JP2022124070A - 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】筒状ガードからの基板への液滴の飛散を一層抑制できる基板処理装置、および、当該筒状ガードの加工方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャックに保持されている基板を取り囲む樹脂製の筒状ガード８０を備える。筒状ガード８０は、内周面１２０と、内周面１２０に設けられた凹凸部１２１とを有する。凹凸部１２１は、複数の凹部１３０と、互いに隣接する凹部１３０同士の間に位置する複数の凸部１３１とを有する。凹部１３０が、スピンチャック１５に保持されている基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍよりも小さい幅Ｗ１と、液滴ＬＤが複数の凸部１３１に接する状態で凹部１３０の底部１３０ａに液滴ＬＤが接しない深さＤｅとを有する。凸部１３１が、液滴ＬＤの直径Ｄｍよりも小さく、かつ、凹部１３０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有する。【選択図】図８

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置と、基板を処理する基板処理装置に用いられる筒状ガードの加工方法とに関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１および２には、縦方向の溝が複数形成された筒状のカップを備える基板処理装置が開示されている。

特開２０２０－１５５５９０号公報 特開２０１８－１６６１３５号公報

特許文献１および２のカップは、基板から飛散する液滴状態の液体を受け、液体を複数の溝の側面や底面に伝わせて滑落させる。これにより、カップからの液滴の跳ね返りを抑制できる。カップの内周面からの液滴の跳ね返りの抑制を達成する新規な構成が求められている。
そこで、この発明の１つの目的は、筒状ガードからの基板への液滴の飛散を抑制できる基板処理装置、および、当該筒状ガードの加工方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材と、前記回転保持部材に保持されている基板に液体を供給する液体供給部材と、前記回転保持部材に保持されている基板を取り囲む樹脂製の筒状ガードとを備える、基板処理装置を提供する。
この基板処理装置における前記筒状ガードは、内周面と、前記内周面に設けられた凹凸部とを有し、前記凹凸部は、複数の凹部と、互いに隣接する前記凹部同士の間に位置する複数の凸部とを有する。前記凹部は、前記回転保持部材に保持されている基板から飛散する液滴の直径よりも小さい幅と、前記液滴が複数の前記凸部に接する状態で前記凹部の底部に前記液滴が接しない深さとを有し、前記凸部は、前記液滴の直径よりも小さく、かつ、前記凹部の幅よりも小さい幅を有する。

この基板処理装置によれば、液体供給部材から、回転保持部材に保持されている基板に液体を供給することができる。回転状態の基板に液体が供給されると、回転状態の基板から液滴が飛散し、基板を取り囲む樹脂製の筒状ガードの内周面によって、基板から飛散した液滴を受けることができる。
筒状ガードの内周面に設けられた凹凸部は、複数の凹部、および、隣り合う凹部同士の間に位置する複数の凸部を有する。凹部は、液滴の直径よりも小さい幅を有しており、凸部は、液滴の直径よりも小さく、凹部の幅よりも小さい幅を有している。そのため、内周面の凹凸部に受けられた液滴は、凹部内に完全に入り込まず、複数の凸部に接する。さらに、凹部の深さは、液滴が複数の凸部に接する状態で液滴が凹部の底部に接しない深さである。凹凸部と液滴とがこのような寸法関係を有していれば、凹凸部が形成されていない平坦面と比較して、液滴が筒状ガードの内周面に接する面積を低減できる。したがって、凹凸部に対する液滴の接触角を、凹凸部が形成されていない平坦面に対する液滴の接触角よりも大きくすることができる。すなわち、内周面の疎水性を向上させることができる。

そのため、基板から飛散して筒状ガードの内周面によって受けられた液滴が内周面に留まることを抑制できる。したがって、筒状ガードの内周面に残存する液滴の量を低減できる。その結果、基板から新たに飛散する液滴と内周面に残存する液滴との衝突に起因する内周面から基板への液滴の飛散を良好に抑制できる。よって、筒状ガードからの基板への液滴の飛散の抑制が達成できる。

６００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下の回転速度で回転される基板から飛散する液滴の直径は、主に１．５ｍｍ以下である。凹部の深さが、１０μｍ以上であり、凹部の幅および凸部の幅が１．５ｍｍよりも小さければ、１．５ｍｍ以下の直径を有する液滴が凹部の底部に接することを効果的に抑制し、１．５ｍｍ以下の直径を有する液滴に対して疎水化を達成できる。

特に、凹部の幅が、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さく、凹部の深さが２００μｍ以下であり、凸部の幅が、４０μｍ以下であれば、１．５ｍｍ以下の直径を有する液滴が凹部の底部に接することを効果的に抑制し、内周面を良好に疎水化できる。このような寸法関係を有する凹凸部の平均面粗度は、３．０以上で、かつ、６．０以下である。

この発明の一実施形態では、複数の前記凹部は、前記内周面の周方向に沿う複数の円形状溝部を含む。そして、複数の前記円形状溝部は、前記内周面の中心軸線に沿う軸方向に間隔を隔てて前記内周面に設けられている。そのため、内周面の周方向の全域において、内周面の疎水性を向上させることができる。したがって、基板から飛散して筒状ガードの内周面によって受けられた液滴が内周面に残存することを内周面の全域において満遍なく抑制できる。

この発明の一実施形態では、複数の前記凹部は、前記円形状溝部と交差する方向に延びる複数の交差溝部を含む。複数の前記交差溝部と複数の前記円形状溝部とによって格子形状が形成される。そのため、凹部として円形状溝部のみが設けられている構成と比較して、凹凸部の全域において均一に疎水性を向上させることができる。
この発明の一実施形態では、前記筒状ガードの前記内周面が、鉛直方向に延びる筒状面と、前記筒状面の上端に接続され前記筒状面に対して傾斜して延びる傾斜面とを有する。そして、複数の前記凹部が、前記傾斜面に形成された複数の第１凹部を含む。

基板から斜め上方向に飛散する液滴は、主に、筒状面の上端に接続されている傾斜面によって受けられ、基板から斜め下方向に飛散する液滴は、主に、筒状面によって受けられる。筒状ガードの内周面から飛散する液滴は、斜め下方向に飛散しやすいため、筒状面から飛散する液滴よりも傾斜面から飛散する液滴の基板への再付着が問題となりやすい。
そこで、複数の凹部が、傾斜面に形成された複数の第１凹部を含む構成であれば、傾斜面の疎水性を向上させることができるので、内周面から飛散する液滴の基板への付着を良好に抑制できる。

この発明の一実施形態では、複数の前記凹部が、前記筒状面に形成された複数の第２凹部を含む。傾斜面によって受けられた液滴は、傾斜面に沿って下方に移動して筒状面へ案内される。複数の凹部が、筒状面に形成された複数の第２凹部を含む構成であれば、筒状面の疎水性を向上させることができるので、筒状面に液体が残存することを抑制できる。したがって、基板から筒状面へ向かって飛散する液滴と、筒状面に残存する液滴との衝突を抑制できる。その結果、基板から新たに飛散する液滴と筒状面に残存する液滴との衝突に起因する筒状面から基板への液滴の飛散を良好に抑制できる。

この発明の一実施形態では、複数の前記凸部が、互いに隣接する前記第１凹部同士の間に位置する複数の第１凸部と、互いに隣接する前記第２凹部同士の間に位置する第２凸部とを含む。そして、第１凸部の幅が、前記第２凸部の幅よりも小さい。
この基板処理装置によれば、第１凸部の幅が第２凸部の幅よりも小さいため、傾斜面の疎水性は筒状面の疎水性よりも高い。傾斜面の疎水性を筒状面の疎水性よりも高くすることによって、傾斜面に液滴が残留することを抑制できる。筒状ガードの傾斜面から飛散する液滴は、筒状面から飛散する液滴と比較して、基板に付着しやすい。したがって、傾斜面の疎水性を高めることによって、傾斜面から液滴が飛散して基板へ付着することを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記筒状ガードは、疎水性樹脂を用いて形成されている。そのため、筒状ガードの内周面の疎水性を一層向上できる。
この発明の他の実施形態は、所定の回転軸線まわりに基板が回転するように前記基板を保持する回転保持部材と、前記回転保持部材に保持されている基板に液体を供給する液体供給部材と、前記回転保持部材を取り囲む樹脂製の筒状ガードとを備える、基板処理装置を提供する。この基板処理装置における前記筒状ガードは、内周面と、前記内周面に設けられた凹凸部とを有し、前記凹凸部は、複数の凹部と、互いに隣接する前記凹部同士の間に位置する複数の凸部とを有する。そして、前記凹部は、１０μｍ以上である深さと、１．５ｍｍよりも小さい幅とを有し、前記凸部が、前記凹部の幅よりも小さく、かつ、１．５ｍｍよりも小さい幅を有する。

この基板処理装置によれば、上述したように、１．５ｍｍ以下の直径を有する液滴が凹部の底部に接することを効果的に抑制し、１．５ｍｍ以下の直径を有する液滴に対して疎水化を達成できる。
そのため、基板から飛散して筒状ガードの内周面によって受けられた液滴が内周面に留まることを抑制できる。筒状ガードの内周面に残存する液滴の量を低減できるので、基板から新たに飛散する液滴と内周面に残存する液滴との衝突に起因して、内周面から基板に向けて飛散する液滴を良好に抑制できる。

この発明の他の実施形態では、前記凹部の幅が、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さく、前記凹部の深さが、２００μｍ以下であってもよい。さらに、前記凸部の幅が、４０μｍ以下であってもよい。
この発明の他の実施形態では、前記内周面の平均面粗度が３．０以上で、かつ、６．０以下であってもよい。

この発明のさらに他の実施形態は、基板を液体で処理する基板処理装置において、基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材を取り囲むための樹脂製の筒状ガードの加工方法を提供する。前記加工方法は、内周面を有する筒状ガードを準備するガード準備工程と、前記内周面に凹凸部を形成することで、前記筒状ガードの前記内周面を疎水化する疎水化工程とを含む。

この加工方法によれば、内周面を疎水化する凹凸部が内周面に形成された筒状ガードを製造することができる。そのため、内周面の疎水性を、凹凸部が形成されていない面と比較して、向上させることができる。また、凹凸部が既に形成されている筒状ガードに、凹凸部を追加的に形成することができる。
したがって、基板から飛散して筒状ガードの内周面によって受けられた液滴が内周面に留まることを抑制できる。筒状ガードの内周面に残存する液滴の量を低減できるので、基板から新たに飛散する液滴と、内周面に残存する液滴との衝突に起因して、内周面から基板に向けて飛散する液滴を良好に抑制できる。よって、筒状ガードからの基板への液滴の飛散の抑制が達成できる。

この発明のさらに他の実施形態では、前記疎水化工程において、平均面粗度が３．０以上で、かつ、６．０以下となる前記凹凸部が形成される。このような平均面粗度の凹凸部を形成することができれば、内周面と液滴とによって形成される接触角を、凹凸部が形成されていない面と液滴とによって形成される接触角よりも大きくすることができる。すなわち、内周面の疎水性を、凹凸部が形成されていない面と比較して、向上させることができる。

そのため、基板から飛散して筒状ガードの内周面によって受けられた液滴が内周面に留まることを抑制できる。筒状ガードの内周面に残存する液滴の量を低減できるので、基板から新たに飛散する液滴と、内周面に残存する液滴との衝突に起因して、内周面から基板に向けて飛散する液滴を良好に抑制できる。
この発明のさらに他の実施形態では、前記疎水化工程が、前記筒状ガードを前記内周面の中心軸線まわりに回転させながら、切削部材を、所定の送り時間毎に前記内周面に沿って所定の送り距離移動させる切削部材移動工程と、前記切削部材を前記送り距離だけ移動させた後、前記内周面に対して前記切削部材を所定の押し込み量だけ押し込んで前記内周面を切削して円形状溝部を形成する切削工程とを含む。

切削部材の単純な移動によって、一定の深さを有する円形状溝部を一定の間隔で複数形成することができる。したがって、内周面に形成される凹凸部の寸法の均一性を高めることができる。

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部構成を示す図解的な平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図４は、前記処理ユニットに備えられる筒状ガードの構成を説明するための模式的な断面図である。 図５は、前記筒状ガードの断面の内周面付近を拡大した図である。 図６は、前記凹凸部を図５に示す矢印ＶＩから見た図である。 図７は、前記筒状ガードの内周面に設けられた凹凸部の形状を説明するための模式的な斜視図である。 図８は、図６のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面に相当し、前記凹凸部の構成を説明するための模式図である。 図９は、液滴が基板から飛散する様子について説明するための模式図である。 図１０は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。 図１１は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図１２は、基板の回転速度と水滴の飛散角度との関係を示すグラフである。 図１３は、基板から飛散する水滴の直径を示すグラフである。 図１４は、筒状ガードから飛散する水滴の個数と基板の回転速度との関係を示すグラフである。 図１５は、凹凸部の存在による基板の上面に付着する水滴の個数の低減効果を説明するためのグラフである。 図１６は、凹凸部の存在による基板の上面に付着するパーティクルの数量の低減効果を説明するためのグラフである。 図１７は、接触角測定実験において、前記凹凸部に滴下された水滴付近を模式的に示した図である。 図１８は、平均面粗度が異なる凹凸部を有する筒状ガードを用いて行った接触角測定実験の結果を示すグラフである。 図１９Ａは、前記筒状ガードの製造方法を説明するための模式図である。 図１９Ｂは、前記筒状ガードの製造方法を説明するための模式図である。 図１９Ｃは、前記筒状ガードの製造方法を説明するための模式図である。 図１９Ｄは、前記筒状ガードの製造方法を説明するための模式図である。 図２０Ａは、前記凹凸部の第１変形例を説明するための模式図である。 図２０Ｂは、前記凹凸部の第２変形例を説明するための模式図である。 図２０Ｃは、前記凹凸部の第３変形例を説明するための模式図である。 図２０Ｄは、前記凹凸部の第４変形例を説明するための模式図である。 図２０Ｅは、前記凹凸部の第５変形例を説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
図１は、この発明の一実施形態に基板処理装置１の内部構成を示す図解的な平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線から見た図解的な縦断面図である。
基板処理装置１は、インデクサブロック２と、インデクサブロック２の横方向（水平方向）に隣接された処理ブロック３と、基板処理装置１を制御するコントローラ４（後述する図１０を参照）とを含む。

インデクサブロック２は、複数（この実施形態では４個）のロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲとを含む。
ロードポートＬＰは、水平方向に沿って配列されている。各ロードポートＬＰは、一つのキャリヤＣＡを保持できるように構成されている。キャリヤＣＡは、処理対象の基板Ｗを収容する基板収容器である。基板Ｗは、たとえば、半導体ウエハである。

インデクサロボットＩＲは、複数のロードポートＬＰにそれぞれ保持されるキャリヤＣＡにアクセスして、基板Ｗを搬入／搬出し、処理ブロック３との間で基板Ｗを搬送できるように構成されている。この実施形態では、インデクサロボットＩＲは、多関節アームを備えた多関節アームロボットである。
処理ブロック３は、複数（この実施形態では、１２個）の処理ユニット５と、複数の基板載置部６（第１基板載置部６Ｕおよび第２基板載置部６Ｌ）と、複数の主搬送ロボットＣＲ（第１主搬送ロボットＣＲＵおよび第２主搬送ロボットＣＲＬ）とを含む。

複数の処理ユニット５は、基板Ｗに対して処理を行う。この実施形態では、各処理ユニット５は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型処理ユニットである。
複数の処理ユニット５は、複数の主搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される搬送空間８に沿って当該搬送空間８の両側に配列され、搬送空間８に臨んでいる。搬送空間８は、平面視において、インデクサブロック２から離れる方向に直線的に延びている。

複数の処理ユニット５は、複数（この実施形態では、４個）の処理タワーＴＷを構成している。平面視において搬送空間８の両側方のそれぞれには、複数（この実施形態では、２個）の処理タワーＴＷが配置されている。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数段（この実施形態では６段）の処理ユニット５を含む。この実施形態では、２４個の処理ユニット５が４つの処理タワーＴＷに６個ずつ分かれて配置されている。全ての処理ユニット５は、搬送空間８に臨む位置に基板搬出／搬入口５ａを有している。

各処理タワーＴＷの側方には、流体供給部９および排気部１０が配置されている。流体供給部９は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５で用いられる処理流体を供給するための配管類や、配管内の液体を送るためのポンプ類を収容する。排気部１０は、処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５の内部の雰囲気を排気するための配管類を収容する。

処理流体は、基板処理装置１で使用される液体（処理液）や気体のことである。処理液としては後述する薬液、リンス液等が挙げられる。
排気部１０には、平面視において、対応する処理タワーＴＷを構成する複数の処理ユニット５からの排気を基板処理装置１外の排気設備に導くための排気配管１１が収容されている。排気部１０は、さらに、処理ユニット５内での処理の種類（より具体的には処理液の種類）に応じて、排気配管１１を切り換える切り換え機構１２が併せて収容されていてもよい。図示は省略するが、排気部１０には、切り換え機構１２を駆動するアクチュエータ類が収容されている。

複数の処理ユニット５は、下層の処理ユニット５または上層の処理ユニット５に分類される。この実施形態では、下側３段の処理ユニット５が下層の処理ユニット５であり、上側３段の処理ユニット５が上層の処理ユニット５である。
第１基板載置部６Ｕおよび第２基板載置部６Ｌは、上下方向に並んで配置されている。第１主搬送ロボットＣＲＵおよび第２主搬送ロボットＣＲＬは、搬送空間８において上下方向に並んで配置されている。

第１基板載置部６Ｕは、インデクサロボットＩＲと第１主搬送ロボットＣＲＵとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。第２基板載置部６Ｌは、インデクサロボットＩＲと第２主搬送ロボットＣＲＬとの間で受け渡しされる基板Ｗを一時保持する。
第１主搬送ロボットＣＲＵは、第１基板載置部６Ｕと上層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。第２主搬送ロボットＣＲＬは、第２基板載置部６Ｌと下層の処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。

処理ユニット５は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１５と、平面視でスピンチャック１５を取り囲む処理カップ１６と、スピンチャック１５および処理カップ１６を収容する処理チャンバ１７とを含む。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。スピンチャック１５は、回転保持部材の一例である。

処理チャンバ１７は、下壁１７Ａ、複数（この実施形態では４個）の側壁１７Ｂおよび上壁１７Ｃ（後述する図３を参照）を含んでおり、これらによって、処理チャンバ１７の内部空間１０１が区画されている。基板搬出／搬入口５ａは、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに形成されている。
図３は、処理ユニット５の構成例を説明するための図解的な断面図である。

スピンチャック１５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、スピンモータ２３とを含む。
スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１は、平面視において基板Ｗよりも大径の円形状を有する。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向に間隔を空けて配置されている。チャックピン２０は、把持ピンともいう。

