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KR20220086506A - 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름 Download PDF

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KR20220086506A
KR20220086506A KR1020210179328A KR20210179328A KR20220086506A KR 20220086506 A KR20220086506 A KR 20220086506A KR 1020210179328 A KR1020210179328 A KR 1020210179328A KR 20210179328 A KR20210179328 A KR 20210179328A KR 20220086506 A KR20220086506 A KR 20220086506A
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KR
South Korea
Prior art keywords
die
resin
mass
bonding film
film
Prior art date
Application number
KR1020210179328A
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English (en)
Inventor
도시유키 츠노다
메구루 후루카와
히로카즈 사토
리에 다나카
아키요시 마스다
Original Assignee
맥셀 주식회사
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Filing date
Publication date
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Abstract

[과제] 저온하에 있어서의 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 있어서, 점착 테이프로부터의 다이 본드 필름의 들뜸을 억제하고, 충분한 커프 폭을 확보하여, 양호한 픽업성을 나타내는 다이싱 테이프 및 다이 본드 필름이 박리 가능하게 마련된 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것.
[해결 수단] 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지와 폴리아미드 수지를 포함하는 기재 필름과, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 상기 수산기와 가교 반응하는 폴리이소시아네이트계 가교제를 포함하는 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층으로 구성되는 다이싱 테이프.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름{DICING TAPE AND DICING DIBOND FILM}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용하는 것이 가능한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 공정에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화(個片化)하기 위해, 다이싱 테이프나, 당해 다이싱 테이프와 다이 본드 필름이 일체화된 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 테이프는, 기재 필름 상에 점착제층이 마련된 형태를 하고 있으며, 점착제층 상에 반도체 웨이퍼를 배치하고, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 개편화된 반도체 칩이 비산하지 않도록 고정 보지(保持)하는 용도로 이용된다. 그 후, 반도체 칩을 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하고, 별도 준비한 접착제나 접착 필름을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 혹은 별도의 반도체 칩 등의 피착체에 고착시킨다.
다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본드 필름(이하, 「접착 필름」 혹은 「접착제층」이라고 칭하는 경우가 있음)을 박리 가능하게 마련한 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 첩착(貼着)·배치하여, 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름과 함께 다이싱하여 개개의 접착 필름을 가지는 반도체 칩을 얻기 위해 이용된다. 그 후, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩으로서 박리(픽업)하고, 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 리드 프레임이나 배선 기판, 혹은 별도의 반도체 칩 등의 피착체에 고착시킨다.
상기 다이싱 다이 본드 필름은, 생산성 향상의 관점에서 적합하게 이용되지만, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 얻는 방법으로서, 최근에는, 종래의 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의한 풀컷 절단 방법 대신에, 박막화되는 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화할 때의 치핑을 억제할 수 있는 방법으로서, (1) DBG(Dicing Before Grinding)에 의한 방법, (2) 스텔스 다이싱(등록상표)에 의한 방법 등이 제안되고 있다.
상기 (1)의 DBG에 의한 방법에서는, 우선, 다이싱 블레이드를 이용하여 반도체 웨이퍼를 완전히 절단하지 않고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 깊이의 분할 홈을 형성하고, 그 후 이면 연삭을, 연삭량을 적절히 조정하여 행함으로써, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체 혹은 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 얻는다. 그 후, 당해 반도체 웨이퍼의 분할체 혹은 당해 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 첩부(貼付)하여, 다이싱 테이프를 저온하(예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하)에서 익스팬드(이하, 「쿨 익스팬드」라고 칭하는 경우가 있음)함으로써, 상기 분할 홈을 따라, 저온에서 취성화(脆性化)된 다이 본드 필름을 개개의 반도체 칩에 상당하는 사이즈로 할단(割斷), 혹은 반도체 웨이퍼와 함께 할단한다. 마지막으로 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업에 의해 박리하여, 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 얻을 수 있다.
상기 (2)의 스텔스 다이싱에 의한 방법에서는, 우선, 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 첩부하고, 반도체 웨이퍼 내부에 레이저광을 조사하여 선택적으로 개질 영역(개질층)을 형성시키면서 다이싱 예정 라인을 형성한다. 그 후, 다이싱 테이프를 쿨 익스팬드함으로써, 반도체 웨이퍼에 대하여 개질 영역으로부터 수직으로 균열을 진전시켜, 상기 다이싱 예정 라인을 따라, 저온에서 취성화된 다이 본드 필름과 함께 각각 할단한다. 마지막으로 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업에 의해 박리하여, 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 얻을 수 있다.
또한, 상기 (1)의 DBG에 의한 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼 표면에 다이싱 블레이드에 의해 분단(할단) 홈을 형성하는 대신에 스텔스 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼 내부에 선택적으로 개질 영역을 마련하여 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 얻을 수도 있다. 이것은, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)라고 불리는 방법이다.
상기 픽업의 공정에 있어서는, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼를 할단한 후, 다이싱 테이프를 상온 부근에서 익스팬드(이하, 「상온 익스팬드」라고 칭하는 경우가 있음)하여 인접하는 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩간의 간격(이하, 「커프(kerf) 폭」이라고 칭하는 경우가 있음)을 넓혀, 다이싱 테이프의 외주 부분(반도체 웨이퍼가 첩착되어 있지 않은 부분)을 열 수축시켜 개개의 반도체 칩간의 간격(커프 폭)을 넓힌 채 고정함으로써, 할단된 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하여 픽업할 수 있다.
그런데, 최근에는, 반도체 웨이퍼의 박형화에 따라, 반도체 칩의 다단 적층 공정에 있어서의 와이어 본드 시에 칩 균열이 발생하기 쉬워지고 있으며, 그 과제 대책으로서, 스페이서 기능을 겸비한 와이어 매립형 다이 본드 필름이 제안되고 있다. 와이어 매립형 다이 본드 필름은, 다이 본딩 시에 와이어를 간극 없이 매립할 필요가 있으며, 상기 서술한 종래의 범용 다이 본드 필름과 비교해, 두께가 두껍고, 유동성이 높은(고온하에서의 용융 점도가 낮은) 경향이 있기 때문에, 이와 같은 와이어 매립형 다이 본드 필름을 종래의 다이싱 테이프에 적층하여 반도체 칩의 제조에 제공하였을 때에, 이하의 문제가 있었다.
즉, 상기 서술한 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프에 밀착하고 있는 다이 본드 필름 혹은 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼에 대하여, 쿨 익스팬드되는 다이싱 테이프로부터 할단력(외부 응력)을 작용시키는 바, 저온하에 있어서의 인장 응력이 충분히 크다고는 할 수 없는 종래의 다이싱 테이프에서는, 당해 인장 응력이, 상기 와이어 매립형의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼를 충분히 할단 가능한 만큼의 외부 응력으로서 충분히 마진이 있는 크기라고는 하기 어렵고, 와이어 매립형의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 할단 예정 개소의 일부가 할단되지 않는 경우가 있다. 또한, 반도체 칩간의 간격(커프 폭)이 충분히 넓어지지 않아, 할단된 두께가 두꺼운 다이 본드 필름끼리의 재부착이나 반도체 칩끼리의 충돌이 발생하여, 픽업 공정에 있어서 픽업 미스가 유발되는 경우가 있다.
또한, 익스팬드 공정을 거친 다이싱 테이프의 점착제층 상의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩에 있어서, 그 다이 본드 필름의 에지 부분이 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 부분적으로 박리되는 경우가 있다. 반도체 칩 표면에 미리 형성되는 배선 회로가 다층화할수록, 당해 배선 회로와 반도체 칩의 재료와의 열 팽창률차도 한가지 원인이 되어 반도체 칩이 휘기 쉬워지기 때문에, 상기의 부분적인 박리가 조장되기 쉽다. 이 부분적인 박리(이하, 「들뜸」이라고 칭하는 경우가 있음)의 발생은, 그 정도가 크면, 이후의 세정 공정 등에 있어서, 다이싱 테이프로부터의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩의 의도하지 않는 탈락의 원인이 될 우려나, 이후의 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩의 위치 어긋남이나 하기 현상 등에 의해 픽업 미스의 원인이 될 우려가 있다. 특히 다이싱 테이프의 점착제층이 활성 에너지선(예를 들면 자외선) 경화성의 점착제 조성물로부터 구성되는 경우, 다이싱 테이프로부터 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 픽업하기 전에, 점착제층의 점착력을 저하시키기 위해, 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시키지만, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩의 에지 부분이 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 크게 박리하면, 박리한 부분에 있어서 점착제층이 공기 중의 산소에 접촉하는 것에 의해, 자외선을 조사해도 점착제층이 충분히 경화되지 않는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 점착층의 점착력이 충분히 저하되지 않기 때문에, 픽업 공정에 있어서, 밀어 올림부의 면적이 큰 밀어올림 지그로 다이싱 테이프의 하면측으로부터 밀어올려, 당해 지그 상에 위치하는 반도체 칩을 픽업하기 위해 반도체 칩 상부로부터 흡착 콜릿을 접촉시켰을 때에, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩의 에지부가, 경화가 불충분한 점착제층에 재고착해버려, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업할 수 없게 되는 현상이 발생하기 쉽다.
따라서, 다이 본드 필름에 대해서는, 할단성과 유동성의 밸런스 제어 및 신뢰성의 향상의 검토가 정력적(精力的)으로 진행되는 한편, 다이싱 테이프에 대해서는, 종래의 다이 본드 필름뿐만 아니라 와이어 매립형 다이 본드 필름과 같은 두께가 두껍고, 유동성이 높은 다이 본드 필름을 사용했다고 해도, 익스팬드에 의해 다이 본드 필름이 반도체 웨이퍼와 함께 양호하게 할단될 수 있고, 다이 본드 필름의 점착제층으로부터의 부분적인 박리가 발생하기 어려워, 최종적으로 양호한 픽업성을 달성할 수 있는 성능이 갈망되고 있다.
상기의 익스팬드 시의 할단의 문제나 익스팬드 후의 부분적인 박리의 발생을 억제하는 종래 기술로서, 특허 문헌 1에는, 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프 상의 다이 본드 필름에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 것을 목적으로, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 가지고, 특정 조건의 인장 시험에 있어서, 5~30%의 범위 중 적어도 일부의 변형값으로 15~32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 다이싱 테이프가 개시되어 있다.
한편, 다이싱 테이프의 취급에 있어서, 다이싱 테이프는 가열 조건하에서 다이 본드 필름에 첩착되는 경우가 있기 때문에, 또한, 다이싱 다이 본드 필름은 가열 조건하에서 반도체 웨이퍼에 첩착되는 경우가 있기 때문에, 나아가서는, 다이싱 다이 본드 필름으로서 프리컷 가공할 때에, 여분인 다이싱 테이프를 끊지 않고 양호하게 박리 제거하기 위해 국소적으로 가열 처리되는 경우가 있기 때문 등, 다이싱 테이프에는 일정한 내열성도 요구되고 있다. 다이싱 테이프의 내열성이 낮으면, 작업 테이블(다이) 상에 고착하여 벗기기 어려워지는 경우가 있다. 또한, 열에 의해 다이싱 테이프에 뒤틀림이나 휨 등의 변형이 발생하면, 박막화된 반도체 웨이퍼가 변형되어버릴 가능성도 있다. 이 때문에, 다이싱 테이프에 대해서는, 상기 서술한 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 양호한 할단성, 픽업 공정에 이르기까지의 다이 본드 필름과의 양호한 밀착성, 양호한 픽업성과 함께 내열성도 요구된다.
상기의 내열성을 향상시키는 종래 기술로서, 특허 문헌 2에는, 내열성이 우수하고, 또한 분단(할단)성과 확장성과의 균형이 잡힌 다이싱 필름 기재를 제공하는 것을 목적으로, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 및 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지 (A) 30질량부 이상 95질량부 이하와, 폴리아미드 및 폴리우레탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지 (B) 5질량부 이상 40질량부 미만과, 상기 폴리아미드 이외의 대전 방지제 (C) 0질량부 이상 30질량부 이하를 함유하는(단, 수지 (A), 수지 (B) 및 대전 방지제 (C)의 합계를 100질량부로 함) 수지 조성물로 이루어지는 층을 적어도 한층 포함하는 다이싱 필름 기재가 개시되어 있다.
일본공개특허 특개2019-16787호 공보 일본공개특허 특개2017-98369호 공보
특허 문헌 1의 다이싱 테이프에 관해서는, 실시예에 있어서 특정의 인장 응력 특성을 나타낼 수 있는 다이싱 테이프와 아크릴 수지를 주체로 하는 두께 10㎛의 다이 본드 필름을 적층한 다이싱 다이 본드 필름에 반도체 웨이퍼 분할체를 첩합(貼合)하여, 쿨 익스팬드함으로써, 다이 본드 필름이 양호하게 분단(할단)되는 것이 나타나 있지만, 아직, 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 들뜸이 발생한 면적이 20% 정도가 되는 경우가 있어, 개선의 여지가 있었다. 또한, 두께가 두껍고, 유동성이 높은 와이어 매립형 다이 본드 필름에 대한 할단성, 반도체 칩의 픽업성이나 다이싱 테이프의 내열성에 대해서는 언급되어 있지 않아, 이러한 점에 대해서는 불분명하다. 적어도 실시예에서 나타나는 다이싱 테이프로서의 폴리염화비닐 기재는 내열성이 충분하다고는 할 수 없다.
또한, 특허 문헌 2의 다이싱 필름 기재에 관해서는, 실시예에 있어서 특정의 수지 조성물로 이루어지는 층을 적어도 한층 포함하는 다이싱 필름 기재가, 우수한 내열성을 가지고, 반도체 웨이퍼의 분단(할단)성과 확장성과의 밸런스가 우수한 것, 그리고, 다이싱 필름으로서 사용함으로써, 반도체 제조 시의 다이싱 공정 및 계속되는 확장 공정을 원활하게 실시하여, 테이프 잔류나 변형이 없는 반도체의 제조가 가능해지는 것이 기재되어 있지만, 와이어 매립형을 포함한 다이 본드 필름이나 쿨 익스팬드에 의한 그 할단성, 혹은 다이 본드 필름의 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 부분적인 박리(들뜸)의 발생과 같은 과제에 대해서는 일절 인식되고 있지 않고, 또한, 반도체 칩의 픽업성도 포함해, 이들의 점에 대해서는 불분명하다.
이와 같이 종래 기술의 다이싱 테이프는, 와이어 매립형 다이 본드 필름과 같은 유동성이 높고, 두께가 두꺼운 다이 본드 필름과 첩합하여 다이싱 다이 본드 필름으로서 반도체 칩의 제조 공정에 제공한 경우에 있어서, 쿨 익스팬드 시의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 할단성, 익스팬드 후의 다이 본드 필름의 점착제층으로부터의 부분적인 박리(들뜸)의 억제, 반도체 칩의 픽업성 및 내열성 등의 많은 관점에서는 충분히 만족시키고 있다고는 하기 어려워, 아직 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 상기 문제·상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 반도체 제조 공정용의 다이싱 테이프로서, 와이어 매립형 다이 본드 필름과 같은 유동성이 높고, 두께가 두꺼운 다이 본드 필름을 첩합하여 적용하는 경우에 있어서도, (1) 내열성이 우수하고, (2) 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼가 양호하게 할단됨과 함께, 상온 익스팬드에 의해 커프 폭을 충분히 확보할 수 있고, (3) 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 부분적인 박리(들뜸)가 충분히 억제되어, 할단된 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 이러한 목적하, 상기 과제를 해결하도록 예의 검토한 결과, (1) 다이싱 테이프의 기재 필름으로서, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A) 및 폴리아미드 수지 (B)를 특정의 질량 비율로 포함하는 수지로 구성되는, 소정의 인장 응력 물성값을 가지는 수지 필름을 이용하고, (2) 점착제 조성물로서, 특정 범위의 수산기값을 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 주성분으로서 포함하며, 잔존 수산기 농도와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도를 소정의 범위로 한 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 제 1 측면과 관련된 다이싱 테이프는,
기재 필름과, 당해 기재 필름 상에, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층을 구비하고,
(1) 상기 기재 필름은, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A), 및 폴리아미드 수지 (B)를 포함하고,
당해 기재 필름 전체에 있어서의 상기 수지 (A)와 상기 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가, 72:28~95:5의 범위인 수지 조성물로 구성되며,
-15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, 기재 필름을 MD 방향(기재 필름의 제막 시에 있어서의 흐름 방향) 및 TD 방향(MD 방향에 대하여 수직인 방향) 중 어느 방향으로 신장된 경우에 있어서도, 15.5MPa 이상 28.5MPa 이하의 범위이고,
(2) 상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 상기 수산기와 가교 반응하는 폴리이소시아네이트계 가교제를 포함하며,
상기 아크릴계 점착성 폴리머는, 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가 -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위이고, 수산기값이 12.0mgKOH/g 이상 55.0mgKOH/g 이하의 범위이며,
상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 있어서,
상기 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가 0.02 이상 0.20 이하의 범위이고,
가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.18mmol 이상 0.90mmol 이하의 범위이며,
활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위이다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도는, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 1.02mmol 이상 1.51mmol 이하의 범위를 가진다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 아크릴계 점착성 폴리머는, 20만 이상 60만 이하의 범위의 중량 평균 분자량 Mw을 가진다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 아크릴계 점착성 폴리머는, 0mgKOH/g 이상 9.0mgKOH/g 이하의 범위의 산가(酸價)를 가진다.
또한, 본 발명의 제 2 측면에 의하면, 상기 서술한 구성의 다이싱 테이프는, 상기 다이싱 테이프의 상기 점착제층 상에 다이 본드 필름을 마련한 다이싱 다이 본드 필름을 제공할 수 있다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이 본드 필름에 대한 상기 다이싱 테이프의 점착제층의 23℃에 있어서의 자외선 조사 후 저각 점착력(박리 각도 30°, 박리 속도 600㎜/분)이 0.95N/25㎜ 이하이며, 상기 다이 본드 필름에 대한 상기 다이싱 테이프의 점착제층의 -30℃에 있어서의 자외선 조사 전 전단 접착력(인장 속도 1,000㎜/분)이 100.0N/100㎜2 이상이다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이 본드 필름이 수지 성분으로서, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 것이다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이 본드 필름이 와이어 매립형 다이 본드 필름이다.
어느 일 형태에 있어서는, 상기 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이 본드 필름이, 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 50질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 50질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지를 20질량부 이상 53질량부 이하의 범위로, 수지 성분 전량(全量)이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체 제조 공정용의 다이싱 테이프로서, 와이어 매립형 다이 본드 필름과 같은 유동성이 높고, 두께가 두꺼운 다이 본드 필름을 첩합하여 적용하는 경우에 있어서도, (1) 내열성이 우수하고, (2) 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼가 양호하게 할단됨과 함께, 상온 익스팬드에 의해 커프 폭을 충분히 확보할 수 있으며, (3) 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 부분적인 박리(들뜸)가 충분히 억제되고, (4) 할단된 개개의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 있는 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프의 기재 필름의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프를 다이 본드 필름과 첩합한 구성의 다이싱 다이 본드 필름의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는 다이싱 테이프의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다.
도 5는 반도체 칩의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다.
도 6은 다이싱 다이 본드 필름의 가장자리부에 링 프레임(웨이퍼 링), 다이 본드 필름 중심부에 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 7의 (a)~(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 당해 반도체 웨이퍼의 다이싱 다이 본드 필름으로의 첩합 공정의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 8은 (a)~(f)는, 다이싱 다이 본드 필름이 첩합된 복수의 개질 영역을 가지는 박막 반도체 웨이퍼를 이용한 반도체 칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 반도체 칩을 이용한 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 10은 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 반도체 칩을 이용한 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 11은 (a)~(c)는, 다이 본드 필름(접착제층)에 대한 다이싱 테이프의 점착제층의 UV 조사 후 점착력의 측정 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 12는 다이 본드 필름(접착제층)에 대한 다이싱 테이프의 점착제층의 -30℃에 있어서의 전단 접착력의 측정 방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 13은 익스팬드 후에 있어서의 반도체 칩간의 간격(커프 폭)의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 14는 도 13에 있어서의 반도체 웨이퍼의 중심부의 확대 평면도이다.
