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KR20240093077A - 적층형 전자 부품 - Google Patents

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KR20240093077A
KR20240093077A KR1020220176005A KR20220176005A KR20240093077A KR 20240093077 A KR20240093077 A KR 20240093077A KR 1020220176005 A KR1020220176005 A KR 1020220176005A KR 20220176005 A KR20220176005 A KR 20220176005A KR 20240093077 A KR20240093077 A KR 20240093077A
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KR
South Korea
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dielectric
core
dielectric layer
moles
less
Prior art date
Application number
KR1020220176005A
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English (en)
Inventor
전희선
김진우
김태형
이효주
윤석현
김정렬
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
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Priority to US18/123,027 priority patent/US20240203649A1/en
Priority to JP2023050449A priority patent/JP2024086523A/ja
Priority to CN202310637425.2A priority patent/CN118213194A/zh
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은, 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층 및 상기 유전체층과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어와 상기 코어의 적어도 일부를 커버하는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고, 상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며, 상기 유전체층 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재할 수 있다.

Description

적층형 전자 부품{MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 적층형 전자 부품에 관한 것이다.
적층형 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다. 컴퓨터, 모바일 기기 등 각종 전자 기기가 소형화, 고출력화되면서 적층 세라믹 커패시터에 대한 소형화 및 고용량화의 요구가 증대되고 있다.
최근 개발된 초소형 제품들의 경우, 박층 설계 적용이 한계에 다다르고 있으며, 기본적인 제품의 신뢰성 확보를 위한 최소 설계 두께의 조건 하에서 제품의 추가적인 특성을 극대화하는 것이 요구되고 있다. 이에, 재료적인 관점에서의 설계변경에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 종래의 경우, 박층 설계 기종에서 미립 모재를 활용하여 제품의 특성을 안정화시키고자 하였으나, 입성장 속도 제어가 어렵고 고유전율을 내기 위해서 입자를 과입성장 시키는 공정들이 적용되고 있었다.
이에, 상기 문제점을 해결하기 위해서, 유전체의 유전 특성을 향상시키고 일정한 전압 인가 조건 하에서 구현될 수 있는 유효유전율을 증가(유전율 감소율 저하)시키는 것이 필요하고, 유전체 물질 내 유전율 향상에 큰 기여도를 가지는 격자점결함이 없는 코어의 특성을 향상시키는 것이 필요하다.
한국 공개특허공보 제10-2022-0088099호
본 발명이 해결하고자 하는 여러 과제 중 하나는, 유전체 결정립의 크기는 작으면서 유전체 결정립의 코어 비율을 향상시켜 유전율이 향상된 적층형 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 여러 과제 중 하나는, 유전체 분말 제조 공정 최적화 및 다양한 조성 성분들을 한정하여 유전체 결정립의 코어 비율을 향상시켜 유전체 입자의 입성장 속도, 크기 및 산포를 제어하여 적층형 전자 부품의 특성을 극대화시키는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 여러 과제는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은, 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층 및 상기 유전체층과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어와 상기 코어의 적어도 일부를 커버하는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고, 상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며, 상기 유전체층 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은, 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층 및 상기 유전체층과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치되는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어와 상기 코어의 적어도 일부를 커버하는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고, 상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 희토류 원소(RE) 몰수에 관한 비율(RE/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며, 상기 유전체층 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재할 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는, 유전체 결정립의 크기는 작으면서 유전체 결정립의 코어 비율을 향상시켜 유전율이 향상된 적층형 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는, 전압 인가 시 발생할 수 있는 유효용량의 감소율을 최소화하여 적층형 전자 부품의 전압 인가 조건에서의 유효 유전율을 향상시키는 것이다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 내부 전극의 적층 구조를 나타낸 분리사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I'에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 1의 II-II'에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 P 영역의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예의 용량 형성부(Ac)를 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 화상 이미지이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, 제1 방향은 적층 방향 또는 두께(T) 방향, 제2 방향은 길이(L) 방향, 제3 방향은 폭(W) 방향으로 정의될 수 있다.
적층형 전자 부품
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 내부 전극의 적층 구조를 나타낸 분리사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I'에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 1의 II-II'에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 P 영역의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 적층형 전자 부품의 일례로서 적층 세라믹 커패시터에 대하여 설명하나, 본 발명은 유전체 조성물을 이용하는 다양한 전자 제품, 예를 들어, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등에도 적용될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)은, 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층(111) 및 상기 유전체층(111)과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극(131, 132)을 포함하는 바디(110); 및 상기 바디(110) 상에 배치되는 외부 전극(131, 132); 을 포함하고, 상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어(21)와 상기 코어(21)의 적어도 일부를 커버하는 쉘(22)을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어(21)의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고, 상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며, 상기 유전체층(111) 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재할 수 있다.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층 되어있다.
보다 구체적으로, 바디(110)는 바디(110)의 내부에 배치되며, 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 마주보도록 번갈아 배치되는 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함하여 용량을 형성하는 용량 형성부(Ac)를 포함할 수 있다.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(110)는 제1 방향으로 서로 마주보는 제1 및 제2 면(1, 2), 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제2 방향으로 서로 마주보는 제3 및 제4 면(3, 4), 제1 내지 제4 면(1, 2, 3, 4)과 연결되며 제3 방향으로 서로 마주보는 제5 및 제6 면(5, 6)을 가질 수 있다.
바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고서는 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
유전체층(111)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 제한되지 않는다. 일반적으로 페로브스카이트(ABO3)계 재료를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있다. 티탄산바륨계 재료는 BaTiO3계 세라믹 분말을 포함할 수 있으며, 세라믹 분말의 예시로 BaTiO3, BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3 (0<x<1), Ba(Ti1-yCay)O3 (0<y<1), (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 (0<x<1, 0<y<1) 또는 Ba(Ti1-yZry)O3 (0<y<1) 등을 들 수 있다.
또한, 유전체층(111)을 형성하는 원료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 분말에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
한편, 최근 개발된 초소형 제품들의 경우, 박층 설계의 적용이 한계에 다다르고 있으며, 기본적인 제품의 신뢰성 확보를 위한 최소 설계 두께의 조건 하에서 제품의 추가적인 특성을 극대화하는 것이 요구되고 있다. 이에, 재료적인 관점에서의 설계변경에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 종래의 경우, 박층 설계 기종에서 미립 모재를 활용하여 제품의 특성을 안정화시키고자 하였으나, 입성장 속도 제어가 어렵고 고유전율을 내기 위해서 입자를 과입성장 시키는 공정들이 적용되고 있었다.
이에, 상기 문제점을 해결하기 위해서, 유전체의 유전 특성을 향상시키고 일정한 전압 인가 조건 하에서 구현될 수 있는 유효유전율을 증가(유전율 감소율 저하)시키는 것이 필요하고, 유전체 물질 내 유전율 향상에 큰 기여도를 가지는 격자점결함이 없는 코어의 특성을 향상시키는 것이 필요하다.