スピンベース２１および複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。
回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端部は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。

処理ユニット５は、複数の処理液ノズル３０、および、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２６を含む。複数の処理液ノズル３０は、処理チャンバ１７に収容されている。
ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の上壁１７Ｃに設けられた開口１７ａに取り付けられており、清浄空気を処理チャンバ１７内に送る送風ユニットの一例である。ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７外から処理チャンバ１７内に向かう気流を発生させるファン（図示せず）と、気流中に含まれる異物を除去するためのフィルタ（図示せず）と、ファンを駆動させるモータ等のアクチュエータ（図示せず）とを含む。

各処理液ノズル３０は、スピンチャック１５に保持されている基板Ｗに液体を供給する液体供給部材の一例である。複数の処理液ノズル３０には、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル３１と、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する上側リンス液ノズル３２と、基板Ｗの下面に向けてリンス液を吐出する下側リンス液ノズル３３とが含まれる。

薬液ノズル３１は、薬液ノズル３１に薬液を案内する薬液配管４１に接続されている。薬液配管４１には、その流路を開閉する薬液バルブ５１と、薬液ノズル３１に薬液を送る薬液ポンプ６１とが介装されている。薬液バルブ５１が開かれると、薬液が、薬液ノズル３１から下方に連続流で吐出される。
この実施形態では、薬液ノズル３１は、第１ノズル移動ユニット７１によって水平方向および鉛直方向に移動される移動ノズルである。薬液ノズル３１は、中心位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。薬液ノズル３１が中央位置に位置するときに薬液バルブ５１が開かれると、薬液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

第１ノズル移動ユニット７１は、薬液ノズル３１に結合されて水平に延びるアーム７１Ａと、アーム７１Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７１Ｂと、回動軸を昇降させる回動軸駆動ユニット７１Ｃとを含んでいてもよい。
回動軸駆動ユニット７１Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ２まわりに回動軸７１Ｂを回動させることによってアーム７１Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸７１Ｂを鉛直方向に沿って昇降させることにより、アーム７１Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

薬液ノズル３１は、この実施形態とは異なり、水平方向および鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。
薬液ノズル３１から吐出される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。

上側リンス液ノズル３２は、上側リンス液ノズル３２にリンス液を案内する上側リンス液配管４２に接続されている。上側リンス液配管４２には、その流路を開閉する上側リンス液バルブ５２と、上側リンス液ノズル３２にリンス液を送る上側リンス液ポンプ６２とが介装されている。上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が、上側リンス液ノズル３２から下方に連続流で吐出される。

この実施形態では、上側リンス液ノズル３２は、第２ノズル移動ユニット７２によって水平方向および鉛直方向に移動される移動ノズルである。上側リンス液ノズル３２は、中心位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されている。上側リンス液ノズル３２が中央位置に位置するときに上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

第２ノズル移動ユニット７２は、上側リンス液ノズル３２に結合されて水平に延びるアーム７２Ａと、アーム７２Ａに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸７２Ｂと、回動軸７２Ｂを昇降させる回動軸駆動ユニット７２Ｃとを含んでいてもよい。
回動軸駆動ユニット７２Ｃは、鉛直方向に延びる回動軸線Ａ３まわりに回動軸７２Ｂを回動させることによってアーム７２Ａを揺動させる駆動モータ（図示せず）と、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アーム７２Ａを昇降させるアームリフタ（図示せず）とを含む。アームリフタは、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

上側リンス液ノズル３２は、この実施形態とは異なり、水平方向および鉛直方向に位置が固定された固定ノズルであってもよい。
下側リンス液ノズル３３は、基板Ｗの下面中央部に向けてリンス液を吐出する固定ノズルである。下側リンス液ノズル３３は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａと、貫通孔２１ａに連通される回転軸２２の内部空間２２ａとに挿入されている。下側リンス液ノズル３３の吐出口３３ａは、スピンベース２１の上面から露出されている。

下側リンス液ノズル３３は、下側リンス液ノズル３３にリンス液を案内する下側リンス液配管４３に接続されている。下側リンス液配管４３には、その流路を開閉する下側リンス液バルブ５３と、下側リンス液ノズル３３にリンス液を送る下側リンス液ポンプ６３とが介装されている。下側リンス液バルブ５３が開かれると、リンス液が、下側リンス液ノズル３３から上方に連続流で吐出される。

リンス液は、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水、還元水（水素水）等が挙げられる。
下側リンス液ノズル３３とスピンベース２１の貫通孔２１ａとの間の空間によって、下側気体流路２５が形成されている。下側気体流路２５は、回転軸２２の内周面と下側リンス液ノズル３３との間において内部空間２２ａに挿通された下側気体配管４４に接続されている。下側気体配管４４に介装された下側気体バルブ５４が開かれると、窒素ガス（Ｎ_２ガス）等の気体が、基板Ｗの下面とスピンベース２１の上面との間の空間に向けて下側気体流路２５から吐出される。

下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。下側気体流路２５から吐出される気体は、空気であってもよい。また、下側気体流路２５から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。窒素ガス以外の不活性ガスは、たとえば、アルゴンである。
処理カップ１６は、スピンチャック１５に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数の筒状ガード８０と、複数の筒状ガード８０によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ９０と、平面視において、複数の筒状ガード８０および複数のカップ９０を取り囲む排気桶１００とを含む。筒状ガード８０は、基板Ｗから飛散する液体を受ける液受け部材の一例である。

この実施形態では、２つの筒状ガード８０（第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂ）と、２つのカップ９０（第１カップ９０Ａおよび第２カップ９０Ｂ）とが設けられている例を示している。
筒状ガード８０は、樹脂製である。筒状ガード８０は、親水性樹脂または疎水性樹脂によって形成されている。筒状ガード８０は、疎水性樹脂によって形成されていることが好ましい。

疎水性樹脂は、たとえば、フッ素樹脂である。具体的には、筒状ガード８０は、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、および、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）のうちの一種によって、または、これらのうちの二種以上を含有する混合物によって形成されている。

第１カップ９０Ａおよび第２カップ９０Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。
第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有しており、各筒状ガード８０の上端部は、筒状ガード８０の中心側に向かうように内方に傾斜している。第１筒状ガード８０Ａは、スピンチャック１５に保持されている基板Ｗを取り囲むように配置されている。第２筒状ガード８０Ｂ（内側ガード）は、第１筒状ガード８０Ａ（外側ガード）よりも第１筒状ガード８０Ａの中心側でスピンチャック１５に保持されている基板Ｗを取り囲むように配置されている。

第１筒状ガード８０Ａの中心側（以下では、「ガード内側ＩＳ」という。）は、基板Ｗの回転径方向の内側でもある。第１筒状ガード８０Ａの中心側とは反対側（以下では、「ガード外側ＯＳ」という。）は、基板Ｗの回転径方向の外側でもある。第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂは、同軸上に配置されており、第１筒状ガード８０Ａの中心側は、第２筒状ガード８０Ｂの中心側でもある。

第１カップ９０Ａは、第２筒状ガード８０Ｂと一体に形成されており、第１筒状ガード８０Ａによって下方に案内された液体を受け止める。第２カップ９０Ｂは、第２筒状ガード８０Ｂによって下方に案内された液体を受け止める。第１カップ９０Ａによって受けられた液体は、第１カップ９０Ａの下端に連結された第１処理液回収路（図示せず）によって回収される。第２カップ９０Ｂによって受けられた液体は、第２カップ９０Ｂの下端に連結された第２処理液回収路（図示せず）によって回収される。

処理ユニット５は、第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂを別々に昇降させるガード昇降ユニット９５を含む。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第１筒状ガード８０Ａを昇降させる。ガード昇降ユニット９５は、下位置と上位置との間で第２筒状ガード８０Ｂを昇降させる。
第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第２筒状ガード８０Ｂによって受けられる。第２筒状ガード８０Ｂが下位置に位置し、第１筒状ガード８０Ａが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第１筒状ガード８０Ａによって受けられる。

第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂがともに下位置に位置するときには、対応する主搬送ロボットＣＲが、処理チャンバ１７内に基板Ｗを搬入したり処理チャンバ１７内から基板Ｗを搬出したりすることができる。
ガード昇降ユニット９５は、第１筒状ガード８０Ａを昇降させる第１ガード昇降ユニットと、第２筒状ガード８０Ｂを昇降させる第２ガード昇降ユニットとを含む。第１ガード昇降ユニットは、たとえば、第１筒状ガード８０Ａに結合された第１昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第１アクチュエータ（図示せず）である。第１昇降機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。第２ガード昇降ユニットは、第２筒状ガード８０Ｂに結合された第２昇降機構（図示せず）に駆動力を与える第２アクチュエータ（図示せず）である。第２昇降機構は、たとえば、ボールねじ機構またはラックアンドピニオン機構である。

ガード昇降ユニット９５は、ガードリフタともいう。同様に、第１ガード昇降ユニットは、第１ガードリフタであり、第２ガード昇降ユニットは、第２ガードリフタである。
処理チャンバ１７の内部空間１０１は、第１筒状ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳのガード内空間１０２と、ガード内空間１０２以外のガード外空間１０３とに分けられている。処理チャンバ１７の少なくともいずれかの側壁１７Ｂには、処理チャンバ１７のガード外空間１０３を上下に仕切る仕切り板１０４が設けられている。すなわち、ガード外空間１０３は、仕切り板１０４によって、仕切り板１０４よりも上側の上空間１０３Ａと、仕切り板１０４よりも下側の下空間１０３Ｂとに分けられている。仕切り板１０４は、排気桶１００によって支持されている。

上空間１０３Ａは、仕切り板１０４よりも上側で、かつ第１筒状ガード８０Ａよりもガード内側ＩＳの空間と、仕切り板１０４よりも上側で、かつ、第１筒状ガード８０Ａよりもガード外側ＯＳの空間とを含む。
下空間１０３Ｂは、排気桶１００よりもガード内側ＩＳの内側下空間１０５と、排気桶１００よりもガード外側ＯＳの外側下空間１０６とに分けられる。

処理チャンバ１７内の雰囲気は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂおよび排気桶１００を貫通する排気接続管４５を介して排気される。排気接続管４５は、排気部１０に配置された排気配管１１（図１を参照）に接続されている。
ＦＦＵ２６は、処理チャンバ１７の内部空間１０１に清浄空気を送ることによって、気流Ｆを形成する。気流Ｆは、上空間１０３Ａからガード内空間１０２または下空間１０３Ｂを通って、排気部１０の排気接続管４５に送られる。気流Ｆは、ガード内側ＩＳにおける仕切り板１０４の端部と第１筒状ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１、または、ガード外側ＯＳにおける仕切り板１０４の端部に形成された隙間Ｇ２を通って、下空間１０３Ｂに流入する。

隙間Ｇ１を通って内側下空間１０５に流入した気流Ｆ１は、内側下空間１０５から排気接続管４５に流入する。
隙間Ｇ２を通って外側下空間１０６に流入した気流Ｆ２は、排気桶１００に形成された開口１００ａを介して、内側下空間１０５に流入し、その後、排気接続管４５に流入する。ガード内空間１０２に流入した気流Ｆ３は、ガード内空間１０２から排気接続管４５に流入する。

第１筒状ガード８０Ａの高さ位置を調整することによって、仕切り板１０４と第１筒状ガード８０Ａとの間の隙間Ｇ１のサイズを調整できる。隙間Ｇ１のサイズを調整することで気流Ｆ１～Ｆ３の流量を調整することができる。
図４は、筒状ガード８０の構成を説明するための模式的な断面図である。
図４を参照して、各筒状ガード８０は、筒状部８１、延設部８２、垂下部８３を含む。

筒状部８１は、平面視において円形状である円筒部である。筒状部８１は、スピンチャック１５を取り囲む。筒状部８１の中心側は、ガード内側ＩＳでもあり、筒状部８１の中心側とは反対側は、ガード外側ＯＳでもある。
延設部８２は、平面視円環状を有する。延設部８２は、筒状部８１の上端部に接続され、筒状部８１の上端部から筒状部８１の中心側に向かって延びる。

垂下部８３は、筒状部８１の中心側における延設部８２の端部（以下では、「中心側端部８２ａ」という。）に直接接続され、中心側端部８２ａから下方に延びる。垂下部８３は、平面視円環状を有する。垂下部８３は、下方に向かうにしたがって幅が狭くなる先細り形状を有している。垂下部８３は、断面視三角形状である。
延設部８２は、ガード内側ＩＳに向かって斜め上に延びる傾斜部８４と、傾斜部８４よりも上方で水平に延び、垂下部８３の上端部に連結される水平部８６とを有する。図４の例とは異なり、水平部８６が設けられておらず、傾斜部８４の上端部に垂下部８３が直接接続されていてもよい。

筒状ガード８０は、内周面１２０と、内周面１２０に設けられた凹凸部１２１とを有する。筒状ガード８０の内周面１２０は、筒状部８１の内周面である筒状面１２２と、傾斜部８４の内周面である傾斜面１２３と、筒状面１２２および傾斜面１２３を滑らかに連結する湾曲面１２４とによって構成されている。筒状面１２２は、鉛直方向に延びる円筒面である。傾斜面１２３は、湾曲面１２４を介して筒状面１２２の上端に接続され筒状面１２２に対して傾斜して延びる。詳しくは、傾斜面１２３は、湾曲面１２４の上端部からガード内側ＩＳに向かって斜め上に延びる。図４の例とは異なり、湾曲面１２４が設けられておらず、傾斜面１２３は、筒状面１２２の上端に直接接続されていてもよい。

凹凸部１２１は、傾斜面１２３および筒状面１２２の両方に設けられている。凹凸部１２１は、内周面１２０において、垂下部８３の下端部よりも下方の領域に設けられている。
図５は、筒状ガード８０の断面図の内周面１２０付近を拡大した図である。図６は、凹凸部１２１を図５に示す矢印ＶＩから見た図である。図７は、筒状ガード８０の内周面１２０に設けられた凹凸部１２１の形状を説明するための模式的な斜視図である。

図５および図６に示すように、凹凸部１２１は、複数の凹部１３０と、互いに隣接する凹部１３０同士の間に位置する複数の凸部１３１とを有する。この実施形態では、図７に示すように、凹部１３０は、内周面１２０の周方向ＣＤに沿う円形状溝部１３５である。同様に、凸部１３１は、内周面１２０の周方向ＣＤに沿う円形状凸部１３６である（図６を参照）。複数の円形状溝部１３５は、軸方向Ｘに間隔を隔てて内周面１２０に設けられている。

複数の凹部１３０は、内周面１２０の中心軸線Ａ４（図７を参照）に沿う軸方向Ｘに間隔を隔てて内周面１２０に設けられている。中心軸線Ａ４は、回転軸線Ａ１と一致している（図３を参照）。
図５および図６を参照して、複数の凹部１３０のうち、傾斜面１２３に形成されている凹部１３０を第１凹部１３０Ａといい、筒状面１２２に形成されている凹部１３０を第２凹部１３０Ｂという。複数の凸部１３１のうち、第１凹部１３０Ａ同士の間に位置する凸部１３１を第１凸部１３１Ａといい、第２凹部１３０Ｂ同士の間に位置する凸部１３１を第２凸部１３１Ｂという。

図８は、図６のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面に相当し、凹凸部１２１の構成を説明するための模式図である。
図８を参照して、凹部１３０が、液滴ＬＤの直径Ｄｍよりも小さい幅Ｗ１と、液滴ＬＤが複数の凸部１３１に接する状態で凹部１３０の底部１３０ａに液滴ＬＤが接しない深さＤｅとを有する。凸部１３１が、液滴ＬＤの直径Ｄｍよりも小さく、かつ、凹部１３０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有する。

そのため、内周面１２０の凹凸部１２１に受けられた液滴ＬＤは、凹部１３０内に完全に入り込まず、複数の凸部１３１に接している。凹部１３０は、液滴ＬＤが複数の凸部１３１に接する状態で、液滴ＬＤが凹部１３０の底部１３０ａに接しない深さＤｅを有している。凹凸部１２１と液滴ＬＤとがこのような寸法関係を有していれば、液滴ＬＤを凹部１３０内の空気と接触させて、液滴ＬＤが筒状ガード８０の内周面１２０に接する面積を低減できる。

したがって、凹凸部１２１に対する液滴ＬＤの接触角θを、凹凸部１２１が形成されていない内周面に対する液滴ＬＤの接触角よりも大きくすることができる。すなわち、筒状ガード８０の内周面１２０の疎水性を、凹凸部１２１が形成されていない内周面と比較して、向上させることができる。筒状ガード８０が疎水性樹脂を用いて形成されていれば、内周面１２０の疎水性を一層向上できる。

接触角θは、液滴ＬＤの気液界面と凹凸部１２１および液滴ＬＤの界面との間で液滴ＬＤの内部に形成される角度である。液滴ＬＤを構成する液体が水である場合、接触角θは、たとえば、９９°以上であることが好ましい。
次に、基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの飛散角度θｓ、および、当該飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍの具体的な数値について説明する。図９は、液体が基板Ｗから飛散する様子について説明するための模式図である。

基板Ｗの上面上に液体が存在する状態で、基板Ｗを回転させることによって、基板Ｗの周縁から基板Ｗの外側へ向けて液体が飛散する。基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍ、および、液滴ＬＤの飛散角度θｓは、基板Ｗの回転速度に依存する。飛散角度θｓは、水平面ＨＳと、液滴ＬＤの飛散方向ＳＤとがなす角度である。
基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍよりも低ければ、大半の液滴ＬＤが斜め下方向に飛散する。基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍよりも低ければ、大半の液滴ＬＤは、筒状面１２２によって受けられる。一方、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍ以上であれば、大半の液滴ＬＤが斜め上方向に飛散する。そのため、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍ以上であれば、大半の液滴ＬＤが、傾斜面１２３によって受けられる。

基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍは、基板Ｗに対する液体の供給流量と、せん断エネルギーによって変動する。せん断エネルギーは、基板Ｗの回転速度および基板Ｗの直径によって変動する。基板Ｗの直径は、概ね３００ｍｍである。基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍは、おおよそ、０．１ｍｍ以上でかつ３．０ｍｍ以下である。基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍ以上でかつ１２００ｒｐｍ以下であれば、基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍは、０．１ｍｍ以上でかつ１．５ｍｍ以下である。

直径Ｄｍが１．５ｍｍ以下である液滴ＬＤの凹部１３０への入り込みを抑制するためには、凹部１３０の深さＤｅが、１ｍｍ以下であり、１０μｍ以上であることが好ましい。また、凹部１３０の幅Ｗ１が、１００μｍ以上であり、かつ、１．５ｍｍよりも小さいことが好ましい。さらに、凸部１３１の幅Ｗ２が、１．０μｍ以上であり、かつ、１．５ｍｍよりも小さいことが好ましい。

