JP2024029739A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、複数の第１誘電体層及び上記第１誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含んで静電容量を形成する活性部を含み、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置され、上記第１内部電極及び第２内部電極とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極と、を含み、上記第１誘電体層は安定化ジルコニアを含むことができる。
【選択図】図５

Description

本発明は、積層型電子部品に関する。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保証され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化に対する要求が増大している。

一方、ＭＬＣＣに使用される誘電体パウダーを製造する際に、誘電体パウダーを微粒化するためにミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）工程を用いることができるが、このとき、ジルコニウムビーズ（ｂｅａｄｓ）を媒体（ｍｅｄｉａ）として使用することができる。ミリング工程の特性上、ジルコニウムビーズの一成分であるジルコニウム（Ｚｒ）が誘電体パウダーに不純物として流入することがあるが、不純物として流入するジルコニウムは、誘電体パウダーの電気的特性、誘電体の静電容量（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃａｐａｃｉｔｙ）、ＤＦ（誘電正接，ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）、ＢＤＶ（破壊電圧，ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）など、様々な特性に影響を及ぼし得る因子として究明されている。しかし、現在では、含量の制御が困難であるため、流入量の管理にのみ依存している。

特開平９－１４８１７５号公報

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、誘電体組成物に安定化ジルコニアを添加して電気的特性、誘電体の静電容量、ＤＦ及びＢＤＶ等が向上した積層型電子部品を提供することである。

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、複数の第１誘電体層及び上記第１誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含んで静電容量を形成する活性部を含み、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置され、上記第１内部電極及び第２内部電極とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極と、を含み、上記第１誘電体層は安定化ジルコニアを含むことができる。

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品は、複数の第１誘電体層及び上記第１誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含んで静電容量を形成する活性部を含み、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記本体上に配置され、上記第１内部電極及び第２内部電極とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極と、を含み、上記第１誘電体層は第１誘電体組成物製であり、上記第１誘電体組成物は安定化ジルコニアを含み、且つ上記安定化ジルコニアは、イットリア安定化ジルコニア、酸化マグネシウム安定化ジルコニア、酸化セリウム安定化ジルコニア、酸化アルミニウム安定化ジルコニア、及び酸化カルシウム安定化ジルコニアのうち選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の電気的特性、誘電体の静電容量、ＤＦ及びＢＤＶなどが向上することである。

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。 本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の本体を分解して概略的に示したものである。 図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示したものである。 図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示したものである。 本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の第１誘電体層をＴＥＭ‐ＥＤＳで撮影したイメージである。

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

そして、図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の本体を分解して概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図５は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の第１誘電体層をＴＥＭ‐ＥＤＳで撮影した画像イメージである。

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を用いる様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、複数の第１誘電体層１１１ａ及び上記第１誘電体層１１１ａを間に挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで静電容量（キャパシタンス）を形成する活性部Ａｃを含み、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、上記第１面～第４面（１、２、３、４）と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を含む本体と、上記本体１１０上に配置され、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２と、を含み、上記第１誘電体層１１１ａは安定化ジルコニアを含むことができる。

本明細書において、「誘電体層１１１」は、活性部Ａｃに含まれる第１誘電体層１１１ａ、カバー部１１２、１１３に含まれる第２誘電体層１１１ｂ及びマージン部１１４、１１５に含まれる第３誘電体層１１１ｂを意味することができる。第１誘電体層～第３誘電体層（１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ）に対する詳細な説明は後述する。

本体１１０は、第１誘電体層１１１ａ及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

より具体的には、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、第１誘電体層１１１ａを間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで静電容量を形成する活性部Ａｃを含むことができる。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成工程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面～第４面（１、２、３、４）と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

本体１１０を形成する複数の第１誘電体層１１１ａは焼成された状態であって、隣接する第１誘電体層１１１ａ間の境界は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認し難いほど一体化することができる。

第１誘電体層１１１ａを形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、制限されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

また、第１誘電体層１１１ａを形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

一方、ＭＬＣＣに使用される誘電体パウダーを製造する際に、誘電体パウダーを微粒化するためにミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）工程を用いることができるが、このとき、ジルコニウムビーズ（ｂｅａｄｓ）を媒体（ｍｅｄｉａ）として使用することができる。ミリング工程の特性上、ジルコニウムビーズの一成分であるジルコニウム（Ｚｒ）が誘電体パウダーに不純物として流入することがあるが、不純物として流入するジルコニウムは、誘電体パウダーの電気的特性、誘電体の静電容量、ＤＦ（誘電正接，ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）、ＢＤＶ（破壊電圧，ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）など、様々な特性に影響を及ぼし得る因子として究明されている。しかし、現在では、含量の制御が困難であるため、流入量の管理にのみ依存している。

