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KR20190119520A - 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20190119520A
KR20190119520A KR1020190034620A KR20190034620A KR20190119520A KR 20190119520 A KR20190119520 A KR 20190119520A KR 1020190034620 A KR1020190034620 A KR 1020190034620A KR 20190034620 A KR20190034620 A KR 20190034620A KR 20190119520 A KR20190119520 A KR 20190119520A
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KR
South Korea
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acrylate
adhesive sheet
meth
temporary fixing
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KR1020190034620A
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김세라
한지호
장미
이광주
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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Publication date
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Priority to TW108112720A priority patent/TWI695052B/zh
Priority to JP2020538833A priority patent/JP7015619B2/ja
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Abstract

본 발명은 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있는 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 제조 방법에 관한 것이다.

Description

임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법{ADHESIEVE SHEET FOR TEMPORARY-ATTAMCHMENT AND METHODE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자기기의 소형화, 박형화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커지고 있다. 이를 반영하여, 반도체 칩의 크기가 점점 커지고, 동시에 칩의 두께는 얇아지고 있다.
박형의 반도체 칩은 제조 공정 중 핸들링이 어려운 문제가 있으며, 이에, 점착 시트 등을 사용하여 임시적으로 박형의 반도체 칩을 고정하고, 임시 고정된 상태에서 이를 가공, 처리 및 이송하는 공정을 진행하는 방법이 적용되고 있다.
그런데, 반도체의 제조 공정 중 다수의 공정이 고온의 조건 하에서 수행되기 때문에 공정 중에 점착력 저하의 문제가 발생하지 않도록 점착 시트의 높은 내열성이 요구되고 있다. 또한, 일련의 공정이 완료된 후 고정된 박형의 반도체 칩의 분리하는 공정에 있어서, 반도체 칩에 손상을 주지 않고, 표면에 잔사물 등이 남지 않도록 충분한 박리성 또한 요구되고 있다.
최근 임시 점착 소재로서, 자외선 조사에 의해 점착력이 저하되는 자외선 경화형 점착제가 사용되고 있다. 그런데, 종래의 점착제의 경우, 점착제 내의 광개시제 등의 첨가제가 고온의 공정에서 열분해되거나, 첨가제의 이동 현상으로, 박리 단계에서의 점착력 저하가 불충분한 문제가 있었다.
이에, 임시고정용으로 사용되기 위해, 점착력, 내열성 및 박리성을 모두 우수한 수준으로 만족시키기 위한 점착 시트의 개발이 필요하다.
본 발명은 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정 중 고온의 공정을 거치더라도 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있는 임시고정용 점착시트를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 임시고정용 점착시트를 사용한 반도체 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 23℃에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Direction) 방향의 연신율이 200% 이상인 기재필름; 및 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지, 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제 및 다관능성 가교제를 포함한 점착층을 포함하고, 상기 접착층을 90℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 30% 이하인, 임시고정용 점착시트가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착 시트가 부착된 반도체 장치에 대하여, 소정의 공정을 거치는 단계; 상기 소정의 공정을 거친 이후, 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을 조사하는 단계; 및 상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
이하, 발명의 구현 예들에 따른 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
그에 앞서, 본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.
본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
그리고, 본 명세서에서 '제 1' 및 '제 2'와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 발명자들의 계속적인 연구 결과, 반도체의 제조 공정에 사용되는 임시고정용 점착시트에 있어서, 우수한 연신 특성을 가지며 자외선 투과성이 있는 내열성 고분자로 기재필름을 형성하고, 상기 기재필름의 투과 파장 영역에서의 광중합이 개시될 수 있는 특정 성분으로 점착층을 형성함으로써, 반도체의 제조 공정 중 우수한 점착력을 구현하고, 고온의 공정을 거치더라도 박리 단계에서 광경화에 의해 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 것을 확인하였다. 이에 따라, 반도체의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
Ⅰ. 임시고정용 점착시트
본 발명의 일 구현 예에 따르면, 기재필름과 점착층을 포함하며, 상기 접착층을 90℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 30% 이하인, 임시고정용 점착시트가 제공된다.
