KR20190042438A - 무기물층 적층체의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

무기물층 적층체의 제조 방법은, 기재 필름을 구비하는 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 1 지지 필름을 배치하는 공정, 필름체의 두께 방향 타방측에, 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정, 제 1 지지 필름을 제거하는 공정, 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 2 지지 필름을 배치하는 공정, 및 무기물층을 가열하는 공정을 구비한다.

Description

무기물층 적층체의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING AN INORGANIC LAYER LAMINATE}

본 발명은, 무기물층 적층체의 제조 방법, 상세하게는 광학 용도에 바람직하게 사용되는 무기물층 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 투명 플라스틱 필름에 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 투명 도전층이 형성된 투명 도전성 필름이, 터치 패널용 필름 등의 광학 용도에 사용된다.

예를 들어, 일본 공개특허공보 2008-251529호에는, 투명 플라스틱 필름의 일방면에 아모르퍼스 투명 도전성 박막이 형성된 아모르퍼스 투명성 적층체와, 투명 플라스틱 필름의 타방면에 점착제층을 개재시켜 형성된 이형 필름을 갖는 점착제층 부착 투명 도전성 필름이 개시되어 있다.

상기 점착제층 부착 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름의 일방면에, 진공 조건하에서 스퍼터링에 의해 아모르퍼스 투명 도전성 박막을 형성하고, 이어서, 투명 플라스틱 필름의 타방면에 점착층을 개재시켜 특정 이형 필름을 배치하고 있다. 그리고, 이 점착제층 부착 투명 도전성 필름에서는, 그 후의 가열 처리에 의해 아모르퍼스 투명 도전성 박막을 결정화할 때에, 이형 필름에 의해 투명 도전성 필름의 컬 발생을 억제하고 있다.

그런데, 최근 광학 특성이나 박형화로 인해, 투명 플라스틱 필름으로서 박형의 폴리시클로올레핀폴리머 (COP) 기재가 사용된다. 박형 COP 는, 기계적 강도가 무르다. 그 때문에, 박형 COP 기재에, 진공하에서 스퍼터링법에 의해 아모르퍼스 투명 도전 박막을 형성하는 경우, 반송시의 충격이나 스퍼터링시의 방전에 의해, 박형 COP 기재가 변형되고, 파단되는 문제가 생긴다. 그 결과, 생산 효율이 떨어진다.

그래서, 아모르퍼스 투명 도전성 박막을 형성하기 전에, 박형 COP 기재를 상기 이형 필름으로 지지하여 보강해 두는 것이 검토된다.

그러나, 상기 문헌에서는, 가열 처리시에 적합한 이형 필름으로서 PET 필름이 이용되고 있다. 이 PET 필름은, 일반적으로 함수량이 많기 때문에, 박형 COP 기재를 PET 필름으로 지지한 상태로, 진공하에서 아모르퍼스 투명 도전성 박막을 형성하면, PET 필름 표면으로부터 수분 (불순물) 이 증발한다. 그러면, 그 수분이 아모르퍼스 투명 도전성 박막 (무기물층) 에 받아들여져, 아모르퍼스 투명 도전성 박막의 특성이 저하되는 문제가 생긴다.

본 발명은, 무기물층의 특성 저하를 억제한 무기물층 적층체를, 파단시키지 않고 제조하는 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명［1］은, 기재 필름을 구비하는 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 1 지지 필름을 배치하는 공정, 상기 필름체의 두께 방향 타방측에, 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정, 상기 제 1 지지 필름을 제거하는 공정, 상기 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 2 지지 필름을 배치하는 공정, 및 상기 무기물층을 가열하는 공정을 구비하는, 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 필름체가 제 1 지지 필름에 배치된 상태로, 진공하에서 무기물층을 형성하고 있다. 따라서, 반송시나 무기물층 형성시에 있어서, 필름체의 변형 및 파단을 억제할 수 있다.

또, 무기물층을 형성하는 공정 후, 및 무기물층을 가열하는 공정 전에 있어서, 제 1 지지 필름을 제거하고, 제 2 지지 필름을 배치하고 있다. 그 때문에, 무기물층을 형성할 때에 적합한 제 1 지지 필름과, 가열할 때에 적합한 제 2 지지 필름을 각각 채용할 수 있다. 따라서, 무기물층을 형성할 때에, 진공하에서의 무기물층의 형성에 악영향을 주는 지지 필름의 채용을 회피할 수 있기 때문에, 형성되는 무기물층의 특성 저하를 억제할 수 있다.

본 발명［2］는, 상기 제 1 지지 필름의 함수량이, 2.5 ㎍/㎡ 미만인,［1］에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 제 1 지지 필름의 함수량이 낮기 때문에, 진공하에서 무기물층을 형성할 때에, 제 1 지지 필름으로부터 증발하는 수분을 저감시킬 수 있다. 그 때문에, 형성되는 무기물층에 받아들여지는 수분을 저감시킬 수 있어, 무기물층의 특성 저하를 억제할 수 있다.