이에, 본 발명의 일 실시예는, 유전 특성을 극대화하기 위하여, 유전체 물질의 코어 특성을 향상시킬 수 있도록, 소성 전 유전체 입자를 포함하는 모재의 크기를 미립이 아닌 조립 모재를 이용하였으며, 다양한 소성 조건 또는 공정 조건을 제어하기 위해 최적의 조성으로 설계하였다.
보다 구체적으로, BaTiO3계 유전체는 일반적으로 상온에서 정방정계 구조(tetragonal structure)를 가지나, 첨가제 등의 일부 원소가 치환된 영역, 예를 들어 쉘(shell) 영역은 입방정계 구조(cubic structure)의 격자 구조로 변형될 수 있으며, 이렇게 격자 구조를 변형시킴으로써 쌍극자(dipole) 모멘트가 있는 상(phase)으로 전환할 수 있다.
일반적으로, 소성 후 유전체 결정립에서 관찰되는 코어(core) 영역의 크기는, 소성 전 유전체 입자 모재의 크기에 의해 결정되며, 유전체 입자를 소결하거나 입성장 하는 단계에서는 코어의 크기에 영향을 거의 주지 않기 때문에, 소성 후 유전체 결정립의 코어 크기로 소성 전 유전체 입자 모재의 크기 및 입성장율을 예측할 수 있다.
한편, 유전체의 유효용량은, 유전체 결정립 내에서, 입방정계 구조(cubic structure)를 가지는 영역의 크기 대비 정방정계 구조(tetragonal structure)를 가지는 영역의 크기가 클 경우 향상되는 것으로 알려져 있다. 다시 말해, 동일한 크기를 가지는 유전체 결정립 중 (tetragonal structure size/cubic structure size)의 비율이 큰 유전체 입자일수록 유전율이 향상될 수 있다.
또한, 첨가제 등의 일부 원소가 치환된 쉘 영역은 격자(lattice) 크기의 단위에서 산소 공공(oxygen vacancy)이나 결함 쌍극자(defect dipole) 등의 이온 결함에 의하여 격자 내 결함이 발생한 도메인 월(domain wall)이 생성될 수 있으며, 이러한 결함 격자들은 전계(electric field) 인가 시, 비가역적인 도메인 월 모션(motion)을 발생시키게 되어, 전압인가시 구현될 수 있는 유효 용량의 감소를 일으킬 수 있다. 즉, 유전체 결정립 크기 대비 코어의 크기가 증가하는 경우, DC-bias 전압 인가 시 유효용량이 향상될 수 있다.
이에, 본 발명에서는 전압인가시 유효용량을 극대화하기 위하여 유전체 결정립 내 코어의 크기 비율을 향상시킬 수 있도록, 조립 모재를 사용하되, 입성장율을 최소화할 수 있도록 제어할 수 있는 조성계 적용 및 비가역 도메인 월 모션에 의한 유전율 손실분을 최소화하기 위해 격자 결함 농도를 최소화한 조성의 설계로 유효 용량 확보 및 유전율의 감소율 개선 효과를 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 유전체층(111)은 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재하는 유전체층을 적어도 하나 이상 포함할 수 있으며, 유전체층(111)에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 희토류 원소(RE)의 몰수에 관한 비율(RE/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족할 수 있으며, 여기서 희토류 원소(RE)는 바람직하게 디스프로슘(Dy) 및 터븀(Tb)을 포함할 수 있다.
유전체 결정립은 복수의 유전체 결정립을 포함할 수 있으며, 복수의 유전체 결정립(20) 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어(21)와 상기 코어(21)의 적어도 일부를 커버하는 쉘(22)을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.
코어(21)와 쉘(22)을 구분하는 기준은, 주사전자현미경-에너지 분산 분광법(SEM-EDS: Scanning Electron Microscopy-Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) 또는 투과전자현미경-에너지 분산 분광법(TEM-EDS: Transmission Electron Microscopy- Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) 분석을 통하여 진행할 수 있으며, 코어-쉘 구조의 유전체 결정립에 포함된 희토류 원소의 함량을 기준으로 구분할 수 있다. 예를 들어, 희토류 원소의 한 종류인 디스프로슘(Dy)의 경우, 코어 내부로의 확산이 어렵기 때문에, 유전체 결정립의 EDS 분석 시 Dy 가 확산되지 않은 원형의 영역을 코어라고 정의하고, 코어를 커버하거나 둘러싸고 있는 영역을 쉘이라고 정의할 수 있다. 다시 말해, 코어로부터 유전체 결정립 까지의 영역을 쉘이라고 정의할 수 있다.
보다 바람직하게는, 코어-쉘 구조를 가지는 하나의 유전체 결정립에 있어서, 라인 프로파일(line-profile)을 이용하여 분석하였을 때, Dy의 함량이 급격히 변화하는 지점을 기준으로 하여, Dy의 함량이 적은 영역을 코어라고 정의하고, Dy의 함량이 높은 영역을 쉘이라고 정의할 수 있다.
또한, 유전체층(111)은 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립을 포함할 수 있으며, 유전체 결정립의 상한은 특별히 한정할 필요는 없으나, 바람직하게는 7개 이하의 유전체 결정립을 포함할 수 있다.
즉, 제1 방향으로 4개 이상 7개 이하의 유전체 결정립이 존재하는 유전체층(111)이 적어도 하나 이상 존재할 수 있다.
여기서, 제1 방향으로 존재하는 4개 이상의 유전체 결정립은 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립만을 의미하는 것은 아니며, 코어-쉘 구조를 가지지 않는 유전체 결정립을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 유전체층(111)은 복수의 유전체층(111)을 포함할 수 있으며, 복수의 유전체층(111) 중 유전체 결정립을 포함하는 임의의 한 유전체층(111)에서 제1 방향으로 직선(L)을 그었을 때, 직선(L) 상에 존재하는 유전체 결정립의 수가 4개 이상 존재하는 유전체층(111)을 적어도 하나 이상 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게 직선(L) 상에 존재하는 유전체 결정립의 수가 4개 이상 7개 이하로 존재하는 유전체층(111)을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
여기서, 직선(L)은 임의의 한 유전체층(111) 내에서 제1 방향으로 그은 직선(L)을 의미할 수 있으며, 보다 구체적으로 제1 내부 전극(121)과 인접한 제2 내부 전극(122)에 실질적으로 수직한 방향으로 그은 직선(L)을 의미할 수 있으며, 이러한 직선(L) 상에 존재하는 유전체 결정립의 수가 4개 이상일 수 있다.
직선(L) 상에 존재하는 유전체 결정립을 카운트하는 방법은, 직선(L)이 유전체 결정립을 관통하는 유전체 결정립을 카운트하거나, 유전체 결정립을 둘러싸고 있는 결정립계(grain boundary)를 관통하는 경우 유전체 결정립을 카운트하여, 직선(L) 상에 존재하는 유전체의 수로 카운트할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
유전체층(111)에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족할 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)이 0.7 이상 1.5 이하를 만족하는 경우, 유효용량이 향상되고, 유전체 입자의 입성장 제어를 보다 쉽게 제어하여 전압 인가 시 유효용량 감소율을 개선할 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)이 0.7 미만이거나 1.5 초과일 경우, 용량감소율 개선이 미비할 수 있다.
