[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20220006949A - A substrate processing apparatus including a heating portion - Google Patents

A substrate processing apparatus including a heating portion Download PDF

Info

Publication number
KR20220006949A
KR20220006949A KR1020200084976A KR20200084976A KR20220006949A KR 20220006949 A KR20220006949 A KR 20220006949A KR 1020200084976 A KR1020200084976 A KR 1020200084976A KR 20200084976 A KR20200084976 A KR 20200084976A KR 20220006949 A KR20220006949 A KR 20220006949A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
rotor
disk
heater
Prior art date
Application number
KR1020200084976A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102406319B1 (en
Inventor
황재순
최재욱
서동원
이백주
강동석
Original Assignee
주식회사 한화
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 한화 filed Critical 주식회사 한화
Priority to KR1020200084976A priority Critical patent/KR102406319B1/en
Publication of KR20220006949A publication Critical patent/KR20220006949A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102406319B1 publication Critical patent/KR102406319B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A substrate processing device of the present invention comprises: a chuck unit which is installed in a chamber and on which at least one substrate is seated; and a thermal management unit provided in the chuck unit and managing a temperature of the chuck unit. Since the thermal management of the chuck unit can be managed per center and edge of the substrate, thin film properties can be controlled.

Description

열 관리부를 구비한 기판 처리 장치{A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING A HEATING PORTION}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING A HEATING PORTION

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

기판에 박막을 증착하거나, 식각하거나 세정하는 장치를 기판 처리 장치로 부르기로 한다. An apparatus for depositing, etching, or cleaning a thin film on a substrate is referred to as a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치는 기판을 안착하는 척 유니트를 구비할 수 있다.The substrate processing apparatus may include a chuck unit for mounting the substrate.

한편, PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)나 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정으로 기판에 원자층 단위의 박막 형성이나 식각을 하는 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 자전시키는 로터 및 기판을 공전시키는 디스크가 설치된 척 유니트를 구비할 수 있다. On the other hand, in a substrate processing apparatus that forms or etches an atomic layer thin film on a substrate by a PEALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition) process, a rotor that rotates a plurality of substrates and a disk that rotates the substrate An installed chuck unit may be provided.

이때, 수율 향상을 위하여 척 유니트의 열 관리부가 필요할 수 있다.In this case, a thermal management unit of the chuck unit may be required to improve the yield.

본 발명은 척 유니트의 온도를 관리하는 열 관리부를 구비한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.The present invention may provide a substrate processing apparatus having a thermal management unit for managing a temperature of a chuck unit.

본 발명의 기판 처리 장치는, 챔버 내에 설치되고, 적어도 하나의 기판이 안착되는 척 유니트; 상기 척 유니트에 마련되며 상기 척 유니트의 온도를 관리하는 열 관리부; 를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus of the present invention includes: a chuck unit installed in a chamber and on which at least one substrate is mounted; a thermal management unit provided in the chuck unit and managing a temperature of the chuck unit; may include

상기 열 관리부는 상기 기판의 가장 자리인 에지에 배치되는 중공의 포커스 링과, 상기 포커스 링에 설치되는 링 히터부를 포함할 수 있다.The thermal management unit may include a hollow focus ring disposed on an edge, which is an edge of the substrate, and a ring heater unit installed on the focus ring.

본 발명에 따르면, 척 유니트의 온도를 정밀하게 제어할 수 있으며, 기판의 에지 및 사이드면의 온도를 정확하게 제어할 수 있으므로 기판의 센터 및 에지 각각에 대한 박막 균일도를 온도에 의하여 제어할 수 있다.According to the present invention, the temperature of the chuck unit can be precisely controlled, and the temperature of the edge and the side surface of the substrate can be precisely controlled, so that the uniformity of the thin film for each of the center and the edge of the substrate can be controlled by the temperature.

척 유니트의 열 관리를 기판의 센터 및 에지 별로 관리할 수 있으므로 박막 특성이 제어될 수 있다. 열 관리부가 마련되면, 플라즈마 및 가스의 특성 제어도 간접적으로 달성할 수 있다.Since the thermal management of the chuck unit can be managed by the center and edge of the substrate, the thin film properties can be controlled. If the thermal management unit is provided, it is also possible to achieve indirect control of the properties of plasma and gas.

열 관리부에 의해 단일 기판의 처리 균일도가 개선되고, 디스크 회전부에 의해 복수 기판 간의 처리 균일도가 개선되므로, 전체 수율이 획기적으로 개선될 수 있다. Since the processing uniformity of a single substrate is improved by the thermal management unit and processing uniformity between a plurality of substrates is improved by the disk rotating unit, the overall yield can be remarkably improved.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 디스크의 밑면을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 디스크의 밑면을 나타낸 다른 개략도이다.
도 4는 본 발명의 디스크의 윗면을 나타낸 개략도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 척 유니트 및 열 관리부의 다양한 실시예를 도시한 측단면도이다.1 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus of the present invention.
2 is a schematic view showing the underside of the disk of the present invention.
3 is another schematic view showing the underside of the disk of the present invention.
4 is a schematic view showing the upper surface of the disk of the present invention.
5 to 7 are side cross-sectional views illustrating various embodiments of a chuck unit and a thermal management unit according to the present invention.

도 1에 도시된 기판 처리 장치는 로터(150) 및 복수의 로터(150)가 회전 가능하게 장착되는 디스크(130)를 포함할 수 있다. 디스크(130)는 원형이 될 수 있다. 복수의 로터(150)는 디스크(130)의 중심인 디스크 회전축(140)을 기준으로 등각도로 설치될 수 있다.The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 may include a rotor 150 and a disk 130 on which the plurality of rotors 150 are rotatably mounted. The disk 130 may be circular. The plurality of rotors 150 may be installed at an equal angle with respect to the disk rotation shaft 140 , which is the center of the disk 130 .