本発明の一実施形態は、誘電体組成物に安定化ジルコニアを添加して積層型電子部品の電気的特性、容量特性、ＤＦ及びＢＤＶ特性を向上させることができる効果がある。

より具体的に、静電容量を形成する活性部Ａｃに含まれる第１誘電体層１１１ａは、安定化ジルコニアを含むことができる。

ここで、安定化ジルコニアは、イットリア安定化ジルコニア、酸化マグネシウム安定化ジルコニア、酸化セリウム安定化ジルコニア、酸化アルミニウム安定化ジルコニア及び酸化カルシウム安定化ジルコニアのうち一つ以上を含むことができる。

安定化ジルコニアとは、ジルコニウムの温度変化による体積変化時に伴われる可能性のある結晶粒（ｇｒａｉｎ）が崩れるという問題点などを防止するために、ジルコニウムに安定化剤を添加した物質と定義することができる。例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）は、酸化ジルコニウム（ジルコニア）に酸化イットリウム（イットリア）を添加して常温でも安定するようにした物質に該当する。ジルコニアにイットリアが添加されることによって、Ｚｒ^４＋イオンの一部がＹ^３＋に置き換えられる。これにより、４個のＯ^２－イオンの代わりに３個のＯ^２－イオンに置き換えられ、結果的に、酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）が作られる。このようにして生成された酸素空孔によって、イットリア安定化ジルコニアはＯ^２－イオン伝導性を有するようになり、温度が高いほど伝導度が良くなり、強度（ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）及び靭性（ｓｔｒｅｎｇｔｈ）なども向上することができる。

一方、安定化ジルコニアの種類は、前述した種類に限定されるものではなく、ミリング工程において、媒体（メディア）として使用されるビーズ（ｂｅａｄｓ）の種類に応じて、又は様々な環境で電気的特性を向上させようとする場合に応じて、必要な種類の安定化ジルコニアを添加することができる。

また、第１誘電体層１１１ａは、第１誘電体組成物を用いて形成することができ、上記第１誘電体組成物は安定化ジルコニアを含むことができる。

第１誘電体組成物に添加される安定化ジルコニアは、誘電体パウダーの焼結促進剤の役割を果たすことができ、これにより、焼成工程時に誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）が粒成長するようになり、誘電率が上昇して静電容量が増加する。すなわち、第１誘電体組成物に安定化ジルコニアを添加して第１誘電体層１１１ａを形成する場合、活性部Ａｃの電気的特性が向上できる。

例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）の場合、焼結温度が１，３００℃以上であって、一般的な誘電体組成物として使用されるＢａＴｉＯ_３（ＢＴ）より高いため、ＢＴとＹＳＺとを混合して焼結すると、２次相として残っている合成物の形態となることができ、焼結温度をより高める場合には、ＹＳＺがイットリウム（Ｙ）及びジルコニウム（Ｚｒ）に分解することもできる。熱処理温度、雰囲気、工程条件に応じて、ＹＳＺが焼成された後でも、分解せずにＹＳＺとして残ることができ、又は一部がＹ及びＺｒに分解するか、すべてのＹＳＺがＹ及びＺｒに分解することができる。このとき、ＹＳＺ、Ｙ、Ｚｒの如何なる形態で存在しても、電気的特性を向上させることができるため、製造工程に応じて適宜制御することが好ましい。

このとき、イットリア安定化ジルコニアが微量（０ｐｐｍ超）添加されても電気的特性が向上でき、２００ｐｐｍ以上添加されることが好ましい。

本発明の一実施形態において、活性部Ａｃに含まれる複数の第１誘電体層１１１ａのうち少なくとも一つ以上はジルコニウム（Ｚｒ）を含むことができる。

また、本発明の一実施形態において、活性部Ａｃに含まれる複数の第１誘電体層１１１ａのうち少なくとも一つ以上はイットリウム（Ｙ）を含むことができる。

第１誘電体層１１１ａに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）及びイットリウム（Ｙ）は、第１誘電体組成物に安定化ジルコニア、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）を添加することにより、第１誘電体層１１１ａにジルコニウム（Ｚｒ）又はイットリウム（Ｙ）元素が検出された結果によるものであることができる。

