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KR20210081673A - Touch sensor, window stack structure including the same and image display device including the same - Google Patents

Touch sensor, window stack structure including the same and image display device including the same Download PDF

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Publication number
KR20210081673A
KR20210081673A KR1020190173865A KR20190173865A KR20210081673A KR 20210081673 A KR20210081673 A KR 20210081673A KR 1020190173865 A KR1020190173865 A KR 1020190173865A KR 20190173865 A KR20190173865 A KR 20190173865A KR 20210081673 A KR20210081673 A KR 20210081673A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
touch sensor
sensing electrodes
layer
metal
pattern
Prior art date
Application number
KR1020190173865A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오근태
김승국
박민혁
안유미
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020190173865A priority Critical patent/KR20210081673A/en
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Abstract

According to the embodiments of the present invention, a touch sensor includes: a base layer; sensing electrodes arranged on the base layer; and a bridge electrode which electrically connects some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes to each other, and includes a metal pattern and an anti-reflection pattern having a higher chromaticity than the metal pattern. Through the anti-reflection pattern, light reflection and visibility can be lowered while maintaining low resistance of the bridge electrode.

Description

터치 센서, 이를 포함하는 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR, WINDOW STACK STRUCTURE INCLUDING THE SAME AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}A touch sensor, a window laminate including the same, and an image display device including the same {TOUCH SENSOR, WINDOW STACK STRUCTURE INCLUDING THE SAME AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 터치 센서, 이를 포함하는 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 패턴화된 센싱 전극을 포함하는 터치 센서, 이를 포함하는 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor, a window laminate including the same, and an image display device including the same. More particularly, it relates to a touch sensor including a patterned sensing electrode, a window laminate including the same, and an image display device including the same.

최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.With the recent development of the information society, demands for the display field are also presented in various forms. For example, various flat panel display devices with features such as thinness, light weight, and low power consumption, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, Electroluminescent display devices, organic light-emitting diode display devices, and the like are being studied.

한편, 상기 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다. On the other hand, a touch panel or a touch sensor, which is an input device attached to the display device to input a user command by selecting instructions displayed on the screen with a human hand or an object, is combined with the display device to provide an image display function and Electronic devices in which an information input function is implemented are being developed.

상기 터치 센서는 디스플레이 패널 상에 적층될 수 있으며, 상기 터치 센서의 전극 패턴들이 사용자에게 시인되는 경우, 상기 디스플레이 장치의 이미지 품질이 저하될 수 있다. 또한, 터치 센서의 제조 공정 중, 또는 디스플레이 장치의 외부에서 공기 또는 수분이 침투하는 경우, 전극의 부식, 산화 등의 손상이 발생할 수 있다.The touch sensor may be stacked on a display panel, and when electrode patterns of the touch sensor are recognized by a user, image quality of the display device may be deteriorated. In addition, when air or moisture penetrates during the manufacturing process of the touch sensor or from the outside of the display device, damage such as corrosion or oxidation of the electrode may occur.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이, 전극의 광학적, 화학적 안정성이 함께 향상된 터치 센서 개발이 필요하다.For example, as in Korean Patent Application Laid-Open No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices has recently been developed, but, as described above, a touch sensor with improved optical and chemical stability of the electrode. development is needed

한국공개특허 제2014-0092366호Korea Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 화학적, 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor having improved optical, chemical, and electrical properties.

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 화학적, 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a window laminate and an image display device including a touch sensor having improved optical, chemical, and electrical properties.

1. 기재층; 상기 기재층 상에 배열된 센싱 전극들; 및 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 서로 전기적으로 연결시키며, 금속 패턴 및 상기 금속 패턴보다 낮은 밝기를 갖는 반사 방지 패턴을 포함하는 브릿지 전극을 포함하는, 터치 센서.1. base layer; sensing electrodes arranged on the base layer; and a bridge electrode electrically connecting some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes to each other and including a metal pattern and an anti-reflection pattern having a lower brightness than the metal pattern.

2. 위 1에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 구리-산소 함유 도전성 화합물을 포함하는, 터치 센서.2. The touch sensor of 1 above, wherein the anti-reflection pattern includes a copper-oxygen-containing conductive compound.

3. 위 2에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 구리 외에 추가 금속을 더 함유하는, 터치 센서.3. The touch sensor according to the above 2, wherein the anti-reflection pattern further contains an additional metal in addition to copper.

4. 위 1에 있어서, 상기 추가 금속은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 란타늄(La), 세슘(Ce) 및 인듐(In)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.4. The above 1, wherein the additional metal is chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), magnesium (Mg), calcium (Ca), lanthanum (La), cesium (Ce) and indium (In) At least one selected from the group consisting of, a touch sensor.

5. 위 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 주석(Sn) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.5. The above 1, wherein the metal pattern is silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti) , tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo) , Calcium (Ca), including at least one selected from the group consisting of tin (Sn) and alloys thereof, a touch sensor.

6. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.6. The touch sensor of 1 above, wherein the sensing electrodes include a transparent conductive oxide.

7. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조를 포함하는, 터치 센서.7. The touch sensor of 1 above, wherein the sensing electrodes include a multilayer structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer.

8. 위 7에 있어서, 상기 센싱 전극들은 상기 기재층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물층, 상기 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물층을 포함하는, 터치 센서.8. The touch sensor of 7 above, wherein the sensing electrodes include a first transparent conductive oxide layer, the metal layer, and a second transparent conductive oxide layer sequentially stacked from the base layer.

9. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및 센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들을 포함하고,9. The method of 1 above, wherein the sensing electrodes include: first sensing electrodes forming a sensing channel row; and second sensing electrodes forming a sensing channel column,

상기 브릿지 전극은 열 방향으로 이웃하는 상기 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는, 터치 센서.The bridge electrode electrically connects the second sensing electrodes adjacent to each other in a column direction, a touch sensor.

10. 위 9에 있어서, 상기 기재층 상에서 상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하는 절연층을 더 포함하고,10. The method of 9 above, further comprising an insulating layer covering the sensing electrodes on the base layer and including contact holes for partially exposing surfaces of the second sensing electrodes,

상기 브릿지 전극의 상기 금속 패턴은 상기 절연층 상에서 상기 콘택 홀들을 완전히 채우며, 상기 반사 방지 패턴은 상기 금속 패턴 상에 형성된, 터치 센서.The metal pattern of the bridge electrode completely fills the contact holes on the insulating layer, and the anti-reflection pattern is formed on the metal pattern.

11. 위 9에 있어서, 상기 센싱 채널 행은 이웃하는 상기 제1 센싱 전극들을 일체로 연결하는 연결부를 포함하는, 터치 센서.11. The touch sensor according to 9 above, wherein the sensing channel row includes a connection unit for integrally connecting the neighboring first sensing electrodes.

12. 위 1에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 흑화층을 포함하는, 터치 센서.12. The touch sensor of 1 above, wherein the anti-reflection pattern includes a blackening layer.

13. 위 1에 있어서, CIELAB 색 공간에서 상기 반사 방지 패턴의 L* 값은 12 내지 20, 상기 금속 패턴의 L* 값은 55 내지 65인, 터치 센서.13. The touch sensor according to the above 1, wherein the L* value of the anti-reflection pattern is 12 to 20, and the L* value of the metal pattern is 55 to 65 in the CIELAB color space.

14. 윈도우 기판; 및 상기 윈도우 기판 상에 적층되며 위 1 내지 13 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.14. Window substrate; and a touch sensor laminated on the window substrate according to any one of 1 to 13 above.

15. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층되며 위 1 내지 13 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.15. Display panel; and a touch sensor stacked on the display panel according to any one of 1 to 13 above.

본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서는 예를 들면, 투명 센싱 전극을 포함하며, 투명 센싱 전극을 연결시키는 브릿지 전극은 금속 패턴 및 반사 방지 패턴의 적층 구조를 포함할 수 있다. 따라서, 금속 패턴을 통해 콘택 저항 또는 채널 저항을 감소시키면서 상기 반사 방지 패턴을 통해 브릿지 전극의 반사율을 감소시켜 브릿지 전극의 시인성을 감소시킬 수 있다.A touch sensor according to embodiments of the present invention may include, for example, a transparent sensing electrode, and a bridge electrode connecting the transparent sensing electrode may include a stacked structure of a metal pattern and an anti-reflection pattern. Accordingly, it is possible to reduce the visibility of the bridge electrode by reducing the reflectance of the bridge electrode through the anti-reflection pattern while reducing the contact resistance or the channel resistance through the metal pattern.

상기 반사 방지 패턴은 예를 들면, 금속-산소 복합체를 포함하며, 상기 금속 패턴의 산화 방지층으로 제공될 수도 있다. 따라서, 상기 브릿지 전극의 화학적 안정성을 향상시켜 터치 센서의 전체적 신뢰성이 향상될 수 있다.The anti-reflection pattern includes, for example, a metal-oxygen complex, and may be provided as an anti-oxidation layer of the metal pattern. Accordingly, the overall reliability of the touch sensor may be improved by improving the chemical stability of the bridge electrode.

도 1 및 도 2는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 3은 일부 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
1 and 2 are schematic plan and cross-sectional views illustrating a touch sensor according to example embodiments.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to some exemplary embodiments.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a window laminate and an image display device according to example embodiments.

본 발명의 실시예들은 금속 패턴 및 반사 방지 패턴의 적층 구조를 갖는 브릿지 전극을 포함하며, 광학적, 전기적, 화학적 안정이 향상된 터치 센서를 제공한다. 또한, 상기 터치 센서를 포함하며 이미지 품질이 향상된 화상 표시 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention include a bridge electrode having a laminated structure of a metal pattern and an anti-reflection pattern, and provide a touch sensor with improved optical, electrical, and chemical stability. In addition, there is provided an image display device including the touch sensor and improved image quality.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the above-described content of the present invention, so the present invention is described in such drawings It should not be construed as being limited only to the matters.