이하, 필요에 따라 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
(다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름의 구성)
도 1의 (a)~(d)는, 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프의 기재 필름(1)의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태의 다이싱 테이프의 기재 필름(1)은 단일의 수지 조성물의 단층(도 1의 (a) 1-A 참조)여도 되고, 동일 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (b) 1-B 참조)여도 되며, 상이한 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (c) 1-C, (d) 1-D 참조)여도 된다. 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 층수는, 특별히 한정되지 않지만, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하다.
도 2는, 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)는, 기재 필름(1)의 제 1 면 상에 점착제층(2)을 구비한 구성을 가지고 있다. 또한, 도면에 나타내지는 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 이탈성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다. 기재 필름(1)은, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)를 함유한 수지 조성물로 구성된다. 점착제층(2)을 형성하는 점착제로서는, 예를 들면, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하되는 활성 에너지선 경화성의 아크릴계 점착제 등이 사용된다.
이러한 구성의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서는, 예를 들면, 아래와 같이 사용된다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에, 블레이드에 의해 표면에 분할 홈이 형성된 반도체 웨이퍼나, 레이저에 의해 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 첩부하여 보지(가고정)하고, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 할단한 후, 상온 익스팬드에 의해 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확장하고, 픽업 공정에 의해, 개개의 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 반도체 칩을, 별도 준비한 접착제나 접착 필름을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 혹은 별도의 반도체 칩 등의 피착체에 고착시킨다.
도 3은, 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)를 다이 본드 필름(접착 필름)(3)과 첩합하여 일체화한 구성, 이른바 다이싱 다이 본드 필름의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(접착 필름)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 구성을 가지고 있다.
이러한 구성의 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 반도체 제조 공정에 있어서는, 예를 들면, 아래와 같이 사용된다. 다이싱 다이 본드 필름(20)의, 다이 본드 필름(3) 상에, 블레이드에 의해 표면에 분할 홈이 형성된 반도체 웨이퍼나, 레이저에 의해 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 첩부하여 보지(접착)하고, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름(3)과 함께 할단하여, 개개의 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 얻는다. 혹은, 다이싱 다이 본드 필름(20)의, 다이 본드 필름(3) 상에, 반도체 웨이퍼를 첩부하여 보지(접착)하고, 그 상태에서 레이저에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한 후, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름(3)과 함께 할단하여, 개개의 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 얻는다. 이어서, 상온 익스팬드에 의해 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확장한 후, 픽업 공정에 의해, 개개의 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 다이 본드 필름(접착 필름)(3)을 가지는 반도체 칩을, 다이 본드 필름(접착 필름)(3)을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 혹은 별도의 반도체 칩 등의 피착체에 고착시킨다. 또한, 도면에 나타내지는 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면) 및 다이 본드 필름(3)의 표면(점착제층(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 각각 이탈성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다.
<다이싱 테이프>
(기재 필름)
본 발명의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 제 1 구성 요건인 기재 필름(1)에 대하여, 이하 설명한다. 상기 기재 필름(1)은, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머(이하, 간단히 「아이오노머」라고 칭하는 경우가 있음)로 이루어지는 수지 (A), 및 폴리아미드 수지 (B)를 함유한 수지 조성물로 구성되는 수지 필름이다.
상기 기재 필름(1) 전체에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 합계량은, 상기의 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, 상기의 범위 내인 한, 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1) 전체를 구성하는 수지 조성물 전량에 대하여, 75질량% 이상 차지하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이다.
이와 같은 구성의 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(3)이 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 공정의 쿨 익스팬드 공정 나아가서는 상온 익스팬드 공정에서 사용하는데 바람직하다. 즉, 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이 본드 필름(3)을 가지는 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼를, 다이싱 예정 라인을 따라 양호하게 할단시켜, 소정의 사이즈의 개개의 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 수율 좋게 얻는데 바람직하다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서도, 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확보하는데 필요한 확장성을 유지한다.
[에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)]
본 실시 형태의 기재 필름(1)에 있어서, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)는, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 카르복실기의 일부, 또는 전부가 금속(이온)으로 중화된 것이다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 「에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지」를, 「아이오노머로 이루어지는 수지」, 또는, 간단히 「아이오노머」라고 표기하는 경우가 있다.
상기 아이오노머를 구성하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 에틸렌과 불포화 카르본산이 공중합한 적어도 2원(元)의 공중합체이며, 또한 제 3 공중합 성분이 공중합한 3원 이상의 다원 공중합체여도 된다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체는, 일종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체를 병용해도 된다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산 2원 공중합체를 구성하는 불포화 카르본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 에타크릴산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 푸마르산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산 등의 탄소수 4~8의 불포화 카르본산 등을 들 수 있다. 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 3원 이상의 다원 공중합체인 경우, 상기 2원 공중합체를 구성하는 에틸렌과 불포화 카르본산 이외에, 다원 공중합체를 형성하는 제 3 공중합 성분을 포함해도 된다. 제 3 공중합 성분으로서는, 불포화 카르본산 에스테르(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 알킬 부위의 탄소수가 1~12의 (메타)아크릴산 알킬에스테르), 불포화 탄화수소(예를 들면, 프로필렌, 부텐, 1,3-부타디엔, 펜텐, 1,3-펜타디엔, 1-헥센 등), 비닐에스테르(예를 들면, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등), 비닐 황산이나 비닐 질산 등의 산화물, 할로겐 화합물(예를 들면, 염화 비닐, 불화 비닐 등), 비닐기 함유 1, 2급 아민 화합물, 일산화탄소, 이산화유황 등을 들 수 있고, 이들 공중합 성분으로서는, 불포화 카르본산 에스테르가 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 형태는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 되고, 2원 공중합체, 3원 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 그 중에서도, 공업적으로 입수 가능한 점에서, 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 구체예로서는, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타크릴산 공중합체 등의 2원 공중합체, 에틸렌·메타크릴산·아크릴산 2-메틸-프로필 공중합체 등의 3원 공중합체를 들 수 있다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체로서 출시되고 있는 시판품을 이용해도 되고, 예를 들면, 미츠이·듀폰 폴리케미칼사제(製)의 뉴크렐 시리즈(등록상표) 등을 사용할 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체 중에 있어서의, 불포화 카르본산 에스테르의 공중합비(질량비)는, 1질량% 이상 20질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 익스팬드 공정에 있어서의 확장성, 및 내열성(블로킹, 융착)의 관점에서, 5질량% 이상 15질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태의 기재 필름(1)에 있어서, 수지 (A)로서 이용하는 아이오노머는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체에 포함되는 카르복실기가 금속 이온에 의해 임의의 비율로 가교(중화)된 것이 바람직하다. 산기의 중화에 이용되는 금속 이온으로서는, 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 루비듐 이온, 세슘 이온, 아연 이온, 마그네슘 이온, 망간 이온 등의 금속 이온을 들 수 있다. 이들 금속 이온 중에서도, 공업화 제품의 입수 용이성으로부터 마그네슘 이온, 나트륨 이온 및 아연 이온이 바람직하고, 나트륨 이온 및 아연 이온이 보다 바람직하다.
상기 아이오노머에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 중화도는, 10몰% 이상 85몰% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 15몰% 이상 82몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 중화도를 10몰% 이상으로 함으로써, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 할단성을 보다 향상시킬 수 있고, 85몰% 이하로 함으로써, 필름의 제막성을 보다 양호하게 할 수 있다. 또한, 중화도란, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체가 가지는 산기, 특히 카르복실기의 몰수에 대한, 금속 이온의 배합 비율(몰%)이다.
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)는, 약 85~100℃ 정도의 융점을 가지지만, 당해 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 멜트 플로우 레이트(MFR)는, 0.2g/10분 이상 20.0g/10분 이하의 범위인 것이 바람직하고, 0.5g/10분 이상 20.0g/10분 이하의 범위인 것이 보다 바람직하며, 0.5g/10분 이상 18.0g/10분 이하의 범위인 것이 더 바람직하다. 멜트 플로우 레이트가 상기 범위 내이면, 기재 필름(1)으로서의 제막성이 양호해진다. 또한, MFR은, JIS K7210-1999에 준거한 방법에 의해 190℃, 하중 2160g으로 측정되는 값이다.
본 실시 형태의 기재 필름(1)을 구성하는 수지 조성물은, 상기 서술한 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A) 외에, 폴리아미드 수지 (B)를 더 포함한다. 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가, 72:28~95:5의 범위가 되도록 혼합한 수지 조성물에 의해 기재 필름(1)을 구성함으로써, 당해 기재 필름(1)의 내열성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 저온하(예를 들면 -15℃)에 있어서 신장하였을 때의 인장 응력도 증대시킬 수 있고, 당해 인장 응력을 적절한 범위로 함으로써, 당해 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)에 대하여, 쿨 익스팬드 공정에 있어서는, 와이어 매립형의 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼를 수율 좋게 개편화할 수 있는 양호한 할단력을 부여할 수 있고, 나아가서는 상온 익스팬드 공정에 있어서는, 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확보할 수 있는 양호한 확장성을 유지할 수 있다. 상기 질량 비율 (A):(B)는, 바람직하게는 74:26~92:8의 범위, 보다 바람직하게는 80:20~90:10의 범위이다. 본 명세서의 수치 범위의 상한, 및 하한은 당해 수치를 임의로 선택하여, 조합하는 것이 가능하다.
[폴리아미드 수지 (B)]
상기 폴리아미드 수지 (B)로서는, 예를 들면, 옥살산, 아디프산, 세바스산, 도데칸산, 테레프탈산, 이소프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산 등의 카르본산과, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 1,4-시클로헥실디아민, m-크실릴렌디아민 등의 디아민과의 중축합체, ε-카프로락탐, ω-라우로락탐 등의 환상(環狀) 락탐 개환 중합체, 6-아미노카프론산, 9-아미노노난산, 11-아미노운데칸산, 12-아미노도데칸산 등의 아미노카르본산의 중축합체, 혹은 상기 환상 락탐과 디카르본산과 디아민과의 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 폴리아미드 수지 (B)는, 시판품을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 나일론 4(융점 268℃), 나일론 6(융점 225℃), 나일론 46(융점 240℃), 나일론 66(융점 265℃), 나일론 610(융점 222℃), 나일론 612(융점 215℃), 나일론 6T(융점 260℃), 나일론 11(융점 185℃), 나일론 12(융점 175℃), 공중합체 나일론(예를 들면, 나일론 6/66, 나일론 6/12, 나일론 6/610, 나일론 66/12, 나일론 6/66/610 등), 나일론 MXD6(융점 237℃), 나일론 46 등을 들 수 있다. 이들 폴리아미드 중에서도, 기재 필름(1)으로서의 제막성 및 기계적 특성의 관점에서, 나일론 6이나 나일론 6/12이 바람직하다.
상기 폴리아미드 수지 (B)의 함유량은, 기재 필름(1) 전체에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가 72:28~95:5의 범위가 되는 양이다. 상기 폴리아미드 수지 (B)의 질량 비율이 상기 범위 미만인 경우, 기재 필름(1)의 내열성의 향상 효과 및 저온하에 있어서의 인장 응력의 증대의 효과가 불충분해질 우려가 있다. 한편, 상기 폴리아미드 수지 (B)의 질량 비율이 상기 범위를 초과하는 경우, 기재 필름(1)의 수지 조성물에 따라서는 안정된 제막이 곤란해질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 유연성이 손상되어, 상온 익스팬드 공정에 있어서의 확장성을 유지할 수 없을 우려나, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 픽업할 때에, 반도체 칩의 균열 등에 의한 픽업 불량이 발생할 우려가 있다. 상기 폴리아미드 수지 (B)의 함유량은, 기재 필름(1) 전체에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)의 질량 비율 (A):(B)가 74:26~92:8의 범위가 되는 양인 것이 보다 바람직하다.
또한, 기재 필름(1)이 복수층으로 이루어지는 적층체인 경우, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율이란, 각 층에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율과, 기재 필름(1)(적층체) 전체에 있어서의 각 층의 질량 비율로부터 계산되는 기재 필름(1)(적층체) 전체에 있어서의 값을 의미한다.
기재 필름(1) 전체에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율이 상기 범위 내이면, 기재 필름(1)의 내열성을 120~140℃ 정도까지 향상시킬 수 있음과 함께, 당해 기재 필름(1)에 대하여, 다이싱 테이프(10)의 형태로 가공하여 반도체 장치의 제조 공정에 제공하였을 때의 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼 및 당해 반도체 웨이퍼에 첩부된 다이 본드 필름(3)의 양방을, 수율 좋게 다이싱 예정 라인을 따라 할단하는데 적합한 인장 응력을 발현시킬 수 있다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서도, 할단한 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확보할 수 있는 확장성을 발현시킬 수 있다.
[기타]
상기 기재 필름(1)을 구성하는 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 기타 수지나 각종 첨가제가 첨가되어도 된다. 상기 기타의 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체나 폴리에테르에스테르아미드를 들 수 있다. 이와 같은 기타 수지는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)의 합계 100질량부에 대하여, 예를 들면 20질량부 이하의 비율로 배합할 수 있다. 또한, 상기 첨가제로서는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 안료, 염료, 활제, 블로킹 방지제, 방미제, 항균제, 난연제, 난연 조제, 가교제, 가교 조제, 발포제, 발포 조제, 무기 충전제, 섬유 강화재 등을 들 수 있다. 이와 같은 각종 첨가제는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)의 합계 100질량부에 대하여, 예를 들면 5질량부 이하의 비율로 배합할 수 있다.
[기재 필름의 인장 응력]
상기 기재 필름(1)은, -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 인장 응력이, 기재 필름(1)을 MD 방향(기재 필름의 제막 시에 있어서의 흐름 방향) 및 TD 방향(MD 방향에 대하여 수직인 방향) 중 어느 방향으로 신장한 경우에 있어서도, 15.5MPa 이상 28.5MPa 이하의 범위이다. 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 인장 응력을 상기의 범위 내로 함으로써, 기재 필름(1)을 다이싱 테이프(10)의 형태로 가공하여 반도체 장치의 제조 공정에 제공하였을 때의 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 전체 방향으로의 인장에 의해 발생한 내부 응력은, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼 및 당해 반도체 웨이퍼에 첩부된 다이 본드 필름(3)을, 다이싱 예정 라인을 따라 용이하게 할단할 수 있을 만큼의 충분한 크기의 외부 응력이 될 수 있다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서도, 할단한 반도체 칩간의 커프 폭을 충분히 확보할 수 있다. 게다가 또한, 자외선(UV) 조사 후의 다이싱 테이프(10)의 다이 본드 필름(3)에 대한 저각 점착력을 적정하게 저하시킬 수 있다. 그 결과, 다이싱 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩의 할단 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 픽업 공정에 있어서 픽업 미스의 유발을 억제시킬 수 있다. 상기 인장 응력은, 바람직하게는 16.0MPa 이상 27.4MPa 이하의 범위, 보다 바람직하게는 17.3MPa 이상 24.8MPa 이하의 범위이다.
[기재 필름의 두께]
상기 기재 필름(1)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 테이프(10)로서 이용하는 것을 고려하면, 예를 들면, 70㎛ 이상 120㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 80㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위이다. 기재 필름(1)의 두께가 70㎛ 미만이면, 다이싱 테이프(10)를 다이싱 공정에 제공할 때에, 링 프레임(웨이퍼 링)의 보지가 불충분해질 우려가 있다. 또한 기재 필름(1)의 두께가 120㎛를 초과하면, 기재 필름(1)의 제막 시의 잔류 응력의 개방에 의한 휨이 커질 우려가 있다.
[기재 필름의 구성]
상기 기재 필름(1)의 구성은, 특별히 한정되지 않고, 단일의 수지 조성물의 단층이어도 되고, 동일 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체여도 되며, 상이한 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체여도 된다. 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 층수는, 특별히 한정되지 않지만, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 기재 필름(1)을 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 예를 들면, 본 실시 형태의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층이 복수 적층된 구성이어도 되고, 본 실시 형태의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층에, 본 실시 형태의 수지 조성물 이외의 다른 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층이 적층된 구성이어도 된다. 단, 적층체 전체에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 상기 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)은, 72:28~95:5의 범위가 되도록 조정될 필요가 있다.
상기 다른 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층은, 예를 들면, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 에틸렌-α올레핀 공중합체, 폴리프로필렌, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르 3원 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르 공중합체, 에틸렌·비닐에스테르 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르·일산화탄소 공중합체, 혹은 이들의 불포화 카르본산 그래프트물로부터 선택되는, 단체 혹은 임의의 복수로 이루어지는 블렌드물, 상기 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머 (A) 등의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층과의 밀착성 및 범용성의 관점에서는, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르 3원 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르 공중합체 및 이들 공중합체의 아이오노머가 바람직하다.
본 실시 형태의 기재 필름(1)이 적층 구성으로 이루어지는 경우의 예로서, 구체적으로는, 이하의 2층 구성이나 3층 구성 등의 기재 필름을 들 수 있다.
2층 구성으로서는, 예를 들면,
(1) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
(2) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-2)],
(3) [에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로 이루어지는 수지층: (A-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
(4) [에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체로 이루어지는 수지층: (C-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
등의 동일 수지층 또는 이종(異種) 수지층으로 이루어지는 2층(제 1 층/제 2층) 구성을 들 수 있다.
3층 구성으로서는, 예를 들면,
(5) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
(6) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-2)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
(7) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로 이루어지는 수지층: (A-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
(8) [본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)]/[에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체로 이루어지는 수지층 (C-1)]/[본 실시 형태의 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)의 혼합물로 이루어지는 수지층: (AB-1)],
등의 동일 수지층 또는 이종 수지층으로 이루어지는 3층(제 1 층/제 2 층/제 3 층) 구성을 들 수 있다.
[기재 필름의 제막 방법]
본 실시 형태의 기재 필름(1)의 제막 방법으로서는, 종래부터 관용의 방법을 채용할 수 있다. 아이오노머 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B), 필요에 따라 다른 성분을 더해 용융 혼련한 수지 조성물을, 예를 들면, T다이 캐스트 성형법, T다이 닙 성형법, 인플레이션 성형법, 압출 라미네이트법, 캘린더 성형법 등의 각종 성형 방법에 의해, 필름 형상으로 가공하면 된다. 또한, 기재 필름(1)이 복수층으로 이루어지는 적층체의 경우에는, 각 층을 캘린더 성형법, 압출법, 인플레이션 성형법 등의 수단에 의해 따로따로 제막하고, 그들을 열 라미네이트 혹은 적절히 접착제에 의한 접착 등의 수단으로 적층함으로써 적층체를 제조할 수 있다. 상기 접착제로서는, 예를 들면, 상기 서술한 각종 에틸렌 공중합체, 혹은 이들의 불포화 카르본산 그래프트물로부터 선택되는, 단체 혹은 임의의 복수로 이루어지는 블렌드물 등을 들 수 있다. 또한, 각 층의 수지 조성물을 공압출 라미네이트법에 의해 동시에 압출하여 적층체를 제조할 수도 있다. 또한, 기재 필름(1)의 점착제층(2)과 접하는 측의 면은, 후술하는 점착제층(2)과의 밀착성 향상을 목적으로 하여, 코로나 처리 또는 플라즈마 처리 등이 실시되어도 된다. 또한, 기재 필름(1)의 점착제층(2)과 접하는 측의 면과 반대측의 면은, 기재 필름(1)의 제막 시의 권취(卷取)의 안정화나 제막 후의 블로킹의 방지를 목적으로 하여, 주름 롤에 의한 엠보스 처리 등이 실시되어도 된다.
(점착제층)
본 발명의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 제 2 구성 요건인 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2)에 대하여, 이하 설명한다.
[아크릴계 점착성 폴리머]
활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 주성분으로서 포함되는 아크릴계 점착성 폴리머는, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머이다. 당해 아크릴계 점착성 폴리머는, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물의 전체 질량에 있어서, 90질량% 이상 차지하는 것이 바람직하고, 95질량% 이상 차지하는 것이 보다 바람직하다.