図５を参照すると、透過型電子顕微鏡のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ‐Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＴＥＭ‐ＥＤＳ）を用いてイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びイットリウム（Ｙ）の成分分析を行うことができる。

焼成が完了した積層型電子部品であるチップ（ｃｈｉｐ）を、第１方向及び第２方向の断面を基準として第３方向の１／２地点まで研磨した後、任意の第１誘電体層１１１ａをＴＥＭ‐ＥＤＳで分析して成分分析を行うことができる。このとき、第１方向及び第２方向の断面の中央地点を基準として設定した領域に位置するイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びイットリウム（Ｙ）の成分を分析することができる。

また、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びイットリウム（Ｙ）は、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＩＣＰ‐ＯＥＳ）設備を用いて定量分析を行うことができる。

ＩＣＰ‐ＯＥＳ分析のためには前処理条件が重要であり、前処理条件は以下の通りである。

０．１～０．２ｇのサンプルチップ（ｃｈｉｐ）とＬｉＢＯ_２（リチウムメタボレート）１～２ｇを１０～２０倍希釈して白金るつぼに入れ、温度条件１０５０℃で３時間の間溶融を行う。溶融した白金るつぼを２５０ｍｌのビーカー（ｂｅａｋｅｒ、ｌｏｗ ２５０ｍｌ）に入れ、１０％濃度の硝酸水溶液を白金るつぼが沈む（約２００ｍｌ）まで注ぐ。時計皿でビーカーを覆った後、６０～７０℃の恒温槽で超音波溶解を６０分間行う。このとき、白金るつぼの内部に残留物がなくなるまで超音波溶解を行う。白金るつぼをビーカーから取り出し、残留物が残っているか確認した後、超純水（ＵＰＷ、ｕｌｔｒａｐｕｒｅ ｗａｔｅｒ）で濾液をすすぐ。サンプルチップが溶融した試料を常温から２５℃まで降温させた後、２５０ｍｌのフラスコ（ｆｌａｓｋ）に注ぎ、超純水（ＵＰＷ）を追加して２５０ｍｌの容積に合わせる。

その後、Ｐｒｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ａｖｉｏ ２００設備を用いてジルコニウム（Ｚｒ）及びイットリウム（Ｙ）の含量を定量分析することができる。標準試料を用いて１０倍、１００倍、１０００倍希釈して検量線を設定することができ、このとき、９９．９９％以上を満たす場合に有効性があると見なすことができる。標準試料によって設定された検量線を用いて成分分析を行う際に、定量化された試料のｐｐｍを分析することができる。このようにして測定された含量は平均含量を意味することができる。

第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１誘電体層１１１ａの厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

ここで、第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄは、後述する第２誘電体層１１１ｂ及び第３誘電体層（図示せず）の厚さを意味することができる。

第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄは、第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄを意味することができる。

一方、第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄは、第１誘電体層１１１ａの第１方向のサイズを意味することができる。また、第１誘電体層１１１ａの厚さｔｄは、第１誘電体層１１１ａの平均厚さｔｄを意味することができ、第１誘電体層１１１ａの第１方向の平均サイズを意味することができる。

第１誘電体層１１１ａの第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの第１誘電体層１１１ａを第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であってもよい。上記等間隔である３０個の地点は活性部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の第１誘電体層１１１ａに拡張して平均値を測定すると、第１誘電体層１１１ａの第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

内部電極１２１、１２２は、第１誘電体層１１１ａと交互に積層されてもよい。

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する第１誘電体層１１１ａを間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その間に配置された第１誘電体層１１１ａによって互いに電気的に分離されてもよい。

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成されてもよい。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であってもよい。上記等間隔である３０個の地点は活性部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

一方、本体１１０は、活性部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

より具体的に、活性部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び活性部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３は第２誘電体層１１１ｂを含み、第２誘電体層１１１ｂは第２誘電体組成物を用いて形成されるが、第２誘電体組成物は安定化ジルコニアを含まなくてもよい。このとき、第２誘電体層１１１ｂには安定化ジルコニアを含まないことが好ましい。

より具体的に、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の第２誘電体層１１１ｂ又は２つ以上の第２誘電体層１１１ｂを活性部Ａｃの第１方向の上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができる。