본 발명［3］은, 상기 제 1 지지 필름의 폭 10 ㎜ 에 있어서의 항복 강도가, 30 ㎫ 이하이며, 제 1 지지 필름의 파단 연신이, 80 ％ 이상인,［1］또는 [2] 에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 제 1 지지 필름은, 작은 장력으로 길게 연신시킬 수 있고, 또한 장력에서 기인하여 발생하는 잔류 응력을 저감시킬 수 있다. 따라서, 제 1 지지 필름이 지지된 필름체에 대하여 장력이 작용했을 경우에, 제 1 지지 필름이 필름체에 잔류 응력을 주는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 필름체에 있어서의 컬 발생을 억제할 수 있다.

본 발명［4］는, 상기 제 1 지지 필름이, 연신 폴리프로필렌 필름인,［1］ ∼ ［3］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 제 1 지지 필름이, 저함수량이며, 항복 강도가 낮고, 연신이 양호하기 때문에, 무기물층의 형성시에 있어서, 수분의 발생을 억제할 수 있음과 함께, 필름체의 컬 발생을 억제할 수 있다.

본 발명［5］는, 상기 제 1 지지 필름과 상기 필름체의 박리력이, 0.005 N/50 ㎜ 이상, 0.50 N/50 ㎜ 이하인,［1］ ∼ ［4］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 제 1 지지 필름과 필름체의 박리력이 0.005 N/50 ㎜ 이상이기 때문에, 이들 사이에 기포의 발생을 억제하여, 박리를 억제할 수 있다. 또, 박리력이 0.50 N/50 ㎜ 이하이기 때문에, 제 1 지지 필름을 제거할 때에, 기재 필름의 파단을 억제할 수 있다.

본 발명［6］은, 상기 제 2 지지 필름이, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인,［1］ ∼ ［5］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 제 2 지지 필름의 열수축률이 낮기 때문에, 무기물층 적층체의 컬을 보다 확실하게 억제할 수 있다.

본 발명［7］은, 상기 기재 필름이, 시클로올레핀폴리머 필름인,［1］ ∼ ［6］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 기재 필름으로서 시클로올레핀폴리머 필름을 구비하는 무기물층 적층체를 파단시키지 않고 제조할 수 있다.

본 발명［8］은, 상기 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정이, 스퍼터링법에 의해 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정인,［1］ ∼ ［7］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 두께가 얇은 무기물층 (스퍼터막) 을 보다 확실하게 형성할 수 있다.

본 발명［9］는, 상기 무기물층이, 인듐·주석 복합 산화물을 함유하는,［1］ ∼ ［8］중 어느 한 항에 기재된 무기물층 적층체의 제조 방법을 포함하고 있다.

이 제조 방법에 의하면, 투명 도전성의 무기물층을 구비하는 투명 도전성 필름을, 투명성 및 도전성이 양호한 상태로 얻을 수 있다.

본 발명의 무기물층 적층체의 제조 방법에 의하면, 무기물층의 특성 저하를 억제한 무기물층 적층체를 파단시키지 않고 제조할 수 있다.

[도 1] 도 1A-G 는 본 발명의 무기물층 적층체의 제조 방법의 일 실시형태의 공정도를 나타내고, 도 1A 는 투명 기재 필름을 준비하는 제 1 공정, 도 1B 는 필름체를 형성하는 제 2 공정, 도 1C 는 제 1 지지 필름을 배치하는 제 3 공정, 도 1D 는 아모르퍼스 투명 도전층을 형성하는 제 4 공정, 도 1E 는 제 1 지지 필름을 제거하는 제 5 공정, 도 1F 는 제 2 지지 필름을 배치하는 제 6 공정, 도 1G 는 아모르퍼스 투명 도전층을 가열하는 제 7 공정을 나타낸다.
[도 2] 도 2A-F 는 본 발명의 무기물층 적층체의 제조 방법의 일 실시형태의 변형예의 공정도를 나타내고, 도 2A 는 투명 기재 필름을 준비하는 제 1 공정, 도 2B 는 제 1 지지 필름을 배치하는 제 3 공정, 도 2C 는 아모르퍼스 투명 도전층을 형성하는 제 4 공정, 도 2D 는 제 1 지지 필름을 제거하는 제 5 공정, 도 2E 는 제 2 지지 필름을 배치하는 제 6 공정, 도 2F 는 아모르퍼스 투명 도전층을 가열하는 제 7 공정을 나타낸다.

도 1A 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이, 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이, 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또, 지면 좌우 방향 및 안쪽 깊이 방향은, 상하 방향으로 직교하는 면 방향이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다. 또한, 이들 방향의 정의에 의해, 본 발명의 무기물층 적층체의 제조시 및 사용시의 방향을 한정할 의도는 없다.

＜일 실시형태＞

도 1A-G 를 참조하여, 본 발명의 무기물층 적층체의 제조 방법의 일 실시형태로서, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법을 설명한다.