基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍ以上でかつ１２００ｒｐｍ以下であれば、基板Ｗから飛散する液滴ＬＤの直径Ｄｍは、主に１．０ｍｍ以下である。直径Ｄｍが１．０ｍｍ以下である液滴ＬＤの凹部１３０への入り込みをより一層抑制するためには、凹部１３０の深さＤｅが、直径Ｄｍが１．０ｍｍ以下である液滴ＬＤの凹部１３０への入り込みを抑制するための条件と同様に、１．０ｍｍ以下であり、１０μｍ以上であることが好ましい。さらに、凹部１３０の幅Ｗ１は、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さいことが一層好ましく、凸部１３１の幅Ｗ２は、１．０μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さいことが一層好ましい。

このような寸法の凹凸部１２１を形成するためには、凹凸部１２１の平均面粗度を３．０以上で、かつ、６．０以下に設定する必要がある。平均面粗度Ｒａが６．０以下であれば、凹部１３０の幅Ｗ１が充分小さくなり、１．５ｍｍ以下の直径Ｄｍを有する液滴ＬＤが凹部１３０内に入り込むことを効果的に抑制できる。平均面粗度Ｒａが３．０以上であれば、凹部１３０の深さＤｅが充分大きくなり、１．５ｍｍ以下の直径Ｄｍを有する液滴ＬＤが凹部１３０内に入り込むことを効果的に抑制できる。平均面粗度Ｒａは、特に、３．８であることが好ましい。

平均面粗度Ｒａが３．０以上４．０以下とするためには、凹部１３０の深さＤｅが、１０μｍ以上であり、かつ、２００μｍ以下であることが好ましい。さらに、凹部１３０の幅Ｗ１が、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さいことが好ましく、凸部１３１の幅Ｗ２が、３０μｍ以上であり、かつ、４０μｍ以下であることが好ましい。
したがって、６００ｒｐｍ以上の回転速度で基板Ｗを回転させながら基板Ｗの上面を処理液で処理する場合には、内周面１２０において、凹凸部１２１が少なくとも傾斜面１２３に形成されていることが好ましい。さらに、凹部１３０の深さＤｅが、１０μｍ以上であり、凹部１３０の幅Ｗ１が、１．５ｍｍよりも小さく、凸部１３１の幅Ｗ２が、凹部１３０の幅よりも小さく、かつ、１．５ｍｍよりも小さいことが好ましい。

なお、平均面粗度Ｒａが高い凹凸部１２１を形成すると凸部１３１の幅Ｗ２が狭くなる。具体的には、平均面粗度Ｒａが６．０となるように凹凸部１２１を加工すると、４０μｍ以下となる。そのため、平均面粗度Ｒａが６．０以下である凹凸部１２１は、平均面粗度Ｒａが６．０よりも大きい凹凸部１２１よりも内周面１２０に加工しやすい。特に旋盤回転切削加工で凹凸部１２１を形成する場合には加工容易性の差が顕著である。したがって、加工容易性の観点から平均面粗度Ｒａは、６．０以下であることが好ましい。

図１０は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ４は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ４は、プロセッサ（ＣＰＵ）４Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ４Ｂとを含むコンピュータであってもよい。コントローラ４は、プロセッサ４Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

コントローラ４の制御対象には、インデクサロボットＩＲおよび複数の主搬送ロボットＣＲが含まれる。コントローラ４の制御対象には、排気部１０に配置されたアクチュエータ類、流体供給部９に配置されたバルブ（薬液バルブ５１、上側リンス液バルブ５２、下側リンス液バルブ５３、下側気体バルブ５４）およびポンプ（薬液ポンプ６１、上側リンス液ポンプ６２、下側リンス液ポンプ６３）が含まれる。

コントローラ４の制御対象には、さらに、処理ユニットに備えられた各部材（スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット７１、第２ノズル移動ユニット７２、ガード昇降ユニット９５、ＦＦＵ２６）が含まれる。
図１１は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図１１に示すように、薬液処理工程（ステップＳ１）、リンス処理工程（ステップＳ２）、およびスピンドライ工程（ステップＳ３）がこの順番で実行される。

以下では、主に図３および図１１を参照する。まず、未処理の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲ（図１参照）と、複数の主搬送ロボットＣＲのいずれか（図１参照）とによってキャリヤＣＡから処理ユニット５に搬入され、スピンチャック１５に渡される。これにより、基板Ｗは、スピンチャック１５によって水平に保持される（基板保持工程）。
スピンチャック１５による基板Ｗの保持は、スピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまで継続される。基板保持工程が開始されてからスピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまでの間、ガード昇降ユニット９５は、少なくとも一つの筒状ガード８０が上位置に位置するように、第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂの高さ位置を調整する。基板Ｗがスピンチャック１５に保持された状態で、スピンモータ２３が、スピンベース２１を回転させる。これにより、水平に保持された基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程）。基板Ｗの回転速度は、たとえば、６００ｒｐｍ以上でかつ１２００ｒｐｍ以下である。

そして、下側気体バルブ５４が開かれて下側気体流路２５から気体が吐出される（期待吐出工程）。下側気体バルブ５４は、スピンドライ工程（ステップＳ３）が終了するまで開かれた状態で維持される。下側気体流路２５からの気体の流量は、たとえば、５０Ｌ／ｍｉｎである。下側気体流路２５からの気体の供給、および、ＦＦＵ２６による気体の流入によって、排気流量が調整されて、処理チャンバ１７の内圧が所定の圧力に調整される。排気流量は、たとえば、３ｍ^３／ｍｉｎである。この場合、処理チャンバ１７の内圧は、－３０Ｐａに調整される。

次に、基板Ｗの上面を薬液で処理する薬液処理工程（ステップＳ１）が実行される。
具体的には、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１を処理位置に移動させる。薬液ノズル３１の処理位置は、たとえば、中央位置である。
薬液ノズル３１が処理位置に位置する状態で、薬液バルブ５１が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、薬液ノズル３１から薬液が供給（吐出）される（薬液供給工程）。

基板Ｗの上面に供給された薬液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。薬液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体が薬液で処理される。
基板Ｗの上面から排出された薬液は、第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂのいずれかの傾斜面１２３によって主に受けられる。傾斜面１２３によって受けられた薬液は、傾斜面１２３に沿って下方に移動し、筒状面１２２へ案内される。筒状面１２２へ案内された薬液は、最終的に、対応するカップ９０によって受け止められる。

次に、基板Ｗをリンス液で洗浄するリンス処理工程（ステップＳ２）が実行される。具体的には、薬液バルブ５１が閉じられた後、第１ノズル移動ユニット７１が、薬液ノズル３１をホーム位置に移動させる。薬液バルブ５１が閉じられた後、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２を処理位置に移動させる。上側リンス液ノズル３２の処理位置は、たとえば、中央位置である。

上側リンス液ノズル３２が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、上側リンス液ノズル３２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程）。
基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面の全体がリンス液で洗い流される（上側リンス工程）。

基板Ｗの上面から排出されたリンス液は、第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂのいずれかの傾斜面１２３によって主に受けられる。傾斜面１２３によって受けられたリンス液は、傾斜面１２３に沿って下方に移動し、筒状面１２２に案内される。筒状面１２２に案内されたリンス液は、最終的に、対応するカップ９０によって受け止められる。

基板Ｗの上面にリンス液を供給する際、下側リンス液バルブ５３を開いて、下側リンス液ノズル３３からリンス液を吐出させてもよい（下側リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの下面がリンス液で洗い流される（下側リンス工程）。
その後、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面を乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ３）が実行される。具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ５３が閉じられる。これにより、基板Ｗへのリンス液の供給が停止される。そして、第２ノズル移動ユニット７２が、上側リンス液ノズル３２をホーム位置に移動させる。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速度（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転させる。それによって、大きな遠心力が基板Ｗの上面および下面に残存する液体に作用し、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。基板Ｗから振り切られる液体は、第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂのいずれかによって受けられる。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。ガード昇降ユニット９５が第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂを下位置に移動させる。その後、主搬送ロボットＣＲが、処理ユニット５に進入して、スピンチャック１５のチャックピン２０から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット５外へと搬出する。その基板Ｗは、主搬送ロボットＣＲからインデクサロボットＩＲへと渡され、インデクサロボットＩＲによって、キャリヤＣＡに収納される。

この基板処理装置１では、筒状ガード８０の内周面１２０に凹凸部１２１が形成されているため、内周面１２０の疎水性が向上されている。そのため、基板Ｗから飛散して筒状ガード８０の内周面１２０によって受けられた液滴ＬＤが内周面１２０に留まることを抑制できる。筒状ガード８０の内周面１２０に残存する液滴ＬＤの量を低減できるので、基板Ｗから新たに飛散する液滴ＬＤと、内周面１２０に残存する液滴ＬＤとの衝突に起因して、内周面１２０から基板Ｗに向けて飛散する液滴ＬＤの量を良好に抑制できる。

複数の凹部１３０は、内周面１２０の周方向ＣＤに沿う複数の円形状溝部１３５を含む。そして、複数の円形状溝部１３５は、軸方向Ｘに間隔を隔てて内周面１２０に設けられている。そのため、周方向ＣＤの全域において、内周面１２０の疎水性を向上させることができる。したがって、基板Ｗから飛散して筒状ガード８０の内周面１２０によって受けられた液滴ＬＤが内周面１２０に残存することを内周面１２０の全域において満遍なく抑制できる。

また、この実施形態によれば、筒状ガード８０の内周面１２０が、鉛直方向に延びる筒状面１２２と、筒状面１２２の上端に接続され筒状面１２２に対して傾斜して延びる傾斜面１２３とを有する。そして、複数の凹部１３０が、傾斜面１２３に形成された複数の第１凹部１３０Ａを含む。
筒状ガードの内周面から飛散する（跳ね返る）液滴ＬＤは、斜め下方向に飛散しやすいため、筒状面１２２から飛散する液滴ＬＤよりも傾斜面１２３から飛散する液滴ＬＤの基板Ｗへの再付着が問題となりやすい。この実施形態では、複数の凹部１３０が、傾斜面１２３に形成された複数の第１凹部１３０Ａを含むため、傾斜面１２３の疎水性を向上させることができる。したがって、内周面１２０から飛散する液滴ＬＤの基板Ｗへの付着を良好に抑制できる。

また、この実施形態によれば、複数の凹部１３０が、筒状面１２２に形成された複数の第２凹部１３０Ｂを含む。傾斜面１２３によって受けられた液滴ＬＤは、傾斜面１２３に沿って下方に移動して筒状面１２２へ案内される。この実施形では、複数の凹部１３０が、筒状面１２２に形成された複数の第２凹部１３０Ｂを含むため、筒状面１２２の疎水性を向上させることができるので、筒状面１２２に液体が残存することを抑制できる。したがって、基板Ｗから筒状面１２２へ向かって飛散する液滴ＬＤと、筒状面１２２に残存する液滴ＬＤとの衝突を抑制できる。その結果、基板Ｗから新たに飛散する液滴ＬＤと筒状面１２２に残存する液滴ＬＤとの衝突に起因する筒状面１２２から基板Ｗへの液滴ＬＤの飛散を良好に抑制できる。

また、筒状面１２２に形成されている凹凸部１２１の寸法と、傾斜面１２３に形成されている凹凸部１２１の寸法とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。たとえば、図５に示すように、第１凸部１３１Ａの幅Ｗ２が第２凸部１３１Ｂの幅Ｗ２よりも小さくてもよい。
そうであれば、傾斜面１２３の疎水性は筒状面１２２の疎水性よりも高い。傾斜面１２３の疎水性を筒状面１２２の疎水性よりも高くすることによって、傾斜面１２３に液滴ＬＤが残留することを抑制できる。筒状ガード８０の傾斜面１２３から飛散する液滴ＬＤは、筒状面１２２から飛散する液滴ＬＤと比較して、基板Ｗに付着しやすい。したがって、傾斜面１２３の疎水性を高めることによって、傾斜面１２３から液滴ＬＤが飛散して基板Ｗへ付着することを抑制できる。

＜水滴飛散角度測定実験＞
基板Ｗから飛散するＤＩＷの液滴ＬＤ（以下では、「水滴」という場合がある。）をハイスピードカメラで撮影し、水滴の飛散角度を測定する水滴飛散角度測定実験を行った結果について説明する。
図１２は、基板Ｗの回転速度と水滴の飛散角度θｓとの関係を示すグラフである。図１２のグラフにおける横軸は、基板Ｗから飛散する水滴の飛散角度θｓである。水滴の飛散方向ＳＤが斜め上方向であれば、飛散角度θｓが、０°よりも大きい。液滴ＬＤの飛散方向が斜め下方向であれば、飛散角度θｓが０°よりも小さい。

図１２に示すように、基板Ｗの回転速度が５００ｒｐｍであれば、大半の液滴ＬＤの飛散角度θｓが０°よりも小さいため、大半の液滴ＬＤが斜め下方向に飛散するという結果が得られた。基板Ｗの回転速度が８００ｒｐｍまたは１２００ｒｐｍであれば、大半の液滴ＬＤの飛散角度θｓが０°よりも大きいであるため、大半の液滴ＬＤが斜め上方向に飛散するという結果が得られた。

＜水滴サイズ測定実験＞
基板Ｗから飛散する水滴をハイスピードカメラで撮影し、水滴の直径を測定する水滴サイズ測定実験を行った結果について説明する。
図１３は、１０００ｒｐｍで回転する基板Ｗに対して０．５Ｌ／ｍｉｎでＤＩＷを供給した場合に、基板Ｗから飛散する水滴の直径を示すグラフである。図１３のグラフにおける横軸は、基板Ｗから飛散する水滴の直径Ｄｍを示しており、図１３のグラフにおける縦軸は、各直径の水滴が飛散する確率を示している。図１３に示すように、１０００ｒｐｍで回転する基板Ｗから飛散する水滴のうち、大半の水滴の直径Ｄｍは、１．５ｍｍ以下であるという結果が得られた。その中でも、直径Ｄｍが１．０ｍｍ以下の水滴が特に多いという結果が得られた。

＜水滴付着数測定実験＞
筒状ガード８０から跳ね返って基板Ｗに向けて飛散する水滴の数量を顕微鏡で観測する水滴付着数測定実験を行った結果について説明する。
具体的には、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面および下面に２Ｌ／ｍｉｎでＤＩＷを３秒間供給しながら、３秒間に基板Ｗへ向けて跳ね返る水滴の数を、ハイスピードカメラを用いて計測した。

図１４は、筒状ガード８０から飛散する水滴の個数と基板Ｗの回転速度との関係を示すグラフである。図１４のグラフでは、横軸は、基板Ｗの回転速度を示し、縦軸は、筒状ガード８０から飛散して基板Ｗの上面に付着した水滴の個数を示す。図１４に示すように、基板Ｗの回転速度を３００ｒｐｍとした場合には、基板Ｗの上面に付着する水滴が比較的少なく、基板Ｗの回転速度を６００ｒｐｍとした場合には、基板Ｗの上面に付着する水滴が比較的多いという結果が得られた。基板Ｗの回転速度を８００ｒｐｍ、１２００ｒｐｍ、１６００ｒｐｍとした場合には、いずれも、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍであるときと同様に、基板Ｗの上面に付着する水滴が、基板Ｗの回転速度が３００ｒｐｍであるときよりも多いという結果が得られた。したがって、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍ以上であるときに、筒状ガード８０から基板Ｗの上面への液滴の飛散が問題となることが推察される。

次に、基板Ｗを１２００ｒｐｎで回転させながら、基板Ｗの上面に２Ｌ／ｍｉｎでＤＩＷを３０秒間供給し、ＤＩＷの供給中に筒状ガード８０から跳ね返って基板Ｗに付着した水滴の数を、感水紙を用いて計測した。
凹凸部１２１による水滴飛散量の低減効果を確認するために、凹凸部１２１が形成されている筒状ガード８０を用いた場合に基板Ｗの上面に付着する水滴の個数と、凹凸部１２１が形成されていない筒状ガード８０を用いた場合に基板Ｗの上面に付着する水滴の個数とを比較した。図１５は、凹凸部１２１の存在による基板Ｗの上面に付着する水滴の個数の低減効果を説明するためのグラフである。

図１５に示すように、平均面粗度Ｒａが３．０以上である凹凸部１２１が形成されている内周面１２０を有する筒状ガード８０（図１５に示す「凹凸部を有する筒状ガード」）から飛散して基板Ｗの上面に付着した水滴の個数は、凹凸部１２１が形成されていない内周面１２０を有する筒状ガード８０（図１５に示す「未加工の筒状ガード」）から飛散して基板Ｗの上面に付着した水滴の個数よりも少ないという結果が得られた。これにより、平均面粗度Ｒａが３．０以上である凹凸部１２１の存在によって、筒状ガード８０から基板Ｗに向けて飛散する水滴の個数を低減できることが推察される。

＜パーティクル付着数測定実験＞
基板処理後に基板Ｗの上面に付着するパーティクルの数量を測定するパーティクル付着数測定実験を行った結果について説明する。パーティクル付着数測定実験では、希フッ酸、ＡＰＭ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の順番で基板Ｗの上面を処理する基板処理を実行した後に、顕微鏡を用いて基板Ｗ上に付着しているパーティクルの個数を測定した。凹凸部１２１の存在によるパーティクル付着数の低減効果を確認するために、凹凸部１２１が形成されている筒状ガード８０を用いた場合に基板Ｗの上面に付着するパーティクルの個数と、凹凸部１２１が形成されていない筒状ガード８０を用いた場合に基板Ｗの上面に付着するパーティクルの個数とを比較した。図１６は、凹凸部１２１の存在による基板Ｗの上面に付着するパーティクルの数量の低減効果を説明するためのグラフである。

図１６に示すように、平均面粗度Ｒａが３．０以上である凹凸部１２１が形成されている内周面１２０を有する筒状ガード８０（図１６に示す「凹凸部を有する筒状ガード」）を用いて基板処理を実行した後に、基板Ｗの上面に付着するパーティクルの個数は、凹凸部１２１が形成されていない内周面１２０を有する筒状ガード８０（図１６に示す「未加工の筒状ガード」）を用いて基板処理を実行した後に、基板Ｗの上面に付着するパーティクルの個数よりも少ないという結果が得られた。これにより、平均面粗度Ｒａが３．０以上である凹凸部１２１の存在によって、筒状ガード８０から基板Ｗに向けて飛散する水滴の個数を低減した結果、基板Ｗの上面に付着するパーティクルの個数を低減できることが推察される。

＜接触角測定実験＞
次に、図１７および図１８を用いて、平均面粗度Ｒａが異なる凹凸部１２１を有する筒状ガード８０に対する水滴ＷＤの接触角θ１を比較する接触角測定実験の結果について説明する。図１７は、接触角測定実験において、凹凸部１２１に滴下された水滴ＷＤ付近を模式的に示した図である。

接触角測定実験の手順は以下の通りである。（１）内周面１２０に２ｍｍ以上でかつ３ｍｍ以下の水滴ＷＤを滴下する。（２）顕微鏡を用いて水滴ＷＤ付近の画像を取得する。（３）（２）で取得した画像に基づいて、内周面１２０に対する水滴ＷＤの接触角θ１を測定する。
接触角測定実験では、凹凸部１２１が形成されていない内周面１２０を有する筒状ガード８０と、平均面粗度Ｒａが互いに異なる凹凸部１２１が形成されている内周面１２０を有する５種類の筒状ガード８０とをサンプルとして用いた。

各サンプルの平均面粗度Ｒａ、および、凹部１３０の幅Ｗ１および深さＤｅ、ならびに、凸部１３１の幅Ｗ２は、表１の通りである。表１に示すように、凹凸部１２１が形成されていない内周面１２０を有する筒状ガード８０（サンプルＡ）については平均面粗度Ｒａの欄には、「未加工」と記載している。また、サンプルＡについての、各寸法（凹部１３０の幅Ｗ１および深さＤｅ、ならびに、凸部１３１の幅Ｗ２）についての測定は行っていないため、各寸法の欄には、「－」と記載している。

表１に示す各寸法の測定は、顕微鏡を用いて行った。各サンプルＡ～Ｅのサンプル数は、５とした（Ｎ＝５）。各サンプルは、材料としてＰＦＡを用いて射出成型することによって形成した。
図１８は、接触角測定実験の結果を示すグラフである。図１８に示すように、サンプルＡに対する水滴ＷＤの接触角θ１は、８３°以上でかつ９６°以下であった。サンプルＢに対する水滴ＷＤの接触角θ１は、８０°以上でかつ９５°以下であった。そのため、平均面粗度Ｒａが１．３程度では、内周面１２０を充分に疎水化できないことが推察される。

サンプルＣに対する水滴ＷＤの接触角θ１は、９９°以上でかつ１１６°以下であった。サンプルＤに対する水滴ＷＤの接触角θ１は、１０２°以上でかつ１２６°以下であった。さらに、サンプルＥに対する水滴ＷＤの接触角θ１は、１１９°以上でかつ１３７°以下であった。したがって、少なくとも平均面粗度Ｒａが３．０以上であれば、内周面１２０が充分に疎水化されることが推察される。

図１４および図１５に示す水滴付着数測定実験の結果、図１６に示すパーティクル付着数測定実験の結果、および、図１８に示す接触角測定実験の結果に基づくと、以下の内容が推察される。
平均面粗度Ｒａが３．０以上であれば内周面１２０を充分に疎水化できる。さらに、平均面粗度が３．０以上で基板Ｗの回転数が６００ｒｐｍ以上であっても、筒状ガード８０からの液滴ＬＤの跳ね返りを抑制でき、基板Ｗの上面へのパーティクルの付着を抑制できる。

＜筒状ガードの加工方法＞
以下では、筒状ガード８０の加工方法について詳細に説明する。図１９Ａ～図１９Ｄは、筒状ガード８０の加工方法を説明するための模式図である。図１９Ａ～図１９Ｄに示す加工方法は、旋盤回転加工方法である。まず、図１９Ａに示すように、加工対象である未加工の筒状ガード８０が準備される（ガード準備工程）。具体的には、筒状ガード８０の中心軸線Ａ４が、保持部材１６１の回転軸線Ａ５と一致するように、筒状ガード８０を保持部材１６１に保持させることで筒状ガード８０の準備が完了する（ガード保持工程）。未加工の筒状ガード８０とは、内周面１２０に凹凸部１２１が形成されていない筒状ガード８０のことである。

筒状ガード８０を保持部材１６１に保持させた状態で、保持部材１６１を所定の回転軸線Ａ５まわりに回転させる（ガード回転工程）。保持部材１６１は、筒状ガード８０を外側から取り囲む筒状穴１６１ａを有する。未加工の筒状ガード８０は、凹凸部１２１が内周面１２０に形成されていないことを除いて、筒状ガード８０と同様の構成を有している。

そして、筒状ガード８０を回転軸線Ａ５（中心軸線Ａ４）まわりに回転させながら、切削部材１６３を用いて筒状ガード８０の内周面１２０を切削加工する。切削部材１６３は、先端に針状の刃物１６３ａを有する部材である。具体的には、回転軸線Ａ５に沿う軸方向Ｘ１に切削部材１６３を移動させながら内周面１２０に凹凸部１２１（図１９Ｃを参照）を形成する（凹凸部形成工程）。

次に、凹凸部形成工程について詳しく説明する。図１９Ｂに示すように、所定の送り時間毎に、筒状ガード８０の回転方向Ｓに交差し筒状ガード８０の内周面１２０に沿う方向に、切削部材１６３を所定の送り距離Ｌ１だけ移動させる（切削部材移動工程）。
切削部材１６３を送り距離Ｌ１だけ移動させた後、図１９Ｃに示すように、切削部材１６３を内周面１２０に対する直交方向ＯＤ１に移動させる。具体的には、内周面１２０に対して、刃物１６３ａを所定の押し込み量Ｌ２だけ押し込む押し込み位置に切削部材１６３を移動させる。これにより、内周面１２０が切削されて、内周面１２０に、凹凸部１２１を構成する凹部１３０が形成される（切削工程）。

切削部材１６３を内周面１２０に対して押し込んだ状態で所定の時間維持することで、内周面１２０の周方向全域に延びる凹部１３０、すなわち円形状溝部１３５が形成される。所定時間が経過した後、切削部材１６３を内周面１２０から離間するように内周面１２０に対する直交方向ＯＤ１に移動させる。その後再び、切削部材移動工程および切削工程を繰り返す。凹部１３０が複数形成されることによって、隣接する凹部１３０同士の間に凸部１３１（円形状凸部１３６）が形成される。内周面１２０に凹凸部１２１が形成されることによって、内周面１２０が疎水化される（疎水化工程）。

このように、切削部材１６３の単純な移動によって、一定の深さを有する円形状溝部１３５を一定の間隔で複数形成することができる。したがって、内周面１２０に形成される凹凸部１２１の寸法の均一性を高めることができる。
内周面１２０は、筒状面１２２および傾斜面１２３を有する。そのため、筒状面１２２に対して凹凸部１２１を形成する際には、図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、切削部材移動工程において、筒状面１２２に沿う方向（軸方向Ｘ１）に切削部材１６３が移動される（第１移動工程）。図１９Ａおよび図１９Ｃに示すように、切削工程において、筒状面１２２に対する直交方向ＯＤ１から筒状面１２２に切削部材１６３が押し込まれる（第１押し込み工程）。傾斜面１２３に対して凹凸部１２１を形成する際には、図１９Ｄに示すように、切削部材移動工程において、傾斜面１２３に沿う方向（軸方向Ｘ１に対する傾斜方向Ｘ２）に切削部材１６３を移動させる（第２移動工程）。切削工程において、傾斜面１２３に対する直交方向ＯＤ２から傾斜面１２３に切削部材１６３が押し込まれる（第２押し込み工程）。

傾斜面１２３に対して凹凸部１２１を形成する際には、傾斜面１２３に沿って切削部材１６３を移動させることができ、かつ、傾斜面１２３に対する直交方向ＯＤ２から切削部材１６３を傾斜面１２３に押し込むことができるように、切削部材１６３の角度が調整される。すなわち、加工対象面の角度に合わせて切削部材１６３の角度が調整される。
このように、筒状面１２２および傾斜面１２３切削部材の単純な移動によって、一定の深さを有する溝部を一定の間隔で複数形成することができる。したがって、内周面に形成される凹凸部の溝部の均一性を高めることができる。

このように、凹部１３０が円形状溝部１３５であれば、筒状ガード８０を回転させながら、切削部材１６３を単純に動作させるだけで凹凸部１２１を形成することができる。そのため、内周面１２０の周方向ＣＤに沿って不連続な凹部１３０を形成する場合と比較して、加工が容易である。
＜凹凸部の変形例＞
図２０Ａ～図２０Ｅは、それぞれ、凹凸部１２１の第１変形例～第５変形例を説明するための模式図である。図２０Ａ～図２０Ｅは、凹凸部１２１を、傾斜面１２３に対する直交方向から見た図である。

図２０Ａに示す第１変形例のように、凹凸部１２１の複数の凹部１３０は、複数の円形状溝部１３５に加えて、円形状溝部１３５に対して交差する方向に延びる複数の交差溝部１３７を含んでいてもよい。図２０Ａでは、交差溝部１３７は、円形状溝部１３５に対して直交する方向に延びている。複数の円形状溝部１３５と複数の交差溝部１３７とによって格子形状が形成されている。各凸部１３１は、一対の円形状溝部１３５および一対の交差溝部１３７によって四方が取り囲まれている。凸部１３１の幅Ｗ２は、円形状溝部１３５の幅Ｗ１１（幅Ｗ１）および交差溝部１３７の幅Ｗ１２（幅Ｗ１）よりも小さい。幅Ｗ１１と幅Ｗ１２とは互いに異なっていてもよい。

第１変形例では、複数の交差溝部１３７と複数の円形状溝部１３５とによって格子形状が形成されるため、凹部１３０として円形状溝部１３５のみが設けられている構成と比較して、凹凸部１２１の全域において均一に疎水性を向上させることができる。
図２０Ｂに示すように、凹部１３０は、上下に延びる縦溝であってもよい。この場合、複数の凸部１３１は、上下に延びる。複数の凹部１３０（複数の縦溝）は、周方向ＣＤに沿って並んでおり、凸部１３１は、周方向ＣＤに互いに隣り合う縦溝の間に位置する。

また、図２０Ｃおよび図２０Ｄに示すように、凹部１３０は、周方向ＣＤ（水平方向）に対して斜めに延びる傾斜溝であってもよい。
また、図２０Ｅに示すように、凹部１３０は、円形状穴であってもよい。複数の凹部１３０が円形状穴である場合、複数の円形状穴は、周方向ＣＤと、周方向ＣＤに対する直交方向とに等間隔で配置されている。凸部１３１は、互いに隣接する円形状穴同士の間の部分である。凹部１３０の幅Ｗ１は、円形状穴の直径に相当し、凸部１３１の幅Ｗ２は、上下もしくは水平に互いに隣接する円形状穴同士の間の間隔に相当する。

凹凸部１２１を構成する複数の凹部１３０および複数の凸部１３１は、上述した実施形態および第１変形例～第５変形例のように規則的でなくてもよく、不規則に並んでいてもよい。
上述の各変形例は、傾斜面１２３に形成された凹凸部１２１を例に説明したが、筒状面１２２に形成された凹凸部１２１についても同様の変形例を適用することができる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態では、２つの筒状ガード８０（第１筒状ガード８０Ａおよび第２筒状ガード８０Ｂ）が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、いずれかの筒状ガード８０のみが設けられていてもよい。

また、上述の実施形態では、処理液ノズル３０として、薬液ノズル３１、上側リンス液ノズル３２および下側リンス液ノズル３３を例示している。しかしながら、処理液ノズル３０として、薬液ノズル３１、上側リンス液ノズル３２および下側リンス液ノズル３３に加えて、ＩＰＡ等の有機溶剤を基板Ｗの上面に向けて吐出する有機溶剤ノズルが設けられていてもよい。さらに、薬液ノズル３１は、複数の薬液を選択的に吐出するように構成されていてもよい。この場合、パーティクル付着数測定実験において実行した基板処理、すなわち、フッ酸、ＡＰＭ、ＩＰＡの順で基板Ｗの上面を処理する基板処理を実行することができる。

また、上述の実施形態では、仕切り板１０４が設けられている。しかしながら、上述の実施形態とは異なり、仕切り板１０４が設けられておらず、ガード外空間１０３が上下に仕切られていない構成であってもよい。この場合、排気接続管４５は、処理チャンバ１７の側壁１７Ｂに開口される。
また、図１９Ａ～図１９Ｄに示す筒状ガード８０の加工方法では、未加工の筒状ガード８０を用いている。しかしながら、凹凸部１２１が既に形成されている内周面１２０を有する筒状ガード８０に、凹凸部１２１を追加工（追加的に形成）する際にも図１９Ａ～図１９Ｄに示す加工方法を用いることができる。

また、筒状ガード８０の加工方法は、上述した旋盤回転切削加工に限られず、レーザ照射によって筒状ガード８０の内周面１２０に凹部１３０を形成するレーザ加工であってもよい。また、金型に形成された凹凸部を内周面１２０に転写することによって内周面１２０に凹部１３０を形成する金型転写加工であってもよい。
また、凹凸部１２１の寸法は、傾斜面１２３内において一定である必要はなく、傾斜面１２３内において、凹凸部１２１の寸法（凹部１３０の幅Ｗ１および深さＤｅ、ならびに、凸部１３１の幅Ｗ２）、すなわち平均面粗度Ｒａが互いに異なる領域が複数存在していてもよい。同様に、筒状面１２２内においても、平均面粗度Ｒａが互いに異なる領域が複数存在していてもよい。

また、上述の実施形態では、複数の処理ユニット５が、複数の基板載置部６、インデクサロボットＩＲ、複数の主搬送ロボットＣＲおよびコントローラ４とともに、基板処理装置１に備えられている。しかしながら、基板処理装置は、単一の処理ユニット５のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット５が基板処理装置の一例であってもよい。

なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」といった表現を用いている
が、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
この明細書において、「～」または「－」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１ ：基板処理装置
１５ ：スピンチャック
３０ ：処理液ノズル
８０ ：筒状ガード
１２０ ：内周面
１２１ ：凹凸部
１２２ ：筒状面
１２３ ：傾斜面
１３０ ：凹部
１３０Ａ ：第１凹部
１３０Ｂ ：第２凹部
１３１ ：凸部
１３１Ａ ：第１凸部
１３１Ｂ ：第２凸部
１３５ ：円形状溝部
１３７ ：交差溝部
１６３ ：切削部材
Ａ１ ：回転軸線
Ａ４ ：中心軸線
ＣＤ ：周方向
Ｄｅ ：深さ
Ｌ１ ：送り距離
Ｌ２ ：押し込み量
ＬＤ ：液滴
Ｒａ ：平均面粗度
Ｘ ：軸方向
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：幅
Ｗ２ ：幅

Claims (18)

1. 基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材と、
   前記回転保持部材に保持されている基板に液体を供給する液体供給部材と、
   前記回転保持部材に保持されている基板を取り囲む樹脂製の筒状ガードとを備え、
   前記筒状ガードは、内周面と、前記内周面に設けられた凹凸部とを有し、
   前記凹凸部は、複数の凹部と、互いに隣接する前記凹部同士の間に位置する複数の凸部とを有し、
   前記凹部が、前記回転保持部材に保持されている基板から飛散する液滴の直径よりも小さい幅と、前記液滴が複数の前記凸部に接する状態で前記凹部の底部に前記液滴が接しない深さとを有し、
   前記凸部が、前記液滴の直径よりも小さく、かつ、前記凹部の幅よりも小さい幅を有する、基板処理装置。
2. 前記凹部の深さが、１０μｍ以上であり、
   前記凹部の幅が、１．５ｍｍよりも小さく、
   前記凸部の幅が、１．５ｍｍよりも小さい、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記凹部の深さが、２００μｍ以下であり、
   前記凹部の幅が、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さく、
   前記凸部の幅が、４０μｍ以下である、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記凹凸部の平均面粗度が、３．０以上で、かつ、６．０以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記液滴の前記直径は、前記回転保持部材によって６００ｒｐｍ以上１２００ｒｐｍ以下の回転速度で回転される基板から飛散する前記液滴の前記直径である、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記液滴の前記直径は、１．５ｍｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 複数の前記凹部は、前記内周面の周方向に沿う複数の円形状溝部を含み、
   複数の前記円形状溝部は、前記内周面の中心軸線に沿う軸方向に間隔を隔てて前記内周面に設けられている、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 複数の前記凹部は、前記円形状溝部と交差する方向に延びる複数の交差溝部を含み、
   複数の前記交差溝部と複数の前記円形状溝部とによって格子形状が形成される、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記筒状ガードの前記内周面が、鉛直方向に延びる筒状面と、前記筒状面の上端に接続され前記筒状面に対して傾斜して延びる傾斜面とを有し、
   複数の前記凹部が、前記傾斜面に形成された複数の第１凹部を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 複数の前記凹部が、前記筒状面に形成された複数の第２凹部を含む、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 複数の前記凸部が、互いに隣接する前記第１凹部同士の間に位置する複数の第１凸部と、互いに隣接する前記第２凹部同士の間に位置する第２凸部とを含み、
    前記第１凸部の幅が、前記第２凸部の幅よりも小さい、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記筒状ガードは、疎水性樹脂によって形成されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 所定の回転軸線まわりに基板が回転するように前記基板を保持する回転保持部材と、
    前記回転保持部材に保持されている基板に液体を供給する液体供給部材と、
    前記回転保持部材を取り囲む樹脂製の筒状ガードとを備え、
    前記筒状ガードは、内周面と、前記内周面に設けられた凹凸部とを有し、
    前記凹凸部は、複数の凹部と、互いに隣接する前記凹部同士の間に位置する複数の凸部とを有し、
    前記凹部が、１０μｍ以上である深さと、１．５ｍｍよりも小さい幅とを有し、
    前記凸部が、前記凹部の幅よりも小さく、かつ、１．５ｍｍよりも小さい幅を有する、基板処理装置。
14. 前記凹部の幅が、１００μｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍよりも小さく、
    前記凹部の深さが、２００μｍ以下であり、
    前記凸部の幅が、４０μｍ以下である、請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記内周面の平均面粗度が３．０以上で、かつ、６．０以下である、請求項１３または１４に記載の基板処理装置。
16. 基板を液体で処理する基板処理装置において、基板を保持しながら所定の回転軸線まわりに前記基板を回転させる回転保持部材を取り囲むための樹脂製の筒状ガードの加工方法であって、
    内周面を有する筒状ガードを準備するガード準備工程と、
    前記内周面に凹凸部を形成することで、前記筒状ガードの前記内周面を疎水化する疎水化工程とを含む、筒状ガードの加工方法。
17. 前記疎水化工程において、平均面粗度が３．０以上で、かつ、６．０以下となる前記凹凸部が形成される、請求項１６に記載の筒状ガードの加工方法。
18. 前記疎水化工程が、
    前記筒状ガードを前記内周面の中心軸線まわりに回転させながら、切削部材を、所定の送り時間毎に前記内周面に沿って所定の送り距離移動させる切削部材移動工程と、
    前記切削部材を前記送り距離だけ移動させた後、前記内周面に対して前記切削部材を所定の押し込み量だけ押し込んで前記内周面を切削して前記凹凸部を構成する円形状溝部を形成する切削工程とを含む、請求項１６または１７に記載の筒状ガードの加工方法。

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