상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 상세한 것은 후술하지만, 통상, 베이스 폴리머로서 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체와 수산기 함유 단량체를 공중합하여 공중합체(수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머)를 얻고, 그 공중합체가 가지는 수산기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 이소시아네이트기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)을 부가 반응시키는 방법에 의해 얻어진다.
상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 주쇄(主鎖)(주골격)는, 상기 서술한 바와 같이, 공중합체 성분으로서, 적어도 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체와 수산기 함유 단량체를 포함하는 공중합체로 구성된다. 그리고, 상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(공중합체)는, 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가, -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위가 되도록 공중합체 조성이 조정된다. 여기서, 유리 전이 온도(Tg)는, 아크릴계 점착성 폴리머를 구성하는 모노머(단량체) 성분의 조성에 의거하여, 하기 일반식 (1)에 나타내는 Fox의 식으로부터 산출되는 이론값이다.
1/Tg=W1/Tg1+W2/Tg2+···+Wn/Tgn 일반식 (1)
[상기 일반식 (1) 중, Tg는 아크릴계 점착성 폴리머의 유리 전이 온도(단위: K)이며, Tgi(i=1, 2, ···n)는, 모노머 i가 호모폴리머를 형성하였 때의 유리 전이 온도(단위: K)이며, Wi(i=1, 2, ···n)는, 모노머 i의 전체 모노머 성분 중의 질량분율을 나타낸다.]
호모폴리머의 유리 전이 온도(Tg)는, 예를 들면 「Polymer Handbook」(J. Brandrup 및 E. H. Immergut편찬, Interscience Publishers) 등에서 찾아낼 수 있다.
상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(공중합체)의 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가, -65℃ 미만인 경우에는, 당해 공중합체들을 포함하는 점착제층(2)이 과도하게 물러져, 자외선 조사 후의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 점착제층(2)으로부터 박리하기 어려워질 우려나, 다이 본드 필름 표면에 점착제 잔류(오염)가 발생할 우려가 있다. 그 결과, 반도체 칩의 양품(良品) 수율이 저하된다. 한편, 상기 유리 전이 온도(Tg)가 -50℃를 초과하는 경우에는, 이들을 포함하는 점착제층(2)의 인성(靭性)이 저하되므로, 다이 본드 필름(3)에 대한 젖음성·추종성이 나빠져, 다이 본드 필름(3)에 대한 초기 밀착성이 나빠질 우려나, 저온하에 있어서 반도체 웨이퍼나 다이 본드 필름(3)이 할단되었을 때의 충격력이 충분히 완화되지 않고 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에 전파되기 쉬워질 우려가 있다. 그 결과, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 발생하기 쉬워져, 반도체 칩의 양품 수율이 저하된다. 상기 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -63℃ 이상 -51℃ 이하의 범위, 보다 바람직하게는 -61℃ 이상 -54℃ 이하의 범위이다.
상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체로서는, 예를 들면, 탄소수 6~18의 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 헵타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 또는 탄소수 5 이하의 단량체인, 펜틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2-에틸헥실아크릴레이트를 이용하는 것이 바람직하고, 상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(공중합체)의 주쇄를 구성하는 단량체 성분 전량에 대하여, 40질량% 이상 85질량% 이하의 범위로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 수산기 함유 단량체로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 10-히드록시데실(메타)아크릴레이트, 12-히드록시라우릴(메타)아크릴레이트, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 수산기 함유 단량체를 공중합하는 목적은, 첫째, 상기 아크릴계 점착성 폴리머에 대하여, 후술하는 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 부가 반응에 의해 도입하기 위한 부가 반응점(-OH)으로 하기 위해, 둘째, 후술하는 폴리이소시아네이트계 가교제의 이소시아네이트기(-NCO)와 반응시켜 상기 아크릴계 점착성 폴리머를 고분자량화하기 위한 가교 반응점으로 하기 위해, 셋째, 가교 반응 후의 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)과의 초기 밀착성을 향상시키기 위한 활성점(극성점)으로 하기 위해서인 바, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기를 이용하여 부가 반응에 의해 도입하는 경우에는, 하나의 기준으로서, 상기 수산기 단량체의 함유량은, 공중합체 단량체 성분 전량에 대하여, 15질량% 이상 31질량% 이하의 범위로 조정해 두는 것이 바람직하다. 즉, 상기 공중합체에 있어서의 수산기 단량체의 함유량을 상기 범위 내로 조정해 두는 것은, 본 발명의 점착제 조성물과 관련된 구성 요건인, 아크릴계 점착성 폴리머의 수산기값, 후술하는 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH) 및 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도, 및 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도를 상기 서술한 소정의 범위로 제어하는 것이 용이해지므로, 바람직하다.
상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 공중합한 후에, 당해 공중합체가 측쇄에 가지는 수산기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 이소시아네이트기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)을 부가 반응시키는 방법에 의해 얻는 것이, 그 반응 추적의 용이성(제어의 안정성)이나 기술적 난이도의 관점에서, 가장 바람직하다. 이와 같은 이소시아네이트기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-메타크릴로일옥시-n-부틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 부가 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 활성 에너지선 반응성이 유지되도록, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 중합 금지제로서는, 히드로퀴논·모노메틸에테르 등의 퀴논계의 중합 금지제가 바람직하다. 중합 금지제의 양은, 특별히 제한되지 않지만, 아크릴계 점착성 폴리머 100질량부에 대하여, 통상, 0.01질량부 이상 0.1질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 부가 반응을 행할 때에는, (1) 후에 첨가하는 폴리이소시아네이트계 가교제에 의해 상기 아크릴계 점착성 폴리머를 가교시키고, 더 고분자량화하기 위해, (2) 가교 반응 후의 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)과의 초기 밀착성을 향상시키기 위해, 가교 반응 후의 점착제 조성물 중에 소정량의 히드록실기가 잔존하도록 해 놓을 필요가 있다. 또한, 한편, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도를 소정의 범위로 제어할 필요도 있다. 이들 양 관점을 감안할 필요가 있는 바, 예를 들면, 히드록실기를 측쇄에 가지는 공중합체에 대하여, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 경우, 하나의 기준으로서, 당해 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물은, 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기 함유 단량체에 대하여, 37몰% 이상 85몰% 이하의 범위의 비율이 되는 양을 이용하여 부가 반응시키는 것이 바람직하다.
상기 아크릴계 점착성 폴리머는, 상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체 및 수산기 함유 단량체 이외에, 점착력, 유리 전이 온도(Tg)의 조정 등을 목적으로 하여, 필요에 따라 다른 공중합 단량체 성분이 공중합되어 있어도 된다. 이와 같은 다른 공중합 단량체 성분으로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물기 함유 단량체, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드계 단량체, (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 아미노기 함유 단량체, (메타)아크릴산 글리시딜 등의 글리시딜기 함유 단량체 등의 관능기를 가지는 단량체를 들 수 있다. 이와 같은 관능기를 가지는 단량체의 함유량은, 특별히 한정은 되지 않지만, 공중합 단량체 성분 전량에 대하여 0.5질량% 이상 30질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
이와 같은 수산기 이외의 관능기를 가지는 단량체가 공중합되는 경우에는, 당해 관능기를 이용하여 상기 아크릴계 점착성 폴리머에 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 도입할 수도 있다. 예를 들면, 아크릴계 점착성 폴리머가 측쇄에 카르복실기를 가지는 경우, (메타)아크릴산 글리시딜이나 2-(1-아지리디닐)에틸(메타)아크릴레이트 등의 활성 에너지선 반응성 화합물과 반응시키는 방법, 아크릴계 점착성 폴리머가 측쇄에 글리시딜기를 가지는 경우에는, (메타)아크릴산 등의 활성 에너지선 반응성 화합물과 반응시키는 방법 등에 의해, 상기 아크릴계 점착성 폴리머에 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 도입할 수도 있다. 단, 수산기 이외의 관능기를 가지는 단량체를 공중합하고, 당해 관능기를 이용하여 아크릴계 점착성 폴리머에 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 도입하는 경우에는, 하나의 기준으로서, 동시에 공중합되는 수산기 함유 단량체의 함유량은, 공중합체 단량체 성분 전량에 대하여, 3질량% 이상 15질량% 이하의 범위로 조정해 두는 것이 바람직하다. 그렇게 함으로써, 아크릴계 점착성 폴리머의 수산기값, 후술하는 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH) 및 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도를 상기 서술한 소정의 범위로 제어하는 것이 용이해지므로, 바람직하다.
또한, 상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 응집력, 및 내열성 등을 목적으로 하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라, 다른 공중합 단량체 성분을 함유해도 된다. 이와 같은 다른 공중합 단량체 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 스티렌계 단량체, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체, 염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 단량체, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 알콕시기 함유 단량체, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메타)아크릴로일모르폴린 등의 질소 원자 함유 환을 가지는 단량체를 들 수 있다. 이들의 다른 공중합 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 서술한 단량체를 공중합한 수산기를 가지는 바람직한 공중합체로서는, 구체적으로는, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 2원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 2-히드록시에틸과 메타크릴산과의 3원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 n-부틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 3원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산 메틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 3원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 n-부틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과 메타크릴산과의 4원 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산 메틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과 메타크릴산과의 4원 공중합체 등을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 이들 바람직한 공중합체에 대하여, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 부가 반응시켜 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 얻어진 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 수산기값이 12.0mgKOH/g 이상 55.0mgKOH/g 이하의 범위이다. 상기 수산기값이 12.0mgKOH/g 미만인 경우, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가 작아져, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 초기 밀착성이 저하될 우려가 있다. 그 결과, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 발생하기 쉬워져, 반도체 칩의 양품 수율이 저하된다. 한편, 상기 수산기값이 55.0mgKOH/g을 초과하는 경우, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가 과잉으로 커져, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 초기 밀착성이 필요 이상으로 커질 우려가 있다. 그 결과, 자외선 조사 후의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩을 점착제층(2)으로부터 박리하기 어려워져, 반도체 칩의 픽업 수율이 저하된다. 상기 수산기값은, 바람직하게는 12.7mgKOH/g 이상 53.2mgKOH/g 이하의 범위, 보다 바람직하게는 17.0mgKOH/g 이상 39.0mgKOH/g 이하의 범위이다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 산가가 0mgKOH/g 이상 9.0mgKOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위 내이면, 자외선 조사에 의한 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과를 방해하지 않고, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸을 억제할 수 있다. 상기 산가는, 바람직하게는 2.0mgKOH/g 이상 8.2mgKOH/g 이하의 범위, 보다 바람직하게는 2.5mgKOH/g 이상 5.5mgKOH/g 이하의 범위이다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 바람직하게는 20만 이상 60만 이하의 범위의 중량 평균 분자량 Mw를 가진다. 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량 Mw가 20만 미만인 경우에는, 도공성 등을 고려하여, 수천 cP 이상 수만 cP 이하의 고점도의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물의 용액을 얻는 것이 어려워 바람직하지 않다. 또한, 활성 에너지선 조사 전의 점착제층(2)의 응집력이 작아져, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)으로부터 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 탈리할 때, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼를 오염시킬 우려가 있다. 한편, 중량 평균 분자량 Mw가 60만을 초과하는 경우에는, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 젖음성·추종성이 저하되어, 초기 밀착력이 저하되기 때문에, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 발생할 우려가 있다. 여기서, 중량 평균 분자량 Mw는, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다. 상기 중량 평균 분자량 Mw는, 바람직하게는 33만 이상 55만 이하의 범위, 보다 바람직하게는 35만 이상 40만 이하의 범위이다.
[가교제]
본 실시 형태의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 상기 서술한 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 폴리이소시아네이트계 가교제를 함유한다. 상기 폴리이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트환을 가지는 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 톨릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 크실릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 이소포론디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 범용성의 관점에서, 트리메틸올프로판과 톨릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물 및 또는 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물이 적합하게 이용된다.
상기 폴리이소시아네이트계 가교제는, 상기 서술한 폴리머 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가 -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위, 수산기값이 12.0mgKOH/g 이상 55.0mgKOH/g 이하의 범위인, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머에 대하여, 상기 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가, 0.02 이상 0.20 이하의 범위가 되도록, 그 첨가량이 조정된다. 이와 같이 폴리이소시아네이트계 가교제의 첨가량을 조정함으로써, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도를, 0.18mmol 이상 0.90mmol 이하의 범위로 제어할 수 있다. 본 발명에 있어서, 「활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g」이라고 하는 것은, 「후술하는 광중합 개시제를 제외한 점착제 조성물(고형분) 1g」, 즉 「아크릴계 점착성 폴리머와 폴리이소시아네이트계 가교제로 구성되는 점착제 조성물(고형분) 1g」을 의미한다. 또한, 점착제 조성물이 후술하는 그 밖의 성분을 포함하는 경우에는, 그 밖의 성분도 점착제 조성물의 중량에 첨가한다. 상기 당량비(NCO/OH)는, 바람직하게는 0.04 이상 0.19 이하의 범위, 보다 바람직하게는 0.07 이상 0.14 이하의 범위이다.
여기서, 상기 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)는, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 중에 있어서의 폴리이소시아네이트계 가교제의 함유량과 당해 폴리이소시아네이트계 가교제의 1분자당의 이소시아네이트기의 평균 개수로부터 계산에 의해 구해지는 이소시아네이트기의 전체 몰수를, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 도입된 후의 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기의 전체 몰수로 나눈 이론 계산값이다. 당해 수산기의 전체 몰수는, 예를 들면, 베이스 폴리머인 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머에 대하여, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 도입하기 위해 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 이용하여 부가 반응시킨 경우, 베이스 폴리머인 아크릴계 점착성 폴리머에 있어서의 수산기의 전체 몰수로부터, 첨가된 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기와의 가교 반응에 의해 이론적으로 소비되는 수산기의 몰수(=(메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 몰수)를 뺀 값이다.
또한, 마찬가지로, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도는, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기의 전체 몰수로부터, 첨가된 폴리이소시아네이트계 가교제의 이소시아네이트기와의 가교 반응에 의해 이론적으로 소비되는 수산기의 몰수(=가교제의 이소시아네이트기의 몰수)를 뺀 값을 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당으로 환산한 것이다.
상기 당량비(NCO/OH)가 0.02 미만인 경우에는, 점착제층(2)의 응집력이 불충분해져, 자외선 조사 후의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩이 점착제층(2)으로부터 박리하기 어려워질 우려나, 다이 본드 필름 표면에 점착제 잔류(오염)가 발생할 우려나, 다이 본드 필름(3)의 할단성이 나빠질 우려가 있다. 또한, 특히 수산기값이 큰 경우, 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가 지나치게 커져, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 초기 밀착성이 필요 이상으로 커져, 자외선 조사 후의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩이 점착제층(2)으로부터 박리하기 어려워질 우려가 있다. 그 결과, 반도체 칩의 양품 수율이 저하된다. 한편, 상기 당량비(NCO/OH)가 0.20을 초과하는 경우에는, 수산기값의 크기에 따라서는, 점착제층(2)의 가교 반응 후의 인성이 지나치게 저하되어, 즉, 지나치게 단단해져, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 젖음성·추종성이 나빠져, 다이 본드 필름(3)에 대한 초기 밀착성이 나빠질 우려나, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 웨이퍼나 다이 본드 필름(3)이 할단되었을 때의 충격력을 충분히 완화할 수 없어, 당해 충격력이 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에 전파되기 쉬워질 우려가 있다. 그 결과, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 발생하기 쉬워져, 반도체 칩의 양품 수율이 저하된다.
상기 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가, 0.02 이상 0.20 이하의 범위 내이면, 폴리머 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가 -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위, 수산기값이 12.0mgKOH/g 이상 55.0mgKOH/g 이하의 범위인 아크릴계 점착성 폴리머를 주성분으로 하는 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도를, 0.18mmol 이상 0.90mmol 이하의 범위로 제어하는 것이 용이해진다. 그렇게 함으로써, 당해 수산기와 다이 본드 필름(3) 표면의 실리카 필러 등과의 상호 작용이 높아져, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)과의 초기 밀착성이 적절히 향상되고, 또한, 가교 반응 후의 점착제층(2) 자신에 있어서의 인성의 필요 이상의 저하를 억제하여, 택성(tackiness)과 충격 완화성을 적절하게 유지할 수 있다. 그 결과, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 억제되어, 반도체 칩의 양품 수율이 향상된다. 상기 잔존 수산기 농도는, 바람직하게는 0.29mmol 이상 0.60mmol 이하의 범위, 보다 바람직하게는 0.30mmol 이상 0.37mmol 이하의 범위이다.
상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 의해 점착제층(2)을 형성한 후에, 상기 폴리이소시아네이트계 가교제와 상기 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건으로서는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면, 온도는 23℃ 이상 80℃ 이하의 범위, 시간은 24시간 이상 168시간 이하의 범위에서 적절히 설정하면 된다.
[광중합 개시제]
본 실시 형태의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생시키는 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제는, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물에 대한 활성 에너지선의 조사를 감수하여, 라디칼을 발생시켜, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 탄소-탄소 이중 결합의 가교 반응을 개시시킨다.
상기 광중합 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제, 옥심 에스테르계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제, α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(예를 들면, 상품명 Omnirad 651, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온(상품명 Omnirad 1173, IGM Resins B.V.사제), 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(상품명 Omnirad 184, IGM Resins B.V.사제), 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(상품명 Omnirad 2959, IGM Resins B.V.사제), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온(상품명 Omnirad 127, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(상품명 Omnirad 907, IGM Resins B.V.사제) 혹은 2-벤질메틸 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부탄온(상품명 Omnirad 369, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드(상품명 Omnirad TPO, IGM Resins B.V.사제), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(상품명 Omnirad 819, IGM Resins B.V.사제), 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제로서는, (2E)-2-(벤조일옥시이미노)-1-[4-(페닐티오)페닐]옥탄-1-온(상품명 Omnirad OXE-01, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량이 0.1질량부 미만인 경우에는, 활성 에너지선에 대한 광반응성이 충분하지 않기 때문에 활성 에너지선을 조사해도 아크릴계 점착성 폴리머의 광 라디칼 가교 반응이 충분히 일어나지 않고, 그 결과, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 반도체 칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 광중합 개시제의 첨가량이 10.0질량부를 초과하는 경우에는, 그 효과는 포화되어, 경제성의 관점에서도 바람직하지 않다. 또한, 광중합 개시제의 종류에 따라서는, 점착제층(2)이 황변되어 외관 불량이 되는 경우가 있다.
또한, 이와 같은 광중합 개시제의 증감제로서, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 4-디메틸아미노벤조산 이소아밀 등의 화합물을 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물에 첨가해도 된다.
[기타]
본 실시 형태의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 활성 에너지선 경화성 화합물(예를 들면, 다관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머 등), 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
[활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도]
본 실시 형태의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위가 되도록 조정된다. 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가 0.85mmol 미만이면, 상기 서술한 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가 큰 경우에, 자외선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력이 충분히 저하되지 않아, 픽업 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩을 점착제층(2)으로부터 박리하기 어려워질 우려가 있다. 한편, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가 1.60mmol을 초과하는 경우에는, 상기 서술한 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도를 확보하기 어려워질 우려나, 아크릴계 점착성 폴리머의 공중합 조성에 따라서는 합성할 때의 중합 또는 반응 시에 겔화되기 쉬워져, 합성이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 확인하는 경우, 아크릴계 점착성 폴리머의 요오드값을 측정함으로써, 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 산출할 수 있다.
활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위 내이면, 상기 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 초기 밀착성과 점착제층(2) 자신의 인성을 향상시킨 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 포함하는 점착제층(2)을 적용한 경우에 있어서도, 자외선 조사 후의 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 점착력이 충분히 저하되어, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩의 점착제층(2)으로부터의 박리(픽업성)가 양호해진다. 상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도는, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당, 바람직하게는 1.02mmol 이상 1.51mmol 이하의 범위이다.