바람직하게는, 상기 접착층을 90℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율(R)은 하기 일반식 1로 정의될 수 있다.
[일반식 1]
R(%)= A2' *100 / A1'
상기 일반식 1에서, A1'은 100℃에서 3시간 동안 열처리한 이후에 상기 점착층의 점착력이고,
A2'는 상기 열처리된 점착층에 200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장의 자외선을 100mJ/cm2 내지 1000mJ/cm2 광량으로 조사한 이후 측정한 점착층의 점착력이다.
상기 점착층의 점착력 비율(R)은, 반도체의 제조 공정 중 고온의 조건을 거치더라도 우수한 점착력을 구현하고, 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하 효과를 나타내는 지표이며, 본원발명에 따른 임시고정용 점착시트는, 상기 점착력 비율(R) 값이 30% 이하를 만족함으로써, 반도체의 제조 공정에 적용되어, 공정 효율을 현저히 향상시키고, 고품질의 반도체를 제조할 수 있게 한다. 상기 점착력 비율(R)은 점착층의 소재나 점착층의 공정 조건 등을 조절하여 도출할 수 있다.
본 발명에서 상기 점착력 비율(R)이 30%를 초과하는 경우, 광경화에 의한 충분한 박리력 효과를 구현할 수 없으며, 이 경우 대상 반도체 표면에 점착 잔여물이 존재하거나, 반도체 손상을 유발하는 등의 문제가 발생할 수 있다. 바람직하게는 상기 변화율은 20% 이하, 바람직하게는 15% 이하, 더욱 바람직하게는 10% 이하일 수 있다.
기재필름
본 발명의 일 실시예에 따른 기재필름은 반도체의 제조 공정 중에 발생하는 고온의 조건 하에서 열화 및 변형 등이 발생하지 않으며, 연신율이 200% 이상으로 연신 특성이 우수하여 픽업 공정시 적용이 용이한 소재이다.
본 발명에서, 상기 기재 필름은 23℃에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Direction) 방향의 연신율이 200% 이상을 만족하는 것으로서, 상기 연신율이 200% 미만인 경우 픽업 공정 성공률이 현저히 저하될 수 있다. 본 발명에서, 상기 기재필름의 연신율은 바람직하게는 250% 이상, 더욱 바람직하게는 300% 이상을 만족하는 것일 수 있다.
본 발명에서, 상기 기재 필름은, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌공중합체, 및 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체, 폴리부틸렌테레프탈레이트 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 폴리올레핀, 폴리부틸렌테레프탈레이트를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명에서, 기재필름이 2종 이상의 고분자가 혼합물이 포함되는 경우, 전술한 고분자들을 각각 포함한 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 고분자들이 2 이상 포함된 단일층이 필름을 모두 포함하는 것이다.
또한, 상기 기재필름은 전술한 내열성 고분자 성분을 포함하고, 동시에 300nm 이상의 파장에서 투과율이 50% 이상을 만족함으로써, 후술하는 점착층 내의 광개시제가 용이하게 광중합 반응을 개시할 수 있게 한다.
상기 기재필름이, 300nm 이상의 파장에서 투과율이 50% 미만인 경우, 점착층의 광개시제의 광흡수가 충분하지 못하여, 점착 시트를 분리하는 단계에서 점착력의 저하가 충분하지 않을 수 있다.
상기 기재필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 5 내지 500㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 300㎛의 두께 또는 50 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며, 점착 시트의 박리 단계에서 손상 없이 박리가 가능하다.
