KR20240022840A - 금속산화물을 포함한 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법에 관한 것으로서, 단일 유연구동기 사이에 금속 산화물을 포함하는 이온성 고분자 복합막을 절연막으로 포함하며, 핫프레스 공정을 통한 일체형의 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 금속산화물을 이용한 적층형 전기활성 고분자 유연 구동기 제조방법에 관한 것이다.
이온성 전기활성 고분자(Ionic Electro-Active Polymers, IEAPs)는 낮은 인가전압에도 빠른 응답속도를 나타내며 경량성 및 신축성이 우수하여 많은 공학 분야에서 연구되어 왔다.
이온성 고분자 금속 복합체(Ionic Polymer-Metal Composites, IPMCs)는 이온전달 특성이 우수한 이온성 고분자 전해질 막의 상하 양면에 전자전달 특성이 우수한 금속전극이 입혀진 커패시터 구조로 이루어져 있으며, 낮은 전기 구동 포텐셜과 대 변형특성 및 경량성으로 가장 각광받는 전기활성 고분자 구동기 중 하나이다. 또한, 변위에 비해 빠른 반응 주파수가 출력되며, 공기 중이나 물에서 구동이 가능하여, 제조공정에 따라 자유로운 형태로 구현할 수 있다. 이러한 이온성 고분자 금속 복합체는 생체의학과 로보틱스 공학 분야에서 구동기 또는 센서로서 다양하게 연구가 진행되고 있다.
기존 IPMCs 구동기는 이온성 고분자 층 및 그 양쪽에 각각 형성된 전극으로 이루어진 간단한 구조를 가지고 있다. 그러나 이온성 고분자 층에서 일어나는 자연 증발 및 인가된 전압에 의한 전기분해로 인해 이온성 고분자 층의 수분이 금속 전극의 크랙을 통해 빠져나가면 결과적으로 IPMCs의 구동 특성이 감소한다. 또한 IPMCs는 다른 구동기들(ex. SMA, EAC, etc.)에 비해 변위 특성이 좋으나 구동력이 약하다는 단점이 있기 때문에, 구동력을 향상시키기 위해 구조 개선이 필요하다.
적층형 구동기 구조가 대안이 될 수 있으나, 이 경우 단일 구동기 간의 절연이 필수적이다. 또한 단일 유연구동기를 적층하면 두께가 증가하여, 이온성 고분자 내부에서 동일 전압 대비 낮은 전계형성 및 소자의 무게 증가로 인해 구동 변위가 대폭 감소될 가능성도 있다. 이러한 문제점을 해결하고자 IPMCs의 이온성 고분자 막의 두께 조절 등 구동기 자체의 구조 및 형태에 대한 방법이 많이 제시되었으나 적층형 구조에 대한 연구, 절연층 선정 및 그 효과는 여전히 미미하고, 부족한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 금속 산화물 나노입자를 포함하는 고분자 복합막을 단일 유연구동기 사이의 절연층으로 도입하여, 구동기의 두께 증가에도 불구하고 구동 변위특성이 우수한 적층형 유연구동기 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 전극 간의 절연 효과와 더불어 전극을 통한 수분 손실을 방지함으로써 구동력 특성이 향상된 적층형 유연구동기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이온성 고분자 용액 및 금속 산화물을 혼합하여 분산액을 제조하는 단계; 이온성 고분자층 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 상기 분산액을 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 상기 도포막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기를 적층하여 적층체를 형성하는 단계; 및 핫프레스 공정을 통해 상기 적층체를 어닐링하는 단계;를 포함하는 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물은 이온성 고분자 용액 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 5 중량부로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물은 SiO2, ZrO2, TiO2, Al2O3, 및 ZnO2에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 산화물은 평균 입경 0.1 내지 500 ㎚일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 단일 유동구동기의 전극은 금속 전극, 그래핀 전극, 그래핀-은나노와이어 복합 전극, 또는 은나노와이어-산화그래핀 페이퍼 복합 전극일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 분산액은 탐침분산법을 통해 이온성 고분자 매트릭스 내에 금속 산화물 입자가 균일하게 분산된 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 도포막의 두께는 1 내지 100 ㎛일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 핫프레스 공정은 120 내지 150 ℃, 5 내지 50 Mpa에서 수행될 수 있다.
