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KR20210113075A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210113075A
KR20210113075A KR1020210028279A KR20210028279A KR20210113075A KR 20210113075 A KR20210113075 A KR 20210113075A KR 1020210028279 A KR1020210028279 A KR 1020210028279A KR 20210028279 A KR20210028279 A KR 20210028279A KR 20210113075 A KR20210113075 A KR 20210113075A
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KR
South Korea
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substrate
module
block
processing module
unit
Prior art date
Application number
KR1020210028279A
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English (en)
Inventor
요지 사카타
마사시 츠치야마
츠요시 와타나베
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치에 있어서 높은 스루풋을 얻고 또한 점유 바닥 면적을 작게 한다. 제 1 기판 반송 영역과, 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 면하여 마련되는 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈과, 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 마련되어, 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈로 각각 기판을 전달하기 위한 제 1 반송 기구, 제 2 반송 기구를 구비하는 제 1 단위 블록과, 제 2 기판 반송 영역과 제 3 반송 기구를 구비하고, 제 1 단위 블록에 적층되는 제 2 단위 블록과, 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 일방측에 마련되어, 제 1 반송 기구, 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하는 기판 반입반출 블록과, 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 타방측에 마련되어, 제 2 반송 기구, 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하는 중계 블록을 구비하는 장치로 한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하기 위하여, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 기재함)에 다양한 처리가 행해진다. 이 반도체 디바이스의 제조 공정 중 일공정으로서, 예를 들면 포토리소그래피가 행해진다. 구체적으로 그 포토리소그래피에서는, 웨이퍼에 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하는 것, 및 현상액을 공급하여 노광이 끝난 레지스트막을 현상하는 것이 행해진다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 그러한 레지스트막의 형성 및 현상을 행하는 기판 처리 장치에 대하여 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2010-219434호
본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서 높은 스루풋을 얻고 또한 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 처리 장치는, 좌우로 연장되는 제 1 기판 반송 영역과, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 면하여 마련되는 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈과, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 마련되어, 상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈로 각각 기판을 전달하기 위한 제 1 반송 기구, 제 2 반송 기구를 구비하는 제 1 단위 블록과,
좌우로 연장되는 제 2 기판 반송 영역과, 상기 제 2 기판 반송 영역에서 좌우로 상기 기판을 반송하는 제 3 반송 기구를 구비하고, 상기 제 1 단위 블록에 적층되어 마련되는 제 2 단위 블록과,
상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록에 의해 구성되는 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 일방측에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구, 상기 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하기 위하여 상기 기판을 배치하는 일방측 배치부를 상기 제 1 단위 블록 및 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 구비하고, 또한 상기 기판을 수납하는 캐리어를 배치하는 캐리어 스테이지를 구비하는 기판 반입반출 블록과,
상기 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 타방측에 마련되어, 상기 제 2 반송 기구, 상기 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하기 위하여 상기 기판을 배치하는 타방측 배치부를 상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 구비하는 중계 블록과,
상기 각 타방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하도록, 상기 중계 블록에 마련된 타방측 반송 기구와,
상기 캐리어 및 상기 각 일방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하고, 상기 제 1 처리 모듈에서 처리가 끝나고 상기 제 2 처리 모듈에서 처리 전인 기판에 대하여 상기 제 2 단위 블록, 상기 중계 블록을 차례로 통과하여 상기 제 1 단위 블록의 타방측으로부터 상기 제 2 처리 모듈로 반송하기 위하여, 상기 제 1 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로부터 상기 제 2 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로 반송하도록, 상기 기판 반입반출 블록에 마련된 일방측 반송 기구
를 구비한다.
본 개시에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서 높은 스루풋을 얻고 또한 점유 바닥 면적을 작게 할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일실시 형태인 도포, 현상 장치의 횡단 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 종단 정면도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 정면도이다.
도 4는 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 캐리어 블록의 사시도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치에 마련되는 처리 블록의 전방측의 사시도이다.
도 6은 상기 처리 블록의 종단 측면도이다.
도 7은 상기 처리 블록에 마련되는 도포막 형성용의 단위 블록의 평면도이다.
도 8은 상기 처리 블록에 마련되는 현상용의 단위 블록의 평면도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치의 개략 평면을 나타내는 모식도이다.
도 10은 상기 처리 블록에 마련되는 도포막 형성용의 단위 블록의 개략 평면을 나타내는 모식도이다.
도 11은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 인터페이스 블록의 종단 측면도이다.
도 12는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로와 이용되는 반송 기구와의 대응을 나타내는 표 도이다.
도 13은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 모식도이다.
도 14는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 나타내는 모식도이다.
도 15는 도포 장치의 개략 측면도이다.
본 개시의 기판 처리 장치의 일실시 형태인 도포, 현상 장치(1)에 대하여, 도 1의 횡단 평면도, 도 2 및 도 3의 종단 정면도를 참조하여 설명한다. 이 도포, 현상 장치(1)는, 기판인 웨이퍼(W)에 레지스트막을 포함하는 각종의 막을 형성하고, 그 후에 도포, 현상 장치(1)에 접속되는 노광기(D5)에 의해 노광이 끝난 레지스트막을 현상하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 노광기(D5)는, 웨이퍼(W)의 표면에 예를 들면 순수에 의해 구성되는 액막을 형성한 상태에서 노광한다. 즉, 노광기(D5)는 액침 노광을 행하는 장치이며, 도포, 현상 장치(1)는 당해 액침 노광에 대응한 처리 모듈을 구비하고 있다.
이 도포, 현상 장치(1)는 반도체 제조 공장의 클린룸에 마련되어 있다. 이후에 상세하게 기술하는 바와 같이, 도포, 현상 장치(1)는 그 주위의 가스로서 공기를 흡인하는 팬 필터 유닛(FFU)과, 흡인된 공기를 하방으로 방출하여 하강 기류(다운 플로우)를 형성하기 위한 필터를 구비한다. 당해 필터는, 웨이퍼(W)를 반송하는 각 반송 기구의 이동 영역 상 및 웨이퍼(W)를 수납하여 액 처리하는 컵 상에 배치되어, 당해 반송 기구로부터의 파티클의 비산, 및 당해 컵으로부터의 미스트의 비산이 억제된다.
웨이퍼(W)에 대해서는, FOUP(Front Opening Unify Pod)이라 불리는 캐리어(C)에 복수 매가 저장된 상태로, 도포, 현상 장치(1)의 외부에 마련되는 반송 기구에 의해 당해 도포, 현상 장치(1)로 반송된다. 이 반송 용기인 캐리어(C)를 반송하는 외부 반송 기구는 예를 들면 OHT(Over Head Transport)라 불리며, 클린룸의 천장부에 마련된다.
도포, 현상 장치(1)는 캐리어 블록(D1), 검사 블록(D2), 처리 블록(D3), 인터페이스 블록(D4)이, 이 순으로 횡방향에 일렬로 배열되고 또한 서로 접속되어 구성되어 있다. 이들 캐리어 블록(D1), 검사 블록(D2), 처리 블록(D3), 인터페이스 블록(D4)에 대하여 저부의 높이는 서로 일치되어 있으며, 캐리어 블록(D1)의 높이는 다른 블록(D2 ~ D4)의 높이에 비해 작다. 인터페이스 블록(D4)에는 처리 블록(D3)과 반대측에, 노광기(D5)가 접속되어 있다. 캐리어 블록(D1) 및 검사 블록(D2)은 기판 반입반출 블록이며, 인터페이스 블록(D4)은 중계 블록이다.
이후의 설명에 있어, 상기의 블록(D1 ~ D4)의 배열 방향을 좌우 방향이라 하고, 캐리어 블록(D1)측을 좌측, 인터페이스 블록(D4)측을 우측이라 한다. 또한, 장치의 전후 방향에 대하여 캐리어 블록(D1)을 좌측, 인터페이스 블록(D4)을 우측으로 봤을 때의 앞측을 전방측, 내측을 후방측이라 한다. 각 도면 중에서는 서로 직교하는 X 방향, Y 방향, Z 방향을 각각 나타내고 있다. X 방향은 좌우 방향, Y 방향은 전후 방향을 각각 나타내며, Z 방향은 높이 방향을 나타내고 있다. 또한 도 2 및 도 3은, 모두 도포, 현상 장치(1)의 종단면을 나타내는데, 장치의 일부에 대하여 전후로 상이한 위치의 종단면을 나타내고 있다.
캐리어 블록(D1)은, 도포, 현상 장치(1)의 외부에 마련되는 캐리어 반송 기구에 의해 캐리어(C)가 반송되어, 캐리어(C)와 도포, 현상 장치(1) 내와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 블록이다. 사시도인 도 4도 참조하여 설명하면, 캐리어 블록(D1)을 구성하는 하우징(11)의 우측은, 좌측에 비해 높게 되도록 상방으로 돌출되어 있으며, 그에 따라 정면에서 봤을 때, 단이 형성되어 있다. 그와 같이 구성된 하우징(11)의 좌측, 우측을 각각 저신부(低身部)(12), 고신부(13)(高身部)라 한다.
저신부(12)의 상면에는 4 개의 캐리어 스테이지(14)가, 전후 방향으로 간격을 두고 마련되어 있다. 캐리어(C)는 도포, 현상 장치(1)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위하여 당해 캐리어 스테이지(14)에 배치된다. 하우징(11)에 있어서 고신부(13)를 형성하고 또한 좌측을 향하는 측벽에는, 캐리어 스테이지(14)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구가 개구되어 있고, 당해 반송구는 개폐 기구(16)에 의해 개폐된다.
하우징(11) 내에 있어서, 고신부(13)에는 전후 이동, 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 승강 가능한 이동체와, 당해 이동체를 진퇴 가능하고 또한 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체를 구비하는 반송 기구(17)가 마련되어 있다. 제 1 일방측 반송 기구인 반송 기구(17)에 의해, 캐리어 스테이지(14) 상의 캐리어(C)와 검사 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다. 고신부(13)의 천장에는 필터(18)가 마련되어 있다. 필터(18)는 고신부(13)에 있어서의 반송 기구(17)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역을 커버하도록 마련되어 있으며, 상기한 바와 같이 다운 플로우를 형성한다. 이 필터(18)에 대해서는, 검사 블록(D2)의 구성을 설명할 때에도 기술한다. 예를 들면 하우징(11)의 저부에는 도시하지 않는 배기구가 형성되고, 당해 배기구로부터 하우징(11) 내의 공기가 제거된다.
검사 블록(D2)은 도포, 현상 장치(1)에 의한 처리 전, 처리 후의 웨이퍼(W)를 검사하기 위한 블록이다. 또한, 처리 블록(D3)은 각각 웨이퍼(W)가 반송되는 6 개의 층이 적층되어 구성되는데, 검사 블록(D2)은 웨이퍼(W)를 승강 반송하여 처리 블록(D3)의 층 사이에서 웨이퍼(W)가 전달되도록 하는 역할도 가진다. 검사 블록(D2)은 사각형의 하우징(21)을 구비하고 있으며, 당해 하우징(21)과 상기의 캐리어 블록(D1)의 고신부(13)에 의해, 정면에서 봤을 때, 단이 형성되어 있다.
하우징(21) 내의 전후의 중앙부에는 전달 모듈(TRS)의 적층체, 반송 기구(22), 타워(T1)가 좌측에서 우측을 향해 이 순으로 마련되어 있다. 또한, 전달 모듈(TRS)의 적층체의 상방에는 처리 전 검사 모듈(23)이 마련되어 있으며, 이 처리 전 검사 모듈(23)은, 장치(1) 내의 각 처리 모듈에서 처리를 행하기 전의 웨이퍼(W)를 광학적으로 검사하기 위한 모듈이다. 또한, 전달 모듈(TRS)의 적층체 및 반송 기구(22)의 후방에는, 처리 후 검사 모듈(24)이 마련되어 있다. 이 처리 후 검사 모듈(24)은, 장치(1) 내의 각 처리 모듈에서 처리 후의 웨이퍼(W), 즉 레지스트 패턴의 형성을 끝낸 웨이퍼(W)를 광학적으로 검사하기 위한 모듈이다. 타워(T1)의 후방에는 반송 기구(25)가 마련되어 있다. 반송 기구(22, 25)는, 상기의 캐리어(C)에 액세스하는 반송 기구(17)보다 처리 블록(D3)쪽에 마련되는 제 2 일방측 반송 기구이며, 반송 기구(17)와 함께 일방측 반송 기구를 구성한다.