유전체층(111)은 주석(Sn)을 포함할 수 있으며, 유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 주석(Sn)의 몰수는 1.0 몰 이상 2.0 몰 이하일 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 주석(Sn)의 몰수는 1.0 몰 이상 2.0 몰 이하인 경우에, 유전체 입자의 입성장 제어를 보다 쉽게 제어할 수 있으며, 유효용량을 향상시킬 수 있다.
주석(Sn)의 몰수가 1.0 몰 미만일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어가 용이하지 않아, 유전체 결정립의 크기가 커지고 결정립계의 수가 적어지며 격자점 결함이 없는 코어의 특성을 약화시켜 전계 집중 현상에 의해 유효율이 저하될 수 있다. 주석(Sn)의 몰수가 2.0 몰 초과일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어는 용이하나, 과도한 입성장 억제로 인하여 고유전율 구현에 어려움이 있을 수 있다.
유전체층(111)은 희토류 원소(RE: rare earth elements)를 포함할 수 있으며, 유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 희토류 원소(RE)의 몰수는 1.1 몰 이상 2.25 몰 이하일 수 있다.
희토류 원소(RE)는 이트륨(Y), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 가돌리늄(Gd), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 터븀(Tb), 톨륨(Tm), 란타넘(La) 및 이터븀(Yb) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
희토류 원소(RE)가 두 종류 이상 첨가되는 경우, 희토류 원소(RE)의 몰수는 첨가된 희토류 원소들의 합계의 몰수를 의미할 수 있다.
유전체 입자의 입성장을 제어할 수 있는 희토류 원소이면 어느 것이든 사용할 수 있으며, 바람직하게는, 디스프로슘(Dy) 및 터븀(Tb)을 사용할 수 있다.
다시 말해, 유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계는 1.1 몰 이상 2.25 몰 이하일 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계가 1.1 몰 이상 2.25 몰 이하일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어를 보다 쉽게 제어할 수 있으며, 유효용량을 향상시킬 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계가 1.1 몰 미만이거나, 2.25 몰 초과일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어가 용이하지 않아, 유전체 결정립의 크기가 커지고 결정립계의 수가 적어져, 전계 집중 현상에 의해 유효율이 저하되거나, 유전체 결정립이 형성되지 않을 수 있다. 또한 후술하는 코어-쉘 구조의 유전체 결정립 내 쉘 영역에 포함된 희토류 원소의 고용 함량이 감소함에 따라 산소결함의 제어가 용이하지 않아 신뢰성이 크게 저하되는 문제를 야기할 수 있다.
이때, 유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수는 0.7 몰 이상 1.5 몰 이하일 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수는 0.7 몰 이상 1.5 몰 이하일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어를 보다 쉽게 제어할 수 있으며, 유효용량을 향상시킬 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 디스프로슘(Dy)의 몰수가 0.7 몰 미만일 경우, 산소 결함의 제어에 충분치 않아 산소공공 발생으로 인한 신뢰성 저하가 발생할 수 있다. 디스프로슘(Dy)의 몰수가 1.5 몰 초과일 경우, 신뢰성 개선에는 효과적이나 소성 온도가 크게 증가하거나 유전체 결정립이 형성되지 않을 수 있다.
또한, 유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 터븀(Tb)의 몰수는 0.2 몰 이상 1.55 몰 이하일 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 터븀(Tb)의 몰수는 0.2 몰 이상 1.55 몰 이하일 경우, 유전체 입자의 입성장 제어를 보다 쉽게 제어할 수 있으며, 유효용량을 향상시킬 수 있다.
유전체층(111)에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 터븀(Tb)의 몰수가 0.2 몰 미만일 경우, 고온 내전압 특성이 열위할 수 있다. 터븀(Tb)의 몰수가 1.55 몰 초과일 경우, 유효율이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 유전체층(111)에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기는 100 nm 이상 300 nm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 130 nm 이상 230 nm 이하일 수 있다.
유전체 결정립의 크기는, 유전체 결정립의 중심점을 지나는 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 평균한 값일 수 있으며, 유전체 결정립의 평균 크기는, 상기와 같은 방법으로 계산한 복수의 유전체 결정립들의 크기를 평균한 값일 수 있다.
다시 말해, 유전체 결정립의 크기는 하나의 유전체 결정립의 평균 크기를 의미할 수 있고, 유전체 결정립의 평균 크기는 유전체층에 포함된 복수의 유전체 결정립들의 평균 크기를 의미할 수 있다.
여기서, 유전체 결정립의 평균 크기는, 유전체층을 포함하는 용량 형성부(Ac)에 있어서, 1 μm × 1 μm 의 범위 내에서 주사전자현미경(SEM) 또는 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 촬영한 화상 이미지 중, 관찰되는 유전체 결정립들의 크기를 측정하여 평균한 값일 수 있다. 다만, 특별히 이에 제한되는 것은 아니며. 하나의 유전체층에 포함된 복수의 유전체 결정립들의 크기를 평균한 값일 수 있으며, 용량 형성부(Ac)에 포함된 복수의 유전체 결정립들의 크기를 평균한 값일 수 있다.
이때, 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 유전체 결정립 크기의 표준 편차는 ±100 nm 이하, 보다 바람직하게는 ± 50nm 이하일 수 있다.
예를 들어, 크기의 표준 편차가 ± 50 nm 이하인 경우, 복수의 유전체 결정립들의 평균 크기가 180 nm 인 경우, 유전체 결정립들의 크기는, 최소 크기가 130 nm 이고, 최대 크기는 180 nm 이며, 유전체 결정립들의 크기는 최소·최대 범위 내에 존재한다는 것을 의미할 수 있다.
유전체 결정립 크기의 표준 편차가 ±100 nm 이하를 만족하는 경우, 균일한 크기의 유전체 결정립을 형성할 수 있으며, 신뢰성 제어가 보다 용이할 수 있다.
한편, 코어(21)-쉘(22) 구조를 가지는 유전체 결정립(20)에 있어서, 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 코어의 평균 크기는 0.4 이상 0.8 이하일 수 있으며, 백분율로 표현하는 경우, 40% 이상 80% 이하일 수 있다.
여기서, 유전체 결정립들의 평균 크기는 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립들의 크기를 평균한 값일 수 있다. 코어의 크기는, 코어의 중심점을 지나는 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 평균한 값을 의미할 수 있으며, 코어의 평균 크기는 상기와 같은 방법으로 계산한 복수의 코어들의 크기를 평균한 값일 수 있다.
유전체 결정립의 크기를 계산하기 위한 직선과 코어의 크기를 계산하기 위한 직선은 상이할 수 있다.
유전체 결정립의 평균 크기 대비 코어의 평균 크기가 0.4 이상 0.8 이하를 만족함으로써, 유효용량이 향상될 수 있으며, 전압 인가 시 유효용량의 감소가 개선될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 코어(21)의 평균 크기는 50 nm 이상 200 nm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 80 nm 이상 140 nm 이하일 수 있다.
