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KR20190086348A - Treatment liquid supply device and deairing method thereof - Google Patents

Treatment liquid supply device and deairing method thereof Download PDF

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KR20190086348A
KR20190086348A KR1020180150908A KR20180150908A KR20190086348A KR 20190086348 A KR20190086348 A KR 20190086348A KR 1020180150908 A KR1020180150908 A KR 1020180150908A KR 20180150908 A KR20180150908 A KR 20180150908A KR 20190086348 A KR20190086348 A KR 20190086348A
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KR
South Korea
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chamber
treatment liquid
pressure
discharge
pipe
Prior art date
Application number
KR1020180150908A
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Korean (ko)
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KR102209902B1 (en
Inventor
미쓰야 구스하라
마사히토 가시야마
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

The objective of the present invention is to increase the efficiency of deairing by controlling pressure of a discharge pipe. When opening valves (V1-V3) are closed after the injection of a thinner into a chamber (15), if the volume of the chamber (15) becomes bigger through a three-way valve (V4), pressure in the chamber (15) can be reduced. Therefore, gas dissolved in the thinner can be discharged into the chamber (15). Moreover, deairing is performed by operating a pressure control tool (37) as well as opening the opening valve (V3), but pressure in a discharge pipe (9) can become lower than the pressure in the chamber (15) through the pressure control tool (37), so the gas in the chamber (15) can be smoothly discharged through the discharge pipe (9). Therefore, since the gas discharged into the chamber (15) can be prevented from being dissolved in the thinner again, the efficiency of deairing can be increased.

Description

처리액 공급 장치 및 그의 탈기 방법{TREATMENT LIQUID SUPPLY DEVICE AND DEAIRING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a treatment liquid supply device and a degassing method thereof,

본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판(이하, 간단히 기판이라고 칭한다)에 대하여, 현상액이나 시너 등의 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치 및 그의 탈기 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, an organic EL (electroluminescence) display, a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, , A process liquid supply device for supplying a process liquid such as a developer or a thinner to a substrate for a solar cell (hereinafter simply referred to as a substrate), and a degassing method thereof.

종래, 이런 종류의 장치로서, 처리액을 취입(取入)하는 취입 배관과, 처리액을 기판에 대하여 송출하는 송출 배관과, 취입 배관으로부터 처리액을 흡입함과 더불어 송출 배관에 처리액을 송출하는 챔버와, 챔버 내에서 이동되어 챔버의 용적을 변화시키는 다이어프램과, 챔버 내의 에어를 배출하는 배출관과, 취입 배관과 송출 배관과 배출관의 각각에 설치되고, 처리액이나 기체의 유통을 제어하는 개폐 밸브를 구비한 것이 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).BACKGROUND ART Conventionally, as an apparatus of this kind, there has been known an apparatus which includes a take-in pipe for taking in a treatment liquid, a delivery pipe for delivering the treatment liquid to the substrate, a treatment liquid sucking treatment liquid from the take- A diaphragm that is moved in the chamber to change the volume of the chamber, a discharge pipe that discharges air in the chamber, and an opening / closing valve that is provided in each of the inlet pipe and the delivery pipe and the discharge pipe, (For example, see Patent Document 1).

이 장치에서는, 취입 배관을 통하여 챔버에 새롭게 처리액을 도입했을 때, 처리액에 에어가 혼입된다. 에어가 혼입된 처리액을 송출 배관으로부터 기판에 처리액을 공급하면, 처리액 중에 용존하고 있는 에어에 의해서 처리에 문제가 발생한다. 거기서, 이 문제가 발생하지 않도록 하기 위해서, 챔버 내의 처리액으로부터 에어를 제거하는 탈기를 행한다. 이 탈기는, 우선 다이어프램을 하방으로 이동시켜 챔버의 용적을 크게 하여 챔버 내를 감압한다. 이것에 의해, 처리액 중에 용존하고 있는 에어가 처리액으로부터 챔버 내에 방출된다. 이어서, 다이어프램을 상방으로 이동시켜 챔버의 용적을 작게 하고, 배출관의 개폐 밸브를 개방시킨다. 이것에 의해, 챔버 내의 에어가 배출관을 통하여 배출된다.In this apparatus, air is introduced into the processing liquid when a new processing liquid is introduced into the chamber through the inlet pipe. When the treatment liquid containing air is supplied from the delivery pipe to the substrate, there is a problem in treatment due to the air dissolved in the treatment liquid. Therefore, in order to prevent this problem from occurring, the air is removed from the processing liquid in the chamber. In this degassing, first, the diaphragm is moved downward to increase the volume of the chamber to decompress the inside of the chamber. Thereby, the air dissolved in the treatment liquid is discharged from the treatment liquid into the chamber. Subsequently, the diaphragm is moved upward to reduce the volume of the chamber, and the opening / closing valve of the discharge pipe is opened. Thereby, the air in the chamber is discharged through the discharge pipe.

일본 특허 제3561438호 공보(도 5, 도 7)Japanese Patent No. 3561438 (Figs. 5 and 7)

그러나, 이러한 구성을 갖는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.However, in the case of the conventional example having such a configuration, there are the following problems.

즉, 종래의 장치는, 다이어프램을 이동시켜 챔버의 용적을 작게 하고 나서 배출관의 개폐 밸브를 개방시키므로, 단시간이라 하더라도 챔버 내가 양압이 된다. 따라서, 처리액으로부터 챔버 내에 방출된 에어가 다시 처리액에 용해할 우려가 있고, 탈기 효율이 저하할 우려가 있다.That is, in the conventional apparatus, since the volume of the chamber is reduced by moving the diaphragm, and the opening / closing valve of the discharge pipe is opened, the chamber becomes positive pressure even for a short time. Therefore, the air discharged into the chamber from the treatment liquid may dissolve again in the treatment liquid, which may lower the degassing efficiency.

또한, 이러한 문제를 해소하기 위해서, 챔버 내가 양압이 되지 않는 상태에서, 배출관의 개폐 밸브를 개방하는 것을 생각할 수 있는데, 배출관으로부터 에어가 챔버 내에 역류하고, 챔버 내의 에어를 배출할 수 없는 별개의 문제가 발생한다. 더욱이, 이 문제를 방지하기 위해서, 배출관에 역지 밸브를 장착하는 것도 생각할 수 있는데, 역지 밸브에서 발생하는 파티클이 처리액에 혼입될 우려가 있으므로, 현실적이지 않다.In order to solve this problem, it is conceivable to open the opening / closing valve of the discharge pipe in a state in which the chamber is not subjected to the positive pressure. However, since the air from the discharge pipe flows back into the chamber, Lt; / RTI > Furthermore, in order to prevent this problem, it is also conceivable to install a check valve in the discharge pipe, which is not realistic, since particles generated in the check valve may be mixed into the treatment liquid.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 배출관의 압력을 제어함으로써, 탈기 효율을 향상시킬 수 있는 처리액 공급 장치 및 그의 탈기 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a treatment liquid supply device and a degassing method thereof capable of improving the degassing efficiency by controlling the pressure of the discharge pipe.

본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve this object, the present invention adopts the following configuration.