第２誘電体層１１１ｂは、第２誘電体組成物を用いて形成されてもよく、第１誘電体層１１１ａを形成する第１誘電体組成物とは異なり、第２誘電体組成物は安定化ジルコニアを含まなくてもよい。

第１誘電体組成物に添加される安定化ジルコニアは電気的特性を向上させるためのものであって、誘電体の静電容量に寄与しないカバー部１１２、１１３の第２誘電体層１１１ｂを形成する第２誘電体組成物には、安定化ジルコニアが添加されなくてもよい。

本発明の一実施形態において、第１誘電体層１１１ａに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は、第２誘電体層１１１ｂに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量より高くてもよい。また、第１誘電体層１１１ａに含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は、第２誘電体層１１１ｂに含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量より高くてもよい。

積層型電子部品の焼成過程のうち、第１誘電体層１１１ａを含む活性部Ａｃと第２誘電体層１１１ｂを含むカバー部１１２、１１３との境界面において熱処理による拡散が行われることによって、第１誘電体組成物に含まれた安定化ジルコニア、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）によりカバー部１１２、１１３の第２誘電体層１１１ｂにジルコニウム（Ｚｒ）又はイットリウム（Ｙ）などが含まれることができる。

第１誘電体層１１１ａ及び第２誘電体層１１１ｂに含まれたジルコニウム（Ｚｒ）又はイットリウム（Ｙ）の平均含量は、前述のＩＣＰ‐ＯＥＳ分析装置を用いた定量分析により測定することができ、活性部Ａｃとカバー部１１２、１１３、又は後述するマージン部１１４、１１５とを区分して各構成に含まれた成分を定量的に分析することができる。

第２誘電体組成物は、安定化ジルコニアを除いては、第１誘電体組成物と同じ材料を含むことができる。

すなわち、カバー部１１２、１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

また、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まなくてもよい。

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましく２０μｍ以下であってもよい。

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つのカバー部１１２、１１３を第３方向に等間隔である３０個の地点で厚さを測定した平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、上部カバー部１１２で指定することができる。また、このような平均値の測定を下部カバー部１１３に拡張して平均値を測定すると、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

本発明の一実施形態によると、本体１１０は、活性部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるマージン部１１４、１１５をさらに含むことができる。

より具体的に、マージン部１１４、１１５は、活性部Ａｃの第５面５上に配置された第１マージン部１１４及び第６面６上に配置された第２マージン部１１５を含むことができる。

マージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１及び第３方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が活性部Ａｃの第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の第３誘電体層（図示せず）又は２つ以上の第３誘電体層（図示せず）を活性部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することができる。

本発明の一実施形態において、マージン部１１４、１１５は第３誘電体層（図示せず）を含み、第３誘電体層（図示せず）は第３誘電体組成物を用いて形成されるが、第３誘電体組成物は安定化ジルコニアを含まなくてもよい。

このとき、第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５は、単一の第３誘電体層（図示せず）又は２つ以上の第３誘電体層（図示せず）を活性部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ‐ｓｕｒｆａｃｅ）にそれぞれ第３方向に積層して形成することができる。

第３誘電体層（図示せず）は、第３誘電体組成物を用いて形成されてもよく、第１誘電体層１１１ａを形成する第１誘電体組成物とは異なり、第３誘電体組成物は安定化ジルコニアを含まなくてもよい。

第１誘電体組成物に添加される安定化ジルコニアは電気的特性を向上させるためのものであり、誘電体の静電容量に寄与しないマージン部１１４、１１５の第３誘電体層（図示せず）を形成する第３誘電体組成物には安定化ジルコニアが添加されなくてもよい。

本発明の一実施形態において、第１誘電体層１１１ａに含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は、第３誘電体層（図示せず）に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量より高くてもよく、第１誘電体層１１１ａに含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は、第３誘電体層（図示せず）に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量より高くてもよい。

積層型電子部品の焼成過程のうち、第１誘電体層１１１ａを含む活性部Ａｃと第３誘電体層（図示せず）を含むマージン部１１４、１１５との境界面において熱処理による拡散が行われることによって、第１誘電体組成物に含まれた安定化ジルコニア、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）により、マージン部１１４、１１５の第３誘電体層にジルコニウム（Ｚｒ）又はイットリウム（Ｙ）などが含まれることができる。