본 출원에서 사용된 "행 방향", "열 방향", "X 방향", "Y 방향" 등의 용어는 절대적인 방향을 지정하는 것이 아니라, 서로 다른 방향을 상대적으로 표현하기 위해 사용된다.Terms such as "row direction", "column direction", "X direction", and "Y direction" used in this application do not designate an absolute direction, but are used to relatively express different directions.

도 1 및 도 2는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 평면도 및 단면도이다. 구체적으로, 도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 두께 방향으로 절단한 단면도이다. 도 2는 탑-브릿지(Top-Bridge) 구조의 터치 센서를 예시적으로 도시하고 있다.1 and 2 are schematic plan and cross-sectional views illustrating a touch sensor according to example embodiments. Specifically, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line I-I' of FIG. 1 in the thickness direction. 2 exemplarily illustrates a touch sensor having a top-bridge structure.

도 1 및 도 2를 참조하면, 터치 센서(100)는 기재층(105) 및 기재층(105) 상에 배열된 센싱 전극들(110, 120)을 포함할 수 있다.1 and 2 , the touch sensor 100 may include a base layer 105 and sensing electrodes 110 and 120 arranged on the base layer 105 .

기재층(105)은 센싱 전극(110, 120) 형성을 위해 지지층으로 사용되는 필름 타입 기재, 또는 센싱 전극(110, 120)이 형성되는 대상체를 포괄하는 의미로 사용된다. 일부 실시예들에 있어서, 기재층(105)은 센싱 전극(110, 120)이 직접 형성되는 표시 패널을 지칭할 수도 있다.The substrate layer 105 is used to encompass a film-type substrate used as a support layer for forming the sensing electrodes 110 and 120 or an object on which the sensing electrodes 110 and 120 are formed. In some embodiments, the base layer 105 may refer to a display panel in which the sensing electrodes 110 and 120 are directly formed.

예를 들면, 기재층(105)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 기판, 또는 필름 소재를 특별한 제한 없이 포함할 수 있으며, 예를 들면, 유리, 고분자 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 고분자의 예로서, 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로서, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 들 수 있다.For example, the base layer 105 may include a substrate or a film material commonly used in a touch sensor without particular limitation, for example, it may include glass, a polymer, and/or an inorganic insulating material. Examples of the polymer include cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), poly Allylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), poly Methyl methacrylate (PMMA), etc. are mentioned. Examples of the inorganic insulating material include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and metal oxide.

일 실시예에 있어서, 기재층(105)은 복층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 유기 절연층 및 무기 절연층의 복층 구조를 포함할 수 있다.In one embodiment, the base layer 105 may have a multi-layer structure. For example, it may include a multilayer structure of an organic insulating layer and an inorganic insulating layer.

상기 터치 센서가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기재층(105)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층 등이 기재층(105)으로 제공될 수도 있다.A layer or a film member of the image display device into which the touch sensor is inserted may be provided as the base layer 105 . For example, an encapsulation layer or a passivation layer included in the display panel may be provided as the base layer 105 .

센싱 전극들(110, 120)은 제1 센싱 전극들(110) 및 제2 센싱 전극들(120)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(110, 120)은 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있도록 배열될 수 있다.The sensing electrodes 110 and 120 may include first sensing electrodes 110 and second sensing electrodes 120 . For example, the sensing electrodes 110 and 120 may be arranged to be driven in a mutual capacitance method.

제1 센싱 전극들(110)은 예를 들면, 행 방향(또는 X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 상기 행 방향으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(110)은 연결부(115)에 의해 서로 연결될 수 있다. 제1 센싱 전극들(110) 및 연결부(115)는 서로 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 전극들(110) 및 연결부(115)는 동일한 도전막으로부터 함께 패터닝되어 형성되며, 동일 층 혹은 동일 레벨 상에 위치할 수 있다.The first sensing electrodes 110 may be arranged, for example, in a row direction (or X direction). The first sensing electrodes 110 adjacent in the row direction may be connected to each other by a connection unit 115 . The first sensing electrodes 110 and the connection part 115 may be integrally connected to each other and may be provided as a substantially single member. In this case, the first sensing electrodes 110 and the connection part 115 may be patterned together from the same conductive film and positioned on the same layer or on the same level.

이에 따라, 상기 행 방향으로 연장하는 제1 센싱 채널 행이 정의되며, 복수의 상기 제1 센싱 채널 행들이 열 방향(예를 들면, Y 방향)을 따라 배열될 수 있다.Accordingly, a first sensing channel row extending in the row direction may be defined, and a plurality of first sensing channel rows may be arranged along a column direction (eg, a Y direction).