결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법은, 예를 들어 기재 필름의 일례로서의 투명 기재 필름 (2) 을 준비하는 제 1 공정, 필름체 (3) 를 형성하는 제 2 공정, 필름체 (3) 의 상측에, 제 1 지지 필름 (4) 을 배치하는 제 3 공정, 필름체 (3) 의 하측에, 진공하에서, 무기물층의 일례로서의 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성하는 제 4 공정, 제 1 지지 필름 (4) 을 제거하는 제 5 공정, 필름체 (3) 의 상측에, 제 2 지지 필름 (7) 을 배치하는 제 6 공정, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 가열하는 제 7 공정을 이 순서로 구비한다. 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법은, 제 1 공정 ∼ 제 7 공정에 있어서, 모두 롤 투 롤 공정으로 실시된다.

(제 1 공정)

제 1 공정에서는, 도 1A 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 필름 (2) 을 준비한다.

투명 기재 필름 (2) 은, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하기 위한 투명한 기재이다. 즉, 투명 기재 필름 (2) 은, 결정화 투명 도전층 (12) 을, 후술하는 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (8), 제 2 하드 코트층 (9)) 및 광학 조정층 (10) 과 함께 지지하고 있다.

투명 기재 필름 (2) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 투명성을 갖는 고분자 필름이다. 투명 기재 필름 (2) 의 재료로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀폴리머 (예를 들어, 노르보르넨류의 중합체, 시클로펜타디엔류의 중합체, 시클로헥사디엔류의 중합체) 등의 올레핀 수지, 예를 들어 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지 등을 들 수 있다. 투명 기재 필름 (2) 은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명성, 저복굴절성 등의 광학 특성의 관점에서, 바람직하게는 올레핀 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 시클로올레핀폴리머 (COP) 를 들 수 있다.

투명 기재 필름 (2) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어 80 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상이다.

투명 기재 필름 (2) 의 두께는, 예를 들어 200 ㎛ 이하, 바람직하게는 150 ㎛ 이하, 바람직하게는 125 ㎛ 이하이며, 또 예를 들어 10 ㎛ 이상, 바람직하게는 25 ㎛ 이상이다. 투명 기재 필름 (2) 의 두께가 상기 상한 이하이면, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 박막화를 도모할 수 있다. 투명 기재 필름 (2) 의 두께가 상기 하한 이상이면, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 기계적 강도가 우수하다.

본 발명에 있어서, 필름의 두께는, 예를 들어 두께가 1 ㎛ 이상인 경우는, 마이크로 게이지식 두께계를 사용하여 측정할 수 있고, 예를 들어 두께가 1 ㎛ 미만인 경우는, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 측정할 수 있다.

또한, 투명 기재 필름 (2) 은, 도 1A 의 가상선에 나타내는 바와 같이, 그 하면에 보호 필름 (15) 을 구비하고 있어도 된다.

(제 2 공정)

제 2 공정에서는, 도 1B 에 나타내는 바와 같이, 필름체 (3) 를 형성한다.

구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (8), 투명 기재 필름 (2), 제 2 하드 코트층 (9) 및 광학 조정층 (10) 을 이 순서로 구비하는 필름체 (3) 를 제작한다.

우선, 투명 기재 필름 (2) 의 상면 및 하면에, 제 1 하드 코트층 (8) 및 제 2 하드 코트층 (9) 을 형성한다.

예를 들어, 투명 기재 필름 (2) 의 상면 및 하면의 각각에 하드 코트 조성물을 습식 도공 후, 건조시킴으로써, 투명 기재 필름 (2) 의 상면 및 하면의 각각에 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (8) 및 제 2 하드 코트층 (9)) 을 형성한다.

구체적으로는, 예를 들어 하드 코트 조성물 (후술) 을 용매로 희석시킨 희석액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 희석액을 투명 기재 필름 (2) 의 상면 및 하면에 도포하여, 희석액을 건조시킨다.

그 후, 하드 코트 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.

하드 코트 조성물은, 수지를 함유한다.

수지로는, 예를 들어 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 경화성 수지를 들 수 있다.

경화성 수지로는, 예를 들어 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.

활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.

활성 에너지선 경화성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.

또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.

이들 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.

하드 코트 조성물은, 입자를 추가로 함유할 수도 있다. 이로써, 하드 코트층을, 내블로킹 특성을 갖는 안티 블로킹층으로 할 수 있다.

입자로는, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어 실리카 입자, 예를 들어 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.

하드 코트 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.

이어서, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에, 광학 조정층 (10) 을 형성한다.

예를 들어, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 광학 조정 조성물을 습식 도공 후, 건조시킴으로써, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 광학 조정층 (10) 을 형성한다.

구체적으로는, 예를 들어 필요에 따라 광학 조정 조성물을 용매로 희석시킨 희석액을 조제하고, 계속해서, 희석액을 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 도포하여, 희석액을 건조시킨다.

광학 조정 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.

광학 조정 조성물은, 수지를 함유하고, 바람직하게는 수지 및 입자를 함유한다.

수지로는 특별히 한정되지 않지만, 하드 코트 조성물에서 사용하는 수지와 동일한 것을 들 수 있다. 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 경화성 수지, 보다 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.

수지의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대하여, 예를 들어 10 질량％ 이상, 바람직하게는 25 질량％ 이상이며, 또 예를 들어 95 질량％ 이하, 바람직하게는 60 질량％ 이하이다.