상기 기재필름은, 본 발명이 목적하는 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 성능을 향상시키기 위한 추가적인 처리를 거친 것일 수 있다. 예를 들면, 기재필름의 표면에 매트처리, 코로나방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
점착층
본 발명의 일 실시예에 따른 점착층은, 상기 기재필름의 일면에 형성될 수 있으며, 전술한 점착력 비율(R)을 만족하는 특정 소재로 형성된다. 본 발명에서 상기 점착층은 열에 의해 우수한 점착력을 구현하고, 자외선 조사에 의해 우수한 점착력 저하 효과를 구현하는 소재로 형성되며, 특히, 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지와 특정 광개시제를 조합하여 사용함으로써, 기재필름으로부터 상대적으로 낮은 투과율로 파장이 투과되더라도, 우수한 광개시 효율 및 고온 공정후에도 우수한 점착력 저하 효과를 구현할 수 있게 한다.
본 발명에서, 상기 점착층은 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제를 포함한 점착층을 포함함으로써, 상기 성분들의 조합으로 고온의 조건 하에서도 반도체의 제조 공정 중 충분한 점착력을 구현하고, 박리 단계에서 광경화에 의한 점착력 저하가 용이하다.
본 발명에서, 상기 점착층은 전술한 성분을 포함하는 점착층 형성용 조성물을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명에서, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 서로 상이한 2종 이상의 아크릴계 반복 단위를 포함하며, 이들의 특정 그래프트 공중합 구조에 따라, 고온의 공정에서도 우수한 점착 안정성을 구현할 수 있다.
본 발명에서, 상기 제1 (메타)아크릴레이트 반복 단위의 벤조일페닐기는 자외선 조사에 의해 라디칼을 발생시켜 경화 반응을 개시하며, 고온 공정 후에도 안정적인 점착력 저하 효과를 구현할 수 있게 한다. 상기 벤조일페닐기는 하기 화학식 1로 표시되는 작용기를 의미할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 벤조일페닐기는 제1 (메타)아크릴아크릴레이트계 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 상기 벤조일페닐기를 갖는 화합물과 (메타)아크릴레이트계 화합물의 부가 반응으로 얻어진 단량체로부터 유래될 수 있다. 구체적으로는, 벤조일페닐메틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 에틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 n-프로필 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 n-부틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 t-부틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 펜틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 n-옥틸(메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 벤조일페닐 이소노닐 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서, 상기 제2 (메타)아크릴레이트 반복 단위는 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기 등의 구조에 의해 가교 구조를 구현할 수 있으며, 이에 따라 3차원 가교 구조를 통해 점착제의 응집력을 향상시켜, 반도체 공정 중 충분한 점착력을 나타낼 수 있다.
상기 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기는 제2 (메타)아크릴아크릴레이트계 반복 단위에 1이상 치환될 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 히드록시기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는, 카르복시기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는 (메타)아크릴산(acrylic acid), 크로톤산(crotonic acid), 말레산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid) 등을 들 수 있다.
상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위는 질소 함유 작용기를 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체로부터 유래될 수 있으며, 이러한 단량체로는, (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른, 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성 (메타)아크릴레이트계 측쇄를 포함할 수 있다. 상기 광중합성 (메타)아크릴레이트계 측쇄는 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기와 결합 가능한 광중합성 화합물로부터 유래할 수 있으며, 구체적으로는, 이소시아네이트기 또는 에폭시기를 갖는 화합물로부터 유래할 수 있다.
상기 광중합성 화합물의 구체적인 예로는, 히드록시기와 반응할 수 있는 화합물로, (메타)아크릴로일옥시 이소시아네이트, (메타)아크릴로일옥시 메틸 이소시아네이트, 2-(메타)아크릴로일옥시 에틸 이소시아네이트, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필 이소시아네이트, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸 이소시아네이트, m-프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 또는 알릴 이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물을 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸과 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트화합물, 폴리올화합물 및 (메타)아크릴산 2-히드록시에틸을 반응시켜 얻어지는 아크릴로일 모노이소시아네이트화합물; 등을 들 수 있다. 또한, 카복실기와 반응할 수 있는 화합물로는, 글리시딜(메타)아크릴레이트 또는 알릴 글리시딜 에테르 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광중합성 (메타)아크릴레이트계 측쇄가 상기 제 2(메타)아크릴레이트 반복 단위의 20몰% 미만으로 치환되는 경우 자외선 조사에 의한 박리력 저하가 충분하지 않을 우려가 있고, 95몰%를 초과하여 치환되는 경우 자외선 조사 전의 점착제의 응집력이 저하될 우려가 있다.