제2 센싱 전극들(120)은 예를 들면, 상기 열 방향을 따라 배열되며 각각 독립된 섬(island) 패턴 형태를 가질 수 있다. 상기 열 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(120)은 브릿지 전극(140)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. The second sensing electrodes 120 may, for example, be arranged along the column direction and have an independent island pattern shape. The second sensing electrodes 120 adjacent in the column direction may be electrically connected to each other by the bridge electrode 140 .

이에 따라, 상기 열 방향으로 연장하는 제2 센싱 채널 열이 정의되며, 복수의 상기 제2 센싱 채널 열들이 상기 행 방향을 따라 배열될 수 있다. Accordingly, a second sensing channel column extending in the column direction may be defined, and a plurality of second sensing channel columns may be arranged along the row direction.

예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극들(110, 120)은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(110, 120)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등을 포함할 수 있다.In example embodiments, the sensing electrodes 110 and 120 may include a transparent conductive oxide. For example, the sensing electrodes 110 and 120 include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), and the like. can do.

센싱 전극들(110, 120)을 상기 투명 도전성 산화물을 포함하도록 형성함으로써, 터치 센서(100)의 전체적인 투과율을 향상시킬 수 있다.By forming the sensing electrodes 110 and 120 to include the transparent conductive oxide, the overall transmittance of the touch sensor 100 may be improved.

일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극들(110, 120)은 상기 투명 도전성 산화물을 포함하는 메쉬(mesh) 구조로 형성될 수도 있다.In some embodiments, the sensing electrodes 110 and 120 may be formed in a mesh structure including the transparent conductive oxide.

브릿지 전극(140)에 의해 상기 제1 센싱 채널 행에 포함된 연결부(115)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(120)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The second sensing electrodes 120 adjacent to each other with the connection part 115 included in the first sensing channel row therebetween may be electrically connected to each other by the bridge electrode 140 .

예를 들면, 센싱 전극들(110, 120)을 덮는 절연층(130)이 기재층(105) 상에 형성될 수 있다. 절연층(130)은 제2 센싱 전극(120)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(135)을 포함할 수 있다. 브릿지 전극(140)은 이웃하는 콘택 홀들(135)을 채우며 절연층(130) 상에 형성될 수 있다.For example, the insulating layer 130 covering the sensing electrodes 110 and 120 may be formed on the base layer 105 . The insulating layer 130 may include a contact hole 135 partially exposing a top surface of the second sensing electrode 120 . The bridge electrode 140 may be formed on the insulating layer 130 while filling the adjacent contact holes 135 .

예시적인 실시예들에 따르면, 브릿지 전극(140)은 금속 패턴(142) 및 반사 방지 패턴(144)의 적층 구조를 포함할 수 있다.According to example embodiments, the bridge electrode 140 may include a stacked structure of a metal pattern 142 and an anti-reflection pattern 144 .

금속 패턴(142)은 콘택 홀(135)을 실질적으로 완전히 채우며 제2 센싱 전극(120)의 상기 상면과 접촉할 수 있다. 금속 패턴(142)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 주석(Sn) 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다.The metal pattern 142 may substantially completely fill the contact hole 135 and may contact the upper surface of the second sensing electrode 120 . The metal pattern 142 may include silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), and tungsten (W). , niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo), calcium (Ca) , tin (Sn) or an alloy thereof (eg, silver-palladium-copper (APC)).

금속 패턴(142)에 의해 제2 센싱 전극(120)과의 콘택 저항이 감소하며, 상기 제2 센싱 채널 열의 채널 저항이 감소할 수 있다. 따라서, 제2 센싱 채널 열을 통한 스캔 속도 또는 센싱 속도가 향상될 수 있다.A contact resistance with the second sensing electrode 120 may be decreased by the metal pattern 142 , and a channel resistance of the second sensing channel column may be decreased. Accordingly, the scanning speed or the sensing speed through the second sensing channel column may be improved.

바람직하게는, 저저항 구현을 위해 금속 패턴(142)은 구리 합금을 포함할 수 있다.Preferably, the metal pattern 142 may include a copper alloy to realize low resistance.

반사 방지 패턴(144)은 금속 패턴(142) 상에 형성되어, 예를 들면 터치 센서 또는 화상 표시 장치의 시인면을 향할 수 있다. 반사 방지 패턴(144)은 금속 패턴(142)보다 낮은 반사율 또는 높은 광 흡수 특성을 가질 수 있다.The anti-reflection pattern 144 may be formed on the metal pattern 142 to face, for example, a touch sensor or a viewing surface of an image display device. The anti-reflection pattern 144 may have a lower reflectance or higher light absorption than the metal pattern 142 .

예시적인 실시예들에 있어서, 반사 방지 패턴(144)은 금속 패턴(142)보다 낮은 밝기 값을 가질 수 있으며, 실질적으로 흑화 패턴으로 제공될 수 있다.In example embodiments, the anti-reflection pattern 144 may have a lower brightness value than the metal pattern 142 , and may be provided as a substantially blackening pattern.