[점착제층의 두께]
본 실시 형태의 점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 6㎛ 이상 20㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하며, 7㎛ 이상 15㎛ 이하의 범위가 특히 바람직하다. 점착제층(2)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는, 다이싱 테이프(10)의 점착력이 과도하게 저하될 우려가 있다. 이 경우, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)의 점착제층(2)으로부터의 들뜸이 발생하기 쉬워져, 반도체 칩의 양품 수율이 저하된다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름으로서 사용할 때에, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)과의 밀착 불량이 발생하는 경우가 있다. 한편, 점착제층(2)의 두께가 50㎛를 초과하는 경우에는, 다이싱 테이프(10)를 쿨 익스팬드하였을 때에 발생하는 내부 응력이, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼에 외부 응력으로서 전달되기 어려워질 우려가 있으며, 그 경우, 다이싱 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩의 할단 수율이 저하될 우려가 있다. 또한, 경제성의 관점에서도, 실용상 그다지 바람직하지 않다.
(앵커 코팅층)
본 실시 형태의 다이싱 테이프(10)에서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 제조 조건이나 제조 후의 다이싱 테이프(10)의 사용 조건 등에 따라, 기재 필름(1)과 점착제층(2)과의 사이에, 기재 필름(1)의 조성에 맞춘 앵커 코팅층을 마련해도 된다. 앵커 코팅층을 마련함으로써, 기재 필름(1)과 점착제층(2)과의 밀착력이 향상된다.
(박리 라이너)
또한, 점착제층(2)의 기재 필름(1)과는 반대의 표면측(일방의 표면측)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 마련해도 된다. 박리 라이너로서 사용할 수 있는 것은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지나, 종이류 등을 들 수 있다. 또한, 박리 라이너의 표면에는, 점착제층(2)의 박리성을 높이기 위해, 실리콘계 박리 처리제, 장쇄 알킬계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제 등에 의한 박리 처리를 실시해도 된다. 박리 라이너의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것을 적합하게 사용할 수 있다.
(다이싱 테이프의 제조 방법)
도 4는, 다이싱 테이프(10)의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다. 우선, 박리 라이너를 준비한다(단계 S101: 박리 라이너 준비 공정). 이어서, 점착제층(2)의 형성 재료인 점착제층(2)용의 도포 용액(점착제층 형성용 도포 용액)을 제작한다(단계 S102: 도포 용액 제조 공정). 도포 용액은, 예를 들면, 점착제층(2)의 구성 성분인 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제와 희석 용매를 균일하게 혼합 교반함으로써 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
그리고, 단계 S102에서 제작한 점착제층(2)용의 도포 용액을 이용하여, 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조해, 소정 두께의 점착제층(2)을 형성한다(단계 S103: 점착제층 형성 공정). 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 건조 온도는 80℃ 이상 150℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 0.5분간 이상 5분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 계속해서, 기재 필름(1)을 준비한다(단계 S104: 기재 필름 준비 공정). 그리고, 박리 라이너 상에 형성된 점착제층(2) 상에, 기재 필름(1)을 첩합한다(단계 S105: 기재 필름 첩합 공정). 마지막으로, 형성한 점착제층(2)을 예를 들면 40℃의 환경하에서 72시간 에이징하여 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제를 반응시킴으로써 가교·경화시킨다(단계 S106: 열경화 공정). 이상의 공정에 의해 기재 필름(1) 상에 기재 필름측으로부터 차례로 점착제층(2), 박리 라이너를 구비한 다이싱 테이프(10)를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 점착제층(2) 상에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이싱 테이프(10)라고 칭하는 경우가 있다.
또한, 상기 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)을 형성하는 방법으로서, 박리 라이너 상에 점착제층(2)용의 도포 용액을 도포하여 건조하고, 그 후, 점착제층(2) 상에 기재 필름(1)을 첩합하는 방법을 예시했지만, 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)용의 도포 용액을 직접 도포하여 건조시키는 방법을 이용해도 된다. 안정 생산의 관점에서는, 전자의 방법이 적합하게 이용된다.
상기 다이싱 테이프(10)는, 상세한 것은 후술하지만, 다이 본드 필름(3)에 대한 점착제층(2)의 23℃에 있어서의 자외선 조사 후 저각 점착력(박리 각도 30°, 박리 속도 600㎜/분)이 0.95N/25㎜ 이하이며, 다이 본드 필름(3)에 대한 점착제층(2)의 -30℃에 있어서의 자외선 조사 전 전단 접착력(인장 속도 1,000㎜/분)이 100.0N/100㎜2 이상인 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(10)는, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층되어 있는 형태여도 된다. 또한, 이들 형태의 다이싱 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
<다이싱 다이 본드 필름>
본 발명의 제 2 측면에 의하면, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 다이싱 다이 본드 필름(20)의 형태로서 사용할 수도 있다. 다이 본드 필름(접착제층)(3)은, 쿨 익스팬드에 의해 할단, 개편화된 반도체 칩을 리드 프레임이나 배선 기판(지지 기판)에 접착·접속하기 위한 것이다. 또한, 반도체 칩을 적층하는 경우에는, 반도체 칩끼리의 접착제층의 역할도 한다. 이 경우, 1단째의 반도체 칩은 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 의해, 단자가 형성된 반도체 칩 탑재용 배선 기판에 접착되고, 1단째의 반도체 칩 상에, 추가로 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 의해 2째단의 반도체 칩이 접착되어 있다. 1단째의 반도체 칩 및 2째단의 반도체 칩의 접속 단자는, 와이어를 개재하여 외부 접속 단자와 전기적으로 접속되지만, 1단째의 반도체 칩용의 와이어는, 압착(다이 본딩) 시에 다이 본드 필름(접착제층)(3), 즉, 상기 서술한 와이어 매립형 다이 본드 필름(접착제층)(3) 내에 매립된다. 이하, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이 본드 필름(20)의 형태로서 사용하는 경우의 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 대하여 일례를 나타내지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다.
(다이 본드 필름)
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)은, 열에 의해 경화되는 열경화형의 접착제 조성물로 이루어지는 층이다. 상기 접착제 조성물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지의 재료를 사용할 수 있다. 상기 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 예를 들면, 열가소성 수지로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 열경화성 수지로서 에폭시 수지, 및 당해 에폭시 수지에 대한 경화제로서 페놀 수지를 포함하는 수지 조성물에, 경화 촉진제, 무기 필러, 실란 커플링제 등이 첨가되어 이루어지는 열경화성 접착제 조성물을 들 수 있다. 이와 같은 열경화성 접착제 조성물로 이루어지는 다이 본드 필름(접착제층)(3)은, 반도체 칩/지지 기판간, 반도체 칩/반도체 칩간의 접착성이 우수하고, 또한 전극 매립성 및/또는 와이어 매립성 등도 부여 가능하고, 또한 다이 본딩 공정에서는 저온에서 접착할 수 있어, 단시간에 우수한 경화가 얻어지는, 밀봉제에 의해 몰드된 후에는 우수한 신뢰성을 가지는 등의 특징이 있어 바람직하다.
와이어가 접착제층 중에 매립되지 않는 형태로 사용되는 범용 다이 본드 필름과 와이어가 접착제층 중에 매립되는 형태로 사용되는 와이어 매립형 다이 본드 필름은, 그 접착제 조성물을 구성하는 재료의 종류에 대해서는, 대략 동일한 경우가 많지만, 사용하는 재료의 배합 비율, 개개의 재료의 물성·특성 등을, 각각의 목적에 따라 변경함으로써, 범용 다이 본드 필름용 혹은 와이어 매립형 다이 본드 필름용으로서 커스터마이즈된다. 또한, 최종적인 반도체 장치로서의 신뢰성에 문제가 없는 경우에는, 와이어 매립형 다이 본드 필름이 범용 다이 본드 필름으로서 사용되는 경우도 있다. 즉, 와이어 매립형 다이 본드 필름은, 와이어 매립 용도에 한정되지 않고, 배선 등에 기인하는 요철을 가지는 기판, 리드 프레임 등의 금속 기판 등에 반도체 칩을 접착하는 용도로도 마찬가지로 사용 가능하다.
(범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물)
먼저, 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물의 일례에 대하여 설명하지만, 특히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이 본드 필름(3)의 다이 본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 범용 다이 본드 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 20,000Pa·s 이상 40,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 25,000Pa·s 이상 35,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다. 상기 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 52질량부 이상 90질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 5질량부 이상 25질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지의 5질량부 이상 23질량부 이하의 범위로, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 0.3질량부 이하의 범위로 포함하며, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
[글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체]
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 공중합체 유닛으로서, 적어도, 탄소수 1~8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛은, 적정한 접착력 확보의 관점에서, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 0.5질량% 이상 6.0질량% 이하의 범위로 포함하는 것이 바람직하고, 2.0질량% 이상 4.0질량% 이하의 범위로 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 필요에 따라, 유리 전이 온도(Tg)의 조정의 관점에서, 스티렌이나 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 공중합체 유닛으로서 포함하고 있어도 된다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)로서는, -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 다이 본드 필름으로서의 취급성의 향상(택성의 억제)의 관점에서, -10℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이와 같은 유리 전이 온도로 하기 위해서는, 상기 탄소수 1~8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서, 에틸(메타)아크릴레이트 및/또는 부틸(메타)아크릴레이트를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량 Mw는, 50만 이상 200만 이하의 범위인 것이 바람직하고, 70만 이상 100만 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량 Mw가 상기 범위 내이면, 접착력, 내열성, 플로우성을 적절한 것으로 하기 쉽다. 여기서, 중량 평균 분자량 Mw는, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 당해 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 후술하는 에폭시 수지와 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 52질량부 이상 90질량부 이하의 범위인 것이 바람직하고, 60질량부 이상 80질량부 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[에폭시 수지]
에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스 페놀 A형 에폭시 수지, 비스 페놀 F형 에폭시 수지, 비스 페놀 S형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비페놀의 디글리시딜에테르화물, 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물, 페놀류의 디글리시딜에테르화물, 알코올류의 디글리시딜에테르화물, 및 이들의 알킬 치환체, 할로겐화물, 수소 첨가물 등의 2관능 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지 및 복소환 함유 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 그 밖의 에폭시 수지를 사용해도 된다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 에폭시 수지의 연화점은, 접착력, 내열성의 관점에서는, 70℃ 이상 130℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 후술하는 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 100 이상 300 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 에폭시 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절히 발현시킨다고 하는 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 당해 에폭시 수지와 후술하는 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량부 이상 25질량부 이하의 범위인 것이 바람직하고, 10질량부 이상 20질량부 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[페놀 수지: 에폭시 수지에 대한 경화제]
에폭시 수지에 대한 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 페놀 화합물과 2가의 연결기인 크실릴렌 화합물을, 무촉매 또는 산촉매의 존재하에 반응시켜 얻을 수 있는 페놀 수지를 들 수 있다. 상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스틸렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 및 노닐페놀 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들의 페놀 수지 중에서도, 페놀 노볼락 수지나 페놀아랄킬 수지는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 경향이 있기 때문에, 적합하게 이용된다.
상기 페놀 수지의 연화점은, 접착력, 내열성의 관점에서는, 70℃ 이상 90℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 페놀 수지의 수산기 당량은, 에폭시 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 100 이상 200 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지와 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 페놀 수지는, 전체 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 전체 페놀 수지 성분 중의 수산기가 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.8당량 이상 1.2당량 이하의 범위가 되는 양으로, 배합하는 것이 바람직하다. 각각의 수지의 관능기 당량에 따라 다르기 때문에, 일률적으로는 말할 수 없지만, 예를 들면, 페놀 수지의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 당해 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량부 이상 23질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[경화 촉진제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 제 3 급 아민, 이미다졸류, 제 4 급 암모늄염류 등의 경화 촉진제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 경화 촉진제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트 등을 들 수 있고, 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 경화 촉진제의 첨가량은, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 0.3질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[무기 필러]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 유동성을 제어하여, 탄성률을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라 무기 필러를 첨가할 수 있다. 무기 필러로서는, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있고, 이들은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서도, 범용성의 관점에서는, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등이 적합하게 이용된다. 구체적으로는, 예를 들면, 평균 입자경이 나노 사이즈인 에어로질(등록상표: 초미립자 건식 실리카)이 적합하게 이용된다. 상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 무기 필러의 함유 비율은, 상기 서술한 수지 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 에폭시 수지와 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 5질량부 이상 20질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[실란 커플링제]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들면, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있고, 이들은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이상 7.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[기타]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이 본드 필름으로서의 기능을 손상시키지 않는 범위에서, 난연제나 이온 트랩제 등을 첨가해도 된다. 난연제로서는, 예를 들면, 삼산화 안티몬, 오산화 안티몬, 및 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들면, 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수산화 안티몬, 특정 구조의 인산 지르코늄, 규산 마그네슘, 규산 알루미늄, 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물 등을 들 수 있다.
(와이어 매립형 다이 본드 필름용 접착제 조성물)
계속해서, 와이어 매립형 다이 본드 필름용 접착제 조성물의 일례에 대하여 설명하지만, 특히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이 본드 필름(3)의 다이 본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 와이어 매립형 다이 본드 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 200Pa·s 이상 11,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 2,000Pa·s 이상 7,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다. 상기 와이어 매립형 다이 본드 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위로, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
[글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체]
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 공중합체 유닛으로서, 적어도, 탄소수 1~8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜을 포함하는 것이 바람직하다. 와이어 매립형 다이 본드 필름의 경우, 다이 본딩 시의 유동성 향상과 경화 후의 접착 강도 확보의 양립을 도모할 필요가 있기 때문에, (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛 비율이 높고, 분자량이 낮은 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)와, (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛 비율이 낮고, 분자량이 높은 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (B)와의 병용이 바람직하고, 병용 중 전자의 (A) 성분이 일정량 이상 포함되는 것이 바람직하다.
즉, 와이어 매립형 다이 본드 필름용 접착제 조성물에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 구체적으로는, 「(메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛을, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 5.0질량% 이상 15.0질량% 이하의 범위로 포함하고, 유리 전이 온도(Tg)가 -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위이며, 중량 평균 분자량 Mw가 10만 이상 40만 이하의 범위인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)」와, 「(메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛을, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 1.0질량% 이상 7.0질량% 이하의 범위로 포함하고, 유리 전이 온도(Tg)가 -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위이며, 중량 평균 분자량 Mw가 50만 이상 90만 이하의 범위인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (B)」와의 혼합물로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, 중량 평균 분자량 Mw는, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 (A)의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량((A)과 (B)의 합계) 중의 60질량% 이상 90질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 필요에 따라, 유리 전이 온도(Tg)의 조정의 관점에서, 스티렌이나 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 공중합체 유닛으로서 포함하고 있어도 된다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전체의 유리 전이 온도(Tg)로서는, -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 다이 본드 필름으로서의 취급성의 향상(택성의 억제)의 관점에서, -10℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이와 같은 유리 전이 온도로 하기 위해서는, 상기 탄소수 1~8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 에틸(메타)아크릴레이트 및/또는 부틸(메타)아크릴레이트를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 와이어 매립형 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량((A)과 (B)의 합계)의 함유 비율은, 다이 본딩 시의 유동성 및 경화 후의 접착 강도의 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 당해 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 후술하는 에폭시 수지와 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 17질량부 이상 51질량부 이하의 범위인 것이 바람직하고, 20질량부 이상 45질량부 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[에폭시 수지]
에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 에폭시 수지로서 예시한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 되지만, 와이어 매립형 다이 본드 필름의 경우, 접착 강도의 확보와 함께, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하면서, 와이어의 양호한 매립성을 부여할 필요가 있기 때문에, 그 유동성이나 탄성률을 제어하는데 있어서, 2종류 이상의 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
와이어 매립형 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 이용하는 에폭시 수지의 바람직한 양태로서는, 상온에서 액상인 에폭시 수지 (C)와 연화점이 98℃ 이하, 바람직하게는 85℃ 이하인 에폭시 수지 (D)와의 혼합물로 이루어지는 것을 들 수 있다. 상기의 상온에서 액상인 에폭시 수지 (C)의 함유 비율은, 에폭시 수지 전량((C)와 (D)의 합계) 중의 15질량% 이상 75질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 후술하는 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 100 이상 300 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 에폭시 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절히 발현시킨다고 하는 관점에서, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 당해 에폭시 수지와 후술하는 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 30질량부 이상 64질량부 이하의 범위인 것이 바람직하고, 35질량부 이상 50질량부 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[페놀 수지: 에폭시 수지에 대한 경화제]
에폭시 수지에 대한 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 페놀 수지로서 예시의 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 페놀 수지의 연화점은, 접착력, 유동성의 관점에서는, 70℃ 이상 115℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 페놀 수지의 수산기 당량은, 에폭시 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 100 이상 200 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 열경화성 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지와 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 페놀 수지는, 전체 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 전체 페놀 수지 성분 중의 수산기가 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 다이 본딩 시의 유동성과의 양립이라고 하는 관점에서, 보다 바람직하게는 0.6당량 이상 1.0당량 이하의 범위가 되는 양으로, 배합하는 것이 바람직하다. 각각의 수지의 관능기 당량에 따라 다르기 때문에, 일률적으로는 말할 수 없지만, 예를 들면, 페놀 수지의 함유 비율은, 접착제 조성물 중의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 당해 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 19질량% 이상 53질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[경화 촉진제]
또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 제 3 급 아민, 이미다졸류, 제 4 급 암모늄염류 등의 경화 촉진제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 경화 촉진제로서는, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 경화 촉진제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 경화 촉진제의 첨가량은, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하는 관점에서, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[무기 필러]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 취급성의 향상, 다이 본딩 시의 유동성의 조정, 틱소트로픽성의 부여, 접착 강도의 향상 등의 관점에서, 필요에 따라 무기 필러를 첨가할 수 있다. 무기 필러로서는, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 무기 필러로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있지만, 이들 중에서도, 범용성의 관점에서는, 실리카 필러가 적합하게 이용된다. 상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 무기 필러의 함유 비율은, 다이 본딩 시의 유동성, 쿨 익스팬드 시의 할단성 및 접착 강도의 관점에서, 상기 서술한 수지 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 에폭시 수지와 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, 10질량% 이상 80질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 15질량% 이상 50질량% 이하의 범위가 보다 바람직하다.
상기 무기 필러는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 쿨 익스팬드 시의 할단성을 향상시키고, 경화 후의 접착력을 충분히 발현시킬 목적으로, 평균 입자경이 상이한 2종류 이상의 무기 필러를 혼합하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 평균 입자경이 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위인 무기 필러를, 무기 필러의 전체 질량을 기준으로 하여 80질량% 이상의 비율을 차지하는 주된 무기 필러 성분으로서 사용하는 것이 바람직하다. 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 유동성이 과도하게 높아지는 것에 의한 반도체 칩 제조 공정에서의 접착제층(3)의 발포의 억제나 경화 후의 접착 강도의 향상이 필요한 경우에는, 평균 입자경이 0.1㎛ 미만인 무기 필러를, 무기 필러의 전체 질량을 기준으로 하여 20질량% 이하의 배합량으로 상기의 주된 무기 필러 성분과 병용해도 된다.
[실란 커플링제]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 실란 커플링제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하는 관점에서, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.5질량부 이상 2.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
[기타]
게다가 또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이 본드 필름(3)으로서의 기능을 손상시키지 않는 범위에서, 난연제나 이온 트랩제 등을 첨가해도 된다. 이들 난연제나 이온 트랩제로서는, 상기 서술의 범용 다이 본드 필름용 접착제 조성물용의 난연제나 이온 트랩제로서 예시한 것과 동일한 것을 마찬가지로 사용할 수 있다.
(다이 본드 필름(접착제층)의 두께)
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 접착 강도의 확보, 반도체 칩 접속용의 와이어를 적절하게 매립하기 위해, 혹은 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 충전하기 위해, 5㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 5㎛ 미만이면, 반도체 칩과 리드 프레임이나 배선 기판 등과의 접착력이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 200㎛를 초과하면 경제적이지 않게 되는 데다가, 반도체 장치의 소형 박막화로의 대응이 불충분해지기 쉽다. 또한, 접착성이 높고, 또한, 반도체 장치를 박형화할 수 있는 점에서, 필름상 접착제의 막 두께는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하고, 20㎛ 이상 75㎛ 이하의 범위가 특히 바람직하다.