로터(150)를 자전시키는 로터 회전부가 마련될 수 있다. 디스크(130)를 자전시키는 디스크 회전부가 마련될 수 있다. 디스크 회전부는 디스크(130)의 중심인 디스크 회전축(140)을 기준으로 로터(150)를 공전시킬 수 있다.A rotor rotating unit for rotating the rotor 150 may be provided. A disk rotating unit for rotating the disk 130 may be provided. The disk rotating unit may orbit the rotor 150 with respect to the disk rotation shaft 140 that is the center of the disk 130 .

본 발명의 기판 처리 장치에는 챔버(110), 챔버(110)의 내부에 설치되어 적어도 하나의 기판(10)을 지지하는 디스크(130)가 마련될 수 있다. 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(Chamber Lid; 미도시)가 마련될 수 있다. 챔버 리드(미도시)에 설치되며, 소스 가스(Source Gas)(SG), 반응 가스(ReactantGas)(RG) 및 퍼지 가스(Purge Gas)(PG) 중 적어도 하나를 디스크(130) 상의 각기 다른 영역에 분사하는 가스 분사부(미도시)가 마련될 수 있다. In the substrate processing apparatus of the present invention, a chamber 110 and a disk 130 installed inside the chamber 110 to support at least one substrate 10 may be provided. A chamber lid (not shown) covering the upper portion of the chamber 110 may be provided. It is installed in the chamber lid (not shown), and at least one of a source gas (SG), a reactant gas (RG), and a purge gas (PG) is transferred to a different area on the disk 130 . A gas injection unit (not shown) for spraying the .

챔버(110)는 ALD(원자층 증착, Atomic Layer Deposition) 공정으로 기판을 처리하는 반응 공간을 제공할 수 있다.The chamber 110 may provide a reaction space for processing a substrate through an atomic layer deposition (ALD) process.

본 발명의 일 실시예로서, 시 분할 방식으로 ALD 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 있을 수 있다. 시 분할 방식의 경우, 기판(10)이 수용되는 챔버(110) 내부를 한 종류의 가스, 예를 들면 소스 가스만으로 채우고 소스 가스 공정을 수행한 다음, 소스 가스를 빼내고 챔버(110) 내부를 퍼지 가스로 채워 퍼지 가스 공정을 수행하며, 다시 퍼지 가스를 빼내고 챔버(110) 내부를 반응 가스로 채워 반응 가스 공정을 순차적으로 수행할 수 있다.As an embodiment of the present invention, there may be a substrate processing apparatus that performs an ALD process in a time division method. In the case of the time division method, the inside of the chamber 110 in which the substrate 10 is accommodated is filled with only one type of gas, for example, a source gas, a source gas process is performed, and then the source gas is removed and the inside of the chamber 110 is purged. The purge gas process may be performed by filling it with a gas, and the purge gas may be taken out again and the reaction gas process may be sequentially performed by filling the chamber 110 with the reaction gas.

본 발명의 일 실시예로서, 공간 분할 방식으로 ALD 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 있을 수 있다. As an embodiment of the present invention, there may be a substrate processing apparatus that performs an ALD process in a space division method.

도 4를 참조하면, 공간 분할 방식의 챔버(110) 내부에서, 소스 가스는 소스 가스 영역(310)에 대면되는 기판(10)에 분사되고, 퍼지 가스는 퍼지 가스 영역(320)에 대면되는 기판(10)에 분사되며, 반응 가스는 반응 가스 영역(330)에 대면되는 기판(10)에 분사될 수 있다. 특정의 한 기판(10)은 디스크(130)의 회전에 따라, 소스 가스 영역(310), 퍼지 가스 영역(320), 반응 가스 영역(330)을 차례로 거치면서 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정에 의한 단층 또는 복층의 박막이 증착될 수 있다. 디스크(130)의 회전에 의하여 특정 기판(10)이 해당 영역에 대면되도록 한 상태에서 플라즈마를 가할 수 있다. 시분할 또는 공간 분할 방식으로, 여러 장의 기판(10)에 대하여 각기 다른 ALD 가스 공정이 수행되도록 할 수 있다.Referring to FIG. 4 , in the space division type chamber 110 , the source gas is injected to the substrate 10 facing the source gas region 310 , and the purge gas is the substrate facing the purge gas region 320 . The reaction gas may be sprayed onto the substrate 10 facing the reaction gas region 330 . One specific substrate 10 passes through the source gas region 310 , the purge gas region 320 , and the reaction gas region 330 in sequence according to the rotation of the disk 130 , and is formed by an Atomic Layer Deposition (ALD) process. A single-layer or multi-layer thin film may be deposited. Plasma may be applied in a state in which the specific substrate 10 faces the corresponding region by rotation of the disk 130 . In a time division or space division method, different ALD gas processes may be performed on a plurality of substrates 10 .

한편, 가스 분포의 불균일로 인해 제1 기판의 박막 두께와 제2 기판의 박막 두께가 달라질 수 있다. 본 발명은 가스의 불균일 분포에 상관없이, 단일 기판(10)의 영역별 처리 상태를 균일하게 하고, 복수의 기판(10)끼리의 처리 상태를 서로 균일하게 하기 위한 것이다.Meanwhile, the thin film thickness of the first substrate and the thin film thickness of the second substrate may be different due to the non-uniformity of the gas distribution. An object of the present invention is to make the processing state for each region of a single substrate 10 uniform regardless of the non-uniform distribution of the gas, and to make the processing state of a plurality of substrates 10 uniform with each other.

로터(150)는 디스크(130)에 복수로 설치되고 기판(10)이 안착되도록 형성될 수 있다. 기판(10)의 훼손을 방지하기 위해 기판(10)에 대면되는 로터(150)의 안착면은 기판(10)의 안착 부위와 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 일 예로, 기판(10)이 판 형상인 경우 로터(150)의 안착면 역시 판 형상으로 형성될 수 있다.A plurality of rotors 150 are installed on the disk 130 and the substrate 10 may be seated thereon. In order to prevent damage to the substrate 10 , the seating surface of the rotor 150 facing the substrate 10 may have the same shape as the seating portion of the substrate 10 . For example, when the substrate 10 has a plate shape, the seating surface of the rotor 150 may also be formed in a plate shape.