즉, 청구항 1에 기재된 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치에 있어서, 처리액을 저류하기 위한 챔버와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버에 처리액을 취입하는 취입구와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버의 처리액을 송출하는 송출구와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버의 기체를 배출하는 배출구와, 상기 취입구로부터 상기 챔버에 처리액을 취입시키고, 상기 송출구를 통하여 상기 챔버로부터 처리액을 송출시키고, 상기 배출구로부터 기체를 배출시키기 위하여, 상기 챔버의 용적을 변화시키는 챔버 구동부를 구비한 펌프와, 처리액을 저류하고 있는 처리액 공급원과 상기 취입구를 연통 접속한 취입 배관과, 상기 취입 배관에 있어서의 처리액의 유통을 제어하는 취입 개폐 밸브와, 상기 송출구에 연통 접속되며, 상기 챔버 내의 처리액을 상기 기판에 공급하는 송출 배관과, 상기 송출 배관에 있어서의 처리액의 유통을 제어하는 송출 개폐 밸브와, 상기 배출구에 연통 접속되며, 상기 챔버 내의 기체를 배출하는 배출관과, 상기 배출관에 있어서의 기체의 유통을 제어하는 배출 개폐 밸브와, 상기 배출관 내의 압력을 상기 챔버 내의 압력보다 낮은 압력으로 조정하는 압력 조정 기구를 구비하고, 상기 챔버에 처리액을 취입한 후, 상기 취입 개폐 밸브와, 상기 송출 개폐 밸브와, 상기 배출 개폐 밸브를 폐지(閉止)시킨 상태에서, 상기 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 커지도록 변화시켜, 상기 압력 조정 기구를 작동시킴과 더불어 상기 배출 개폐 밸브를 개방시켜 탈기를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 것이다.That is, the invention described in claim 1 is a treatment liquid supply apparatus for supplying a treatment liquid for treating a substrate, the treatment liquid supply apparatus comprising: a chamber for reserving a treatment liquid; a chamber communicating with the chamber, A discharge port communicating with the chamber and communicating with the chamber, a discharge port communicating with the chamber, the discharge port discharging gas of the chamber, and a discharge port for discharging the process liquid from the discharge port to the chamber, A pump having a chamber driving part for changing the volume of the chamber so as to discharge the processing liquid from the chamber through a delivery port and discharge the gas from the discharge port; a processing liquid supply source for storing the processing liquid; A take-in opening / closing valve for controlling the flow of the process liquid in the take-in pipe; A delivery pipe for supplying the treatment liquid in the chamber to the substrate; a delivery opening / closing valve for controlling the flow of the treatment liquid in the delivery pipe; a discharge pipe connected to the discharge port for discharging the gas in the chamber; A discharge opening / closing valve for controlling the flow of the gas in the discharge pipe; and a pressure adjusting mechanism for adjusting the pressure in the discharge pipe to a pressure lower than the pressure in the chamber. After the process liquid is taken into the chamber, Closing valve, the discharge opening / closing valve, and the discharge opening / closing valve, so that the volume of the chamber is increased by the chamber driving unit to operate the pressure adjusting mechanism, Is opened to perform deaeration.

［작용·효과］청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 챔버에 처리액을 취입한 후, 취입 개폐 밸브와, 송출 개폐 밸브와, 배출 개폐 밸브를 폐지시킨 상태에서, 챔버 구동부에 의해 챔버의 용적이 커지도록 변화시키면, 챔버 내가 감압된다. 따라서, 처리액 중에 용존하고 있는 기체를 챔버 내에 방출시킬 수 있다. 또한, 압력 조정 기구를 작동시킴과 더불어 배출 개폐 밸브를 개방시켜 탈기를 행하게 하는데, 압력 조정 기구에 의해 배출관 내가 챔버 내보다 압력이 낮게 되어 있으므로, 챔버 내가 양압으로 되지 않고 챔버 내의 기체가 배출관을 통하여 원활하게 배출된다. 따라서, 챔버 내에 방출된 기체가 다시 처리액에 용해하는 것을 방지할 수 있어, 탈기 효율을 향상시킬 수 있다.According to the invention described in claim 1, after the treatment liquid is taken in the chamber, the volume of the chamber is increased by the chamber driving unit in a state in which the take-off opening / closing valve, the discharge opening / closing valve, , The chamber is depressurized. Therefore, the dissolved gas in the treatment liquid can be released into the chamber. In addition, the pressure adjusting mechanism is operated to open the discharge opening / closing valve to perform degassing. Since the pressure adjusting mechanism lowers the pressure of the discharge pipe to a pressure lower than the pressure in the chamber, the pressure in the chamber does not become positive, And is discharged smoothly. Therefore, the gas released into the chamber can be prevented from dissolving in the treatment liquid again, and the degassing efficiency can be improved.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 압력 조정 기구는, 아스피레이터인 것이 바람직하다(청구항 2).In the present invention, it is preferable that the pressure adjusting mechanism is an aspirator (claim 2).

아스피레이터는 가동 부분이 없으므로, 간이한 구성으로 배출관을 감압할 수 있다.Since the aspirator has no moving parts, it is possible to decompress the discharge pipe with a simple structure.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 압력 조정 기구는, 상기 배출 개폐 밸브가 개방될 때까지 작동되는 것이 바람직하다(청구항 3).In the present invention, it is preferable that the pressure adjusting mechanism is operated until the discharge opening / closing valve is opened (claim 3).

배출관 개폐 밸브가 개방될 때까지는 비작동으로 시키므로, 압력 조정 기구를 작동시키는 리소스의 소비를 억제할 수 있다.It is possible to suppress the consumption of resources for operating the pressure adjusting mechanism since the valve is not operated until the discharge pipe opening / closing valve is opened.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 펌프는, 상기 챔버가 다이어프램을 구비하고 있는 것이 바람직하다(청구항 4).Further, in the present invention, it is preferable that the chamber is provided with the diaphragm (claim 4).

다이어프램이 변형함으로써 처리액을 챔버로 취입하거나, 처리액을 챔버로부터 배출하거나 할 수 있다.The diaphragm can be deformed to blow the process liquid into the chamber or to discharge the process liquid from the chamber.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 배출관은, 처리액 중의 기포를 검출하는 기포 센서를 구비하고, 탈기를 개시한 후, 상기 기포 센서가 기포를 검출하지 않게 된 시점에 상기 배출 개폐 밸브를 폐지하는 것이 바람직하다(청구항 5).Further, in the present invention, it is preferable that the discharge pipe has a bubble sensor for detecting bubbles in the treatment liquid, and after the bubbling is started, the discharge opening / closing valve is abolished when the bubble sensor does not detect bubbles (Claim 5).

챔버로부터 기포를 배출한 다음은, 챔버로부터 배출관에 처리액이 빨려 들어가므로, 그 시점에 배출 개폐 밸브를 폐지함으로써, 탈기에 수반하는 처리액의 소비를 억제할 수 있다.After discharging the bubbles from the chamber, since the processing liquid is sucked into the discharge pipe from the chamber, the discharge opening / closing valve is abolished at that point, so that the consumption of the processing liquid accompanying the degassing can be suppressed.