또한, 모듈은 웨이퍼(W)가 배치되는 장소로서 구성되는 것이다. 웨이퍼(W)에 처리(검사를 포함함)를 행하는 모듈을 처리 모듈이라 기재하는 경우가 있으며, 처리 모듈 중 처리액을 이용하여 처리를 행하는 것을 액 처리 모듈이라 기재하는 경우가 있다. 상기의 전달 모듈(TRS)에 대하여 설명해 두면, 전달 모듈(TRS)은 종방향으로 배열되어 복수 마련된 웨이퍼(W)의 배치부를 구비한다. 즉, 하나의 전달 모듈(TRS)은 복수의 웨이퍼(W)를 종방향으로 배열하여 배치할 수 있다. 도포, 현상 장치(1)의 각 곳에 마련되는 TRS를 구별하기 위하여, TRS의 뒤에 숫자를 붙여 나타낸다. 상기의 전달 모듈(TRS)의 적층체를 구성하는 전달 모듈을 TRS41, TRS42라 한다. TRS41은 캐리어 블록(D1)으로부터 검사 블록(D2)으로의 반입, TRS42는 검사 블록(D2)으로부터 캐리어 블록(D1)으로의 반출을 위하여, 웨이퍼(W)가 각각 배치되는 전달 모듈이다.
타워(T1)는, 다수의 전달 모듈(TRS)과 다수의 온도 조정 모듈(SCPL)이 적층되어 구성되어 있으며, 이들 모듈이 일방측 배치부를 구성한다. 상기의 처리 블록(D3)을 구성하는 층은 6 개이며, 이들 각 층과 검사 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여, 당해 각 층의 높이에 전달 모듈(TRS) 및/또는 온도 조정 모듈(SCPL)이 마련되어 있다. 타워(T1)의 전달 모듈(TRS)에 대하여, 최하층의 높이에 마련되는 것을 TRS11 및 TRS21, 2 번째로 낮은 층의 높이에 마련되는 것을 TRS12 및 TRS22로서 도 3에 나타내고 있다. 또한 타워(T1)의 전달 모듈(TRS)에는, 검사 블록(D2) 내에서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 것이 포함되며, TRS17, TRS18로서 나타내고 있다.
온도 조정 모듈(SCPL)에 대해서는, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치부와, 당해 배치부에 있어서의 냉매의 유로를 구비하고, 당해 배치부에 배치된 웨이퍼(W)의 온도가 원하는 온도가 되도록 조정된다. 이 SCPL에 대해서도 TRS와 마찬가지로 각각을 구별하기 위하여, SCPL의 뒤에 숫자를 붙여 나타낸다. 타워(T1)에 있어서 온도 조정 모듈은, 처리 블록(D3)의 각 층의 높이에 마련되어 있으며, 하층으로부터 차례로 SCPL11 ~ CPL16로서 도 3에 나타내고 있다.
반송 기구(22)는 연직축 둘레로 회전 가능, 또한 승강 가능한 이동체와, 당해 이동체를 진퇴 가능하게 구성된 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체를 구비하고 있다. 그리고 이 반송 기구(22)는, 검사 블록(D2) 내의 각 전달 모듈(TRS), 처리 전 검사 모듈(23), 처리 후 검사 모듈(24)의 각각에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 반송 기구(25)는 타워(T1)의 각 모듈에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
검사 블록(D2)의 하우징(21) 내에 있어서, 전달 모듈(TRS)의 적층체 및 반송 기구(22)의 전방측은 액 저류 영역(26)으로서 구성되어 있으며, 도포, 현상 장치(1)에서 행해지는 액 처리에 이용되는 각종의 처리액을 저류하는 저류부가 마련된다. 또한 하우징(21) 내의 천장부에서 반송 기구(22) 상에는 필터(28)가, 반송 기구(25) 상에는 필터(29)가 각각 다운 플로우를 형성하기 위하여 마련되어 있다.
하우징(21) 상에는 FFU(31, 32, 33)가 왼쪽으로부터 오른쪽을 향해 이 순으로 마련되어 있다. FFU(32, 33)는 흡인한 공기를 필터(28, 29)로 각각 공급하고, 필터(28, 29)로부터 당해 공기가 후방, 하방으로 각각 방출된다. 그와 같이 방출된 공기는, 예를 들면 캐리어 블록(D1)으로 흘러 배기된다. 또한, 가스 공급 기구를 이루는 FFU(31)에는 덕트(34)의 일단이 접속되어 있고, 덕트(34)의 타단은, 하우징(21)의 측벽을 따라 하방으로 연장되어, 상기한 캐리어 블록(D1)의 고신부(13)의 필터(18)에 접속되어 있다. 즉, FFU(31)로 흡인된 공기가, 필터(18)로부터 하방으로 방출된다.
그런데 고신부(13)의 상방에 있어서, 복수의 캐리어(C)를 전후로 배열하여 각각 배치 가능한 3 단의 선반이 마련되어 있다. 각 선반은 검사 블록(D2)의 측벽으로부터 돌출되도록 마련되며, 하방측의 2 개의 선반은 캐리어 대기부(20)로서 구성되고, 상방측의 선반은 캐리어 반입반출부(19)로서 구성되어 있다. 캐리어 반입반출부(19)는, 상기한 OHT 등의 외부 반송 기구에 대하여 캐리어(C)를 전달하기 위하여, 당해 캐리어(C)가 배치되는 장소이다. 캐리어 대기부(20)는 웨이퍼(W)가 도포, 현상 장치(1) 내로 반출되기 전의 캐리어(C) 및 웨이퍼(W)가 반출된 후이고 당해 웨이퍼(W)가 되돌려지기 전의 캐리어(C)를 대기시키는 장소이다. 이와 같이 캐리어 반입반출부(19) 및 캐리어 대기부(20)는, 캐리어(C)가 임시 배치되는 캐리어 임시 배치부를 구성한다.
캐리어 블록(D1)의 저신부(12) 상에는, 도시하지 않는 캐리어(C)의 이동 배치 기구가 마련된다. 그 이동 배치 기구에 의해, 외부 반송 기구에 의해 캐리어 반입반출부(19)로 반송된 캐리어(C)는, 캐리어 스테이지(14) → 캐리어 대기부(20) → 캐리어 스테이지(14) → 캐리어 반입반출부(19)의 순으로 이동 배치된다. 그리고, 이와 같이 이동 배치된 캐리어(C)는 외부 반송 기구에 의해, 캐리어 반입반출부(19)로부터 다른 장치로 반송된다.
이어서, 처리 블록(D3)에 대하여 설명한다. 상기한 바와 같이 처리 블록(D3)은 6 개의 층이 적층되어 구성되어 있으며, 이 6 개의 각 층을 단위 블록으로서, 하방으로부터 차례로 E1 ~ E6으로서 나타낸다. 그리고 종방향으로 연속하는 2 개의 층이, 웨이퍼(W)에 각각 동일한 처리를 행할 수 있도록 동종의 처리 모듈을 구비한다. 즉, 단위 블록 E1, E2 사이에서, E3, E4 사이에서, E5, E6 사이에서 각각 동종의 처리를 행할 수 있다.
처리 블록(D3)에서는 처리액으로서, 도포막 형성용의 약액(도포액), 현상액, 세정액이 웨이퍼(W)에 공급됨으로써, 도포막의 형성, 현상, 세정이 각각 행해진다. 이 도포막으로서는 반사 방지막, 레지스트막, 보호막이, 이 순으로 웨이퍼(W)의 표면에 형성된다. 보호막은 액침 노광 시에 레지스트막을 보호하기 위한 막이다. 또한, 이 처리 블록(D3)에서 행해지는 세정은 노광 전의 웨이퍼(W)의 이면의 세정이며, 노광기(D5)의 스테이지에 웨이퍼(W)를 배치했을 시에 웨이퍼(W)의 이면에 부착하는 이물에 의해 당해 웨이퍼(W)의 표면의 높이가 이상(異常)이 되어 디포커스가 발생하는 것을 방지하기 위하여 행해진다.
각 단위 블록(E(E1 ~ E6))에서 행해지는 액 처리를 기술하면, 단위 블록(E1, E2)에서는 레지스트막의 하층에 있어서의 반사 방지막의 형성과, 노광 전의 웨이퍼(W)의 이면의 세정이 행해진다. 단위 블록(E3, E4)에서는 레지스트막 및 보호막의 형성이 행해지고, 단위 블록(E5, E6)에서는 현상 처리가 행해진다. 따라서, 웨이퍼(W)는 단위 블록(E1, E2) → 단위 블록(E3, E4) → 단위 블록(E1, E2) →단위 블록(E5, E6)의 순으로 반송된다. 단위 블록(E1 ~ E6)은 서로 구획되고, 단위 블록마다 분리된 반송 영역을 웨이퍼(W)가 반송되는데, 이후에 상세하게 기술하는 바와 같이 단위 블록(E1, E2)의 우측에 대해서는, 그 반송 영역의 분리가 행해져 있지 않다.
단위 블록(E1 ~ E6)의 적층체는 사각형으로 형성되어 있다. 그리고, 이 적층체에 있어서의 전방측을 좌우로부터 개재하도록 부대 설비 설치부(35, 36)가 마련되어 있다. 부대 설비 설치부(35)는 검사 블록(D2)측에 마련되어, 당해 검사 블록(D2)의 하우징(21) 내로 진입하고, 상기한 타워(T1)의 전방에 위치한다. 따라서 당해 부대 설비 설치부(35)는, 반송 기구(25)와 함께 타워(T1)를 전후로부터 개재하도록 마련되어 있다. 부대 설비 설치부(36)는 인터페이스 블록(D4)측에 마련되어 있으며, 상세한 위치는 후술한다. 부대 설비 설치부(35, 36)는, 각 단위 블록(E)에 있어서의 액 처리 모듈의 부대 설비가 설치되는 블록이며, 단위 블록 E1에서 E6에 걸치는 높이 영역에 마련되어 있다.
이 액 처리 모듈의 부대 설비에는, 당해 모듈에 전력을 공급하는 케이블, 모듈을 구성하는 컵 내를 배기하는 배기로를 형성하는 배기용 덕트, 모듈로부터 배액하기 위한 배액로를 형성하는 배액관, 모듈로 처리액을 공급하는 공급로를 형성하는 공급관 등이 포함된다. 상기의 전력 공급 케이블, 배기용 덕트, 배액관 및 처리액 공급관에 대하여, 단위 블록(E)의 좌측의 액 처리 모듈에 관한 것은 부대 설비 설치부(35)를 하방을 향하도록, 단위 블록(E)의 우측의 액 처리 모듈에 관한 것은 부대 설비 설치부(36)를 하방을 향하도록 깔린다.
도 5는 처리 블록(D3)의 전방측의 개략 구성을 나타내고 있다. 상기의 액 처리 모듈을 구성하는 컵은 각 단위 블록(E1 ~ E6)의 좌우로 분할된 베이스체 상에 마련되어 있고, 좌측의 베이스체를 91, 우측의 베이스체를 92라 한다. 그리고, 각 단위 블록(E)의 베이스체(91, 92) 사이의 간극을 93이라 하고 있다. 또한, 단위 블록(E1, E2)에서는 베이스체(91, 92) 사이에 있어서 후술하는 처리액 공급 기기의 설치부(39)가 개재되어 있으며, 이 설치부(39)와 베이스체(91) 사이의 공간을 간극(93)이라 한다. 각 단위 블록(E)에서 간극(93)은 좌우의 중앙부에 형성되고, 이 간극(93)은, 단위 블록(E5, E6)의 액 처리 모듈인 현상 모듈의 부대 설비의 배치에 이용되는데, 이후에 상세하게 설명한다. 베이스체(91, 92) 및 간극(93)에 대해서는, 이 도 5 및 후술하는 단위 블록(E5)의 구성을 나타내는 도 8 이외에서는 표시를 생략하고 있다.