또한 본 발명은 이온성 고분자층, 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기; 상기 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 배치된 절연막; 및 상기 절연막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기가 적층된 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기로서, 상기 절연막은 이온성 고분자 매트릭스에 금속 산화물 입자가 분산된 유무기 복합막인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 이온성 고분자는 접착성 고분자일 수 있다.
본 발명은 금속 산화물 나노입자를 포함하는 고분자 복합막을 단일 유연구동기 사이의 절연층으로 도입하여, 구동기의 두께 증가에도 불구하고 구동 변위특성이 우수한 적층형 유연구동기 제조방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명은 전극 간의 절연 효과와 더불어 전극을 통한 수분 손실을 방지함으로써 구동력 특성이 향상된 적층형 유연구동기를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법을 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법의 단계를 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 구조의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법의 단계를 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 구조의 단면도를 나타낸 것이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 특별한 언급 없이 사용된 단위는 중량을 기준으로 하며, 일 예로 % 또는 비의 단위는 중량% 또는 중량비를 의미하고, 중량%는 달리 정의되지 않는 한 전체 조성물 중 어느 하나의 성분이 조성물 내에서 차지하는 중량%를 의미할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 수치 범위는 하한치와 상한치와 그 범위 내에서의 모든 값, 정의되는 범위의 형태와 폭에서 논리적으로 유도되는 증분, 이중 한정된 모든 값 및 서로 다른 형태로 한정된 수치 범위의 상한 및 하한의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. 본 발명의 명세서에서 특별한 정의가 없는 한 실험 오차 또는 값의 반올림으로 인해 발생할 가능성이 있는 수치범위 외의 값 역시 정의된 수치범위에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 용어, "포함한다"는 "구비한다", "함유한다", "가진다" 또는 "특징으로 한다" 등의 표현과 등가의 의미를 가지는 개방형 기재이며, 추가로 열거되어 있지 않은 요소, 재료 또는 공정을 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서의 용어, "실질적으로~ 포함하지 않는다"는 특정된 요소, 재료 또는 공정과 함께 열거되어 있지 않은 다른 요소, 재료 또는 공정이 발명의 적어도 하나의 기본적이고 신규한 기술적 사상에 허용할 수 없을 만큼의 현저한 영향을 미치지 않는 양 또는 정도로 존재할 수 있는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.
본 발명에 따른 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법 은 (S100) 이온성 고분자 용액 및 금속 산화물을 혼합하여 분산액을 제조하는 단계; (S200) 이온성 고분자층 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 상기 분산액을 도포하여 도포막을 형성하는 단계; (S300) 상기 도포막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기를 적층하여 적층체를 형성하는 단계; 및 (S400) 핫프레스 공정을 통해 상기 적층체를 어닐링하는 단계;를 포함할 수 있다.
단일 이온성 고분자 유연구동기는 제1전극, 제2전극 및 상기 전극들 사이에 위치하는 이온성 고분자 막을 포함할 수 있다. 단일 이온성 고분자 유연구동기는 당업계에 공지된 방법에 따라 제조할 수 있다. 구체적인 일 예를 들면, 액상의 이온성 고분자 용액을 몰드에 부어, 용제가 증발하도록 24시간 내지 48시간 1차 건조시키고, 기계적 강도를 증가시키기 위하여 열처리 과정을 1회 내지 3회 반복하여 이온성 고분자 막을 형성할 수 있다. 이후, 제조된 이온성 고분자 막을 샌딩하고, 샌딩된 이온성 고분자 막의 상하 양 표면에 전극을 입힐 수 있다. 전극은 금속 전극, 그래핀 전극, 그래핀-은나노와이어 복합 전극 또는 은나노와이어-산화그래핀 페이퍼 복합 전극일 수 있다.