코어(21)의 평균 크기가 50 nm 이상 200 nm 이하를 만족함으로써, 고유전특성을 나타낼 수 있으며, 특히 유전체 결정립의 평균 크기가 300 nm 이하의 작은 크기인 경우에, 고유전특성을 보다 쉽게 구현할 수 있다.
코어(21)의 평균 크기가 50 nm 미만일 경우, 목표로 하는 유전특성을 달성하기 어려울 수 있으며, 코어(21)의 평균 크기가 200 nm 초과일 경우, 유전체 결정립의 크기가 커져서 DC-bias 특성이나 신뢰성이 저하될 우려가 있다.
코어(21)의 평균 크기에 대한 코어 크기의 표준 편차는 ±75 nm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 ±30 nm 이하일 수 있다.
예를 들어, 크기의 표준 편차가 ±30 nm 이하일 경우, 복수의 코어들의 평균 크기가 110 nm 인 경우, 코어들의 크기는, 최소 크기가 80 nm 이고, 최대 크기는 140 nm 이며, 코어들의 크기는 최소·최대 범위 내에 존재한다는 것을 의미할 수 있다.
코어(21) 크기의 표준 편차가 ±75 nm 이하를 만족하는 경우, 균일한 크기의 코어를 형성할 수 있으며, 고유전특성을 확보하면서 전압 인가 시 용량감소율을 개선할 수 있다. 또한, 균일한 크기의 조립 모재를 적용하였음을 유추할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예의 용량 형성부(Ac)를 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 화상 이미지이다.
보다 구체적으로 도 6은, 조립 모재를 적용하여 적정 수준의 입성장과 치밀도를 이루어낸 상태이며, 이를 확인해보면 다양한 크기의 결정립이 관찰되는 것을 발견할 수 있다. 이는 미립 모재 사용시 발견되는 하나의 유전체층 당 하나의 유전체 결정립을 포함하는 수준에서부터, 미립 모재를 비입성장하는 경우, 발견되는 하나의 유전체층 당 4개 이상의 유전체 결정립을 포함하는 수준까지 다양한 크기로 존재함을 확인할 수 있다.
유전체층(111)의 두께(td)는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 유전체층(111)의 두께는 0.6 μm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.4 μm 이하일 수 있다.
여기서, 유전체층(111)의 두께(td)는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 사이에 배치되는 유전체층(111)의 두께(td)를 의미할 수 있다.
한편, 유전체층(111)의 두께(td)는 유전체층(111)의 제1 방향 크기를 의미할 수 있다. 또한, 유전체층(111)의 두께(td)는 유전체층(111) 평균 두께(td)를 의미할 수 있으며, 유전체층(111)의 제1 방향 평균 크기를 의미할 수 있다.
유전체층(111)의 제1 방향 평균 크기는 바디(110)의 제1 및 제2 방향 단면(cross-section)을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 유전체층(111)을 제2 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 제1 방향 크기를 측정한 평균값일 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 유전체층(111)으로 확장하여 평균값을 측정하면, 유전체층(111)의 제1 방향 평균 크기를 더욱 일반화할 수 있다.
내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)과 교대로 적층될 수 있다.
내부 전극(121, 122)은 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 바디(110)를 구성하는 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 마주하도록 번갈아 배치되며, 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)으로 각각 노출될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)과 이격되며 제3 면(3)을 통해 노출될 수 있고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)과 이격되며 제4 면(4)을 통해 노출될 수 있다. 바디(110)의 제3 면(3)에는 제1 외부 전극(131)이 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되고, 바디(110)의 제4 면(4)에는 제2 외부 전극(132)이 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다.
즉, 제1 내부 전극(121)은 제2 외부 전극(132)과는 연결되지 않고 제1 외부 전극(131)과 연결되며, 제2 내부 전극(122)은 제1 외부 전극(131)과는 연결되지 않고 제2 외부 전극(132)과 연결될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
한편, 바디(110)는 제1 내부 전극(121)이 인쇄된 세라믹 그린 시트와 제2 내부 전극(122)이 인쇄된 세라믹 그린 시트를 번갈아 적층한 후, 소성하여 형성될 수 있다.
내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 내부 전극용 도전성 페이스트를 세라믹 그린 시트에 인쇄하여 형성할 수 있다. 상기 내부 전극용 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 내부 전극(121, 122)의 두께(te)는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 내부 전극(121, 122)의 두께는 0.6 μm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.4 μm 이하일 수 있다.
여기서, 내부 전극(121, 122)의 두께(te)는 내부 전극(121, 122)의 제1 방향 크기를 의미할 수 있다. 또한, 내부 전극(121, 122)의 두께(te)는 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)를 의미할 수 있으며, 내부 전극(121, 122)의 제1 방향 평균 크기를 의미할 수 있다.
내부 전극(121, 122)의 제1 방향 평균 크기는 바디(110)의 제1 및 제2 방향 단면(cross-section)을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 내부 전극(121, 122)을 제2 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 제1 방향 크기를 측정한 평균값일 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 내부 전극(121, 122)으로 확장하여 평균값을 측정하면, 내부 전극(121, 122)의 제1 방향 평균 크기를 더욱 일반화할 수 있다.
한편, 바디(110)는 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 양 단면(end-surface) 상에 배치된 커버부(112, 113)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 상부에 배치되는 상부 커버부(112) 및 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 하부에 배치되는 하부 커버부(113)를 포함할 수 있다.
상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 단일 유전체층(111) 또는 2개 이상의 유전체층(111)을 용량 형성부(Ac)의 상하면에 각각 제1 방향으로 적층하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극(121, 122)의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 내부 전극(121, 122)을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 즉, 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 세라믹 재료를 포함할 수 있으며, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
한편, 커버부(112, 113)의 두께(tc)는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 커버부(112, 113)의 두께(tc)는 100 μm 이하일 수 있고, 바람직하게는 30 μm 이하일 수 있으며, 초소형 제품에서는 보다 바람직하게 20 μm 이하일 수 있다.
여기서, 커버부(112, 113)의 두께(tc)는 커버부(112, 113)의 제1 방향 크기를 의미할 수 있다. 또한, 커버부(112, 113)의 두께(tc)는 커버부(112, 113)의 평균 두께(tc)를 의미할 수 있으며, 커버부(112, 113)의 제1 방향 평균 크기를 의미할 수 있다.
커버부(112, 113)의 제1 방향 평균 크기는 바디(110)의 제1 및 제2 방향 단면(cross-section)을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 커버부를 제2 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 두께를 측정한 평균값일 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 상부 커버부(112)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 하부 커버부(113)로 확장하여 평균값을 측정하면, 커버부(112, 113)의 제1 방향 평균 크기를 더욱 일반화할 수 있다.
한편, 바디(110)의 제3 방향 양 단면(end-surface) 상에는 사이드 마진부(114, 115)가 배치될 수 있다.
보다 구체적으로, 사이드 마진부(114, 115)는 바디(110)의 제5 면(5)에 배치된 제1 사이드 마진부(114) 및 제6 면(6)에 배치된 제2 사이드 마진부(115)를 포함할 수 있다. 즉, 사이드 마진부(114, 115)는 바디(110)의 제3 방향 양 단면(end-surface)에 배치될 수 있다.