또한, 청구항 6에 기재된 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치의 탈기 방법에 있어서, 처리액을 저류하는 챔버의 용적을 변화시키는 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 커지도록 변화시켜, 상기 챔버의 취입구에 연통 접속된 취입 배관으로부터 처리액을 상기 챔버 내에 취입하는 과정과, 상기 취입 배관과, 상기 챔버로부터 기판에 처리액을 송출하는 송출 배관을 폐지한 상태에서, 상기 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 더 커지도록 변화시키는 과정과, 상기 챔버로부터 기체를 배출하는 배출관 내를, 상기 챔버 내보다 낮은 압력으로 조정하는 과정과, 상기 챔버와 상기 배출관을 연통시켜 탈기하는 과정을 실시하는 것을 특징으로 하는 것이다.According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for degassing a processing liquid supply apparatus for supplying a processing liquid for processing a substrate, the method comprising: a chamber driving unit for changing a volume of a chamber for storing a processing liquid; Wherein the processing liquid is introduced into the chamber from a blowing line connected to the inlet port of the chamber and the blowing line and the delivery line for sending the processing liquid to the substrate from the chamber are removed, A step of adjusting a volume of the chamber to be larger by the chamber driving unit; a step of adjusting a pressure in the discharge pipe discharging the gas from the chamber to a lower pressure than in the chamber; And a step of performing the step

［작용·효과］청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 챔버에 처리액을 취입한 후, 챔버 구동부에 의해 챔버의 용적이 더 커지도록 변화시킨다. 이것에 의해, 챔버 내가 감압되므로, 처리액 중에 용존하고 있는 기체를 챔버 내에 방출시킬 수 있다. 그 후, 탈기를 행할 때, 챔버와 배출관을 연통시키는데, 배출관 내의 압력이 챔버 내의 압력보다 낮게 되어 있으므로, 챔버 내가 양압으로 되지 않고 챔버 내의 기체가 배출관을 통하여 원활하게 배출된다. 따라서, 챔버 내에 방출된 기체가 다시 처리액에 용해하는 것을 방지할 수 있어, 탈기 효율을 향상시킬 수 있다.[Operation and Effect] According to the invention described in claim 6, after the treatment liquid is introduced into the chamber, the chamber drive unit changes the volume of the chamber to become larger. Thereby, since the chamber is depressurized, the gas dissolved in the treatment liquid can be released into the chamber. Thereafter, when the degassing is performed, the chamber and the discharge pipe are communicated. Since the pressure in the discharge pipe is lower than the pressure in the chamber, the pressure in the chamber does not become positive and the gas in the chamber is discharged smoothly through the discharge pipe. Therefore, the gas released into the chamber can be prevented from dissolving in the treatment liquid again, and the degassing efficiency can be improved.

본 발명과 관련되는 처리액 공급 장치에 의하면, 챔버에 처리액을 취입한 후, 취입 개폐 밸브와, 송출 개폐 밸브와, 배출 개폐 밸브를 폐지시킨 상태에서, 챔버 구동부에 의해 챔버의 용적이 커지도록 변화시키면, 챔버 내가 감압된다. 따라서, 처리액 중에 용존하고 있는 기체를 챔버 내에 방출시킬 수 있다. 또한, 압력 조정 기구를 작동시킴과 더불어 배출 개폐 밸브를 개방시켜 탈기를 행하게 하는데, 압력 조정 기구에 의해 배출관 내가 챔버 내보다 압력이 낮게 되어 있으므로, 챔버 내가 양압으로 되지 않고 챔버 내의 기체가 배출관을 통하여 원활하게 배출된다. 따라서, 챔버 내에 방출된 기체가 다시 처리액에 용해하는 것을 방지할 수 있어, 탈기 효율을 향상시킬 수 있다.According to the treatment liquid supply apparatus of the present invention, after the treatment liquid is taken into the chamber, the chamber drive unit increases the volume of the chamber by the removal of the take-off opening / closing valve, the discharge opening / closing valve, When changed, the chamber is depressurized. Therefore, the dissolved gas in the treatment liquid can be released into the chamber. In addition, the pressure adjusting mechanism is operated to open the discharge opening / closing valve to perform degassing. Since the pressure adjusting mechanism lowers the pressure of the discharge pipe to a pressure lower than the pressure in the chamber, the pressure in the chamber does not become positive, And is discharged smoothly. Therefore, the gas released into the chamber can be prevented from dissolving in the treatment liquid again, and the degassing efficiency can be improved.

도 1은, 처리액 공급 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 2는, 동작의 일례를 나타내는 타임 차트이다.
도 3은, 처리액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4는, 처리액 공급 장치의 변형예에 있어서의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a schematic configuration of a process liquid supply device.
2 is a time chart showing an example of an operation.
3 is a schematic configuration diagram showing a substrate processing apparatus provided with a processing liquid supply device.
4 is a block diagram showing a schematic configuration in a modification of the process liquid supply device.

＜처리액 공급 장치＞<Treatment liquid supply device>

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 하나의 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 처리액 공급 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a schematic configuration of a process liquid supply device.

실시예와 관련되는 처리액 공급 장치(1)는, 펌프(3)와, 취입 배관(5)과, 송출 배관(7)과, 배출관(9)과, 처리액 용기(11)를 구비하고 있다.The treatment liquid supply apparatus 1 according to the embodiment includes a pump 3, a take-in pipe 5, a delivery pipe 7, a discharge pipe 9, and a treatment liquid container 11 .

본 실시예에 있어서의 펌프(3)는, 예를 들면, 다이어프램식의 펌프이다. 구체적으로는, 펌프(3)는, 펌프 본체(13)와, 챔버(15)와, 실린더(17)와, 다이어프램(19)과, 취입구(21)와, 송출구(23)와, 배출구(25)와, 흡배구(27)를 구비하고 있다. 펌프 본체(13)는, 외관 형상이 통형을 보이고, 처리액을 저류하기 위한 내부 공간인 챔버(15)의 하방에 실린더(17)가 챔버(15)에 대하여 승강 가능하게 설치되어 있다. 실린더(17)의 상면에는, 다이어프램(19)의 하면이 고착되어 있다. 또한, 다이어프램(19)의 외주 가장자리는, 챔버(15)의 소정 높이에 있어서의 내주면에 고정되어 있다. 취입구(21)와, 송출구(23)와, 배출구(25)는, 펌프 본체(13)에서 챔버(15)에 연통하도록 형성되어 있다.The pump 3 in this embodiment is, for example, a diaphragm type pump. Specifically, the pump 3 includes a pump body 13, a chamber 15, a cylinder 17, a diaphragm 19, a suction port 21, a discharge port 23, (25), and a suction port (27). The pump body 13 is provided with a cylinder 17 capable of moving up and down with respect to the chamber 15 below the chamber 15 which is an internal space for storing the process liquid and having an external shape. A lower surface of the diaphragm 19 is fixed to the upper surface of the cylinder 17. The outer circumferential edge of the diaphragm 19 is fixed to the inner circumferential surface of the chamber 15 at a predetermined height. The inlet port 21, the outlet port 23 and the outlet port 25 are formed so as to communicate with the chamber 15 from the pump main body 13.

취입구(21)는, 챔버(15)에 처리액을 취입한다. 이 취입구(21)에는, 취입 배관(5)의 일단측이 연통 접속되어 있다. 취입 배관(5)의 타단측은, 처리액을 저류하고 있는 처리액 용기(11)에 연통 접속되어 있다. 처리액 용기(11)는, 내용량분의 처리액을 다 공급하면 다른 처리액 용기(11)로 교환된다. 즉, 처리액 용기(11)는, 취입 배관(5)이 착탈 가능하게 구성되어 있다. 취입 배관(5)은, 처리액 용기(11)측으로부터 필터(29)와, 개폐 밸브(V1)를 구비하고 있다. 필터(29)는, 처리액 용기(11)로부터 송출되어 온 처리액 중의 파티클 등을 제거한다. 개폐 밸브(V1)는, 취입 배관(5)에 있어서의 처리액의 유통을 제어한다.The inlet (21) blows the processing solution into the chamber (15). One end side of the take-in pipe 5 is connected to this take-in port 21 in a communicating manner. The other end side of the blowing pipe 5 is connected to the treatment liquid container 11 storing the treatment liquid. The processing liquid container 11 is exchanged for another processing liquid container 11 when the processing liquid for the contents amount is supplied. That is, the treatment liquid container 11 is configured such that the blowing pipe 5 is detachable. The inlet pipe 5 is provided with a filter 29 and an on-off valve V1 from the side of the process liquid container 11. The filter 29 removes particles and the like in the treatment liquid sent out from the treatment liquid container 11. The on-off valve V1 controls the flow of the treatment liquid in the inlet pipe 5.