보다 구체적으로는, 범용 다이 본드 필름(접착제층)으로서 사용하는 경우의 두께로서는, 예를 들면, 5㎛ 이상 30㎛ 미만의 범위, 특히 10㎛ 이상 25㎛ 이하의 범위가 바람직하고, 와이어 매립형 다이 본드 필름(접착제층)으로서 사용하는 경우의 두께로서는, 예를 들면 30㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위, 특히 40㎛ 이상 80㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다.
(다이 본드 필름의 제조 방법)
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)은, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조된다. 우선, 박리 라이너를 준비한다. 또한, 당해 박리 라이너로서는, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 배치하는 박리 라이너와 동일한 것을 사용할 수 있다. 이어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 형성 재료인 다이 본드 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 제작한다. 도포 용액은, 예를 들면, 상기 서술한 바와 같은 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 구성 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 에폭시 수지에 대한 경화제, 무기 필러, 경화 촉진제, 및 실란커플링제 등을 포함하는 열경화성 수지 조성물과 희석 용매를 균일하게 혼합 분산함으로써 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤이나 시클로헥사논 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
이어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 가(假)지지체가 되는 상기 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하고 건조하여, 소정 두께의 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 형성한다. 그 후, 다른 박리 라이너의 박리 처리면을 다이 본드 필름(접착제층)(3) 상에 첩합한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들면, 건조 온도는 60℃ 이상 200℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 1분간 이상 90분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 양면 혹은 편면에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이 본드 필름(접착제층)(3)이라고 칭하는 경우가 있다.
상기 다이 본드 필름(3)에 대한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 23℃에 있어서의 자외선 조사 후 저각 점착력은, 픽업성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.95N/25㎜ 이하, 보다 바람직하게는 0.85N/25㎜ 이하, 더 바람직하게는 0.70N/25㎜ 이하이다. 상기 자외선 조사 후 저각 점착력은, 픽업성 향상의 관점에서, 작으면 작을수록 바람직하지만, 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩(30a)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업하기 전의 단계에 있어서, 의도하지 않게 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 칩(30a)이 다이싱 테이프(10)로부터 박리되거나, 어긋나게 하는 것을 억제할 수 있어, 픽업을 보다 양호하게 행할 수 있다고 하는 관점에서, 0.05N/25㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 다이 본드 필름(3)에 대한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 -30℃에 있어서의 자외선 조사 전 전단 접착력은, 익스팬드 후의 다이 본드 필름(3)의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터의 부분적인 박리(들뜸)의 억제 및 픽업성 향상의 양립의 관점에서, 바람직하게는 100.0N/100㎜2 이상, 보다 바람직하게는 105.0N/100㎜2 이상 140N/100㎜2 이하의 범위, 더 바람직하게는 107.7N/100㎜2 이상 123.0N/100㎜2 이하의 범위이다.
또한, 상기 다이 본드 필름(3)에 대한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 23℃에 있어서의 자외선 조사 후 저각 점착력 및 -30℃에 있어서의 자외선 조사 전 전단 접착력은, 각각, 실시예에 기재한 시험 방법을 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 픽업성에 지장을 초래하지 않는 한은, 상기 자외선 조사 전 전단 접착력 측정 시험에 있어서, 파괴 모드가 상기 접착제층의 응집 파괴여도 된다.
(다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법)
상기 다이싱 다이 본드 필름(20)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 우선 다이싱 테이프(10) 및 다이 본드 필름(20)을 개별로 각각 준비하고, 이어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 및 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 박리 라이너를 각각 박리하여, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)과 다이 본드 필름(접착제층)(3)을, 예를 들면, 핫 롤 라미네이터 등의 압착 롤에 의해 압착하여 첩합하면 된다. 첩합 온도로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10℃ 이상 100℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 첩합 압력(선압)으로서는, 예를 들면 0.1kgf/cm 이상 100kgf/cm 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 점착제층(2) 및 다이 본드 필름(접착제층)(3) 상에 박리 라이너가 구비된 적층체도 다이싱 다이 본드 필름(20)이라고 칭하는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서, 점착제층(2) 및 다이 본드 필름(접착제층)(3) 상에 구비된 박리 라이너는, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 워크에 제공할 때에, 박리하면 된다.
상기 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층되어 있는 형태여도 된다. 또한, 이들 형태의 다이싱 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
예를 들면, 일본공개특허 특개2011-159929호 공보에 개시되는 바와 같이, 박리 기재(박리 라이너) 상에 반도체 소자를 구성하는 웨이퍼의 형상으로 프리컷 가공한 접착제층(다이 본드 필름(3)) 및 점착 필름(다이싱 테이프(10))을 다수, 섬 형상으로 형성시킨 필름 롤 형상의 형태로서 제조할 수도 있다. 이 경우, 다이싱 테이프(10)는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)보다 대경(大徑)의 원형으로 형성되고, 다이 본드 필름(접착제층)(3)은, 반도체 웨이퍼(30)보다 대경의 원형으로 형성되어 있다. 이와 같은 필름 롤 형상의 형태로서 프리컷 가공이 실시될 때에, 여분인 다이싱 테이프(10)를 끊기지 않고 연속적 또한 양호하게 박리 제거하기 위해, 다이싱 테이프(10)가 국소적으로 가열 및 또는 냉각 처리되는 경우가 있다. 여기서, 가열의 온도는, 적절히 선택되지만, 30℃~120℃인 것이 바람직하다. 가열 시간은, 적절히 선택되지만, 0.1~10초인 것이 바람직하다. 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 일정한 내열성을 가지기 때문에, 가령 120℃의 고온으로 가열 처리가 실시되어도, 그 취급에 있어서 특별히 문제가 되는 경우는 없다.
<반도체 칩의 제조 방법>
도 5는, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 칩의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다. 또한, 도 6은, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 외연부(外緣部)(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)이, 중심부의 다이 본드 필름(접착제층)(3) 상에 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 개략도이다. 게다가 또한, 도 7의 (a)~(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 당해 반도체 웨이퍼의 다이싱 다이 본드 필름으로의 첩합 공정의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 8의 (a)~(f)는, 다이싱 다이 본드 필름이 첩합된 복수의 개질 영역을 가지는 박막 반도체 웨이퍼를 이용한 반도체 칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
<다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 칩의 제조 방법>
다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 칩의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 상기 서술한 방법 중 어느 방법에 따르면 되지만, 여기서는, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)에 의한 제조 방법을 예로 들어 설명한다.
우선, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘을 주성분으로 하는 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 상에 복수의 집적 회로(도면에 나타내지 않음)를 탑재한 반도체 웨이퍼(W)를 준비한다(도 5의 단계 S201: 준비 공정). 그리고, 점착면(Ta)을 가지는 웨이퍼 가공용 테이프(백그라인딩 테이프)(T)가 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에 첩합된다.
이어서, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점(集光点)이 맞춰진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프(T)와는 반대측, 즉 반도체 웨이퍼의 제 2 면(Wb)측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대하여, 그 격자 형상의 분할 예정 라인(X)을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)이 형성된다(도 5의 단계 S202: 개질 영역 형성 공정). 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼(W)를 쿨 익스팬드 공정에 의해 반도체 칩 단위로 할단·분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인을 따라 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들면, 일본특허 제3408805호 공보, 일본공개특허 특개2002-192370호 공보, 일본공개특허 특개2003-338567호 공보 등에 개시되어 있는 방법을 참조할 수 있다.
이어서, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 미리 정해진 두께에 이를 때까지 제 2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박막화된다. 여기서, 반도체 웨이퍼(30)의 두께는, 반도체 장치의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께로 조절된다. 이에 따라, 후 공정의 쿨 익스팬드에 의해, 복수의 반도체 칩(30a)으로의 개편화를 용이하게 하는 개질 영역(30b)을 그 내부에 가지는 박막의 반도체 웨이퍼(30)가 얻어진다(도 5의 단계 S203: 연삭·박막화 공정). 또한, 본 연삭·박막화 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(30)의 연삭 후의 최종 두께, 레이저광 조사의 주사 횟수(투입 파워), 웨이퍼 가공용 테이프(T)의 물성 등의 차이에 의해, 연삭 휠의 연삭 부하가 가해졌을 때에, 반도체 웨이퍼(30)가, 개질 영역(30b)을 기점으로 하여 수직 방향으로 균열이 성장하고, 이 단계에서 이미 개개의 반도체 칩(30a)으로 할단되는 경우와, 균열이 성장하지 않아 할단되지 않는 경우가 있다.
이어서, 도 7의 (d), (e)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 보지된 복수의 개질 영역(30b)을 그 내부에 가지는 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체 칩(30a)으로 할단되어 있는 경우에는 복수의 반도체 칩(30a))가 별도 준비한 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이 본드 필름(3)에 대하여 첩합된다(도 5의 단계 S204: 첩합 공정). 본 공정에 있어서는, 원형으로 컷팅한 다이싱 다이 본드 필름(20)의 점착제층(2) 및 다이 본드 필름(접착제층)(3)으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 도 6에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 외연부(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 상측 중앙부에 적층된 다이 본드 필름(접착제층)(3) 상에 개편화 가능하게 가공된 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체 칩(30a)으로 할단되어 있는 경우에는 복수의 반도체 칩(30a))를 첩부한다. 이 후, 도 7의 (f)에 나타내는 바와 같이, 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체 칩(30a)으로 할단되어 있는 경우에는 복수의 반도체 칩(30a))로부터 웨이퍼 가공용 테이프(T)가 벗겨진다. 첩부는, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 첩부 온도는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 20℃ 이상 130℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 반도체 웨이퍼(30)의 휨을 작게 하는 관점에서는, 40℃ 이상 100℃ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 첩부 압력은, 특별히 한정되지 않고, 0.1MPa 이상 10.0MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 일정한 내열성을 가지기 때문에, 첩부 온도가 고온이어도, 그 취급에 있어서 특별히 문제가 되는 경우는 없다.
계속해서, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 링 프레임(40)이 첩부된 후, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 개편화 가능하게 가공된 박막의 반도체 웨이퍼(30)(반도체 웨이퍼(30)가 이미 반도체 칩(30a)으로 할단되어 있는 경우에는 복수의 반도체 칩(30a))를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름(20)이 익스팬드 장치의 보지구(41)에 고정된다. 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 박막의 반도체 웨이퍼(30)는, 복수의 반도체 칩(30a)으로 개편화 가능하도록, 다이싱 예정 라인(X)을 따라, 그 내부에 복수의 개질 영역(30b)이 형성되어 있다.
이어서, 상대적으로 저온(예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하)의 조건하에서의 제 1 익스팬드 공정, 즉, 쿨 익스팬드 공정이, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 행해져, 반도체 웨이퍼(30)가 복수의 반도체 칩(30a)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 반도체 칩(30a)의 크기에 대응한 작은 조각의 다이 본드 필름(접착제층)(3a)으로 할단되어, 다이 본드 필름(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)이 얻어진다(도 5의 단계 S205: 쿨 익스팬드 공정). 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(도면에 나타내지 않음)가, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30)가 첩합된 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼(30)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아 늘려지도록 익스팬드된다. 쿨 익스팬드에 의해 다이싱 테이프(10)의 전체 방향으로의 인장에 의해 발생된 내부 응력은, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30) 및 당해 반도체 웨이퍼(30)에 첩부된 다이 본드 필름(3)에 외부 응력으로서 전달된다. 이 외부 응력에 의해, 반도체 웨이퍼(30)는, 그 내부에 형성된 격자 형상의 복수의 개질 영역(30b)을 기점으로 하여 수직 방향으로 균열이 성장하여, 개개의 반도체 칩(30a)으로 할단됨과 함께, 저온에서 취성화된 다이 본드 필름(3)도 반도체 칩(30a)과 동일한 사이즈의 작은 조각의 다이 본드 필름(3a)으로 할단된다. 또한, 반도체 웨이퍼(30)가 연삭·박막화 공정에서 이미 개개의 반도체 칩(30a)으로 할단되어 있는 경우에는, 반도체 칩(30a)에 밀착되어 있는 저온에서 취성화된 다이 본드 필름(3)만이, 쿨 익스팬드에 의해 반도체 칩(30a)의 크기에 대응한 작은 조각의 다이 본드 필름(3a)으로 할단되어, 다이 본드 필름(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)이 얻어진다.
상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하이며, 바람직하게는 -20℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이고, 보다 바람직하게는 -15℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이며, 특히 바람직하게는 -15℃이다. 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1㎜/초 이상 1000㎜/초 이하의 범위이며, 보다 바람직하게는 10㎜/초 이상 300㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량(중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재의 밀어 올림 높이)은, 바람직하게는 3㎜ 이상 16㎜ 이하의 범위이다.
여기서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 우선, 그 기재 필름(1)을 특정량의 폴리아미드 수지를 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머를 주성분으로 하는 수지 조성물로 구성함으로써, -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 인장 응력을 적정한 범위로 할 수 있으므로, 쿨 익스팬드에 의해 다이싱 테이프(10)의 전체 방향으로의 인장에 의해 발생된 내부 응력은, 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30) 및 당해 반도체 웨이퍼(30)에 첩부된 다이 본드 필름(3)에 외부 응력으로서 효율적으로 전달되고, 그 결과, 반도체 웨이퍼(30)와 다이 본드 필름(3)이 동시에 수율 좋게 할단된다. 또한, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(2)을 특정의 유리 전이 온도(Tg)와 수산기값을 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 주성분으로 하는 점착제 조성물로 구성하고, 폴리이소시아네이트계 가교제의 첨가량을 제어함으로써, 가교 반응 후의 점착제 조성물의 인성 및 잔존 수산기 농도를 적정한 범위로 할 수 있으므로, 저온하에 있어서의 다이 본드 필름(3)과 점착제층(2)의 계면에 있어서 적절한 충격 완화성과 초기 점착력이 부여되고, 그 결과, 쿨 익스팬드에 의해 개편화 가능하게 가공된 반도체 웨이퍼(30)나 다이 본드 필름(3)이 할단되었을 때의 충격력이 점착제층(2)에 의해 완화되어, 반도체 칩(30a)을 보지하고 있는 작은 조각의 다이 본드 필름(3a)(접착제층)의 에지 사방의 점착제층(2)으로부터의 들뜸, 박리가 억제되는 것이다.
상기 쿨 익스팬드 공정 후, 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
이어서, 상대적으로 고온(예를 들면, 10℃ 이상 30℃ 이하)의 조건하에서의 제 2 익스팬드 공정, 즉, 상온 익스팬드 공정이, 도 8의 (d)에 나타내는 바와 같이 행해져, 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)간의 거리(커프 폭)가 넓혀진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 원기둥 형상의 테이블(도면에 나타내지 않음)이, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)가 익스팬드된다(도 5의 단계 S206: 상온 익스팬드 공정). 상온 익스팬드 공정에 의해 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)간의 거리(커프 폭)를 충분히 확보함으로써, CCD 카메라 등에 의한 반도체 칩(30a)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체 칩(30a)끼리가 접촉함으로써 발생하는 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)끼리의 재접착을 방지할 수 있다. 그 결과, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)의 픽업성이 향상된다.
상기 상온 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면 10℃ 이상이며, 바람직하게는 15℃ 이상 30℃ 이하의 범위이다. 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(원기둥 형상의 테이블이 상승하는 속도)는, 예를 들면 0.1㎜/초 이상 50㎜/초 이하의 범위이며, 바람직하게는 0.3㎜/초 이상 30㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량은, 예를 들면 3㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위이다.
테이블의 상승에 의해 다이싱 테이프(10)가 상온 익스팬드된 후, 테이블은 다이싱 테이프(10)를 진공 흡착한다. 그리고, 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태로, 테이블이 워크를 수반하여 하강되어, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 상의 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)의 커프 폭이 좁아지는 것을 억제한 후에는, 다이싱 테이프(10)가 테이블에 진공 흡착된 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(30a)의 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 열풍 분사(吹付)에 의해 가열 수축(히트 슈링크)시켜, 익스팬드에 의해 발생한 다이싱 테이프(10)의 늘어짐을 해소함으로써 긴장 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 가열 수축 후, 테이블에 의한 진공 흡착 상태가 해제된다. 상기 열풍의 온도는, 기재 필름(1)의 물성과, 열풍 분출구와 다이싱 테이프와의 거리, 및 풍량 등에 따라 조정하면 되지만, 예를 들면 200℃ 이상 250℃ 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 열풍 분출구와 다이싱 테이프와의 거리는, 예를 들면 15㎜ 이상 25㎜ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 풍량은, 예를 들면 35L/분 이상 45L/분 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 히트 슈링크 공정을 행할 때, 익스팬드 장치의 스테이지를, 예를 들면 3°/초 이상 10°/초 이하의 범위의 회전 속도로 회전시키면서, 다이싱 테이프(10)의 반도체 칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 따라 열풍 분사를 행한다.
본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 그 기재 필름(1)으로서, 특정량의 폴리아미드 수지를 포함하는 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머를 주성분으로 하는 수지 조성물로 구성된 수지 필름을 이용하고 있으므로, 일정한 내열성을 가지고 있다. 이 때문에, 상기 히트 슈링크 공정에 있어서, 고온의 열풍이 분사되어도, 열 주름 등이 발생하지 않고, 다이싱 테이프(10)의 원주 부분을 문제없이 가열 수축시킬 수 있다.
계속해서, 다이싱 테이프(10)에 대하여, 기재 필름(1)측으로부터 활성 에너지선을 조사함으로써, 점착제층(2)을 경화·수축시켜, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3a)에 대한 점착력을 저하시킨다(도 5의 단계 S207: 활성 에너지선 조사 공정). 여기서, 상기 후 조사에 이용하는 활성 에너지선으로서는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, β선, γ선 등을 들 수 있다. 이들의 활성 에너지선 중에서도, 자외선(UV) 및 전자선(EB)이 바람직하고, 특히 자외선(UV)이 바람직하게 이용된다. 상기 자외선(UV)을 조사하기 위한 광원으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 블랙 라이트, 자외선 형광등, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본 아크등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 이용할 수 있다. 또한, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, 엑시머 램프 또는 싱크로트론 방사광 등도 이용할 수 있다. 상기 자외선(UV)의 조사 광량은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 100mJ/cm2 이상 2,000J/cm2 이하의 범위인 것이 바람직하고, 300mJ/cm2 이상 1,000J/cm2 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 상기 서술한 바와 같이, 그 점착제층(2)의 저온하에 있어서의 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 대한 밀착성을 향상시키고 있지만, 한편, 점착제층(2)을 구성하는 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 있어서, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도를, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위로 제어하고 있으므로, 자외선(UV) 조사 후의 점착제층(2)은, 탄소-탄소 이중 결합의 3차원 가교 반응에 의해 가교 밀도가 커지고, 즉, 저장 탄성률이 크게 상승함과 함께 유리 전이 온도도 상승하고, 체적 수축도 커지므로, 다이 본드 필름(3a)에 대한 점착력을 충분히 저하시킬 수 있는 것이다. 그 결과, 후기의 픽업 공정에 있어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)의 픽업성이 양호해진다.
계속해서, 상기 서술의 익스팬드 공정에 의해 할단, 개편화된 각각의 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)을, 다이싱 테이프(10)의 자외선(UV) 조사 후의 점착제층(2)으로부터 벗겨내는 이른바 픽업을 행한다(도 5의 단계 S208: 박리(픽업) 공정).
상기 픽업의 방법으로서는, 예를 들면, 도 8의 (e)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)을 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 제 2 면을 밀어 올림 핀(니들)(60)에 의해 밀어 올림과 함께, 도 8의 (f)에 나타내는 바와 같이, 밀어 올려진 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)을, 픽업 장치(도면에 나타내지 않음)의 흡착 콜릿(50)에 의해 흡인하여 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 벗겨내는 방법 등을 들 수 있다. 이에 따라, 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)이 얻어진다.
픽업 조건으로서는, 실용상, 허용할 수 있는 범위이면 특별히 한정되지 않고, 통상은, 밀어 올림 핀(니들)(60)의 밀어 올림 속도는, 1㎜/초 이상 100㎜/초 이하의 범위 내에서 설정되는 경우가 많지만, 반도체 칩(30a)의 두께(반도체 웨이퍼의 두께)가 100㎛ 이하로 얇은 경우에는, 박막의 반도체 칩(30a)의 손상 억제의 관점에서, 1㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 5㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다.