사이드 마진부(114, 115)는 도시된 바와 같이, 바디(110)의 제1 및 제3 방향 단면(cross-section)을 기준으로, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 제3 방향 양 끝단과 바디(110)의 경계면 사이의 영역을 의미할 수 있다.
사이드 마진부(114, 115)는 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극(121, 122)의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
사이드 마진부(114, 115)는 세라믹 그린시트 상에 사이드 마진부(114, 115)가 형성될 곳을 제외하고 도전성 페이스트를 도포하여 내부 전극(121, 122)을 형성하고, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후의 내부 전극(121, 122)이 바디(110)의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층(111) 또는 2 개 이상의 유전체층(111)을 용량 형성부(Ac)의 제3 방향 양 단면(end-surface)에 제3 방향으로 적층하여 형성할 수도 있다.
제1 사이드 마진부(114) 및 제2 사이드 마진부(115)는 내부 전극(121, 122)을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 즉, 제1 사이드 마진부(114) 및 제2 사이드 마진부(115)는 세라믹 재료를 포함할 수 있으며, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
한편, 제1 및 제2 사이드 마진부(114, 115)의 폭(wm)은 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 적층형 전자 부품(100)의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 제1 및 제2 사이드 마진부(114, 115)의 폭(wm)은 100 μm 이하일 수 있고, 바람직하게는 30 μm 이하일 수 있으며, 초소형 제품에서는 보다 바람직하게 20 μm 이하일 수 있다.
여기서, 사이드 마진부(114, 115)의 폭(wm)은 사이드 마진부(114, 115)의 제3 방향 크기를 의미할 수 있다. 또한, 사이드 마진부(114, 115)의 폭(wm)은 사이드 마진부(114, 115)의 평균 폭(wm)을 의미할 수 있으며, 사이드 마진부(114, 115)의 제3 방향 평균 크기를 의미할 수 있다.
사이드 마진부(114, 115)의 제3 방향 평균 크기는 바디(110)의 제1 및 제3 방향 단면(cross-section)을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 사이드 마진부를 제1 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 제3 방향 크기를 측정한 평균값일 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 제1 사이드 마진부(114)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 제2 사이드 마진부(115)로 확장하여 평균값을 측정하면, 사이드 마진부(114, 115)의 제3 방향 평균 크기를 더욱 일반화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 세라믹 전자 부품(100)이 2개의 외부 전극(131, 132)을 갖는 구조를 설명하고 있지만, 외부 전극(131, 132)의 개수나 형상 등은 내부 전극(121, 122)의 형태나 기타 다른 목적에 따라 바뀔 수 있을 것이다.
외부 전극(131, 132)은 바디(110) 상에 배치되어 내부 전극(121, 122)과 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)에 각각 배치되며, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결되는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 외부 전극(131)은 바디의 제3 면(3)에 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결될 수 있으며, 제2 외부 전극(132)은 바디의 제4 면(4)에 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하더라도 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있으며, 나아가 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 외부 전극(131, 132)은 바디(110)에 배치되는 전극층(131a, 132a) 및 전극층(131a, 132a) 상에 배치되는 도금층(131b, 132b)을 포함할 수 있다.
전극층(131a, 132a)에 대한 보다 구체적인 예를 들면, 전극층(131a, 132a)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성 전극이거나, 도전성 금속 및 수지를 포함한 수지계 전극일 수 있다.
또한, 전극층(131a, 132a)은 바디(110) 상에 소성 전극 및 수지계 전극이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
또한, 전극층(131a, 132a)은 바디(110) 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성되거나, 소성 전극 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성된 것일 수 있다.
전극층(131a, 132a)에 사용되는 도전성 금속은 정전 용량 형성을 위해 상기 내부 전극(121, 122)과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 전극층(131a, 132a)은 상기 도전성 금속 분말에 글라스 프릿을 첨가하여 마련된 도전성 페이스트를 도포한 후 소성함으로써 형성될 수 있다.
도금층(131b, 132b)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행한다.
도금층(131b, 132b)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 니켈(Ni), 주석(Sn), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 단일한 층의 도금층(131b, 132b)일 수 있고, 복수의 층으로 형성될 수 있다.
도금층(131b, 132b)에 대한 보다 구체적인 예를 들면, 도금층(131b, 132b)은 Ni 도금층 또는 Sn 도금층일 수 있으며, 전극층(131a, 132a) 상에 Ni 도금층 및 Sn 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있고, Sn 도금층, Ni 도금층 및 Sn 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다. 또한, 도금층(131b, 132b)은 복수의 Ni 도금층 및/또는 복수의 Sn 도금층을 포함할 수도 있다.
한편, 적층형 전자 부품(100)의 사이즈는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 초소형 제품에서 본 발명에 의한 효과가 보다 효과적일 수 있으며, 예를 들어, 1005 (길이×폭, 1.0 mm × 0.5 mm) 이하의 사이즈를 가지는 적층형 전자 부품의 경우에 본 발명에 의한 효과가 보다 우수할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
이하, 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이는 발명의 구체적인 이해를 돕기 위한 것으로 본 발명의 범위가 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(시험예)
하기 표 1 내지 표 8의 샘플 칩들은, 칩 사이즈를 1005(길이×폭: 1.0 mm×0.5 mm) 사이즈로 제작하였으며, 유전체층의 평균 두께는 0.6 μm 이하로 제작하였다.
유전체 결정립 수는, 유전체층에서 제1 방향으로 직선(L)을 그었을 때, 직선(L) 상에 존재하는 유전체 결정립의 수를 카운트하여 기재하였다.
코어의 크기는 디스프로슘(Dy)을 TEM-EDS를 통해 mapping 한 후, 디스프로슘(Dy)이 거의 검출되지 않는 영역인 코어의 크기를 측정하였다. 전술한 바와 같이, 중심점을 지나는 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 평균한 값을 코어의 크기로 기재하였다.
유전체층에는 주석(Sn) 및 희토류 원소 디스프로슘(Dy) 및 터븀(Tb)이 포함되었으며, 티타늄(Ti) 100 몰 대비 주석(Sn)의 몰 수, 디스프로슘(Dy) 및 터븀(Tb)의 몰수를 측정하여 기재하였다. 또한, 상기 측정한 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 대한 비율((Dy+Tb)/Sn)을 계산하여 표에 반영하였다.
또한, 각 샘플칩 별 전압을 인가하였을 때의 유효용량(μF)을 측정하여 표에 반영하였으며, 기준 유효용량(C0) 대비 전압을 인가하였을 때 측정한 유효용량(C) 값에 관한 비율인 용량감소율(%)을 계산하여 함께 반영하였다. 보다 구체적으로, 용량감소율(%)은 기준 유효용량에 대한 전압 인가 시의 유효용량의 차이값을 의미하는 것으로써, {(C0-C)/C0}×100% 의 값을 의미할 수 있다.