또한, 상술한 처리액 용기(11)가 본 발명에 있어서의 「처리액 공급원」에 해당한다.The above-described treatment liquid container 11 corresponds to the "treatment liquid supply source" in the present invention.

배출구(23)는, 챔버(15)에 저류하고 있는 처리액을 송출한다. 이 배출구(23)에는, 송출 배관(7)의 일단측이 연통 접속되어 있다. 송출 배관(7)의 타단측은, 유량을 조정하는 유량 조정 밸브 및 처리액을 공급하기 위한 노즐(도시하지 않음) 등에 연통 접속되어 있다. 송출 배관(7)은, 송출구(23)측으로부터 필터(31)와, 개폐 밸브(V2)를 구비하고 있다. 필터(31)는, 챔버(15)로부터 송출되어 온 처리액 중의 파티클 등을 제거한다. 개폐 밸브(V2)는, 송출 배관(7)에 있어서의 처리액의 유통을 제어한다.The discharge port 23 discharges the processing liquid stored in the chamber 15. One end of the delivery pipe 7 is connected to the discharge port 23 in communication. The other end of the delivery pipe 7 is connected to a flow rate regulating valve for regulating the flow rate and a nozzle (not shown) for supplying the process liquid. The delivery pipe 7 is provided with a filter 31 and an on-off valve V2 from the delivery port 23 side. The filter 31 removes particles and the like in the processing liquid discharged from the chamber 15. The on-off valve V2 controls the flow of the process liquid in the delivery pipe 7.

배출구(25)는, 챔버(15) 내의 기체를 배출한다. 이 배출구(25)에는, 배출관(9)의 일단측이 연통 접속되어 있다. 배출관(9)의 타단측은, 회수 용기(33)에 연통 접속되어 있다. 회수 용기(33)는, 배출관(9)으로부터 배출되는 에어 등의 기체를 처리액의 액적(液滴) 등과 함께 회수한다. 배출관(9)은, 배출구(23)측으로부터 기포 센서(35)와, 개폐 밸브(V3)와, 압력 조정 기구(37)를 구비하고 있다. 개폐 밸브(V3)는, 배출관(9)에 있어서의 기체 등의 유통을 제어한다.The discharge port 25 discharges the gas in the chamber 15. One end of the discharge pipe (9) is connected to the discharge port (25). The other end side of the discharge pipe 9 is connected to the recovery container 33 in communication. The recovery container 33 collects gas such as air discharged from the discharge pipe 9 together with droplets of the treatment liquid and the like. The discharge pipe 9 is provided with a bubble sensor 35, an on-off valve V3 and a pressure adjusting mechanism 37 from the discharge port 23 side. The opening / closing valve V3 controls the flow of the gas or the like in the discharge pipe 9.

기포 센서(35)는, 배출관(9)을 유통하는 유체에 에어 등의 기체로 이루어지는 기포가 포함되어 있는 것을 검출한다. 구체적으로는, 기포 센서(35)는, 예를 들면, 배출관(9) 내를 유통하는 유체에 초음파를 조사하고, 액체의 경우와 비교하여, 기체인 기포가 존재하면 전파 효율이 저하하여 수신 강도가 저하함으로써 기포의 존재 여부를 검출한다. 또한, 기포 센서(35)는, 마이크로파의 도플러 효과의 차이나, 유체의 굴절률의 차이를 이용하는 것이어도 된다.The bubble sensor 35 detects that the fluid flowing through the discharge pipe 9 contains bubbles composed of a gas such as air. Specifically, the bubble sensor 35 irradiates ultrasonic waves to the fluid flowing in the discharge tube 9, for example, and when compared with the case of liquid, the bubble sensor 35 deteriorates the propagation efficiency when the gas bubble is present, The presence or absence of bubbles is detected. The bubble sensor 35 may use a difference in the Doppler effect of the microwave or a difference in refractive index of the fluid.

또한, 상술한 개폐 밸브(V1)가 본 발명에 있어서의 「취입 개폐 밸브」에 해당하고, 개폐 밸브(V2)가 본 발명에 있어서의 「송출 개폐 밸브」에 해당하며, 개폐 밸브(V3)가 본 발명에 있어서의 「배출 개폐 밸브」에 해당한다.The opening / closing valve V2 corresponds to the &quot; delivery opening / closing valve &quot; in the present invention, and the opening / closing valve V3 corresponds to the &quot;Quot; discharge opening / closing valve &quot; in the present invention.

압력 조정 기구(37)는, 후술하는 탈기를 행할 때에, 챔버(15) 내의 압력보다 배출관(9) 내의 압력이 낮아지도록 배출관(9) 내의 압력을 조정한다. 압력 조정 기구(37)로서는, 예를 들면, 아스피레이터를 들 수 있다. 아스피레이터는, 순수(純水)나 에어를 이용하여 벤츄리 효과에 의해서 압력을 저하시킨다. 압력 조정 기구(37)가 감압을 행할 때의 압력은, 탈기 시의 배출관(9)의 압력보다 낮아지도록 미리 조정되어 설정되어 있다.The pressure adjusting mechanism 37 adjusts the pressure in the discharge pipe 9 so that the pressure in the discharge pipe 9 is lower than the pressure in the chamber 15 when performing the deaeration described later. The pressure adjusting mechanism 37 may be, for example, an aspirator. The aspirator uses pure water or air to reduce the pressure by the venturi effect. The pressure when the pressure adjusting mechanism 37 performs the depressurization is adjusted and set in advance so as to be lower than the pressure of the discharge pipe 9 at the time of degassing.

흡배구(27)는, 실린더(17)를 사이에 둔 챔버(15)의 반대측에 해당하는 펌프 본체(13)에 형성되어 있다. 이 흡배구(27)에는, 흡배관(39)의 일단측이 연통 접속되어 있다. 흡배관(39)의 타단측에는, 삼방 밸브(V4)의 공통측이 연통 접속되어 있다. 삼방 밸브(V4)의 두 개의 전환측에는, 각각 에어 공급원과 흡인원이 연통 접속되어 있다. 삼방 밸브(V4)가 에어 공급원측으로 전환되면, 흡배구(27)에 에어가 공급되므로, 실린더(17)가 상승되며, 챔버(15)의 용적이 작게 된다. 한편, 삼방 밸브(V4)가 흡인원측으로 전환되면, 흡배구(27)로부터 에어가 배출되므로, 실린더(17)가 하강되며, 챔버(15)의 용적이 크게 된다. 펌프(3)는, 이와 같이 실린더(17)를 승강시키는 것이 가능하지만, 예를 들면, 그 높이 위치는, 제1 하강 위치(BL1)로부터 상승 위치(TL)에 걸쳐서 이동 가능하다. 여기에서는, 제1 하강 위치(BL1)로부터 소정 거리만 상승한 위치를 제2 하강 위치(BL2)로 한다.The absorption port 27 is formed in the pump body 13 corresponding to the opposite side of the chamber 15 with the cylinder 17 interposed therebetween. One end of the suction pipe (39) is connected to the suction port (27). The common side of the three-way valve V4 is connected to the other end side of the intake pipe 39 in communication. On the two switching sides of the three-way valve V4, the air supply source and the suction source are connected to each other. When the three-way valve V4 is switched to the air supply source side, air is supplied to the intake port 27, so that the cylinder 17 is raised and the volume of the chamber 15 is reduced. On the other hand, when the three-way valve V4 is switched to the suction source side, since the air is discharged from the suction port 27, the cylinder 17 is lowered and the volume of the chamber 15 is increased. The pump 3 can raise and lower the cylinder 17 in this way, but its height position is movable from the first lowered position BL1 to the raised position TL, for example. Here, a position raised by a predetermined distance from the first lowering position BL1 is referred to as a second lowering position BL2.