기판(10)이 안착된 로터(150)의 회전 중심은 디스크(130)의 중심 또는 챔버(110)의 중심과 다를 수 있다. 따라서, 기판(10)의 일측은 디스크(130)의 중심에 인접하게 배치되고, 기판(10)의 타측은 디스크(130)의 가장자리에 인접하게 배치될 수 있다. 이는 한 기판(10)에 대하여 영역별 처리를 불균일하게 할 수 있다. 한 기판(10)에 대한 영역별 불균일 처리를 방지하기 위해 로터(150)를 자전시키는 로터 회전부가 마련될 수 있다.The rotation center of the rotor 150 on which the substrate 10 is mounted may be different from the center of the disk 130 or the center of the chamber 110 . Accordingly, one side of the substrate 10 may be disposed adjacent to the center of the disk 130 , and the other side of the substrate 10 may be disposed adjacent to an edge of the disk 130 . This may make non-uniform processing for each area with respect to one substrate 10 . A rotor rotating unit for rotating the rotor 150 may be provided in order to prevent non-uniform processing of one substrate 10 for each area.

로터(150)를 자전시키면, 로터(150)에 안착된 기판(10)의 일측 및 타측 영역이 고정되지 않고 시시각각 변하게 되므로, 한 기판(10)의 전 영역이 균일하게 처리될 수 있다. 로터(150)의 중심을 축으로 로터(150)가 360도 이상 자전할 수 있다.When the rotor 150 is rotated, the regions of one side and the other side of the substrate 10 seated on the rotor 150 are not fixed but change every moment, so that the entire region of one substrate 10 can be treated uniformly. The rotor 150 may rotate 360 degrees or more about the center of the rotor 150 as an axis.

한편, 챔버(110) 내부의 제1 위치의 가스 농도와 제2 위치의 가스 농도가 서로 다를 수 있다. 이에 따르면, 제1 위치의 제1 기판에 증착된 박막 두께와 제2 위치의 제2 기판에 증착된 박막 두께가 서로 달라질 수 있다. 디스크 회전부에 의해 제1 기판과 제2 기판이 제1 위치와 제2 위치를 교대로 지나가게 되면, 제1 기판과 제2 기판의 박막 두께가 균일화될 수 있다.Meanwhile, the gas concentration at the first location and the gas concentration at the second location inside the chamber 110 may be different from each other. Accordingly, the thickness of the thin film deposited on the first substrate at the first position and the thickness of the thin film deposited on the second substrate at the second position may be different from each other. When the first substrate and the second substrate alternately pass through the first position and the second position by the disk rotating unit, the thin film thicknesses of the first substrate and the second substrate may be uniform.

디스크(130)의 중심에 마련된 디스크 회전축(140)을 기준으로 로터(150)가 공전할 수 있다. 디스크 회전부는 로터(150)가 설치된 디스크(130)를 360도 미만 에서 정역 회전 또는 360도 이상으로 일방향 자전시키고, 이에 따라 로터(150)의 중심 위치를 변경시킬 수 있다.The rotor 150 may revolve based on the disk rotation shaft 140 provided at the center of the disk 130 . The disk rotating unit rotates the disk 130 on which the rotor 150 is installed in a forward and reverse rotation of less than 360 degrees or a one-way rotation of more than 360 degrees, thereby changing the central position of the rotor 150 .

로터 회전부와 디스크 회전부는 비구속적 또는 독립적으로 구동되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 로터 회전부가 로터(150)를 제1 속도 V1으로 회전시키고, 디스크 회전부가 디스크(130)를 제2 속도로 회전시킬 때, 특정 기판(10)의 영역별 박막 균일화 및 챔버(110) 내부의 각 영역별 박막 균일화를 동시에 달성하기 위해 로터(150)의 회전 속도 및 디스크(130)의 회전 속도는 각각 독립적으로 조절되는 것이 좋기 때문이다.It is preferable that the rotor rotating part and the disk rotating part are driven unconstrained or independently. Because, when the rotor rotating unit rotates the rotor 150 at the first speed V1 and the disk rotating unit rotates the disc 130 at the second speed, the thin film uniformity for each area of the specific substrate 10 and the inside of the chamber 110 This is because it is preferable that the rotational speed of the rotor 150 and the rotational speed of the disk 130 are each independently controlled in order to simultaneously achieve uniformity of the thin film for each region of the .

로터(150)의 회전 속도 및 디스크(130)의 회전 속도가 서로 구속되는 경우, 단일 기판(10)에 대한 영역별 처리 균일도는 만족되지만, 복수 기판(10) 간의 처리 균일도를 만족하지 못할 수 있다. 반대로, 각 기판(10) 간의 처리 균일도는 허용치를 만족할 수 있으나, 단일 기판(10)의 영역별 처리 균일도는 허용치를 만족하지 못할 수 있다.When the rotational speed of the rotor 150 and the rotational speed of the disk 130 are constrained to each other, the processing uniformity for each region for the single substrate 10 is satisfied, but processing uniformity between the plurality of substrates 10 may not be satisfied. . Conversely, the processing uniformity between the respective substrates 10 may satisfy the allowable value, but the processing uniformity for each region of the single substrate 10 may not satisfy the allowable value.

본 발명에 따르면, 로터 회전부와 디스크 회전부가 서로 독립적으로 구동되므로, 단일 기판(10)의 처리 균일도 및 복수 기판(10) 간의 처리 균일도가 설계값을 모두 만족할 수 있다.According to the present invention, since the rotor rotating unit and the disk rotating unit are driven independently of each other, both the processing uniformity of the single substrate 10 and the processing uniformity between the plurality of substrates 10 may satisfy design values.