0V는 전압을 인가하지 않았을 때의 유효용량(μF)이며 기준이 되는 유효용량에 해당하고, 전압을 각각 1V 및 3V 인가하였을 때 유효용량(μF) 및 용량감소율(%)을 측정 및 계산하여 표에 반영하였다.
이때, 기준 유효용량 대비 1V의 전압을 인가 하였을 때 용량감소율이 36% 이내이고 3V의 전압을 인가 하였을 때 용량감소율이 70% 이내인 경우를 용량감소율이 개선되었다고 평가하였으며, 하기 표에서 O 라고 기재하였다. 한편, 1V 및 3V 전압 인가 시 용량감소율이 둘 중 하나라도 만족을 못한 경우 X 라고 기재하였다.
샘플 칩 유전체 결정립 수 코어(nm) Sn (mol) Dy (mol) Tb (mol) (Dy+Tb)/Sn
1-1 1 30 1.5 0.9 0.6 1
1-2 1 30 1.2 0.9 0.3 1
1-3 1 30 1 0.9 0.2 1.1
2-1 2 30 1 0.5 0.2 0.7
2-2 2 30 1 0.5 0.25 0.75
2-3 2 30 1 0.5 0.3 0.8
2-4 2 30 1 0.5 0.3 0.8
2-5 2 30 1 0.9 0.1 1
2-6 2 30 1.5 0.9 0.6 1
2-7 2 30 1.2 0.9 0.3 1
2-8 2 30 1 0.9 0.2 1.1
2-9 2 30 1 0.9 0.3 1.2
2-10 2 30 0.5 0.5 0.2 1.4
2-11 2 30 1 0.9 0.5 1.4
2-12 2 30 1 0.5 0.92 1.42
3-1 3 30 1.5 0.9 0.6 1
3-2 3 30 1.2 0.9 0.3 1
3-3 3 30 1 0.9 0.5 1.4
3-4 3 60 1 1 0 1
샘플 칩 0V 1V 3V 평가
유효용량 유효용량 용량감소율
(△C@1V)		 유효용량 용량감소율
(△C@3V)
1-1 2808.4 1730.2 -38.4 845.4 -69.9 X
1-2 3505.6 1845.1 -47.4 807.2 -77 X
1-3 3176.3 1841.9 -42 793.8 -75 X
2-1 2647.3 1424.5 -46.2 739.2 -72.1 X
2-2 2293.7 1314 -42.7 815.1 -64.5 X
2-3 2603.4 1582.8 -39.2 789.9 -69.7 X
2-4 3177.2 1493.1 -53 726.6 -77.1 X
2-5 2842.1 1539.2 -45.8 728.1 -74.4 X
2-6 2675.8 1685.3 -37 882.9 -67 X
2-7 3615.5 1815.2 -49.8 787.4 -78.2 X
2-8 3339.9 1861.8 -44.3 789.8 -76.4 X
2-9 3362.2 1548.2 -54 655.8 -80.5 X
2-10 2390.9 1356.6 -43.3 739.9 -69.1 X
2-11 2511.3 1231.4 -51 647.9 -74.2 X
2-12 2744.6 1427 -48 731.4 -73.4 X
3-1 2855.2 1781.2 -37.6 851.5 -70.2 X
3-2 4196.3 1777.3 -57.6 812.5 -80.6 X
3-3 2922.6 1288.6 -55.9 659.3 -77.4 X
3-4 2242.2 1342 -40.1 882.4 -60.6 X
표 1 및 표 2는 유전체층 내 유전체 결정립의 수가 1개 내지 3개인 경우에 해당한다. 또한, 코어의 크기가 30 nm 이상 60 nm 이하에 해당한다. 이는, 유전체 결정립의 크기가 큰 것으로서, 입성장을 제어하지 못하였음을 의미하며, 쉘의 크기가 커서 전압 인가 시 유효용량 감소율이 개선되지 못하였다고 평가할 수 있다.
샘플 칩 유전체 결정립 수 코어(nm) Sn (mol) Dy (mol) Tb (mol) (Dy+Tb)/Sn
4-1 4 30 1.5 0.9 0.6 1
4-2 4 30 1.2 0.9 0.3 1
4-3 4 30 1 0.9 0.5 1.4
4-4 4 60 1 1 0 1
4-5 4 60 1 1.2 0 1.2
4-6 4 80 1.5 0.9 0.6 1
4-7 4 80 1.5 0.9 0.9 1.2
4-8 4 80 1.5 0.8 1.3 1.4
4-9 4 80 1.5 0.7 1.55 1.5
4-10 4 90 1 0.5 0.15 0.65
4-11 4 90 2 1.3 0.2 0.75
4-12 4 90 1.5 0.9 0.4 0.87
4-13 4 90 1.5 0.9 0.45 0.9
4-14 4 90 1.5 1.2 0.3 1
4-15 4 90 1.5 0.8 0.85 1.1
4-16 4 90 1 0.9 0.6 1.5
4-17 4 100 2 1.3 0.2 0.75
4-18 4 100 1.5 0.9 0.4 0.87
4-19 4 100 1.5 0.9 0.9 1.2
4-20 4 100 1.5 0.9 1.2 1.4
4-21 4 100 1.5 0.9 1.35 1.5
4-22 4 110 2 1.3 0.2 0.75
4-23 4 110 1.5 0.9 0.4 0.87
4-24 4 120 1 0.7 0.5 1.2
4-25 4 120 1 0.9 0.5 1.4
4-26 4 120 1 0.9 0.6 1.5
샘플 칩 0V 1V 3V 평가
유효용량 유효용량 용량감소율
(△C@1V)		 유효용량 용량감소율
(△C@3V)
4-1 2757.4 1567.2 -43.2 878.8 -68.1 X
4-2 3565.3 1741 -51.2 814.7 -77.2 X
4-3 2824.5 1241.5 -56 664.9 -76.5 X
4-4 2810.8 1759.1 -37.4 850.7 -69.7 X
4-5 2114.3 1284 -39.3 866.4 -59 X
4-6 3182.5 2057.5 -35.4 958.4 -69.9 O
4-7 3039.8 2009 -33.9 965 -68.3 O
4-8 2330.9 1895.1 -18.7 1069.3 -54.1 O
4-9 2399.3 1947 -18.9 1078.4 -55.1 O
4-10 3560 1849.1 -48.1 662.8 -64.2 X
4-11 2845.1 2043.9 -28.2 1043.7 -63.3 O
4-12 2308.2 1933 -16.3 1027.1 -55.5 O
4-13 2876.9 2039.3 -29.1 1001.1 -65.2 O
4-14 3007.7 2087.1 -30.6 986.6 -67.2 O
4-15 2914.8 2073.9 -28.8 994.2 -65.9 O
4-16 2481.2 1817.8 -26.7 860.2 -65.3 O
4-17 2766.9 1992 -28 1013.5 -63.4 O
4-18 2518.6 2021.2 -19.7 1018.2 -59.6 O
4-19 2415 1790.3 -25.9 996.9 -58.7 O
4-20 2419.8 1892.7 -21.8 1030.2 -57.4 O
4-21 2198 1936.7 -11.9 1046.7 -52.4 O
4-22 2811.7 1970.3 -29.9 1001.1 -64.4 O
4-23 2622.6 2061.9 -21.4 1006 -61.6 O
4-24 2498.7 2022.6 -19.1 1095.5 -56.2 O
4-25 2506.5 2041.6 -18.5 1106.7 -55.8 O
4-26 2409.2 2003.2 -16.9 1109.9 -53.9 O
표 3 및 표 4는 유전체층 내 유전체 결정립의 수가 4개인 경우에 해당한다. 한편, 코어의 크기가 30 nm 이상 60 nm 이하에 해당하는 샘플 칩 4-1 내지 4-5는, 1V 또는 3V의 전압 인가 시 유효용량 감소율이 개선되지 못함을 확인할 수 있다. 이는 코어의 크기가 작고 쉘의 크기가 커서 전압 인가 시 전계 집중 현상에 의한 유효용량의 감소가 커진 것으로 예측할 수 있다.