다음으로, 도 2를 참조하여, 상술한 구성의 처리액 공급 장치(1)의 동작에 대해 설명한다. 또한, 도 2는, 동작의 일례를 나타내는 타임 차트이다.Next, with reference to Fig. 2, the operation of the treatment liquid supply apparatus 1 having the above-described structure will be described. 2 is a time chart showing an example of an operation.

여기에서는, 예를 들면, 처리액으로서 시너를 저류한 처리액 용기(11)가 비워지고, 새로운 처리액 용기(11)로 교환된 것으로서 설명한다. 이 경우에는, 비워진 처리액 용기(11)로부터 취입 배관(5)이 떼어내지고, 새로운 처리액 용기(11)에 취입 배관(5)이 장착된다. 이 때, 장착 배관(5)에는 기포가 혼입되는 것을 피할 수 없다. 또한, 처리액 용기(11)의 시너에는, 원래 에어 등의 기체가 어느 정도는 용존하고 있다. 또한, 초기 상태에서는, 펌프(3)가 챔버(15) 내의 모든 시너를 다 공급하고, 실린더(17)가 상승 위치(TL)에 위치하고 있는 것으로 한다.In the following description, it is assumed that, for example, the treatment liquid container 11 storing the thinner as the treatment liquid is emptied and replaced with a new treatment liquid container 11. In this case, the blown pipe 5 is removed from the empty processing liquid container 11 and the blown pipe 5 is mounted on the new process liquid container 11. At this time, it is unavoidable that bubbles are mixed into the mounting pipe 5. [ In the thinner of the treatment liquid container 11, gas such as air is originally dissolved to a certain extent. In the initial state, it is assumed that the pump 3 supplies all the thinner in the chamber 15, and the cylinder 17 is located at the raised position TL.

우선, 0 시점에서 개폐 밸브(V2, V3)를 폐지시킴과 더불어, 개폐 밸브(V1)를 개방시킨다. 그리고, 이 상태에서, 삼방 밸브(V4)의 전환측을 흡인원으로 전환한다. 이것에 의해, 실린더(17)가 상승 위치(TL)로부터 하강을 개시함과 더불어, 처리액 용기(11)로부터 시너가 취입 배관(5)을 통하여 챔버(15)에 취입된다. 실린더(17)의 높이 위치가 제2 하강 위치(BL2)에 도달한 t1 시점에서 개폐 밸브(V1)를 폐지시킨다.At first, the open / close valves V2 and V3 are closed and the open / close valve V1 is opened. In this state, the switching side of the three-way valve V4 is switched to the suction source. This causes the cylinder 17 to start descending from the elevated position TL and the thinner from the process liquid container 11 is taken into the chamber 15 through the intake pipe 5. [ Closing valve V1 is closed at time t1 when the height position of the cylinder 17 reaches the second lowering position BL2.

또한, 0 시점으로부터 t1 시점이 본 발명에 있어서의 「취입하는 과정」에 해당한다.The time point t1 from time zero corresponds to the &quot; blowing process &quot; in the present invention.

챔버(15)가 폐색된 상태인 채, 실린더(17)가 제1 하강 위치(BL1)를 향하여 서서히 계속 하강한다. 따라서, 챔버(15)의 용적이 더 크게 되어 챔버(15)가 감압 상태가 되므로, 챔버(15)에 취입된 시너에 용존하고 있는 기체가 챔버(15)에 방출된다. 이 상태는, t3 시점까지 유지된다.While the chamber 15 is closed, the cylinder 17 is gradually lowered toward the first lowering position BL1. Therefore, since the volume of the chamber 15 becomes larger and the chamber 15 becomes the reduced pressure state, the gas dissolved in the thinner blown into the chamber 15 is discharged into the chamber 15. [ This state is maintained until time t3.

또한, t1 시점으로부터 t3 시점이 본 발명에 있어서의 「변화시키는 과정」에 해당한다.The time point t3 from the time point t1 corresponds to the &quot; changing process &quot; in the present invention.

이어서, 실린더(17)가 제1 하강 위치(BL1)에 도달하는 t3 시점보다 약간 빠른 t2 시점에 있어서, 압력 조정 기구(37)를 작동시킨다. 이것에 의해, 배출관(9) 내가 챔버(15)의 압력보다 낮은 압력까지 감압된다. 또한, t2 시점으로부터 소정 시간 후의 t3 시점에서 개폐 밸브(V3)를 개방시킨다. 이것에 의해, 챔버(15)에 방출되어 있는 기체가 배출관(9)으로부터 배출되어 회수 용기(33)에 배출된다. 이 때, 기포 센서(35)가 기체로부터 이루어지는 기포를 검출하고 있는데, 챔버(15) 내의 기체가 다 배출되면, 챔버(15) 내의 시너가 기체와 함께 흡출되어, t4 시점에서는 최종적으로는 기포가 없어지고 시너만이 배출되게 된다. 그러면, 기포 센서(33)는, 기포를 검출하지 않는 비검지가 된다.Subsequently, the pressure adjusting mechanism 37 is operated at time t2, which is slightly earlier than the time t3 when the cylinder 17 reaches the first lowering position BL1. Thereby, the discharge pipe 9 is decompressed to a pressure lower than the pressure of the chamber 15. Further, the valve V3 is opened at time t3 after a predetermined time from the time t2. As a result, the gas released into the chamber 15 is discharged from the discharge pipe 9 and discharged to the recovery container 33. When the gas in the chamber 15 is exhausted, the thinner in the chamber 15 is sucked together with the gas, and at the time t4, the bubble sensor 35 finally detects the air bubbles And only the thinner is discharged. Then, the bubble sensor 33 becomes a non-bubble detection unit that does not detect bubbles.

기포 센서(33)가 비검지가 된 t4 시점에 있어서, 개폐 밸브(V3)를 폐지시킨다. 그 후, t5 시점에서 압력 조정 기구(37)를 비작동으로 한다. 또한, 도시 생략하고 있는데, 탈기 처리에 의해 실린더(17)는, 감압에 의해 제1 하강 위치(BL1)로부터 약간 상승한 위치로 이동한다.At the time t4 when the bubble sensor 33 is unchecked, the on-off valve V3 is closed. Thereafter, the pressure adjusting mechanism 37 is deactivated at time t5. Also, although not shown, the cylinder 17 is moved to a position slightly lowered from the first lowering position BL1 by the depressurization by the degassing process.

또한, t2 시점으로부터 t5 시점이 본 발명에 있어서의 「조정하는 과정」에 해당하고, t3 시점으로부터 t4 시점이 본 발명에 있어서의 「탈기하는 과정」에 해당한다.The time point t5 from the time point t2 corresponds to the "adjusting process" in the present invention, and the time point t4 from the time point t3 corresponds to the "degassing process" in the present invention.