이어서, 각 단위 블록에 대하여, 처리 블록(D3)의 종단 측면도인 도 6도 참조하여 설명한다. 먼저, 단위 블록(E3)에 대하여 설명한다. 도 7은 이 단위 블록(E3)의 평면도이다. 단위 블록(E3)에는, 전후의 중앙부에 있어서 좌우로 연장되는 웨이퍼(W)의 반송로(반송 영역)(30)가 형성되어 있다. 반송로(30) 전체에 다운 플로우가 형성되도록 필터(37)가 마련되어 있고, 당해 필터(37)는 당해 반송로(30)를 형성하는 단위 블록(E3)의 천장부에 배치되어 있다. 반송로(30)의 전방에는 당해 반송로(30)에 면하도록, 레지스트 도포 모듈(4A), 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)이 좌측, 우측에 각각 마련되어 있다. 따라서 이들 레지스트 도포 모듈(4A), 약액 도포 모듈(4B)은 좌우로 배열되어 마련되어 있다.
레지스트 도포 모듈(4A)은, 당해 레지스트 도포 모듈(4A)을 반송로(30) 및 다른 모듈에 대하여 구획하는 구획벽(41)을 구비하고, 후술하는 컵(43) 내로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 구획벽(41)에는 반송로(30)에 면하여 웨이퍼(W)의 반송구(42)(도 7에서는 비표시)가 마련되어 있다. 레지스트 도포 모듈(4A)은, 웨이퍼(W)를 각각 수납하고 또한 좌우로 배열되는 3 개의 컵(43)을 구비하고 있으며, 컵(43) 내에는 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지하여 회전시키는 스핀 척(44)이 마련되어 있다. 컵(43)은 부대 설비인 상기의 배기용 덕트를 개재하여, 공장의 배기로 등의 배기원에 접속되어 있고, 당해 컵(43)의 내부가 배기된다. 즉, 레지스트 도포 모듈(4A)은 컵(43)에 의해 배기된다. 또한, 컵(43)에는 부대 설비인 상기의 배액관이 접속된다. 그리고 레지스트 도포 모듈(4A)에는, 3 개의 컵(43)에 공용되며, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트를 토출하는 노즐(45)이 마련된다. 노즐 이동 기구(46)에 의해 노즐(45)은, 각 컵(43)의 웨이퍼(W) 상과, 예를 들면 당해 컵(43) 사이에 마련되는 도시하지 않는 대기 영역과의 사이를 이동한다.
또한, 3 개의 컵(43)에 중첩되도록 필터(47)가 마련되어 있고, 당해 필터(47)는 당해 컵(43)을 향해 다운 플로우를 형성할 수 있도록 단위 블록(E3)의 천장부에 배치되어 있다. 또한, 레지스트 도포 모듈(4A)은 단위 블록(E3)의 좌측에 마련되기 때문에, 상기한 바와 같이 그 부대 설비는 부대 설비 설치부(35)에 마련된다.
보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)은, 노즐(45)로부터 레지스트 대신에 보호막 형성용의 약액이 토출되는 것, 부대 설비가 부대 설비 설치부(36)에 마련되는 것을 제외하고, 레지스트 도포 모듈(4A)과 동일하게 구성되어 있다. 또한, 레지스트 도포 모듈(4A)의 컵(43), 약액 도포 모듈(4B)의 컵(43)은, 도 5에서 설명한 베이스체(91), 베이스체(92)에 각각 마련된다.
반송로(30)의 후방에는, 당해 반송로(30)에 면하도록 상하 2 단으로 처리 모듈이 적층되어 마련되어 있고, 이 처리 모듈의 적층체는 8 개 좌우로 나란히 배치되어, 처리 모듈군을 형성하고 있다. 이 처리 모듈군을 구성하는 모듈로서는 예를 들면, 복수의 가열 모듈(51), 복수의 가열 모듈(52) 및 검사 모듈(53)이 포함된다. 가열 모듈(51, 52)은 열판을 구비하고 있으며, 당해 열판에 배치된 웨이퍼(W)를 가열하여 도포막 중의 용제를 제거한다. 가열 모듈(51)은, 레지스트막 형성 후이고 보호막 형성 전인 웨이퍼(W)의 가열, 가열 모듈(52)은 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)의 가열을 행한다. 검사 모듈(53)은, 가열 모듈(51)에서 가열 후의 웨이퍼(W)의 레지스트막을 검사하기 위하여 웨이퍼(W)를 촬상한다.
단위 블록(E3)에는 반송 기구(F3)가 마련되어 있다. 이 반송 기구(F3)는 반송로(30)에 전후로부터 면하는 각 모듈, 타워(T1)의 단위 블록(E3)의 높이의 모듈, 인터페이스 블록(D4)에 마련되는 후술하는 타워(T2)의 단위 블록(E3)의 높이의 모듈로 각각 웨이퍼(W)를 전달한다. 반송 기구(F3)는 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 2 개의 유지체(61), 각 유지체(61)를 독립하여 진퇴시키는 이동체(62), 이동체(62)를 연직축 둘레로 회동시키는 회동부(63), 회동부(63)를 승강시키는 승강부(64), 및 승강부(64)를 좌우로 이동시키는 구동축을 구비하는 이동 기구(65)를 포함하고 있다.
유지체(61), 이동체(62), 회동부(63) 및 승강부(64)가 반송로(30)에 마련되고, 이동 기구(65)는 반송로(30)의 후방측의 처리 모듈군의 하방에 마련되어 있다. 이 처리 모듈군에 형성되는 웨이퍼(W)의 반송구(미도시)와 이동 기구(65)가 마련되는 영역으로부터, 반송로(30)가 배기된다. 즉, 반송로(30)는 후방으로부터 배기되도록 구성되어 있다. 또한, 기술한 캐리어 블록(D1)의 반송 기구(17)에 대해서는 이동 기구(65)에 의한 이동 방향이 상이한 것을 제외하고 이 반송 기구(F3)와 동일한 구성이며, 검사 블록(D2)의 반송 기구(22, 25)에 대해서는 이동 기구(65)가 마련되지 않는 것을 제외하고, 반송 기구(F3)와 동일한 구성이다.
단위 블록(E4)은 단위 블록(E3)과 동일한 구성이며, 반송 기구(F3)에 상당하는 반송 기구를 F4라 한다.
이어서, 단위 블록(E1, E2)에 대하여, 단위 블록(E3, E4)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 상기의 도 1은 단위 블록(E1)의 평면을 나타내고 있고, 종단 정면을 나타내는 도 2, 도 3 및 종단 측면을 나타내는 도 6 외에, 당해 도 1도 참조한다. 단위 블록(E1, E2)의 좌측은 각각 동일하게 구성되어 있고, 단위 블록(E1, E2)의 반송로(30)의 전방에는, 레지스트 도포 모듈(4A) 대신에 반사 방지막 형성용의 약액 도포 모듈(4C)이 반송로(30)에 면하여 각각 마련되어 있다. 약액 도포 모듈(4C)은, 노즐(45)로부터 레지스트 대신에 반사 방지막 형성용의 약액이 토출되는 것을 제외하고, 레지스트 도포 모듈(4A)과 동일하게 구성되어 있다.
또한 단위 블록(E1, E2)에서는, 단위 블록(E3)과 마찬가지로 상하 2 단의 처리 모듈의 적층체가 좌우로 배열되어, 반송로(30)의 후방측에 처리 모듈군이 형성되어 있다. 단, 단위 블록(E1, E2)의 각각에 이 처리 모듈의 적층체는 5 개만 마련되어 있고, 단위 블록(E1, E2)의 좌측쪽에 배치되어 있다. 이 처리 모듈군에는, 예를 들면 복수의 소수화 처리 모듈(54), 복수의 가열 모듈(55), 검사 모듈(56)이 포함되어 있다. 소수화 처리 모듈(54)은, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판과, 열판으로 가열되는 웨이퍼(W)의 표면에 소수화 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비한다. 가열 모듈(55)은 가열 모듈(51, 52)과 동일한 구성이며, 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하여 막 중의 용제를 제거한다. 검사 모듈(56)은 반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W)를 검사하기 위하여 촬상한다.
단위 블록(E1, E2)의 좌측에는, 각각 반송 기구(F3)에 상당하는 반송 기구(F1, F2)가 마련되어 있다. 반송 기구(F1)는, 단위 블록(E1)에 있어서의 반송로(30)의 후방측의 처리 모듈군, 단위 블록(E1)에 있어서의 약액 도포 모듈(4C), 타워(T1)에 있어서 단위 블록(E1)의 높이의 모듈에 각각 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 반송 기구(F2)에 대해서는, 액세스하는 모듈이 단위 블록(E2) 내의 모듈 및 타워(T1)에서 단위 블록(E2)의 높이의 모듈이 되는 것을 제외하고, 반송 기구(F1)와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
단위 블록(E1, E2) 사이에서 반송로(30)는 서로 연통하고 있다. 즉, 단위 블록(E1)의 우측에 있어서는 반송로(30)를 구획하기 위한 천장부가 마련되어 있지 않다. 이후는, 이와 같이 단위 블록(E1, E2)의 우측에서 상하로 연통한 반송로(반송 영역)를 공통 반송로(66)라 칭하며, 단위 블록(E1, E2)의 좌측에 있어서의 단위 블록 사이에서 분리된 반송로(30)와는 구별하여 기재한다. 그와 같이 단위 블록(E1)에는 반송로(30)를 구획하는 천장이 없는 구성이기 때문에, 공통 반송로(66)에는 제 2 단위 블록(E2)의 필터(37)에 의해 다운 플로우가 형성된다. 상기의 반송 기구(F1, F2)는 반송로(30) 및 공통 반송로(66) 중 반송로(30)만을 이동하여, 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
단위 블록(E1, E2)의 우측에는 세정 모듈로서, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈(4D)이 마련되어 있고, 이 이면 세정 모듈(4D)은 공통 반송로(66)에 면하여, 당해 공통 반송로(66)의 전방 및 후방에 마련되어 있다. 따라서, 단위 블록(E1, E2)의 전방측에 있어서는, 이면 세정 모듈(4D) 및 약액 도포 모듈(4C)이 좌우로 배열되어 마련되어 있다. 이면 세정 모듈(4D)은, 레지스트 도포 모듈(4A)과 대략 동일한 구성을 가지고 있으며, 레지스트 도포 모듈(4A)과의 차이점을 중심으로 설명하면, 이면 세정 모듈(4D)의 컵(43)에 대해서는 좌우로 2 개 배열되어 마련되어 있다. 레지스트 도포 모듈(4A)과 마찬가지로, 단위 블록의 천장부의 필터(37)로부터 이들 컵(43)을 향하는 다운 플로우가 형성된다.
각 컵(43) 내에는 스핀 척(44) 외에, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 세정액을 토출하는 미도시의 노즐이 마련되어 있다. 레지스트 도포 모듈(4A)과 달리, 이면 세정 모듈(4D)에는, 웨이퍼(W)의 표면에 도포액을 공급하는 노즐(45) 및 당해 노즐(45)에 대응하는 노즐 이동 기구(48)가 마련되어 있지 않다. 노즐(45)이 마련되지 않기 때문에, 당해 노즐(45)의 대기 영역도 마련되지 않으므로, 이면 세정 모듈(4D)의 컵(43) 간의 거리는, 상기한 레지스트 도포 모듈(4A) 및 약액 도포 모듈(4B, 4C)에 있어서의 컵(43) 간의 거리보다 작다. 그런데 이면 세정 모듈(4D)에 대해서는, 웨이퍼(W)의 표리를 반전시키지 않은 채로 처리를 행할 수 있는 구성으로 되어 있다. 상세하게 말하면, 이면이 하방을 향한 상태로 웨이퍼(W)는 이면 세정 모듈(4D)로 반송되어, 그 이면이 유지부에 유지된다. 또한, 이면 세정 모듈(4D)의 컵 내(43)에는 브러시가 마련되어 있다. 유지부에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 대하여, 상기의 컵(43) 내의 노즐로부터의 세정액의 공급과, 상기의 브러시의 슬라이드 이동이 행해져, 웨이퍼(W)의 이면이 세정된다. 또한, 상기의 웨이퍼(W)의 이면을 유지하는 유지부는, 스핀 척(44) 및 당해 스핀 척(44)과는 웨이퍼(W)의 이면의 상이한 부위를 유지하는 도시하지 않는 유지 기구이며, 웨이퍼(W)의 이면 전체가 세정 가능하도록, 순서대로 유지를 행한다.