또한, 반도체 칩(30a)이 손상되지 않고 픽업이 가능해지는 밀어 올림 핀의 밀어 올림 높이는, 예를 들면, 상기와 마찬가지의 관점에서, 100㎛ 이상 600㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 바람직하고, 반도체 박막 칩에 대한 응력 경감의 관점에서, 100㎛ 이상 450㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 100㎛ 이상 350㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 밀어 올림 높이를 보다 작게 할 수 있는 다이싱 테이프는 픽업성이 우수하다고 할 수 있다.
이상, 설명한 바와 같이, 특정의 폴리아미드 수지 함유 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머를 주성분으로 하는 기재 필름(1)과 특정의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층(2)으로 구성되는 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 다이싱 다이 본드 필름(20)의 형태로서 사용한 경우, 와이어 매립형 다이 본드 필름과 같은 유동성이 높고, 두께가 두꺼운 다이 본드 필름을 첩합하여 적용하는 경우라도, 각 공정의 가열 처리를 견디어낼 수 있는 내열성을 구비하고, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼(30)가 양호하게 할단됨과 함께, 상온 익스팬드에 의해 커프 폭을 충분히 확보할 수 있고, 할단 후의 다이 본드 필름(3a)에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터의 부분적인 박리(들뜸)가 충분히 억제되어, 할단된 개개의 다이 본드 필름(3a)을 가지는 반도체 칩(30a)을 양호하게 픽업할 수 있다.
또한, 도 8의 (a)~(f)에서 설명한 제조 방법은, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 이용한 반도체 칩(30a)의 제조 방법의 일례(SDBG)이며, 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이 본드 필름(20)의 형태로서 사용하는 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 다이싱에 있어서, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되는 것이면, 상기의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.
그 중에서도, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, DBG, 스텔스 다이싱, SDBG 등과 같은 박막 반도체 칩을 얻기 위한 제조 방법에 있어서, 와이어 매립형 다이 본드 필름과 일체화하여 다이싱 다이 본드 필름으로서 이용하기 위한 다이싱 테이프 로서 적합하다. 물론, 범용 다이 본드 필름과 일체화하여 이용하는 것도 가능하다.
<반도체 장치의 제조 방법>
본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 다이 본드 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본드 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체 칩이 탑재된 반도체 장치에 대하여, 이하, 구체적으로 설명한다.
반도체 장치(반도체 패키지)는, 예를 들면, 상기 서술의 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 구비하고 반도체 칩(30a)을 반도체 칩 탑재용 지지 부재 또는 반도체 칩에 가열 압착하여 접착시키고, 그 후, 와이어 본딩 공정과 밀봉재에 의한 밀봉 공정 등의 공정을 거침으로써 얻을 수 있다.
도 9는, 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 와이어 매립형 다이 본드 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본드 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체 칩이 탑재된 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 9에 나타내는 반도체 장치(70)는, 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)과, 경화된 다이 본드 필름(접착제층)(3a1, 3a2)과, 1단째의 반도체 칩(30a1)과, 2단째의 반도체 칩(30a2)과, 밀봉재(8)를 구비하고 있다. 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4), 경화된 다이 본드 필름(3a1) 및 반도체 칩(30a1)은, 반도체 칩(30a2)의 지지 부재(9)를 구성하고 있다.
반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)의 일방의 면에는, 외부 접속 단자(5)가 복수 배치되어 있으며, 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)의 타방의 면에는, 단자(6)가 복수 배치되어 있다. 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)은, 반도체 칩(30a1) 및 반도체 칩(30a2)의 접속 단자(도시하지 않음)와, 외부 접속 단자(5)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(7)를 가지고 있다. 반도체 칩(30a1)은, 경화된 다이 본드 필름(3a1)에 의해 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)에 외부 접속 단자(5)에 유래하는 요철을 매립하는 형태로 접착되어 있다. 반도체 칩(30a2)은, 경화된 다이 본드 필름(3a2)에 의해 반도체 칩(30a1)에 접착되어 있다. 반도체 칩(30a1), 반도체 칩(30a2) 및 와이어(7)는, 밀봉재(8)에 의해 밀봉되어 있다. 이와 같이 와이어 매립형 다이 본드 필름(3a)은, 반도체 칩(30a)을 복수 겹치는 적층 구성의 반도체 장치에 적합하게 사용된다.
또한, 도 10은, 본 실시 형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 범용 다이 본드 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본드 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체 칩이 탑재된 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 10에 나타내는 반도체 장치(80)는, 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)과, 경화된 다이 본드 필름(3a)과, 반도체 칩(30a)과, 밀봉재(8)를 구비하고 있다. 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)은, 반도체 칩(30a)의 지지 부재이며, 반도체 칩(30a)의 접속 단자(도시하지 않음)와 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)의 주면(主面)에 배치된 외부접속 단자(도시하지 않음)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(7)를 가지고 있다. 반도체 칩(30a)은, 경화된 다이 본드 필름(3a)에 의해 반도체 칩 탑재용 지지 기판(4)에 접착되어 있다. 반도체 칩(30a) 및 와이어(7)는, 밀봉재(8)에 의해 밀봉되어 있다.
[실시예]
이하의 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
1. 기재 필름(1)의 제작
기재 필름 1(a)~(s)를 제작하기 위한 재료로서 하기의 수지를 각각 준비했다.
(에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A))
·수지 (IO1)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 2-메틸-프로필=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체, Zn2+ 이온에 의한 중화도: 60mol%, 융점: 86℃, MFR: 1g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도: 0.96g/cm3
·수지 (IO2)
에틸렌/메타크릴산=85/15의 질량 비율로 이루어지는 2원 공중합체, Zn2+ 이온에 의한 중화도: 23mol%, MFR: 5g/10분(190℃/2.16kg 하중), 융점: 91℃, 밀도: 0.95g/cm3
(폴리아미드 수지 (B))
·수지 (PA1)
나일론 6, 융점: 225℃, 밀도: 1.13g/cm3
·수지 (PA2)
나일론 6-12, 융점: 215℃, 밀도: 1.06g/cm3
(기타 수지 (C))
·수지 (EMAA1)
에틸렌/메타크릴산=91/9의 질량 비율로 이루어지는 2원 공중합체, 융점: 99℃, MFR: 3g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도: 0.93g/cm3
·수지 (EMAA2)
에틸렌/메타크릴산=91/9의 질량 비율로 이루어지는 2원 공중합체, 융점: 98℃, MFR: 5g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도: 0.93g/cm3
·수지 (PP)
랜덤 공중합 폴리프로필렌, 융점 138℃
·수지 (EVA)
에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아세트산 비닐 함유량 20질량%, 융점 82℃, 밀도: 0.94g/cm3
·수지 (PVC)
염화비닐, 융점 95℃
(기재 필름 1(a))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 우선, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=95:5의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(a)용 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물을, 1종(동일 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(a)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=95:5이다.
(기재 필름 1(b))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(b)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=90:10이다.
(기재 필름 1(c))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=85:15의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(c)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=85:15이다.
(기재 필름 1(d))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=80:20의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(d)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=80:20이다.
(기재 필름 1(e))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=74:26의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(e)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=74:26이다.
(기재 필름 1(f))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=72:28의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(f)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=72:28이다.
(기재 필름 1(g))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 우선, 제 1 층, 제 3 층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=72:28의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(g)의 제 1 층, 제 3 층용의 수지 조성물을 얻었다. 또한, 제 2 층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1)을 단독으로 이용했다. 각각의 수지 조성물 및 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 2종류의 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(g)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=81:19이다.
(기재 필름 1(h))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1), 기타 수지 (C)로서 (EMAA1)을 준비했다. 우선, 제 1 층, 제 3 층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=85:15의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(h)의 제 1 층, 제 3 층용의 수지 조성물을 얻었다. 또한, 제 2 층용의 수지로서, 상기 기타 수지 (C)의 (EMAA1)을 단독으로 이용했다. 각각의 수지 조성물 및 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 2종류의 수지의 3층 구성의 두께 80㎛의 기재 필름 1(h)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/20㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=85:15이다. 또한, 층 전체에 있어서의 수지 (A)와 수지 (B)의 합계량의 함유 비율은 75질량%이다.
(기재 필름 1(i))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1), 기타 수지 (C)로서 (EMAA2)를 준비했다. 우선, 제 1 층, 제 3 층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(i)의 제 1 층, 제 3 층용의 수지 조성물을 얻었다. 또한, 제 2 층용의 수지로서, 상기 기타 수지 (C)의 (EMAA2)를 단독으로 이용했다. 각각의 수지 조성물 및 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 2종류의 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(i)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=35㎛/20㎛/35㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=90:10이다. 또한, 층 전체에 있어서의 수지 (A)와 수지 (B)의 합계량의 함유 비율은 78질량%이다.
(기재 필름 1(j))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 우선, 제 1 층, 제 2 층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(j)의 제 1 층, 제 2 층용의 수지 조성물을 얻었다. 각각의 수지 조성물을, 1종(동일 수지) 2층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 동일 수지의 2층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(j)을 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층=45㎛/45㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=90:10이다.
(기재 필름 1(k))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 우선, 제 1 층용의 수지로서, 상기 아이오노머 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(k)의 제 1 층용의 수지 조성물을 얻었다. 계속해서, 제 2 층용의 수지로서, 상기 아이오노머 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=80:20의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(k)의 제 2 층용의 수지 조성물을 얻었다. 각각의 수지 조성물을, 2종(동일 수지) 2층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 2종류의 수지의 2층 구성의 두께 100㎛의 기재 필름 1(k)을 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층=50㎛/50㎛로 했다. 층 전체로서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=90:10이다.
(기재 필름 1(l))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=70:30의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(l)용 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물을, T다이 필름 성형기를 이용하여, 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건으로 성형하여, 단층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(l)을 제작했다.
(기재 필름 1(m))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA2)를 준비했다. 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA2)를, (A):(B)=88:12의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(m)을 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=88:12이다.
(기재 필름 1(n))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO2), 폴리아미드 수지 (B)로서 (PA1)을 준비했다. 상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO2) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=92:8의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(n)을 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=92:8이다.
(기재 필름 1(o))
아이오노머로 이루어지는 수지 (A)로서 (IO1)을 준비했다. 아미드 수지 (B)=(PA1)을 드라이 블렌드하지 않은 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지(아이오노머로 이루어지는 수지 (A)만)의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(o)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다.
(기재 필름 1(p))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=97:3의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(p)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=97:3이다.
(기재 필름 1(q))
상기 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)=(IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (B)=(PA1)을, (A):(B)=70:30의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(q)와 마찬가지로 하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(q)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)의 총량과 폴리아미드 수지 (B)의 총량의 질량 비율은, (A)의 총량:(B)의 총량=70:30이다.
(기재 필름 1(r))
기타 수지 (C)로서, (PP) 및 (EVA)를 준비했다. 제 1 층 및 제 3 층용의 수지로서 (PP)를, 제 2 층용의 수지로서 (EVA)를 이용하고, 각각의 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 150℃의 조건으로 성형하여, 2종 3층 구성의 두께 80㎛의 기재 필름 1(r)을 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 층(점착제층에 접하는 면측)/제 2 층/제 3 층=8㎛/64㎛/8㎛로 했다.
(기재 필름 1(s))
기타 수지 (C)로서, (PVC)를 준비했다. 이 수지를, T다이 필름 성형기를 이용하여, 압출기에 투입하고, 가공 온도 150℃의 조건으로 성형하여, 단층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(s)를 제작했다.
[기재 필름의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력]
상기에서 제작한 기재 필름 1(a)~(s)에 대하여, -15℃의 온도 환경하에 있어서, 5% 신장하였을 때의 응력을 구했다. 시험편으로서, T다이에서의 용융 성형 시에 있어서의 압출 방향을 MD 방향, MD 방향과 수직 방향을 TD 방향으로 한 경우, (1) MD 방향으로 70㎜ 길이, TD 방향으로 10㎜ 폭의 크기로 재단한 시험편, (2) TD 방향으로 70㎜ 길이, MD 방향으로 10㎜ 폭의 크기로 재단한 시험편의 2종을 준비했다. 계속해서, 미네베아미쯔미주식회사제의 인장 압축 시험기(형식(型式): Minebea Techno Graph TG-5kN)를 이용하고, 시험편을 미네베아미쯔미주식회사제의 항온조(형식: THB-A13-038) 내에서 -15℃, 1분간 둔 후에, 척간 거리를 50㎜, 신장 속도(인장 속도)를 300㎜/분으로 하여, 시험편을 길이 방향으로 신장하고, 초기 길이(척간 거리의 50㎜)에 대하여 5% 신장하였을 때의 강도를(단위는 N) 측정했다. 얻어진 강도를, 테이프의 단면적(단위는 ㎜2)으로 나눈 수치를, -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력(단위는 MPa)이라고 했다.
[기재 필름의 내열성]
상기에서 제작한 기재 필름 1(a)~(s)에 대하여, 140℃에 있어서의 내열성을 평가했다. MD 방향으로 100㎜ 길이, TD 방향으로 30㎜ 폭의 크기로 재단한 시험편을 준비하고, 시험편의 중앙부에 있어서, MD 방향으로 길이 60㎜의 표선을 매직으로 기입했다. 각 시험편을 MD 방향이 상하가 되도록 항온조(140℃로 조정) 내에 매달고, 각 시험편의 하측에, 5g의 하중을 가해, 140℃의 환경하에서 2분간 보존한 후, 그 표선 길이 L1(㎜)을 측정하여, 가열 시험 전의 표선 길이 L0(=60㎜)에 대한 변화율을 산출했다.
변화율(%)=[(L1-L0)/L0]×100
이하의 기준에 따라, 기재 필름(1)의 내열성을 평가하고, B 이상의 평가를 내열성이 양호하다고 판단했다.
A: 변화율이 ±10%의 범위 내였다.
B: 변화율이 ±10%의 범위를 초과하고, ±14%의 범위 내였다.
C: 변화율이 ±14%의 범위를 초과하고 있었다.
2. 점착제 조성물의 용액의 조제
다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)용의 점착제 조성물로서, 하기의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)~(r)의 용액을 조제했다.
또한, 이들 점착제 조성물의 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)를 구성하는 공중합 모노머 성분으로서,
·아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA, 분자량: 184.3, Tg: -70℃),
·아크릴산 2-히드록시에틸(2-HEA, 분자량: 116.12, Tg: -15℃),
·아크릴산 부틸(BA, 분자량: 128.17, Tg: -54℃),
·메타크릴산 메틸(MMA, 분자량: 100.12, Tg: 105℃),
·메타크릴산(MAA, 분자량: 86.06, Tg: 130℃),
을 준비했다.
또한, 폴리이소시아네이트계 가교제로서, 토소주식회사제의
·TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명: 코로네이트 L-45E, 고형분 농도: 45질량%, 용액 중의 이소시아네이트기 함유량: 8.05질량%, 고형분 중의 이소시아네이트기 함유량: 17.89질량%, 계산상의 이소시아네이트기의 수: 평균 2.8개/1분자, 분자량: 656.64),
·HDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명: 코로네이트 HL, 고형분 농도: 75질량%, 용액 중의 이소시아네이트기 함유량: 12.8질량%, 고형분 중의 이소시아네이트기 함유량: 17.07질량%, 계산상의 이소시아네이트기의 수: 평균 2.6개/1분자, 분자량: 638.75),
을 준비했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산 메틸(MMA)을 준비했다. 이들의 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MMA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 용액 라디칼 중합에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃이다.
이어서, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 쇼와덴코주식회사제의 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 쇼와덴코주식회사제의 이소시아네이트기와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트(상품명: 카렌즈 MOI, 분자량: 155.15, 이소시아네이트기: 1개/1분자, 이중 결합기: 1개/1분자) 21.0질량부(135.35mmol: 2-HEA에 대하여 74.8mol%)을 배합하고, 2-HEA의 수산기의 일부와 반응시켜, 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 (A)의 용액(고형분 농도: 50질량%, 중량 평균 분자량 Mw:38만, 고형분 수산기값: 21.1mgKOH/g, 고형분 산가: 2.7mgKOH/g, 탄소-탄소 이중 결합 함유량: 1.12mmol/g)을 합성했다. 또한, 상기의 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 반응성을 유지하기 위한 중합 금지제로서 히드로퀴논·모노메틸에테르를 0.05질량부 이용했다.
계속해서, 상기에서 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 (A)의 용액 200질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, IGM Resins B.V.사제의 α-히드록시알킬페논계 광중합 개시제(상품명: Omnirad 184)를 2.0질량부, IGM Resins B.V.사제의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(상품명: Omnirad 819)를 0.4질량부, 가교제로서 토소주식회사제의 TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명: 코로네이트 L-45E, 고형분 농도: 45질량%)를 2.56질량부(고형분 환산 1.15질량부, 1.75mmol)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을 조제했다. 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)에 있어서의, 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)는 0.13, 잔존 수산기 농도는 0.32mmol/g, 탄소-탄소 이중 결합 함유량은 1.11mmol/g이었다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)~2(t)의 용액)
아크릴계 점착성 폴리머 (A)에 대하여, 각각 표 3~6에 나타낸 바와 같이 공중합 모노머 성분의 공중합 비율, 활성 에너지선 반응성 화합물의 배합량, 및 공중합 모노머 성분을 적절히 변경하여, 아크릴계 점착성 폴리머 (B)~(Q)의 용액을 각각 합성했다. 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 (B)~(Q)에 있어서의, 베이스 폴리머의 Tg, 중량 평균 분자량 Mw, 산가 및 수산기값은, 각각 표 3~6에 나타내는 바와 같다. 계속해서, 이들의 아크릴계 점착성 폴리머의 용액을 이용하여, 아크릴계 점착성 폴리머 (A)~(Q)의 고형분 환산 100질량부에 대하여, 각각 표 3~6에 나타낸 바와 같이 광중합 개시제 및 폴리이소시아네이트계 가교제를 적절히 배합하여, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)~2(t)의 용액을 조제했다. 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)~2(t)에 있어서의, 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH), 잔존 수산기 농도 및 탄소-탄소 이중 결합 함유량은, 각각 표 3~6에 나타내는 바와 같다.
3. 접착제 조성물의 용액의 조제
다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이 본드 필름(접착제층)(3)용의 접착제 조성물로서, 하기의 접착제 조성물 3(a)~3(d)의 용액을 조제했다.
(접착제 조성물 3(a)의 용액)
와이어 매립형 다이 본드 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(a)의 용액을 조제, 준비했다. 우선, 열경화성 수지로서 주식회사프린테크제의 비스 페놀형 에폭시 수지(상품명: R2710, 에폭시 당량: 170, 분자량: 340, 상온에서 액상) 26질량부, 도토카세이주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 36질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명: 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량: 175, 연화점: 77℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 4질량%) 1질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명: HE200C-10, 수산기 당량: 200, 연화점: 71℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 4질량%) 25질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명: HE910-10, 수산기 당량: 101, 연화점: 83℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 3질량%) 12질량부, 무기 필러로서 아드마텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명: SC2050-HLG, 평균 입자경: 0.50㎛) 15질량부, 아드마텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명: SC1030-HJA, 평균 입자경: 0.25㎛) 14질량부, 닛폰에어로실주식회사제의 실리카(상품명: 에어로질 R972, 평균 입자경: 0.016㎛) 1질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 더해 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 8질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 23만, Tg: -7℃) 37질량부, 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 3질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 80만, Tg: -7℃) 9질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-1160) 0.7질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-189) 0.3질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠카세이주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명: 큐아졸 2PZ-CN) 0.03질량부 더해, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=31.5질량%: 42.5질량%: 26.0질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 20.5질량%였다.