디스크 회전부에 의해 로터(150)의 공전 및 디스크(130)의 자전이 원활하게 이루어지도록, 로터 회전부는 디스크(130)와 함께 움직이면서 로터(150)를 자전시킬 수 있다. 디스크(130)가 승강하는 경우 로터 회전부 역시 디스크(130)와 함께 승강될 수 있다. 디스크(130)가 회전하는 경우 로터 회전부 역시 디스크(130)와 함께 회전할 수 있다.In order for the rotation of the rotor 150 and the rotation of the disk 130 to be smoothly performed by the disk rotating unit, the rotor rotating unit may rotate the rotor 150 while moving together with the disk 130 . When the disk 130 is raised and lowered, the rotor rotating unit may also be raised and lowered together with the disk 130 . When the disk 130 rotates, the rotor rotating unit may also rotate together with the disk 130 .

로터 회전부는 로터(150)에 연결된 로터 기어(180), 로터 기어(180)에 링크된 메인 기어(170), 메인 기어(170)에 연결된 메인 기어 회전축(120), 메인 기어 회전축(120)을 회전시키는 로터 모터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 로터 모터가 회전하면, 로터 모터에 연결된 메인 기어 회전축(120)이 회전될 수 있다. 메인 기어 회전축(120)의 회전에 의해 메인 기어(170)가 회전하고, 메인 기어(170)에 링크된 로터 기어(180)가 회전할 수 있다. 로터 기어(180)가 회전하면 로터(150)는 자전할 수 있다.The rotor rotating unit includes a rotor gear 180 connected to the rotor 150, a main gear 170 linked to the rotor gear 180, a main gear rotating shaft 120 connected to the main gear 170, and a main gear rotating shaft 120. It may include at least one of the rotor motor for rotating. When the rotor motor rotates, the main gear rotation shaft 120 connected to the rotor motor may rotate. The main gear 170 may rotate by the rotation of the main gear rotation shaft 120 , and the rotor gear 180 linked to the main gear 170 may rotate. When the rotor gear 180 rotates, the rotor 150 may rotate.

디스크 회전부는 디스크(130)에 연결된 디스크 회전축(140), 디스크 회전축(140)을 회전시키는 디스크 모터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The disc rotating unit may include at least one of a disc rotating shaft 140 connected to the disc 130 and a disc motor rotating the disc rotating shaft 140 .

서로 구분 또는 독립 제어되는 로터 모터와 디스크 모터에 의해 로터(150)와 디스크(130)는 다른 회전 속도로 회전할 수 있으며, 동일 방향 또는 서로 다른 방향으로 회전할 수 있다. 로터 모터와 디스크 모터는 챔버(110)의 외부에 설치될 수 있다. 로터 모터에 연결된 메인 기어 회전축(120)과 디스크 모터에 연결된 디스크 회전축(140)은 챔버(110)를 관통할 수 있다. 챔버(110)를 관통하는 요소가 많아질수록 밀폐에 불리하므로, 메인 기어 회전축(120)과 디스크 회전축(140)은 동축 상에 배치되는 것이 좋다.The rotor 150 and the disk 130 may rotate at different rotation speeds by the rotor motor and the disk motor that are separately or independently controlled from each other, and may rotate in the same direction or in different directions. The rotor motor and the disk motor may be installed outside the chamber 110 . The main gear rotation shaft 120 connected to the rotor motor and the disk rotation shaft 140 connected to the disk motor may pass through the chamber 110 . As the number of elements passing through the chamber 110 increases, it is disadvantageous to sealing, so it is preferable that the main gear rotation shaft 120 and the disk rotation shaft 140 are coaxially disposed.

일 예로, 메인 기어 회전축(120)은 중공 파이프 형상으로 형성될 수 있다. 로터 회전부는 디스크 회전축(140)의 주변에 복수로 흩어져 있으므로, 서로 동축인 메인 기어 회전축(120)은 디스크 회전축(140)의 외주에 마련되는 것이 바람직하다. 디스크 회전축(140)은 메인 기어 회전축(120)의 중공에 회전 가능하게 삽입될 수 있다. As an example, the main gear rotation shaft 120 may be formed in a hollow pipe shape. Since a plurality of rotor rotating parts are scattered around the disk rotating shaft 140 , it is preferable that the main gear rotating shafts 120 coaxial with each other are provided on the outer periphery of the disk rotating shaft 140 . The disk rotation shaft 140 may be rotatably inserted into the hollow of the main gear rotation shaft 120 .

로터(150)의 중앙에는 기판(10)을 승강시키는 리프트부(151)가 마련될 수 있다. 리프트부(151)가 상승하면 기판(10)은 로터(150)의 안착면으로부터 이격되고, 리프트부(151)가 하강하면 기판(10)은 로터(150)의 안착면에 안착될 수 있다.A lift unit 151 for elevating the substrate 10 may be provided in the center of the rotor 150 . When the lift unit 151 rises, the substrate 10 is spaced apart from the seating surface of the rotor 150 , and when the lift unit 151 descends, the substrate 10 may be seated on the seating surface of the rotor 150 .

박막은 기판(10)은 물론 기판(10)이 안착된 로터(150)나 디스크(130)에도 증착될 수 있다. 이에 따르면, 기판(10)과 로터(150)는 박막에 의해 일부 접착된 상태가 될 수 있으며, 리프트에 의해 해당 접착이 떨어질 수 있다. 이때, 리프트의 압력에 의해 박막 연결면이 떨어지면서 기판(10)과 로터(150)의 경계에 위치한 박막이 훼손될 수 있다. 로터(150)로부터 기판(10)을 수평으로 들어올리거나, 리프트부(151)가 로터(150)의 안착면에 평행한 상태를 유지하면 이를 방지할 수 있다. 리프트부(151)의 측단면은 'T' 형상으로 형성될 수 있다.The thin film may be deposited not only on the substrate 10 , but also on the rotor 150 or disk 130 on which the substrate 10 is seated. According to this, the substrate 10 and the rotor 150 may be partially bonded by the thin film, and the bonding may be separated by the lift. At this time, as the thin film connection surface is dropped by the pressure of the lift, the thin film located at the boundary between the substrate 10 and the rotor 150 may be damaged. This can be prevented by horizontally lifting the substrate 10 from the rotor 150 or maintaining the lift unit 151 in a state parallel to the seating surface of the rotor 150 . The side cross-section of the lift unit 151 may be formed in a 'T' shape.