マージン部１１４、１１５の第３誘電体層（図示せず）に含まれたジルコニウム（Ｚｒ）又はイットリウム（Ｙ）の平均含量は、ＩＣＰ‐ＯＥＳ分析装置を用いた定量分析により測定することができる。

第３誘電体組成物は、安定化ジルコニアを除いては第１誘電体組成物と同じ材料を含むことができる。あるいは、第３誘電体組成物は、第２誘電体組成物と同じ材料に該当することができる。

すなわち、マージン部１１４、１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

また、第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まなくてもよい。

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の幅は１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましく２０μｍ以下であってもよい。

ここで、マージン部１１４、１１５の幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、マージン部１１４、１１５の幅は、マージン部１１４、１１５の平均幅を意味することができ、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ‐ｓｅｃｔｉｏｎ）を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つのマージン部１１４、１１５を第１方向に等間隔である３０個の地点で第３方向のサイズを測定した平均値であってもよい。上記等間隔である３０個の地点は、第１マージン部１１４で指定することができる。また、このような平均値の測定を第２マージン部１１５に拡張して平均値を測定すると、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置されて内部電極１２１、１２２と連結されてもよい。

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例として、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たす。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、３２１６（長さ×幅、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズを一実施形態として説明したが、特にこれに限定されるものではない。

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、これは、発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

（実施例）
下記表１は、活性部Ａｃの領域である第１誘電体層１１１ａにＹＳＺを添加せずにサンプルチップを製造した試料１及びＹＳＺを添加してサンプルチップを製造した試料２と試料３の電気的特性を評価したデータである。

試料として使用されたサンプルチップ（ｃｈｉｐ）のサイズは、３２１６（長さ×幅、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズで作製された。

試料１は、ＹＳＺを添加しなかったＢａＴｉＯ_３系誘電体組成物を用いて作製したサンプルチップに該当する。

試料２は、ＹＳＺを２００ｐｐｍ添加した誘電体組成物を用いて作製したサンプルチップに該当する。ＹＳＺを除く誘電体組成物の成分は試料１と同じである。

試料３は、ＹＳＺを４００ｐｐｍ添加した誘電体組成物を用いて作製したサンプルチップに該当する。添加されたＹＳＺの含量は試料２よりも高い。ＹＳＺを除く誘電体組成物の成分は試料１と同じである。

ＤＦ（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ｆａｃｔｏｒ）は、誘電体において、原子周辺の電子の振動により、入力信号が有するエネルギーが失われ、入力信号の大きさが減少し、熱が発生した程度を示す誘電体の固有定数である。Ｃは誘電体の静電容量（キャパシタンス）を表す値であって、単位はμＦである。静電容量百分率（キャパシタンスパーセンテージ）は、３２１６（長さ×幅、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのうち、基準となるいずれか一つの静電容量値である４．７μＦに対する静電容量の変化率を意味する。

定量分析の方法としてはＩＣＰ‐ＯＥＳによる分析が可能であり、ＩＣＰ‐ＯＥＳ分析のためには前処理条件が重要であり、前処理条件は以下の通りである。

０．１～０．２ｇのサンプルチップ（ｃｈｉｐ）とＬｉＢＯ_２（リチウムメタボレート）１～２ｇを１０～２０倍希釈して白金るつぼに入れ、１０５０℃で３時間の間溶融を行う。溶融した白金るつぼを２５０ｍｌのビーカー（ｂｅａｋｅｒ）に入れ、１０％の硝酸水溶液を白金るつぼが沈む（約２００ｍｌ）まで注ぐ。時計皿でビーカーを覆った後、６０～７０℃の恒温槽で超音波溶解を６０分間行う。白金るつぼの内部に残留物がなくなるまで超音波溶解を行う。白金るつぼをビーカーから取り出し、残留物を確認した後、超純水（ＵＰＷ）で濾液をすすぐ。

チップが溶融した試料を常温に放置して２５℃まで降温されると、２５０ｍｌのフラスコ（ｆｌａｓｋ）に注ぎ、超純水（ＵＰＷ）を追加して２５０ｍｌの容積に合わせる。

Ｐｒｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ａｖｉｏ ２００設備でＺｒ及びＹ含量の定量分析を行い、標準試料を用いて１０倍、１００倍、１０００倍希釈して検量線を設定し、９９．９９％以上を満たす場合に有効性を有する。標準試料によって設定された検量線を用いて成分分析を行うときに、定量化された試料のｐｐｍを分析することができる。