반면, 코어의 크기가 80 nm 이상 120 nm 이하에 해당하는 샘플 칩 4-6 내지 4-9 및 샘플 칩 4-11 내지 4-26은, 용량감소율이 개선되었음을 확인할 수 있다. 샘플 칩 4-10의 경우, 코어의 크기가 90 nm에 해당하여 충분한 코어 크기를 가지는 것으로 확인되나, (Dy+Tb)/Sn의 값이 0.65에 해당한다. 이는, 희토류 원소가 상대적으로 부족하여 입성장을 충분히 제어하지 못함에 따라 쉘 영역이 커져 전계 집중 현상이 발생하여 용량감소율이 열위해졌다고 평가할 수 있다.
샘플 칩 유전체 결정립 수 코어(nm) Sn (mol) Dy (mol) Tb (mol) (Dy+Tb)/Sn
5-1 5 80 2 0.9 0.5 0.7
5-2 5 80 2 1.2 0.4 0.8
5-3 5 80 1.5 1.2 0.75 1.3
5-4 5 80 1.5 1.5 0.6 1.4
5-5 5 80 1.5 1.5 0.75 1.5
5-6 5 90 1 0.9 0.2 1.1
5-7 5 90 1 0.9 0.3 1.2
5-8 5 90 1 0.9 0.4 1.3
5-9 5 90 1 0.9 0.6 1.5
5-10 5 90 1 0.5 1.12 1.62
5-11 5 100 1.5 1.2 0.3 1
5-12 5 100 1.5 1.2 0.6 1.2
5-13 5 100 1.5 1.2 0.9 1.4
5-14 5 100 1.5 1.8 0.45 1.5
5-15 5 110 1 0.9 0.5 1.4
5-16 5 120 1 0.9 0.3 1.2
5-17 5 120 1 0.9 0.5 1.4
5-18 5 120 1 0.9 0.6 1.5
샘플 칩 0V 1V 3V 평가
유효용량 유효용량 용량감소율
(△C@1V)		 유효용량 용량감소율
(△C@3V)
5-1 2368.9 1952.6 -17.6 1076.5 -54.6 O
5-2 2480.4 1961.3 -20.9 1055.3 -57.5 O
5-3 2447.5 1906.1 -22.1 1030.5 -57.9 O
5-4 2902.8 2084.9 -28.2 1031.8 -64.5 O
5-5 2871.2 2088.4 -27.3 1038.7 -63.8 O
5-6 2883.2 1966.7 -31.8 912.7 -68.3 O
5-7 2583.1 1925.9 -25.4 954.4 -63.1 O
5-8 2488.7 1980.8 -20.4 1078 -56.7 O
5-9 2109.9 1764.1 -16.4 1058 -49.9 O
5-10 2842.4 1772.5 -37.6 808.2 -71.6 X
5-11 2579.6 2072.2 -19.7 1124.8 -56.4 O
5-12 2363.9 1950 -17.5 1098.4 -53.5 O
5-13 2482.3 1930.8 -22.2 1030.4 -58.5 O
5-14 2420.7 1897.5 -21.6 1035.8 -57.2 O
5-15 2853.4 2028 -28.9 985.2 -65.5 O
5-16 2425.2 1968.5 -18.8 1073 -55.8 O
5-17 2411.5 1986.1 -17.6 1085.9 -55 O
5-18 2343.4 1922.5 -18 1078.1 -54 O
표 5 및 표 6은 유전체층 내 유전체 결정립의 수가 5개인 경우에 해당한다. 한편, 코어의 크기가 80 nm 이상 120 nm 이하에 해당하는 샘플 칩 5-1 내지 5-9 및 샘플 칩 5-11 내지 5-18은, 1V 및 3V의 전압 인가 시 유효용량 감소율이 개선되었음을 확인할 수 있다.
한편, 샘플 칩 5-10의 경우, 코어의 크기가 90 nm에 해당하여 충분한 코어 크기를 가지는 것으로 확인되나, (Dy+Tb)/Sn의 값이 1.62에 해당한다. 이는, 희토류 원소가 상대적으로 많이 첨가되었고, 이에, 입성장을 충분히 제어하지 못함에 따라 쉘 영역이 커져 전계 집중 현상이 발생하여 용량감소율이 열위해졌다고 평가할 수 있다.
샘플 칩 유전체 결정립 수 코어(nm) Sn (mol) Dy (mol) Tb (mol) (Dy+Tb)/Sn
6-1 6 90 1 0.9 0.3 1.2
6-2 6 90 1 0.9 0.4 1.3
6-3 6 90 1 1.3 0.2 1.5
6-4 6 90 1 0.5 1.12 1.62
6-5 6 110 1 0.9 0.5 1.4
7-1 7 90 1 1.3 0.2 1.5
7-2 7 110 1 0.9 0.5 1.4
샘플 칩 0V 1V 3V 평가
유효용량 유효용량 용량감소율
(△C@1V)		 유효용량 용량감소율
(△C@3V)
6-1 2725 1973.6 -27.6 933 -65.8 O
6-2 2293.2 1791.7 -21.9 982.2 -57.2 O
6-3 1963.1 1651.9 -15.9 1005.7 -48.8 O
6-4 3003.4 1702.3 -43.3 761.2 -74.7 X
6-5 2938 2030.4 -30.9 969.8 -67 O
7-1 2222.4 1885.9 -15.1 1086.3 -51.1 O
7-2 2906.8 1985 -31.7 942.7 -67.6 O
표 7 및 표 8은 유전체층 내 유전체 결정립의 수가 6개 및 7개인 경우에 해당한다. 한편, 코어의 크기가 90 nm 이상 110 nm 이하에 해당하는 샘플 칩 6-1 내지 6-3 및 샘플 칩 7-1 내지 7-2는, 1V 및 3V의 전압 인가 시 유효용량 감소율이 개선되었음을 확인할 수 있다.