상술한 것과 같이 하여 시너의 탈기가 종료하면, 예를 들면, 시너의 공급 타이밍이 된 t6 시점에 있어서, 다음과 같은 공급 동작이 행해진다. 즉, t6 시점에 있어서 삼방 밸브(V4)의 전환측을 에어 공급원측으로 전환함과 더불어 개폐 밸브(V2)를 개방시킨다. 이것에 의해 시너가 송출 배관(7)으로부터 공급된다. 그리고, 이것을 챔버(15) 내의 시너의 공급량이 처리에 필요한 소정량에 이르는 t7 시점까지 유지한다. t7 시점에서는, 개폐 밸브(V2)를 폐지시킴과 더불어, 삼방 밸브(V4)의 전환측을 흡인원으로 전환한다. 그리고, 다시 시너의 공급 타이밍이 된 t8 시점에 있어서, 상술한 공급 동작을 반복하여 실시한다. 이 공급 동작은, 챔버(15) 내의 시너가 공급에 필요한 양에 이르지 않게 되는 시점에서 정지된다. 이 검출은, 실린더(17)의 높이 위치로부터 판단할 수 있다.When the deaeration of the thinner is ended as described above, for example, at the time t6 when the supply timing of the thinner is reached, the following supply operation is performed. That is, at time t6, the switching side of the three-way valve V4 is switched to the air supply side, and the on-off valve V2 is opened. Whereby the thinner is supplied from the delivery pipe 7. This is maintained until the time point t7 when the supply amount of the thinner in the chamber 15 reaches a predetermined amount required for the treatment. At time t7, the on-off valve V2 is disengaged, and the switching side of the three-way valve V4 is switched to the suction source. Then, at the time point t8 when the supply timing of the thinner again is reached, the supply operation is repeatedly performed. This supply operation is stopped when the thinner in the chamber 15 does not reach the amount required for supply. This detection can be judged from the height position of the cylinder 17.

그리고, 다시 처리액 용기(11)로부터 시너를 챔버(15)에 공급시킨 후, 상술한 것과 같이 탈기 처리를 실시하여 공급 동작을 실시한다.Then, after supplying the thinner from the process liquid container 11 to the chamber 15, the deaeration process is performed as described above to perform the supply operation.

본 실시예에 의하면, 챔버(15)에 시너를 취입한 후, 개폐 밸브(V1~V3)를 폐지시킨 상태에서, 삼방 밸브(V4)에 의해 챔버(15)의 용적이 커지도록 변화시키면, 챔버(15) 내가 감압된다. 따라서, 시너 중에 용존하고 있는 기체를 챔버(15) 내에 방출시킬 수 있다. 또한, 압력 조정 기구(37)를 작동시킴과 더불어 개폐 밸브(V3)를 개방시켜 탈기를 행하게 하는데, 압력 조정 기구(37)에 의해 배출관(9) 내가 챔버(15) 내보다 압력이 낮게 되어 있으므로, 챔버(15) 내가 양압으로 되지 않고 챔버(15) 내의 기체가 배출관(9)을 통하여 원활하게 배출된다. 따라서, 챔버(15) 내에 방출된 기체가 다시 시너에 용해하는 것을 방지할 수 있어, 탈기 효율을 향상시킬 수 있다.According to this embodiment, after the thinner is blown into the chamber 15, when the volume of the chamber 15 is changed by the three-way valve V4 while the open / close valves V1 to V3 are closed, (15) I am decompressed. Therefore, the gas which is dissolved in the thinner can be discharged into the chamber 15. [ The pressure adjusting mechanism 37 is operated to open the on-off valve V3 to perform deaeration. However, since the pressure of the discharge pipe 9 is lower than that in the chamber 15 by the pressure adjusting mechanism 37 , The gas in the chamber 15 is smoothly discharged through the discharge pipe 9 without causing the chamber 15 to be positive pressure. Therefore, the gas released into the chamber 15 can be prevented from being dissolved again in the thinner, and the degassing efficiency can be improved.

또한, 압력 조정 기구(37)는, 아스피레이터로 구성되어 있으므로, 가동 부분이 없고, 간이한 구성으로 배출관을 감압할 수 있다.Further, since the pressure adjusting mechanism 37 is constituted by an aspirator, the discharge pipe can be depressurized with a simple configuration without moving parts.

또한, 압력 조정 기구(37)의 작동 타이밍을 개폐 밸브(V3)가 개방되기 직전으로 하고 있으므로, 압력 조정 기구(37)인 아스피레이터를 동작시키는 유체의 소비를 억제할 수 있다.Since the operation timing of the pressure adjusting mechanism 37 is immediately before the opening / closing valve V3 is opened, the consumption of the fluid for operating the aspirator which is the pressure adjusting mechanism 37 can be suppressed.

또한, 챔버(15)로부터 기체를 배출한 다음은, 챔버(15)로부터 배출관(9)에 시너가 흡입된다. 그러나, 배출관(9)에 기포 센서(35)를 구비하고 있으므로, 그 시점에서 개폐 밸브(V3)를 폐지함으로써, 탈기에 수반하는 시너의 소비를 억제할 수 있다.Further, after discharging the gas from the chamber 15, the thinner is sucked from the chamber 15 into the discharge pipe 9. However, since the discharge tube 9 is provided with the bubble sensor 35, the shut-off valve V3 is abolished at that time, whereby consumption of thinner accompanying deaeration can be suppressed.

＜기판 처리 장치＞ <Substrate Processing Apparatus>

다음으로, 도 3을 참조하여, 상술한 처리액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 일례에 대해 설명한다. 도 3은, 처리액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치를 나타내는 개략 구성도이다. 또한, 도 3에 있어서는, 다른 처리액, 예를 들면, 포토 레지스트액을 공급하는 공급계에 대해서는 도시를 생략하고 있다.Next, with reference to Fig. 3, an example of a substrate processing apparatus provided with the above-described processing liquid supply apparatus will be described. 3 is a schematic configuration diagram showing a substrate processing apparatus provided with a processing liquid supply device. Further, in Fig. 3, other treatment liquids, for example, a supply system for supplying the photoresist liquid are not shown.

기판 처리 장치는, 처리액 공급 장치(1)와, 스핀척(51)과, 전동 모터(53)와, 비산 방지컵(55)과, 노즐(57)을 구비하고 있다.The substrate processing apparatus includes a processing liquid supply device 1, a spin chuck 51, an electric motor 53, a scattering prevention cup 55, and a nozzle 57.

스핀척(51)은, 처리 대상인 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 전동 모터(53)는, 연직 방향의 축심 주위에 스핀척(51)을 회전 구동한다. 비산 방지컵(55)은, 스핀척(51) 및 기판(W)의 측방을 둘러싸고, 기판(W)에 공급되며 주위에 비산하는 처리액을 회수한다. 노즐(57)은, 선단측의 토출구가 기판(W)의 회전 중심과, 비산 방지컵(55)의 측방에 걸쳐서 이동 가능하게 구성되어 있다. 노즐(57)의 기단부(基端部)에는, 송출 배관(7)이 연통 접속되어 있다. 송출 배관(7)은, 송출 배관(7)에 있어서의 시너의 공급 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(59)를 구비하고 있다. 펌프(3)를 작동시킴으로써, 노즐(57)로부터 소정 유량의 시너가 기판(W)에 대하여 토출된다. 또한, 노즐(57)로부터 시너가 토출될 때까지는, 상술한 탈기가 이미 행해지고 있다.The spin chuck 51 holds the substrate W to be processed in a horizontal posture. The electric motor 53 rotationally drives the spin chuck 51 around the axis in the vertical direction. The scattering prevention cup 55 surrounds the spin chuck 51 and the substrate W and collects the treatment liquid which is supplied to the substrate W and scattered around. The nozzle 57 is configured such that the discharge port at the tip end side is movable over the rotation center of the substrate W and the side of the shake preventing cup 55. A delivery pipe 7 is connected to the proximal end of the nozzle 57 in communication. The delivery pipe 7 is provided with a flow rate control valve 59 for regulating the supply flow rate of the thinner in the delivery pipe 7. By operating the pump 3, a thinner of a predetermined flow rate is discharged from the nozzle 57 to the substrate W. Further, until the thinner is discharged from the nozzle 57, the aforementioned degassing is already performed.