(접착제 조성물 3(b)의 용액)
와이어 매립형 다이 본드 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(b)의 용액을 조제, 준비했다. 우선, 열경화성 수지로서 도토카세이주식회사제의 비스 페놀 F형 에폭시 수지(상품명: YDF-8170C, 에폭시 당량: 159, 분자량: 310, 상온에서 액상) 21질량부, 도토카세이주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 33질량부, 가교제로서 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명: HE200C-10, 수산기 당량: 200, 연화점: 71℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 4질량%) 46질량부, 무기 필러로서 아드마텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명: SC1030-HJA, 평균 입자경: 0.25㎛) 18질량부,로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 더해 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 8질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 23만, Tg: -7℃) 16질량부, 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 3질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 80만, Tg: -7℃) 64질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-1160) 1.3질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-189) 0.6질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠카세이주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명: 큐아졸 2PZ-CN) 0.05질량부 더해, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(b)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=44.4질량%: 30.0질량%: 25.6질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 10.0질량%였다.
(접착제 조성물 3(c)의 용액)
와이어 매립형 다이 본드 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 용액 3(c)의 용액을 조제, 준비했다. 우선, 열경화성 수지로서 주식회사프린테크제의 비스 페놀형 에폭시 수지(상품명: R2710, 에폭시 당량: 170, 분자량: 340, 상온에서 액상) 11질량부, DIC주식회사제의 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(상품명: HP-7200H, 에폭시 당량 280, 연화점 83℃) 40질량부, DIC주식회사제의 비스 페놀 S형 에폭시 수지(상품명: EXA-1514, 에폭시 당량 300, 연화점 75℃) 18질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명: 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량: 175, 연화점: 77℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 4질량%) 1질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명: HE200C-10, 수산기 당량: 200, 연화점: 71℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 4질량%) 20질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명: HE910-10, 수산기 당량: 101, 연화점: 83℃, 흡수율: 1질량%, 가열 질량 감소율: 3질량%) 10질량부, 무기 필러로서 아드마텍스주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명: SC1030-HJA, 평균 입자경: 0.25㎛) 24질량부, 닛폰에어로실주식회사제의 실리카(상품명: 에어로질 R972, 평균 입자경: 0.016㎛) 0.8질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 더해 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-30B-CHN, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 8질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 23만, Tg: -7℃) 30질량부, 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 3질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 80만, Tg: -7℃) 7.5질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-1160) 0.57질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-189) 0.29질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠카세이주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸(상품명: 큐아졸 2PZ-CN) 0.023질량부 더해, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(c)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=27.3질량%:50.2질량%:22.5질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 18.0질량%였다.
(접착제 조성물 3(d)의 용액)
범용 다이 본드 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 3(d)의 용액을 조제, 준비했다. 우선, 열경화성 수지로서 도토카세이주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명: YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 54질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명: 미렉스 XLC-LL, 수산기 당량: 175, 흡수율: 1.8%) 46질량부, 무기 필러로서 닛폰에어로실주식회사제의 실리카(상품명: 에어로질 R972, 평균 입자경 0.016㎛) 32질량부,로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 더해 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세캠텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명: HTR-860P-3CSP, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량: 3질량%, 중량 평균 분자량 Mw: 80만, Tg: -7℃) 274질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-1160) 5.0질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명: NUC A-189) 1.7질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠카세이주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명: 큐아졸 2PZ-CN) 0.1질량부 더해, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(d)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=73.3질량%:14.4질량%:12.3질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 8.6질량%였다.
4. 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(20)의 제작
(실시예 1)
박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 점착제층(2)의 두께가 8㎛가 되도록, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 (a)의 용액을 도포하여 100℃의 온도에서 3분간 가열함으로써 용매를 건조시킨 후에, 점착제층(2) 상에 기재 필름 1(a)의 제 1 층측의 표면을 첩합하여, 다이싱 테이프(10)의 원단을 제작했다. 그 후, 다이싱 테이프(10)의 원단을 23℃의 온도에서 96시간 보존하여 점착제층(2)을 가교, 경화시켰다.
이어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3) 형성용의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 준비하고, 박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 50㎛가 되도록, 상기 접착제 조성물 3(a)의 용액을 도포하고, 우선 90℃의 온도에서 5분간, 계속해서 140℃의 온도에서 5분간의 2단계로 가열함으로써 용매를 건조시켜, 박리 라이너를 구비한 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 제작했다. 또한, 필요에 따라, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 건조면측에는 보호 필름(예를 들면 폴리에틸렌 필름 등)을 첩합해도 된다.
계속해서, 상기에서 제작한 박리 라이너를 구비한 다이 본드 필름(접착제층)(3)을, 박리 라이너마다 직경 335㎜의 원형으로 커팅하고, 당해 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 접착제층 노출면(박리 라이너가 없는 면)을, 박리 라이너를 박리한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면에 첩합했다. 첩합 조건은, 23℃, 10㎜/초, 선압 30kgf/cm로 했다.
마지막으로, 직경 370㎜의 원형으로 다이싱 테이프(10)를 컷팅함으로써, 직경 370㎜의 원형의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 상측 중심부에 직경 335㎜의 원형의 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a))을 제작했다.
(실시예 2~14)
기재 필름 1(a)를, 각각 표 1~3에 나타낸 기재 필름 1(b)~1(n)으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(b)~DDF(n))을 제작했다. 다만, 실시예 10 및 실시예 12에 대해서만, 점착제층(2)의 두께를, 각각 7㎛, 15㎛로 했다.
(실시예 15~27)
활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을, 각각 표 3~5에 나타낸 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)~2(n)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(o)~DDF(aa))을 제작했다.
(실시예 28)
건조 후의 점착제층(2)의 두께를 6㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(bb))을 제작했다.
(실시예 29)
건조 후의 점착제층(2)의 두께를 20㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(cc))을 제작했다.
(실시예 30)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(b)의 용액으로 변경하고, 건조 후의 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께를 30㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(dd))을 제작했다.
(실시예 31)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(c)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ee))을 제작했다.
(실시예 32)
접착제 수지 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(d)의 용액으로 변경하고, 건조 후의 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 두께를 20㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ff))을 제작했다.
(비교예 1~6)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(o)로 변경하고, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을, 각각 표 7에 나타낸 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(o)~2(t)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(gg)~DDF(ll))을 제작했다.
(비교예 7~12)
활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을, 각각 표 8에 나타낸 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(o)~2(t)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 2와 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(mm)~DDF(rr))을 제작했다.
(비교예 13)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(o)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ss))을 제작했다.
(비교예 14)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(p)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(tt))을 제작했다.
(비교예 15)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(q)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(uu)을 제작했다.
(비교예 16)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(r)로 변경한 것 이외는 모두 비교예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(vv))을 제작했다.
(비교예 17)
기재 필름 1(a)를 기재 필름 1(s)로 변경한 것 이외는 모두 비교예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ww))을 제작했다.
5. 다이싱 다이 본드 필름의 평가 방법
실시예 1~32 및 비교예 1~17에서 제작한 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ww))에 대하여, 이하에 나타내는 방법으로 각종 측정 및 평가를 행했다.
5.1 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도의 측정
접착제 조성물 3(a)~3(d)의 용액으로 형성한 각 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 대하여, 하기의 방법에 의해, 80℃에서의 전단 점도를 측정했다. 즉, 박리 라이너를 제거한 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 총 두께가 200~210㎛가 되도록 70℃에서 복수매 첩합하여 적층체를 제작했다. 이어서, 그 적층체를, 두께 방향으로 10㎜×10㎜의 크기로 구멍을 뚫어 측정 샘플로 했다. 계속해서, 동적 점탄성 장치 ARES(레오메트릭·사이언티픽·에프·이사제)를 이용하여, 직경 8㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 장착한 후, 측정 샘플을 세팅했다. 측정 샘플에 35℃에서 5%의 변형을 부여하면서, 승온 속도 5℃/분의 조건으로 측정 샘플을 승온하면서 전단 점도를 측정하여, 80℃에서의 전단 점도의 값을 구했다.
5.2 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 대한 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 UV 조사 후 점착력의 측정
각 실시예 및 비교예에서 제작한 다이싱 테이프(10)와 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 각각 준비했다. 다이싱 테이프(10)는 폭(기재 필름(1)의 TD 방향) 30㎜, 길이(기재 필름(1)의 MD 방향) 300㎜의 크기로, 또한, 다이 본드 필름(20)은 폭 30㎜, 길이 100㎜의 크기로 재단했다. 다이싱 테이프(10)의 박리 라이너를 벗긴 점착제층(2)면의 가장자리로부터 100㎜의 부분에, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 접착제층 노출면(박리 라이너가 없는 면)을, 온도 23℃, 습도 50% RH의 환경에서, 2kg 고무 롤러를 사용하여 압착하면서, 예쁘게 겹쳐 첩합했다. 이 적층체를 5℃의 환경에서 24시간 양생한 후, 온도 23℃, 습도 50% RH의 환경에서, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 박리 라이너를 벗긴 면에, 2kg 고무 롤러를 사용하여, 왕자택주식회사제의 OPP 필름 기재 편면 점착 테이프(11)(상품명: 이지컷테이프 207H, 두께 70㎛)의 점착제층측의 면을 압착하면서 첩합하여 배접을 했다. 이 적층체를, 폭이 25㎜가 되도록 신품의 커터의 칼날로 다시 재단하고, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같은 시험편으로 했다. 이어서, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상기 시험편의 OPP 필름 기재 편면 점착 테이프(11)측의 면을, 각도 자재(自在) 타입 점착·피막 박리 해석 장치(형식: VPA-2S, 교와계면과학주식회사제)용의 평판 크로스 스테이지의 중앙에, 맥셀주식회사제의 종이 양면 점착 테이프(12)(상품명: No. 5486, 두께 140㎛)를 이용하여, 2kg 고무 롤러에 의해 압착하면서 고정했다. 계속해서, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)측으로부터 메탈할라이드 램프를 이용하여, 중심 파장 365nm의 자외선(UV)을 조사한(조사 강도: 70mW/cm2, 적산 광량 150mJ/cm2) 후, 당해 시험편이 고정된 평판 크로스 스테이지를 각도 자재 타입 점착·피막 박리 해석 장치에 장착하고, 온도 23℃, 습도 50% RH의 환경에서, 도 11의 (c)(장치를 바로 위에서부터 본 개략도)에 나타내는 바와 같이, 박리 각도 30°, 박리 속도 600㎜/분의 조건으로, 다이싱 테이프(10)측을 잡아당겨(실제로는, 평판 크로스 스테이지가 이동), 다이 본드 필름(접착제층)(3)에 대한 다이싱 테이프(10)의 저각(박리 각도 30°) 점착력(단위는 N/25㎜)을 측정했다(시험편 N=3의 평균값).
5.3 다이 본드 필름(3)(접착제층)에 대한 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 -30℃에 있어서의 전단 접착력
다이싱 테이프(10)와 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 각각 준비했다. 다이싱 테이프(10)는, 기재 필름(1)측에, 배접 테이프로서 맥셀주식회사제의 PET 필름 기재 편면 점착 테이프(14)(상품명: No. 626001, 두께 55㎛)의 점착제층측의 면을, 2kg 고무 롤러를 사용하여 압착하면서 첩합한 후, 폭(기재 필름(1)의 TD 방향) 10㎜, 길이(기재 필름(1)의 MD 방향) 100㎜의 크기로 재단했다. 또한, 다이 본드 필름(20)은 폭 30㎜, 길이 100㎜의 크기로 재단했다. 또한, 다이 본드 필름(20)으로서는, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 건조면측에는 보호 필름(폴리에틸렌 필름)을 구비한 것을 사용했다. 우선, 다이 본드 필름(20)의 박리 라이너를 정성스럽게 벗긴 면을, 반도체 웨이퍼(W)(실리콘 미러 웨이퍼, 폭 40㎜, 길이 100㎜, 두께 0.725㎜)의 표면에, 2kg 고무 롤러를 사용하여 압착하면서 첩합한 후, 2매의 유리판으로 사이에 끼워, 40℃의 온도하에서 2kg의 하중을 1분간 걸쳐 압착했다. 이어서, 이 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 접착된 반도체 웨이퍼(W)의 양단면을 SUS판(15)에, 맥셀주식회사제의 PET 필름 기재 편면 점착 테이프(14)(상품명: No. 626001, 두께 55㎛)를 이용하여 확실하게 고정하고, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 보호 필름을 벗겨, 전단 접착력 시험의 피착체로 했다. 이어서, 이 피착체의 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 표면에, 다이싱 테이프(10)의 박리 라이너를 벗긴 점착제층(2)면을, 가장자리으로부터 길이 방향 10㎜ 부분이 밀착하도록, 즉, 밀착면의 크기가 10㎜×10㎜(밀착 면적: 100㎜2)가 되도록 첩합하고, 2kg 고무 롤러로 압착하여, 온도 23℃, 습도 50% RH의 환경에서 20분간 양생하여, 도 12(고정용의 PET 필름 기재 편면 점착 테이프(14)은 도시하지 않음)에 나타내는 바와 같은 시험 대상물을 얻었다. 계속해서, 미네베아미쯔미주식회사제의 인장 압축 시험기(형식: Minebea Techno Graph TG-5kN)를 이용하여, 시험 대상물을 미네베아미쯔미주식회사제의 항온조(형식: THB-A13-038) 내에서 -30℃, 1분간 둔 후에, 속도 1,000㎜/분으로 수직 방향으로 잡아 당겨, 그 때에 필요한 전단 방향의 접착력(단위는 N/100㎜2)을 측정했다(시험편 N=3의 평균값).
5.4 다이싱 다이 본드 필름(20)의 스텔스 다이싱성의 평가
5.4.1 반도체 웨이퍼 할단성 및 다이 본드 필름(접착제층) 할단성
우선, 반도체 웨이퍼(실리콘 미러 웨이퍼, 두께 750㎛, 외경 12인치)(W)를 준비하고, 일방의 면에 시판의 백그라인딩 테이프를 첩부했다. 이어서, 반도체 웨이퍼(W)의 백그라인딩 테이프를 첩부한 측과 반대면으로부터, 주식회사디스코제의 스텔스 다이싱 레이저소(장치명: DFL7361)를 사용하고, 할단 후의 반도체 칩(30a)의 크기가 4.7㎜×7.2㎜의 사이즈가 되도록, 격자 형상의 분할 예정 라인을 따라, 이하의 조건에 의해, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 소정의 깊이의 위치에 개질 영역(30b)을 형성했다.
·레이저 조사 조건
(1) 레이저 발진기 형식: 반도체 레이저 여기 Q 스위치 고체 레이저
(2) 파장: 1342nm
(3) 발진 형식: 펄스
(4) 주파수: 90kHz
(5) 출력: 1.7W
(6) 반도체 웨이퍼의 재치대의 이동 속도: 700㎜/초
이어서, 주식회사디스코제의 백그라인딩 장치(장치명: DGP8761)을 사용하여, 백그라인딩 테이프에 보지된 당해 개질 영역(30b)이 형성된 두께 750㎛의 반도체 웨이퍼(W)를 연삭, 박막화함으로써, 두께 30㎛의 반도체 웨이퍼(30)를 얻었다. 계속해서, 이하의 방법에 의해 쿨 익스팬드 공정을 실시함으로써, 스텔스 다이싱성의 지표 항목 중 하나인 반도체 웨이퍼 할단성 및 접착제층 할단성을 평가했다. 구체적으로는, 상기 방법에 의해 얻어진 개질 영역(30b)이 형성된 두께 30㎛의 반도체 웨이퍼(30)의 백그라인딩 테이프가 첩부된 측과는 반대면에, 각 실시예 및 비교예에서 제작한 다이싱 다이 본드 필름(20)으로부터 박리 라이너를 박리함으로써 노출시킨 접착제층(3)이 밀착하도록, 주식회사디스코제의 라미네이트 장치(장치명: DFM2800)를 사용하여, 당해 반도체 웨이퍼(30)에 대하여 다이싱 다이 본드 필름(20)을 라미네이트 온도 70℃, 라미네이트 속도 10㎜/초의 조건으로 첩합함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 가장자리부의 점착제층(2) 노출부에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부한 후, 백그라인딩 테이프를 박리했다. 또한, 여기서, 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 그 기재 필름(1)의 MD 방향과 반도체 웨이퍼(30)의 격자 형상의 분할 예정 라인의 세로 라인 방향(기재 필름(1)의 TD 방향과 반도체 웨이퍼(30)의 격자 형상의 분할 예정 라인의 가로 라인 방향)이 일치하도록, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되어 있다.
상기 링 프레임(웨이퍼 링)(40)에 보지된 개질 영역(30b) 형성 후의 반도체 웨이퍼(30)를 포함하는 적층체(반도체 웨이퍼(30)/접착제층(3)/점착제층(2)/기재 필름(1))를 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명: DDS2300 Fully Automatic Die Separator)에 고정했다. 이어서, 이하의 조건에서, 반도체 웨이퍼(30)를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10)(점착제층(2)/기재 필름(1))를 쿨 익스팬드함으로써, 반도체 웨이퍼(30) 및 접착제층(3)을 할단했다. 이에 따라, 다이 본드 필름(접착제층)(3)을 가지는 반도체 칩(30a)을 얻었다. 또한, 본 실시예에서는, 하기의 조건으로 쿨 익스팬드 공정을 실시했지만, 기재 필름(1)의 물성 및 온도 조건 등에 의해 익스팬드 조건(「익스팬드 속도」 및 「익스팬드량」 등)을 적절히 조정한 후에 쿨 익스팬드 공정을 실시하면 된다.
·쿨 익스팬드 공정의 조건
온도: -15℃, 냉각 시간: 80초,
익스팬드 속도: 300㎜/초,
익스팬드량: 11㎜,
(4) 대기 시간: 0초
쿨 익스팬드 후의 반도체 웨이퍼(30) 및 접착제층(3)에 대하여, 반도체 웨이퍼(30)의 표면측으로부터, 주식회사 기엔스제의 광학 현미경(형식: VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰함으로써, 할단 예정의 변 중, 할단되어 있지 않은 변의 수를 계측했다. 그리고, 반도체 웨이퍼(30)와 접착제층(3)의 각각에 대하여, 할단 예정의 변의 총수와 미할단의 변의 총수로부터, 할단 예정의 변의 총수에서 차지하는, 할단된 변의 수의 비율을, 할단율(%)로서 산출했다. 상기 광학 현미경에 의한 관찰 개소는, 반도체 웨이퍼(30)의 전체 면에 대하여 행했다. 이하의 기준에 따라, 반도체 웨이퍼(30)와 접착제층(3)의 각각에 대하여 할단성을 평가하고, B 이상의 평가를 할단성이 양호하다고 판단했다.
A: 할단율이 95% 이상 100% 이하였다.
B: 할단율이 90% 이상 95% 미만이었다.
C: 할단율이 90% 미만이었다.
5.4.2 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터의 박리(들뜸)
상기 쿨 익스팬드 상태를 해제한 후, 재차, 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명: DDS2300 Fully Automatic Die Separator)를 이용하여, 그 히트 익스팬더 유닛에 의해, 이하의 조건으로, 상온 익스팬드 공정을 실시했다.
·상온 익스팬드 공정의 조건
온도: 23℃,
익스팬드 속도: 30㎜/초,
익스팬드량: 9㎜,
(4) 대기 시간: 15초
이어서, 익스팬드 상태를 유지한 채, 다이싱 테이프(10)를 흡착 테이블에서 흡착시켜, 흡착 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태로 흡착 테이블을 워크와 함께 하강시켰다. 그리고, 이하의 조건으로, 히트 슈링크 공정을 실시하여, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 가열 수축(히트 슈링크)시켰다.
·히트 슈링크 공정의 조건
열풍 온도: 200℃,
풍량: 40L/min,
열풍 분출구와 다이싱 테이프(10)와의 거리: 20㎜,
스테이지의 회전 속도: 7°/초
계속해서, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 다이싱 테이프(10)를 해방한 후, 할단된 개개의 반도체 칩의 사방 주변에 있어서, 다이 본드 필름(접착제층)(3)이 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리되어 있는 상태를, 반도체 웨이퍼(30)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식: VHX-1000)을 이용하여, 배율 50배로 관찰했다. 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 박리의 상태는, 어느 위치의 반도체 칩(30a)에 있어서도 대략 마찬가지의 상태로 관찰되었기 때문에, 당해 평가에 있어서의 다이 본드 필름을 가지는 반도체 칩의 관찰수는 반도체 웨이퍼(30)의 중앙부에 위치하는 소정의 20개로 하여, 그 평균적인 박리 상태를 관찰했다. 이하의 기준에 따라, 익스팬드하였을 때의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터의 박리(들뜸)의 레벨을 평가하고, B 이상의 평가를 양호하다고 판단했다.