그런데 이면 세정 모듈(4D)을 구성하는 2 개의 컵(43)은, 기술한 베이스체(92) 상에 마련되며, 당해 베이스체(92)는 각 컵(43)에 공통이다. 따라서, 컵(43) 내의 스핀 척(44), 당해 스핀 척(44)을 회전시키는 회전 기구, 웨이퍼(W)의 이면에 세정액을 토출하는 노즐에 대해서도 베이스체(92) 상에 마련된다. 이와 같이 공통의 베이스체(92)에 복수의 컵(43)이 마련되는 구성에 의해, 각 스핀 척(44)의 수평도의 조정 등의 메인터넌스 시의 번거로움의 경감을 도모할 수 있다. 또한, 예를 들면 상기의 회전 기구 및 노즐을 이동시키는 이동 기구에 전력을 공급하는 전력 공급계의 일부는 컵(43) 사이에서 공통화되어, 베이스체(92)에 마련된다. 이와 같이 베이스체(92)에 컵(43)을 복수 마련하는 구성에 의해, 각 컵(43)에서 처리를 행함에 있어 필요한 부품을 공통화하여, 당해 이면 세정 모듈(4D) 나아가서는 도포, 현상 장치(1)의 제조 코스트의 저하를 도모할 수 있다.
공통 반송로(66)의 후방측의 이면 세정 모듈(4D)에 대한 부대 설비인 전력 공급 케이블, 배기용 덕트, 배액관, 처리액 공급관의 각각은, 컵(43)의 배열의 외측의 스페이스에 깔린다. 그에 반해, 공통 반송로(66)의 전방측의 이면 세정 모듈(4D)에 대한 전력 공급 케이블, 배기용 덕트, 배액관, 처리액 공급관의 각각은, 상기한 부대 설비 설치부(36)에 깔린다.
단위 블록(E1, E2)의 각각에 있어서, 반송로(30)의 전방에서 반사 방지막 형성용의 약액 도포 모듈(4C)과 이면 세정 모듈(4D)과의 사이에는, 처리액 공급 기기의 설치부(39)가 마련되어 있다. 이 처리액 공급 기기로서는, 레지스트 도포 모듈(4A), 약액 도포 모듈(4B), 약액 도포 모듈(4C), 이면 세정 모듈(4D), 후술하는 현상 모듈, 노광 후 세정 모듈로 각각 처리액을 공급하는 펌프 및 밸브가 포함된다. 즉, 상기한 검사 블록(D2)의 액 저류 영역(26)에 저류되는 각 처리액이, 이 설치부(39)의 펌프에 의해 당해 설치부(39)를 경유하여 각 액 처리 모듈로 공급된다.
단위 블록(E1, E2)에는, 단위 블록(E1, E2)에서 공통인 반송 기구(F7)가 마련되어 있다. 단위 블록(E1, E2)의 각 이면 세정 모듈(4D) 및 인터페이스 블록(D4)의 타워(T2)에서 단위 블록(E1, E2)의 각 높이에 위치하는 모듈에 액세스하고, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 즉, 반송 기구(F7)는 반송로(30) 및 공통 반송로(66) 중, 공통 반송로(66)만을 이동하여 웨이퍼(W)를 전달한다.
반송 기구(F7)는 반송 기구(F1 ~ F4)와 대략 동일하게 구성되어 있고, 차이점으로서는 각 높이의 이면 세정 모듈(4D)에 액세스할 수 있도록, 반송 기구(F7)의 유지체(61)의 승강 가능한 길이는, 반송 기구(F1 ~ F4)의 유지체(61)의 승강 가능한 길이보다 큰 것을 들 수 있다. 또한, 반송 기구(F7)에 있어서의 이동 기구(65)는, 도 6에 나타내는 바와 같이 공통 반송로(66)의 저부에 마련되어 있다.
이면 세정 모듈(4D)에 대해서는, 주위로의 액의 비산을 억제하기 위하여 컵(43)을 충분한 높이로 하는 것, 및 스핀 척(44)의 하방에 회전 기구를 마련하는 것으로부터, 모듈의 높이가, 반송로(30)의 후방에서 처리 모듈군을 구성하는 각 모듈보다 크다. 한편, 컵(43)의 상방으로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위하여, 이면 세정 모듈(4D)에 대해서는 비교적 높은 위치로부터 반송 기구(F7)가 액세스한다. 즉, 상기와 같이 반송 기구(F7)의 이동 기구(65)를 공통 반송로(66)의 저부에 마련해도, 단위 블록(E1)의 이면 세정 모듈(4D)에 대한 액세스가 방해되지는 않는다. 그리고, 도포, 현상 장치(1)가 마련되는 클린룸의 높이가 비교적 작게, 단위 블록(E)의 높이를 비교적 작게 하는 것이 필요한 경우가 있다. 따라서, 공통 반송로(66)에 이동 기구(65)를 마련함으로써, 이면 세정 모듈(4D)에 중첩하여 이동 기구(65)를 마련하고 있지 않은 상기의 구성은, 단위 블록(E1)에 있어서 공통 반송로(66)의 후방측에 있어서의 이면 세정 모듈(4D)의 설치를 가능하게 하여, 당해 이면 세정 모듈(4D)의 설치수를 증가시키고 있다.
이어서, 단위 블록(E5)에 대하여 도 8의 평면도를 참조하여, 단위 블록(E3)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 반송로(30)의 후방측의 모듈군에는, 예를 들면 가열 모듈과 검사 모듈(59)이 포함된다. 이 가열 모듈로서는 노광 후의 웨이퍼(W)의 가열(이른바 PEB : post exposure bake)을 행하는 복수의 가열 모듈(57), 및 현상 후에 웨이퍼(W)의 가열을 행하는 복수의 가열 모듈(58)이 포함되고, 각각 가열 모듈(51)과 마찬가지로 구성되어 있다. 검사 모듈(59)은, 현상 후의 가열 모듈에서 처리된 웨이퍼(W)를 검사하기 위하여 촬상하는 모듈이다. 또한, 단위 블록(E5)에 있어서, 단위 블록(E3)의 반송 기구(F3)에 상당하는 반송 기구를 F5라 한다.
단위 블록(E5)에는 반송로(30)의 전방측에 있어서, 레지스트 도포 모듈(4A) 및 약액 도포 모듈(4B) 대신에, 제 1 현상 모듈(4E) 및 제 2 현상 모듈(4F)이 마련되어 있다. 제 1 현상 모듈(4E)은 포지티브형 레지스트 현상용의 현상액을 웨이퍼(W)에 공급하고, 제 2 현상 모듈(4F)은 네거티브형 레지스트 현상용의 현상액을 웨이퍼(W)에 공급한다. 웨이퍼(W)는, 성막된 레지스트막의 종류에 따라, 제 1 현상 모듈(4E) 및 제 2 현상 모듈(4F) 중 어느 하나에서 처리를 받는다. 이 예에서는, 제 1 현상 모듈(4E)이 5 개 좌우로 배열되어 단위 블록(E5)의 좌측쪽에 배치되고, 제 2 현상 모듈(4F)이 3 개 좌우로 배열되어 단위 블록(E5)의 우측쪽에 배치되어 있다. 따라서, 현상 모듈로서는 8 개 마련되어 있다. 좌측 4 개의 현상 모듈은 베이스체(91) 상에, 우측 4 개의 현상 모듈은 베이스체(92) 상에 마련되어 있다.
제 1 현상 모듈(4E)은 레지스트 도포 모듈(4A)과 마찬가지로 컵(43) 및 스핀 척(44)을 구비하는데, 당해 컵(43) 및 스핀 척(44)은 1 개만 마련되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하는 노즐에 대해서는 전방측의 대기 영역으로부터 컵 상으로 이동하여, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는데, 당해 노즐의 도시는 생략하고 있다. 상기한 현상액의 종류를 제외하고, 제 2 현상 모듈(4F)은 제 1 현상 모듈(4E)과 동일하게 구성되어 있다. 좌측 4 개의 현상 모듈의 컵(43) 간의 거리, 우측 4 개의 현상 모듈의 컵(43) 간의 거리는 기술한 각 액 처리 모듈의 컵(43) 간의 거리보다 짧고, 단위 블록(E1 ~ E4)에 비해, 단위 블록(E5)에는 보다 많은 컵(43)이 배치되어 있다.
도 8에서는, 현상 모듈(제 1 현상 모듈(4E) 및 제 2 현상 모듈(4F))의 부대 설비에 대해서도 개략적으로 나타내고 있다. 그 부대 설비에 대하여, 현상 모듈의 컵(43)에 접속되는 배기로 형성 부재인 배기용 덕트를 71로서 나타내고 있고, 또한, 현상 모듈에 접속되는 전력 공급용의 케이블을 72, 현상 모듈에 접속되는 현상액의 공급관을 73으로서 나타내고 있다.
8 개의 현상 모듈 중 좌단측의 3 개의 제 1 현상 모듈(4E)에 있어서, 배기용 덕트(71), 전력 공급용 케이블(72), 현상액 공급관(73)의 각각은 공통화되어 있다. 보다 구체적으로 말하면, 배기용 덕트(71)에 대하여, 상류단은 이들 3 개의 모듈에 접속되도록 모듈마다 마련되지만, 그 하류측은 합류하여 3 개의 모듈에서 공통화되어 있고, 그 공통화된 부분은 단위 블록(E5)으로부터 부대 설비 설치부(35)로 꺼내져, 장치의 하방을 향한다. 전력 공급용 케이블(72), 현상액 공급관(73)에 대해서도 각각 배기용 덕트(71)와 마찬가지로 모듈마다 형성된 상류측은 합류하여 공통화되어 있고, 그 공통화된 부분이 부대 설비 설치부(35)로 꺼내져 장치의 하방을 향한다.
또한, 8 개의 현상 모듈 중 우단측의 3 개의 제 2 현상 모듈(4F)에 있어서의 배기용 덕트(71), 전력 공급용 케이블(72), 현상액 공급관(73)의 각각은, 상기한 좌단측의 현상 모듈에 대한 것과 동일한 구성이다. 즉, 이들 부대 설비의 각각은, 3 개의 현상 모듈 사이에서 공통화되어 있고, 그 공통화된 부분이 단위 블록(E5)으로부터 부대 설비 설치부(36)로 꺼내져, 장치의 하방을 향한다.
그리고, 8 개의 현상 모듈 중 중앙부의 2 개의 제 1 현상 모듈(4E)에 있어서의 제 1 배기용 덕트(71), 전력 공급용 케이블(72), 현상액 공급관(73)의 각각은 공통화되어 있다. 그 공통화된 부분은, 도 5에서 설명한 기술한 베이스체(91, 92) 사이의 간극(93)을 통과하여, 더 하층의 단위 블록(E)의 베이스체(91, 92) 사이의 간극(93)을 거쳐 장치의 하방을 향해 꺼내진다. 또한 부대 설비로서, 각 현상 모듈의 컵(43)에 접속되는 배액관에 대해서는 도시를 생략했지만, 이상에 기술한 배기용 덕트(71) 등과 마찬가지로 단위 블록(E5)에서 분할되어 깔려 있다.
이와 같이 단위 블록(E5)에 있어서는, 좌측 3 개의 현상 모듈의 부대 설비, 중앙부의 2 개의 현상 모듈의 부대 설비, 우측 3 개의 현상 모듈의 부대 설비로서, 부대 설비가 3 분할되어 있다. 따라서, 좌측, 중앙부, 우측의 각각의 현상 모듈을 서로 분할된 배기 덕트에 의해 배기하는데, 그에 의해, 배기 덕트에 접속되는 배기원으로부터의 각 현상 모듈까지의 거리의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 각 현상 모듈의 컵(43)을 균일성 높게 배기할 수 있으므로, 특정한 컵(43)이 배기원으로부터 멀어지는 것에 따른 배기 성능의 부족을 방지할 수 있고, 또한 각 현상 모듈에 있어서의 처리의 균일성을 높게 할 수 있다.
또한, 상기와 같이 배기 덕트를 3 분할하는 것에 맞추어, 전력 공급용 케이블(72), 현상액 공급관 (73) 및 배액관도 3 분할하고 있기 때문에, 어느 현상 모듈에 이상이 생겼을 경우, 부대 설비를 공용하고 있는 현상 모듈만 동작을 정지하여, 메인터넌스를 행하면 된다. 즉, 부대 설비를 공용하고 있지 않는 현상 모듈에 대해서는 메인터넌스를 위하여 처리를 정지시킬 필요가 없어, 처리를 속행할 수 있기 때문에, 스루풋의 저하를 억제할 수 있으므로 유리하다.