챔버(110)에는 리프트부(151)를 위로 밀거나 아래로 잡아당기는 리프트 구동부(160)가 마련될 수 있다. 리프트 구동부(160)는 챔버(110)의 내부 및 외부를 관통할 수 있으며, 밀폐 구조로 될 수 있다. 리프트 구동부(160)는 회전하는 디스크(130) 또는 로터(150)로부터 도피되게 아래로 하강한 상태를 유지할 수 있다. 디스크(130) 및 로터(150)가 정지되면 리프트 구동부(160)는 상승해서 리프트부(151)를 밀거나 당길 수 있다.A lift driving unit 160 for pushing the lift unit 151 upward or pulling it downward may be provided in the chamber 110 . The lift driving unit 160 may penetrate inside and outside the chamber 110 and may have a closed structure. The lift driving unit 160 may maintain a downwardly descending state to escape from the rotating disk 130 or the rotor 150 . When the disk 130 and the rotor 150 are stopped, the lift driving unit 160 may rise to push or pull the lift unit 151 .

도 2를 참조하면, 로터(150)는 디스크(130)의 통공에 대면하게 설치될 수 있다. 디스크(130)의 통공에는 로터 기어(180), 중간 기어(190), 메인 기어(170) 중 적어도 하나가 대면될 수 있다. 중간 기어(190)에 의해 메인 기어(170), 로터 기어(180), 로터(150)는 서로 동일한 방향으로 회전할 수 있다. 베어링(131)은 로터(150) 또는 로터 기어(180)를 디스크(130)의 통공에 대하여 회전 가능하게 지지할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the rotor 150 may be installed to face the through hole of the disk 130 . At least one of the rotor gear 180 , the intermediate gear 190 , and the main gear 170 may face the through hole of the disk 130 . The main gear 170 , the rotor gear 180 , and the rotor 150 may rotate in the same direction by the intermediate gear 190 . The bearing 131 may rotatably support the rotor 150 or the rotor gear 180 with respect to the through hole of the disk 130 .

챔버(110) 내에 설치되는 히터(290)는, 기판(10) 및 가스의 반응성을 향상시키거나, 기판(10) 또는 가스를 균일하게 가열할 수 있다. 각 로터(150)가 히터(290)에 의해 고르게 가열될 수 있으므로, 단일 기판(10)에 대한 처리 균일도 및 복수 기판(10) 간의 처리 균일도가 개선될 수 있다.The heater 290 installed in the chamber 110 may improve the reactivity of the substrate 10 and the gas or heat the substrate 10 or the gas uniformly. Since each rotor 150 can be uniformly heated by the heater 290 , processing uniformity for a single substrate 10 and processing uniformity between a plurality of substrates 10 can be improved.

도 3을 참조하면, 1개의 중간 기어(190)는 서로 인접한 2개의 로터 기어(180)와 메인 기어(170)에 맞물릴 수 있다. 본 실시예에 따르면, 짝수개의 로터(150)가 디스크(130)에 설치되는 것이 좋으며, 중간 기어(190)의 개수는 로터(150) 개수의 절반이면 충분하고, 중간 기어(190)의 개수를 최소화할 수 있다.Referring to FIG. 3 , one intermediate gear 190 may mesh with two adjacent rotor gears 180 and a main gear 170 . According to the present embodiment, it is preferable that an even number of rotors 150 are installed on the disk 130 , and the number of intermediate gears 190 is half the number of rotors 150 , and the number of intermediate gears 190 is sufficient. can be minimized

도 1을 참조하면, 로터(150) 및 로터 회전부 역시 디스크(130)와 함께 승강할 수 있다. 디스크(130)와 함께 승강되므로, 로터 회전부는 디스크(130)의 승강 위치에 상관없이 로터(150)를 자전시킬 수 있다.Referring to FIG. 1 , the rotor 150 and the rotor rotating unit may also move up and down together with the disk 130 . Since it is lifted together with the disk 130 , the rotor rotating unit may rotate the rotor 150 irrespective of the lift position of the disk 130 .

도 1 내지 도 7을 함께 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 척 유니트(300)와, 열 관리부를 포함할 수 있다.1 to 7 , the substrate processing apparatus of the present invention may include a chuck unit 300 and a thermal management unit.

척 유니트(300)는 챔버(110) 내에 설치되고, 적어도 하나의 기판(10)이 안착될 수 있다. The chuck unit 300 is installed in the chamber 110 , and at least one substrate 10 may be mounted thereon.

본 발명의 척 유니트(300)의 다양한 실시예로서, 도 1 내지 도 4에 의하면 척 유니트(300)는 디스크(130) 및 로터(150)를 포함할 수 있다. 도 5 내지 도 7에 도시된 포커스 링(310)은 도 1 내지 도 4에 도시하지는 않았지만, 각각의 로터(150)의 가장 자리에 마련될 수 있고, 로터(150)와 함께 회전될 수 있다. 링 히터부(320)는 각각의 포커스 링(310)에 마련되며, 링 히터부(320)에 전원을 공급하는 전극(340)이 로터(150)마다 마련될 수 있다.As various embodiments of the chuck unit 300 of the present invention, according to FIGS. 1 to 4 , the chuck unit 300 may include a disk 130 and a rotor 150 . Although not shown in FIGS. 1 to 4 , the focus ring 310 shown in FIGS. 5 to 7 may be provided at the edge of each rotor 150 and rotated together with the rotor 150 . The ring heater unit 320 may be provided on each focus ring 310 , and an electrode 340 for supplying power to the ring heater unit 320 may be provided for each rotor 150 .

한편, 도 5 내지 도 7에 의하면 척 유니트(300)는 복수의 기판(10)에 대면되지 않고 단일 기판(10) 안착용으로 마련될 수 있다. 척 유니트(300)는 회전되거나, 회전하지 않을 수 있다.Meanwhile, according to FIGS. 5 to 7 , the chuck unit 300 may be provided for mounting the single substrate 10 without facing the plurality of substrates 10 . The chuck unit 300 may or may not rotate.

열 관리부는 척 유니트(300)에 마련되며 척 유니트(300)의 온도를 관리할 수 있다. The thermal management unit is provided in the chuck unit 300 and may manage the temperature of the chuck unit 300 .

박막 증착시 열원에 의한 증착 기여도가 가장 클 수 있다. 시 분할 ALD, 공간 분할 ALD를 포함하는 챔버(110) 내부에 다양한 형태로 히터(290)가 설치될 수 있다. 박막의 균일도는 온도에 의하여 가장 영향을 받는다고 볼 수 있다. 한편, 균일 박막 형성을 위하여, 기판(10)의 센터나 에지(10b)에 대하여 플라즈마 밀도를 조절해야 할 경우도 있고, 가스 반응 조건을 조절해야 할 경우도 있다.When depositing a thin film, the deposition contribution by a heat source may be the greatest. The heater 290 may be installed in various forms inside the chamber 110 including the time division ALD and the space division ALD. It can be seen that the uniformity of the thin film is most affected by temperature. On the other hand, in order to form a uniform thin film, in some cases, it is necessary to adjust the plasma density with respect to the center or edge 10b of the substrate 10, and in some cases, it is necessary to adjust the gas reaction conditions.

본 발명은 챔버(110) 내부의 온도를 조절하는 히터(290)와 별개로 척 유니트(300)의 온도를 관리하는 열 관리부를 별도로 설치할 수 있다. 열 관리부는 챔버(110) 내부에 설치되는 히터(290)와 별개로, 기판(10)의 가장 자리인 에지(10b)나 기판(10)의 사이드면(10a)을 포함하는 국부 영역의 온도를 정밀 제어할 수 있다.According to the present invention, a thermal management unit for managing the temperature of the chuck unit 300 may be separately installed from the heater 290 for controlling the internal temperature of the chamber 110 . The thermal management unit controls the temperature of the local area including the edge 10b, which is the edge of the substrate 10, or the side surface 10a of the substrate 10, separately from the heater 290 installed inside the chamber 110. It can be precisely controlled.

열 관리부는 기판(10)의 에지(10b)나 사이드면(10a)의 온도를 챔버(110) 내부의 공정 온도 제어와 별개로 독립 제어할 수 있으므로, 기판(10)의 에지(10b)나 사이드면(10a)의 온도를 독립적으로 제어할 수 있는 장점이 있다.Since the thermal management unit can independently control the temperature of the edge 10b or the side surface 10a of the substrate 10 independently of the process temperature control inside the chamber 110 , the edge 10b or the side surface of the substrate 10 is There is an advantage of being able to independently control the temperature of the surface (10a).

챔버(110)의 히터(290)와 별개로 기판(10)의 에지(10b)에 또 다른 열원을 확보하면, 기판(10) 박막의 튜닝을 위한 변수나, 제어 변수를 또 하나 확보할 수 있는 장점이 있다.If another heat source is secured at the edge 10b of the substrate 10 separately from the heater 290 of the chamber 110, it is possible to secure another variable or control variable for tuning the substrate 10 thin film. There are advantages.

열 관리부는 기판(10)의 가장 자리인 에지(10b)에 배치되는 중공의 포커스 링(310)과, 포커스 링(310)에 설치되는 링 히터부(320)를 포함할 수 있다.The thermal management unit may include a hollow focus ring 310 disposed on an edge 10b that is an edge of the substrate 10 , and a ring heater unit 320 disposed on the focus ring 310 .

챔버(110) 내부에 마련되는 히터(290)는 챔버(110) 내부를 제1 온도로 제어할 수 있다. 링 히터부(320)는 챔버(110) 내부의 히터(290)와 별개로 기판(10)의 에지(10b) 또는 기판(10)의 사이드면(10a)의 온도를 제2 온도로 제어할 수 있다. 링 히터부(320) 및 챔버(110) 내부의 히터(290)에 의하여 제1 온도 및 제2 온도는 서로 독립적으로 조절될 수 있다.The heater 290 provided inside the chamber 110 may control the inside of the chamber 110 to a first temperature. The ring heater unit 320 may control the temperature of the edge 10b of the substrate 10 or the side surface 10a of the substrate 10 separately from the heater 290 in the chamber 110 to a second temperature. have. The first temperature and the second temperature may be adjusted independently of each other by the ring heater unit 320 and the heater 290 inside the chamber 110 .

포커스 링(310)은 기판(10)의 사이드면(10a)에 대면되는 사이드 대면부(311)와, 기판(10)의 에지(10b)에 대면되는 에지 대면부(312)를 포함할 수 있다. 사이드 대면부(311)는 척 유니트(300)의 수직 방향으로 연장되며 에지 대면부(312)는 척 유니트(300)의 수평 방향으로 연장될 수 있다. The focus ring 310 may include a side-facing portion 311 facing the side surface 10a of the substrate 10 and an edge-facing portion 312 facing the edge 10b of the substrate 10 . . The side-facing part 311 may extend in a vertical direction of the chuck unit 300 , and the edge-facing part 312 may extend in a horizontal direction of the chuck unit 300 .

사이드 대면부(311) 및 에지 대면부(312)는 서로 직각에 가까울 수 있으며, 이에 따라 포커스 링(310)은 기판(10)의 에지(10b)를 감싸는 단턱을 구비한 중공의 링 형상일 수 있다. 사이드 대면부(311) 및 에지 대면부(312)가 계단 모양을 이루면, 기판(10)의 사이드면(10a)을 감쌀 수 있고, 기판(10)의 에지(10b)뿐만 아니라 사이드면(10a)의 온도를 빠른 응답으로 조절할 수 있는 장점이 있다.The side-facing portion 311 and the edge-facing portion 312 may be close to right angles to each other, and accordingly, the focus ring 310 may have a hollow ring shape with a step surrounding the edge 10b of the substrate 10. have. When the side-facing portion 311 and the edge-facing portion 312 form a step shape, the side surface 10a of the substrate 10 can be wrapped, and not only the edge 10b of the substrate 10 but also the side surface 10a It has the advantage of being able to adjust the temperature in a quick response.

링 히터부(320)는 수평 배열 히터(321)와 수직 배열 히터(322)를 포함할 수 있다. 수평 배열 히터(321)는 기판(10)과 평행하게 포커스 링(310)의 수평 방향으로 배열될 수 있다. 수직 배열 히터(322)는 기판(10)에 수직하게 포커스 링(310)의 수직 방향으로 배열될 수 있다.The ring heater unit 320 may include a horizontally arranged heater 321 and a vertical arranged heater 322 . The horizontally arranged heaters 321 may be arranged in a horizontal direction of the focus ring 310 in parallel to the substrate 10 . The vertically arranged heater 322 may be arranged in a vertical direction of the focus ring 310 perpendicular to the substrate 10 .

도 5의 실시예에서, 기판(10)의 에지(10b) 온도 조절을 위하여 수직 배열 히터(322) 및 수평 배열 히터(321)가 모두 사용될 수 있다. 도 6의 실시예에서, 기판(10)의 에지(10b) 온도 조절은 수평 배열 히터(321)가 담당하고, 기판(10)의 사이드면(10a)의 온도 조절은 수직 배열 히터(322)가 담당할 수 있다. 이와 같이, 수평 배열 히터(321) 및 수직 배열 히터(322)의 조합을 변경하는 것만으로도, 기판(10)의 에지(10b) 또는 사이드면(10a)의 온도 특성을 독립 제어할 수 있는 장점이 있다.In the embodiment of FIG. 5 , both the vertical array heater 322 and the horizontal array heater 321 may be used to control the temperature of the edge 10b of the substrate 10 . In the embodiment of FIG. 6 , the horizontal array heater 321 controls the temperature of the edge 10b of the substrate 10 , and the vertical array heater 322 controls the temperature of the side surface 10a of the substrate 10 . can be in charge As such, it is possible to independently control the temperature characteristics of the edge 10b or the side surface 10a of the substrate 10 just by changing the combination of the horizontal array heater 321 and the vertical array heater 322 . There is this.

도 7을 참조하면, 링 히터부(320)에 전원을 공급하는 전극(340)이 도시된다. 전극(340)의 일측은 포커스 링(310)에 설치된 링 히터부(320)에 연결되며 외부의 전원을 링 히터부(320)에 공급할 수 있다. 전극(340)의 타측은 척 유니트(300)의 측면을 따라 연장되고 척 유니트(300)의 회전 중심인 척 유니트 회전축(350)을 따라 연장될 수 있다. 전극(340)은 척 유니트(300)와 함께 회전될 수 있다.Referring to FIG. 7 , an electrode 340 for supplying power to the ring heater unit 320 is illustrated. One side of the electrode 340 is connected to the ring heater unit 320 installed on the focus ring 310 and may supply external power to the ring heater unit 320 . The other side of the electrode 340 may extend along the side surface of the chuck unit 300 and may extend along the chuck unit rotation shaft 350 which is the rotation center of the chuck unit 300 . The electrode 340 may be rotated together with the chuck unit 300 .

10...기판 110...챔버
120...메인 기어 회전축 130...디스크
131...베어링 140...디스크 회전축
150...로터 151...리프트부
160...리프트 구동부 170...메인 기어
180...로터 기어 190...중간 기어
290...히터 300...척 유니트
10a...사이드면 10b...에지
310...포커스 링 311...사이드 대면부
312...에지 대면부 320...링 히터부
321...수평 배열 히터 322...수직 배열 히터
340...전극 350...척 유니트 회전축10...substrate 110...chamber
120...Main gear axis of rotation 130...Disc
131...bearing 140...disc rotating shaft
150...Rotor 151...Lift part
160...Lift drive unit 170...Main gear
180...rotor gear 190...middle gear
290...heater 300...chuck unit
10a...side face 10b...edge
310...focus ring 311...side facing part
312...edge facing part 320...ring heater part
321...Horizontal Array Heater 322...Vertical Array Heater
340...Electrode 350...Chuck Unit Rotation Shaft

Claims (6)