A: 다이 본드 필름의 점착제층으로부터의 박리는 관찰되지 않았다.
B: 다이 본드 필름의 점착제층으로부터의 박리가 반도체 칩의 사방 주변에 있어서 약간 관찰되었지만, 박리가 관찰된 부분의 면적의 비율은 반도체 칩의 전체 면적에 대하여 20% 미만이었다.
C: 다이 본드 필름의 점착제층으로부터의 박리가 반도체 칩의 사방 주변에 있어서 명확하게 관찰되고, 박리가 관찰된 부분의 면적의 비율은 반도체 칩의 전체 면적에 대하여 20% 이상이었다.
5.4.3 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 확장성(커프 폭)
상기 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터의 박리(들뜸)의 레벨을 평가하기 위해, 상온 익스팬드 공정에 있어서, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 다이싱 테이프(10)를 해방하였을 때에, 동시에, 그 상태에서의 이웃하는 반도체 칩(30a)간의 거리(커프 폭)를, 반도체 웨이퍼(30)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식: VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰, 측정함으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 확장성에 대하여 평가했다.
구체적으로는, 도 11에 나타내는 반도체 웨이퍼(30)의 중심부(31)에 있어서의 인접하는 4개의 반도체 칩(30a)으로 형성되는 1개의 할단 십자 라인부의 4개소(기재 필름(1)의 MD 방향: 커프 MD1과 커프 MD2의 2개소, 기재 필름(1)의 TD 방향: 커프 TD1과 커프 TD2의 2개소, 도 12 참조), 좌측부(32)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체 칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향: 커프 MD3~커프 MD5의 3개소, TD 방향: 커프 TD3~커프 TD6의 4개소, 도시하지 않음), 우측부(33)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체 칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향: 커프 MD6~커프 MD8의 3개소, TD 방향: 커프 TD7~커프 TD10의 4개소, 도시하지 않음), 상부(34)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체 칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향: 커프 MD9~커프 MD12의 4개소, TD 방향: 커프 TD11~커프 TD13의 3개소, 도시하지 않음), 및 하부(35)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체 칩(30a)으로 형성되는 두개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향: 커프 MD13~커프 MD16의 4개소, TD 방향: 커프 TD14~커프 TD16의 3개소, 도시하지 않음)의 합계 32개소(MD 방향에 있어서 16개소, TD 방향에 있어서 16개소)에 대하여, 이웃하는 반도체 칩(30a)간의 이간 거리를 측정하고, MD 방향 16개소의 평균값을 MD 방향 커프 폭, TD 방향 16개소의 평균값을 TD 방향 커프 폭으로서 각각 산출했다. 이하의 기준에 따라, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 확장성을 평가하고, B 이상의 평가를 확장성이 양호하다고 판단했다.
A: MD 방향 커프 폭, TD 방향 커프 폭 중 어느 값도 30㎛ 이상이었다.
B: MD 방향 커프 폭의 값이 30㎛ 이상, TD 방향 커프 폭의 값이 25㎛ 이상 30㎛ 미만이었다.
C: MD 방향 커프 폭, TD 방향 커프 폭 중 어느 값이 25㎛ 미만이었다.
5.5 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 픽업성의 평가
상기 익스팬드 공정에 의해 할단, 개편화된 다이 본드 필름(접착제층)(3a)을 가지고 있는 반도체 칩(30a)을 보지하고 있는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)측으로부터, 조사 강도 70mW/cm2로 적산 광량이 150mJ/cm2가 되도록 중심 파장 365nm의 자외선(UV)을 조사하여 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 픽업성의 평가 시료로 했다.
계속해서, 파스포드테크놀로지주식회사제(구주식회사히타치하이테크놀러지즈제)의 픽업 기구를 가지는 장치(장치명: 다이 본더 DB-830P)를 이용하여, 픽업 시험을 행했다. 픽업용 콜릿의 사이즈는 4.5×7.1㎜, 밀어 올림 핀의 핀 개수는 12개로 하고, 픽업의 조건에 대해서는, 밀어 올림 핀의 밀어 올림 속도를 10㎜/초, 밀어 올림 핀의 밀어 올림 높이를 200㎛로 했다. 픽업의 트라이의 샘플수를 소정의 위치의 50개(칩)로 하고, 이하의 기준에 따라, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 픽업성을 평가하여, B 이상의 평가를 픽업성이 양호하다고 판단했다.
A: 50칩을 연속적으로 픽업하고, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 48개 이상 50개 이하였다.
B: 50칩을 연속적으로 픽업하고, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 45개 이상 48개 미만이었다.
C: 50칩을 연속적으로 픽업하고, 칩 균열 또는 픽업 미스가 발생하지 않은 개수(픽업 성공 개수)가 45개 미만이었다.
6. 평가 결과
실시예 1~32 및 비교예 1~17에서 제작한 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ww))에 대한 각 평가 결과에 대하여, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(20)의 구성 및 사용한 기재 필름(1)의 구성 등과 맞춰 표 1~9에 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
표 1~6에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키는 기재 필름 1(a)~(n), 및 점착제 조성물 2(a)~2(n)을 함유하는 점착제층(2)을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 실시예 1~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ff))에 대해서는, 반도체 장치의 제조 공정에 제공한 경우, 스텔스 다이싱성 및 픽업성 중 어느 평가에 있어서도 바람직한 결과가 얻어지는 것이 확인되었다. 또한, 내열성의 평가도 양호했다.
실시예를 상세하게 비교한 경우, 실시예 2~4, 실시예 7, 8, 실시예 10~14, 실시예 20, 22, 23 및 실시예 30~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 스텔스 다이싱성 및 픽업성의 평가에 있어서 하이레벨로 양립 가능하며, 특히 우수한 것을 알았다. 내열성에 대해서는, 실시예 3~6의 다이싱 다이 본드 필름(20)의 평가 결과로부터 명백한 바와 같이, 기재 필름(1)에 있어서의 폴리아미드 수지 (B)의 함유 비율이 커지면 보다 양호해지는 것을 알았다.
실시예 1 및 실시예 9의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 기재 필름(1)의 TD 방향의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, 각각 15.8MPa, 16.0MPa로 약간 작기 때문에, 다이 본드 필름(3)의 할단성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 다이싱 테이프(10)의 확장성도 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 실시예 16의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가 0.02로 범위의 하한값이기 때문에, 점착제층(2)의 응집력이 약간 작아져, 다이 본드 필름(3)의 할단성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, UV 조사 후의 저각 점착력이 약간 커, 픽업성도 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 26의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서도 마찬가지로, 점착제 조성물에 있어서의 당량비(NCO/OH)가 약간 작기 때문에, 점착제층(2)의 응집력이 약간 작아져, 다이 본드 필름(3)의 할단성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 점착제 조성물의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 0.85mmol/g으로 범위의 하한값이기 때문에, UV 조사 후의 저각 점착력이 약간 크고, 또한, 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량 Mw의 영향도 합쳐져, 다이 본드 필름(3)의 들뜸도 약간 보이며, 픽업성도 약간 뒤떨어지고 있었다.
또한, 실시예 5 및 실시예 6의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 기재 필름(1) 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가, 각각 74:26, 72:28과 폴리아미드 수지 (B)의 함유 비율이 약간 크기 때문에, 기재 필름(1)의 강성의 영향에 의해 UV 조사 후의 저각 점착력이 약간 커, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 실시예 17의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 0.90mmol/g으로 범위의 상한값이기 때문에, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 커, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 18의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 0.85mmol/g으로 범위의 하한값이기 때문에, UV 조사 후의 저각 점착력이 약간 커, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 21의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 아크릴계 점착성 폴리머의 주쇄의 유리 전이 온도가 약간 높은 한편, 아크릴계 점착성 폴리머의 공중합 성분인 아크릴산 부틸(BA)이 다이 본드 필름(3)과의 상호 작용이 강하기 때문이라고 추찰되지만, 다이 본드 필름(3)의 들뜸은 보이지 않지만, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 크고, UV 조사 후의 저각 점착력도 약간 커, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다.
또한, 실시예 15 및 실시예 19의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가 0.20으로 범위의 상한값이기 때문에, 점착제층(2)이 약간 단단해지며, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보였다. 그 영향에 의해 실시예 15의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 19의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보였지만, 점착제 조성물의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 1.51mmol/g으로 크기 때문에, 픽업성은, 간신히 A레벨(픽업 성공 개수 48개)를 확보했다. 또한, 추가로 실시예 24의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 0.18mmol/g으로 범위의 하한값이기 때문에, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보이며, 그 영향에 의해 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 25의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량 Mw가 약간 크기 때문에, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보이며, 그 영향에 의해 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 27의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 아크릴계 점착성 폴리머의 베이스 폴리머의 유리 전이 온도가 약간 높기 때문에, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보이며, 그 영향에 의해 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 28의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제층(2)의 두께가 약간 얇기 때문에, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 약간 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 약간 보이고, 그 영향에 의해 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 실시예 29의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제층(2)의 두께가 약간 두껍기 때문에, 다이싱 테이프(10)의 확장성이 약간 뒤떨어지며, UV 조사 후의 저각 점착력도 약간 크고, 그 영향에 의해 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다.
이에 대하여, 표 7에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 기재 필름 1(o), 및 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 점착제 조성물 2(o)~2(t)를 함유한 점착제층(2)을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 비교예 1~6의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(gg)~DDF(ll))에 대해서는, 모두 내열성이 불충분해져, 스텔스 다이싱성 4항목 중 어느 평가, 및 픽업성의 평가에 있어서, 실시예 1~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ff))보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다. 마찬가지로, 표 9에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 기재 필름 1(r), 1(s), 및 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 점착제 조성물 2(o)를 함유한 점착제층(2)을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 비교예 16, 17의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(vv), DDF(ww))에 대해서도, 내열성이 불충분하며, 스텔스 다이싱성 4항목 중 어느 평가, 및 픽업성의 평가에 있어서, 실시예 1~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ff))보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.
또한, 표 8에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키는 기재 필름 1(b)을 사용하고 있지만, 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 점착제 조성물 2(o)~(t)를 함유한 점착제층(2)을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 비교예 7~12의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(mm)~DDF(rr))에 대해서는, 내열성, 반도체 웨이퍼(30)의 할단성, 다이 본드 필름(3)의 할단성, 및 다이싱 테이프(10)의 확장성은 양호했지만, 스텔스 다이싱성 4항목 중 어느 평가, 및 픽업성의 평가에 있어서, 실시예 1~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ff))보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.
또한, 표 9에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족시키는 점착제 조성물 2(a)를 함유한 점착제층(2)을 사용하고 있지만, 본 발명의 요건을 충족시키지 않는 기재 필름 1(o)~(q)를 함유한 점착제층을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 비교예 13~15의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ss)~DDF(uu))에 대해서는, 내열성의 평가 및 스텔스 다이싱성 4항목 중 어느 평가, 및 픽업성의 평가에 있어서, 실시예 1~32의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(a)~DDF(ff))보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.
구체적으로는, 폴리아미드 수지 (B)를 포함하지 않고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)만으로 구성된 기재 필름 1(o)를 사용한 비교예 1~6 및 비교예 13의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 모두 내열성이 불충분하며, 또한 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 TD 방향의 5% 신장 시의 응력이, 12.5MPa로 작고, 범위의 하한값인 15.5MPa을 하회하기 때문에, 다이 본드 필름(3)의 할단성 및 다이싱 테이프(10)의 확장성이 대폭으로 뒤떨어지고 있어, 픽업성의 악화에 주는 영향이 큰 것을 알았다. 또한, 비교예 1 및 비교예 4의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 당량비(NCO/OH)가, 각각 0.47, 0.33으로 범위의 상한값인 0.20을 초과하고 있기 때문에, 점착제층(2)이 단단해지며, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 보이며, 그 영향에 의해 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 한편, 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 당량비(NCO/OH)가, 0.01로 범위의 하한값인 0.02을 하회하기 때문에, 점착제층(2)의 응집력이 작아지며, UV 조사 후의 저각 점착력이 커, 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 비교예 2의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 1.21mmol/g으로 범위의 상한값을 초과하기 때문에, 게다가, 점착제 조성물의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 0.80mmol/g으로 범위의 하한값을 하회하기 때문에, UV 조사 후의 저각 점착력이 커져, 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 비교예 5의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 0.95mmol/g으로 범위의 상한값을 초과하기 때문에, 점착제 조성물의 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 0.58mmol/g으로 범위의 하한값을 대폭으로 하회하기 때문에, 게다가, 점착제 조성물의 아크릴계 점착성 폴리머의 산가가 큰 영향도 합쳐져, UV 조사 후의 저각 점착력이 커져, 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 비교예 6의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 점착제 조성물에 있어서의 아크릴계 점착성 폴리머의 주쇄의 유리 전이 온도가 40℃로 범위의 상한값을 초과하기 때문에, 점착제층(2)이 단단해지며, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 보이며, 그 영향에 의해 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다.
또한, 비교예 1~6과 각각 동일한 점착제 조성물을 포함하는 점착제층(2)을 구비한 비교예 7~12의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서도, 다이 본드 필름(3)의 들뜸 및 픽업성의 평가 결과는 상기와 동등했다.
또한, 기재 필름(1)이 폴리아미드 수지 (B)를 포함하지 않고, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)만으로 구성된, 본 발명의 범위 외인 비교예 13, 및 기재 필름(1) 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가 97:3으로 폴리아미드 수지 (B)의 함유 비율이 작고, 본 발명의 범위외인 비교예 14의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 내열성이 불충분하며, 또한 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 TD 방향의 5% 신장 시의 응력이, 각각 12.5MPa, 15.0MPa로 작아, 범위의 하한값인 15.5MPa에 충족되지 않기 때문에, 다이 본드 필름(3)의 할단성 및 다이싱 테이프(10)의 확장성이 불충분해지고, 그 결과, 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 기재 필름(1) 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A)와 폴리아미드 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가 70:30으로 폴리아미드 수지 (B)의 함유 비율이 크고, 본 발명의 범위 외인 비교예 15의 다이싱 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 내열성은 양호했지만, 기재 필름(1)의 강성의 영향에 의해, UV 조사 후의 저각 점착력이 커져, 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다.
또한, 종래의 다이싱 다이 본드 필름으로서 예시한 비교예 16의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(vv))에 대해서는, PP/EVA/PP의 3층 구성의 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, MD 방향에 있어서 10.8MPa, TD 방향에 있어서 10.3MPa로 매우 작아, 범위의 하한값인 15.5MPa에 충족되지 않기 때문에, 다이 본드 필름(3)의 할단성 및 다이싱 테이프(10)의 확장성이 불충분해지고, 또한, 점착제 조성물에 있어서의 당량비(NCO/OH)가, 0.47로 범위의 상한값인 0.20을 초과하고 있기 때문에, 점착제층(2)이 단단해지며, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 보이며, 그들의 영향에 의해 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다. 또한, 추가로 종래의 다이싱 다이 본드 필름으로서 예시한 비교예 16의 다이싱 다이 본드 필름(20)(DDF(ww))에 대해서는, PVC 단층 구성의 기재 필름(1)의 -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, MD 방향에 있어서 45.6MPa, TD 방향에 있어서 42.8MPa로 매우 커, 범위의 상한값인 28.5MPa를 초과하고 있기 때문에, 다이싱 테이프(10)의 확장성이 불충분해지고, 게다가, 점착제 조성물에 있어서의 당량비(NCO/OH)가, 0.47로 범위의 상한값인 0.20을 초과하고 있기 때문에, 점착제층(2)이 단단해지며, -30℃에 있어서의 다이 본드 필름(3)에 대한 UV 조사 전 점착제층(2)의 전단 접착력이 작고, 다이 본드 필름(3)의 들뜸이 보이며, 그들의 영향에 의해 픽업성이 대폭으로 뒤떨어지고 있었다.
1…기재 필름,
2…점착제층,
3, 3a1, 3a2…다이 본드 필름(접착제층, 접착 필름),
4…반도체 칩 탑재용 지지 기판,
5…외부 접속 단자,
6…단자,
7…와이어,
8…밀봉재,
9…지지 부재,
10…다이싱 테이프,
11…OPP 필름 기재 편면 점착 테이프(배접 테이프),
12…종이 양면 점착 테이프(고정 테이프),
13…평판 크로스 스테이지,
14…PET 필름 기재 편면 점착 테이프(배접 테이프, 고정 테이프),
15…SUS판,
20…다이싱 다이 본드 필름,
W, 30…반도체 웨이퍼,
30a, 30a1, 30a2…반도체 칩,
30b…개질 영역,
31…반도체 웨이퍼 중심부
32…반도체 웨이퍼 좌측부
33…반도체 웨이퍼 우측부
34…반도체 웨이퍼 상부
35…반도체 웨이퍼 하부
40…링 프레임(웨이퍼 링),
41…보지구,
50…흡착 콜릿,
60…밀어 올림 핀(니들)
70, 80…반도체 장치

Claims (9)

  1. 기재 필름과, 당해 기재 필름 상에, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층을 구비한 다이싱 테이프로서,
    (1) 상기 기재 필름은, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 수지 (A), 및 폴리아미드 수지 (B)를 포함하고,
    당해 기재 필름 전체에 있어서의 상기 수지 (A)와 상기 수지 (B)와의 질량 비율 (A):(B)가, 72:28~95:5의 범위인 수지 조성물로 구성되며,
    -15℃에 있어서의 5% 신장 시의 응력이, 기재 필름을 MD 방향(기재 필름의 제막 시에 있어서의 흐름 방향) 및 TD 방향(MD 방향에 대하여 수직인 방향) 중 어느 방향으로 신장한 경우에 있어서도, 15.5MPa 이상 28.5MPa 이하의 범위이고,
    (2) 상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물은, 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 및 수산기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 상기 수산기와 가교 반응하는 폴리이소시아네이트계 가교제를 포함하고,
    상기 아크릴계 점착성 폴리머는, 주쇄의 유리 전이 온도(Tg)가 -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위이며, 수산기값이 12.0mgKOH/g 이상 55.0mgKOH/g 이하의 범위이고,
    상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물에 있어서,
    상기 폴리이소시아네이트계 가교제가 가지는 이소시아네이트기(NCO)와 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 수산기(OH)와의 당량비(NCO/OH)가 0.02 이상 0.20 이하의 범위이며,
    가교 반응 후의 잔존 수산기 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.18mmol 이상 0.90mmol 이하의 범위이고,
    활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 0.85mmol 이상 1.60mmol 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합 농도가, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물 1g당 1.02mmol 이상 1.51mmol 이하의 범위인 다이싱 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량 Mw는 20만 이상 60만 이하의 범위인 다이싱 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 아크릴계 점착성 폴리머의 산가는, 0mgKOH/g 이상 9.0mgKOH/g 이하의 범위인 다이싱 테이프.
  5. 제 1 항에 기재된 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본드 필름이 박리 가능하게 마련된 다이싱 다이 본드 필름.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름에 대한 상기 다이싱 테이프의 점착제층의 23℃에 있어서의 자외선 조사 후 저각 점착력(박리 각도 30°, 박리 속도 600㎜/분)은, 0.95N/25㎜ 이하이며, 상기 다이 본드 필름에 대한 상기 다이싱 테이프의 점착제층의 -30℃에 있어서의 자외선 조사 전 전단 접착력(인장 속도 1,000㎜/분)은, 100.0N/100㎜2 이상인 다이싱 다이 본드 필름.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름은, 수지 성분으로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 포함하는 다이싱 다이 본드 필름.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름은, 와이어 매립형 다이 본드 필름인 다이싱 다이 본드 필름.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 와이어 매립형 다이 본드 필름은, 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위로, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하며, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지와의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는 다이싱 다이 본드 필름.
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