試料１はＹＳＺが添加されていない比較例であって、添加剤として添加されるＺｒＯ_２及びＹ_２Ｏ_３に対するＩＣＰ‐ＯＥＳ分析時にＺｒ及びＹが検出された。

試料２及び試料３は、ＹＳＺがそれぞれ２００ｐｐｍ及び４００ｐｐｍずつ添加された実施例であって、ＹＳＺが添加されていない試料１に比べて、電気的特性である平均ＤＦ（ＤＦ Ａｖｇ）、平均Ｃ（Ｃ ａｖｇ）及び静電容量百分率（キャパシタンスパーセンテージ）が増加したことが確認できる。

添加されたＹＳＺの含量は、試料１＜試料２＜試料３（試料１はＹＳＺ未添加）を満たし、添加されるＹＳＺの含量が増加するほど、最終製品であるチップにおけるＺｒ及びＹの検出含量が増大することが確認できると共に、電気的特性が向上することが分かる。

要するに、誘電体の静電容量を形成する活性部Ａｃの第１誘電体層を、ＹＳＺを添加した誘電体組成物を用いて形成する場合、ＹＳＺを添加しなかった誘電体組成物を用いて形成する場合に比べて電気的特性が向上することが確認できる。

本明細書で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１１ａ：第１誘電体層
１１１ｂ：第２誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：めっき層

Claims (17)

1. 複数の第１誘電体層及び前記第１誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含んで静電容量を形成する活性部を含み、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、
   前記本体上に配置され、前記第１内部電極及び前記第２内部電極とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極と、を含み、
   前記第１誘電体層は安定化ジルコニアを含む、積層型電子部品。
2. 前記安定化ジルコニアは、イットリア安定化ジルコニア、酸化マグネシウム安定化ジルコニア、酸化セリウム安定化ジルコニア、酸化アルミニウム安定化ジルコニア及び酸化カルシウム安定化ジルコニアのうち選択されたいずれか一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記複数の第１誘電体層のうち少なくとも一つ以上はジルコニウム（Ｚｒ）を含み、
   前記第１誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は６３７ｐｐｍ超である、請求項１に記載の積層型電子部品。
4. 前記第１誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は１０９０ｐｐｍ以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。
5. 前記複数の第１誘電体層のうち少なくとも一つ以上はイットリウム（Ｙ）を含み、
   前記第１誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は１２２ｐｐｍ超である、請求項１に記載の積層型電子部品。
6. 前記第１誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は１４０ｐｐｍ以下である、請求項５に記載の積層型電子部品。
7. 前記本体は、前記活性部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
8. 前記カバー部は第２誘電体層を含み、
   前記第２誘電体層は安定化ジルコニアを含まない、請求項７に記載の積層型電子部品。
9. 前記第１誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は、前記第２誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量より高く、
   前記第１誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は、前記第２誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量より高い、請求項８に記載の積層型電子部品。
10. 前記本体は、前記活性部の第３方向の両端面上に配置されるマージン部をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
11. 前記マージン部は第３誘電体層を含み、
    前記第３誘電体層は安定化ジルコニアを含まない、請求項１０に記載の積層型電子部品。
12. 前記第１誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は、前記第３誘電体層に含まれるジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量より高く、
    前記第１誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量は、前記第３誘電体層に含まれるイットリウム（Ｙ）の平均含量より高い、請求項１１に記載の積層型電子部品。
13. 前記第１誘電体層の前記第１方向の平均サイズは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
14. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極それぞれの前記第１方向の平均サイズは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
15. 前記カバー部の前記第１方向の平均サイズは１００μｍ以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
16. 前記マージン部の前記第３方向の平均サイズは１００μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
17. 複数の第１誘電体層及び前記第１誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含んで静電容量を形成する活性部を含み、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、
    前記本体上に配置され、前記第１内部電極及び前記第２内部電極とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極と、を含み、
    前記第１誘電体層は第１誘電体組成物製であり、
    前記第１誘電体組成物は安定化ジルコニアを含み、
    前記安定化ジルコニアは、イットリア安定化ジルコニア、酸化マグネシウム安定化ジルコニア、酸化セリウム安定化ジルコニア、酸化アルミニウム安定化ジルコニア及び酸化カルシウム安定化ジルコニアのうち選択されたいずれか一つ以上を含む、積層型電子部品。