본 발명에서, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 전술한 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 및 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위 외에 추가 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 전술한 특정 작용기를 포함하지 않는 반복 단위로, 지방족(메타)아크릴레이트로, 지환족 (메타)아크릴레이트로, 방향족 (메타)아크릴레이트 등으로부터 유래된 반복 단위일 수 있다.
지방족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 구체적으로는, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
지환족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기를 갖는 사이클로알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 이소보닐아크릴레이트(IBOA), 트리메틸사이클로헥실 아크릴레이트, 싸이클로펜실(메타)아크릴레이트, 싸이클로헥실(메타)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐메타아크릴레이트, 디사이클로펜테닐옥시메타아크릴레이트 등을 들 수 있다.
방향족 (메타)아크릴레이트로는, 탄소수 6 내지 30의 방향족기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 페닐히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, o-페닐페놀 EO (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐페녹시프로필 (메타)아크릴레이트, 페놀 EO (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
본 발명에서, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지는 중량평균분자량이 100,000 내지 30,00,000 g/mol일 수 있고, 바람직하게는 400,000 내지 2,000,000g/mol 일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우, 적정 코팅성과 응집력을 나타내어, 박리 단계에서 피착제에 잔여물이 남는 등의 문제가 발생하지 않아 바람직하다.
본 발명에서, 광개시제는 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 성분으로, 전술한 기재필름으로부터 투과된 파장에서 광중합을 개시하여 점착층의 점착력을 용이하게 저하시키는 성분이다. 바람직하게는, 상기 광개시제는 300nm 내지 420nm의 파장에서 활성을 갖는 성분일 수 있다.
상기 광개시제는, 예를 들면, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 옥시-페닐-아세틱애씨드 2-[2-옥소-2-페닐-아세톡시-에톡시]-에틸에스테르, 옥시-페닐-아세틱애씨드 2-[2-하이드록시-에톡시]-에틸에스테르, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 티오잔톤 등을 들 수 있으며, 바람직하게는, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 혼합되어 사용될 수 있다. 상기 성분으로 형성되는 경우, 본원발명의 기재필름을 통해 투과되는 자외선에 의한 활성이 뛰어나다.
본 발명에서, 상기 광개시제는, 상기 광반응성 작용기를 같는 바인더 수지 100중량부를 기준으로, 0.1 내지 40중량부, 바람직하게는 1 내지 20중량부로 포함될 수 있으며, 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 효과적인 경화 반응을 유도하고, 경화 후 잔존 성분으로 인한 물성 저하 등을 방지할 수 있다.
본 발명에서, 상기 점착층은 다관능성 가교제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서, 다관능성 가교제는 점착층에 응집력을 부여하는 성분으로서, 예를 들면 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물 당 분야에서 통상적으로 사용되는 화합물이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.
본 발명에서, 상기 가교제는, 상기 광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 100중량부 대비 0.1 내지 30중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 상기 가교제가 0.1중량부 미만인 경우 점착층의 응집력이 부족할수 있으며, 상기 가교제가 40중량부 초과인 경우 점착층이 광경화 이전에 점착력이 충분히 확보하지 못하여 박리 현상 등이 발생할 수 있다.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재필름 상에 직접 본 발명의 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착층 형성용 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착층을 기재필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.
이때 점착층 형성용 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아코터, 다이 코터 또는 리버스코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.
상기 점착층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 5 내지 100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위로 형성되는 경우, 반도체의 고온 공정에서 지지가 가능하며, 점착 시트의 박리 단계에서 손상 없이 박리가 가능하다.