금속 전극 재료는 백금, 금, 은 등일 수 있다. 비제한적인 일 예로서, 백금 전극을 입힐 수 있다. 구체적으로 당업계에 공지된 금속염을 이온성 고분자 막에 함침시킨 후 환원시켜 금속 입자를 얻는 무전해도금법을 이용하여, 이온성 고분자막 양쪽 면에 백금을 도금하여 백금 전극을 형성할 수 있다.
비제한적인 일 예로서, 그래핀 전극을 입힐 수 있다. 구체적으로 금속 촉매 상에 CVD를 이용하여 대면적의 그래핀을 성장시켜 준비하고, 지지체(예: PMMA) 용액을 스핀코팅한 후, 금속을 제거하여 지지체/그래핀 필름을 수득할 수 있다. 이후, 이를 전처리 된 이온성 고분자 막의 상하면에 전이시킨 후, 지지체를 제거하여 그래핀 전극을 형성할 수 있다.
이때 이온성 고분자 막은 대표적인 상용 고분자 전해질 막인 나피온(NafionTM), 플레미온(FlemionTM), 및 아시플렉스(AciplexTM)에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 이온성 고분자 용액은 물, C1-C4 알코올, 클로로포름, 디메틸포름아미드, 아세톤 또는 이들의 혼합 용매에 상기 이온성 고분자를 용해시킨 것일 수 있다.
(S100) 이온성 고분자 용액 및 금속 산화물을 혼합하여 분산액을 제조하는 단계는 이온성 고분자 용액 100 중량부에 대하여, 금속 산화물을 0.1 내지 20 중량부, 0.1 내지 10 중량부, 0.5 내지 10 중량부 또는 0.5 내지 8 중량부로 혼합하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 상기 분산액을 초음파 분산법(탐침분산법)을 이용하여, 금속 산화물을 이온성 고분자 용액에 균일하게 분산시키는 단계를 포함할 수 있다. 이로 인해 분산액은 이온성 고분자 매트릭스 내에 금속 산화물 입자가 균일하게 분산된 형태로서 고분자의 결정성을 낮추며 이온의 이동도를 적절하게 개선하는 효과를 제공할 수 있다.
금속 산화물은 SiO2, ZrO2, TiO2, Al2O3, 및 ZnO에서 선택되는 하나 이상으로서 입자의 크기가 작고 균일한 것이 좋다. 구체적으로 평균 입경은 0.1 내지 500 ㎚, 또는 0.5 내지 300 nm일 수 있고, 높은 비표면적을 가짐에 따라 높은 물 흡습성을 나타내며, 동시에 전도도 감소를 최소화할 수 있다.
금속 산화물은 이온성 고분자 용액 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 20 중량부, 0.1 내지 10 중량부, 0.5 내지 10 중량부, 0.5 내지 8 중량부, 또는 0.5 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 금속 산화물이 상술한 함량으로 이온성 고분자 용액에 함유된 경우 분산성이 오래 유지될 수 있어 더욱 좋다.
상기 분산액은 적층형 유연구동기 제조에 있어 절연층을 형성하기 위한 것으로서, 금속 산화물이 이온성 고분자 매트릭스에 균일하게 분산되어 절연 특성이 보다 우수하게 구현될 수 있다. 제조된 분산액은 단일 이온성 고분자 유연구동기의 전극의 적어도 일 면에 도포되어 도포막을 형성할 수 있다.
도포막은 금속 산화물이 함유된 이온성 고분자 막으로서 두께 0.1 내지 200 ㎛ 또는 1 내지 100 ㎛일 수 있다. 이는 높은 절연 특성을 나타내고, 전하 이동도를 우수하게 유지함과 동시에 장기간 안정성을 나타낼 수 있다.
이온성 고분자 유연구동기의 일 면에 도포막을 형성한 후, 다른 이온성 고분자 유연구동기를 적층하여 적층체를 형성할 수 있다. 적층체는 복수 개의 단일 유연구동기가 적층된 것으로서 정전용량이 우수하며 대변위특성을 제공할 수 있다.