입자로는, 광학 조정층이 요구하는 굴절률에 따라 바람직한 재료를 선택할 수 있고, 예를 들어 하드 코트 조성물에서 사용하는 입자와 동일한 것을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 무기 입자, 보다 바람직하게는 금속 산화물 입자, 더욱 바람직하게는 산화지르코늄 입자 (ZnO₂) 를 들 수 있다.

입자의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대하여, 예를 들어 5 질량％ 이상, 바람직하게는 40 질량％ 이상이며, 또 예를 들어 90 질량％ 이하, 바람직하게는 75 질량％ 이하이다.

광학 조정 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.

이로써, 광학 조정층 (10) 과, 광학 조정층 (10) 상에 배치되는 제 2 하드 코트층 (9) 과, 제 2 하드 코트층 (9) 상에 배치되는 투명 기재 필름 (2) 과, 투명 기재 필름 (2) 상에 배치되는 제 1 하드 코트층 (8) 을 구비하는 필름체 (3) (필름 적층체) 를 얻는다.

제 1 하드 코트층 (8) 및 제 2 하드 코트층 (9) 은, 복수의 결정화 투명 도전성 필름 (1) 을 적층했을 경우 등에, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 표면 (결정화 투명 도전층 (12) 의 표면) 에 스크래치를 잘 생기지 않게 하기 위한 찰상 보호층이다. 또, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 에 내블로킹성을 부여하기 위한 안티 블로킹층으로 할 수도 있다.

각 하드 코트층의 두께는, 각각 예를 들어 내찰상성의 관점에서, 예를 들어 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다.

광학 조정층 (10) 은, 결정화 투명 도전층 (12) 에 있어서의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 이 우수한 투명성을 확보하기 위해서, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.

광학 조정층 (10) 의 굴절률은, 예를 들어 1.6 이상, 바람직하게는 1.8 이하이다.

광학 조정층 (10) 의 두께는, 예를 들어 50 ㎚ 이상, 바람직하게는 80 ㎚ 이상이며, 또 예를 들어 300 ㎚ 이하, 바람직하게는 150 ㎚ 이하이다.

필름체 (3) 의 두께는, 예를 들어 15 ㎛ 이상, 바람직하게는 25 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 200 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다.

또한, 투명 기재 필름 (2) 은, 그 하면에 보호 필름 (15) 을 구비하는 경우에는, 제 2 하드 코트층 (9) 의 형성 전에, 보호 필름 (15) 을 박리, 용해 등에 의해 제거한다.

(제 3 공정)

제 3 공정에서는, 도 1C 에 나타내는 바와 같이, 필름체 (3) 의 상측에, 제 1 지지 필름 (4) 을 배치한다.

구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (8) 의 상면이 제 1 지지 필름 (4) 의 하면과 접촉하도록, 필름체 (3) 의 상면에 제 1 지지 필름 (4) 을 배치한다. 이로써, 필름체 (3) 은, 제 1 지지 필름 (4) 에 첩착 (貼着) 된다.

제 1 지지 필름 (4) 의 배치는, 바람직하게는 대기하에서 실시한다.

제 1 지지 필름 (4) 은, 진공하에서 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성하는 제 4 공정에 있어서, 투명 기재 필름 (2) 을 지지한다.

제 1 지지 필름 (4) 의 하면은, 바람직하게는 택성 (점착성) 을 구비하고 있다. 이로써, 제 1 지지 필름 (4) 과 필름체 (3) 를 직접 첩착할 수 있다.

제 1 지지 필름 (4) 의 항복 강도는, 예를 들어 제 2 지지 필름 (7) (후술) 의 항복 강도보다 낮고, 구체적으로는 폭 10 ㎜ 에 있어서, 예를 들어 30 ㎫ 이하, 바람직하게는 10 ㎫ 이하이다. 또, 제 1 지지 필름 (4) 의 파단 연신은, 예를 들어 제 2 지지 필름의 파단 연신보다 크고, 구체적으로는 예를 들어 80 ％ 이상, 바람직하게는 100 ％ 이상이다.

제 1 지지 필름 (4) 의 항복 강도가 상기 상한 이하이고, 또 제 1 지지 필름 (4) 의 파단 연신이 상기 하한 이상이면, 제 1 지지 필름 (4) 은, 작은 장력으로 길게 연신시킬 수 있고, 또한 장력에서 기인하여 발생하는 잔류 응력을 저감시킬 수 있다. 따라서, 롤 투 롤 공정에 있어서, 제 1-지지 필름 적층체 (21) (후술) 에, 반송 방향의 장력이 강하게 작용했을 경우라도, 제 1 지지 필름 (4) 에 남는 잔류 응력을 저감시킬 수 있기 때문에, 제 1 지지 필름 (4) 이 필름체 (3) 에 주는 잔류 응력을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 필름체 (3) 에 있어서 컬의 발생을 억제할 수 있다.

항복 응력 및 파단 연신은, 측정 대상 필름 (예를 들어, 제 1 지지 필름 (4)) 을 폭 10 ㎜ × 길이 10 ㎜ 로 절단하고, 이것을 측정 장치 (시마즈 제작소사 제조, 상품명 「오토그래프 AG-I 10KN」) 에 세트하여, 5 ㎜/s 에서 100 ㎜/s 까지의 인장 속도의 조건하에서 잡아당김으로써 측정할 수 있다.