이 기판 처리 장치에서는, 기체가 용존하지 않고, 기포를 포함하지 않는 시너가 기판(W)에 공급되므로, 용존한 기체나 기포에 의한 기판(W)으로의 처리의 악영향을 억제할 수 있다. 따라서, 그 후의 처리액에 의한 처리(예를 들면, 포토 레지스트액)를 적합하게 실시할 수 있다.In this substrate processing apparatus, since the gas is not dissolved and the thinner containing no bubbles is supplied to the substrate W, the adverse influence of the processing on the substrate W by the dissolved gas or bubbles can be suppressed. Therefore, a treatment (for example, a photoresist liquid) by the subsequent treatment liquid can be suitably carried out.

＜변형예＞<Modifications>

여기서, 도 4를 참조한다. 도 4는, 처리액 공급 장치의 변형예에 있어서의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다. 또한, 상술한 실시예와 같은 구성에 대해서는, 같은 부호를 붙임으로써 상세한 설명에 대해서는 생략한다.Reference is now made to Fig. 4 is a block diagram showing a schematic configuration in a modification of the process liquid supply device. The same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

상술한 실시예에 있어서의 처리액 공급 장치(1)는, 펌프(3)가 삼방 밸브(V4)에 의한 에어 공급 및 흡인에 의해 구동되어 있다. 그러나, 본 발명에 있어서의 펌프(3)는, 예를 들면, 모터(61)에 의해 구동되는 방식이어도 된다.In the treatment liquid supply device 1 in the above-described embodiment, the pump 3 is driven by air supply and suction by the three-way valve V4. However, the pump 3 in the present invention may be driven by a motor 61, for example.

변형예와 관련되는 처리액 공급 장치(1A)는, 펌프(3A)를 구비하고 있다. 이 펌프(3A)는, 모터(61)를 내장하고 있다. 이 모터(61)는, 펌프 본체(13)의 하부에 배치된 코일부(63)와, 코일부(63)에서 연직축 주위에 회전 구동되는 구동축(65)을 구비하고 있다. 실린더(17A)는, 구동축(65)과 나사 결합(螺合)되어 있다.The treatment liquid supply apparatus 1A according to the modification includes a pump 3A. The pump 3A incorporates a motor 61 therein. The motor 61 is provided with a coil portion 63 disposed at a lower portion of the pump body 13 and a drive shaft 65 rotationally driven around the vertical axis at the coil portion 63. The cylinder 17A is screwed with the drive shaft 65. [

이러한 구성에 의하면, 모터(61)가 작동되면, 구동축(65)이 회전 구동된다. 그러면, 나사 결합된 실린더(17A)가 구동축(65)의 회전 방향 및 속도에 따라서 승강한다. 이와 같이 구성된 모터(61)여도 상술한 실시예와 동일하게 탈기를 행하는 것이 가능하다.According to this configuration, when the motor 61 is operated, the drive shaft 65 is rotationally driven. Then, the threaded cylinder 17A is raised and lowered in accordance with the rotational direction and the speed of the drive shaft 65. [ Even with the motor 61 configured as described above, it is possible to carry out the deaeration in the same manner as in the above-described embodiment.

본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified as follows.

(1) 상술한 실시예에서는, 챔버(15)가 다이어프램(19)을 구비한 구성을 예를 들어 설명했는데, 본 발명은 다이어프램(19)을 대신하여 튜브프램(Tubephragm)을 구비한 구성이어도 된다.(1) In the above-described embodiment, the configuration in which the chamber 15 includes the diaphragm 19 has been described as an example, but the present invention may have a structure in which a tube frame is provided instead of the diaphragm 19 .

(2) 상술한 실시예에서는, 압력 조정 기구(37)를 아스피레이터로 했는데, 이것을 대신하여 펌프를 이용해도 된다. 그 경우에는, 아스피레이터보다 감압 정도가 강하므로, 배출관(9)을 직접 감압하는 것이 아니라, 회수 용기(33)를 감압하여 간접적으로 배출관(9)을 감압하는 것이 바람직하다.(2) In the above-described embodiment, the pressure regulating mechanism 37 is an aspirator, but a pump may be used instead. In this case, it is preferable that the discharge pipe 9 is depressurized indirectly by reducing the pressure of the recovery container 33, instead of directly depressurizing the discharge pipe 9 because the degree of decompression is higher than that of the aspirator.

(3) 상술한 실시예에서는, 배출관(9)에 기포 센서(35)를 구비하고 있는데, 본 발명은 이것을 필수로 하는 것은 아니다. 예를 들면, 기포 센서(35)를 대신하여 반대로 처리액을 검출하는 센서를 구비하도록 해도 된다. 이것에 의해 센서가 배출관(9)에서 시너를 검지한 시점에서 개폐 밸브(V3)를 폐지하도록 구성해도 된다.(3) In the above-described embodiment, the bubble sensor 35 is provided in the discharge pipe 9, but the present invention does not necessarily require this. For example, instead of the bubble sensor 35, a sensor for detecting the treatment liquid may be provided. Thereby, the opening / closing valve V3 may be abolished when the sensor detects the thinner in the discharge pipe 9. [

(4) 상술한 실시예에서는, 처리액으로서 시너를 예를 들어 설명했는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리액으로서는, 포토 레지스트액이나, 현상액, 린스액, 전처리액 등이어도 된다.(4) In the above-described embodiment, the thinner has been described as an example of the treatment liquid, but the present invention is not limited to this. For example, the treatment liquid may be a photoresist liquid, a developer, a rinse liquid, a pretreatment liquid, or the like.

1: 처리액 공급 장치 3: 펌프
5: 취입 배관 7: 송출 배관
9: 배출관 11: 처리액 용기
13: 펌프 본체 15: 챔버
17: 실린더 19: 다이어프램
21: 취입구 23: 송출구
25: 배출구 V1~V3: 개폐 밸브
V4: 삼방 밸브 35: 기포 센서
37: 압력 조정 기구1: Process liquid supply device 3: Pump
5: blown pipe 7: delivery pipe
9: discharge pipe 11: treatment liquid container
13: pump body 15: chamber
17: cylinder 19: diaphragm
21: inlet port 23: outlet port
25: Outlets V1 to V3: Opening and closing valves
V4: three-way valve 35: bubble sensor
37: Pressure adjusting mechanism

Claims (6)

기판을 처리하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치에 있어서,
처리액을 저류하기 위한 챔버와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버에 처리액을 취입(取入)하는 취입구와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버의 처리액을 송출하는 송출구와, 상기 챔버에 연통되며, 상기 챔버의 기체를 배출하는 배출구와, 상기 취입구로부터 상기 챔버에 처리액을 취입시키고, 상기 송출구를 통하여 상기 챔버로부터 처리액을 송출시키고, 상기 배출구로부터 기체를 배출시키기 위하여, 상기 챔버의 용적을 변화시키는 챔버 구동부를 구비한 펌프와,
처리액을 저류하고 있는 처리액 공급원과 상기 취입구를 연통 접속한 취입 배관과,
상기 취입 배관에 있어서의 처리액의 유통을 제어하는 취입 개폐 밸브와,
상기 송출구에 연통 접속되며, 상기 챔버 내의 처리액을 상기 기판에 공급하는 송출 배관과,
상기 송출 배관에 있어서의 처리액의 유통을 제어하는 송출 개폐 밸브와,
상기 배출구에 연통 접속되며, 상기 챔버 내의 기체를 배출하는 배출관과,
상기 배출관에 있어서의 기체의 유통을 제어하는 배출 개폐 밸브와,
상기 배출관 내의 압력을 상기 챔버 내의 압력보다 낮은 압력으로 조정하는 압력 조정 기구
를 구비하고,
상기 챔버에 처리액을 취입한 후, 상기 취입 개폐 밸브와, 상기 송출 개폐 밸브와, 상기 배출 개폐 밸브를 폐지(閉止)시킨 상태에서, 상기 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 커지도록 변화시키고, 상기 압력 조정 기구를 작동시킴과 더불어 상기 배출 개폐 밸브를 개방시켜 탈기를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.A process liquid supply apparatus for supplying a process liquid for processing a substrate,
A discharge port communicating with the chamber, the discharge port communicating with the chamber, the discharge port communicating with the chamber, and delivering the treatment liquid to the chamber; For discharging the processing liquid from the chamber through the inlet port, and for discharging the processing liquid from the chamber through the outlet port, and for discharging the gas from the outlet port, A pump having a chamber driving unit for changing a volume of the chamber;
A treatment liquid supply source storing the treatment liquid, a take-in pipe connected to the take-
A take-in / off valve for controlling the flow of the treatment liquid in the take-in pipe;
A delivery pipe communicatively connected to the delivery port for feeding the treatment liquid in the chamber to the substrate,
A delivery opening / closing valve for controlling the flow of the treatment liquid in the delivery pipe,
A discharge pipe connected to the discharge port and discharging the gas in the chamber,
A discharge opening / closing valve for controlling the flow of the gas in the discharge pipe,
A pressure adjusting mechanism for adjusting the pressure in the discharge pipe to a pressure lower than the pressure in the chamber;
And,
The chamber drive unit changes the volume of the chamber to be larger in a state in which the take-in / off valve, the delivery opening / closing valve, and the discharge opening / closing valve are closed after the treatment liquid is taken into the chamber, Wherein the pressure adjusting mechanism is operated to open the discharge opening / closing valve to perform deaeration. 청구항 1에 있어서,
상기 압력 조정 기구는, 아스피레이터인 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The method according to claim 1,
Wherein the pressure adjusting mechanism is an aspirator. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 압력 조정 기구는, 상기 배출 개폐 밸브가 개방될 때까지 작동되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pressure adjusting mechanism is operated until the discharge opening / closing valve is opened. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 펌프는, 상기 챔버가 다이어프램을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pump is provided with the diaphragm. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 배출관은, 처리액 중의 기포를 검출하는 기포 센서를 구비하고,
탈기를 개시한 후, 상기 기포 센서가 기포를 검출하지 않게 된 시점에 상기 배출 개폐변을 폐지하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the discharge pipe has a bubble sensor for detecting bubbles in the treatment liquid,
And closes the discharge opening / closing sides when the bubble sensor does not detect bubbles after the start of the degassing. 기판을 처리하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치의 탈기 방법에 있어서,
처리액을 저류하는 챔버의 용적을 변화시키는 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 커지도록 변화시켜, 상기 챔버의 취입구에 연통 접속된 취입 배관으로부터 처리액을 상기 챔버 내에 취입하는 과정과,
상기 취입 배관과, 상기 챔버로부터 기판에 처리액을 송출하는 송출 배관과, 상기 챔버의 기체를 배출하는 배출관을 폐지한 상태에서, 상기 챔버 구동부에 의해 상기 챔버의 용적이 더 커지도록 변화시키는 과정과,
상기 챔버로부터 기체를 배출하는 배출관 내를, 상기 챔버 내보다 낮은 압력으로 조정하는 과정과,
상기 챔버와 상기 배출관을 연통시켜 탈기하는 과정
을 실시하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치의 탈기 방법.A method for degassing a process liquid supply apparatus for supplying a process liquid for processing a substrate,
Changing a volume of the chamber to be larger by a chamber driving unit for changing the volume of the chamber for storing the processing liquid and injecting the processing liquid into the chamber from a blowing line connected to the inlet of the chamber;
A step of changing the volume of the chamber to be larger by the chamber driving unit in a state in which the blowing pipe, the delivery pipe for delivering the treatment liquid to the substrate from the chamber, and the discharge pipe for discharging the gas of the chamber are removed; ,
Adjusting a pressure in the discharge pipe discharging the gas from the chamber to a lower pressure than in the chamber;
The process of degassing the chamber by communicating with the discharge pipe
Is performed on the surface of the substrate (1).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220033917A (en) * 2020-09-10 2022-03-17 세메스 주식회사 Degassing apparatus, equipment for treating substrate and treatment solution degassing method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7333591B2 (en) * 2019-07-04 2023-08-25 株式会社大一商会 game machine
CN113134253A (en) * 2021-04-06 2021-07-20 江苏奥普莱医疗用品有限公司 Bubble removing device for anti-aging essence production
KR102666438B1 (en) * 2021-12-27 2024-05-17 세메스 주식회사 Equipment for treating substrate and treatment solution degassing method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS561438A (en) 1979-05-07 1981-01-09 Gen Electric Capacitive control device
KR100230753B1 (en) * 1991-01-23 1999-11-15 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 Liquid coating system
KR20020091350A (en) * 2001-05-30 2002-12-06 삼성전자 주식회사 Filtering Device of Photoresist Composition
KR20150039569A (en) * 2013-10-02 2015-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
KR20150107577A (en) * 2014-03-13 2015-09-23 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 System and method for supplying and dispensing bubble-free photolithography chemical solutions

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3283190B2 (en) * 1996-09-13 2002-05-20 東京エレクトロン株式会社 Resist processing apparatus and resist processing method
JP3290385B2 (en) * 1996-09-13 2002-06-10 東京エレクトロン株式会社 Resist processing method and resist processing apparatus
JP3583058B2 (en) * 1999-07-02 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 Processing liquid supply device
JP2006231126A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Ataka Construction & Engineering Co Ltd Treatment apparatus for organic waste liquid and treatment system for organic waste liquid
JP4901650B2 (en) * 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP4994211B2 (en) * 2007-12-20 2012-08-08 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP5956975B2 (en) * 2012-02-27 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5741549B2 (en) * 2012-10-09 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply method, treatment liquid supply apparatus, and storage medium
JP5453561B1 (en) * 2012-12-20 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid processing
JP5999073B2 (en) * 2013-11-20 2016-09-28 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply apparatus, treatment liquid supply method, and storage medium
KR20160088509A (en) * 2015-01-15 2016-07-26 (주)티티에스 Source Supplier and Substrate Processing Apparatus For Having the Same
TWI736579B (en) * 2016-02-15 2021-08-21 日商東京威力科創股份有限公司 Liquid treatment method, substrate treatment device and recording medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS561438A (en) 1979-05-07 1981-01-09 Gen Electric Capacitive control device
KR100230753B1 (en) * 1991-01-23 1999-11-15 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 Liquid coating system
KR20020091350A (en) * 2001-05-30 2002-12-06 삼성전자 주식회사 Filtering Device of Photoresist Composition
KR20150039569A (en) * 2013-10-02 2015-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
KR20150107577A (en) * 2014-03-13 2015-09-23 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 System and method for supplying and dispensing bubble-free photolithography chemical solutions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220033917A (en) * 2020-09-10 2022-03-17 세메스 주식회사 Degassing apparatus, equipment for treating substrate and treatment solution degassing method

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