단위 블록(E6)은 단위 블록(E5)과 동일하게 구성되어 있으며, 이 단위 블록(E6)에 있어서 단위 블록(E3)의 반송 기구(F3)에 상당하는 반송 기구를 F6라 한다. 단위 블록(E6)의 상측, 즉 처리 블록(D3)의 상측에는 FFU(74)(도 6 참조)가 마련되어 있다. 이 FFU(74)에 의해 흡인된 공기가 도시하지 않는 덕트를 거쳐, 단위 블록(E1 ~ E6)의 반송로(30) 및 단위 블록(E1, E2)의 공통 반송로(66) 상에 마련되는 필터(37) 및 각 액 처리 모듈 상의 필터(47)로 공급되어, 다운 플로우를 형성한다. 당해 FFU(74) 및 각 단위 블록(E)의 컵(43)은 급배기부를 구성한다.
그런데, 각 단위 블록(E) 내에 있어서, 반송로(30)의 후방측 및 액 처리 모듈의 컵(43)으로부터의 배기와, 각 필터(37, 47)로부터의 공기의 공급에 의해 압력 분포가 형성된다. 이 압력 분포에 대하여, 도 9, 도 10의 개략 평면도를 참조하여 설명한다. 도 9는 단위 블록(E1)을 포함하는 블록(D1 ~ D4)을, 도 10은 단위 블록(E3)을 각각 나타내고 있으며, 이들 도면에서는 압력 분포에 의해 형성되는 기류의 방향을 화살표로 나타내고 있다.
단위 블록(E1, E2)에 있어서는, 상기와 같이 각 부에서 공기의 공급과 배기가 행해짐으로써, 반송로(30) 및 공통 반송로(66)의 압력이, 반사 방지막 형성용의 약액 도포 모듈(4C)의 압력보다 낮고, 또한 이면 세정 모듈(4D)의 압력보다 높아지도록 제어되어 있다. 이와 같이 각 부의 압력이 제어되는 이유를 기술한다. 도포막을 형성하는 약액 도포 모듈(4C)에 있어서는, 도포막 중에 파티클이 혼입하여 결함이 되는 것을 방지하기 위하여, 보다 높은 청정도로 하는 것이 바람직하다. 따라서 반송로(30) 및 공통 반송로(66)로부터 약액 도포 모듈(4C)로의 파티클의 유입을 방지하기 위하여, 약액 도포 모듈(4C)로부터 반송로(30)를 향하는 공기의 흐름을 형성한다. 한편, 이면 세정 모듈(4D)에 대해서는 성막을 행하는 것은 아니므로, 약액 도포 모듈(4C)에 비해 반송로(30) 및 공통 반송로(66)로부터 흘러온 파티클에 의해, 당해 처리가 이상이 될 리스크가 낮다. 따라서 웨이퍼(W)의 세정 시에 발생하는 미스트가 공통 반송로(66) 및 반송로(30)로 흘러 웨이퍼(W)에 부착하는 것이 보다 확실하게 방지되도록, 공통 반송로(66)로부터 이면 세정 모듈(4D)을 향하는 공기의 흐름을 형성한다. 이러한 공기의 흐름을 형성하기 위하여, 상기와 같이 반송로(30) 및 공통 반송로(66), 약액 도포 모듈(4C), 이면 세정 모듈(4D) 사이에서, 상기와 같은 압력 분포가 형성되어 있다.
한편, 단위 블록(E3, E4)에 있어서는, 상기한 도포막 중으로의 파티클의 혼입을 방지하는 목적으로 반송로(30)의 압력은 레지스트 도포 모듈(4A), 약액 도포 모듈(4B)의 압력보다 높아지도록 제어되어 있다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 모듈(4A) 및 약액 도포 모듈(4B)로부터 반송로(30)로 공기가 흐른다. 단위 블록(E5, E6)에 대해서도 제 1 현상 모듈(4E), 제 2 현상 모듈(4F)의 압력보다 반송로(30)의 압력이 작아지도록 제어되어, 현상 시에 웨이퍼(W)에 파티클이 부착하는 것이 억제된다. 또한 도 9, 도 10에 나타내는 바와 같이, 각 단위 블록(E)의 반송로(30) 및 공통 반송로(66)로 공급되는 공기는, 반송로(30)의 후방으로부터 배기되거나 이면 세정 모듈(4D)의 컵(43)으로부터 배기되거나 하는 것 외에, 검사 블록(D2) 및 인터페이스 블록(D4)으로 유입되는 것에 의해서도 제거된다.
단위 블록(E1, E2)은 제 1 단위 블록이다. 그리고, 단위 블록(E3 ~ E6)은 제 2 단위 블록이며, 단위 블록(E3, E4)은 왕로용의 단위 블록, 단위 블록(E5, E6)은 귀로용의 단위 블록이다. 단위 블록(E1, E2)의 반송로(30) 및 공통 반송로(66)는 제 1 기판 반송 영역이며, 단위 블록(E3, E4)의 반송로(30)는 제 2 기판 반송 영역이다. 반송 기구(F1, F2)는 제 1 반송 기구, 반송 기구(F7)는 제 2 반송 기구, 반송 기구(F3 ~ F6)는 제 3 반송 기구이다. 그리고, 반사 방지막 형성용의 약액 도포 모듈(4C)은 제 1 처리 모듈, 이면 세정 모듈(4D)은 제 2 처리 모듈, 레지스트 도포 모듈(4A) 및 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)은 제 3 처리 모듈이다. 제 1 현상 모듈(4E) 및 제 2 현상 모듈(4F)은 제 4 처리 모듈이다.
이어서 인터페이스 블록(D4)에 대하여 평면을 나타내는 도 1 및 종단 정면을 나타내는 도 2, 도 3 외에, 종단 측면도인 도 11도 참조하여 설명한다. 인터페이스 블록(D4)은 사각형의 하우징(81)을 구비하고 있다. 하우징(81) 내에서 전후의 중앙부로 처리 블록(D3)쪽의 위치에는 타워(T2)가 마련되어 있으며, 이 타워(T2)는 하우징(81) 내에 진입하는, 기술한 부대 설비 설치부(36)의 후방에 위치하고 있다. 타워(T2)는 다수의 전달 모듈(TRS)과 다수의 온도 조정 모듈(SCPL)이 적층되어 구성되어 있고, 이들 모듈이 타방측 배치부를 구성한다. 또한, 타워(T2)의 하부측에는, 노광기(D5)로 반입 전인 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 온도 조정 모듈이 마련되어 있으며, 당해 온도 조정 모듈을 ICPL이라 한다. 또한 도 11에서는 타워(T2)에 대하여, 도시의 편의 상, 본래의 위치를 쇄선으로 나타내고, 또한 인터페이스 블록(D4)의 외측에서, 포함되는 각 모듈이 명확하게 되도록 실선으로 표시하고 있다.
인터페이스 블록(D4)의 상부측에 있어서, 부대 설비 설치부(36)의 우측에는, 노광 후 처리 모듈인 노광 후 세정 모듈(80)이, 예를 들면 종방향으로 4 개 배열되어 마련되어 있다. 노광 후 세정 모듈(80)은 평면에서 봤을 때 장방형(長方形) 형상으로 구성되고, 인터페이스 블록(D4)의 좌우의 길이를 억제하기 위하여 긴 변이 전후를 따르도록 배치되어 있다. 이 노광 후 세정 모듈(80)은 현상액 대신에, 보호막을 제거하고 또한 웨이퍼(W)의 표면을 세정하기 위한 세정액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 것을 제외하고, 현상 모듈과 동일하게 구성되어 있다.
그리고, 타워(T2)에 대하여 후방 또한 우측에는, 세로로 긴 버퍼 모듈(82)이 마련되어 있고, 인터페이스 블록(D4)의 상부측에 위치하고 있다. 따라서, 버퍼 모듈(82)은 타워(T2)에 포함되는 TRS 및 SCPL의 열에서 벗어난 위치에 마련되어 있다. 체류 모듈인 버퍼 모듈(82)은 이면 세정 모듈(4D)에서 처리 전인 웨이퍼(W)를 배치할 수 있도록 구성되어 있고, 전달 모듈(TRS)보다 많은 매수의 웨이퍼(W)를 배치하여, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.
그리고, 인터페이스 블록(D4)은 타방측 반송 기구를 구성하는 반송 기구(87, 88, 89)를 구비하고 있다. 반송 기구(87, 88)는 이동 기구(65)가 마련되지 않는 것을 제외하고, 반송 기구(F1 ~ F7)와 동일한 구성 요소를 구비하고 있다. 제 2 타방측 반송 기구이고 또한 하나의 반송 기구인 반송 기구(87)는, 타워(T2)의 후방에 위치하고 있다. 따라서, 반송 기구(87)와 부대 설비 설치부(36)에 의해, 타워(T2)는 전후에 개재되어 있다. 반송 기구(87)는, 타워(T2)의 각 높이의 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(SCPL)과, 온도 조정 모듈(ICPL)과 버퍼 모듈(82)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
그리고, 제 1 타방측 반송 기구인 반송 기구(88)는 타워(T2)의 우측에 마련되어 있고, 버퍼 모듈(82), 타워(T2)의 상부측의 각 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(SCPL)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 즉 반송 기구(88)가 인터페이스 블록(D4)의 상부측에서 웨이퍼(W)를 전달하는데 반해, 반송 기구(87)는 인터페이스 블록(D4)의 상부측과 하부측과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 기구이다. 이 때문에 반송 기구(87)의 유지체(61)는, 반송 기구(88)의 유지체(61)에 비해 긴 거리를 승강 가능하게 구성되어 있다. 즉, 반송 기구(87)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역은, 반송 기구(88)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역에 비해 종방향으로 길다. 버퍼 모듈(82), 반송 기구(88) 및 노광 후 세정 모듈(80)은 상면에서 봤을 때, 전후로 열을 이루도록 배치되어 있다.
반송 기구(89)는 노광 후 세정 모듈(80)의 하방 영역에 마련되며, 당해 반송 기구(89)를 구성하는 이동 기구(65)는 유지체(61) 등의 각 구성 요소를 전후 방향으로 이동시킬 수 있도록 마련되어 있다. 반송 기구(89)는 타워(T2)의 하부측에 마련되는 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(ICPL)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
타워(T2)에 마련되는 전달 모듈(TRS) 및 온도 조정 모듈(SCPL)에 대하여 보충 설명한다. TRS에 대하여, 단위 블록(E1 ~ E6)의 높이에 위치하고, 이들 단위 블록(E1 ~ E6)에 대한 전달에 이용되는 것을 TRS31 ~ TRS36으로 하고 있다. 또한, TRS33, TRS34 외에 단위 블록(E3, E4)의 높이에 각각 위치하여, 이들 단위 블록(E3, E4)에 대한 전달에 이용되는 것을 TRS43, TRS44로서 각각 나타내고 있다. 그 외에, 타워(T2)의 하부측에는 반송 기구(87)와 반송 기구(89) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 TRS37, 타워(T2)의 상부측에는 반송 기구(87)와 반송 기구(88) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 TRS38이 마련되어 있다. 타워(T2)의 온도 조정 모듈(SCPL)로서는, 단위 블록(E3 ~ E6)의 높이에 마련되어, SCPL33 ~ SCPL36으로서 나타내고 있다.
인터페이스 블록(D4)의 상부에 마련되는 FFU(86)는, 각 노광 후 세정 모듈(80)의 컵(43)의 상측에 마련되는 필터(85)(도 3 참조)로 공기를 공급하여, 다운 플로우를 형성한다. 또한 인터페이스 블록(D4)에는, 필터(85) 이외에도 FFU(86)로부터 공급된 공기에 의해 하우징(81) 내의 웨이퍼(W)의 반송 영역에 다운 플로우를 형성하는 필터가 마련되지만, 당해 필터의 표시는 생략하고 있다.
또한, 도포, 현상 장치(1)는 제어부(10)를 구비하고 있다(도 1 참조). 이 제어부(10)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 프로그램에는 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 일련의 동작을 실시할 수 있도록 스텝군이 짜여 있다. 그리고, 당해 프로그램에 의해 제어부(10)는 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하여, 당해 각 부의 동작이 제어된다. 그에 의해, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송 및 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다. 상기의 프로그램은, 예를 들면 콤팩트 디스크, 하드 디스크, DVD 등의 기억 매체에 저장되어, 제어부(10)에 인스톨된다.
이어서 도 12 ~ 도 14를 참조하여, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한다. 도 12의 표 도에서는 모듈과, 당해 모듈로의 반입, 반출에 이용되는 반송 기구와의 대응을 나타내고 있다. 보다 상세하게 말하면, 웨이퍼(W)가 반송되는 순으로 모듈을 표의 횡방향에 차례로 기재하고 또한 각 반송 기구를 종방향에 기재하고, 모듈에 대한 반입 및 반출에 이용되는 반송 기구에 대응하는 표 중의 매스눈에 사선을 부여하고 있다. 또한 표 중, TRS에 대해서는 T, SCPL에 대해서는 S, ICPL에 대해서는 I로서 표 중에 나타내고 있으며, 캐리어(C)에 대해서도 모듈로서 나타내고 있다. 또한, 표 중에서는 각 모듈이 블록(D1 ~ D5) 중 어느 것에 속하는지도 나타내고 있는데, 도시의 편의상, 검사 블록(D2) 및 인터페이스 블록(D4)의 온도 조정 모듈(SCPL) 및 전달 모듈(TRS)의 일부에 대해서는, 처리 블록(D3)에 마련되도록 나타내고 있다. 그리고, 도 13, 도 14는 반송 경로의 개략을 화살표로 나타내는 것이며, 웨이퍼(W)가 통과하는 모듈에 대해서는 일부 생략하고 있다. 도 13은 캐리어(C)로부터 노광기(D5)에 이르기까지의 웨이퍼(W)의 경로를 나타내고, 도 14는 노광기(D5)로부터 캐리어(C)에 이르기까지의 웨이퍼(W)의 경로를 나타내고 있다.
캐리어 블록(D1)의 반송 기구(17)에 의해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가, 검사 블록(D2)의 전달 모듈(TRS41)로 반송되고, 반송 기구(22)에 의해 처리 전 검사 모듈(23)로 반송되어 검사된 후, 반송 기구(22)에 의해 타워(T1)의 전달 모듈(TRS17)로 반송된다. 이 전달 모듈(TRS17)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(25)에 의해 타워(T1)의 전달 모듈(TRS11, TRS12)로 배분된다.
전달 모듈(TRS11)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F1)에 의해 단위 블록(E1)으로 반입된다. 그리고 당해 웨이퍼(W)는, 소수화 처리 모듈(54), 타워(T1)의 온도 조정 모듈(SCPL11), 약액 도포 모듈(4C), 가열 모듈(55), 검사 모듈(56)의 순으로 반송되어, 소수화 처리, 온도 조정 처리, 반사 방지막의 형성 처리, 가열 처리, 검사를 순차 받는다. 그리고, 이 웨이퍼(W)는 반송 기구(F1)에 의해 타워(T1)의 전달 모듈(TRS21)로 반송되어, 단위 블록(E1)으로부터 반출된다. 한편, 전달 모듈(TRS12)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F2)에 의해 단위 블록(E2)으로 반입된다. 그리고, 단위 블록(E1)으로 반입된 웨이퍼(W)와 동일하게 처리된 후, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS22)로 반송됨으로써, 단위 블록(E2)으로부터 반출된다.
그와 같이 전달 모듈(TRS12, TRS22)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(25)에 의해 타워(T1)의 온도 조정 모듈(SCPL13, SCPL14)로 배분된다. 온도 조정 모듈(SCPL13)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F3)에 의해 단위 블록(E3)으로 반입된다. 그리고 당해 웨이퍼(W)는, 레지스트 도포 모듈(4A), 가열 모듈(51), 검사 모듈(53), 타워(T2)의 전달 모듈(TRS33), 온도 조정 모듈(SCPL33), 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B), 가열 모듈(52)의 순으로 반송된다. 그에 의해, 웨이퍼(W)는 온도 조정 처리, 레지스트막의 형성 처리, 가열 처리, 검사, 온도 조정 처리, 가열 처리를 순차 받는다. 그리고, 당해 웨이퍼(W)는 반송 기구(F3)에 의해 타워(T2)의 전달 모듈(TRS43)로 반송됨으로써, 단위 블록(E3)으로부터 인터페이스 블록(D4)으로 반입된다.
온도 조정 모듈(SCPL14)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F4)에 의해 단위 블록(E4)으로 반입되고, 단위 블록(E3)으로 반입된 웨이퍼(W)와 동일하게 처리된 후, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS44)로 반송된다. 즉, 당해 웨이퍼(W)는 단위 블록(E4)으로부터 인터페이스 블록(D4)으로 반송된다.
전달 모듈(TRS43, TRS44)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(D4)의 전후의 중앙의 반송 기구(88)에 의해, 버퍼 모듈(82)로 반송된 후, 인터페이스 블록(D4)의 후방측의 반송 기구(87)에 의해, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS31)로 반송된다. 그리고, 이 전달 모듈(TRS31)의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F7)에 의해 재차 단위 블록(E1, E2)으로 반입되어, 이면 세정 모듈(4D)로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 이면 세정 모듈(4D)에서 이면 세정된 후, 반송 기구(F7)에 의해, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS32)로 반송됨으로써, 인터페이스 블록(D4)으로 되돌려진다. 이 웨이퍼(W)는, 반송 기구(87)에 의해 온도 조정 모듈(ICPL)로 반송되어 온도 조정된 후, 반송 기구(89)에 의해 노광기(D5)로 반송되어, 표면의 레지스트막이 노광된다.
노광된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(89)에 의해 타워(T2)의 전달 모듈(TRS37)로 반송되고, 반송 기구(87)에 의해 타워(T2)의 전달 모듈(TRS38)로 반송된 후, 반송 기구(88)에 의해 노광 후 세정 모듈(80)로 반송되어, 세정 처리된다. 이 후, 당해 웨이퍼(W)는 반송 기구(88)에 의해, 전달 모듈(TRS35, TRS36)로 배분된다.
전달 모듈(TRS35)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F5)에 의해 단위 블록(E5)으로 반입된다. 그리고 당해 웨이퍼(W)는, 가열 모듈(57), 타워(T2)의 온도 조정 모듈(SCPL35), 제 1 현상 모듈(4E) 또는 제 2 현상 모듈(4F), 가열 모듈(58), 검사 모듈의 순으로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 가열 처리, 온도 조정 처리, 현상 처리, 가열 처리, 검사를 순차 받은 후, 반송 기구(F5)에 의해 타워(T1)의 온도 조정 모듈(SCPL15)로 반송되어, 단위 블록(E5)으로부터 검사 블록(D2)으로 반출된다.
전달 모듈(TRS36)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(F6)에 의해 단위 블록(E6)으로 반입된다. 그리고, 당해 웨이퍼(W)는 단위 블록(E5)으로 반입된 웨이퍼(W)와 동일하게 처리된 후, 타워(T1)의 온도 조정 모듈(SCPL16)로 반송된다. 즉, 단위 블록(E6)으로부터 검사 블록(D2)으로 반출된다. 그와 같이 온도 조정 모듈(SCPL15, SCPL16)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(25)에 의해 타워(T1)의 전달 모듈(TRS18)로 반송된 후, 반송 기구(22)에 의해 처리 후 검사 모듈(24)로 반송되어 검사된다. 검사 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(22)에 의해 전달 모듈(TRS42)로 반송되어, 반송 기구(17)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다. 또한, 단위 블록(E2, E4, E6)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서는 간단히 설명했지만, 단위 블록(E1, E3, E5)과 동일한 모듈을 통과하도록 반송된다. 단, 전달 모듈(TRS), 온도 조정 모듈(SCPL)에 대해서는, 각 단위 블록의 높이에 배치된 모듈이 이용된다.
상기와 같이 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 단위 블록(E1, E2)의 좌측에는 약액 도포 모듈(4C)과, 당해 약액 도포 모듈(4C)과 웨이퍼(W)를 승강 반송 가능한 검사 블록(D2)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 기구(F1, F2)가 마련되어 있다. 한편, 단위 블록(E1, E2)의 우측에는 이면 세정 모듈(4D)과, 당해 이면 세정 모듈(4D)과 웨이퍼(W)를 승강 반송 가능한 인터페이스 블록(D4)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 기구(F7)가 마련되어 있다. 단위 블록(E1, E2)에는 반송 기구(F3, F4)를 구비한 단위 블록(E3, E4)이 적층되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)를 약액 도포 모듈(4C), 이면 세정 모듈(4D)에서 차례로 처리한 후에 노광기(D5)로 반송함에 있어, 약액 도포 모듈(4C)에서 처리 후인 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)으로부터 일단, 검사 블록(D2)으로 반출된다. 이 후에 당해 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E3, E4), 인터페이스 블록(D4)을 차례로 경유하여 이면 세정 모듈(4D)로 반송되고, 이면 세정 후에는 인터페이스 블록(D4)으로 되돌려진다. 이러한 구성에 의해, 약액 도포 모듈(4C)과 검사 블록(D2) 사이의 웨이퍼(W)의 전달, 및 이면 세정 모듈(4D)과 인터페이스 블록(D4) 사이의 웨이퍼(W)의 전달 중 일방의 동작에 영향을 받지 않고 타방의 동작을 행할 수 있다. 즉, 약액 도포 모듈(4C)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출, 이면 세정 모듈(4D)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 각각 신속하게 행할 수 있다. 또한, 반송 기구(F1, F2)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역과 반송 기구(F7)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역과의 사이에, 전달 모듈(TRS)과 같은 반송 기구 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 모듈을 마련할 필요가 없다. 따라서, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 폭을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 이 도포, 현상 장치(1)에 의하면 높은 스루풋을 얻을 수 있고, 또한 장치의 점유 바닥 면적을 축소화할 수 있다. 또한, 상기의 특허 문헌 1에서는 동일한 높이의 층(단위 블록)의 좌우에 각각 배치된 반송 기구의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달함에 있어, 반송 기구 사이에 마련한 웨이퍼(W)의 배치부를 이용하고 있다. 당해 배치부에 의해 층의 길이가 커져 버리기 때문에, 장치의 전유 바닥 면적을 작게 하는 것이 곤란하다.
도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이가 작은 것의 이점에 대하여 보충 설명한다. 일반적으로, 도포, 현상 장치를 클린룸에 설치함에 있어, 그 좌우의 폭에 대하여 제한된다. 상세하게 말하면, 도포, 현상 장치에 대하여 캐리어(C)를 반송하는 외부 반송 기구는, 클린룸 내를 이동 가능한 범위가 한정된다. 따라서, 도포, 현상 장치를 구성하는 캐리어(C)를 반입반출하기 위한 블록의 설치 가능한 위치가 제한된다. 한편, 클린룸 내에 있어서의 노광기(D5)의 배치가 결정되어 있는 경우가 있다. 이러한 사정으로부터, 좌우의 길이가 큰 도포, 현상 장치는 클린룸 내에 설치할 수 없다고 하는 문제가 있다. 그러나 도포, 현상 장치(1)에 대해서는, 상기와 같은 구성에 의해 좌우의 길이가 비교적 작기 때문에, 이 문제를 해결할 수 있다. 또한, 도포, 현상 장치(1)에서는 이면 세정 모듈(4D)에 대하여, 상기와 같이 단위 블록(E1, E2)에 배치하고 또한 기술한 경로로 웨이퍼(W)를 반송함으로써, 당해 이면 세정 모듈(4D)을 인터페이스 블록(D4)에 배치할 필요를 없애고 있다. 그에 따라, 인터페이스 블록(D4)의 대형화가 방지되고 있는 것도, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이의 단축화에 기여되고 있다.
또한, 도포, 현상 장치(1)의 단위 블록(E3, E4)에 있어서는, 레지스트 도포 모듈(4A) 및 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)이 마련되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1, E2)의 좌측으로부터 우측으로 반송하기 위하여 통과하는 단위 블록(E3, E4)에 레지스트 도포 모듈(4A) 및 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)이 마련되어 있다. 이에 따라, 이면 세정을 행할 때까지 웨이퍼(W)를 E1 ~ E4 이외의 단위 블록(E)으로 반송할 필요가 없다. 따라서, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 길어지는 것이 방지되므로 스루풋의 저하가 보다 확실히 억제되며, 또한 단위 블록(E)의 수가 늘어나는 것이 방지되므로, 장치의 대형화가 억제된다.
또한, 이면 세정 모듈(4D)은 단위 블록(E1, E2)에 각각 마련됨으로써, 2 단으로 배치되어 있다. 그와 같이 이면 세정 모듈(4D)을 복수 단에 마련함으로써, 인터페이스 블록(D4)의 타워(T2)에는, 이 이면 세정 모듈(4D)에 대한 전달을 행하기 위한 전달 모듈(TRS)(상기와 같이 TRS31, TRS32로서 표시하고 있음)도 넓은 높이 범위에 설치하는 것이 가능하게 된다. 넓은 높이 범위에 설치 가능하다고 하는 것은, 보다 많은 웨이퍼(W)가 배치되도록 당해 전달 모듈(TRS)을 구성하는 것이 가능하게 되는 것이다. 그와 같이 많은 웨이퍼(W)를 배치 가능하게 함으로써, 당해 전달 모듈(TRS)의 후단의 처리 모듈에서 일시적으로 처리가 중지되는 것과 같은 문제가 발생해도, 당해 전달 모듈(TRS)의 전단의 각 처리 모듈에서는 웨이퍼(W)의 처리를 계속할 수 있다. 즉, 장치 전체에서 웨이퍼(W)의 처리를 정지시키는 것을 방지할 수 있으므로, 장치의 스루풋의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 반송 기구(F7)는 단위 블록(E1, E2)의 공통 반송로(66)를 승강하기 때문에, 타워(T2)의 넓은 높이 범위에 액세스할 수 있다. 이 때문에, 상기의 전달 모듈(TRS31, TRS32)에 대하여, 보다 많은 웨이퍼(W)를 배치할 수 있도록 구성할 수 있다. 또한 반송 기구(F7)는, 인터페이스 블록(D4)으로부터의 웨이퍼(W)의 수취, 인터페이스 블록(D4)으로의 웨이퍼(W)의 반출을, 타워(T2)의 TRS31, TRS32를 이용하여 각각 행하고 있다. 즉 상이한 단(높이)의 모듈을 이용하여, 인터페이스 블록(D4)의 반송 기구와 단위 블록(E1, E2)의 반송 기구와의 사이에서, 웨이퍼(W)의 전달을 행하고 있다. 그러한 구성인 것도, 상기와 같이 TRS31, TRS32에 대하여 충분한 배치의 스페이스를 확보하여, 인터페이스 블록(D4)과 반송 기구(F7) 사이에서 효율적인 반송을 행하는 것에 기여한다.
또한 이면 세정 모듈(4D)을 2 단으로 마련하는 것, 및 노즐(45)이 없기 때문에 이면 세정 모듈(4D)의 컵(43) 사이의 간격을 좁게 할 수 있는 것을 이용하여, 약액 도포 모듈(4C)과 이면 세정 모듈(4D)과의 사이를, 펌프를 포함하는 처리액 공급 기기의 설치부(39)로 하고 있다. 즉, 단위 블록(E)에 있어서의 액 처리 모듈을 구성하는 컵(43) 사이에 처리액 공급 기기가 마련되어 있다. 그와 같이 처리액 공급 기기를 마련함으로써, 펌프로부터 각 액 처리 모듈의 노즐에 이르기까지의 처리액 공급관의 길이가 커지는 것이 억제된다. 이는, 처리액의 압력 손실을 억제하기 위하여 처리액 공급관에 있어서 필터를 펌프의 전단에 마련한다고 했을 경우, 이 필터와 노즐과의 거리가 가까워짐으로써 처리액 중의 이물에 대한 포집 효과가 높아지게 된다. 즉, 상기의 처리액 공급 기기의 배치는, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 제품의 수율의 저하를 방지하는 것에 기여한다고 하는 이점이 있다. 또한, 이 처리액 공급 기기는 단위 블록(E) 중 하층측인 E1, E2에 마련되기 때문에, 작업원에 의한 메인터넌스가 용이하다고 하는 이점이 있다.
또한, 반송 기구(F1, F2)가 액세스하는 모듈의 종류에 비해, 반송 기구(F7)가 액세스하는 모듈의 종류는 적다. 즉, 반송 공정수에 대하여, 반송 기구(F1, F2)에 비해 반송 기구(F7)가 적다. 그와 같이 반송 공정수가 적은 반송 기구(F7)가 단위 블록(E1, E2)에서 공용의 구성이기 때문에, 충분한 스루풋을 확보하면서, 장치의 제조 코스트를 저하시킬 수 있다.
또한, 도포, 현상 장치(1)에 있어서는, 상기와 같이 캐리어 블록(D1)의 높이는, 당해 캐리어 블록(D1)에 인접하는 검사 블록(D2)의 높이보다 작고, 캐리어 블록(D1)의 상방에서 캐리어(C)가 대기된다. 이러한 구성에 의해, 캐리어 블록(D1)보다 좌측에 캐리어 대기부(20) 및 캐리어 반입반출부(19)를 마련할 필요가 없다. 따라서, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이가 보다 확실하게 억제된다. 이와 같이 캐리어 대기부(20) 및 캐리어 반입반출부(19)를 캐리어 블록(D1) 상에 배치함에 있어, 캐리어 블록(D1)에 다운 플로우를 형성하기 위한 FFU(31)를, 평면에서 봤을 때 필터(18)와 중첩되지 않는 위치인 검사 블록(D2) 상에 마련하고 있다. 즉, 이러한 FFU(31)의 배치에 의해, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이가 커지는 것이 방지되고 있다. 또한, 이 FFU(31)로서는 검사 블록(D2) 상에 마련하는 것에는 한정되지 않고, 예를 들면 도포, 현상 장치(1)에 대하여 전방 또는 후방에 배치해도 된다.
또한 도포, 현상 장치(1)에 대해서는, 인터페이스 블록(D4)에서 처리 블록(D3)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 타워(T2)에 대하여, 후방에 당해 타워(T2)에 액세스하는 반송 기구(87)를 배치한다. 한편, 타워(T2)의 전방측에는 처리 블록(D3)의 단위 블록(E)으로부터 돌출되는 부대 설비 설치부(36)를 배치하여, 타워(T2)가 부대 설비 설치부(36)와 반송 기구(87)에 전후로부터 개재되도록 하고 있다. 이러한 각 부의 배치에 의해 부대 설비 설치부(36)에 의해 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이가 커지는 것을 억제하여, 보다 확실하게 도포, 현상 장치(1)의 점유 바닥 면적이 억제된다. 또한, 검사 블록(D2)에 있어서 타워(T1)를 전후로부터 개재하도록, 부대 설비 설치부(35)와 반송 기구(25)가 마련되어 있다. 그러한 각 부의 배치에 의해서도, 도포, 현상 장치(1)의 좌우의 길이가 커지는 것이 억제되고 있다.
또한 인터페이스 블록(D4)에 있어서, 버퍼 모듈(82)에 의해 이면 세정 전의 웨이퍼(W)가 대기된다. 따라서 이면 세정 후, 노광기(D5)로 반입될 때까지 웨이퍼(W)가 경유하는 모듈은 적어, 이면에 이물이 부착한 상태로 웨이퍼(W)가 노광기(D5)로 반입되는 것이 보다 확실하게 억제되기 때문에, 노광 시의 디포커스가 보다 확실하게 방지된다.
또한 인터페이스 블록(D4)에 있어서, 노광 후 세정 모듈(80), 타워(T2)의 모듈, 버퍼 모듈(82)에 각각 액세스하는 전후의 중앙의 반송 기구(87)와, 타워(T2)의 모듈, 버퍼 모듈(82)에 액세스하는 후방측의 반송 기구(88)를 마련하고 있다. 그리고, 노광 후 세정 모듈(80)에는 액세스하지 않는 반송 기구(88)에 대해서는, 반송 기구(87)보다 승강하는 범위가 크고, 타워(T2)에 있어서의 보다 낮은 위치에 배치된 모듈에 유지체(61)가 액세스한다. 이러한 구성에 의해 반송 기구(87, 88) 사이에서의 부하의 편향이 억제되어, 스루풋을 보다 확실하게 높게 할 수 있다.
또한, 단위 블록(E1 ~ E4)에서는 부대 설비가 좌측의 컵(43)용과 우측의 컵(43)용으로 2 분할되어 있다. 단위 블록(E1 ~ E4)의 부대 설비에 대해서도, 단위 블록(E5, E6)과 마찬가지로 부대 설비를 3 분할해도 된다. 단, 부대 설비의 구조를 간소하게 하기 위하여, 상기와 같이 컵의 수가 단위 블록(E1 ~ E4)보다 많은 단위 블록(E5, E6)만 3 분할하는 것이 바람직하다.
상기의 도포, 현상 장치(1)에서는 동일한 단위 블록(E)에 대하여 2 개 마련되어 있지만, 그러한 구성에 한정되지 않고, 예를 들면 1 개만 혹은 3 개 이상 마련되어 있어도 된다. 또한, 단위 블록(E)이 배열되는 순서도 상기의 예에 한정되지 않으며, 예를 들면 단위 블록(E3, E4)의 상방에 단위 블록(E1, E2)이 위치하고 있어도 된다.
또한, 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 모듈의 배치로서는 기술한 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 단위 블록(E1, E2)의 우측에 있어서 이면 세정 모듈(4D)이 마련되지 않고, 그 대신에 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B) 및 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(52)이 마련되도록 한다. 그리고, 단위 블록(E3, E4)에는 액 처리 모듈로서, 레지스트 도포 모듈(4A)만이 마련되고, 약액 도포 모듈(4B)이 마련되지 않도록 한다. 웨이퍼(W)는, 기술한 반송 경로로 각 단위 블록(E)을 통과하여, 이면 세정 처리를 받지 않는 것, 단위 블록(E1, E2)에서 보호막의 형성 및 그 후의 가열 처리를 받는 것 이외에는, 기술한 처리와 동일한 처리를 받도록 한다. 따라서, 단위 블록(E1, E2)의 우측에 마련되는 모듈이, 세정 모듈인 것에는 한정되지 않는다.
그 외의 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 모듈의 배치예를 들면, 예를 들면 단위 블록(E1, E2)에 있어서의 좌측에 레지스트 도포 모듈(4A), 우측에 이면 세정 모듈(4D)이 마련되고, 단위 블록(E3, E4)에 보호막 형성용의 약액 도포 모듈(4B)이 마련되는 레이아웃으로 한다. 즉 반사 방지막이 형성되지 않는 모듈 배치로 하고, 웨이퍼(W)가 상기의 경로로 각 단위 블록을 통과하여, 노광기(D5)로 반입되도록 해도 된다. 또한, 예를 들면 노광기(D5)가 액침 노광을 행하지 않는 경우에는, 보호막의 형성을 행하지 않는 장치 구성으로 하고, 단위 블록(E3, E4)에는 액 처리 모듈로서 레지스트 도포 모듈(4A)만을 배치하여, 기술한 바와 같이 각 블록 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하여 처리를 행해도 된다.
또한, 본 기술은 도포, 현상 장치에 적용되는 것에는 한정되지 않는다. 도 15는 도포 장치(9)를 나타내고 있다. 도포 장치(9)에 있어서의 도포, 현상 장치(1)와의 차이점을 들면, 도포 장치(9)는 노광기(D5)에 접속되어 있지 않다. 또한, 단위 블록(E)에 대해서는 E1, E3의 2 개만 마련되어 있다. 따라서 단위 블록(E1)에는 단위 블록(E2)에 연통하는 공통 반송로(66)는 마련되어 있지 않고, 반송로(30)의 좌측, 우측을 반송 기구(F1, F7)가 각각 웨이퍼(W)를 반송한다. 단위 블록(E1)에는 액 처리 모듈로서, 좌측에 반사 방지막 형성용의 약액 도포 모듈(4C), 우측에 레지스트 도포 모듈(4A)이 마련된다. 단위 블록(E3)에는 처리 모듈이 마련되어 있지 않다.