적층체는 핫프레스 공정을 통해 어닐링하는 과정을 거칠 수 있다. 핫프레스 공정은 구체적으로 120 내지 200 ℃, 5 내지 50 Mpa에서 실시될 수 있다. 이때 상기 핫프레스 공정을 통해 적층형 유연구동기를 경량화 할 수 있고, 단일 유연구동기 사이에 삽입된 절연막 내 금속 산화물이 이온성 고분자 매트릭스에 균일하게 분포되어 일정한 절연성을 가진 절연막을 형성할 수 있다.
또한 본 발명은 이온성 고분자층, 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기; 상기 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 배치된 절연막; 및 상기 절연막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기가 적층된 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기를 제공할 수 있다. 이때 절연막은 이온성 고분자 매트릭스에 금속 산화물 입자가 균일하게 분산된 유무기 복합막인 것을 특징으로 하며, 이를 통해 균일한 구동 및 우수한 절연 효과를 제공할 수 있다.
단일 이온성 고분자 유연구동기를 구성하는 이온성 고분자층의 경우, 대표적인 상용 고분자 전해질 막인 나피온(NafionTM), 플레미온(FlemionTM), 및 아시플렉스(AciplexTM)에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 유연구동기는 금속 전극, 그래핀 전극, 그래핀-은나노와이어 복합 전극, 또는 은나노와이어-산화그래핀 페이퍼 복합 전극일 수 있다. 금속 전극은 예를 들면, 백금 (Pt), 금 (Au), 또는 은(Ag)일 수 있다.
본 발명에 따른 적층형 유연구동기는 복수 개의 단일 유연구동기가 수직 적층된 형태이며, 단일의 유연구동기 사이에 하나 또는 둘 이상의 절연층이 삽입된 것을 특징으로 할 수 있다. 이때 절연층은 금속 산화물이 함유된 이온성 고분자 막으로서, 이온성 고분자 100 중량부에 대하여, 금속 산화물이 0.1 내지 20 중량부, 0.1 내지 10 중량부, 0.5 내지 10 중량부 또는 0.5 내지 8 중량부로 함유된 것일 수 있다.
복수 개의 단일 유연구동기는 적층된 후, 핫프레스 공정을 거칠 수 있는데, 이때 핫프레스 공정을 통해 얇고 균일한 막 두께를 형성할 수 있고, 이에 따라 복수의 단일 유연구동기가 적층되더라도 구동 전압이 낮아 효율적이며, 균일한 구동을 부여할 수 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 절연막을 구성하는 이온성 고분자는 특별히 제한되지 않으며, 전극 간 우수한 절연 특성을 위해 접착성 고분자인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 적층형 유연구동기는 변위나 힘의 반경이 크고, 낮은 전압에 의해서도 효과적인 구동 성능을 발휘할 수 있다. 이러한 구동 성능은 유연구동기의 적층 횟수가 증가될수록 증가되나, 적층 횟수가 과도하게 많을 경우 구동 전압이 상승하고, 굽힘 특성이 떨어질 수 있다는 점을 고려할 필요가 있다.
본 발명의 일 예에 있어서, 적층형 유연구동기는 절대값 1 V의 인가전압 하에서, 3.5 mm 이상, 4.0 mm 이상, 4.5 mm 이상, 또는 5.0 mm 이상의 최대 변위값을 나타낼 수 있다. 이때 최대 변형률은 0.35% 이상, 0.40% 이상, 0.45% 이상인 결과를 나타낼 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.
제조예 1. 단일 유연구동기 제조
이온성 고분자(NapionTM) 막을 백금 소스 용액에 24시간 동안 함침하여 소스를 부착하고, 5 wt%의 NaBH4(1차 환원제) 용액을 이용해 1차 환원을 4번 이상 수행하여 Pt 도금화를 실시하였다. 또한 0.5 wt%의 NH2OH-HCl, 20 wt%의 NH2NH2(2차 환원제) 용액을 이용해 2차 환원을 1번 수행하여 Pt 금속화를 실시하였다. 이후, 리튬염으로 LiCl solution과 이온성 액체(Ionic liquid)를 이용해 이온치환 공정을 진행하여 백금전극의 전기활성 고분자 유연 구동기를 제조하였다.