본 발명에서, 상기 점착층 상에 형성된 이형필름을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 이형필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
상기 이형필름은 통상 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른, 임시고정용 점착시트는 반도체 공정의 보호 필름, 캐리어 필름 도는 픽업 공정용 필름으로 사용될 수 있다. 특히, 픽업 공정용 필름에 적용되는 경우, 기재필름의 우수한 연신 특성과 점착층의 낮은 박리력 특성으로 다이싱의 픽업 성공률을 현저히 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 점착층은 1개 이상 포함할 수 있으며, 이에 따라 기재필름에 대해 일면 또는 양면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 임시고정용 점착시트를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재필름 상에 점착층 및 이형필름(필요에 따라)을 순차로 형성하는 방법, 또는 기재필름에 점착층이 형성된 이형필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션 시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫롤라미네이트 또는 적층프레스법을 사용할 수 있고, 이중 연속공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫롤라미네이트법이 바람직하다. 핫롤라미네이트법은 10℃ 내지 100℃의 온도에서 0.1 Kgf/㎠내지 10 Kgf/㎠의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트(10)의 단면도를 나타낸 것이다.
도 1(a)를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트(10)는 기재필름(100) 및 점착층(200)이 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 점착층(200)의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면(200(a))이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 1(b)를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트(10)는 기재필름(100), 점착층(200) 및 이형필름(300)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 점착층(200)으로부터 이형필름(300)을 박리한 후, 이형필름(300)이 박리된 점착층(200)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다.
도 2(a)를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트(10)는 기재필름(100)의 양면에 2개의 점착층(210, 220)이 각각 형성된 구조일 수 있다.
이 경우, 제1 점착층(210), 기재필름(100), 제2 점착층(220)이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 점착층 중 어느 하나의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 점착층(220)의 기재필름(100)이 형성되지 않은 면(220(a))이 반도체 장치의 소정의 부분에 부착될 수 있다.
도 2(b)를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 임시고정용 점착시트(10)는 제1 이형필름(310), 제1 점착층(210), 기재필름(100), 제2 점착층(220) 및 제2 이형필름(320)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
상기 점착제 시트(10)가 반도체의 제조 공정에 적용되는 경우, 상기 제2 점착층(210, 220)으로부터 이형필름(310, 320)을 박리한 후, 이형필름(310, 320)이 박리된 점착층(210, 220)의 일면이 반도체 장치의 소정 부분에 부착될 수 있다.
이후, 상기 점착시트(10)의 박리 단계에서, 제1 점착층(210) 측으로 자외선을 조사하여 하부 기재필름(100)을 통과하여, 제2 점착층(220)을 광경화시킬 수 있다. 이에 따라, 점착층(200)의 점착력이 저하되어 반도체 장치로부터 임시고정용 점착시트(10)가 용이하게 박리될 수 있다.
Ⅱ. 반도체 장치의 제조 방법
본 발명의 다른 일 구현 예에 따르면, 상술한 임시고정용 점착시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
통상적으로, 반도체 장치의 제조 중에는 고온의 조건 하에 수행되는 공정이 포함되며, 이 경우, 기재필름이나 점착층이 열분해되거나, 점착층 내에 포함되는 첨가제 등이 탈리되는 문제가 있었다. 이러한 경우, 반도체의 제조 공정 중에 충분한 점착력을 구현하지 못하거나, 점착시트의 광경화에 의한 박리 단계에서 충분한 점착력 저하를 구현하지 못하였다.
본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 자외선 투과성이 있는 소재로 기재필름을 형성하고, 상기 기재필름의 투과 파장 영역에서의 광중합이 개시 및 반응성을 향상시킬 수 있는 특정 성분으로 점착층을 형성함으로써, 전술한 문제점을 모두 개선하였다. 이에 따라, 반도체의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 전술한 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계; 상기 점착시트가 부착된 반도체 장치에 대하여, 소정의 공정을 거치는 단계; 상기 소정의 공정을 거친 이후, 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을 조사하는 단계; 및 상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함한다.