제 1 지지 필름 (4) 의 함수량은, 예를 들어 제 2 지지 필름 (7) (후술) 의 함수량보다 낮고, 예를 들어 2.5 ㎍/㎡ 미만, 바람직하게는 1.0 ㎍/㎡ 이하이다. 제 1 지지 필름 (4) 의 함수량이 상기 상한 이하이면, 진공하에서 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성할 때, 제 1 지지 필름 (4) 의 하면 (노출면) 으로부터 증발하는 수분을 확실하게 저감시킬 수 있다. 그 때문에, 형성되는 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 에 받아들여지는 수분 (불순물) 을 저감시킬 수 있어, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) (나아가서는, 결정화 투명 도전층 (12)) 의 특성 (예를 들어, 도전성, 투명성) 의 저하를 억제할 수 있다.

함수량은, 컬 피셔 수분 측정법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 가열 기화법 (150 ℃) 에 의해 발생한 가스를 적정 셀 내에 도입한 컬 피셔 수분 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.

제 1 지지 필름 (4) 의 선열팽창 계수는, 예를 들어 2.0 × 10^-5/℃ 를 초과하고, 바람직하게는 1.5 × 10^-4/℃ 이상이며, 또 예를 들어 1.0 × 10^-2/℃ 이하이다.

제 1 지지 필름 (4) 의 재료로는, 예를 들어 올레핀 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 연신 폴리프로필렌 (OPP) 을 들 수 있다. OPP 필름은, 저함수량이며, 항복 강도가 낮고, 연신이 양호하다. 그 때문에, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 형성시에 있어서, 수분 (불순물) 의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 그와 함께, 롤 투 롤 공정의 장력에서 기인하는 잔류 응력이 낮기 때문에, 필름체 (3) 의 컬 발생을 억제할 수 있다. 또한, OPP 필름은, 점착성을 구비하기 때문에, 점착제층을 개재시키지 않고, 필름체 (3) 의 상면에 제 1 지지 필름 (4) 을 직접 배치 (첩착) 할 수 있고, 또한 필름체 (3) 와 제 1 지지 필름 (4) 의 박리력을 양호하게 할 수 있다.

이로써, 필름체 (3) 와, 필름체 (3) 상에 배치되는 제 1 지지 필름 (4) 을 구비하는 제 1-지지 필름 적층체 (21) 가 얻어진다.

제 1-지지 필름 적층체 (21) 에 있어서, 필름체 (3) 와 제 1 지지 필름 (4) 의 박리력은, 예를 들어 0.50 N/50 ㎜ 이하, 바람직하게는 0.20 N/50 ㎜ 이하이며, 또 예를 들어 0.005 N/50 ㎜ 이상, 바람직하게는 0.15 N/50 ㎜ 이상이다. 박리력이 상기 상한 이하이면, 후술하는 제 1 지지 필름 (4) 의 제거 공정에 있어서, 제 1 지지 필름 (4) 을 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 으로부터 용이하게 박리할 수 있고, 투명 기재 필름 (2) 의 파단을 억제할 수 있다. 또, 박리력이 상기 하한 이상이면, 제 1 지지 필름 (4) 의 배치시나 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 형성시에, 필름체 (3) 와 제 1 지지 필름 (4) 의 사이에 기포의 발생 및 증대를 억제할 수 있어, 이들의 박리 및 탈락을 방지할 수 있다.

박리력은, 제 1-지지 필름 적층체 (21) 를 폭 50 ㎜ × 길이 50 ㎜ 로 절단하고, 만능 인장 시험기를 사용하여, 박리 속도 300 ㎜/분, 박리 각도 180°의 조건으로 측정함으로써 구할 수 있다.

제 1 지지 필름 (4) 의 두께는, 예를 들어 15 ㎛ 이상, 바람직하게는 30 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 150 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다.

(제 4 공정)

제 4 공정에서는, 도 1D 에 나타내는 바와 같이, 진공하에서, 필름체 (3) 의 하측에 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성한다.

구체적으로는, 진공하에서, 건식 방법에 의해, 광학 조정층 (10) 의 하면에 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성한다.

진공 조건 (기압) 은, 예를 들어 100 Pa 이하, 바람직하게는 10 Pa 이하, 보다 바람직하게는 1 Pa 이하이다.

건식 방법으로는, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해 두께가 얇은 아모르퍼스 투명 도전층 (5) (스퍼터막) 을 보다 확실하게 형성할 수 있다.

스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 구성하는 후술하는 무기물을 들 수 있고, 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상이며, 또 예를 들어 15 질량％ 이하, 바람직하게는 13 질량％ 이하이다.

스퍼터 가스로는, 예를 들어 Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량비에 대하여, 예를 들어 0.1 유량％ 이상 5 유량％ 이하이다.

스퍼터링법에 사용하는 전원은, 예를 들어 DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또 이들의 조합이어도 된다.