실시예 1. 적층형 유연구동기 제조
1 중량% SiO2 를 이온성 고분자 용액(NapionTM 20 중량%, 5 g)에 넣고, 10분 동안 교반시킨 후, 입자가 잘 분산되도록 1시간 동안 초음파를 가해주었다. 제조예 1에서 제조된 단일 유연구동기의 전극 상에 상기 분산된 분산액을 브러쉬를 이용하여 코팅하고, 다른 단일 유연구동기를 적층한 후, 140 ℃, 10 Mpa에서 핫프레스 공정을 5분간 실시하여, 적층형 유연구동기를 제조하였다.
실험예 1. 적층형 유연구동기 성능 평가
실시예 1에 따라 제조된 적층형 유연구동기의 성능을 평가하기 위하여 길이, 폭, 두께가 각각 30 mm, 5 mm, 0.18 mm인 시편을 제작하고, 시편의 한쪽 끝 5 mm 부분을 고정하였다. DC 전압을 함수 발생기 (U2761A, Agilent Technologies Inc.)를 통해 인가하고, 인가된 전압 하에 시간에 따른 유연구동기의 굽힘 변형을 측정하였다. 변위 (displacement, δ)는 이미지 프로세싱 프로그램으로 측정하였고, 변형률 (strain, ε)은 하기 식 1에 따라 계산되었다. lf는 구동기의 자유길이, d는 구동기의 두께를 의미한다. 하기 표 1에 인가된 전압에 따른 변위 및 변형률 결과를 나타내었다.
[식 1]
[표 1]
Claims (11)
- (S100) 이온성 고분자 용액 및 금속 산화물을 혼합하여 분산액을 제조하는 단계;
(S200) 이온성 고분자층 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 상기 분산액을 도포하여 도포막을 형성하는 단계;
(S300) 상기 도포막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기를 적층하여 적층체를 형성하는 단계; 및
(S400) 핫프레스 공정을 통해 상기 적층체를 어닐링하는 단계;를 포함하는 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 산화물은 이온성 고분자 용액 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 5 중량부로 포함되는, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 산화물은 SiO2, ZrO2, TiO2, Al2O3, 및 ZnO2에서 선택되는 하나 이상인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 산화물은 평균 입경 0.1 내지 500 ㎚인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 단일 유동 구동기의 전극은 금속 전극, 그래핀 전극, 그래핀-은나노와이어 복합 전극, 또는 은나노와이어-산화그래핀 페이퍼 복합 전극인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 분산액은 탐침분산법을 통해 이온성 고분자 매트릭스 내에 금속 산화물 입자가 균일하게 분산된, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 도포막의 두께는 1 내지 100 ㎛인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 핫프레스 공정은 120 내지 150 ℃, 5 내지 50 Mpa에서 수행되는, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기 제조방법. - 이온성 고분자층, 및 상기 이온성 고분자층 양면에 배치된 전극을 포함하는 단일 이온성 고분자 유연구동기;
상기 단일 이온성 고분자 유연구동기의 적어도 일 면에 배치된 절연막; 및 상기 절연막 상에 단일 이온성 고분자 유연구동기가 적층된 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기로서, 상기 절연막은 이온성 고분자 매트릭스에 금속 산화물 입자가 분산된 유무기 복합막인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기. - 제 8항에 있어서,
상기 전극은 금속 전극, 그래핀 전극, 그래핀-은나노와이어 복합 전극, 또는 은나노와이어-산화그래핀 페이퍼 복합 전극인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기. - 제 8항에 있어서,
상기 이온성 고분자는 접착성 고분자인, 적층형 이온성 고분자 금속 복합체 유연구동기.
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| KR20190101234A (ko) * | 2018-02-22 | 2019-08-30 | 인제대학교 산학협력단 | h-BN을 이용한 적층형 전기활성 고분자 유연 구동기 제조방법 |
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