, the anode reset period, and the light emission period,
The voltage of the fourth gate signal is the gate-on voltage during the initialization period and the sensing period, and the gate-off voltage during the data writing period, the anode reset period, and the light emission period,
The voltage of the fifth gate signal is the gate-on voltage during the initialization period, the sensing period, the data writing period, and the anode reset period, and the gate-off voltage during the light emission period,
A pixel circuit in which each of the first to fifth switch elements is turned on in response to the gate-on voltage and turned off in response to the gate-off voltage.
제 20 항에 있어서,
상기 픽셀 회로는 초기화 기간, 센싱 기간, 데이터 기입 기간, 애노드 리셋 기간, 및 발광 기간의 순서로 구동되고,
상기 초기화 기간 동안, 상기 제2 노드에 상기 초기화 전압이 인가되고, 상기 제3 노드에 상기 기준 전압이 인가되고,
상기 센싱 기간 동안, 상기 구동 소자의 문턱 전압이 상기 제1 커패시터에 저장되고,
상기 데이터 기입 기간 동안, 상기 데이터 전압이 상기 제2 노드에 인가되고,
상기 애노드 리셋 기간 동안, 상기 제3 노드와 상기 제4 노드에 상기 기준 전압이 인가되고,
상기 발광 기간의 부스팅 기간 동안, 상기 제2 스위치 소자가 턴-온 되어 상기 제3 노드와 제4 노드가 서로 전기적으로 연결되고,
상기 발광 소자는 상기 부스팅 기간 후부터 구동 소자로부터의 전류에 따라 발광하는 픽셀회로.
According to claim 20,
The pixel circuit is driven in the following order: an initialization period, a sensing period, a data writing period, an anode reset period, and an emission period,
During the initialization period, the initialization voltage is applied to the second node and the reference voltage is applied to the third node,
During the sensing period, the threshold voltage of the driving element is stored in the first capacitor,
During the data writing period, the data voltage is applied to the second node,
During the anode reset period, the reference voltage is applied to the third node and the fourth node,
During the boosting period of the light emission period, the second switch element is turned on so that the third node and the fourth node are electrically connected to each other,
A pixel circuit in which the light emitting element emits light according to a current from a driving element after the boosting period.
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