본 발명에서, 상기 전술한 임시고정용 점착시트에 관한 내용을 상술한 내용을 모두 포함하며, 상기 반도체 장치의 제조 방법은 후술하는 세부적인 공정 조건을 제외하고 통상적으로 알려진 제조 방법 등이 별 다른 제한 없이 적용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 자외선 조사 단계는 점착층의 광경화를 개시하는 단계이며, 이에 따라 점착층의 점착력 저하로 반도체 장치로부터 점착시트를 용이하게 박리할 수 있게 한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서, 상기 임시고정용 점착시트가 이형필름을 더 포함하는 경우, 상기 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하기 전, 점착층으로부터 이형필름을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 방법에 따라 반도체 장치의 제조 공정 효율이 향상되고 제조된 반도체의 품질이 매우 뛰어난 것을 확인하였다.
본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 반도체 제조 공정 중 적정 점착력을 가지며, 광경화에 의해 용이하게 점착력이 저하되어 공정이 완료된 후의 박리가 용이하다.
또한, 본 발명에 따른 임시고정용 점착시트는 내열성이 뛰어나 반도체의 제조 공정에 적용되어 고온의 공정을 거치더라도, 점착 시트의 박리 단계에서 광경화에 의한 충분한 점착력 저하를 나타낼 수 있다.
특히, 픽업 공정용 필름에 적용되는 경우, 기재필름의 우수한 연신 특성과 점착층의 낮은 박리력 특성으로 다이싱의 픽업 성공률을 현저히 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른, 임시고정용 점착시트(10)의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.
이하, 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 발명을 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
제조예 : 점착층 형성용 조성물의 제조
제조예 1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 75g, 4-벤조일페닐 메타아크릴레이트 5g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 20g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 사슬이동제(CTA:chain transfer agent)인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitrile) 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 24g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 90몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)를 0.24g배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥사이드 2g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-1)을 제조하였다.
제조예 2
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 에틸 아크릴레이트 20g, 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 63g, 4-벤조일페닐 아크릴레이트 2g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 15g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 사슬이동제(CTA:chain transfer agent)인 n-DDM(n-dodecyl mercaptan) 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitrile) 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 15g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 76몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate) 0.15g을 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-2)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-2) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 5g, 광개시제로 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥사이드 3g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-2)을 제조하였다.
제조예 3
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 3g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-3)을 제조하였다.
비교 제조예 1
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-EHA) 80g, 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 20g로 구성되는 단량체들의 혼합물을 투입하였다. 이어서, 상기 단량체 혼합물 100g를 기준으로 사슬이동제(CTA:chain transfer agent)인 n-DDM 400pm과 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100g를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 62℃로 상승 유지하고, 반응개시제인 V-60(Azobisisobutylonitrile) 300ppm의 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 6시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 24g(1차 반응물 내의 HEA에 대하여 90몰%) 및 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate) 0.24g 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 1차 반 응물 내의 중합체 측쇄에 자외선 경화기를 도입하여 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(b-1)를 제조하였다.
상기 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(b-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g, 광개시제로 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥사이드 2g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(A-2)을 제조하였다.
비교 제조예 2
상기 제조예 1의 (메타)아크릴레이트계 바인더 수지(a-1) 100g에 TDI계 이소시아네이트 경화제 4g을 혼합하여 점착층 형성용 조성물(B-2)을 제조하였다.
실시예 및 비교예
실시예 1
상기 제조예 1의 점착층 형성용 조성물(A-1)을 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛) 상에 도포한 후 110℃에서 3분간 건조하여 약 30㎛ 두께의 점착층을 형성하였다. 형성된 점착제층 100㎛ 두께의 기재필름 폴리 프로필렌 필름에 합지한 후 에이징을 거쳐 임시고정용 점착시트를 얻었다.
실시예 2 내지 3 및 비교예 1 내지 2
하기 표 1의 성분 및 사용량을 적용한 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 임시고정용 점착시트를 제조하였다. 기재필름의 연신율(%)은 폭 5mm, 길이 40mm인 시편을 23℃에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Direction)의 연신율이다.