한편, 샘플 칩 6-4의 경우, 코어의 크기가 90 nm에 해당하여 충분한 코어 크기를 가지는 것으로 확인되나, (Dy+Tb)/Sn의 값이 1.62에 해당한다. 이는, 희토류 원소가 상대적으로 많이 첨가되었고, 이에 입성장을 충분히 제어하지 못함에 따라 쉘 영역이 커져 전계 집중 현상이 발생하여 용량감소율이 열위해졌다고 평가할 수 있다.
이하의 표 9는, 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 크기 및 측정한 유전체 결정립의 코어 크기를 측정한 데이터이다.
보다 구체적으로, 적층형 전자 부품의 제3 방향 1/2 지점에서의 제1 및 제2 방향 단면(cross-section)을 기준으로, 용량 형성부(Ac) 중 인접한 내부 전극 사이의 유전체층을 포함하여 (1 μm × 1 μm) 크기의 화상 이미지 내에 존재하는 유전체 결정립 및 코어의 크기를 측정하였다.
이때, 유전체 결정립의 크기를 측정한 유전체 결정립과 코어의 크기를 측정한 유전체 결정립은 동일하다.
유전체 결정립의 크기 측정은, 유전체 결정립의 중심점을 지나는 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 측정하였으며, 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 평균한 값을 유전체 결정립의 크기로 기재하였으며, 단위는 nm 이다.
코어의 크기 측정은, 코어의 중심점을 지나는 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 측정하였으며, 최소 직선 크기 및 최대 직선 크기를 평균한 값을 코어의 크기로 기재하였으며, 단위는 nm 이다.
코어 분율(%)은 유전체 결정립의 크기 대비 코어 크기를 백분율로 표기한 것이다.
유전체 결정립 샘플 유전체 결정립 (nm) 코어 (nm) 코어 분율
최소 크기 최대 크기 크기 최소 크기 최대 크기 크기
G1 130.0 141.9 135.9 112.4 88.4 100.4 74%
G2 141.9 286.0 214.0 92.1 142.6 117.4 55%
G3 199.1 261.9 230.5 81.6 144.0 112.8 49%
G4 132.2 136.5 134.3 95.1 112.6 103.9 77%
G5 142.3 147.7 145.0 71.8 74.4 73.1 50%
G6 99.1 195.6 147.3 93.1 98.8 95.9 65%
G7 196.5 263.0 229.7 163.9 167.9 165.9 72%
G8 171.1 242.1 206.6 83.8 115.6 99.7 48%
G9 190.1 290.8 240.4 115.8 205.3 160.5 67%
G10 146.7 193.9 170.3 139.3 140.3 139.8 82%
G11 92.3 150.2 121.2 79.0 87.6 83.3 69%
G12 152.7 192.3 172.5 104.2 139.7 121.9 71%
G13 144.8 197.4 171.1 85.7 94.2 90.3 53%
평균 178.4 112.7 64%
표준편차 41.3 28.3
표 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 유전체 결정립의 평균 크기는 178.4 nm 이며, 표준편차는 41.3 nm 에 해당하고, 코어의 평균 크기는 112.7 nm 이며, 표준편차는 28.3 nm 에 해당한다. 이때, 코어 분율의 평균은 64%에 해당한다.
이는, 유전체 결정립의 크기 대비 코어의 크기 분율이 평균적으로 64% 임을 의미하는 것으로, 상대적으로 코어의 크기가 큰 것을 알 수 있다. 이로부터, 유효용량의 값이 크면서 전계 집중 현상에 의한 유효용량감소율이 개선될 것임을 예측할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 '일 실시예'라는 표현은 서로 동일한 실시예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일 실시예들은 다른 일 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일 실시예에서 설명된 사항이 다른 일 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 단지 일 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
100: 적층형 전자 부품.
111: 유전체층
112, 113: 커버부
114, 115: 사이드 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 132: 외부 전극
20: 유전체 결정립
21: 코어
22: 쉘

Claims (16)

  1. 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층 및 상기 유전체층과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극을 포함하는 바디; 및
    상기 바디 상에 배치되는 외부 전극; 을 포함하고,
    상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어와 상기 코어의 적어도 일부를 커버하는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며,
    상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고,
    상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계에 관한 비율((Dy+Tb)/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며,
    상기 유전체층 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재하는
    적층형 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층에서 상기 제1 방향으로 직선(L)을 그었을 때, 상기 직선(L) 상에 존재하는 상기 유전체 결정립의 수가 4개 이상 7개 이하인 유전체층을 적어도 하나 이상 포함하는
    적층형 전자 부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 결정립의 평균 크기는 100 nm 이상 300 nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 크기의 표준 편차는 ±100 nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디스프로슘(Dy)의 함량은 상기 코어보다 상기 쉘에서 더 높은
    적층형 전자 부품.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 코어의 평균 크기는 50 nm 이상 200 nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 코어의 평균 크기에 대한 크기의 표준 편차는 ±75 nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층에 포함된 티타늄(Ti) 100몰 대비 상기 주석(Sn)의 몰수는 1.0 몰 이상 2.0 몰 이하인
    적층형 전자 부품.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 상기 디스프로슘(Dy)의 몰수는 0.7 몰 이상 1.5 몰 이하인
    적층형 전자 부품.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층에 포함된 티타늄(Ti) 100 몰 대비 상기 터븀(Tb)의 몰수는 0.2 몰 이상 1.55 몰 이하인
    적층형 전자 부품.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층에 포함된 티타븀(Ti) 100 몰 대비 상기 디스프로슘(Dy)의 몰수와 터븀(Tb)의 몰수의 합계는 1.1 몰 이상 2.25몰 이하인
    적층형 전자 부품.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 바디는, 상기 제1 방향으로 서로 마주보는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 서로 마주보는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 서로 마주보는 제5 및 제6 면을 포함하며, 상기 유전체층과 상기 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향 양 단면에 배치되는 커버부를 포함하는
    적층형 전자 부품.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 용량 형성부의 상기 제3 방향 양 단면에 배치되는 사이드 마진부를 포함하는
    적층형 전자 부품.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층의 상기 제1 방향 평균 크기는 0.6 μm 이하인
    적층형 전자 부품.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 적층형 전자 부품의 사이즈는 1005(길이×폭: 1.0 mm×0.5 mm) 이하인
    적층형 전자 부품.
  16. 복수의 유전체 결정립을 포함하는 유전체층 및 상기 유전체층과 제1 방향으로 번갈아 배치되는 내부 전극을 포함하는 바디; 및
    상기 바디 상에 배치되는 외부 전극; 을 포함하고,
    상기 복수의 유전체 결정립 중 적어도 하나 이상은, 내측의 코어와 상기 코어의 적어도 일부를 커버하는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가지며,
    상기 코어-쉘 구조를 가지는 유전체 결정립의 평균 크기에 대한 상기 코어의 평균 크기 비율은 0.4 이상 0.8 이하이고,
    상기 유전체층에 포함된 주석(Sn)의 몰수에 대한 희토류 원소(RE) 몰수에 관한 비율(RE/Sn)은 0.7 이상 1.5 이하를 만족하며,
    상기 유전체층 중 적어도 하나 이상은 상기 제1 방향으로 4개 이상의 유전체 결정립이 존재하는
    적층형 전자 부품.
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