도 15 중의 화살표는, 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)는 약액 도포 모듈(4B)에서 처리된 후, 검사 블록(D2)로 되돌려지고, 단위 블록(E3)을 거쳐, 인터페이스 블록(D4)으로 반송된 후, 레지스트 도포 모듈(4A)로 반송되어 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(D4)으로 되돌려지고, 단위 블록(E3), 검사 블록(D2)을 차례로 통과하여, 캐리어(C)로 되돌려진다. 또한, 타워(T1, T2)에는 이러한 반송을 행할 수 있는 위치에, 전달 모듈(TRS)이 배치되는 것으로 한다. 이 도포 장치(9)에 대해서도, 도포, 현상 장치(1)와 동일한 효과를 나타낸다. 검사 블록(D2)으로부터 인터페이스 블록(D4)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 단위 블록(E)과, 인터페이스 블록(D4)으로부터 검사 블록(D2)으로 웨이퍼(W)를 반송하는 단위 블록(E)은 이 도포 장치(9)와 같이 동일해도 되고, 도포, 현상 장치(1)와 같이 상이해도 된다.
장치에서 행하는 액 처리로서는 상기한 예에 한정되지 않고, 약액의 도포에 의한 절연막의 형성, 또는 웨이퍼(W)를 접합하기 위한 접착제의 도포 처리 등이 포함되어 있어도 된다. 또한, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부한 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 및 조합이 이루어져도 된다.

Claims (18)

  1. 좌우로 연장되는 제 1 기판 반송 영역과, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 면하여 마련되는 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈과, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 마련되어, 상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈로 각각 기판을 전달하기 위한 제 1 반송 기구, 제 2 반송 기구를 구비하는 제 1 단위 블록과,
    좌우로 연장되는 제 2 기판 반송 영역과, 상기 제 2 기판 반송 영역에서 좌우로 상기 기판을 반송하는 제 3 반송 기구를 구비하고, 상기 제 1 단위 블록에 적층되어 마련되는 제 2 단위 블록과,
    상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록에 의해 구성되는 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 일방측에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구, 상기 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하기 위하여 상기 기판을 배치하는 일방측 배치부를 상기 제 1 단위 블록 및 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 구비하고, 또한 상기 기판을 수납하는 캐리어를 배치하는 캐리어 스테이지를 구비하는 기판 반입반출 블록과,
    상기 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 타방측에 마련되어, 상기 제 2 반송 기구, 상기 제 3 반송 기구로 각각 기판을 전달하기 위하여 상기 기판을 배치하는 타방측 배치부를 상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 구비하는 중계 블록과,
    상기 각 타방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하도록, 상기 중계 블록에 마련된 타방측 반송 기구와,
    상기 캐리어 및 상기 각 일방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하고, 상기 제 1 처리 모듈에서 처리가 끝나고 상기 제 2 처리 모듈에서 처리 전인 기판에 대하여 상기 제 2 단위 블록, 상기 중계 블록을 차례로 통과하여 상기 제 1 단위 블록의 타방측으로부터 상기 제 2 처리 모듈로 반송하기 위하여, 상기 제 1 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로부터 상기 제 2 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로 반송하도록, 상기 기판 반입반출 블록에 마련된 일방측 반송 기구
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 단위 블록에는, 상기 제 3 반송 기구에 의해 상기 기판이 전달되는 제 3 처리 모듈이 상기 제 2 기판 반송 영역에 면하여 마련되고,
    상기 제 3 처리 모듈은, 상기 제 1 처리 모듈에서 처리 후, 상기 제 2 처리 모듈에서 처리 전인 상기 기판을 처리하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈 및 제 3 처리 모듈은, 상기 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포 모듈을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 단위 블록은, 상기 기판 반입반출 블록으로부터 상기 중계 블록으로 상기 기판을 반송하는 왕로용의 단위 블록과,
    상기 중계 블록으로부터 상기 기판 반입반출 블록으로 상기 기판을 반송하는 귀로용의 단위 블록을 구비하고,
    상기 왕로용의 단위 블록 및 상기 귀로용의 단위 블록의 각각이, 상기 제 2 기판 반송 영역 및 상기 제 3 반송 기구를 구비하고,
    상기 왕로용의 단위 블록은 상기 제 3 처리 모듈을 구비하고,
    상기 귀로용의 단위 블록은, 상기 제 1 및 제 2 및 제 3 처리 모듈에서의 처리 후의 기판을 처리하는 제 4 처리 모듈을 구비하고,
    상기 일방측 배치부 및 상기 타방측 배치부는, 상기 왕로용의 단위 블록 및 상기 귀로용의 단위 블록의 각각의 높이에 마련되는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈 및 상기 왕로용의 단위 블록에 있어서의 상기 제 3 처리 모듈 중 어느 하나는, 레지스트를 상기 기판에 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 모듈을 포함하고,
    상기 제 4 처리 모듈은, 상기 레지스트막을 노광하기 위하여 상기 중계 블록에 접속되는 노광기에서 노광된 상기 레지스트막을 현상하도록, 상기 제 2 기판 반송 영역에 면하여 마련되는 현상 모듈인 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈 및 상기 제 2 처리 모듈은 좌우로 배열되어 마련되고,
    상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈 및 상기 제 3 처리 모듈은, 상기 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 액 처리 모듈이며,
    상기 제 1 처리 모듈과 제 2 처리 모듈 사이에, 상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈, 상기 제 3 처리 모듈의 각각으로 상기 처리액을 공급하는 공급 기기가 마련되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈은 상기 기판에 도포액을 공급하여, 도포막을 형성하는 도포 모듈이며,
    상기 제 2 처리 모듈은 상기 레지스트막의 형성 후, 상기 노광기에 의한 노광 전에 기판을 세정하는 세정 모듈인 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 타방측 배치부는 종방향으로 열을 이루고,
    상기 중계 블록에는, 상기 노광기에서 노광 후이며 현상 처리 전인 상기 기판을 처리하는 노광 후 처리 모듈과, 상기 타방측 배치부의 열에서 벗어난 위치에서, 상기 제 2 처리 모듈에서 처리 전인 상기 기판을 체류시키는 체류 모듈이 마련되고,
    상기 타방측 반송 기구는,
    상기 노광 후 처리 모듈, 상기 체류 모듈 및 상기 타방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 1 타방측 반송 기구와,
    상기 노광 후 처리 모듈 및 상기 타방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제 2 타방측 반송 기구를 구비하고,
    제 2 타방측 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역은, 제 1 타방측 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역보다 종방향으로 긴 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단위 블록의 적층체를 구성하는 하나의 단위 블록에 있어서의 상기 처리 모듈로서, 좌우로 복수 배열되고 또한 상기 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 액 처리 모듈이 마련되고,
    상기 액 처리 모듈의 열에 있어서의 좌측의 처리 모듈의 부대 설비, 중앙부의 처리 모듈의 부대 설비, 우측의 처리 모듈의 부대 설비는 서로 분할되어 있는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 액 처리 모듈은 상기 기판을 수용하여 상기 기판에 처리액을 공급하는 컵을 구비하고,
    상기 부대 설비는, 상기 컵에 접속되어 컵 내를 배기하는 배기로를 형성하기 위한 배기로 형성 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 액 처리 모듈은 상기 기판을 수용하여 상기 기판에 처리액을 공급하는 컵을 구비하고,
    상기 하나의 단위 블록은, 상기 단위 블록의 적층체를 형성하는 다른 단위 블록에 비해 상기 컵의 수가 많은 단위 블록인 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중계 블록에는, 상기 타방측 배치부가 종방향으로 열을 이루어 마련되고,
    상기 타방측 반송 기구는, 복수의 반송 기구에 의해 구성되고,
    상기 복수의 반송 기구 중 하나의 반송 기구와, 상기 제 2 처리 모듈의 부대 설비를 포함하는 부대 설비 설치부가, 상기 타방측 배치부의 열을 전후로 개재하여 마련되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 단위 블록은 종방향으로 연속하여 복수 단에 마련되고, 상기 제 2 처리 모듈은 각 단의 상기 제 1 단위 블록에 마련되는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측은 단마다 구획되고,
    상기 제 1 반송 기구는 단마다 마련되고,
    상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 타방측은 각 단 사이에서 연통하고,
    상기 제 2 반송 기구는 각 단에서 공통의 승강 가능한 반송 기구인 기판 처리 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일방측 반송 기구는, 상기 캐리어에 대하여 상기 기판을 반입반출하는 제 1 일방측 반송 기구와, 상기 제 1 일방측 반송 기구보다 상기 단위 블록의 적층체쪽에 마련되어, 상기 제 1 반송 기구와 제 3 반송 기구와의 사이에서 상기 기판을 전달하기 위하여 승강하는 제 2 일방측 반송 기구를 포함하고,
    상기 제 1 일방측 반송 기구에 의한 기판의 반송 영역 상에 마련된, 공급된 가스를 청정화하여 상기 반송 영역으로 방출하는 필터와,
    평면에서 봤을 때, 상기 필터와 중첩되지 않는 위치에 마련되고, 가스를 흡인하여 상기 필터로 공급하는 가스 공급 기구와,
    상기 반송 영역 상에 있어서 상기 캐리어를 임시 배치하기 위한 캐리어 임시 배치부
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 모듈은 상기 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포 모듈이며, 상기 제 2 처리 모듈은 상기 기판을 세정하는 세정 모듈이며,
    상기 제 1 기판 반송 영역의 압력이 상기 제 1 처리 모듈의 압력보다 낮고, 또한 제 2 처리 모듈의 압력보다 높아지도록, 상기 제 1 단위 블록에 대한 가스의 공급과 배기를 행하는 급배기부가 마련되는 기판 처리 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은, 상기 기판을 수용하여 상기 기판에 처리액을 공급하는 컵을 구비하고 또한 상기 제 1 기판 반송 영역에 대하여 전방, 후방에 각각 마련되고,
    상기 제 2 반송 기구에 마련되는 상기 기판을 유지하는 유지체를 좌우로 이동시키기 위한 이동 기구가, 상기 제 1 기판 반송 영역에 마련되는 기판 처리 장치.
  18. 좌우로 연장되는 제 1 기판 반송 영역과, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 면하여 마련되는 제 1 처리 모듈, 제 2 처리 모듈이 마련되는 제 1 단위 블록에 있어서, 상기 제 1 기판 반송 영역의 좌우의 일방측, 타방측에 각각 마련되는 제 1 반송 기구, 제 2 반송 기구에 의해, 상기 제 1 처리 모듈, 상기 제 2 처리 모듈로 각각 기판을 전달하는 공정과,
    좌우로 연장되는 제 2 기판 반송 영역을 구비하고, 상기 제 1 단위 블록에 적층되어 마련되는 제 2 단위 블록의 상기 제 2 기판 반송 영역에서, 제 3 반송 기구에 의해 좌우로 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록에 의해 구성되는 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 일방측에 마련되는 기판 반입반출 블록에 있어서, 상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 마련되는 일방측 배치부에 상기 기판을 배치하고, 상기 기판 반입반출 블록과, 상기 제 1 반송 기구와, 상기 제 3 반송 기구와의 사이에서 각각 기판을 전달하는 공정과,
    상기 기판 반입반출 블록에 마련되는 캐리어 스테이지에, 상기 기판을 수납하는 캐리어를 배치하는 공정과,
    상기 단위 블록의 적층체에 대하여 좌우의 타방측에 마련되는 중계 블록에 있어서, 상기 제 1 단위 블록 및 상기 제 2 단위 블록의 각각의 높이에 마련되는 타방측 배치부에 상기 기판을 배치하고, 상기 중계 블록과, 상기 제 2 반송 기구와, 상기 제 3 반송 기구와의 사이에서 각각 기판을 전달하는 공정과,
    상기 중계 블록에 마련된 타방측 반송 기구에 의해, 상기 각 타방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 기판 반입반출 블록에 마련된 일방측 반송 기구에 의해, 상기 캐리어 및 상기 각 일방측 배치부의 사이에서 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 제 1 처리 모듈에서 처리가 끝나고 상기 제 2 처리 모듈에서 처리 전인 기판에 대하여, 상기 제 2 단위 블록, 상기 중계 블록을 차례로 통과하여 상기 제 1 단위 블록의 타방측으로부터 상기 제 2 처리 모듈로 반송하기 위하여, 상기 제 1 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로부터 상기 제 2 단위 블록의 높이의 일방측 배치부로 상기 일방측 반송 기구에 의해 반송하는 공정
    을 구비하는 기판 처리 방법.
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