구분 기재필름(연신율(%)) 점착층
실시예 1 폴리프로필렌(420) 제조예 1(A-1)
실시예 2 폴리부틸렌테레프탈레이트(792) 제조예 2(A-2)
실시예 3 폴리프로필렌(420) 제조예 3(A-3)
비교예 1 폴리프로필렌(420) 비교 제조예 1(B-1)
비교예 2 폴리프로필렌(420) 비교 제조예 2(B-2)
비교예 3 폴리에틸렌나프탈레이트(126) 제조예 1(A-1)
실험예 1: 점착력 및 박리력 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 임시고정용 점착시트에 대하여, 하기의 방법으로 점착력 및 광경화에 따른 박리력을 평가하였으며, 그 결과를 표 2에 기재하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 임시고정용 점착시트를 폭 25mm 가 되도록 컷팅한 후 실리콘 웨이퍼에 2kg의 롤러를 이용하여 부착한 샘플을 준비하였다.
다음으로, 실리콘 웨이퍼에 부착된 임시고정용 점착시트의 기재면이 접촉되도록 100℃의 핫 플레이트에서 3시간 동안 방치한 열처리한 샘플을 준비하였다.
(1) 점착 특성 평가
상기 점착시트에 대하여, Stable Micro Systems.사의 Texture Analyzer을 사용하여 300mm/min의 속도, 180도 각도로 점착력(gf/25mm)을 측정하였다.
(2) 박리 특성 평가
상기에서 준비한 열처리를 하지 않은 샘플과 열처리를 시행한 샘플에 대해 각각 광량 300mJ/cm2 조건의 자외선(200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장을 가지는 수은램프 사용)을 기재필름 측에서 조사한 샘플과 조사하지 않은 샘플에 대해 평가한 결과 값을 평가하였다.
또한, 상기 측정한 점착력을 통해 하기식을 통해 점착력 비율(R)을 측정하였다.
[일반식 1]
R(%) = A2' *100 / A1'
상기 일반식 1에서, A1'은 100℃에서 3시간 동안 열처리한 이후에 측정한 점착층의 점착력이고, A2'는 열처리한 이후 자외선을 조사한 후 측정한 점착층의 점착력이다.
실험예 2: 픽업 특성 평가
실시예 및 비교예에 따라 제조된 임시고정용 점착시트에 대하여, 이형필름을 벗겨낸 후 점착층 면을 미러 웨이퍼(8인치, 두께 80㎛)에 온도 25℃에서 마운팅하였다. 다음으로, 실리콘 웨이퍼에 부착된 임시고정용 점착시트의 기재필름 면이 접촉되게 100℃의 핫 플레이트에서 3시간 동안 방치한 열처리한 샘플을 준비하였다.
열처리한 샘플에 대해 칩 크기가 10mm ⅹ10mm 가 되도록 하기 조건으로 다이싱을 실시하였다. 이어 다이싱된 샘플에 광량 300mJ/cm2 건의 자외선을 기재면에서 조사하여 픽업 특성 측정용 샘플을 준비하였다.
상기 준비된 샘플을 SPA-400(SHINKAWA) 이용하여 하기의 조건으로 픽업을 시행하여 성공률을 측정한 결과를 표 2에 나타내었다.
-다이싱 조건-
기기: DFD-650(DISCO)
블레이드 타입: 27HEBB(DISCO)
커팅 블레이드 높이(cut depth): 80um
다이싱 스피드: 50mm/s
블레이드 회전수: 40,000 rpm
-픽업 조건-
기기: SPA-400(SHINKAWA)
익스펜딩 높이: 3mm
니들 개수: 10개
니들 올림 높이(needle piunge up height): 0.2mm
니들 올림 속도(needle piunge up speed): 10mm/s
구분 R (%) 점착력(gf/25mm) 평가
(열처리 후)		 픽업 성공율 (%)
광조사 전 광조사 후
실시예 1 6.63 208 13.8 100
실시예 2 7.92 331 26.2 100
실시예 3 5.10 298 15.2 100
비교예 1 69.44 180 125 5
비교예 2 40.16 254 102 13
비교예 3 15.81 203 32.1 0
상기 표 2에서 확인할 수 있듯이, 본 발명에 따라 제조된 임시공정용 점착시트는 열공정 후에도 점착력 비율(R)이 30% 미만으로 점착력 저하가 크고 점착제 잔여물이 없이 제거가 가능함을 확인하였다. 이와 비교하여, 비교예 1 내지 비교예 2는 열공정 후의 점착력 비율(R)이 30% 이상으로 점착력이 높아 점착제 잔여물 발생 및 픽업 성공율이 부족하였다. 비교예 3은 점착력 변화율도 낮을 뿐 아니라 기재필름의 연신 특성 부족으로 픽업 공정이 불가한 것을 확인하였다.
10: 임시고정용 점착시트
100: 기재필름
200: 점착층
300: 이형필름

Claims (11)

  1. 23℃에서 300mm/min의 속도로 인장 시 MD(Machine Direction) 방향의 연신율이 200% 이상인 기재필름; 및
    광반응성 작용기를 갖는 바인더 수지 및 300nm 이상의 파장에서 활성을 갖는 광개시제를 포함한 점착층을 포함하고,
    상기 접착층을 90℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율이 30% 이하인, 임시고정용 점착시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착층을 90℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하여 측정한 초기 점착력(A1) 대비 상기 열처리된 점착층에 광조사하고 측정한 점착력(A2)간의 비율(R)은 하기 일반식 1로 정의되는, 임시공정용 점착시트:
    [일반식 1]
    R(%) = A2' * 100 / A1'
    상기 일반식 1에서, A1'은 100℃에서 3시간 동안 열처리한 이후에 상기 점착층의 점착력이고,
    A2'는 상기 열처리된 점착층에 200nm 내지 500nm 영역의 복합 파장의 자외선을 100mJ/cm2 내지 1000mJ/cm2 광량으로 조사한 이후 측정한 점착층의 점착력이다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름은 300nm 이상의 파장의 투과율이 50% 이상인, 임시고정용 점착시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름은 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 화합물을 포함하고, 임시고정용 점착시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 벤조일페닐기를 포함한 제1 (메타)아크릴레이트계 반복 단위와 히드록시기, 카르복시기 및 질소 함유 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함한 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위를 포함하고,
    상기 제2 (메타)아크릴레이트계 반복 단위의 20 내지 95몰%는 광중합성 (메타)아크릴레이트계 측쇄를 포함하는, 임시고정용 점착시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광개시제는, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥사이드, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 옥시-페닐-아세틱애씨드 2-[2-옥소-2-페닐-아세톡시-에톡시]-에틸에스테르, 옥시-페닐-아세틱애씨드 2-[2-하이드록시-에톡시]-에틸에스테르, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 및 티오잔톤으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인, 임시고정용 점착시트.
  7. 제1항에 있어서,
    반도체 공정의 보호 필름, 캐리어 필름 또는 픽업 공정용 필름으로 사용되는, 임시고정용 점착시트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름이 형성되지 않은 점착층의 일면에 이형 필름을 더 포함하는, 임시고정용 점착시트
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기재필름의 일면에 점착층이 형성되고,
    상기 점착층의 기재필름이 형성되지 않은 면에 이형 필름을 더 포함하는, 임시고정용 점착시트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은 2개의 층으로 형성되고,
    상기 기재필름의 양면에 점착층이 각각 형성되고,
    상기 점착층의 기재필름이 형성되지 않은 면에 이형 필름을 각각 더 포함하는, 임시고정용 점착시트.
  11. 제1항에 따른 임시고정용 점착시트의 점착층을 반도체 장치의 소정 부분에 부착하는 단계;
    상기 점착시트가 부착된 반도체 장치에 대하여, 소정의 공정을 거치는 단계;
    상기 소정의 공정을 거친 이후, 상기 임시고정용 점착시트의 기재필름에 대하여 자외선을 조사하는 단계; 및
    상기 임시고정용 점착시트를 반도체 장치로부터 탈착하는 단계;를 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020190034620A 2018-04-12 2019-03-26 임시고정용 점착시트 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 KR102203870B1 (ko)

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