이로써, 필름체 (3) 의 하면에, 아모르퍼스 (비정질) 투명 도전층 (5) 이 형성된다. 이 결과, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 과, 그 위에 배치되는 필름체 (3) 를 구비하는 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 이, 제 1 지지 필름 (4) 에 지지된 상태로 얻어진다. 즉, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 과, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 상에 배치되는 제 1 지지 필름 (4) 을 구비하는 제 2-지지 필름 적층체 (22) 가 얻어진다.

아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 재료로는, 예를 들어 In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 포함하는 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물에는, 필요에 따라, 추가로 상기 군에게 나타낸 금속 원자를 도프하고 있어도 된다.

아모르퍼스 투명 도전층 (5) 으로는, 구체적으로는, 예를 들어 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 인듐 함유 산화물, 예를 들어 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 등의 안티몬 함유 산화물 등을 들 수 있다. 투명성 및 도전성이 양호한 관점에서, 바람직하게는 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다.

본 명세서 중에 있어서의 「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 포함하는 복합 산화물이면 되고, 이들 이외의 추가 성분을 포함해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어 In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있고, 구체적으로는 Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.

아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상이며, 또 예를 들어 50 ㎚ 이하, 바람직하게는 30 ㎚ 이하이다.

(제 5 공정)

제 5 공정에서는, 도 1E 에 나타내는 바와 같이, 제 1 지지 필름 (4) 을 제거한다. 즉, 제 2-지지 필름 적층체 (22) 로부터 제 1 지지 필름 (4) 을 제거한다.

구체적으로는, 제 2-지지 필름 적층체 (22) 에 있어서, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 의 상면으로부터, 제 1 지지 필름 (4) 을 박리한다.

이로써, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 과, 그 위에 배치되는 필름체 (3) 를 구비하는 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 이 얻어진다.

(제 6 공정)

제 6 공정에서는, 도 1F 에 나타내는 바와 같이, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 의 상측에, 제 2 지지 필름 (7) 을 배치한다.

구체적으로는, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 의 상면 (즉, 제 1 하드 코트층 (8) 의 상면) 에, 점착제층 (11) 을 개재시켜 제 2 지지 필름 (7) 을 배치한다. 이로써, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 은, 점착제층 (11) 을 개재시켜 제 2 지지 필름 (7) 에 첩착된다.

제 2 지지 필름 (7) 의 배치는, 바람직하게는 대기하에서 실시한다.

점착제층 (11) 을 구성하는 점착제로는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 (부틸 고무계 점착제 등), 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 에폭시계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 불소 수지계 점착제 등을 들 수 있다.

점착제의 도포 방법으로는, 예를 들어 닥터 블레이드, 그라비아 코터, 파운틴 코터, 캐스트 코터, 스핀 코터, 롤 코터 등을 들 수 있다.

점착제층 (11) 의 두께는, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 5 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다.

제 2 지지 필름 (7) 은, 가열 공정시에 있어서, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 을 지지한다. 또, 얻어지는 결정화 투명 도전성 필름 (1) 을 보호하고, 반송 및 보존시에 이용되며, 그 사용까지 결정화 투명 도전성 필름 (1) 에 첩착 (배치) 되어 있다. 바꾸어 말하면, 제품으로서의 출하시에 있어서도, 제 2 지지 필름 (7) 은, 보호 필름으로서 결정화 투명 도전성 필름 (1) 에 첩착되어 있다.

제 2 지지 필름 (7) 의 항복 강도는, 폭 50 ㎜ 에 있어서, 예를 들어 30 ㎫ 을 초과하고, 바람직하게는 50 ㎫ 이상이다. 제 2 지지 필름 (7) 의 파단 연신은, 예를 들어 80 ％ 미만이다. 제 2 지지 필름 (7) 의 항복 강도가 상기 하한 이상, 또는 파단 연신이 상기 상한 미만이면, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 및 제 2 지지 필름 (7) 에 장력을 인가했을 때에, 이들 필름의 휘어짐을 억제할 수 있다.

제 2 지지 필름 (7) 의 함수량은, 예를 들어 2.5 ㎍/㎡ 이상, 바람직하게는 5.0 ㎍/㎡ 이상이며, 또 예를 들어 10 ㎍/㎡ 이하이다.

제 2 지지 필름 (7) 의 선열팽창 계수는, 예를 들어 제 1 지지 필름 (4) 의 열선팽창 계수보다 낮고, 구체적으로는, 예를 들어 2.0 × 10^-5/℃ 이하, 바람직하게는 1.0 × 10^-5/℃ 이하이다. 제 2 지지 필름 (7) 의 열팽창 계수가 상기 상한 이하이면, 가열 공정에 있어서, 제 2 지지 필름 (7) 의 열수축을 저감시킬 수 있어, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 컬 발생을 억제할 수 있다.

제 2 지지 필름 (7) 은, 제 1 지지 필름 (4) 과 상이한 필름으로, 그 재료로는, 예를 들어 올레핀 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있고, 바람직하게는 COP, PET 를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 PET 를 들 수 있다. COP 필름이나 PET 필름은, 열수축이 낮기 때문에, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 컬 발생을 한층 더 억제할 수 있다.

제 2 지지 필름 (7) 의 두께는, 예를 들어 50 ㎛ 이상, 바람직하게는 100 ㎛ 이상이며, 또 예를 들어 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하이다.

제 2 지지 필름 (7) 을, 점착제층 (11) 을 개재시켜 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 에 배치하는 방법으로는, 예를 들어 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 의 상면에 점착제를 도포하고, 이어서, 제 1 지지 필름 (4) 을 점착제층 (11) 의 상면에 배치해도 되고, 또 예를 들어 하면에 점착제층 (11) 이 배치된 제 2 지지 필름 (7) 을 준비하고, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 과 점착제층 (11) 을 접촉시켜도 된다.

이로써, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 과, 아모르퍼스 투명 도전성 필름 (6) 상에 배치되는 점착제층 (11) 과, 점착제층 (11) 상에 배치되는 제 2 지지 필름을 구비하는 제 3-지지 필름 적층체 (23) 가 얻어진다.

(제 7 공정)

제 7 공정에서는, 도 1G 에 나타내는 바와 같이, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 가열한다.

구체적으로는, 제 3-지지 필름 적층체 (23) 에 대하여 가열 처리를 실시한다.

가열 처리는, 바람직하게는 대기하에서 실시한다. 가열 처리는, 예를 들어 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.

가열 온도는, 예를 들어 100 ℃ 이상, 바람직하게는 120 ℃ 이상이며, 또 예를 들어 200 ℃ 이하, 바람직하게는 160 ℃ 이하이다. 가열 온도가 상기 범위 내이면, 투명 기재 필름 (2) 의 열손상 및 투명 기재 필름 (2) 으로부터 발생하는 불순물을 억제하면서, 결정 전화를 확실하게 할 수 있다.

가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 결정되는데, 예를 들어 10 분 이상, 바람직하게는 30 분 이상이며, 또 예를 들어 5 시간 이하, 바람직하게는 3 시간 이하이다.

이로써, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 이 결정화되고, 결정화 투명 도전층 (12) 이 형성된다. 이 결과, 도 1G 에 나타내는 바와 같이, 결정화 투명 도전층 (12) 과, 그 위에 배치되는 필름체 (3) 를 구비하는 결정화 투명 도전성 필름 (1) 이, 점착제층 (11) 을 개재시켜 제 2 지지 필름 (7) 에 지지된 상태로 얻어진다. 즉, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 과, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 상에 배치되는 점착제층 (11) 과, 점착제층 (11) 상에 배치되는 제 2 지지 필름을 구비하는 지지 필름 부착 투명 도전성 필름 (24) 이 얻어진다.

지지 필름 부착 투명 도전성 필름 (24) 은, 사용시에 있어서, 점착제층 (11) 및 제 2 지지 필름 (7) 이 제거 (박리) 되어, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 이 단체로서 사용된다.

(결정화 투명 도전성 필름)

결정화 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 한 부품으로, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제작하기 위한 부품으로, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되며, 산업상 이용 가능한 디바이스이다. 구체적으로는, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 은, 제 1 하드 코트층 (8) 과, 투명 기재 필름 (2) 과, 제 2 하드 코트층 (9) 과, 광학 조정층 (10) 과, 결정화 투명 도전층 (12) 을 이 순서로 구비한다.

결정화 투명 도전성 필름 (1) 이, 예를 들어 터치 패널용 기재로서 사용되는 경우, 터치 패널의 형식으로는, 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다.

이 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법에 의하면, 필름체 (3) 가 제 1 지지 필름 (4) 에 배치 (지지) 된 상태로, 진공하에서 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성하고 있다. 따라서, 반송시나 아모르퍼스 투명 도전층 형성시에 있어서, 필름체 (3) 의 변형 및 파단을 억제할 수 있다.

또, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성하는 공정 후, 및 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 가열하는 공정 전에 있어서, 제 1 지지 필름 (4) 을 제거하고, 제 2 지지 필름 (7) 을 배치하고 있다. 그 때문에, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성할 때에 적합한 제 1 지지 필름 (4) 과, 가열할 때에 적합한 제 2 지지 필름 (7) 을 각각 채용할 수 있다. 따라서, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성할 때에, 진공하에서의 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 형성에 악영향을 주는 지지 필름 (구체적으로는, 함수량이 많은 필름) 의 채용을 회피하고, 적합한 제 1 지지 필름 (4) 을 채용할 수 있기 때문에, 형성되는 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 의 특성 (투명성, 도전성) 의 저하를 억제할 수 있다. 또, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 가열할 때에, 열수축이 큰 지지 필름의 선택을 회피하고, 열수축이 낮은 제 2 지지 필름 (7) 을 채용할 수 있기 때문에, 얻어지는 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 컬을 억제할 수 있다.

그리고, 이 제조 방법에서는, 특히 투명 기재 필름 (2) 이, 기계적 강도가 무른 필름 (예를 들어, 박형 시클로올레핀폴리머 필름) 인 경우에 있어서, 그 투명 기재 필름 (2) 을 구비하는 결정화 투명 도전성 필름 (1) 을 파단시키지 않고 바람직하게 제조할 수 있다.

(변형예)

도 2A-F 를 참조하여, 본 발명의 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법의 일 실시형태의 변형예에 대하여 설명한다. 또한, 변형예에 있어서, 일 실시형태와 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.

(1) 도 1A-G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 필름체 (3) 는, 제 1 하드 코트층 (8), 제 2 하드 코트층 (9) 및 광학 조정층 (10) 을 구비하고 있지만, 예를 들어 도 2A-F 에 나타내는 바와 같이, 필름체 (3) 는, 이들 층의 일부 또는 전부를 구비하지 않아도 된다. 예를 들어, 도 2A-F 에 나타내는 실시형태는, 필름체 (3) 는, 투명 기재 필름 (2) 만으로 한 일례이다. 도 2A-F 에 나타내는 실시형태에서는, 도 2B 에 나타내는 바와 같이, 제 3 공정에 있어서, 투명 기재 필름 (2) 의 상면에, 직접 제 1 지지 필름 (4) 을 배치하고, 도 2C 에 나타내는 바와 같이, 제 4 공정에 있어서, 투명 기재 필름 (2) 의 하면에, 직접 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 을 형성하고, 도 2D 에 나타내는 바와 같이, 제 5 공정에 있어서, 투명 기재 필름 (2) 으로부터 제 1 지지 필름 (4) 을 제거하고, 도 2E 에 나타내는 바와 같이, 제 6 공정에 있어서, 투명 기재 필름 (2) 의 상면에, 직접 점착제층 (11) 을 개재시켜 제 2 지지 필름 (7) 을 배치한다.

(2) 도 1A-G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 결정화 투명 도전층 (12) 에, 배선 패턴 등의 패턴을 형성하고 있지 않지만, 예를 들어 도시되지 않지만, 결정화 투명 도전층 (12) 에 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 가열 공정 전 또는 후에, 공지된 에칭 수법에 의해, 아모르퍼스 투명 도전층 (5) 또는 결정화 투명 도전층 (12) 을 에칭함으로써, 결정화 투명 도전층 (12) 에 패턴을 형성할 수 있다.

(3) 도 1A-G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 기재 필름 (2) 을 반송시키면서, 제 1 ∼ 제 7 공정을 실시하고 있지만, 예를 들어 도시되지 않지만, 제 1 ∼ 제 7 공정의 일부 또는 전부를 배치 방식 (매엽 방식) 으로 형성해도 된다. 생산성의 관점에서, 바람직하게는 롤 투 롤 방식으로, 제 1 ∼ 제 7 공정을 실시한다. 또, 롤 투 롤 공정에서는, 제 1 ∼ 제 7 공정을 연속해서 실시해도 되고, 또 제 1 ∼ 제 7 공정을 단속적으로 실시해도 된다.

(4) 도 1A-G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 제 3 공정에 있어서, 필름체 (3) 의 상면에 제 1 지지 필름 (4) 을 직접 배치하고 있지만, 예를 들어 도시되지 않지만, 필름체 (3) 의 상면에 점착제층을 개재시켜 제 1 지지 필름 (4) 을 배치해도 된다.

이 점착제층으로는, 제 6 공정에서 상기 서술한 점착제층 (11) 과 동일한 것을 들 수 있다.

＜다른 실시형태＞

도 1A-G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 무기물층 적층체의 제조 방법의 일 실시형태로서, 결정화 투명 도전성 필름 (1) 의 제조 방법을 예시하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시되지 않지만, 무기물층 적층체의 제조 방법의 다른 실시형태로서, 가스 배리어성 필름의 제조 방법을 들 수 있다. 가스 배리어성 필름은, 가스 배리어성의 무기 재료로 이루어지는 가스 배리어층과, 기재 필름을 구비한다. 이들 가스 배리어층 및 기재 필름으로는, 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어 일본 공개특허공보 2011-149057호에 개시된 것을 들 수 있다.

또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구 범위에 포함되는 것이다.

Claims (9)

1. 기재 필름을 구비하는 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 1 지지 필름을 배치하는 공정,
   상기 필름체의 두께 방향 타방측에, 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정,
   상기 제 1 지지 필름을 제거하는 공정,
   상기 필름체의 두께 방향 일방측에, 제 2 지지 필름을 배치하는 공정, 및
   상기 무기물층을 가열하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 지지 필름의 함수량이 2.5 ㎍/㎡ 미만인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 지지 필름의 폭 10 ㎜ 에 있어서의 항복 강도가 30 ㎫ 이하이며, 제 1 지지 필름의 파단 연신이 80 ％ 이상인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 지지 필름이 연신 폴리프로필렌 필름인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 지지 필름과 상기 필름체의 박리력이, 0.005 N/50 ㎜ 이상, 0.50 N/50 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 2 지지 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재 필름이 시클로올레핀폴리머 필름인 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정이, 스퍼터링법에 의해 진공하에서 무기물층을 형성하는 공정인, 무기물층 적층체의 제조 방법.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 무기물층이 인듐·주석 복합 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 무기물층 적층체의 제조 방법.

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