일부 실시예들에 있어서, CIELAB 색 공간에서 반사 방지 패턴(144)의 L* 값은 약 12 내지 20, 금속 패턴(142)의 L* 값은 약 55 내지 65일 수 있다(0:Black < L* < 100:White; L*의 값이 낮을수록 Black의 색과 가깝다).In some embodiments, the L* value of the anti-reflection pattern 144 may be about 12 to 20, and the L* value of the metal pattern 142 may be about 55 to 65 in the CIELAB color space (0:Black < L) * <100:White; the lower the value of L *, the closer the color of Black).

예시적인 실시예들에 따르면, 반사 방지 패턴(144)은 구리-산소(Cu-O) 함유 도전성 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 반사 방지 패턴(144)은 구리-추가금속-산소(Cu-M-O) 함유 도전성 화합물을 포함할 수 있다.In example embodiments, the anti-reflection pattern 144 may include a copper-oxygen (Cu-O)-containing conductive compound. In some embodiments, the anti-reflection pattern 144 may include a copper-additional metal-oxygen (Cu-M-O) containing conductive compound.

예를 들면, 추가금속(M)은 6족 원소 금속, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및/또는 희토류 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 추가 금속(M)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 란타늄(La), 세슘(Ce), 인듐(In) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.For example, the additional metal (M) may include a Group 6 element metal, an alkali metal, an alkaline earth metal and/or a rare earth metal. For example, additional metals (M) include chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), magnesium (Mg), calcium (Ca), lanthanum (La), cesium (Ce), indium (In), etc. may include. These may be used alone or in combination of two or more.

일부 실시예들에 있어서, 반사 방지 패턴(144)에 포함된 총 원소들 중 상기 구리, 추가금속(M) 및 산소 원소의 비율은 약 50 내지 80원자%(at%)일 수 있으며, 바람직하게는 약 60 내지 70원자%(at%)일 수 있다. In some embodiments, the ratio of the copper, the additional metal (M), and the oxygen element among the total elements included in the anti-reflection pattern 144 may be about 50 to 80 atomic% (at%), preferably may be about 60 to 70 atomic% (at%).

반사 방지 패턴(144)에 있어서, 산소 원소는 구리 및/또는 추가 금속(M)의 도전성을 상실시키지 않으면서, 반사 방지 패턴(144) 내에 도핑 또는 혼입될 수 있다. 산소 원소에 의해 반사 방지 패턴(144)이 흑화 또는 부분 산화되어 금속 패턴(142) 에 대한 반사 방지층 또는 광 흡수층으로 제공될 수 있다.In the anti-reflection pattern 144 , elemental oxygen may be doped or incorporated into the anti-reflection pattern 144 without losing the conductivity of the copper and/or additional metal (M). The antireflection pattern 144 may be blackened or partially oxidized by the oxygen element to provide an antireflection layer or a light absorption layer for the metal pattern 142 .

예를 들면, 절연층(130)에 콘택 홀들(135)을 채우는 금속층을 형성한 후, 상기 금속층 상에 반사 방지층을 형성할 수 있다. 상기 반사 방지층은 구리 타겟(또는 구리-산소 타겟) 및 추가 금속 타겟(또는 추가 금속-산소 타겟), 또는 구리-추가 금속-산소 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. For example, after a metal layer filling the contact holes 135 is formed in the insulating layer 130 , an antireflection layer may be formed on the metal layer. The anti-reflection layer may be formed through a sputtering process using a copper target (or copper-oxygen target) and an additional metal target (or additional metal-oxygen target), or a copper-addition metal-oxygen target.

이후, 상기 반사 방지층 및 상기 금속층을 식각하여 절연층(130)으로부터 순차적으로 적층된 금속 패턴(142) 및 반사 방지 패턴(144)을 포함하는 브릿지 전극(140)을 형성할 수 있다.Thereafter, the anti-reflection layer and the metal layer may be etched to form the bridge electrode 140 including the metal pattern 142 and the anti-reflection pattern 144 sequentially stacked from the insulating layer 130 .

절연층(130) 상에는 브릿지 전극(140)을 덮는 패시베이션 층(150)이 더 형성될 수도 있다. 절연층(130) 및 패시베이션 층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지, 실록산계 수지와 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.A passivation layer 150 covering the bridge electrode 140 may be further formed on the insulating layer 130 . The insulating layer 130 and the passivation layer 150 may include an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, or an organic insulating material such as an acrylic resin or a siloxane-based resin.

상술한 예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극들(110, 120)을 투명 도전성 산화물로 형성하여 터치 센서(100)의 투과성을 향상시킬 수 있다. 채널 저항 감소를 위해 브릿지 전극(140)은 금속 패턴(142)을 포함할 수 있다. According to the above-described exemplary embodiments, the transmittance of the touch sensor 100 may be improved by forming the sensing electrodes 110 and 120 of a transparent conductive oxide. To reduce channel resistance, the bridge electrode 140 may include a metal pattern 142 .

이 경우, 금속 패턴(142)에서의 광 반사에 의해 브릿지 전극(140)이 사용자에게 시인될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 있어서, 반사 방지 패턴(144)이 브릿지 전극(140)을 덮으므로 광 반사를 차단하거나, 반사된 광이 흡수되어 브릿지 전극(140)의 시인을 억제할 수 있다.In this case, the bridge electrode 140 may be visually recognized by the user due to light reflection from the metal pattern 142 . However, in embodiments of the present invention, since the anti-reflection pattern 144 covers the bridge electrode 140 , light reflection may be blocked or the reflected light may be absorbed to suppress visibility of the bridge electrode 140 . .

또한, 반사 방지 패턴(144)에 의해 금속 패턴(142)의 표면이 보호되어 터치 센서 제조 공정 또는 외부로부터 침투하는 수분, 공기에 의한 금속 패턴(142)의 산화, 부식이 방지될 수 있다. 따라서, 브릿지 전극(140)의 화학적 안정성 및 전기적 신뢰성이 장기간 유지될 수 있다.In addition, the surface of the metal pattern 142 is protected by the anti-reflection pattern 144 to prevent oxidation and corrosion of the metal pattern 142 by the touch sensor manufacturing process or moisture and air penetrating from the outside. Accordingly, the chemical stability and electrical reliability of the bridge electrode 140 may be maintained for a long period of time.

도 3은 일부 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및 구조에 대한 상세한 설명은 생략된다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to some exemplary embodiments. Detailed descriptions of configurations and structures substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도 3을 참조하면, 센싱 전극(110, 120)은 금속층 및 투명 도전성 산화물층의 복층 구조를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the sensing electrodes 110 and 120 may include a multilayer structure of a metal layer and a transparent conductive oxide layer.

일부 실시예들에 있어서, 각 센싱 전극(110, 120)은 제1 투명 도전성 산화물 층(92), 금속층(94) 및 제2 투명 도전성 산화물 층(96)을 포함하는 복층 구조를 가질 수 있다.In some embodiments, each of the sensing electrodes 110 and 120 may have a multilayer structure including a first transparent conductive oxide layer 92 , a metal layer 94 , and a second transparent conductive oxide layer 96 .

금속층(94)은 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 층들(92, 96) 사이에 형성되어 센싱 전극(110, 120)의 저항을 낮추고 정전 용량 형성을 촉진할 수 있다. 또한, 금속층(94)에 의해 터치 센서(100)의 전체적인 플렉시블 특성이 증가될 수 있다. The metal layer 94 may be formed between the first and second transparent conductive oxide layers 92 and 96 to lower the resistance of the sensing electrodes 110 and 120 and promote capacitance formation. In addition, the overall flexible characteristics of the touch sensor 100 may be increased by the metal layer 94 .

금속층(94)은 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 층들(92, 96)에 의해 샌드위치되므로, 외부 공기, 수분에 의한 부식이 방지될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 층들(92, 96)에 의해 센싱 전극(110, 120)은 실질적으로 투명성을 가질 수 있다.Since the metal layer 94 is sandwiched by the first and second transparent conductive oxide layers 92 and 96, corrosion by external air and moisture can be prevented. In addition, the sensing electrodes 110 and 120 may have substantially transparency due to the first and second transparent conductive oxide layers 92 and 96 .

도 4는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating a window laminate and an image display device according to example embodiments.

도 4를 참조하면, 윈도우 적층체(200)는 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서(100)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the window stack 200 may include the window substrate 230 , the polarization layer 220 , and the touch sensor 100 according to the above-described exemplary embodiments.

윈도우 기판(230)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤부 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.The window substrate 230 may include, for example, a hard coating film, and in an embodiment, a light blocking pattern 235 may be formed on a periphery of one surface of the window substrate 230 . The light blocking pattern 235 may include, for example, a color printing pattern, and may have a single-layer or multi-layer structure. A bezel portion or a non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235 .

편광층(220)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 편광층(220)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다The polarizing layer 220 may include a coated polarizer or a polarizing plate. The coating-type polarizer may include a liquid crystal coating layer including a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the polarizing layer 220 may further include an alignment layer for imparting alignment to the liquid crystal coating layer.

예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one surface of the polyvinyl alcohol-based polarizer.

편광층(220)은 윈도우 기판(230)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(240)을 통해 부착될 수도 있다.The polarization layer 220 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 230 or may be attached through the first adhesive layer 240 .

터치 센서(100)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(200)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 터치 센서(100)는 제2 점접착층(250)를 통해 편광층(220)과 결합될 수 있다.The touch sensor 100 may be included in the window laminate 200 in the form of a film or a panel. In an embodiment, the touch sensor 100 may be coupled to the polarization layer 220 through the second adhesive layer 250 .

도 4에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 터치 센서(100) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(100)의 센싱 전극들이 편광층(220) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. As shown in FIG. 4 , the window substrate 230 , the polarization layer 220 , and the touch sensor 100 may be sequentially disposed from the user's viewing side. In this case, since the sensing electrodes of the touch sensor 100 are disposed under the polarization layer 220, it is possible to more effectively prevent the electrode visibility phenomenon.

터치 센서(100)가 기판(예를 들면, 기재층(105))을 포함하는 경우, 상기 기판은 예를 들면 트리아세틸셀룰로오스, 시클로올레핀, 시클로올레핀 공중합체, 폴리노르보르넨 공중합체 등을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 정면 위상차가 ±2.5nm 이하일 수 있다.When the touch sensor 100 includes a substrate (eg, the substrate layer 105), the substrate includes, for example, triacetyl cellulose, cycloolefin, cycloolefin copolymer, polynorbornene copolymer, etc. and preferably, the front retardation may be ±2.5 nm or less.

일 실시예에 있어서, 터치 센서(100)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(220) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(100) 및 편광층(220) 순으로 배치될 수도 있다.In an embodiment, the touch sensor 100 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarization layer 220 . In an embodiment, the window substrate 230 , the touch sensor 100 , and the polarization layer 220 may be disposed in the order from the user's viewing side.

상기 화상 표시 장치는 표시 패널(300) 및 표시 패널(300) 상에 결합된 상술한 윈도우 적층체(200)를 포함할 수 있다.The image display device may include a display panel 300 and the above-described window stack 200 coupled to the display panel 300 .

표시 패널(300)은 패널 기판(305) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.The display panel 300 may include a pixel electrode 310 , a pixel defining layer 320 , a display layer 330 , a counter electrode 340 , and an encapsulation layer 350 disposed on a panel substrate 305 . can

패널 기판(305) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) may be formed on the panel substrate 305 , and an insulating layer covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 310 may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on the insulating layer.

화소 정의막(320)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define a pixel area. A display layer 330 is formed on the pixel electrode 310 , and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic light emitting layer.

화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(300) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.A counter electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330 . The counter electrode 340 may be provided as a common electrode or a cathode of the image display device. An encapsulation layer 350 for protecting the display panel 300 may be stacked on the opposite electrode 340 .

일부 실시예들에 있어서, 표시 패널(300) 및 윈도우 적층체(200)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(260)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(240, 250) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80℃에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 표시 패널(300)로부터의 노이즈를 차폐할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(200)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.In some embodiments, the display panel 300 and the window stack 200 may be coupled through an adhesive layer 260 . For example, the thickness of the adhesive layer 260 may be greater than the thickness of each of the first and second adhesive layers 240 and 250, and the viscoelasticity at -20 to 80° C. may be about 0.2 MPa or less. In this case, noise from the display panel 300 may be shielded, and interfacial stress may be relieved during bending to suppress damage to the window laminate 200 . In one embodiment, the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15 MPa.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, experimental examples including preferred embodiments are presented to help the understanding of the present invention, but these examples are merely illustrative of the present invention and do not limit the appended claims, the scope and spirit of the present invention It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments are possible within the scope, and it is natural that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

실험예Experimental example

실시예 1Example 1

COP 기판(두께: 1000 Å) 상에 Cu층을 1000 Å 두께로 형성하고, Cu층 상에 구리-산소 함유 반사 방지층을 스퍼터링 공정을 통해 400 Å의 두께로 형성하여 전극 구조체를 제조하였다.An electrode structure was prepared by forming a Cu layer to a thickness of 1000 Å on a COP substrate (thickness: 1000 Å), and forming a copper-oxygen-containing antireflection layer on the Cu layer to a thickness of 400 Å through a sputtering process.

비교예 1Comparative Example 1

반사 방지층을 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 전극 구조체를 제조하였다.An electrode structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that the anti-reflection layer was omitted.

비교예 2Comparative Example 2

반사 방지층 대신에 인듐아연산화물(IZO) 층을 300 Å의 두께로 Cu 층 상에 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 전극 구조체를 제조하였다.An electrode structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that an indium zinc oxide (IZO) layer was formed on the Cu layer to a thickness of 300 Å instead of the anti-reflection layer.

실시예 및 비교예들의 전극 구조체의 전극면 상에서의 가시광 반사율을 측정(측정기기: 미놀타 적분구측정기)하였다. The visible light reflectance on the electrode surface of the electrode structures of Examples and Comparative Examples was measured (measuring device: Minolta integrating sphere meter).

실시예 및 비교예들의 전극 구조체의 대해 상온에서 초기 저항을 측정하였다. 이후, 24시간 동안 85℃ 온도에서 85% 상대 습도 조건에 방치 한후 전극 구조체의 저항을 측정하고, 초기 저항 대비 저항 변화율을 측정하였다.The initial resistance was measured at room temperature for the electrode structures of Examples and Comparative Examples. Thereafter, the resistance of the electrode structure was measured after leaving it in the 85% relative humidity condition at 85°C for 24 hours, and the resistance change rate compared to the initial resistance was measured.

평가 결과는 하기 표 1에 나타낸다. The evaluation results are shown in Table 1 below.

실시예Example 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 반사율
(%)
reflectivity
(%)
2.52.5 74.974.9 71.471.4
저항 변화율(%)Resistance change rate (%) 109.6109.6 1154.71154.7 99.499.4

표 1을 참조하면, 반사 방지층이 Cu층 상에 형성된 실시예의 경우 전극 구조체의 반사율을 현저히 낮추면서 고온, 고습 조건에서의 화학적, 전기적 안정성이 유지됨을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, in the case of the embodiment in which the anti-reflection layer is formed on the Cu layer, it can be confirmed that the reflectance of the electrode structure is significantly lowered and chemical and electrical stability in high temperature and high humidity conditions is maintained.

105: 기재층 110: 제1 센싱 전극
115: 연결부 120: 제2 센싱 전극
130: 절연층 140: 브릿지 전극
142: 금속 패턴 144: 반사 방지 패턴
150: 패시베이션 층
105: base layer 110: first sensing electrode
115: connection unit 120: second sensing electrode
130: insulating layer 140: bridge electrode
142: metal pattern 144: anti-reflection pattern
150: passivation layer

Claims (15)

기재층;
상기 기재층 상에 배열된 센싱 전극들; 및
상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 서로 전기적으로 연결시키며, 금속 패턴 및 상기 금속 패턴보다 낮은 밝기를 갖는 반사 방지 패턴을 포함하는 브릿지 전극을 포함하는, 터치 센서.
base layer;
sensing electrodes arranged on the base layer; and
A touch sensor that electrically connects some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes to each other and includes a bridge electrode including a metal pattern and an anti-reflection pattern having a lower brightness than the metal pattern.
청구항 1에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 구리-산소 함유 도전성 화합물을 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1 , wherein the anti-reflection pattern includes a copper-oxygen-containing conductive compound. 청구항 2에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 구리 외에 추가 금속을 더 함유하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 2 , wherein the anti-reflection pattern further contains an additional metal in addition to copper. 청구항 1에 있어서, 상기 추가 금속은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 란타늄(La), 세슘(Ce) 및 인듐(In)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.The method according to claim 1, wherein the additional metal is composed of chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), magnesium (Mg), calcium (Ca), lanthanum (La), cesium (Ce) and indium (In) A touch sensor comprising at least one selected from the group. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 주석(Sn) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.The method according to claim 1, wherein the metal pattern is silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo), calcium (Ca), comprising at least one selected from the group consisting of tin (Sn) and alloys thereof, a touch sensor. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1 , wherein the sensing electrodes include a transparent conductive oxide. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조를 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1 , wherein the sensing electrodes include a multilayer structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer. 청구항 7에 있어서, 상기 센싱 전극들은 상기 기재층으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물층, 상기 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물층을 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 7 , wherein the sensing electrodes include a first transparent conductive oxide layer, the metal layer and a second transparent conductive oxide layer sequentially stacked from the base layer. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은 센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및 센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들을 포함하고,
상기 브릿지 전극은 열 방향으로 이웃하는 상기 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는, 터치 센서.
The method according to claim 1, wherein the sensing electrodes are first sensing electrodes forming a sensing channel row; and second sensing electrodes forming a sensing channel column,
The bridge electrode electrically connects the second sensing electrodes adjacent to each other in a column direction, a touch sensor.
청구항 9에 있어서, 상기 기재층 상에서 상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하는 절연층을 더 포함하고,
상기 브릿지 전극의 상기 금속 패턴은 상기 절연층 상에서 상기 콘택홀들을 완전히 채우며, 상기 반사 방지 패턴은 상기 금속 패턴 상에 형성된, 터치 센서.
The method according to claim 9, further comprising an insulating layer covering the sensing electrodes on the base layer and including contact holes partially exposing surfaces of the second sensing electrodes,
The metal pattern of the bridge electrode completely fills the contact holes on the insulating layer, and the anti-reflection pattern is formed on the metal pattern.
청구항 9에 있어서, 상기 센싱 채널 행은 이웃하는 상기 제1 센싱 전극들을 일체로 연결하는 연결부를 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 9 , wherein the sensing channel row includes a connection unit for integrally connecting the adjacent first sensing electrodes. 청구항 1에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은 흑화층을 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1 , wherein the anti-reflection pattern includes a blackening layer. 청구항 1에 있어서, CIELAB 색 공간에서 상기 반사 방지 패턴의 L* 값은 12 내지 20, 상기 금속 패턴의 L* 값은 55 내지 65인, 터치 센서.The touch sensor of claim 1 , wherein the L* value of the anti-reflection pattern is 12 to 20, and the L* value of the metal pattern is 55 to 65 in the CIELAB color space. 윈도우 기판; 및
상기 윈도우 기판 상에 적층되며 청구항 1에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
window substrate; and
A window laminate stacked on the window substrate and comprising the touch sensor according to claim 1 .
표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 적층되며 청구항 1에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
display panel; and
An image display device stacked on the display panel and including the touch sensor according to claim 1 .
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