챔버 내에 설치되고, 적어도 하나의 기판이 안착되는 척 유니트;
상기 척 유니트에 마련되며 상기 척 유니트의 온도를 관리하는 열 관리부; 를 포함하고,
상기 열 관리부는 상기 기판의 가장 자리인 에지에 배치되는 중공의 포커스 링과, 상기 포커스 링에 설치되는 링 히터부를 포함하는 기판 처리 장치.
a chuck unit installed in the chamber and on which at least one substrate is seated;
a thermal management unit provided in the chuck unit and managing a temperature of the chuck unit; including,
The thermal management unit includes a hollow focus ring disposed at an edge of the substrate, and a ring heater unit disposed on the focus ring.
 제1항에 있어서,
상기 포커스 링은 상기 기판의 사이드면에 대면되는 사이드 대면부와, 상기 기판의 에지에 대면되는 에지 대면부를 포함하고,
상기 사이드 대면부는 수직으로 연장되며 상기 에지 대면부는 수평으로 연장되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The focus ring includes a side-facing portion facing the side surface of the substrate, and an edge-facing portion facing the edge of the substrate,
The side-facing portion extends vertically and the edge-facing portion extends horizontally.
 제1항에 있어서,
상기 링 히터부는 상기 기판과 평행하게 상기 포커스 링의 수평 방향으로 배열되는 수평 배열 히터과, 상기 기판에 수직하게 상기 포커스 링의 수직 방향으로 배열되는 수직 배열 히터를 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 1,
The ring heater unit includes a horizontal array heater arranged in a horizontal direction of the focus ring parallel to the substrate, and a vertical array heater arranged in a vertical direction of the focus ring perpendicular to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 링 히터부에 전원을 공급하는 전극을 포함하고,
상기 전극의 일측은 상기 포커스 링에 설치된 상기 링 히터부에 연결되며,
상기 전극의 타측은 상기 척 유니트의 측면을 따라 연장되고 상기 척 유니트의 회전 중심인 척 유니트 회전축을 따라 연장되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
An electrode for supplying power to the ring heater unit,
One side of the electrode is connected to the ring heater unit installed in the focus ring,
The other side of the electrode extends along a side surface of the chuck unit and extends along a chuck unit rotation axis that is a rotation center of the chuck unit.
 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부에 마련되는 히터를 포함하고,
상기 히터는 상기 챔버 내부를 제1 온도로 제어하며,
상기 링 히터부는 상기 챔버 내부의 히터와 별개로 상기 기판의 에지 또는 상기 기판의 사이드면의 온도를 제2 온도로 제어하고,
상기 링 히터부 및 상기 챔버 내부의 히터에 의하여 상기 제1 온도 및 상기 제2 온도는 서로 독립적으로 조절되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
Including a heater provided inside the chamber,
The heater controls the inside of the chamber to a first temperature,
The ring heater unit controls the temperature of the edge of the substrate or the side surface of the substrate to a second temperature separately from the heater inside the chamber,
The first temperature and the second temperature are controlled independently of each other by the ring heater unit and a heater inside the chamber.
 제1항에 있어서,
상기 척 유니트는 디스크, 로터, 리프트부를 포함하고,
상기 디스크는 디스크 회전축을 중심으로 회전하며,
상기 로터는 상기 디스크에 등각도로 복수개 마련되고, 상기 디스크에 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판이 놓여지는 안착면을 구비하고,
상기 리프트부는 상기 로터에 출입되며 상기 로터에 대하여 상기 기판을 로딩 또는 언로딩시키고,
상기 포커스 링은 상기 각각의 로터의 가장 자리에 마련되며, 상기 로터와 함께 회전되고,
상기 링 히터부는 상기 각각의 포커스 링에 마련되며,
상기 링 히터부에 전원을 공급하는 전극이 상기 로터마다 마련되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The chuck unit includes a disk, a rotor, and a lift unit,
The disk rotates about the disk rotation axis,
A plurality of the rotors are provided at an equal angle to the disk, are rotatably installed on the disk, and have a seating surface on which the substrate is placed,
The lift unit enters and exits the rotor and loads or unloads the substrate with respect to the rotor,
The focus ring is provided at the edge of each rotor and rotates together with the rotor;
The ring heater unit is provided on each of the focus rings,
An electrode for supplying power to the ring heater unit is provided for each rotor.
KR1020200084976A 2020-07-09 2020-07-09 A substrate processing apparatus including a heating portion KR102406319B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200084976A KR102406319B1 (en) 2020-07-09 2020-07-09 A substrate processing apparatus including a heating portion

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200084976A KR102406319B1 (en) 2020-07-09 2020-07-09 A substrate processing apparatus including a heating portion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220006949A true KR20220006949A (en) 2022-01-18
KR102406319B1 KR102406319B1 (en) 2022-06-10

Family

ID=80052130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200084976A KR102406319B1 (en) 2020-07-09 2020-07-09 A substrate processing apparatus including a heating portion

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102406319B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020082580A (en) * 2001-04-24 2002-10-31 삼성전자 주식회사 Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same
KR20140097312A (en) * 2011-11-22 2014-08-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Apparatus and methods for improving reliability of rf grounding
KR101832253B1 (en) * 2016-11-24 2018-02-26 주식회사 한화 Apparatus for processing substrate
KR20180125091A (en) * 2017-05-12 2018-11-22 세메스 주식회사 Supporting unit and substrate treating apparatus including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020082580A (en) * 2001-04-24 2002-10-31 삼성전자 주식회사 Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same
KR20140097312A (en) * 2011-11-22 2014-08-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Apparatus and methods for improving reliability of rf grounding
KR101832253B1 (en) * 2016-11-24 2018-02-26 주식회사 한화 Apparatus for processing substrate
KR20180125091A (en) * 2017-05-12 2018-11-22 세메스 주식회사 Supporting unit and substrate treating apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102406319B1 (en) 2022-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105051251B (en) For rotating the device and method of bin ald
US6656284B1 (en) Semiconductor device manufacturing apparatus having rotatable gas injector and thin film deposition method using the same
KR101447663B1 (en) Film-forming method and film-forming apparatus
CN114144540A (en) Evaporator chamber for forming a film on a substrate
CN116356290A (en) Wafer carrying mechanism and wafer processing device
KR101494297B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102406319B1 (en) A substrate processing apparatus including a heating portion
JP6009677B2 (en) Substrate processing equipment
KR101573453B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102417422B1 (en) A substrate processing apparatus including a plasma portion
KR20100083046A (en) Subtrate supporting member and appratus for treatmenting substrate including the same
JP2024132812A (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR102417426B1 (en) A substrate processing apparatus including a protection portion
TWI784600B (en) Method and equipment for automatic lifting and rotating of wafer
KR102238016B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101232908B1 (en) A chemical vapor dipositino apparatus
KR101806251B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20130035039A (en) Gas injecting device and substrate treatment apparatus having the same
KR101128738B1 (en) Apparatus for vapor deposition
KR102681174B1 (en) Substrate process device
KR102767685B1 (en) Preheating atomic layer deposition apparatus
KR102306905B1 (en) Substrate processing device with lift part
JP7548981B2 (en) Substrate Processing Equipment
KR20150139811A (en) Substrate processing apparatus
JP5957609B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20200709

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20211124

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220509

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20220602

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20220603

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration