KR20190121849A - 유기 발광 장치 및 이의 전극 - Google Patents
유기 발광 장치 및 이의 전극 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190121849A KR20190121849A KR1020197029617A KR20197029617A KR20190121849A KR 20190121849 A KR20190121849 A KR 20190121849A KR 1020197029617 A KR1020197029617 A KR 1020197029617A KR 20197029617 A KR20197029617 A KR 20197029617A KR 20190121849 A KR20190121849 A KR 20190121849A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- electrode
- layer
- light
- light emitting
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 213
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H01L51/5203—
-
- H01L51/0021—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H01L2251/558—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 발광 장치 및 이의 전극을 개시한다. 전극은 제 1 도전층을 포함하고, 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며; 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다. 상기 전극은 제 1 도전층 및 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며, 즉, 본 발명은 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 투명 도전층을 통해, 상기 전극 내부에서 광선이 여러번 반사되어 미세 공동 효과 및 상쇄 간섭 효과를 일으켜 광 추출 효율을 향상시킨다.
Description
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 유기 발광 장치 및 이의 전극에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치와 비교하여, 유기 발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display, OLED)는 자체 발광, 빠른 응답, 넓은 시야각, 고휘도, 선명한 색상, 경박 등 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 기술로 간주된다. 여기서, 자체 발광 엘리먼트인 유기 발광 다이오드는 주로 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된 양극층, 유기 재료 기능층(일반적으로 전자 수송층, 유기 기능층 및 정공 수송층 등과 같은 기능층을 포함함), 및 음극층의 순서대로 구성된다. 상이한 발광 방향에 따라, OLED는 바닥부 발광형(즉, 기판에 대해 하향으로 발광함) 및 상부 발광형(즉, 기판에 대해 상향으로 발광함) 두 가지 유형으로 나뉘어진다.
여기서, 음극층은 일반적으로 일 함수가 낮은 단일 금속 원소 및/또는 합금 재료로 구성되어서 광 투과율이 보다 낮기 때문에, 음극층은 상부 발광형 OLED의 전체적인 광 추출 효율에 미치는 영향을 줄이기 위해 음극층의 두께는 통상적으로 나노미터 크기이고, 양극층으로 반사형 금속을 사용함으로써 광 투과율을 더 높인다. 그러나 음극층의 두께가 얇을수록 이의 시트 저항(sheet resistance)의 저항값 (Rs)이 커져 상부 발광형 유기 발광 다이오드의 전압강하가 심해진다. 또한, 상부 발광형 OLED는 음극층을 발광면으로 사용하며, 음극층을 구성하는 재료의 광 투과율이 낮기 때문에 음극층은 반사 기능을 갖는 반투명 박막에 해당하므로, 음극층과 그 아래의 반사 양극층 사이에 미세 공동이 형성되어, 상부 방출형 OLED 장치의 보다 강한 미세 공동 효과를 초래한다. 따라서, 전술한 각 요인으로 인해 상부 발광형 OLED 장치의 대량 생산에 어렵다.
따라서, 현재 OLED는 간단한 제조 공정 및 보다 성숙한 기술을 갖는 바닥부 발광형 구조를 채택하고 있으며, 바닥부 발광형 OLED에 의해 방출된 광선은 양극층을 통과하여 기판의 일측에서 방출된다. 여기서, 양극층은 일반적으로 일 함수가 크고 광 투과율이 높은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 재료를 사용한다.
그러나, ITO 박막의 광 투과율이 높아서, 광 추출에 유리한 미세 공동 효과를 형성하는 것이 불가능하다. 한편, ITO 박막 및 패키지 기판은 커플링 소광 시스템(coupling extinction system)을 형성하기 쉽게 되어, OLED의 광추출 효율에 영향을 미친다.
따라서, 본 발명은 종래 기술의 유기 발광 장치가 광추출 효율이 낮은 문제를 해결하기 위하고자, 유기 발광 장치에 적용한 전극 및 상기 전극을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 유기 발광 장치에 적용한 전극이 제공되며, 상기 전극은 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 구비하고, 제 1 도전층 및 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며, 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 전극은 상기 제 1 도전층의 제 2측에 적층되어 배치된 제 3 도전층을 더 포함하며, 상기 제 3 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 1 도전층은 반반사(semi-reflective) 반투명(semi-transparent) 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 3 도전층의 두께는 50 nm 내지 80 nm이다.
선택적으로, 상기 제 2 도전층의 두께는 20 nm 내지 50 nm이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 상에 순차적으로 적층되어 배치된 제 1 전극, 유기 기능층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 장치를 제공하며, 상기 제 1전극은 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 구비하고, 제 1 도전층, 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며, 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 1 도전층은 반반사 반투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 전극은 상기 제 1 도전층의 제 2측에 적층되어 배치된 제 3 도전층을 더 포함하며, 여기서, 상기 제 3 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 3 도전층의 두께는 50 nm 내지 80 nm이다.
선택적으로, 상기 제 2 도전층의 두께는 20 nm 내지 50 nm이다.
선택적으로, 상기 제 2 전극은 반사 전극이다.
선택적으로, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극과 미세 공동 구조를 형성한다.
선택적으로, 기판 상에 순차적으로 적층되어 배치된 제 1 전극, 유기 기능층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 장치로서, 상기 제 1 전극은 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 구비하고, 제 1 도전층 및 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하고, 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층의 상기 제 2측에 적층되어 배치된 제 3 도전층을 더 포함하며; 상기 제 3 도전층은 투명 도전층이다.
선택적으로, 상기 제 2 전극과 상기 제 1 전극은 미세 공동 구조를 형성한다.
선택적으로, 제 2 전극이 반사 전극일 경우, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극의 제 1 도전층과 미세 공동 구조를 형성한다.
선택적으로, 유기 발광 장치는 기판을 추가로 포함하며, 상기 기판 및 제 1 도전층은 상기 제 2 도전층과 반대한 양측에 배치되고, 제 2 도전층은 제 2 전극에 가까운 위치에 배치되고, 제 3 도전층은 기판에 가까운 위치에 배치된다.
본 발명의 기술적 방안은 다음과 같은 장점을 갖는다.
1. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 전극은 제 1 도전층을 포함하고; 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 더 포함하며; 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다. 상기 전극은 제 1 도전층 및 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함한다. 즉, 본 발명은 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 투명 도전층을 통해, 상기 전극 내부에서 빛은 여러 번의 반사를 거쳐 미세 공동 효과 및 상쇄 간섭 효과를 일으켜 광 추출 효율을 향상시킨다.
2. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 전극에서, 제 1 도전층은 반반사 반투명 도전층이다. 상기 반반사 반투명 도전층은 반반사 반투명 특성을 가지며, 반사 전극과 미세 공동 구조를 형성하여 광의 커플링을 강화시킴으로써 광추출 효율을 향상시킨다
3. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 전극에서, 제 3 도전층의 두께는 50nm 내지 80nm이다. 상기 제 3 도전층의 두께는 제 3 도전층에서 광 파장의 1/4과 동일하다. 광이 다시 공기에서 전극으로 출사될 경우, 제 3 도전층의 양면의 반사광은 모두 반파장 손실(half wave loss)이 발생하기에, 제 3 도전층의 뒷면의 반사광의 광경로는 제 3 도전층의 앞면의 반사광의 광경로보다 반 파장의 차이가 있으며, 이럴 경우 간섭 상쇄가 생긴 것은 반사광 및 입사광이 아니고, 제 3 도전층의 앞면 및 뒷면의 반사광을 상쇄시켜 투과광의 에너지를 증가함으로써 광추출 효율을 향상시킨다.
4. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 유기 발광 장치는 기판 상에 적층되어 배치된 제 1 전극, 유기 기능층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극은 제 1 도전층을 포함하고, 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며; 상기 제 2 도전층은 투명 도전층이다. 본 발명은 제 1 도전층, 및 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 투명 도전층을 통해, 상기 전극 내부에서 빛은 여러 번의 반사를 거쳐 미세 공동 효과 및 상쇄 간섭 효과를 일으킴으로써 광추출 효율을 향상시킨다.
5. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 유기 발광 장치에 따르면, 제 2 전극은 반사 전극이다. 이 반사 전극과 반반사 반투명 특성을 갖는 제 1 도전층에 의해 미세 공동 구조를 형성하여, 광의 커플링 강화가 용이해진다.
본 발명의 실시예 또는 종래 기술의 기술적 방안을 보다 명확히 설명하기 위해, 구체적인 실시예나 종래 기술에 사용된 도면을 간단하게 설명하고자 하며, 이하 첨부된 도면은 단지 본 발명의 일부 실시예일 뿐이며, 당업자는 이런한 도면에 따라 독창적인 작업없이 다른 도면을 얻을 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예 2에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 3에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따른 유기 발광 장치의 구조를 제시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예 2에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 3에 따른 전극의 구조를 제시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따른 유기 발광 장치의 구조를 제시하는 도면이다.
본 발명의 목적, 기술적인 방법 및 장점을 이해하기 더 명확하게 되기 위해, 이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더 상세하게 설명한다.
본 발명의 설명에서, "제 1" 및 "제 2"라는 용어는 다양한 특징/요소를 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 특별히 언급하지 않는 한, 이들 특징/요소는 이러한 용어에 의해 제한하지 않는다. 이러한 용어는 하나의 특징/요소를 다른 하나의 특징/요소와 구별하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 이하에서 설명된 제 1 특징/요소는 제 2 특징/요소로 지칭될 수 있고, 마찬가지로, 이하 논의된 제 2 특징/요소는 제2 특징/요소로 지칭될 수 있으며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다.
본 발명은 많은 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에 설명된 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시가 더 완전하고 철저하게 되고, 본 발명의 개념이 당업자에게 충분히 전달될 수 있도록 제공되며, 본 발명은 첨부된 청구 범위에 의해 한정된다. 첨부된 도면에서, 층 및 영역의 크기 및 상대적인 크기는 명확하게 하기 위해 과장될 수 있다. 층, 영역 또는 기판과 같은 엘리먼트가 다른 엘리먼트 상에 "형성" 또는 "배치"된 것으로 언급될 경우, 이 엘리먼트는 다른 엘리먼트 상에 직접 제공될 수 있거나, 중간 엘리먼트가 존재할 수 있다. 반대로, 엘리먼트가 다른 엘리먼트 상에 "직접적으로 형성된" 또는 "직접적으로 배치된" 것으로 언급될 경우, 중간 엘리먼트는 존재하지 않는다.
본 발명의 실시예에서, 제 1 도전층(11)은 금, 은, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 티타늄, 크롬, 인듐 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택된 임의의 하나, 또는 이들 중 2 종 이상의 합금이거나, 또는 금속 산화물일 수 있으며, 투과율은 5% 내지 95%이고, 두께는 200nm 내지 700nm이다. 예를 들어, 두께는 200nm, 300nm, 550nm, 600nm 및 700nm 등일 수 있다. 이 경우, 제 1 도전층은 반반사 반투명 도전층으로 형성된다.
제 2 도전층(12)는 일 함수가 높은 투명한 알칼리성 금속 산화물로 제조되며, 이로써 정공의 주입 장벽을 감소시키고 정공의 주입 효율을 향상시킨다. 예를 들어, 제 2 도전층(12)은 Al2O3, Fe2O3 또는 K2O로 제조될 수 있고, 두께는 20nm 내지 50nm이며, 예를 들어, 두께는 20 nm, 30 nm, 45 nm, 50 nm 등일 수 있다.
제 3 도전층(13)은 TiO2, Nb2O5, Si3N4, Ta2O5, ZrO2와 같은 높은 굴절율을 갖는 재료로 제조되고, 굴절률은 1.8 내지 2.5이고, 두께는 50nm 내지 80nm이며, 예를 들어, 두께는 50nm, 60nm, 75nm 또는 80nm 등일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치는 기판 상에 순차적으로 적층되어 배치된 제 1 전극(10), 유기 기능층(30) 및 제 2 전극(20)을 포함한다. 여기서, 제 1 전극(10)이 음극으로 작용할 경우, 대응하는 제 2 전극(20)은 양극이며; 또는, 제 1 전극(10)이 양극으로 작용할 경우, 대응하는 제 2 전극(20)은 음극이다.
제 1 전극 (10)은 보다 큰 일 함수를 갖는 재료로 제조되며, 이로써 유기 기능층에 정공을 용이하게 주입할 수 있으며, 이의 재료는 구체적으로 은, 아연, 금 등 및 이들의 합금과 같은 금속; 산화 아연, 산화 인듐, 산화 인듐 주석(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등과 같은 금속 산화물; 금속과 산화물의 복합체 또는 전도성 폴리머 등을 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(20)은 보다 작은 일 함수를 갖는 재료로 제조되며, 이로써 유기 기능층에 전자가 쉽게 주입될 수 있으며, 이의 재료는 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 은 및 이들의 합금과 같은 금속; 또는 LiF/Al 또는 Li2O/Al 등의 복합재료 등을 포함할 수 있다. 그러나, 제 2 전극이 불투명 재료(예를 들어 금속)로 제조될 경우, 제 2 전극(20)은 보다 얇고 투명한 필름층으로 형성되어야 한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 기능층(30)은 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 기능층(30)은 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 등을 포함할 수 있다. 정공 주입층의 재료는 저전압에서 제 1 전극(10)으로부터의 정공을 이상적으로 수용할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 정공 수송층의 재료는 정공 주입층으로부터 유기 발광층으로 정공을 수송할 수 있도록 높은 정공 이동도를 갖는 적절한 재료인 것이 바람직하다. 구체적으로, 정공 수송층의 재료는 방향족 아민계 유기재료, 도전성 폴리머, 공액 부분과 비공액 부분을 모두 갖는 블록 공중합체 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 유기 발광층의 재료는 정공 수송층으로부터의 정공 및 전자 수송층으로부터의 전자를 수신 및 재결합시킴으로써 가시광을 방출할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 전자 수송층의 재료는 제 2 전극(20)으로부터 유기 발광층으로 전자를 수송할 수 있는 높은 전자 이동도를 갖는 적절한 재료인 것이 바람직하다.
또한, 이하 설명될 본 발명의 다른 실시예와 관련된 기술적 특징은 이들간에 상충되지 않는 한 서로 결합될 수 있다.
실시예1
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 전극은 제 1 도전층(11)을 포함하고, 제 1 도전층(11)의 대향하는 양측에 각각 적층되어 배치된 제 2 도전층(12) 및 제 3 도전층(13)을 더 포함하며, 제 2 도전층(12) 및 제 3 도전층(13)은 모두 투명 도전층이다.
본 실시예에서, 제 1도전층(11)은 금속으로 제조되고, 두께가 500nm 내지 600nm이고, 바람직하게는 550 nm이며, 상기 두께에 대응하는 반사율은 53%이고, 광투과율은 42%이며, 상기 두께를 갖는 제 1 도전층(11)의 반사율 및 광 투과율은 기본적으로 동일하며, 이로써 광추출 효율을 향상시킨다. 상기 제 1 도전층(11)은 반반사 반투명 도전층이며, 상기 반반사 반투명 도전층은 반투명 반층에서 출사되는 광이 반사될 때 발생하는 위상차를 조절하도록 구성된다.
제 2 도전층(12)은 Al2O3로 제조되고, 두께는 30nm이다. 제 2 도전층(12)의 최고준위 점유 분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 레벨은 -5.6eV이고, OLED 층의 정공 수송 재료의 HOMO 에너지 레벨은 -4.6eV보다 작기 때문에, 제 2 도전층(12)과 상기 전극을 사용하는 OLED의 유기 기능층(30)에서의 정공 수송 재료 사이에 HOMO에너지 레벨 차이가 존재하고, 상기 에너지 레벨 차이는 OLED의 유기 기능층(30)에서 전자의 이동에 유리하게 되며, 이에 따라 전공의 주입에 유리해지게 되며, 이로써 전극의 금속 표면 커플링이 OLED 광자 에너지에 대한 흡수를 감소시킬 수 있다.
제 3 도전층(13)은 TiO2로 제조되고, 두께는 60nm이다. 제 3 도전층(13)의 굴절율은 2.2이고, 소광 계수는 3.9*10-5cm2*mol-1이다. 상기 제 3 도전층(13)의 두께는 제 3 도전층에서 청색광 파장의 1/4과 동일하다. 또한, 상기 두께에 의해, 광선이 다시 공기에서 전극으로 출사될 경우, 제 3 도전층(13)의 양면에서 반사광은 모두 반파장 손실(half wave loss)을 갖고, 제 3 도전층(13)의 뒷면에서 반사광의 광경로와 제 3 도전층(13)의 앞면에서 반사광의 광경로 사이의 차이는 마침 반파장이며, 이 때 간섭 상쇄는 반사광 및 입사광 사이에서 발생하지 않고, 제 3 도전층(13)의 앞면 및 뒷면의 반사광이 상쇄되며, 이로써 투과광의 에너지를 증가시켜 광추출 효율을 향상시킨다.
본 실시예에 따른 전극은 제 1 전도층(11)의 양측에 적층되어 배치된 투명 전도층을 통해 상기 전극 내부에서 광이 여러번 반사되어, 미세 공동 효과 및 상쇄 간섭 효과를 일으켜, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전극에 적층된 제 2 전극(20)이 반사 전극인 경우, 광선은 반사 전극(20)과 반반사 반투명 도전층(11) 사이에서 반사되며, 즉, 반사 전극과 반반사 반투명 도전층에 의해 미세 공동 구조가 형성됨으로써, 미세 공동 효과를 일으켜, 광의 상쇄 간섭 및 보강 간섭이 발생하며, 궁긍적으로 소정 파장을 갖는 광의 강도만 유지되고, 다른 파장의 광의 강도는 감소되게 된다. 미세 공동 구조에 의한 조절을 진행할 경우, 반반사 반투명 도전층의 두께를 조절함으로써, 반반사 반투명 층에서 광의 반사율 및 투과율을 조절하여, 반반사 반투명 층에서 빛이 반사될 때 발생하는 위상차를 조절할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 한편, 제 1 도전층 (11)의 일 함수는 5.1eV이며, 즉, 제 1 도전층(11)은 보다 큰 일 함수를 갖는 재료로 제조되어, 에너지 레벨 장벽을 낮춤으로써, 정공이 유기 기능층(30)에 용이하게 주입되도록 한다.
실시예2
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 전극은 제 1 전도층(11), 및 제 1 도전층(11) 일측에 적층되어 배치된 제 3 전도층(13)을 포함한다.
제 1 도전층(11)은 구리로 제조되고, 두께는 200nm이며, 이 두께에 대응하는 반사율은 56 %이고, 광 투과율은 40 %이다.
제 3 도전층(13)은 Nb2O5로 제조되며, 굴절률은 2.26이고, 두께는 50nm이다.
상기 전극에 적층된 제 2 전극(20)이 반사 전극인 경우, 제 1 도전층(11)과 반사 전극에 의해 미세 공동 구조가 형성되어, 미세 공동 효과를 일으킴으로써, 광의 상쇄 간섭 및 보강 간섭이 발생하며, 궁긍적으로 소정 파장을 갖는 광의 강도만 유지되고, 다른 파장의 광의 강도는 감소하게 된다. 제 3 도전층은 이의 전후 두 표면의 반사광을 서로 상쇄되도록 하여, 투과광의 에너지를 증가시킴으로써, 광추출 효율을 향상시킨다.
본 실시예에서 상세하게 설명되지 않은 제 1 전도층(11) 및 제 3 전도층(13)의 구체적인 구조의 세부 사항은 제 1 실시예를 참조하고, 여기서는 생략된다.
실시예 3
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 전극은 제 1 도전층(11), 및 제 1 도전층(11) 일 측에 적층되어 배치된 제 2 도전층(12)을 포함한다.
제 1 도전층(11)은 인듐으로 제조되며, 두께는 600nm이고, 이 두께에 대응하는 반사율은 48 %이며, 광 투과율은 50 %이다.
제 2 도전층(12)은 Fe2O3로 제조되고, 굴절률은 1.99이고, 두께는 45nm이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전극에 적층되어 배치된 제 2 전극(20)이 반사 전극인 경우, 제 1 도전층(11)과 반사 전극에 의해 미세 공동 구조가 형성되어 미세 공동 효과가 일으킴으로써 광의 상쇄 간섭 및 보강 간섭이 발생하고, 궁긍적으로 소정 파장을 갖는 광의 강도만 유지되고, 다른 파장의 광의 강도는 감소된다. 제 2 도전층(12)은 정공의 주입을 향상시키도록 구성되어, 전극의 금속 표면 커플링이 OLED 광자 에너지에 대한 흡수를 감소시키도록 한다.
본 실시예에서 상세하게 설명되지 않은 제 1 전도층(11) 및 제 2 전도층(12)의 구체적인 구조 세부 사항은 제 1 실시예를 참조하고, 여기서는 생략된다.
실시예 4
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 유기 발광 장치(OLED)를 제공하며, 본 실시예에 따른 OLED는 바닥부 발광 장치이며, 제 1 전극(10)은 인듐 주석 산화물로 제조된 투명 양극이며, 제 2 전극(20)은 금속 음극으로서, 반사 전극으로 사용되며, LiF/Al로 제조된다.
본 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(10)은 제 1 도전층(11), 및 제 1 도전층(11)에서 대향하는 양면에 적층되어 배치된 제 2 도전층(12), 및 제 3 도전층(13)을 포함한다.
여기서, 제 1 도전층(11)은 금으로 제조되며, 두께는 550nm이고, 이 두께에 대응된 반사율은 53%이며, 광 투과율은 42%이다.
제 2 도전층(12)는 Fe2O3로 제조되며, 두께는 30nm이다.
제 3 도전층(13)은TiO2로 제조되며, 두께는 60nm이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 장치는 바닥부 발광형 장치이며, 광선은 유기 기능층(30)으로부터 출사되어 제 3 도전층(13), 제 1 도전층(11) 및 제 2 도전층(12)을 순차적으로 통과하며, 최종적으로 기판(40)으로부터 출사된다. 여기서, 제 2 도전층(12)은 금속 표면 커플링의 OLED 광자 에너지에 대한 흡수를 감소시킬 수 있어, 제 2 도전층(12)이 제 2 전극(20)에 근접되어 배치되도록 하며, 이로써 광선이 유기 기능층(30)에서 방출된 후, 광자 에너지가 감소되지 않도록 보장할 수 있으며, 따라서 광추출 효율에 영향을 주지 않는다. 또한, 제 3 도전층(13)은 이의 전후 두 표면의 반사광이 상쇄되도록 하여 투과광의 에너지를 증가시킬 수 있으며, 이로써 제 3 도전층(13)이 기판(40)에 근접되어 배치되도록 하며, 광선이 제 1 전극(10)으로부터 출사되기 전에, 투과광의 에너지를 보다 증가시킴으로써, 광추출 효율을 향상시킨다.
본 실시예의 다른 선택적인 구현 방법으로서, 제 1 전극(10)은 제 1 전도층(11), 및 제 1 전도 층(11) 상부에 적층되어 배치된 제 2 전도층(12)을 포함한다.
본 실시예의 또 다른 구현 방법으로서, 제 1 전극(10)은 제 1 전도층(11), 및 제 1 전도층 (11) 하부에 적층되어 배치된 제 3 전도층(13)을 포함한다.
본 실시예에서 상세하게 설명되지 않은 제 1 전극(10)의 구체적인 구조 세부 사항은 제 1 실시 예를 참조하고, 여기서는 생략된다.
본 실시예에 따른 유기 발광 장치로서, 제 1 도전층(11), 및 제 1 도전층(11) 양측에 각각 적층되어 배치된 투명 도전층을 포함하는, 적층되어 배치된 제 1 전극(10)을 통해, 상기 전극 내부에서 광선이 여러번 반사되어 제 1 전극(10)과 제 2 전극(20) 사이에 미세 공동 효과 및 상쇄 간섭 효과를 일으킴으로써 광추출 효율을 향상시킨다.
전술한 실시예는 단지 예시적인 것이며, 실시 방법을 제한하려는 것이 아니라는 것이 명백하다. 당업자는 전술한 설명에 초기하여 다양한 변화 및 수정을 이루어질 수 있으며, 여기에서, 모든 실시예를 소모할 필요가 없다. 이로부터 이루어지는 명백한 변화 또는 수정은 여전히 본 발명의 청구범위 내에 속한다.
Claims (15)
- 기판 상에 순차적으로 적층되어 배치된 제 1 전극, 유기 기능층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 장치로서,
상기 제 1전극은 서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 구비하고, 제 1 도전층 및 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며,
상기 제 2 도전층은 투명 도전층인 것인, 유기 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층의 상기 제 2측에 적층되어 배치된 제 3 도전층을 더 포함하며,
상기 제 3 도전층은 투명 도전층인 것인, 유기 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 도전층은 반반사 반투명 도전층인 것인, 유기 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 도전층의 두께는 20 nm 내지 50 nm인 것인, 유기 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 3 도전층의 두께는 50 nm 내지 80 nm인 것인, 유기 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 반사 전극인 것인, 유기 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극과 미세 공동 구조를 형성하는 것인, 유기 발광 장치. - 제 2항에 있어서,
제 2 전극이 반사 전극일 경우, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극의 제 1 도전층과 미세 공동 구조를 형성하는 것인, 유기 발광 장치. - 제 8 항에 있어서,
기판을 추가로 포함하며, 상기 기판 및 제 1 도전층은 상기 제 2 도전층과 반대한 양측에 배치되고, 제 2 도전층은 제 2 전극에 가까운 위치에 배치되고, 제 3 도전층은 기판에 가까운 위치에 배치되는 것인, 유기 발광 장치. - 유기 발광 장치에 적용한 전극으로서,
서로 대향하는 제 1측 및 제 2측을 구비하고, 제 1 도전층 및 상기 제 1 도전층의 제 1측에 적층되어 배치된 제 2 도전층을 포함하며, 상기 제 2 도전층은 투명 도전층인 것인, 전극. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 도전층의 상기 제 2측에 적층되어 배치된 제 3 도전층을 더 포함하는 것인, 전극. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 도전층은 반반사 반투명 도전층인 것인, 전극. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 도전층의 두께는 20 nm 내지 50 nm인 것인, 전극. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 3 도전층의 두께는 50 nm 내지 80 nm인 것인, 전극. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 도전층의 두께는 500 nm 내지 600 nm인 것인, 전극.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721024404.X | 2017-08-16 | ||
| CN201721024404.XU CN208173629U (zh) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 电极及有机电致发光装置 |
| PCT/CN2018/085171 WO2019033794A1 (zh) | 2017-08-16 | 2018-04-28 | 有机电致发光装置及其电极 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190121849A true KR20190121849A (ko) | 2019-10-28 |
| KR102329991B1 KR102329991B1 (ko) | 2021-11-23 |
Family
ID=63961015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197029617A KR102329991B1 (ko) | 2017-08-16 | 2018-04-28 | 유기 발광 장치 및 이의 전극 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200168833A1 (ko) |
| EP (1) | EP3598519A4 (ko) |
| JP (1) | JP2020517066A (ko) |
| KR (1) | KR102329991B1 (ko) |
| CN (1) | CN208173629U (ko) |
| TW (1) | TWM564831U (ko) |
| WO (1) | WO2019033794A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11588135B2 (en) | 2020-07-07 | 2023-02-21 | Avalon Holographies Inc. | Microcavity pixel array design and method |
| WO2023058308A1 (ja) * | 2021-10-05 | 2023-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光装置および発光装置形成基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005108644A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| US20050161665A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-07-28 | Eastman Kodak Company | Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element |
| JP2007529868A (ja) * | 2004-03-19 | 2007-10-25 | イーストマン コダック カンパニー | 安定性が改善された有機発光デバイス |
| US20160380231A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9136504B2 (en) * | 2004-08-04 | 2015-09-15 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electroluminescent device |
| CN1787702A (zh) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 北京大学 | 红光有机发光器件的制备方法 |
| FR2925981B1 (fr) * | 2007-12-27 | 2010-02-19 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant. |
| EP2172990A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Thomson Licensing | OLED or group of adjacent OLEDs with a light-extraction enhancement layer efficient over a large range of wavelengths |
| KR101084239B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2017
- 2017-08-16 CN CN201721024404.XU patent/CN208173629U/zh active Active
-
2018
- 2018-04-28 JP JP2019555805A patent/JP2020517066A/ja active Pending
- 2018-04-28 US US16/326,914 patent/US20200168833A1/en not_active Abandoned
- 2018-04-28 KR KR1020197029617A patent/KR102329991B1/ko active IP Right Grant
- 2018-04-28 WO PCT/CN2018/085171 patent/WO2019033794A1/zh unknown
- 2018-04-28 EP EP18846626.2A patent/EP3598519A4/en active Pending
- 2018-05-11 TW TW107206187U patent/TWM564831U/zh unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005108644A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| US20050161665A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-07-28 | Eastman Kodak Company | Green light-emitting microcavity OLED device using a yellow color filter element |
| JP2007520862A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-26 | イーストマン コダック カンパニー | 緑色発光マイクロキャビティｏｌｅｄ |
| JP2007529868A (ja) * | 2004-03-19 | 2007-10-25 | イーストマン コダック カンパニー | 安定性が改善された有機発光デバイス |
| US20160380231A1 (en) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR20170001827A (ko) * | 2015-06-25 | 2017-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020517066A (ja) | 2020-06-11 |
| EP3598519A4 (en) | 2020-05-20 |
| KR102329991B1 (ko) | 2021-11-23 |
| EP3598519A1 (en) | 2020-01-22 |
| TWM564831U (zh) | 2018-08-01 |
| WO2019033794A1 (zh) | 2019-02-21 |
| CN208173629U (zh) | 2018-11-30 |
| US20200168833A1 (en) | 2020-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101352370B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI448195B (zh) | 有機電致發光裝置，包括該有機電致發光裝置之顯示裝置及製造有機電致發光裝置之方法 | |
| TWI617023B (zh) | 顯示裝置與光學膜 | |
| KR101127767B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
| US20060108580A1 (en) | Organic EL device | |
| KR20080012177A (ko) | 유기 발광 소자 및 표시 장치 | |
| JP5698848B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN101540373A (zh) | 蓝光顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法 | |
| JP2012199222A (ja) | 有機発光表示装置 | |
| JP2012199220A (ja) | 有機発光表示装置 | |
| CN115394822A (zh) | 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| KR102329991B1 (ko) | 유기 발광 장치 및 이의 전극 | |
| US7863632B2 (en) | High performance light-emitting devices | |
| KR20060102446A (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2004127725A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| CN109638037B (zh) | 一种全彩化显示模块及其制作方法 | |
| JP2004152751A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス | |
| KR102154489B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| KR20120126336A (ko) | 유기발광소자 | |
| JP7434511B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20150001510A1 (en) | Organic light-emitting device | |
| JPH10270170A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004247106A (ja) | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20130027728A (ko) | 가요성 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | |
| KR20100056660A (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |