KR20180114533A

KR20180114533A - Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, laminate, printed circuit board, electronic device and method of manufacturing printed circuit board

Info

Publication number: KR20180114533A
Application number: KR1020180119042A
Authority: KR
Inventors: 데루마사 모리야마; 미치야 고히키
Original assignee: 제이엑스금속주식회사
Priority date: 2015-01-29
Filing date: 2018-10-05
Publication date: 2018-10-18
Also published as: JP2016146477A; TW201722717A; CN105835478A; CN105835478B; KR20160093555A; TWI659826B

Abstract

Provided is a surface-treated copper foil which has a desired recessed shape even if desmear treatment is carried out, and also can provide the profile shape of a substrate surface after removing the copper foil that realizes the good adhesion of an electroless copper plating film. Provided is a substrate which has a desired recessed shape even if desmear treatment is carried out, and also can provide the profile shape of a substrate surface after removing the copper foil that realizes the good adhesion of an electroless copper plating film. The surface-treated copper foil is applied to a resin substrate from a surface-treated layer side. The surface-treated copper foil is removed. When the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, desmear treatment and neutralization treatment, the average of the white part of the copper foil removal side surface of the resin substrate becomes 0.14 to 0.70 μm.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a surface-treated copper foil, a copper foil with a carrier, a substrate, a resin substrate, a laminate, a printed circuit board, an electronic apparatus and a method for manufacturing a printed circuit board BOARD, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은, 표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박, 기재, 수지 기재, 적층체, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surface-treated copper foil, a copper foil with a carrier, a substrate, a resin substrate, a laminate, a printed wiring board, an electronic apparatus and a method for producing a printed wiring board.

반도체 패키지 기판 및 프린트 배선 기판의 회로 형성 공법은 서브트랙티브 공법이 주류이다. 그러나, 최근, 반도체의 고집적화에 수반하여, 그것에 사용되는 반도체 패키지 기판, 프린트 배선 기판의 회로의 미세화가 진전되어, 서브트랙티브 공법에서의 미세 회로 형성이 곤란해지고 있다.The circuit formation method of the semiconductor package substrate and the printed wiring board is the subtractive method. In recent years, however, along with the high integration of semiconductors, miniaturization of circuitry of the semiconductor package substrate and the printed wiring board used therein has progressed, making it difficult to form a microcircuit in the subtractive process.

가일층의 미세 배선화에 대한 대응으로서, 극박 동박을 급전층으로서 패턴 구리 도금을 실시하고, 마지막에 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하여 배선 형성하는 회로 형성 공법 (1), 프리프레그나 빌드업 필름을 진공 프레스 등으로 경화시키고, 그 표면을 조면화하여, 기재면에 적절한 요철을 형성시킴으로써, 신뢰성이 있는 미세 배선을 형성하는 회로 형성 공법 (2), 동박 표면 프로파일을 기재 표면에 전사시켜, 기재 표면에 적절한 요철을 형성시킴으로써, 신뢰성이 있는 미세 배선을 형성하는 회로 형성 공법 (3) 이 주목받고 있다. 이들의 공법은 일반적으로 SAP 공법 (세미 애디티브 공법) 이라고 불린다.As a countermeasure against micro-wiring of a single layer, a circuit forming method (1) in which pattern copper plating is performed using an ultra-thin copper foil as a power supply layer and finally a thin copper foil is removed by flash etching to form wiring, a prepreg or build- A circuit forming method (2) for forming a reliable fine wiring by forming an appropriate irregularity on the substrate surface by hardening the surface with a press or the like, roughening the surface, and transferring the copper surface profile to the substrate surface, A circuit forming method (3) for forming a reliable fine wiring by attracting attention has been attracting attention. Their method is generally called SAP method (semi-additive method).

동박 표면의 프로파일을 사용한 SAP 공법은, 예를 들어 특허문헌 1 에 기재되어 있다. 이와 같은 동박 표면의 프로파일을 사용한 전형적인 SAP 공법의 예로서는, 다음을 들 수 있다. 즉, 수지에 적층한 동박을 전체면 에칭하고, 에칭 기재면을 천공하고, 천공부 및 기재의 전체면 혹은 일부에 디스미어 처리를 실시하고, 천공부의 에칭면에 드라이 필름을 첩부하고, 회로를 형성하지 않는 부분의 드라이 필름을 노광·현상하고, 드라이 필름 불요부를 약액으로 제거하고, 드라이 필름의 피복되어 있지 않은 동박 표면 프로파일이 전사한 에칭 기재면에 무전해 구리 도금, 전기 구리 도금을 실시하고, 최종적으로 무전해 구리 도금층을 플래시 에칭에 의해 제거하여 미세 배선을 형성한다는 것이다.The SAP method using the profile of the surface of the copper foil is described, for example, in Patent Document 1. As an example of a typical SAP method using such a copper foil surface profile, the following can be mentioned. That is, the entire surface of the copper foil laminated on the resin is etched, the etching base surface is perforated, the perforation is performed on the entire surface or a part of the base material, the dry film is pasted on the etched surface of the perforation, And the unnecessary portion of the dry film is removed with a chemical liquid. Electroless copper plating and electroplating are performed on the surface of the etched substrate on which the copper film surface profile of the non-coated dry film is transferred. And finally the electroless copper plating layer is removed by flash etching to form a fine wiring.

여기서, 상기와 같이, 수지 기재에 대한 천공은, 일반적으로 레이저 가공으로 실시되고 있다. 이 때, 수지 기재에 생긴 구멍의 벽면에 수지 잔류물 (스미어) 이 생긴다. 이 스미어는, 스루홀, 블라인드 비아 내의 구리 도금 불량의 원인이 된다. 당해 구리 도금 불량은, 도통 불량의 원인이 되어, 프린트 배선판의 품질 불량을 일으킬 우려가 있다. 그래서, 스미어를 제거하기 위해, 상기와 같은 디스미어 처리를 실시하고 있다.Here, as described above, the punching of the resin base material is generally performed by laser processing. At this time, a resin residue (smear) is formed on the wall surface of the hole formed in the resin base material. This smear causes copper plating failure in the through hole and the blind via. This copper plating failure may cause conduction failure, which may lead to poor quality of the printed wiring board. Thus, in order to remove the smear, the above-mentioned dismear process is performed.

일본 공개특허공보 2006-196863호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-196863

그러나, 상기 디스미어 처리에 의해, 수지 기재의 스루홀, 블라인드 비아 이외의 수지 부분도 침식되어 버려, 수지의 요철이 부적절한 것이 되어, 당해 수지 기재와 구리 회로의 밀착력이 저하된다는 문제가 있었다.However, due to the above-mentioned denuding treatment, the resin portions other than the through-holes and the blind vias of the resin substrate are also eroded so that the irregularities of the resin are inadequate, and the adhesion between the resin substrate and the copper circuit is lowered.

그래서, 본 발명은, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 동박 제거 후 기재면의 프로파일 형상을 부여할 수 있는 표면 처리 동박을 제공하는 것을 과제로 한다.Thus, the present invention provides a surface-treated copper foil having a desired concavo-convex shape even when subjected to a desmear treatment, and capable of imparting a profile shape of the substrate surface after the removal of the copper foil, which realizes good adhesion of the electroless copper- .

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합 (貼合) 하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때에, 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 또는 흑색부가 소정의 형태가 되도록 제어함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have conducted intensive studies and, as a result, have found that a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, , The desmear treatment and the neutralization treatment, the above problem can be solved by controlling the white part or the black part of the surface of the resin base material on the copper foil removing side to be a predetermined shape.

본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성한 것이며, 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.The present invention has been accomplished on the basis of the above finding. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a copper foil, which comprises the steps of: Wherein the white part average of the copper foil removing side surface of the resin base material is 0.14 to 0.70 占 퐉 when subjected to a miter treatment and a neutralization treatment.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.16 ∼ 0.65 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The white part average of the copper foil removing side surface of the resin substrate is 0.16 to 0.65 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The maximum white part of the surface of the resin base material on the copper foil removing side is 0.40 to 0.81 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , An average of 10 points from the larger white part of the surface of the resin substrate on the copper foil removal side is 0.35 to 1.0 占 퐉.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.36 ∼ 0.9 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The surface treated copper foil has an average of 10 points from the larger side of the white portion on the copper foil removing side surface of the resin substrate to 0.36 to 0.9 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The black part average of the surface of the resin base material on the copper foil removal side is 0.13 to 0.256 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.14 ∼ 0.24 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The black part average of the surface of the resin base material on the copper foil removal side is 0.14 to 0.24 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The black part average of the surface of the resin base material on the copper foil removal side is 0.15 to 0.23 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The maximum black part of the surface of the resin base material on the copper foil removal side is 0.42 to 1.07 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.5 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The maximum black part of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side is 0.5 to 1.0 占 퐉.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The surface treated copper foil has an average of 10 points from the larger side of the black portion on the copper foil removing side surface of the resin substrate to 0.31 to 0.55 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.In another aspect of the present invention, a surface-treated copper foil is bonded to a resin substrate from a surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to a swelling treatment, a desizing treatment and a neutralization treatment , The average of the ten points from the black portion of the resin-based substrate on the copper foil removal side surface is 0.32 to 0.53 mu m.

본 발명의 표면 처리 동박은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 된다.The surface-treated copper foil of the present invention is a surface-treated copper foil, which is obtained by bonding a surface-treated copper foil to a resin substrate from the surface treatment layer side, removing the surface-treated copper foil and subjecting the surface of the exposed resin substrate to swelling treatment, The white part ratio of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side is 45.5 to 70%.

본 발명의 표면 처리 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층이 조화 처리층이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the surface treatment layer is a roughened treatment layer.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층이, 구리, 니켈, 코발트, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 단체 또는 어느 1 종 이상을 함유하는 합금으로 이루어지는 층이다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the roughening treatment layer may be formed of any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc Based alloy.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the surface of the roughening treatment layer has at least one layer selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층이, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층이다.In one embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the surface treatment layer is at least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer .

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층 상에 수지층을 구비한다.The surface-treated copper foil of the present invention is, in another embodiment, a resin layer on the surface treatment layer.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어와 중간층과 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 동층이 본 발명의 표면 처리 동박인 캐리어가 부착된 동박이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, the copper foil having the ultra-thin copper layer with the carrier, which is the surface-treated copper foil of the present invention.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 양면에 상기 극박 동층을 구비한다.In one embodiment, the copper foil with the carrier of the present invention has the ultra thin copper layer on both sides of the carrier.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 상기 극박 동층과는 반대측에 조화 처리층을 구비한다.In another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, a roughened treatment layer is provided on the opposite side of the ultra thin copper layer of the carrier.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 인 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And a white part average of 0.14 to 0.70 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And the maximum value of the white part is 0.40 to 0.81 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And the average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And a black part average of 0.13 to 0.256 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And the black part maximum is 0.42 to 1.07 mu m.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And the average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 占 퐉.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 되는 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface-treated copper foil, comprising the steps of: applying a surface-treated copper foil of the present invention onto a substrate from a surface treatment layer side, When the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier is subjected to swelling treatment, desmear treatment, and neutralization treatment, And a white part ratio of 45.5 to 70%.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate produced by using the surface-treated copper foil of the present invention or the copper foil with the carrier of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 수지를 함유하는 적층체로서, 상기 표면 처리 동박 또는 상기 캐리어가 부착된 동박의 단면의 일부 또는 전부가 상기 수지에 의해 덮여 있는 적층체이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a surface-treated copper foil of the present invention, or a laminate containing a copper foil and a resin to which the carrier of the present invention is attached, wherein the surface-treated copper foil or the cross- And some or all of the resin is covered with the resin.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 상기 캐리어측 또는 상기 극박 동층측으로부터, 또 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 또는 상기 극박 동층측에 적층된 적층체이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a copper foil, comprising the steps of: preparing a copper foil having a carrier of the present invention on the carrier side or the ultra thin copper layer side, Layered laminate.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a process for preparing a surface-treated copper foil and an insulating substrate,

상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정,A step of laminating the surface-treated copper foil on the insulating substrate from the surface treatment layer side,

상기 절연 기판 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정,Removing the surface-treated copper foil on the insulating substrate,

상기 표면 처리 동박을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정A step of forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the surface-treated copper foil is removed

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.And a printed circuit board.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate,

상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정,A step of laminating the copper foil with the carrier on the insulating substrate from the ultra-

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, A step of removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered after laminating the copper foil with the carrier and the insulating substrate,

상기 캐리어를 벗긴 후의 절연 기판 상의 극박 동층을 제거하는 공정, Removing the ultra thin copper layer on the insulating substrate after peeling off the carrier,

상기 극박 동층을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정A step of forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the ultra thin copper layer is removed

상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하여 구리 피복 적층판을 형성하고, The surface-treated copper foil is laminated on the insulating substrate from the surface treatment layer side to form a copper clad laminate,

그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.And thereafter forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, A step of laminating the copper foil with the carrier on the insulating substrate from the ultra-

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, After the step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate is peeled off from the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate,

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a surface-treated copper foil of the present invention, in which a circuit is formed on a surface of a surface on which a surface treatment layer is formed, or a copper foil having a carrier of the present invention, fair,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정, Forming a resin layer on the surface of the surface-treated copper foil or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,

상기 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,A step of forming a circuit on the surface of the resin layer,

상기 표면 처리 동박 또는 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정A step of exposing a circuit buried in the resin layer by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered,

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a metal foil having a circuit on a surface thereof, or a first surface-treated copper foil of the present invention, in which a circuit is formed on the surface of the surface on which the surface- A step of preparing a copper foil on which a carrier having a circuit formed thereon is adhered or a first carrier which is a copper foil with a carrier of the present invention in which a circuit is formed on the surface of the ultra-

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면 또는 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 금속박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정, Forming a resin layer on the surface of the metal foil or on the surface of the surface-treated copper foil or the surface of the metal foil on which the carrier is adhered or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered,

본 발명의 표면 처리 동박인 제 2 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 2 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, A step of laminating a second surface-treated copper foil, which is a surface-treated copper foil of the present invention, on the resin layer from the side of the surface treatment layer, or a step of laminating the copper foil having the second carrier, A step of laminating on a ground layer,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박인 경우는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, When the foil laminated on the resin layer is a copper foil with the second carrier attached thereto, the step of peeling off the carrier of the copper foil on which the second carrier is attached,

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 제거하는 공정, A step of removing the surface treated copper foil on the resin layer or the ultra thin copper foil remaining after the carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered,

상기 표면 처리 동박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및, A step of forming a circuit on the surface of the resin layer from which the surface-treated copper foil is removed, or the surface of the resin layer from which the ultra-thin copper layer is removed,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정By removing the metal foil after the circuit is formed on the resin layer or by removing the first surface treated copper foil or by removing the ultra thin metal layer after peeling the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered or , A step of exposing a circuit buried in the resin layer by removing the ultra thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the first carrier attached thereto

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 금속층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, A step of laminating a metal foil on the resin layer or a step of laminating a metal foil with a carrier on the resin layer from the side of the ultra-

상기 수지층에 적층한 박이 상기 캐리어가 부착된 금속박인 경우는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 벗기는 공정, When the foil laminated on the resin layer is a metal foil on which the carrier is adhered, the step of peeling off the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 제거하는 공정, A step of removing the metal foil on the resin layer or the ultra thin metal layer remaining after the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered is peeled off,

상기 금속박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및, A step of forming a circuit on the surface of the resin layer from which the metal foil is removed or the surface of the resin layer from which the ultra thin copper layer has been removed,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정A circuit buried in the resin layer is exposed by removing the surface-treated copper foil after forming the circuit on the resin layer, or removing the ultra-thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the carrier attached thereto fair

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, The surface treated copper foil on the resin layer or the ultra thin copper foil with the carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered is left and the semi-additive method, the subtractive method, the partly additive method or the modified semi additive method A step of forming a circuit on the resin layer by any one of the methods,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, The metal foil on the resin layer or the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered is peeled off and the ultra thin metal layer is used to remove the metal foil on the resin layer by any one of the semiadditive method, the subtractive method, the partly additive method and the modified semi- A step of forming a circuit on the resin layer,

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: laminating the ultra thin copper layer side surface of the copper foil with the carrier of the present invention or the carrier-

상기 캐리어가 부착된 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, A step of forming at least one layer of a resin layer and a circuit on the surface of the ultra thin copper layer on the side opposite to the side of the copper foil on which the carrier is laminated with the resin substrate or on the carrier side surface,

상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정A step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier is adhered after forming the two layers of the resin layer and the circuit

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 적층체의 어느 일방 또는 양방의 면에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming at least one resin layer and two layers of circuits on at least one side of the laminate of the present invention;

상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 적층체를 구성하고 있는 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정After the two layers of the resin layer and the circuit are formed, the step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier constituting the laminate is adhered

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having a white part average of the surface of more than 0.23 to 0.70 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 초과 ∼ 1.0 ㎛ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having an average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface of more than 0.457 to 1.0 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having a black part average of the surface of more than 0.20 to 0.256 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having a black part maximum of the surface of more than 0.605 to 1.07 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 초과 ∼ 0.55 ㎛ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having an average of 10 points from the larger side of the black portion of the surface of more than 0.335 to 0.55 탆.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부 비율이 68 초과 ∼ 70 ％ 인 수지 기재이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate having a white part ratio of the surface of more than 68 to 70%.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 이하의 (2-1) ∼ (2-6) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개를 만족하는 수지 기재 ： According to another aspect of the present invention, there is provided a resin substrate which satisfies one, two or three or four or five or six of the following (2-1) to (2-6)

(2-1) 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다, (2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,

(2-2) 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 초과 ∼ 1.0 ㎛ 이다, (2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,

(2-3) 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 이다, (2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,

(2-4) 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 이다, (2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,

(2-5) 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 초과 ∼ 0.55 ㎛ 이다, (2-5) The average of 10 points from the larger side of the black part of the surface is more than 0.335 to 0.55 탆,

(2-6) 표면의 흰색부 비율이 68 초과 ∼ 70 ％ 이다.(2-6) The white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 기재를 사용하여 제조한 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate produced using the substrate of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 수지 기재를 사용하여 제조한 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate produced by using the resin base material of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박, 또는, 본 발명의 수지 기재를 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a surface-treated copper foil of the present invention, or a copper foil with a carrier according to any one of the present invention, or a printed wiring board produced by using the resin base of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 기재를 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.In another aspect, the present invention is a printed wiring board manufactured using the substrate of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 사용한 전자 기기이다.In another aspect, the present invention is an electronic apparatus using the printed wiring board of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박과 수지 기재를 준비하거나, 또는, 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 캐리어가 부착된 동박과, 수지 기재를 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a surface-treated copper foil and a resin base material, or a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer laminated in this order,

상기 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 수지 기재에 적층하는 공정, A step of laminating the surface-treated copper foil or the copper foil having the carrier on the resin base material from the surface treatment layer side or the ultra-thin copper layer side,

상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는, 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗기는 공정, When the foil laminated on the resin substrate is a copper foil with a carrier adhered thereto, the step of peeling off the carrier from the copper foil on which the carrier is adhered,

상기 수지 기재 상의 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정, A step of removing the surface-treated copper foil or the ultra thin copper layer on the resin substrate to obtain the resin base material of the present invention,

상기 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil or the ultra-thin copper layer is removed

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박 또는 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 본 발명의 수지 기재에 적층하는 공정, 상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 수지 기재에 적층 또는 상기 캐리어를 벗겨 형성된 구리 피복 적층판에 대해, 그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a process for producing a copper foil, comprising the steps of: (1) laminating a copper foil having a surface-treated copper foil or carrier, an intermediate layer and an ultra thin copper foil laminated in this order on a resin substrate of the present invention A step of peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered when the foil laminated on the resin base material is a copper foil having a carrier adhered thereto, and a step of peeling the carrier on the copper- A step of forming a circuit by any one of an additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a process for producing a metal foil,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지 기재를 형성하는 공정, A step of forming a resin base material on the surface of the metal foil so that the circuit is buried,

표면 처리 동박 또는 캐리어, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정, A step of laminating a copper foil with a carrier having a surface-treated copper foil or carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on the resin base material from the side of the surface treatment layer or the ultra-

상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리하는 공정, When the foil laminated on the resin base material is a copper foil with a carrier adhered thereto, the step of peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered,

상기 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및, A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil or the ultra-thin copper layer is removed,

상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정Removing the metal foil to expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin substrate;

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of forming a circuit on an ultra-fine copper layer side surface of a copper foil on which a first carrier is laminated,

상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지 기재를 형성하는 공정, Forming a resin base material on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil to which the first carrier is attached so that the circuit is buried,

캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정, A step of preparing a copper foil having a second carrier laminated by stacking a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, and laminating the copper foil on the resin base material from the ultra-

상기 제 2 캐리어가 부착된 동박을 상기 수지 기재에 적층한 후에, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, A step of removing the carrier of the copper foil on which the second carrier is attached after the copper foil with the second carrier is laminated on the resin base material,

상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗긴 후의 수지 기재 상의 극박 동층을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정, A step of removing the ultra thin copper layer on the resin substrate after peeling off the carrier of the copper foil with the second carrier to obtain the resin base material of the present invention,

상기 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정, A step of forming a circuit on the surface of the resin substrate from which the ultra thin copper layer is removed,

상기 수지 기재 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, A step of peeling the carrier of the copper foil with the first carrier after the circuit is formed on the resin base,

상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정Wherein the first carrier-adhered copper foil is peeled off after the first carrier-adhered copper foil is peeled off, and the ultra-fine copper layer of the copper foil on which the first carrier is adhered is removed, A step of exposing a buried circuit

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a circuit on a surface of a copper foil having a carrier, an intermediate layer,

상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지 기재를 형성하는 공정, Forming a resin base material on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,

표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정,A step of laminating the surface-treated copper foil on the resin base material from the side of the surface treatment layer,

상기 수지 기재 상의 표면 처리 동박을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정, A step of removing the surface-treated copper foil on the resin substrate to obtain the resin substrate of the present invention,

상기 표면 처리 동박을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정,A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil is removed,

상기 수지 기재 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, A step of forming a circuit on the resin substrate and then peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered,

상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정A circuit buried in the resin base material formed on the surface of the ultra thin copper layer of the copper foil on which the carrier is adhered by removing the ultra thin copper layer of the copper foil on which the carrier is adhered is peeled off after the carrier of the copper foil with the carrier is peeled off Exposing process

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 본 발명의 수지 기재를 형성하는 공정, A step of forming the resin base material of the present invention on the surface of the metal foil so that the circuit is buried,

세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지 기재 상에 회로를 형성하는 공정, 및,A step of forming a circuit on the resin substrate by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method,

상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 본 발명의 수지 기재를 형성하는 공정, A step of forming the resin base material of the present invention on the surface of the ultra thin copper layer side of the copper foil on which the first carrier is adhered,

세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지 기재 상에 회로를 형성하는 공정, A step of forming a circuit on the resin substrate by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method and a modified semi-additive method,

본 발명에 의하면, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 동박 제거 후 기재면의 프로파일 형상을 부여할 수 있는 표면 처리 동박을 제공하고, 또는, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 기재를 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a surface-treated copper foil having a desired concavo-convex shape even when subjected to a desmear treatment, and capable of imparting a profile shape of a substrate surface after copper foil removal to realize good adhesion of the electroless copper- Alternatively, it is possible to provide a base material having a desired concavo-convex shape even when subjected to a desmear treatment and realizing good adhesion of the electroless copper plating film.

도 1 은, 수지 기재 표면의 흰색부, 흑색부를 설명하기 위한 모식도를 나타낸다.
도 2 는, 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다.
도 3 은, 실시예 및 비교예의 데이터를 얻기 위한 샘플 제작 플로우를 나타낸다.
도 4 는, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 1 의 화상이다.
도 5 는, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 3 의 화상이다.
도 6 은, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 1 의 화상이다.
도 7 은, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 2 의 화상이다.Fig. 1 is a schematic view for explaining the white portion and the black portion of the resin substrate surface.
Fig. 2 shows a schematic example of a semi-additive method using a copper foil profile.
3 shows a sample production flow for obtaining the data of the examples and the comparative example.
4 is an image of Example 1 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation.
5 is an image of Example 3 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation.
6 is an image of Comparative Example 1 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation.
7 is an image of Comparative Example 2 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation.

〔표면 처리 동박〕[Surface treated copper foil]

본 발명에 관련된 표면 처리 동박에 있어서 사용하는 동박은, 전해 동박 혹은 압연 동박 어느 것이어도 된다. 본 발명에 있어서 사용하는 동박의 두께는 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 2 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상이며, 예를 들어 3000 ㎛ 이하, 1500 ㎛ 이하, 800 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 150 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하이다.The copper foil to be used in the surface-treated copper foil according to the present invention may be an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. The thickness of the copper foil used in the present invention is not particularly limited, but may be, for example, 1 占 퐉 or more, 2 占 퐉 or more, 3 占 퐉 or more, 5 占 퐉 or more, , Not more than 300 mu m, not more than 150 mu m, not more than 100 mu m, not more than 70 mu m, not more than 50 mu m, and not more than 40 mu m.

본 발명에서 사용하는 압연 동박에는 Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V, B, Co 등의 원소를 1 종 이상 함유하는 구리 합금박도 포함된다. 상기 원소의 농도가 높아지면 (예를 들어 합계로 10 질량％ 이상), 도전율이 저하되는 경우가 있다. 압연 동박의 도전율은, 바람직하게는 50 ％ IACS 이상, 보다 바람직하게는 60 ％ IACS 이상, 더욱 바람직하게는 80 ％ IACS 이상이다. 또, 압연 동박에는 터프 피치동 (JIS H3100 C1100) 이나 무산소동 (JIS H3100 C1020) 을 사용하여 제조한 동박도 포함된다. 또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」 을 단독으로 사용한 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.The rolled copper foil to be used in the present invention may contain a copper alloy containing at least one element such as Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V, Is included. When the concentration of the element is high (for example, 10 mass% or more in total), the conductivity may be lowered. The electrical conductivity of the rolled copper foil is preferably 50% IACS or more, more preferably 60% IACS or more, and still more preferably 80% IACS or more. The rolled copper foil also includes copper foil produced using tough pitch copper (JIS H3100 C1100) or oxygen free copper (JIS H3100 C1020). In the present specification, when the term " copper foil " is used alone, copper alloy foil is also included.

또, 본 발명에 사용할 수 있는 전해 동박에 대해서는, 이하의 제조 조건으로 제작할 수 있다.The electrolytic copper foil usable in the present invention can be produced under the following production conditions.

＜전해액 조성＞<Electrolyte Composition>

구리 ： 90 ∼ 110 g/ℓ Copper: 90 ~ 110 g / ℓ

황산 ： 90 ∼ 110 g/ℓ Sulfuric acid: 90 to 110 g / l

염소 ： 50 ∼ 100 ppm Chlorine: 50 to 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm Leveling agent 1 (bis (3-sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm Leveling second (amine compound): 10 to 30 ppm

상기의 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.The amine compound may be an amine compound of the following formula.

(상기 화학식 중, R₁ 및 R₂는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)Wherein R ₁ and R ₂ are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group and an alkyl group.

＜제조 조건＞<Manufacturing Conditions>

전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡ Current density: 70 to 100 A / dm 2

전해액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃Electrolyte temperature: 50 to 60 ° C

전해액 선유속 ： 3 ∼ 5 m/sec Electrolyte fluid flux: 3 ~ 5 m / sec

전해 시간 ： 0.5 ∼ 10 분간Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes

본 발명에 있어서, 동박 상에 형성하는 표면 처리층은, 조화 처리층이어도 된다. 조화 처리는, 통상적으로, 동박의, 수지 기판과 접착하는 면, 즉 표면 처리측의 표면에 적층 후의 동박의 박리 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하여, 탈지 후의 동박의 표면에 매듭상의 전착을 형성하는 처리를 말한다. 조화 처리층은, 1 차 입자층을 형성한 후, 2 차 입자층을 추가로 형성함으로써 구성한다.In the present invention, the surface treatment layer formed on the copper foil may be a roughened treatment layer. The roughening treatment usually forms electrodeposition of the knot on the surface of the copper foil after degreasing with the object of improving the peel strength of the copper foil after lamination on the surface of the copper foil to be bonded to the resin substrate, Treatment. The roughening treatment layer is formed by forming a primary particle layer and then further forming a secondary particle layer.

상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층은, 전기 도금층에 의해 형성한다. 이 2 차 입자의 특징은, 상기 1 차 입자 상에 성장한 1 또는 복수개의 수지상의 입자이다. 또는 상기 1 차 입자 상에 성장한 정상 도금이다. 즉, 본 명세서에 있어서 용어 「2 차 입자층」 을 사용한 경우에는, 피도금 등의 정상 도금층도 포함되는 것으로 한다. 또, 2 차 입자층은 조화 입자에 의해 형성되는 층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 정상 도금층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 조화 입자에 의해 형성되는 층과 정상 도금층을 각각 1 층 이상 갖는 층이어도 된다.The primary particle layer and the secondary particle layer are formed by an electroplating layer. The characteristics of the secondary particles are one or a plurality of dendrite particles grown on the primary particles. Or a normal plating grown on the primary particles. That is, in the present specification, when the term "secondary particle layer" is used, a normal plating layer such as a plating layer is also included. The secondary particle layer may be a layer having one or more layers formed by coarsely grained grains, a layer having one or more normal plating layers, or a layer having one or more normal plating layers .

1 차 입자층은 구리를 함유해도 된다. 또, 2 차 입자층은 니켈 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하고, 또한 구리를 함유해도 된다. 또, 2 차 입자층이 구리, 코발트 및 니켈을 함유해도 되고, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 합금을 함유해도 된다. 1 차 입자층 및 2 차 입자층에 구리가 함유되는 경우, 회로 형성 시에, 1 차 입자층이 에칭에 의해 제거되기 쉬워지기 때문에, 프린트 배선판을 생산할 때의 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또, 2 차 입자층에 코발트 또는 니켈이 함유되는 경우에는, 가열 후의 수지와 동박의 필 강도가 열화되기 어려워진다는 이점이 있다.The primary particle layer may contain copper. The secondary particle layer contains at least one element selected from the group consisting of nickel and cobalt, and may contain copper. Further, the secondary particle layer may contain copper, cobalt and nickel, or may contain an alloy of copper, cobalt and nickel. When copper is contained in the primary particle layer and the secondary particle layer, since the primary particle layer is easily removed by etching at the time of circuit formation, there is an advantage that productivity in producing a printed wiring board is improved. Further, when cobalt or nickel is contained in the secondary particle layer, there is an advantage that the peel strength of the resin after the heating and the copper foil hardly deteriorate.

(1 차 입자를 형성하기 위한 도금 조건)(Plating conditions for forming primary particles)

1 차 입자의 도금 조건의 일례를 들면, 하기와 같다.An example of plating conditions of the primary particles is as follows.

또한, 하기와 같이 전류 밀도, 쿨롬량을 제어함으로써 1 차 입자의 평균 입경을 제어할 수 있다. 제 1 단계에서는 전류 밀도를 종래보다 조금 높게 설정을 하고, 조화 입자에 의한 요철을 어느 정도 형성하고, 입자 형상이 소정의 형상이 되도록 제어하고, 그것에 의해 표면 처리 동박을 첩합한 후에 표면 처리 동박을 제거하여 얻어지는 수지 기재의 표면의 형상을 제어한다. 또, 상기 표면적비를 제어할 수 있다. 또, 1 차 입자를 형성하기 위한 도금욕으로서는 이하와 같은 구리 도금욕 이외에 은 도금욕, 금 도금욕, 니켈 도금욕, 코발트 도금욕, 아연 도금욕, 니켈 아연 합금 도금욕 등을 들 수 있고, 이들의 공지된 도금욕을 사용할 수 있다. 또, 도금액에는 여러 가지의 첨가제 (금속 이온, 무기물, 유기물) 를 첨가해도 된다. 또, 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속을 종래보다 조금 높게 설정을 하고, 조화 입자에 의한 요철이 너무 커지지 않고, 입자 형상이 소정의 형상이 되도록 제어하고, 그것에 의해 표면 처리 동박을 첩합한 후에 표면 처리 동박을 제거하여 얻어지는 수지 기재의 표면의 형상을 제어한다. 또한, 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속은 2.0 m/sec 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.5 m/sec 이상이다. 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속의 상한은 특별히 정할 필요는 없지만, 전형적으로는 5 m/sec 이하, 전형적으로는 4.5 m/sec 이하이다.In addition, the average particle diameter of the primary particles can be controlled by controlling the current density and the amount of Coulomb as described below. In the first step, the current density is set to be slightly higher than the conventional one, the unevenness by the coarsened grains is formed to some extent, the particle shape is controlled to be a predetermined shape, and the surface- And controlling the shape of the surface of the resin base material obtained by removing it. In addition, the surface area ratio can be controlled. As the plating bath for forming the primary particles, a silver plating bath, a gold plating bath, a nickel plating bath, a cobalt plating bath, a zinc plating bath, a nickel zinc alloy plating bath and the like can be mentioned in addition to the following copper plating baths. These known plating baths can be used. Various additives (metal ions, inorganic substances, organic substances) may be added to the plating solution. It is also possible to set the linear fluidity of the plating liquid at the time of primary particle formation to a value slightly higher than that of the prior art and control so that the irregularity due to the coarsened particles does not become too large and the particle shape becomes a predetermined shape, And then the surface treated copper foil is removed to control the shape of the surface of the resin base material. The linear velocity of the plating liquid at the time of forming the primary particles is preferably 2.0 m / sec or more, and more preferably 2.5 m / sec or more. The upper limit of the ferroelectric flux of the plating liquid at the time of forming the primary particles is not particularly limited, but is typically 5 m / sec or less, typically 4.5 m / sec or less.

액 조성 ： 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 황산 50 ∼ 100 g/ℓ Liquid composition: copper 10 to 20 g / l, sulfuric acid 50 to 100 g / l

액 온도 ： 25 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 25 ~ 50 ℃

＜제 1 단계＞<First Step>

전류 밀도 ： 54 ∼ 64 A/d㎡ Current density: 54 to 64 A / dm 2

쿨롬량 ： 30 ∼ 75 As/d㎡ Culm volume: 30 ~ 75 As / d㎡

＜제 2 단계＞<Second Step>

전류 밀도 ： 1 ∼ 20 A/d㎡ Current density: 1 to 20 A / dm 2

쿨롬량 ： 7 ∼ 120 As/d㎡ Culm volume: 7 ~ 120 As / d㎡

(피도금 조건)(Plating conditions)

도금액에는 여러 가지의 첨가제 (금속 이온, 무기물, 유기물) 를 첨가해도 된다.Various additives (metal ions, inorganic substances, organic substances) may be added to the plating solution.

액 온도 ： 25 ∼ 35 ℃ Liquid temperature: 25 ~ 35 ℃

전류 밀도 ： 15 ∼ 20 A/d㎡ Current density: 15 to 20 A / dm 2

쿨롬량 ： 30 ∼ 60 As/d㎡ Culm volume: 30 ~ 60 As / d㎡

또한, 본 명세서에 기재된 전해, 에칭, 표면 처리 또는 도금 등에 사용되는 처리액 (에칭액, 전해액) 의 잔부는 특별히 명기하지 않는 한 물이다.In addition, the balance of the treatment liquid (etching liquid, electrolytic solution) used in electrolytic, etching, surface treatment or plating described in this specification is water unless otherwise specified.

(2 차 입자를 형성하기 위한 도금 조건)(Plating conditions for forming secondary particles)

2 차 입자의 도금 조건의 일례를 들면, 하기와 같다.An example of plating conditions for the secondary particles is as follows.

또한, 하기와 같이 전류 밀도, 쿨롬량을 제어함으로써 2 차 입자의 평균 입경을 제어할 수 있다. 또, 상기 표면적비를 제어할 수 있다. 또, 2 차 입자를 형성하기 위한 도금욕으로서는 이하와 같은 구리와 그 밖의 원소의 합금 도금욕 이외에, 은과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 금과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 니켈과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 코발트와 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 아연과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 니켈 아연 합금 도금욕 등을 들 수 있고, 이들의 공지된 도금욕을 사용할 수 있다.In addition, the average particle diameter of the secondary particles can be controlled by controlling the current density and the amount of Coulomb as described below. In addition, the surface area ratio can be controlled. As the plating bath for forming the secondary particles, in addition to the following alloy plating bath of copper and other elements, an alloy plating bath of silver and other elements, an alloy plating bath of gold and other elements, a nickel plating bath of nickel and other An alloy plating bath of an element, an alloy plating bath of cobalt and other elements, an alloy plating bath of zinc and other elements, a nickel zinc alloy plating bath, and the known plating baths of these can be used.

액 조성 ： 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 니켈 5 ∼ 15 g/ℓ 또는/및 코발트 5 ∼ 15 g/ℓ, 인을 함유하는 경우에는, 인 0.5 ∼ 5 g/ℓ, 텅스텐을 함유하는 경우에는 텅스텐 0.001 ∼ 5 g/ℓ, 몰리브덴을 함유하는 경우에는 몰리브덴 0.05 ∼ 10 g/ℓLiquid composition: copper containing 10 to 20 g / l of copper, 5 to 15 g / l of nickel and / or 5 to 15 g / l of cobalt, 0.5 to 5 g / l of phosphorus when phosphorus is contained, 0.001 to 5 g / l of tungsten, 0.05 to 10 g / l of molybdenum when containing molybdenum

pH ： 2 ∼ 3pH: 2-3

액 온도 ： 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃

전류 밀도 ： 20 ∼ 60 A/d㎡ Current density: 20 to 60 A / dm 2

쿨롬량 ： 10 ∼ 35 As/d㎡ Culm volume: 10 ~ 35 As / d㎡

상기 2 차 입자로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금은, 전해 도금에 의해, 부착량이 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈의 3 원계 합금층을 형성할 수 있다.The copper-cobalt-nickel alloy plating as the secondary particles may be formed by electrolytic plating in an amount of 10 to 30 mg / dm 2 of copper-100 to 3000 μg / dm 2 of cobalt-50 to 500 μg / An alloy layer can be formed.

Co 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성이 나빠지고, 또 에칭성도 나빠진다. Co 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안 되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기고, 또, 내산성 및 내약품성의 악화가 고려될 수 있다.When the Co deposition amount is less than 100 占 퐂 / dm2, the heat resistance is deteriorated and the etching property is also deteriorated. When the Co deposition amount exceeds 3,000 占 퐂 / dm2, it is not preferable when the effect of magnetism must be taken into consideration. Etching unevenness occurs and deterioration of acid resistance and chemical resistance can be considered.

Ni 부착량이 50 ㎍/d㎡ 미만이면, 내열성이 나빠진다. 한편, Ni 부착량이 500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭성이 저하된다. 즉, 에칭 잔류물이 생기고, 또 에칭할 수 없다는 레벨은 아니지만, 파인 패턴화가 어려워진다. 바람직한 Co 부착량은 500 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 이며, 그리고 바람직한 니켈 부착량은 50 ∼ 300 ㎍/d㎡ 이다.When the Ni adhesion amount is less than 50 占 퐂 / dm2, the heat resistance is deteriorated. On the other hand, if the Ni deposition amount exceeds 500 / / dm 2, the etching property is lowered. That is, etching residues are generated, and the etching is not at a level that can not be performed, but fine patterning becomes difficult. The preferable Co deposition amount is 500 to 2000 占 퐂 / dm2, and the preferable nickel deposition amount is 50 to 300 占 퐂 / dm2.

이상으로부터, 구리-코발트-니켈 합금 도금의 부착량은, 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍ /d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈인 것이 바람직하다고 할 수 있다. 이 3 원계 합금층의 각 부착량은 어디까지나, 바람직한 조건이며, 이 양을 초과하는 범위를 부정하는 것은 아니다.From the above, it can be said that the adhesion amount of the copper-cobalt-nickel alloy plating is preferably 10 to 30 mg / dm 2 copper-100 to 3000 μg / dm 2 cobalt-50 to 500 μg / dm 2 nickel. The deposition amount of the ternary alloy layer is a preferable condition, and the range exceeding this amount is not denied.

여기서, 에칭 얼룩이란, 염화구리로 에칭했을 경우, Co 가 용해되지 않고 남아 버리는 것을 의미하고, 그리고 에칭 잔류물이란 염화암모늄으로 알칼리 에칭했을 경우, Ni 가 용해되지 않고 남아 버리는 것을 의미하는 것이다.Here, the term "etching unevenness" means that when Co is etched with copper chloride, Co remains unmelted and the etching residue means that Ni remains unmelted when subjected to alkali etching with ammonium chloride.

일반적으로, 회로를 형성하는 경우에는, 하기의 실시예 중에서 설명하는 알칼리성 에칭액 및 염화구리계 에칭액을 사용하여 실시된다. 이 에칭액 및 에칭 조건은, 범용성이 있는 것이지만, 이 조건으로 한정되는 일은 없고, 임의로 선택할 수 있다는 것은 이해될 것이다.In general, when a circuit is formed, an alkaline etching solution and a copper chloride etching solution described in the following embodiments are used. It is to be understood that this etching solution and etching conditions are versatile, but are not limited to these conditions and can be selected arbitrarily.

또, 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다.Further, at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughened treatment layer.

또, 본 발명에 있어서 동박 상에 형성하는 표면 처리층은, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층이어도 된다.In the present invention, the surface treatment layer formed on the copper foil may be at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer.

내열층, 방청층으로서는 공지된 내열층, 방청층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 전술한 원소의 산화물, 질화물, 규화물을 함유해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 함유하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt％ ∼ 99 wt％, 아연을 50 wt％ ∼ 1 wt％ 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 mg/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 mg/㎡, 바람직하게는 20 ∼ 100 mg/㎡ 여도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (= 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 mg/㎡ ∼ 500 mg/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 함유하는 층인 경우, 스루홀이나 비아홀 등의 내벽부가 디스미어액과 접촉했을 때에 동박과 수지 기판의 계면이 디스미어액에 침식되기 어려워, 동박과 수지 기판의 밀착성이 향상된다.As the heat-resistant layer and the rust-preventive layer, known heat-resistant layers and rust-preventive layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may be formed of a material selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, Or a layer containing at least one element selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, May be a metal layer or an alloy layer composed of at least one kind of element selected from the group consisting of The heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may contain oxides, nitrides and silicides of the above-mentioned elements. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% of nickel and 50 wt% to 1 wt% of zinc, other than inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2, preferably 10 to 500 mg / m 2, and preferably 20 to 100 mg / m 2. It is preferable that the ratio of the adhesion amount of nickel to the adhesion amount of nickel (= adhesion amount of nickel / adhesion amount of zinc) of the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is 1.5 to 10. The adhesion amount of the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is preferably from 0.5 mg / m 2 to 500 mg / m 2, more preferably from 1 mg / m 2 to 50 mg / m 2 Do. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the interface between the copper foil and the resin substrate is less likely to be eroded by the desmear liquid when the inner wall portion of the through hole, The adhesion of the resin substrate is improved.

예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 100 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 80 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 40 mg/㎡ 의 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴 합금, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트 합금, 니켈-주석 합금 중 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면 표면 처리 동박이나 캐리어가 부착된 동박을 프린트 배선판에 가공하여 이후의 회로의 박리 강도, 당해 박리 강도의 내약품성 열화율 등이 양호하게 된다.For example, the heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be formed of a nickel or nickel alloy layer having an adhesion amount of 1 mg / m2 to 100 mg / m2, preferably 5 mg / m2 to 50 mg / m2, To about 80 mg / m 2, preferably about 5 mg / m 2 to about 40 mg / m 2. The nickel alloy layer may be a nickel-molybdenum alloy, a nickel-zinc alloy, a nickel-molybdenum-cobalt alloy, And a nickel-tin alloy. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is used, the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier attached thereto is processed on the printed wiring board to improve the peel strength of the subsequent circuit and the deterioration resistance of the chemical resistance of the peel strength.

여기서 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 2 크롬산, 크롬산염 또는 2 크롬산염을 함유하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소 (금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 된다) 를 함유해도 된다. 크로메이트 처리층의 구체예로서는, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층이나, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 및 아연을 함유하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다.Here, the chromate treatment layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromate, chromate or dichromate. The chromate treatment layer contains an element (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide or the like) such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium You can. Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with an aqueous solution of chromic anhydride or potassium dichromate, and a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride, potassium dichromate and zinc, and the like.

상기 실란 커플링 처리층은, 공지된 실란 커플링제를 사용하여 형성해도 되고, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란, 비닐계 실란, 이미다졸계 실란, 트리아진계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 사용하여 형성한 것인 것이 바람직하다.The silane coupling treatment layer may be formed using a known silane coupling agent, or may be formed using an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, a mercapto silane, a vinyl silane, an imidazole silane, A silane coupling agent such as silane, or the like. These silane coupling agents may be used in combination of two or more. Among them, it is preferable to use an amino-based silane coupling agent or an epoxy-based silane coupling agent.

실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로, 0.05 mg/㎡ ∼ 200 mg/㎡, 바람직하게는 0.15 mg/㎡ ∼ 20 mg/㎡, 바람직하게는 0.3 mg/㎡ ∼ 2.0 mg/㎡ 의 범위로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위의 경우, 기재와 표면 처리 동박의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The silane coupling treatment layer is used in a range of 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2, preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2, preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg / . In the case of the above-mentioned range, the adhesion between the substrate and the surface-treated copper foil can be further improved.

또, 극박 동층, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 또는 크로메이트 처리층의 표면에, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다.Further, the surface of the ultra thin copper foil, the roughened surface treatment layer, the heat resistant layer, the anticorrosive layer, the silane coupling treatment layer or the chromate treated layer may be coated with The surface treatment described in Published Publications Nos. WO2006 / 028207, No. 4828427, International Publication Nos. WO2006 / 134868, No. 5046927, International Publication Nos. WO2007 / 105635, No. 5180815 and JP-A No. 2013-19056 .

〔흰색부 평균, 흑색부 평균〕[White part average, black part average]

본 발명의 표면 처리 동박은, 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 된다.The surface-treated copper foil of the present invention is characterized in that, on one side, the surface-treated copper foil is bonded to the resin substrate from the side of the surface treatment layer, the surface-treated copper foil is removed and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, , The white part average of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side becomes 0.14 to 0.70 mu m. In another aspect of the surface treated copper foil of the present invention, the surface treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, , And when the neutralization treatment is carried out, the black part average of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side is 0.13 to 0.256 mu m.

본 발명에 있어서, 노출된 수지 기재 표면에 실시하는 「팽윤 처리」, 「디스미어 처리」 및 「중화 처리」 는, 각각 이하의 처리를 나타낸다.In the present invention, the " swelling treatment ", " dismear treatment ", and " neutralization treatment " performed on the exposed resin substrate surface respectively show the following treatments.

·팽윤 처리 ： 팽윤 처리액 (액 조성 ： 에틸렌글리콜 농도 500 g/ℓ, 잔부수) 에 72 ℃ 에서 10 분간 침지한다. 팽윤 처리에 의해 용제 분자가 수지의 화학 구조의 사이에 들어감으로써 수지를 구성하는 고분자의 결합을 약하게 하고, 다음의 디스미어 처리에 의한 수지의 분해 또는 결합의 절단을 촉진한다.Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes. By the swelling treatment, the solvent molecules enter between the chemical structures of the resin to weaken the bonding of the polymer constituting the resin, and to accelerate the decomposition of the resin or the disconnection of the bond by the following desmear treatment.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다. 당해 디스미어 처리에 의해, 수지 기재 표면의 스미어를 제거할 수 있다.Dismear treatment: Dipping is carried out at 80 ° C for 25 minutes in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration: 4.1% by mass, sodium hydroxide concentration: 3.3% by mass, the balance). The smear on the resin substrate surface can be removed by the desmear treatment.

·중화 처리 ： 중화 처리액 (액 조성 ： 황산하이드록실아민 농도 1.5 질량％, 황산 농도 4.9 질량％, 잔부수) 에 30 ℃ 에서 5 분간 침지한다. 당해 중화 처리에 의해, 디스미어 처리에 의해 알칼리성이 된 수지 기재 표면을 중화할 수 있다.- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes. By this neutralization treatment, the surface of the resin base material which has become alkaline can be neutralized by the desmear treatment.

여기서, 도 1 에, 수지 기재 표면의 당해 흰색부, 후술하는 흑색부를 설명하기 위한 모식도를 나타낸다. 도 1 은, 수지 기재 표면의 SEM 이미지 (30 k 배) 를 얻고, 당해 SEM 이미지에 대해, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여, 백색·흑색 화상 처리를 실시하여 얻어진 도면이다. 또한, 흑색부 (흑색 영역) 는 측정 표면이 오목형, 흰색부 (백색 영역) 는 측정 표면이 볼록형이 되어 있는 것을 나타낸다. 다음으로, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 종횡으로, 각각 3 등분하는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 긋고, 각 선이 상기 서술한 흰색부 (백색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흰색부의 길이의 합계를 구한다. 이 때, 흰색부 (백색 영역) 는, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눈다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야에 대해 실시하고, 그 평균 ((흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흰색부 평균 (㎛) 으로 한다. 또, 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 긋고, 각 선이 상기 서술한 흑색부 (흑색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흑색부의 길이의 합계를 구한다. 이 때, 흑색부는, 흰색부로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눈다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야에 대해 실시하고, 그 평균 ((흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흑색부 평균 (㎛) 으로 한다.Here, FIG. 1 is a schematic view for explaining the white part of the resin substrate surface and the black part to be described later. 1 is a drawing obtained by obtaining an SEM image (30 k times) of the surface of a resin substrate and subjecting the SEM image to white and black image processing using Photo Shop 7.0 software. The black portion (black region) indicates that the measurement surface is concave, and the white portion (white region) indicates that the measurement surface is convex. Next, as shown in Fig. 1, four lines (A to D lines) dividing into three equal parts are drawn vertically and horizontally, and the sum of the lengths of the respective lines passing through the white part (white area) described above is measured, The sum of the lengths of the white portions of the lines A to D is obtained. At this time, the white portion (white region) is composed of a plurality of line segments that are divided into black portions (black regions). Next, the sum of the lengths of the white portions is divided by the number of the white portion segments. This is performed for the three fields of view of the surface of the resin substrate to be measured and the average ((sum of the three fields of the values obtained by dividing the sum of the lengths of the white portions by the number of the white portions) / 3) Mu m). Four lines (A to D lines) are drawn, and the sum of the lengths of the respective lines passing through the black portion (black region) is measured, and the sum of the lengths of the black portions of the A to D lines is obtained. At this time, the black portion is composed of a plurality of line segments which are divided into white portions. Next, the sum of the lengths of the black portions is divided by the number of black portion segments. This is performed with respect to the three fields of view of the surface of the resin substrate to be measured, and the average ((the sum of the three fields of view obtained by dividing the sum of the lengths of the black portions by the number of the black portions) / 3) Mu m).

상기 흰색부 평균이 0.14 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 평균이 0.70 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 평균은, 바람직하게는 0.16 ∼ 0.65 ㎛, 보다 바람직하게는 0.165 ∼ 0.60 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.167 ∼ 0.50 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.169 ∼ 0.40 ㎛, 0.170 ∼ 0.38 ㎛ 이다.If the white part average is less than 0.14 mu m, the anchor effect on the surface of the substrate after the desmear treatment becomes weak and the adhesion with the film becomes poor. On the other hand, if the white part average is more than 0.70 탆, the unevenness of the substrate surface becomes too large, and the adhesion with the coating film becomes poor. The white portion average is preferably 0.16 to 0.65 占 퐉, more preferably 0.165 to 0.60 占 퐉, still more preferably 0.167 to 0.50 占 퐉, still more preferably 0.169 to 0.40 占 퐉, and 0.170 to 0.38 占 퐉.

상기 흑색부 평균이 0.13 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부 평균이 0.256 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부 평균은, 바람직하게는 0.14 ∼ 0.24 ㎛, 보다 바람직하게는 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 이다.If the black part average is less than 0.13 탆, the plating liquid for forming a coating film on the surface of the base material may become difficult to penetrate, resulting in poor adhesion with the coating film. On the other hand, if the black part average is more than 0.256 占 퐉, the anchor effect becomes weak and the adhesion with the film becomes poor. The black part average is preferably 0.14 to 0.24 mu m, more preferably 0.15 to 0.23 mu m.

〔흰색부 최대, 흑색부 최대〕[White part maximum, black part maximum]

본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 된다. 여기서, 흰색부 최대란, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 최대 길이 (인접하는 흑색부와 흑색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 나타낸다. 또, 흑색부 최대란, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 최대 길이 (인접하는 흰색부와 흰색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 나타낸다.The surface-treated copper foil of the present invention is characterized in that, in another aspect, the surface-treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, The maximum white portion of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side becomes 0.40 to 0.81 mu m. In another aspect of the surface treated copper foil of the present invention, the surface treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, , And when the neutralization treatment is carried out, the maximum black portion of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side is 0.42 to 1.07 mu m. Here, the white part maximum refers to the maximum length of the whiteness constituted by a plurality of line segments divided into the black part (black area) by integrating the four lines (A to D lines) shown in Fig. 1 in each observation field (The maximum distance among the distances between the adjacent black portions and the black portions) is measured, and the maximum lengths of the white portions constituted by the plurality of line segments divided into the black portions (black regions) Divided by 3 (arithmetic average value). Note that the black part maximum refers to the maximum length of the black part constituted by a plurality of line segments divided into white parts (white areas) by integrating the four lines (A to D lines) shown in Fig. 1 in each observation field A maximum value among the distances between adjacent white portions and white portions) is measured, and the maximum length of each of the black portions constituted by a plurality of line segments divided into white portions (white regions) Divided by 3 (arithmetic average value).

상기 흰색부 최대가 0.40 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 최대가 0.81 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 최대는, 바람직하게는 0.45 ∼ 0.75 ㎛, 보다 바람직하게는 0.50 ∼ 0.70 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.55 ∼ 0.68 ㎛ 이다.If the maximum white part is less than 0.40 mu m, the anchor effect on the surface of the substrate after the desmear treatment becomes weak, and the adhesion with the film becomes poor. On the other hand, if the maximum of the white part is more than 0.81 탆, the unevenness of the surface of the substrate becomes too large, and the adhesion with the film becomes poor. The white portion maximum is preferably 0.45 to 0.75 占 퐉, more preferably 0.50 to 0.70 占 퐉, and even more preferably 0.55 to 0.68 占 퐉.

상기 흑색부 최대가 0.42 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부 최대가 1.07 ㎛ 초과이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부 최대는, 바람직하게는 0.5 ∼ 1.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.60 ∼ 0.95 ㎛ 이다.If the black part maximum is less than 0.42 mu m, it may be difficult for the plating liquid to form a coating on the surface of the base material, and adhesion with the coating may become poor. On the other hand, if the black part maximum is more than 1.07 m, the anchor effect on the surface of the substrate after the desmear treatment becomes weak and the adhesion with the coating becomes poor. The black portion maximum is preferably 0.5 to 1.0 mu m, more preferably 0.60 to 0.95 mu m.

〔흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균〕[Average of 10 points from the larger side of the white portion, and 10 points from the larger side of the black portion]

본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 된다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흰색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흰색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흰색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 A (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 A 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 이다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흑색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흑색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흑색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 B (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 B 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 이다.The surface-treated copper foil of the present invention is characterized in that, in another aspect, the surface-treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, When the treatment is carried out, the average of 10 points from the larger white portion of the surface of the resin base material on the copper foil removing side becomes 0.35 to 1.0 占 퐉. In another aspect of the surface treated copper foil of the present invention, the surface treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, , And when the neutralization treatment is performed, the average of the ten points from the larger black portion of the surface of the resin base material on the copper foil removal side becomes 0.31 to 0.55 占 퐉. Here, the average of 10 points from the larger side of the white portion means that the white portion maximum is the longest distance in each observation field, and then the white portion of the long distance and then the white portion of the long distance again, (Arithmetic average value) obtained by dividing the value obtained by summing up to the 10th line is divided by 10, and a value (arithmetic average value) obtained by dividing the value A obtained in the third field by 3 is obtained. The average of 10 points from the larger side of the black part means that the maximum black part is the longest distance in each observation field and then the black part with a longer distance and then the black part with a longer distance, (Arithmetic mean value) obtained by dividing the value obtained by summing up to the tenth through tenth by 10, and dividing the value B obtained by the third view by 3 (arithmetic average value).

상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리된 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 1.0 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.36 ∼ 0.9 ㎛, 보다 바람직하게는 0.362 ∼ 0.8 ㎛ 이다.If the average of the ten points from the larger side of the white portion is less than 0.35 탆, the anchor effect on the surface of the desmear treated base material becomes weak and the adhesion with the coating film becomes poor. On the other hand, if the average of the ten points from the larger side of the white part is larger than 1.0 占 퐉, the unevenness of the surface of the base becomes too large and the adhesion with the film becomes poor. The average of 10 points from the larger side of the white portion is preferably 0.36 to 0.9 占 퐉, and more preferably 0.362 to 0.8 占 퐉.

상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.55 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 이며, 보다 바람직하게는 0.33 ∼ 0.52 ㎛ 이다.If the average of the ten points from the larger side of the black portion is less than 0.31 mu m, it may become difficult to allow the plating liquid to form a coating on the surface of the base material, and the adhesion with the coating may become poor. On the other hand, if the average of the ten points from the larger side of the black portion is larger than 0.55 占 퐉, the anchor effect becomes weak and the adhesion with the film becomes poor. The average of the ten points from the larger side of the black portion is preferably 0.32 to 0.53 占 퐉, and more preferably 0.33 to 0.52 占 퐉.

〔흰색부 비율〕[White portion ratio]

본 발명의 표면 처리 동박은, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 되는 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부 비율이란, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이 합계의 비율을 나타낸다. 흰색부 비율이 45.5 ％ 미만이면, 디스미어 처리된 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 비율이 70 ％ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 작아져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 비율은, 바람직하게는 46 ∼ 65 ％, 보다 바람직하게는 46.5 ∼ 60 ％ 이다.The surface-treated copper foil of the present invention is characterized in that when the surface-treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the surface of the exposed resin substrate is subjected to swelling treatment, It is preferable that the white portion ratio of the surface of the resin substrate on the copper foil removing side is 45.5 to 70%. Here, the white minor ratio represents the ratio of the sum of the white portion length to the total of the sum of the white portion length and the black portion length. If the white part ratio is less than 45.5%, the anchor effect is weakened on the surface of the desmear treated substrate, resulting in poor adhesion to the film. On the other hand, if the white part ratio exceeds 70%, the unevenness of the surface of the substrate becomes too small, and the adhesion with the film becomes poor. The white portion ratio is preferably 46 to 65%, more preferably 46.5 to 60%.

본 발명의 표면 처리 동박은, 당해 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면에 있어서 이하의 (1-1) ∼ (1-13) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개 또는 7 개 또는 8 개 또는 9 개 또는 10 개 또는 11 개 또는 12 개 또는 13 개를 만족해도 된다 ： The surface-treated copper foil of the present invention is obtained by bonding the surface-treated copper foil to the resin substrate from the surface treatment layer side, removing the surface-treated copper foil, and performing swelling treatment, desmear treatment and neutralization treatment on the exposed surface of the resin substrate One or two or three or four or five or six or seven or eight or more of the following (1-1) to (1-13) on the copper foil removal side surface of the resin substrate, Nine or ten or eleven or twelve or thirteen:

(1-1) 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 된다,(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,

(1-2) 흰색부 평균이 0.16 ∼ 0.65 ㎛ 가 된다,(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,

(1-3) 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 된다,(1-3) the maximum of the white portion is 0.40 to 0.81 占 퐉,

(1-4) 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다, (1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,

(1-5) 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.36 ∼ 0.9 ㎛ 가 된다, (1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,

(1-6) 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 된다,(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,

(1-7) 흑색부 평균이 0.14 ∼ 0.24 ㎛ 가 된다,(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,

(1-8) 흑색부 평균이 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 가 된다,(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,

(1-9) 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 된다,(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,

(1-10) 흑색부 최대가 0.5 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다,(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,

(1-11) 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 된다,(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,

(1-12) 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 가 된다,(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉,

(1-13) 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 된다.(1-13) The whiteness ratio is 45.5 to 70%.

조화 입자 형성 시 등의 도금 등의 표면 처리 시에 표면 처리의 전류 밀도와 표면 처리 (도금) 시간을 제어함으로써, 표면 처리 후의 동박의 표면 상태나 조화 입자의 형태나 형성 밀도가 정해지고, 그러한 동박을 사용함으로써 상기 기재의 흰색부, 흑색부를 제어할 수 있다.By controlling the current density and surface treatment (plating) time of the surface treatment at the time of surface treatment such as plating at the time of forming coarse particles, the surface state of the copper foil after surface treatment, the shape and the form density of the coarsened particles are determined, The white portion and the black portion of the substrate can be controlled.

〔캐리어가 부착된 동박〕[Copper with carrier attached]

본 발명에 관련된 표면 처리 동박으로서는, 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 된다. 캐리어가 부착된 동박은, 캐리어와 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한다. 또, 캐리어가 부착된 동박은 캐리어, 중간층 및 극박 동층을 이 순서로 구비해도 된다. 캐리어가 부착된 동박은 캐리어측의 표면 및 극박 동층측의 표면의 어느 일방 또는 양방에 조화 처리층 등의 표면 처리층을 가져도 된다. 또한, 캐리어가 부착된 동박은 극박 동층의 중간층측과는 반대측의 면에 표면 처리층을 가져도 된다. As the surface-treated copper foil according to the present invention, a copper foil with a carrier may be used. The copper foil with a carrier has an intermediate layer laminated on the carrier and the carrier, and an ultra-thin copper layer laminated on the intermediate layer. The copper foil with the carrier may be provided with a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order. The copper foil with the carrier may have a surface treatment layer such as a roughened treatment layer on one or both of the surface of the carrier side and the surface of the ultra-thin copper layer. The copper foil with the carrier may have a surface treatment layer on the side opposite to the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer.

캐리어가 부착된 동박의 캐리어측의 표면에 조화 처리층을 형성한 경우, 캐리어가 부착된 동박을 당해 캐리어측의 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판 등의 지지체가 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.When the roughening treatment layer is formed on the carrier-side surface of the copper foil having the carrier, a support such as a carrier and a resin substrate is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side of the carrier on the carrier side It has an advantage that it becomes difficult to peel off.

＜캐리어＞<Carrier>

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이며, 예를 들어 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.The carrier that can be used in the present invention is typically a metal foil or a resin film, and examples thereof include a copper foil, a copper alloy foil, a nickel foil, a nickel alloy foil, a foil, an iron alloy foil, a stainless steel foil, an aluminum foil, Is provided in the form of a resin film (for example, a polyimide film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyamide film, a polyester film, a fluororesin film or the like).

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로서는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 동박은 전기 전도도가 높기 때문에, 그 후의 중간층, 극박 동층의 형성이 용이해지기 때문이다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로서는 터프 피치동이나 무산소동과 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.As the carrier usable in the present invention, it is preferable to use a copper foil. This is because the copper foil has a high electrical conductivity, which facilitates formation of the intermediate layer and the ultra thin copper layer thereafter. The carrier is typically provided in the form of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Generally, the electrolytic copper foil is produced by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is manufactured by repeating plastic working and heat treatment by a rolling roll. Examples of the material of the copper foil include copper of high purity such as tough pitch copper and oxygen free copper, copper such as Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy containing Cr, Zr or Mg, Copper alloys such as alloys may also be used.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 다하는데 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 12 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 너무 두꺼우면 생산 코스트가 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.The thickness of the carrier which can be used in the present invention is not particularly limited, but it may be suitably adjusted to a suitable thickness for fulfilling its role as a carrier, for example, 12 mu m or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, and therefore, it is generally preferable to be 35 mu m or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 12 to 70 占 퐉, and more typically 18 to 35 占 퐉.

또한, 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 사용하여 형성해도 되고, 상기 서술한 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.Further, the roughened treatment layer may be formed on the surface opposite to the surface of the carrier forming the ultra thin copper layer. The roughening treatment layer may be formed using a known method or may be formed by the roughening treatment described above. The roughening treatment layer is formed on the surface of the carrier opposite to the surface on which the ultra thin copper layer is formed because when the carrier is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side having the roughened treatment layer, It has an advantage that it becomes difficult to peel off.

＜중간층＞<Middle layer>

캐리어 상에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어가 부착된 동박이 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리되기 어려운 한편, 절연 기판에 대한 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리 가능해지는 구성이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.An intermediate layer is formed on the carrier. Another layer may be formed between the carrier and the intermediate layer. The intermediate layer used in the present invention is not particularly limited as long as the ultra thin copper foil from the carrier is difficult to peel off from the carrier before the step of laminating the copper foil with the carrier to the insulating substrate and the ultra thin copper foil can be peeled off from the carrier after the laminating step to the insulating substrate It is not limited. For example, the intermediate layer of the copper foil with the carrier of the present invention may contain at least one selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, Or one or more species selected from the group consisting of The intermediate layer may be a plurality of layers.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속 층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 혹은 유기물층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물 또는 유기물로 이루어지는 층을 형성함으로써 구성할 수 있다.For example, the intermediate layer may be a single metal layer made of one element selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, An alloy layer or an organic layer made of at least one element selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al and Zn, Or a hydrate of an element or an oxide or an organic substance of at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al and Zn.

또, 예를 들어, 중간층은, 캐리어 상에, 니켈, 니켈-인 합금 또는 니켈-코발트 합금과 크롬이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 동층을 박리할 때에, 극박 동층과 크롬의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 동층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 중간층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이며, 중간층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다. 중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 캐리어의 양측에 중간층을 형성해도 된다.Further, for example, the intermediate layer can be formed by stacking nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesive force between chrome and copper, when the ultra thin copper layer is peeled off, it is peeled from the interface between the ultra thin copper layer and chromium. In addition, a barrier effect for preventing the copper component from diffusing from the carrier into the ultra-thin copper layer is expected for nickel in the intermediate layer. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 μg / dm 2 to 40000 μg / dm 2, more preferably 100 μg / dm 2 to 4000 μg / dm 2, and still more preferably 100 μg / Dm 2 or more, more preferably 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2, and the adhesion amount of chromium in the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. When the intermediate layer is formed only on one side, it is preferable to form a rust prevention layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. Further, an intermediate layer may be formed on both sides of the carrier.

＜극박 동층＞<Ultra-thin layer>

중간층 상에는 극박 동층을 형성한다. 중간층과 극박 동층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 당해 극박 동층은, 본 발명의 표면 처리 동박이며, 극박 동층의 중간층과는 반대측 표면에 상기 표면 처리층을 형성한다. 극박 동층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.1 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이다. 또, 중간층 상에 극박 동층을 형성하기 전에, 극박 동층의 핀홀을 저감시키기 위해서 구리-인 합금에 의한 스트라이크 도금을 실시해도 된다. 스트라이크 도금에는 피롤린산구리 도금액 등을 들 수 있다. 캐리어의 양측에 극박 동층을 형성해도 된다.And an extremely thin copper layer is formed on the intermediate layer. Another layer may be formed between the intermediate layer and the ultra thin copper layer. The ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil of the present invention, and the surface treatment layer is formed on the surface opposite to the intermediate layer of the ultra-thin copper layer. Thickness of the ultra thin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 占 퐉 or less. Typically from 0.1 to 12 占 퐉, more typically from 0.5 to 12 占 퐉, and more typically from 1.5 to 5 占 퐉. Before the formation of the ultra-thin copper layer on the intermediate layer, strike plating by a copper-phosphorus alloy may be performed to reduce pinholes in the ultra-thin copper layer. Strike plating includes copper pyrophosphate plating solution and the like. An ultra thin copper layer may be formed on both sides of the carrier.

〔표면 처리층 상의 수지층〕[Resin layer on the surface treatment layer]

본 발명의 표면 처리 동박의 표면 처리층 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.A resin layer may be provided on the surface treatment layer of the surface-treated copper foil of the present invention. The resin layer may be an insulating resin layer.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.The resin layer may be an adhesive or an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. The semi-cured state (B-stage state) includes a state in which the insulating resin layer can be stacked and stored without being tacky even when the surface is touched with a finger, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 함유해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 함유해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399호, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 특허 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 특허 제3949676호, 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 사용하여 형성해도 된다.The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may contain a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton or the like. In addition, the resin layer may be formed, for example, in International Publication Nos. WO2008 / 004399, WO2008 / 053878, WO2009 / 084533, JP- , Japanese Patent Publication No. 3184485, International Publication Nos. WO97 / 02728, 3676375, 2000-43188, 3612594, 2002-179772, 2002-359444, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2003-304068, 3992225, 2003-249739, 4136509, 2004-82687, 4025177, 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid- -257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5024930, International Publication Nos. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, International Publication Nos. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / A resin, a curing accelerator, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like) described in International Publication Nos. WO2011 / 061715, WO2011 / 068157 and JP-A- And / or a method of forming a resin layer and a forming apparatus.

또, 상기 수지층은, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르술폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르술폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르-시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 액정 폴리머, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 수지 또는 프리프레그를 바람직한 것으로서 들 수 있다.The kind of the resin layer is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymaleimide compound, maleimide resin, aromatic maleic acid resin, (Also referred to as polyether sulfone, polyether sulfone), polyether sulfone (also referred to as polyether sulfone, polyether sulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic polyamide resin But are not limited to, resin polymers, rubber resins, polyamines, aromatic polyamines, polyamideimide resins, rubber modified epoxy resins, phenoxy resins, carboxyl group modified acrylonitrile-butadiene resins, polyphenylene oxides, bismaleimide triazine resins, A cyanate ester resin, a carboxylic acid (4-cyanatophenyl) propane, a phosphorus-containing phenol compound, a manganese naphthenate, a 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, an anhydride, a polyhydric carboxylic acid anhydride, Modified polyamide-imide resin, cyanoester resin, phosphazene-based resin, rubber-modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated poly (vinylidene fluoride) A resin or a prepreg containing at least one member selected from the group consisting of butadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, polymer epoxy, aromatic polyamide, liquid crystal polymer, fluorine resin, bisphenol, block copolymerized polyimide resin and cyanoester resin Can be mentioned as preferable ones.

또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도로 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제 없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 상기 에폭시 수지로서, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (취소화) 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.The above-mentioned epoxy resin can be used without particular problems, as long as it has two or more epoxy groups in the molecule and can be used for electric and electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. Examples of the epoxy resin include epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, (Canceled) epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, rubber modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, Glycidyl amine compounds such as triglycidyl isocyanurate and N, N-diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resins, biphenyl type epoxy Resin, a biphenyl novolak type epoxy resin, a trishydroxyphenyl methane type epoxy resin, a tetraphenyl ethane type epoxy resin, Alone or in combination of two or more selected from the group can be used as a mixture, or chena hydrogenation of the epoxy resin can be used a halogenated material.

상기 인 함유 에폭시 수지로서 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.An epoxy resin containing phosphorus known as phosphorus-containing epoxy resin may be used. The phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule desirable.

(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 함유하는 경우)(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler)

상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 함유해도 된다.The resin layer may contain a dielectric (dielectric filler).

상기 어느 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 함유시키는 경우에는, 캐패시터층을 형성하는 용도로 사용하여, 캐패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO₃, SrTiO₃, Pb(Zr-Ti)O₃(통칭 PZT), PbLaTiO₃·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi₂Ta₂O₉ (통칭 SBT) 등의 페브로스카이트 구조를 가지는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.When a dielectric (dielectric filler) is contained in any resin layer or resin composition, it can be used for forming a capacitor layer to increase the electric capacity of the capacitor circuit. The dielectric material (dielectric filler) includes BaTiO ₃ , SrTiO ₃ , Pb (Zr-Ti) O ₃ (commonly referred to as PZT), PbLaTiO ₃ PbLaZrO (commonly referred to as PLZT), SrBi ₂ Ta ₂ O ₉ (Commonly referred to as " SBT ") is used as the dielectric powder.

전술한 수지층에 함유되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 표면 처리 동박의 표면 처리층측의 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측의 표면에, 혹은 상기 조화 처리층, 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에, 예를 들어 롤코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 이용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해하고, 수지 고형분 3 wt％ ∼ 70 wt％, 바람직하게는, 3 wt％ ∼ 60 wt％, 바람직하게는 10 wt％ ∼ 40 wt％, 보다 바람직하게는 25 wt％ ∼ 40 wt％ 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해하는 것이, 환경적인 견지에서 현단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.The resin and / or the resin composition and / or the compound contained in the resin layer described above may be dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, , Ethanol, propylene glycol monomethyl ether, dimethyl formamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, Amide or the like to form a resin solution (resin varnish), which is then applied to the surface of the surface-treated layer of the surface-treated copper foil or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered, Layer or rustproofing layer or the chromate treatment layer or the silane coupling treatment layer by, for example, a roll coater method, and then, if necessary, drying by heating to remove the solvent, And not to the state. For drying, for example, a hot-air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C. The composition of the resin layer is dissolved by using a solvent and the resin solid content is 3 wt% to 70 wt%, preferably 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, and more preferably, May be 25 wt% to 40 wt% of the resin liquid. Further, it is most preferable to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone from the environmental viewpoint at the present stage. It is preferable to use a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C.

또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 ％ ∼ 35 ％ 의 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.It is preferable that the resin layer is a semi-cured resin film having a resin flow in a range of 5% to 35% when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.

본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 수지 두께를 55 ㎛ 로 한 수지 부착 표면 처리 동박으로부터 가로 세로 10 cm 시료를 4 매 샘플링하고, 이 4 매의 시료를 겹친 상태 (적층체) 로 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 kgf/c㎡, 프레스 시간 10 분의 조건으로 접착하고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 하기 식에 기초하여 산출한 값이다.In the present specification, the resin flow is a method in which four samples of 10 cm length and height are sampled from a resin-coated surface-treated copper foil having a resin thickness of 55 μm in accordance with MIL-P-13949G in the MIL standard, (Laminate) were adhered to each other under conditions of a press temperature of 171 DEG C, a press pressure of 14 kgf / cm < 2 >, and a press time of 10 minutes, and the resin outflow weight at that time was measured based on the following formula Value.

상기 수지층을 구비한 표면 처리 동박 (수지 부착 표면 처리 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 표면 처리 동박에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다. 또, 당해 표면 처리 동박을 극박 동층으로서 사용한 캐리어가 부착된 동박에 대해, 수지층을 구비한 캐리어가 부착된 동박 (수지 부착 캐리어가 부착된 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 캐리어를 박리하여 극박 동층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 동층의 중간층측의 표면이다), 거기에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.The surface-treated copper foil having the resin layer (resin-coated surface-treated copper foil) is formed by superimposing the resin layer on a substrate and then thermally pressing the whole to thermally cure the resin layer, Is formed. Further, a copper foil (a copper foil with a carrier with a resin) on which a carrier having a resin layer is adhered to a copper foil with a carrier using the surface-treated copper foil as an ultra-thin copper layer, Is thermally pressed to thermally cure the resin layer, then the carrier is peeled off to reveal an ultra-thin copper layer (of course, the exposed surface is the surface of the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon do.

이 수지 부착 표면 처리 동박 혹은 수지 부착 캐리어가 부착된 동박을 사용 하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조 시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.The use of the resin-coated surface-treated copper foil or the resin-coated carrier-attached copper foil can reduce the number of prepreg materials used in the production of the multilayer printed wiring board. Furthermore, the thickness of the resin layer can be set to a sufficient thickness to ensure interlayer insulation, or a copper clad laminate can be manufactured without using any prepreg material. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 게다가, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved, and the lamination step is simplified, which is economically advantageous. Further, the thickness of the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is It is possible to produce an ultra-thin multilayer printed circuit board having a thickness of 100 m or less in one layer.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 500 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 300 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 200 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 500 탆, more preferably 0.1 to 300 탆, even more preferably 0.1 to 200 탆, and even more preferably 0.1 to 120 탆.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키는 일 없이 이 수지 부착 표면 처리 동박 또는 수지 부착 캐리어가 부착된 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 500 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해져, 여분의 재료비와 공수가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.When the thickness of the resin layer is thinner than 0.1 占 퐉, the adhesive force is lowered. When the resin-coated surface-treated copper foil or the copper foil with the resin-adhered carrier is laminated on the substrate having the inner layer material without interposing the prepreg material, It may be difficult to ensure interlayer insulation between the circuit and the circuit. On the other hand, if the thickness of the resin layer is made thicker than 500 占 퐉, it is difficult to form the resin layer having the desired thickness in one coating step, resulting in economical disadvantages because extra material cost and air are required.

또, 수지 부착 표면 처리 동박 혹은 수지 부착 캐리어가 부착된 동박이 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 때문에 바람직하다.When the resin-coated surface-treated copper foil or the copper foil with the resin-coated carrier is used for producing an ultra-thin multilayer printed circuit board, the thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 5 μm, more preferably 0.5 to 5 Mu] m, more preferably 1 [mu] m to 5 [mu] m, because the thickness of the multilayered printed circuit board is reduced.

또한, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 경우에는, 수지층과 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박과의 밀착성을 향상시키기 위해, 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 상에 조화 처리층 및/또는 내열층 및/또는 방청층 및/또는 크로메이트 처리층 및/또는 실란 커플링 처리층을 형성한 후에, 당해 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층 상에 수지층을 형성하는 것이 바람직하다.When the thickness of the resin layer is 0.1 to 5 占 퐉, in order to improve the adhesion between the resin layer and the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier, the surface- After the roughening treatment layer and / or the heat resistant layer and / or the rustproofing layer and / or the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer is formed on the roughening treatment layer or the heat resistant layer or the rustproofing layer or the chromate treatment layer or the silane It is preferable to form the resin layer on the coupling treatment layer.

또한, 전술한 수지층의 두께는, 임의의 10 점에 있어서 단면 관찰에 의해 측정한 두께의 평균치를 말한다.The thickness of the resin layer mentioned above refers to an average value of the thickness measured at any 10 points by cross-sectional observation.

또한, 표면 처리 동박이 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층인 경우에 수지 부착 캐리어가 부착된 동박의 또 하나의 제품 형태로서는, 상기 극박 동층 상, 혹은 상기 조화 처리층, 상기 내열층, 상기 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에 수지층으로 피복하고, 반경화 상태로 한 후, 이어서 캐리어를 박리하고, 캐리어가 존재하지 않는 수지 부착 동박의 형태로 제조하는 것도 가능하다.Further, when the surface-treated copper foil is an ultra-thin copper foil having a carrier-adhered copper foil, another product form of the copper foil with the resin-adhered carrier is the ultra-thin copper foil or the above-mentioned roughened treatment layer, , Or the chromate treatment layer or the silane coupling treatment layer is covered with a resin layer, the resin is semi-cured, the carrier is then peeled off, and the resin can be produced in the form of a resin- Do.

〔수지 기재〕[Resin substrate]

본 발명에 관련된 수지 기재는, 후술하는 표면 형태가 형성 가능한 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학사 제조 프리프레그 (GHPL-830MBT 등), 히타치 화성 공업사 제조 프리프레그 (679-FG 등), 스미토모 베이크라이트사 제조 프리프레그 (EI-6785TS-F 등) 로 형성할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 미츠비시 가스 화학사 제조 프리프레그 GHPL-830MBT (비스말레이미드트리아진 수지 함유 프리프레그) 를 준비했다. 적층 프레스의 온도, 압력, 시간은, 기재 메이커의 추천 조건을 사용했다.The resin substrate related to the present invention is not particularly limited as long as it can form a surface form described later. Examples thereof include prepreg (GHPL-830MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company), prepreg (679-FG manufactured by Hitachi Chemical Co., , And a prepreg (e.g., EI-6785TS-F manufactured by Sumitomo Bakelite). In the present invention, a prepreg GHPL-830MBT (bismaleimide triazine resin-containing prepreg) manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company was prepared. The temperature, pressure, and time of the laminated press used the recommended conditions of the substrate manufacturer.

본 발명에 관련된 수지 기재의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 750 ∼ 850 ㎛, 100 ∼ 200 ㎛, 30 ∼ 100 ㎛ 로 할 수 있고, 전형적으로는 30 ∼ 200 ㎛ (양면판의 경우) 이다.The thickness of the resin base material according to the present invention is not particularly limited and may be, for example, 750 to 850 占 퐉, 100 to 200 占 퐉, 30 to 100 占 퐉, and typically 30 to 200 占 퐉 (in the case of a double- to be.

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부 평균이 0.23 ㎛ 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다. 또, 본 발명의 수지 기재는, 표면의 흑색부 평균이 0.20 ㎛ 초과 ∼ 0.256 ㎛ 인 것이 바람직하다.The resin base material of the present invention has an average whiteness of the surface of more than 0.23 占 퐉 to 0.70 占 퐉. In the resin base material of the present invention, it is preferable that the black part average of the surface is more than 0.20 탆 to 0.256 탆.

수지 기재 표면의 당해 흰색부 평균 및 흑색부 평균의 측정 방법은, 상기 서술한 도 1 을 사용하여 설명한 측정 방법과 동일하다.The measurement method of the white portion average and the black portion average on the resin substrate surface is the same as the measurement method described with reference to Fig. 1 described above.

상기 흰색부 평균이 0.23 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부 평균이 0.70 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부 평균은, 바람직하게는 0.231 ∼ 0.70 ㎛, 보다 바람직하게는 0.25 ∼ 0.65 ㎛ 이다.When the white part average is more than 0.23 占 퐉, the anchor effect is enhanced and the adhesion with the film is improved. On the other hand, if the white part average is more than 0.70 탆, the unevenness of the surface of the substrate becomes too large, and the adhesion with the coating film may be poor. The white portion average is preferably 0.231 to 0.70 mu m, and more preferably 0.25 to 0.65 mu m.

상기 흑색부 평균이 0.20 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 보다 침입하기 쉬워져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부 평균이 0.256 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부 평균은, 바람직하게는 0.201 ∼ 0.256 ㎛, 보다 바람직하게는 0.21 ∼ 0.2553 ㎛ 이다.If the black part average is more than 0.20 탆, the plating liquid for forming a coating film on the surface of the base material tends to penetrate more easily, and the adhesion with the coating film is improved. On the other hand, if the black part average is more than 0.256, the anchor effect may be weakened, which may result in poor adhesion with the coating. The black part average is preferably 0.201 to 0.256 mu m, and more preferably 0.21 to 0.2553 mu m.

〔흑색부 최대〕[Black part maximum]

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흑색부 최대가 0.605 ㎛ 초과 ∼ 1.07 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흑색부 최대란, 상기 서술한 도 1 을 사용하여 설명한 측정 방법과 동일하다.In the resin base material of the present invention, it is preferable that the maximum black part of the surface is more than 0.605 μm to 1.07 μm. Here, the black part maximum is the same as the measurement method described with reference to Fig. 1 described above.

상기 흑색부 최대가 0.605 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하기 쉬워져 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부 최대가 1.07 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부 최대는, 바람직하게는 0.6051 ∼ 1.07 ㎛, 보다 바람직하게는 0.61 ∼ 0.96 ㎛ 이다.When the black part maximum is larger than 0.605 mu m, the plating liquid for forming a coating film on the surface of the base material tends to penetrate easily, and adhesion with the coating film is improved. On the other hand, if the black part maximum is more than 1.07 탆, the anchor effect may be weakened, which may result in poor adhesion with the coating film. The black portion maximum is preferably 0.6051 to 1.07 mu m, more preferably 0.61 to 0.96 mu m.

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 ㎛ 초과 ∼ 1.0 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 수지 기재는, 수지 기재 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 ㎛ 초과 ∼ 0.55 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 상기 서술한 측정 방법과 동일하다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 상기 서술한 측정 방법과 동일하다.In the resin base material of the present invention, it is preferable that the average of 10 points from the larger white portion of the surface is more than 0.457 탆 to 1.0 탆. In the resin base material of the present invention, it is preferable that the average of 10 points from the larger side of the black portion on the resin base surface is more than 0.335 탆 to 0.55 탆. Here, the average of 10 points from the larger side of white is the same as the measurement method described above. The average of 10 points from the larger black portion is the same as the measurement method described above.

상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 1.0 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.4571 ∼ 1.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.46 ∼ 0.95 ㎛ 이다.If the average of the ten points from the larger side of the white portion is larger than 0.457 占 퐉, the anchor effect is enhanced and the adhesion with the film is improved. On the other hand, if the average of the ten points from the larger side of the white part is larger than 1.0 占 퐉, the unevenness of the surface of the substrate may become too large, and the adhesion with the coating film may become poor. The average of 10 points from the larger side of the white portion is preferably 0.4571 to 1.0 탆, more preferably 0.46 to 0.95 탆.

상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하기 쉬워져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.55 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.3351 ∼ 0.55 ㎛ 이며, 보다 바람직하게는 0.34 ∼ 0.5456 ㎛ 이다.If the average of the ten points from the larger side of the black part is more than 0.335 mu m, the plating liquid for forming the coating film on the surface of the base material tends to invade, and the adhesion with the coating film is improved. On the other hand, if the average of the ten points from the larger side of the black part is larger than 0.55 占 퐉, the anchor effect may be weakened and the adhesion with the coating film may become poor. The average of 10 points from the larger side of the black portion is preferably 0.3351 to 0.55 mu m, and more preferably 0.34 to 0.5456 mu m.

〔흰색부 비율〕[White portion ratio]

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부 비율이 68 ％ 초과 ∼ 70 ％ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부 비율이란, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이의 합계의 비율을 나타낸다. 흰색부 비율이 68 ％ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부 비율이 70 ％ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 작아져, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부 비율은, 바람직하게는 68.1 ∼ 70 ％, 보다 바람직하게는 68.2 ∼ 70 ％ 이다.In the resin base material of the present invention, it is preferable that the white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%. Here, the white minor ratio indicates the ratio of the sum of the white portion lengths to the total of the sum of the white portion lengths and the black portion length. If the white portion ratio is more than 68%, the anchor effect is enhanced and the adhesion with the film is improved. On the other hand, if the white part ratio exceeds 70%, the unevenness of the surface of the substrate becomes too small, and the adhesion with the coating film may become poor. The white portion ratio is preferably 68.1 to 70%, more preferably 68.2 to 70%.

본 발명의 수지 기재는, 이하의 (2-1) ∼ (2-6) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개를 만족해도 된다 ： The resin substrate of the present invention may satisfy one, two or three or four or five or six of the following (2-1) to (2-6):

(2-1) 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다,(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,

(2-3) 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 이다,(2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,

(2-4) 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 이다,(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,

〔수지 기재의 표면 프로파일의 형성 방법〕[Method of forming surface profile of resin substrate]

본 발명에 관련된 수지 기재의 표면의 프로파일 형상은, 수지 기재에 표면 처리 동박을 적층한 후, 당해 표면 처리 동박을 전체면 에칭 등으로 제거함으로써 형성할 수 있다. 또, 본 발명에 관련된 수지 기재의 표면의 프로파일 형상은, 수지 기재 표면을 소정의 플라즈마 처리 그리고 약액에 의해 처리함으로써 형성할 수 있다.The profile shape of the surface of the resin base material according to the present invention can be formed by laminating the surface-treated copper foil on the resin base material and then removing the surface-treated copper foil by the whole surface etching or the like. The profile shape of the surface of the resin substrate related to the present invention can be formed by treating the surface of the resin substrate with a predetermined plasma treatment and a chemical solution.

표면 처리 동박을 사용한 본 발명에 관련된 수지 기재의 표면 프로파일의 형성 방법으로서는, 먼저, 동박의 표면에 소정의 조건하에서 1 차 입자 및/또는 2 차 입자가 동박 표면에 형성된 상기 서술한 표면 처리 동박을 준비한다. 다음으로, 당해 표면 처리 동박의 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 전체면 에칭 등에 의해 제거한다. 그 후, 노출된 수지 기재 표면에 대해 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시함으로써, 표면 처리 동박 제거 후의 수지 기재의 상기 표면 프로파일이 형성된다.As a method of forming the surface profile of the resin base material according to the present invention using the surface-treated copper foil, the above-mentioned surface-treated copper foil having the primary particles and / or the secondary particles formed on the surface of the copper foil under predetermined conditions, Prepare. Next, the surface-treated copper foil is bonded to the resin substrate from the surface treatment layer side of the surface-treated copper foil, and the surface-treated copper foil is removed by etching or the like. Thereafter, the surface profile of the resin substrate after the removal of the surface-treated copper foil is formed by subjecting the exposed surface of the resin substrate to swelling treatment, desmear treatment and neutralization treatment.

플라즈마 처리 그리고 약액을 사용한 처리에 의한 본 발명에 관련된 수지 기재의 흰색부 및/또는 흑색부가 제어된 표면 프로파일의 형성 방법으로서는, 수지 기재에 이하의 플라즈마 처리 그리고 약액을 사용한 처리를 실시함으로써 형성할 수 있다.As a method for forming a white part and / or a black part-controlled surface profile of the resin base material according to the present invention by plasma treatment and treatment using a chemical solution, a resin base material can be formed by performing the following plasma treatment and treatment using a chemical solution have.

플라즈마 처리 (1) 을 실시한 후에, 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시하고, 그 후 플라즈마 처리 (2) 를 실시한다.After the plasma treatment (1) is performed, the swelling treatment, the desizing treatment, and the neutralization treatment are performed, and then the plasma treatment (2) is performed.

상기 플라즈마 처리 (1) 은, 수소와 불화수소를 함유하는 가스를 사용하여 10 ∼ 100 초간 실시하면 된다. 이로써, 수지 기판에 요철이 형성된다. 또, 상기 디스미어 처리에서는, 디스미어액 중에 Ni 및 Cu 를 첨가함으로써, 산화 반응이 촉진되고, 구멍이 확장된다. 또한, 상기 서술한 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리에는 공지된 처리, 및/또는, 본원에 관련된 처리를 사용할 수 있다. 또, 상기 플라즈마 처리 (2) 는, 10 ∼ 100 초간 실시한다. 플라즈마 처리 (2) 는 질소, 산소 및 아르곤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 분위기 중에서 실시하면 된다. 당해 플라즈마 처리 (2) 에 의해 디스미어 후의 수지의 표면을 조정한다. 이와 같이, 수지에 대해, 플라즈마 처리 (1) ＋ 디스미어 처리 ＋ 플라즈마 처리 (2) 를 실시함으로써, 본 발명에 관련된 구멍 형상을 갖는 수지 기재를 제조할 수 있다.The plasma treatment (1) may be performed for 10 to 100 seconds using a gas containing hydrogen and hydrogen fluoride. As a result, irregularities are formed on the resin substrate. In addition, in the desmear treatment, by adding Ni and Cu to the desmear solution, the oxidation reaction is promoted and the hole is expanded. Further, known processes and / or processes related to the present invention can be used for the swelling process, the desmear process, and the neutralization process described above. The plasma treatment (2) is performed for 10 to 100 seconds. The plasma treatment (2) may be carried out in an atmosphere containing at least one element selected from the group consisting of nitrogen, oxygen and argon. The surface of the resin after desmearing is adjusted by the plasma treatment (2). Thus, a resin substrate having a hole shape related to the present invention can be produced by performing plasma treatment (1) + desmear treatment + plasma treatment (2) on the resin.

이하에, 본 발명에 관련된 표면 처리 동박 혹은 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다. 또, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다.Hereinafter, some examples of the production process of the printed wiring board using the surface-treated copper foil or the copper foil with the carrier according to the present invention are shown. In addition, by mounting electronic parts on the printed wiring board, a printed circuit board is completed.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판 (이하, 절연 기판은 본 발명의 수지 기재여도 된다) 을 준비하는 공정, 상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 절연 기판 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정, 상기 표면 처리 동박을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서 수지 기재는 배선이나 회로 등을 갖는 수지 기재를 포함하는 개념이다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, the step of preparing the surface-treated copper foil and the insulating substrate of the present invention (hereinafter, the insulating substrate may be the resin substrate of the present invention) A step of laminating the surface-treated copper foil on the insulating substrate from the surface treatment layer side, a step of removing the surface-treated copper foil on the insulating substrate, and a step of forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the surface-treated copper foil is removed. In the present specification, the resin base material is a concept including a resin base material having wiring, circuits, and the like.

도 2 에 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다. 당해 공법에서는, 동박의 표면 프로파일을 사용하고 있다. 구체적으로는, 먼저, 수지 기재에 본 발명의 동박을 적층시켜 적층체 (구리 피복 적층판) 를 제작한다. 다음으로, 구리 피복 적층체의 동박을 전체면 에칭한다. 다음으로, 동박 표면 프로파일이 전사한 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 표면에 무전해 구리 도금을 실시한다. 그리고, 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 회로를 형성하지 않는 부분을 드라이 필름 등으로 피복하고, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금층의 표면에 전기 (전해) 구리 도금을 실시한다. 그 후, 드라이 필름을 제거한 후에, 회로를 형성하지 않는 부분에 형성된 무전해 구리 도금층을 제거함으로써 미세한 회로를 형성한다. 본 발명에서 형성되는 미세 회로는, 본 발명의 동박 표면 프로파일이 전사된 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면과 밀착되어 있기 때문에, 그 밀착력 (필 강도) 이 양호해져 있다.Fig. 2 shows a schematic example of the semi-additive method using the profile of the copper foil. In this method, the surface profile of the copper foil is used. Specifically, first, a laminate (copper clad laminate) is produced by laminating the copper foil of the present invention on a resin substrate. Next, the copper foil of the copper clad laminate is entirely etched. Next, electroless copper plating is performed on the surface of the resin substrate (entire surface etching base material) onto which the copper surface profile is transferred. Then, a portion of the resin substrate (entire surface etching base material) on which no circuit is formed is covered with a dry film or the like, and electroplating copper plating is performed on the surface of the electroless copper plating layer which is not covered with the dry film. Thereafter, after the dry film is removed, a fine circuit is formed by removing the electroless copper plating layer formed on the portion where no circuit is formed. Since the fine circuit formed in the present invention is in close contact with the etched surface of the resin substrate (entire surface etching base) onto which the copper surface profile of the present invention is transferred, its adhesion (fill strength) is good.

또, 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다. 당해 공법에서는, 수지 기재의 표면 프로파일의 형성을 위해서, 동박의 표면 프로파일을 사용하고 있다. 구체적으로는, 먼저, 수지 기재에 본 발명의 동박을 적층시켜 구리 피복 적층체를 제작한다. 다음으로, 구리 피복 적층체의 동박을 전체면 에칭한다. 다음으로, 동박 표면 프로파일이 전사한 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 표면에 무전해 구리 도금을 실시한다. 그리고, 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 회로를 형성하지 않는 부분을 드라이 필름 등으로 피복하고, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금층의 표면에 전기 (전해) 구리 도금을 실시한다. 그 후, 드라이 필름을 제거한 후에, 회로를 형성하지 않는 부분에 형성된 무전해 구리 도금층을 제거함으로써 미세한 회로를 형성한다. 본 발명에서 형성되는 미세 회로는, 본 발명의 동박 표면 프로파일이 전사된 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면과 밀착되어 있기 때문에, 그 밀착력 (필 강도) 이 양호해져 있다.In addition, a schematic example of a semi-additive method using a copper foil profile is shown. In this method, the surface profile of the copper foil is used for forming the surface profile of the resin base material. Specifically, first, the copper foil of the present invention is laminated on a resin substrate to produce a copper clad laminate. Next, the copper foil of the copper clad laminate is entirely etched. Next, electroless copper plating is performed on the surface of the resin substrate (entire surface etching base material) onto which the copper surface profile is transferred. Then, a portion of the resin substrate (entire surface etching base material) on which no circuit is formed is covered with a dry film or the like, and electroplating copper plating is performed on the surface of the electroless copper plating layer which is not covered with the dry film. Thereafter, after the dry film is removed, a fine circuit is formed by removing the electroless copper plating layer formed on the portion where no circuit is formed. Since the fine circuit formed in the present invention is in close contact with the etched surface of the resin substrate (entire surface etching base) onto which the copper surface profile of the present invention is transferred, its adhesion (fill strength) is good.

절연 기판은 내층 회로가 포함된 것으로 하는 것도 가능하다. 또, 본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.It is also possible that the insulating substrate includes an inner layer circuit. In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer to form a pattern, followed by electroplating and etching to form a conductor pattern.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗긴 후의 절연 기판 상의 극박 동층을 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, the step of preparing the copper foil and the insulating substrate with the carrier of the present invention, the step of insulating the copper foil with the carrier from the ultra- A step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate, a step of removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered, a step of removing the ultra thin copper foil on the insulating substrate after peeling off the carrier, And forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the insulating film is removed.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 필요하면 그 후 전해 도금을 실시하고, 또한 그 후, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the semi-additive method is a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, and if necessary, electrolytic plating is then performed, and after that, Is used to form a conductor pattern.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하여 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 서브트랙티브법, 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a surface-treated copper foil and an insulating substrate of the present invention, a step of forming a copper clad laminate by laminating the surface- And thereafter forming a circuit by any of a subtractive method, a semi-additive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불요 부분을, 에칭 등에 의해, 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing an unnecessary portion of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

본 발명에 있어서, 파트리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the term "partly additive method" refers to a method in which a catalyst layer is formed on a substrate on which a conductor layer is formed, and a catalyst core is provided on a substrate obtained by drilling holes for through holes or via holes, Refers to a method for producing a printed wiring board by forming a solder resist or a plating resist as necessary and then forming a thickness on the conductor circuit by through an electroless plating process on a through hole or a via hole.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, a copper thickness is formed in the circuit forming portion by electrolytic plating, And a metal foil other than the circuit forming portion is removed by (flash) etching to form a circuit on the insulating layer.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 서브트랙티브법, 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil and an insulating substrate with the carrier of the present invention, a step of laminating the copper foil with the carrier on the insulating substrate from the ultra- A step of forming a copper clad laminate by laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate and removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate, And a step of forming a circuit by any one of a chemical vapor deposition (CVD) method or a modified semi-additive method.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지층을 형성하는 공정, 본 발명의 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 상기 수지층 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정, 상기 표면 처리 동박을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및, 상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a metal foil on which a circuit is formed, a step of forming a resin layer on the surface of the metal foil so that the circuit is buried, A step of laminating a surface-treated copper foil on the resin layer from the side of the surface treatment layer, a step of removing the surface-treated copper foil on the resin layer, a step of forming a circuit on the surface of the resin layer from which the surface-treated copper foil is removed, To thereby expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin layer.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 제 1 캐리어가 부착된 동박으로 하고, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박을 상기 수지층에 적층한 후에, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗긴 후의 수지층 상의 극박 동층을 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, the copper foil with the carrier of the present invention is used as the copper foil with the first carrier, A step of forming a circuit on the surface of the ultra thin copper layer, a step of forming a resin layer on the surface of the ultra thin copper layer of the copper foil on which the first carrier is adhered so that the circuit is buried, A step of laminating the copper foil on which the second carrier is adhered to the resin layer and then removing the carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered; , Removing the ultra thin copper layer on the resin layer after peeling off the carrier of the copper foil with the second carrier, removing the ultra thin copper layer on the surface of the resin layer A step of forming a circuit on the resin layer and thereafter peeling the carrier of the copper foil on which the first carrier is adhered and a step of peeling the carrier of the copper foil on which the first carrier is adhered, A step of exposing a circuit buried in the resin layer formed on the surface of the ultra thin copper layer of the copper foil to which the first carrier is attached by removing the ultra thin copper layer of the copper foil having the first carrier.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지층을 형성하는 공정, 본 발명의 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 수지층에 적층하고, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 및, 상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of preparing a metal foil on which a circuit is formed, forming a resin layer on the surface of the metal foil so that the circuit is buried, A step of forming a circuit on the resin layer by any of a subtractive method, a partly additive method and a modified semi-additive method by laminating the resin layer on the resin layer from the treatment layer side, And exposing a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin layer.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정, The method for producing a printed wiring board of the present invention is a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention in which a surface-treated copper foil of the present invention in which a circuit is formed on the surface of the surface- A step of preparing a copper foil,

을 포함한다..

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정, The method for producing a printed wiring board of the present invention is a method for producing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention in which a metal foil having a circuit formed on a surface thereof or a first surface treated copper foil of the present invention having a circuit formed on the surface, A step of preparing a copper foil having a carrier on which a circuit is formed on the surface of the ultra thin metal layer or a copper foil with a carrier of the present invention on which a circuit is formed on the surface of the ultra-

을 포함한다..

본 발명에 있어서, 캐리어가 부착된 금속박은, 적어도 캐리어와 극박 금속 층을 이 순서로 구비하고 있다. 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어로서는, 금속박을 사용할 수 있다. 금속박으로서 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 아연박, 아연 합금박을 사용할 수 있다. 금속박의 두께는 1 ∼ 10000 ㎛, 바람직하게는 2 ∼ 5000 ㎛, 바람직하게는 10 ∼ 1000 ㎛, 바람직하게는 18 ∼ 500 ㎛, 바람직하게는 35 ∼ 300 ㎛ 로 할 수 있다. 또, 캐리어로서 수지 기재나 무기 물질이나 유기 물질의 판을 사용할 수도 있다. 수지 기재나 무기 물질이나 유기 물질의 판의 두께는 전술한 금속박의 두께와 동일하게 할 수 있다.In the present invention, the metal foil to which the carrier is attached has at least a carrier and an ultra-thin metal layer in this order. As the carrier of the metal foil with the carrier, a metal foil can be used. As the metal foil, a copper foil, a copper alloy foil, a nickel foil, a nickel alloy foil, an aluminum foil, an aluminum alloy foil, a foil, an iron alloy foil, a stainless steel foil, a zinc foil and a zinc alloy foil can be used. The thickness of the metal foil may be 1 to 10,000 m, preferably 2 to 5,000 m, preferably 10 to 1,000 m, preferably 18 to 500 m, and preferably 35 to 300 m. A resin substrate, a plate of an inorganic substance or an organic substance may be used as the carrier. The thickness of the resin substrate, the inorganic substance, or the plate of the organic substance may be the same as the thickness of the metal foil.

캐리어와 금속박은, 접착제나 이형제, 중간층을 개재하여 박리 가능하게 적층해도 된다. 또 캐리어와 금속박을 용접, 용착 등으로 박리 가능하게 접합해도 된다. 캐리어와 금속박이 박리 곤란한 경우에는, 캐리어와 금속박이 접합되어 있는 지점을 절단 등에 의해 제거한 후에, 캐리어와 금속박을 박리해도 된다.The carrier and the metal foil may be laminated so as to be peelable through an adhesive, a release agent, or an intermediate layer. Further, the carrier and the metal foil may be bonded so as to be peelable by welding, welding, or the like. In the case where the carrier and the metal foil are difficult to peel off, the carrier and the metal foil may be peeled off after the point where the carrier and the metal foil are joined is removed by cutting or the like.

극박 금속층은, 구리, 구리 합금, 니켈, 니켈 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 아연, 아연 합금이어도 된다. 극박 금속층의 두께는 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층과 동일한 범위로 할 수 있다. 극박 금속층은, 회로로 했을 때의 도전성의 관점에서 극박 동층인 것이 바람직하다.The ultra-thin metal layer may be copper, a copper alloy, nickel, a nickel alloy, aluminum, an aluminum alloy, iron, an iron alloy, stainless steel, zinc or a zinc alloy. The thickness of the ultra thin metal layer may be the same as the ultra thin copper layer of the copper foil on which the carrier is attached. The ultra-thin metal layer is preferably an ultra-thin copper layer from the viewpoint of conductivity when formed into a circuit.

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.A circuit buried in the resin layer is exposed by removing the surface-treated copper foil after forming the circuit on the resin layer, or removing the ultra-thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the carrier attached thereto Process.

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.By removing the metal foil after the circuit is formed on the resin layer or by removing the first surface treated copper foil or by removing the ultra thin metal layer after peeling the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered or And a step of exposing a circuit embedded in the resin layer by removing the ultra thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the first carrier attached thereto.

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, A step of laminating a metal foil on the resin layer or a step of laminating a metal foil with a carrier on the resin layer from an ultra-

을 포함한다..

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 제 1 캐리어가 부착된 동박으로 하고, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하여 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기고, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, the copper foil with the carrier of the present invention is used as the copper foil with the first carrier, Forming a resin layer on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil on which the first carrier is mounted so that the circuit is buried, preparing a copper foil with a second carrier attached thereto, The carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered is peeled off from the ultra-thin copper layer side of the copper foil and the carrier layer is peeled off by the subtractive method, the partly additive method or the modified semi-additive method, A step of forming a circuit on the resin layer and thereafter peeling the carrier of the copper foil on which the first carrier is adhered, The first carrier is peeled off the carrier of the copper foil to which the first carrier is adhered and then the ultra thin copper layer of the copper foil on which the first carrier is adhered is removed, And exposing the buried circuit.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board comprising the steps of: preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention; A step of removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered after the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate are laminated, the step of etching the ultra thin copper layer exposed by peeling off the carrier with an etching solution such as acid, plasma or the like A step of forming a through hole and / or a blind via in the exposed resin by removing the ultra thin copper layer by etching, a step of forming a through hole and / or a blind via in the region including the through hole and / A step of performing a treatment, a step of forming a through hole and / or a blind via A step of forming a plating resist on the electroless plating layer, a step of exposing the plating resist to light, a step of removing the plating resist in a region where a circuit is formed, a step of removing the plating resist The step of forming an electroplating layer, the step of removing the plating resist, and the step of removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, the method includes the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention, A step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate and then peeling off the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered; a step of peeling off the carrier and etching the ultra-thin copper layer by etching or plasma using a corrosive solution such as acid A step of forming an electroless plating layer on the exposed surface of the resin by removing the ultra thin copper layer by etching, a step of forming a plating resist on the electroless plating layer, And thereafter removing the plating resist in the region where the circuit is to be formed, A step of forming an electroplating layer, a step of removing the plating resist, a step of forming an electroless plating layer and an ultra-thin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like .

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention, A step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate and thereafter peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered, a step of peeling off the carrier to form a through hole and / or a blind via A step of performing a desmear process on an area including the through hole and / or the blind via, a step of forming an electroless plating layer on the area including the through hole and / or the blind via, Removing the carrier to form a plating resist on the exposed ultra thin copper layer surface, A step of forming a circuit by electrolytic plating, a step of removing the plating resist, and a step of removing the exposed ultra thin copper layer by flash etching by removing the plating resist.

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the method includes the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention, A step of laminating a substrate, a step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate, thereafter peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered, a step of forming a plating resist on the ultra- Removing the plating resist in an area in which a circuit is to be formed; forming an electroplating layer in a region where the plating resist is removed; In the process, the electroless plating layer and the ultra-fine copper layer in the region other than the region where the circuit is formed And a step of removing by etching or the like.

파트리 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매핵을 부여하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출된 상기 절연 기판 표면에, 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the partly additive method, a step of preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention, a step of preparing a copper foil A step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate and then peeling off the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered; a step of peeling off the carrier to form a through hole and / or a blind via A step of performing a desmear treatment on an area including the through hole and / or the blind via, a step of applying a catalyst nucleus to the area including the through hole and / or the blind via, Forming an etching resist on the exposed thin extruded layer surface, exposing the etching resist to light, A step of forming a circuit by removing the ultrafine copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid, a step of removing the etching resist, A step of removing the catalyst nuclei by etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a solder resist or a plating resist on the exposed surface of the insulating substrate, To form an electroless plating layer.

서브트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, the method includes the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate with a carrier according to the present invention, A step of removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered after laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate, a step of forming through holes and / or blind vias in the ultra- A step of performing a desmear treatment with respect to an area including the through hole and / or the blind via, a step of forming an electroless plating layer with respect to an area including the through hole and / or the blind via, A step of forming an electrolytic plating layer on the surface of the plating layer, a step of forming an electrolytic plating layer and / A step of exposing the etching resist to a circuit pattern, a step of removing the ultrafine copper layer and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid, Forming a circuit, and removing the etching resist.

서브트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정, 마스크가 형성되어 있지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, the method includes the steps of preparing a copper foil and an insulating substrate to which a carrier related to the present invention is attached, A step of laminating a copper foil on which the carrier is adhered and an insulating substrate and then peeling off the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered; a step of peeling off the carrier to form a through hole and / or a blind via A step of forming a through hole and / or a blind via; a step of forming a through hole and / or a blind via; a step of forming a through hole and / or a blind via; A step of forming a mask on the surface of the plating layer, a step of forming a mask on the surface of the electroless plating layer A step of forming an electrolytic plating layer and / or an etching resist on the surface of the ultra thin copper layer, a step of exposing the etching resist to a circuit pattern, a step of forming the ultra thin copper layer and the electroless plating layer A step of forming a circuit by removing by etching or plasma using a corrosion solution such as an acid, and a step of removing the etching resist.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정 은 실시하지 않아도 된다.The step of forming the through hole and / or the blind via, and the subsequent desmearing step may not be performed.

여기서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 상세하게 설명한다.Here, a specific example of a method for producing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention will be described in detail.

공정 1 ： 먼저, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어가 부착된 동박 (1 층째) 을 준비한다.Step 1: First, a copper foil (first layer) to which a carrier having an ultra-thin copper layer with a roughened treatment layer formed on its surface is prepared.

공정 2 ： 다음으로, 극박 동층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Step 2: Next, a resist is applied on the roughened layer of the ultra-thin copper layer, and exposure and development are performed to etch the resist into a predetermined shape.

공정 3 ： 다음으로, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정의 형상의 회로 도금을 형성한다.Step 3: Next, a plating for a circuit is formed, and then the resist is removed to form a circuit plating of a predetermined shape.

공정 4 ： 다음으로, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 동층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 을 극박 동층측으로부터 접착시킨다.Step 4: Next, a resin layer is laminated on the ultra-thin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and then the copper foil (second layer) .

공정 5 ： 다음으로, 2 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다. 또한, 2 층째에는 캐리어를 갖지 않는 동박을 사용해도 된다.Step 5: Next, the carrier is peeled off from the copper foil on which the second layer carrier is adhered. A copper foil having no carrier may be used for the second layer.

공정 6 ： 다음으로, 2 층째의 극박 동층 또는 동박 및 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍내기를 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.Step 6: Next, a laser perforation is made at a predetermined position of the second ultra thin copper layer or the copper foil and the resin layer, and the circuit plating is exposed to form a blind via.

공정 7 ： 다음으로, 블라인드 비아에 구리를 매립하여 비아 필을 형성한다.Step 7: Next, copper is buried in the blind via to form a via fill.

공정 8 ： 다음으로, 비아 필 상에, 상기 공정 2 및 3 과 같이 하여 회로 도금을 형성한다.Step 8: Next, a circuit plating is formed on the via fill in the same manner as in steps 2 and 3 described above.

공정 9 ： 다음으로, 1 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.Step 9: Next, the carrier is peeled off from the copper foil on which the first layer carrier is adhered.

공정 10 ： 다음으로, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 동층 (2 층째에 동박을 형성한 경우에는 동박) 을 제거하고, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.Step 10: Next, an ultra thin copper foil on both surfaces (copper foil when the second copper foil is formed) is removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.

공정 11 ： 다음으로, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판을 제작한다.Step 11: Next, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and a copper filler is formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the copper foil with the carrier of the present invention is manufactured.

상기 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 공정 8 에 있어서의 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.The copper foil with the carrier according to the present invention may be used as the copper foil with the other carrier (second layer), or a conventional copper foil with a carrier may be used, or a conventional copper foil may be used. In addition, the circuit may be formed in a single layer or a plurality of layers on the second layer circuit in Step 8, and the circuit formation thereof may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, And the additive method.

상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 공정 10 과 같은 플래시 에칭에 의한 극박 동층의 제거 시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되고, 그 형상이 유지되어, 이로써 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내마이그레이션성이 향상되고, 회로의 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 공정 10 및 공정 11 에 나타내는 바와 같이 플래시 에칭에 의해 극박 동층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 함몰된 형상이 되기 때문에, 당해 회로 도금 상에 범프가, 추가로 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져, 제조 효율이 향상된다.According to the above-described method for producing a printed wiring board, since the circuit plating is embedded in the resin layer, when the ultra thin copper layer is removed by flash etching as in the step 10, And the shape thereof is maintained, thereby facilitating formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, migration resistance is improved and conduction of the wiring of the circuit is satisfactorily suppressed. Therefore, formation of a fine circuit is facilitated. Further, as shown in steps 10 and 11, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating becomes a depressed form from the resin layer, so that bumps are formed on the circuit plating, The copper filler is easily formed, and the production efficiency is improved.

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리 천인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.Known resins and prepregs can be used for the buried resin (resin). For example, glass cloth prepreg impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. or ABF can be used. The resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in this specification can be used for the above-mentioned embedding resin (resin).

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은, 당해 캐리어가 부착된 동박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은 지지되고, 주름이 생기기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판 또는 수지층으로서 본 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.The copper foil with the carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil on which the carrier is adhered. By having the substrate or the resin layer, the copper foil with the carrier used for the first layer is supported, and wrinkles are less likely to be generated, which is advantageous in that the productivity is improved. Further, any substrate or resin layer may be used for the substrate or resin layer as long as it has the effect of supporting the copper foil with the carrier used for the first layer. For example, the substrate or the resin layer may be a carrier, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, A foil of an organic compound can be used.

또, 본 발명에 있어서, 「기재」 는, 본 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지 기재나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지 기재, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.In the present invention, the term " substrate " means a substrate, a prepreg, a resin substrate, a known carrier, a prepreg, a resin substrate, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, A plate of organic compound, and a foil of organic compound can be used.

또, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 수지 기판과 적층한 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어가 부착된 동박의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, 상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법 (코어레스 공법) 이어도 된다. 당해 코어레스 공법에 대해, 구체적인 예로서는, 먼저, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면 또는 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하여 적층체를 제조한다. 그 후, 수지 기판과 적층한 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어가 부착된 동박의 표면에 수지층을 형성한다. 캐리어측 표면 또는 극박 동층측 표면에 형성한 수지층에는, 추가로 다른 캐리어가 부착된 동박을 캐리어측 또는 극박 동층측으로부터 적층해도 된다. 또, 수지 기판을 중심으로 하여 당해 수지 기판의 양 표면측에, 캐리어/중간층/극박 동층의 순서 혹은 극박 동층/중간층/캐리어의 순서로 캐리어가 부착된 동박이 적층된 구성을 갖는 적층체 혹은 「캐리어/중간층/극박 동층/수지 기판/극박 동층/중간층/캐리어」 의 순서로 적층된 구성을 갖는 적층체를 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법 (코어레스 공법) 에 사용해도 된다. 그리고, 당해 적층체의 양단의 극박 동층 혹은 캐리어의 노출된 표면에는, 다른 수지층을 형성하고, 추가로 동층 또는 금속층을 형성한 후, 당해 동층 또는 금속층을 가공함으로써 회로를 형성해도 된다. 또한, 다른 수지층을 당해 회로 상에, 당해 회로를 매립하도록 형성해도 된다. 또, 이와 같은 회로 및 수지층의 형성을 1 회 이상 실시해도 된다 (빌드업 공법). 그리고, 이와 같이 하여 형성한 적층체 (이하, 적층체 B 라고도 한다) 에 대해, 각각의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 동층으로부터 박리시켜 코어레스 기판을 제작할 수 있다. 또한, 전술한 코어레스 기판의 제작에는, 2 개의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여, 후술하는 극박 동층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 동층/극박 동층/중간층/캐리어의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 동층/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 적층체를 제작하여, 당해 적층체를 중심으로 사용할 수도 있다. 이들 적층체 (이하, 적층체 A 라고도 한다) 의 양측의 극박 동층 또는 캐리어의 표면에 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성하고, 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성한 후에, 각각의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 동층으로부터 박리시켜 코어레스 기판을 제작할 수 있다. 전술한 적층체는, 극박 동층의 표면, 캐리어의 표면, 캐리어와 캐리어의 사이, 극박 동층과 극박 동층의 사이, 극박 동층과 캐리어의 사이에는 다른 층을 가져도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「극박 동층의 표면」, 「극박 동층측 표면」, 「극박 동층 표면」, 「캐리어의 표면」, 「캐리어측 표면」, 「캐리어 표면」, 「적층체의 표면」, 「적층체 표면」 은, 극박 동층, 캐리어, 적층체가, 극박 동층 표면, 캐리어 표면, 적층체 표면에 다른 층을 갖는 경우에는, 당해 다른 층의 표면 (최표면) 을 포함하는 개념으로 한다. 또, 적층체는 극박 동층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 것이 바람직하다. 당해 적층체를 사용하여 코어레스 기판을 제작했을 때, 코어레스 기판측에 극박 동층이 배치되기 때문에, 모디파이드 세미 애디티브법을 사용하여 코어레스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다. 또, 극박 동층의 두께는 얇기 때문에, 당해 극박 동층의 제거가 하기 쉽고, 극박 동층의 제거 후에 세미 애디티브법을 사용하여, 코어레스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다.The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention may further comprise a step of laminating the ultra thin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with the carrier of the present invention and the resin substrate, A step of forming at least one resin layer and two layers of circuit on the surface of the copper foil on which the carrier on the side opposite to the carrier side is adhered and after the two layers of the resin layer and the circuit are formed, And peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil with the copper foil attached thereto (coreless method). As to the coreless method, first, a laminate is produced by laminating a resin-coated substrate and a surface on the ultra-fine copper layer side or the carrier-side surface of a copper foil with a carrier of the present invention. Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the ultra thin copper layer laminated with the resin substrate or on the surface of the copper foil on which the carrier is adhered on the side opposite to the carrier side surface. The resin layer formed on the carrier-side surface or the ultra-thin copper layer-side surface may further include a copper foil having another carrier attached thereto from the carrier side or the ultra-thin copper layer side. The laminate or the laminate having the structure in which the carrier is laminated on both sides of the resin substrate with the resin substrate as the center, the carrier / intermediate layer / the ultra-thin copper layer, or the copper foil with the carrier in the order of ultra thin copper / Laminate having a laminated structure in the order of "carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / resin substrate / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier" may be used for the above-described printed wiring board manufacturing method (coreless method). A circuit may be formed by forming another resin layer on the surface of the ultra-thin copper layer on both ends of the laminate or on the exposed surface of the carrier, further forming a copper layer or a metal layer, and then processing the copper layer or the metal layer. Further, another resin layer may be formed on the circuit to embed the circuit. The circuit and the resin layer may be formed at least once (build-up method). Then, a coreless substrate can be manufactured by peeling the ultra thin copper layer or the carrier of the copper foil with each carrier from the carrier or the ultra thin copper layer with respect to the laminate thus formed (hereinafter also referred to as the laminate B). The above-described coreless substrate can be manufactured by using a copper foil having two carriers attached thereto. The copper foil can be used as a laminate having an ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer, / Lamellar body having the structure of the ultra thin copper layer / the intermediate layer / the carrier, or the carrier / the intermediate layer / the ultra thin copper layer / the carrier / the intermediate layer / the ultra thin copper layer may be prepared and used. Two layers of a resin layer and a circuit are formed at least once on the surface of the ultra thin copper layer or the carrier on both sides of the laminate (hereinafter also referred to as the laminate A), and two layers of the resin layer and the circuit are formed at least once , An ultra thin copper layer of a copper foil on which each carrier is adhered or a carrier is peeled off from a carrier or an ultra thin copper layer to produce a coreless substrate. The above-described laminate may have another layer between the surface of the ultra-thin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier and the carrier, between the ultra thin copper layer and the ultra thin copper layer, and between the ultra thin copper layer and the carrier. In the present specification, the terms "surface of ultra thin layer", "surface of ultra thin layer", "surface of ultra thin layer", "surface of carrier", "surface of carrier", "surface of carrier" The "laminated body surface" is a concept including the surface (top surface) of the other layer when the ultra thin copper layer, the carrier and the laminate have different layers on the surface of the ultra thin copper layer, the carrier surface and the laminate. It is preferable that the laminate has a structure of an ultra-thin copper layer / an intermediate layer / a carrier / a carrier / an intermediate layer / an ultra-thin copper layer. This is because when a coreless substrate is manufactured by using the laminate, a very thin copper layer is disposed on the coreless substrate side, so that it is easy to form a circuit on the coreless substrate by using the modified semiadditive method. Moreover, since the thickness of the ultra thin copper layer is thin, it is easy to remove the extremely thin copper layer, and the circuit can be easily formed on the coreless substrate by using the semiadditive method after the ultra thin copper layer is removed.

또한, 본 명세서에 있어서, 「적층체 A」 또는 「적층체 B」 라고 특별히 기재하고 있지 않은 「적층체」 는, 적어도 적층체 A 및 적층체 B 를 포함하는 적층체를 나타낸다.Note that, in this specification, the "laminate" not specifically referred to as "laminate A" or "laminate B" refers to a laminate including at least the laminate A and the laminate B.

또한, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체 (적층체 A) 의 단면의 일부 또는 전부를 수지로 덮음으로써, 빌드업 공법으로 프린트 배선판을 제조할 때에, 중간층 또는 적층체를 구성하는 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 사이에의 약액의 스며듦을 방지할 수 있고, 약액의 스며듦에 의한 극박 동층과 캐리어의 분리나 캐리어가 부착된 동박의 부식을 방지할 수 있어, 수율을 향상시킬 수 있다. 여기서 사용하는 「캐리어가 부착된 동박의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」 또는 「적층체의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」 로서는, 수지층에 사용할 수 있는 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체에 있어서 평면에서 보았을 때에 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 의 외주의 적어도 일부가 수지 또는 프리프레그로 덮여도 된다. 또, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법으로 형성하는 적층체 (적층체 A) 는, 1 쌍의 캐리어가 부착된 동박을 서로 분리 가능하게 접촉시켜 구성되어 있어도 된다. 또, 당해 캐리어가 부착된 동박에 있어서 평면에서 보았을 때에 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 의 외주의 전체에 걸쳐서 수지 또는 프리프레그로 덮여 이루어지는 것이어도 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체를 평면에서 보았을 때에, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분이 수지 또는 프리프레그에 의해 덮이고, 다른 부재가 이 부분의 측방향, 즉 적층 방향에 대해 옆에서의 방향으로부터 닿는 것을 방지할 수 있게 되어, 결과적으로 핸들링 중의 캐리어와 극박 동층 또는 캐리어가 부착된 동박끼리의 박리를 적게 할 수 있다. 또, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분의 외주를 노출하지 않도록 수지 또는 프리프레그로 덮음으로써, 전술한 바와 같은 약액 처리 공정에 있어서의 이 적층 부분의 계면에 대한 약액의 침입을 방지할 수 있고, 캐리어가 부착된 동박의 부식이나 침식을 방지할 수 있다. 또한, 적층체의 한 쌍의 캐리어가 부착된 동박으로부터 하나의 캐리어가 부착된 동박을 분리할 때, 또는 캐리어가 부착된 동박의 캐리어와 동박 (극박 동층) 을 분리할 때에는, 수지 또는 프리프레그로 덮여 있는 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 을 절단 등에 의해 제거할 필요가 있다.Further, in the above-described method for producing a coreless substrate, when a printed wiring board is manufactured by a build-up method by covering a part or all of a cross section of a copper foil or a laminate (laminate A) It is possible to prevent permeation of the chemical solution between the copper foil having one carrier constituting the intermediate layer or the laminate and the copper foil having the other carrier adhered thereto and the separation of the ultra thin copper foil and the carrier due to permeation of the chemical liquid, Corrosion of the attached copper foil can be prevented, and the yield can be improved. As the " resin covering part or all of the cross section of the copper foil with a carrier " or " resin covering part or all of the cross section of the laminate " used herein, a resin usable for the resin layer can be used. In the above-described method for producing a coreless substrate, it is preferable that the copper foil or the laminate to which the carrier is adhered is a laminated portion of the copper foil or the laminate with the carrier (the laminated portion of the carrier and the ultra- At least a part of the outer periphery of the copper foil (the lamination portion of the copper foil having one carrier and the copper foil having another carrier) may be covered with a resin or a prepreg. The laminate (laminate A) formed by the above-described production method of the coreless substrate described above may be configured such that the copper foil with a pair of carriers is detachably contacted with each other. Further, in the case of the copper foil with the carrier adhered thereon, it is preferable that the copper foil or the laminated portion of the laminate with the carrier (the laminated portion of the carrier and the ultra thin copper foil or the copper foil with one carrier and another carrier (A laminated portion of the copper foil), or a resin or prepreg covering the entire periphery of the copper foil. With such a constitution, when the copper foil or the laminate with the carrier is seen from the plane, the laminated portion of the copper foil or laminate with the carrier is covered with resin or prepreg, and the other member is laterally It is possible to prevent contact from the side direction with respect to the stacking direction. As a result, it is possible to reduce the peeling between the carrier during handling and the ultra thin copper foil or the copper foil with the carrier. In addition, by covering the periphery of the laminated portion of the copper foil or laminate with the carrier with resin or prepreg so as not to expose, the penetration of the chemical solution into the interface of the laminated portion in the chemical liquid treatment step as described above can be prevented And corrosion and erosion of the copper foil with the carrier can be prevented. When separating the copper foil with one carrier from the copper foil with the pair of carriers of the laminate or separating the copper foil with the carrier from the copper foil (ultra thin copper layer), a resin or prepreg (A laminated portion of a carrier and an ultra thin copper layer or a laminated portion of a copper foil on which one carrier is attached and a copper foil on which another carrier is adhered) of the copper foil or laminate with the covered carrier is removed by cutting or the like There is a need.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 캐리어측 또는 극박 동층측으로부터, 또 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어측 또는 극박 동층측에 적층하여 적층체를 구성해도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 동층측 표면과 상기 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 동층측 표면이, 필요에 따라 접착제를 개재하여, 직접 적층시켜 얻어진 적층체여도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어 또는 극박 동층과, 상기 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어 또는 극박 동층이 접합되어 있어도 된다. 여기서, 당해 「접합」 은, 캐리어 또는 극박 동층이 표면 처리층을 갖는 경우에는, 당해 표면 처리층을 개재하여 서로 접합되어 있는 양태도 포함한다. 또, 당해 적층체의 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있어도 된다.The laminate may be formed by laminating the copper foil with the carrier of the present invention on the carrier side or the ultra thin copper layer side and the carrier side or ultra thin copper layer side of the copper foil with another carrier of the present invention. It is preferable that the carrier-side surface or the ultra-thin copper layer-side surface of the one copper-coated copper foil and the carrier-side surface or the ultra-thin copper layer-side surface of the copper- Or may be a laminate obtained by direct lamination. The carrier or the ultra thin copper layer of the copper foil with one carrier and the carrier or ultra thin copper layer of the copper foil with another carrier may be bonded. Here, the " bonding " includes an aspect in which, when the carrier or the ultra-thin copper layer has a surface treatment layer, the carrier or the ultra thin copper layer is bonded to each other via the surface treatment layer. A part or all of the cross section of the laminate may be covered with a resin.

캐리어끼리의 적층은, 단순히 중첩시키는 것 외에, 예를 들어 이하의 방법으로 실시할 수 있다.The stacking of the carriers can be carried out by, for example, the following method in addition to simply superposition.

(a) 야금적 접합 방법 ： 융접 (아크 용접, TIG (텅스텐·이너트·가스) 용접, MIG (메탈·이너트·가스) 용접, 저항 용접, 심 용접, 스포트 용접), 압접 (초음파 용접, 마찰 교반 용접), 납땜 ；(a) Metallurgical bonding method: welding (arc welding, TIG (tungsten, inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stir welding), soldering;

(b) 기계적 접합 방법 ： 코킹, 리벳에 의한 접합 (셀프 피어싱 리벳에 의한 접합, 리벳에 의한 접합), 스티쳐；(b) Mechanical joining method: caulking, joining by rivets (joining by self-piercing rivets, joining by rivets), stitcher;

(c) 물리적 접합 방법 ： 접착제, (양면) 점착 테이프(c) Physical bonding method: Adhesive, (double-sided) adhesive tape

일방의 캐리어의 일부 또는 전부와 타방의 캐리어의 일부 또는 전부를, 상기 접합 방법을 사용하여 접합함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 적층하고, 캐리어끼리를 분리 가능하게 접촉시켜 구성되는 적층체를 제조할 수 있다. 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 약하게 접합되어, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 적층되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어의 접합부를 제거하지 않아도, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어는 분리 가능하다. 또, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 강하게 접합되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 접합되어 있는 지점을 절단이나 화학 연마 (에칭 등), 기계 연마 등에 의해 제거함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 분리할 수 있다.A laminated body formed by laminating one carrier and the other carrier by laminating a part or all of one carrier and a part or all of the other carrier by using the above bonding method, Can be manufactured. When one carrier and the other carrier are weakly joined so that one carrier and the other carrier are stacked, one carrier and the other carrier can be separated without removing the junction between the carrier and the other carrier Do. When one carrier and the other carrier are strongly bonded, a point where one carrier and the other carrier are bonded is removed by cutting, chemical polishing (etching or the like), mechanical polishing, or the like, The other carrier can be separated.

또, 이와 같이 구성한 적층체에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 극박 동층 또는 캐리어를 박리시키는 공정을 실시함으로써 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 당해 적층체의 일방 또는 양방의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을 형성해도 된다.It is also preferable that the step of forming the resin layer and the circuit at least once in the laminate thus constructed and the step of forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, The printed wiring board can be manufactured by performing the step of peeling the ultra thin copper layer or the carrier from the copper foil. Two layers of a resin layer and a circuit may be formed on one or both surfaces of the laminate.

전술한 적층체에 사용하는 수지 기판, 수지층, 수지, 프리프레그는, 본 명세서에 기재한 수지층이어도 되고, 본 명세서에 기재한 수지층에 사용하는 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또한, 캐리어가 부착된 동박은 평면에서 보았을 때에 수지 또는 프리프레그보다 작아도 된다.The resin substrate, the resin layer, the resin, and the prepreg used in the above-described laminate may be the resin layer described in this specification, and the resin, the resin curing agent, the compound, the curing accelerator, the dielectric , A reaction catalyst, a cross-linking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton or the like. Further, the copper foil to which the carrier is attached may be smaller than the resin or prepreg when viewed from the plane.

또한, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다. 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 이와 같이 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다.In addition, by mounting electronic parts on the printed wiring board, a printed circuit board is completed. In the present invention, the " printed wiring board " includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which the electronic parts are mounted.

또, 당해 프린트 배선판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 된다.An electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic device is mounted, and an electronic device may be manufactured using the printed board on which the electronic device is mounted .

실시예Example

이하에 본 발명의 실시예를 나타내지만, 이들의 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해서 제공하는 것이며, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Embodiments of the present invention will now be described, but these embodiments are provided to better understand the present invention and its advantages, and are not intended to limit the invention.

도 3 에, 실시예 및 비교예의 데이터를 얻기 위한 샘플 제작 플로우를 나타낸다.Fig. 3 shows a sample production flow for obtaining the data of the examples and the comparative example.

〔실시예 1 ∼ 3, 6, 14, 비교예 1 ∼ 3〕[Examples 1 to 3, 6, 14, Comparative Examples 1 to 3]

캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 길이가 긴 전해 동박 (JX 닛코우 닛세키 금속사 제조 JTC) 을 준비했다. 이 동박의 광택면 (샤이니면) 에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 8000 ㎛/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성했다.As the carrier, an electrolytic copper foil having a long length of 35 mu m (JTC manufactured by JX Nikkunisseki Metal Co., Ltd.) was prepared. The shiny side (shiny side) of the copper foil was subjected to electroplating with a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions to form an Ni layer having an adhesion amount of 8000 탆 / dm 2.

(Ni 층)(Ni layer)

황산니켈 ： 270 ∼ 280 g/ℓ Nickel sulfate: 270 to 280 g / l

염화니켈 ： 35 ∼ 45 g/ℓ Nickel chloride: 35 to 45 g / l

아세트산니켈 ： 10 ∼ 20 g/ℓNickel acetate: 10 to 20 g / l

붕산 ： 30 ∼ 40 g/ℓ Boric acid: 30 to 40 g / l

광택제 ： 사카린, 부틴디올 등 Polishing agents: saccharin, butynediol, etc.

도데실황산나트륨 ： 55 ∼ 75 ppmSodium dodecyl sulfate: 55 to 75 ppm

pH ： 4 ∼ 6 pH: 4 to 6

욕 온도 ： 55 ∼ 65 ℃ Bath temperature: 55 to 65 ° C

전류 밀도 ： 10 A/d㎡Current density: 10 A / dm 2

수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Ni 층 상에 11 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.After washing with water and pickling, a Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was deposited on the Ni layer by electrolytic chromate treatment under the following conditions on a roll-to-roll type continuous plating line.

(전해 크로메이트 처리)(Electrolytic chromate treatment)

액 조성 ： 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: Potassium dichromate 1 to 10 g / l, zinc 0 to 5 g / l

pH ： 3 ∼ 4pH: 3-4

액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 50 ~ 60 ℃

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 2.6 A/d㎡ Current density: 0.1 to 2.6 A / dm 2

쿨롬량 ： 0.5 ∼ 30 As/d㎡ Culm amount: 0.5 to 30 As / dm 2

계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Cr 층 상에 표에 기재된 두께의 극박 동층을, 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하여, 캐리어가 부착된 동박을 제조했다.Subsequently, on the roll-to-roll type continuous plating line, an ultra-thin copper foil having a thickness shown in the table was formed on the Cr layer by electroplating under the following conditions to produce a copper foil with a carrier.

·극박 동층· Ultra-thin layer

구리 농도 ： 30 ∼ 120 g/ℓ Copper concentration: 30 ~ 120 g / ℓ

H₂SO₄ 농도 ： 20 ∼ 120 g/ℓ H ₂ SO ₄ concentration: 20 to 120 g / ℓ

전해액 온도 ： 20 ∼ 80 ℃ Electrolyte temperature: 20 ~ 80 ℃

아교 ： 1 ∼ 20 ppm Glue: 1 to 20 ppm

전류 밀도 ： 10 ∼ 100 A/d㎡ Current density: 10 to 100 A / dm 2

〔실시예 4〕[Example 4]

구리 농도 80 ∼ 120 g/ℓ, 황산 농도 80 ∼ 120 g/ℓ, 염화물 이온 농도 30 ∼ 100 ppm, 아교 농도 1 ∼ 5 ppm, 전해액 온도 57 ∼ 62 ℃ 의 황산구리 전해액을 전해 구리 도금욕으로 하고, 애노드와 캐소드 (동박용 전착용 금속제 드럼) 의 사이를 흐르는 전해액의 선유속도를 1.5 ∼ 2.5 m/초, 전류 밀도 70 A/d㎡ 로 두께 12 ㎛ (중량 두께 95 g/㎡) 의 양면 플랫 전해 생박을 제작했다.An electrolytic copper plating bath is used as an electrolytic solution of copper sulfate having a copper concentration of 80 to 120 g / l, a sulfuric acid concentration of 80 to 120 g / l, a chloride ion concentration of 30 to 100 ppm, a glue concentration of 1 to 5 ppm and an electrolyte temperature of 57 to 62 ° C, Sided flat electrolytic plating with a thickness of 12 탆 (weight thickness of 95 g / m 2) at a current-density rate of 70 A / dm 2 at a rate of 1.5 to 2.5 m / sec for the electrolyte flowing between the anode and the cathode I made a bean curd.

〔실시예 5〕[Example 5]

원박으로서 두께 12 ㎛ 의 JX 닛코우 닛세키 금속 주식회사 제조 압연 동박을 준비했다.A rolled copper foil having a thickness of 12 占 퐉 and manufactured by JX Nikkunisseki Metal Co., Ltd. was prepared as a raw material.

전술한 실시예 및 비교예의 원박의 표면에, 하기에 나타내는 조건 범위에서, 1 차 입자층 (Cu), 2 차 입자층 (구리-코발트-니켈 합금 도금 등) 형성했다.(Cu) and a secondary particle layer (a copper-cobalt-nickel alloy plating or the like) were formed on the surface of the raw material of the above-described Examples and Comparative Examples under the following conditions.

사용한 욕 조성 및 도금 조건은, 표 1 ∼ 3 과 같다. 표 1 의 1 차 입자 전류 조건란에 전류 조건, 쿨롬량이 2 개 기재되어 있는 예는, 왼쪽에 기재되어 있는 조건으로 도금을 실시한 후에, 오른쪽에 기재되어 있는 조건으로 다시 도금을 실시한 것을 의미한다. 예를 들어, 실시예 1 의 1 차 입자 전류 조건란에는 「(65 A/d㎡, 70 As/d㎡) ＋ (20 A/d㎡, 40 As/d㎡)」 라고 기재되어 있지만, 이것은 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡, 쿨롬량을 70 As/d㎡ 로 도금을 실시한 후에, 다시 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡, 쿨롬량을 40 As/d㎡ 로 하여 도금을 실시한 것을 나타낸다. 또한, 표 1 의 실시예 6, 비교예 3 의 「1 차 입자 형성 시 도금액 선유속 (m/s)」 의 난에 기재되어 있는 값은 2 차 입자 형성 시 도금액 선유속을 의미한다. 또한, 실시예 6, 비교예 3 에서는 1 차 입자를 형성하고 있지 않기 때문에, 실시예 6, 비교예 3 의 표 1 의 「2 차 입자 형성 도금」 은 1 차 입자 형성 도금에 상당한다. 또한, 실시예 6, 비교예 3 이외의 2 차 입자 형성 시 도금액 선유속은 2.5 m/sec 로 했다.The used bath composition and plating conditions are shown in Tables 1 to 3. An example in which two current conditions and two Coulomb amounts are described in the primary particle current condition column in Table 1 means that the plating is performed under the conditions described on the left side and then the plating is again performed under the conditions described on the right side. For example, in the primary particle current condition column of Example 1, "(65 A / dm 2, 70 As / dm 2) + (20 A / dm 2, 40 As / dm 2) The current density for forming the primary particles was set to 65 A / dm 2 and the amount of Clemm was set to 70 As / dm 2. Thereafter, the current density for forming the primary particles was set to 20 A / dm 2, dm < 2 >. The values described in the column of "plating fluid ferrous flux (m / s) at the time of forming primary particles" in Example 6 and Comparative Example 3 of Table 1 mean the ferrofluid of the plating solution at the time of forming secondary particles. In Example 6 and Comparative Example 3, since the primary particles were not formed, the "secondary particle formation plating" in Table 1 of Example 6 and Comparative Example 3 corresponds to the primary particle formation plating. The secondary particles other than those in Example 6 and Comparative Example 3 were formed into a plating fluid having a fluidity of 2.5 m / sec.

〔배리어 (내열) 처리〕[Barrier (heat-resistant) treatment]

배리어 (내열) 처리를 하기의 조건으로 실시하고, 놋쇠 도금층 또는 아연·니켈 합금 도금층을 형성했다.The barrier (heat-resistant) treatment was carried out under the following conditions to form a brass plating layer or a zinc-nickel alloy plating layer.

실시예 1, 비교예 1 의 배리어층 (놋쇠 도금) 형성 조건 ： Conditions for forming the barrier layer (brass plating) of Example 1 and Comparative Example 1:

구리 농도 50 ∼ 80 g/ℓ, 아연 농도 2 ∼ 10 g/ℓ, 수산화나트륨 농도 50 ∼ 80 g/ℓ, 시안화나트륨 농도 5 ∼ 30 g/ℓ, 온도 60 ∼ 90 ℃ 의 놋쇠 도금욕을 사용하여, 전류 밀도 5 ∼ 10 A/d㎡ (다단 처리) 로 도금 전기량 30 As/d㎡ 를, 조화 처리층을 형성한 M 면에 부여했다.A brass plating bath having a copper concentration of 50 to 80 g / l, a zinc concentration of 2 to 10 g / l, a sodium hydroxide concentration of 50 to 80 g / l, a sodium cyanide concentration of 5 to 30 g / , And a current density of 5 to 10 A / dm 2 (multi-stage treatment), and a plating electric charge of 30 As / dm 2 was given to the M side on which the roughened treatment layer was formed.

실시예 2, 비교예 2 의 배리어층 (아연·니켈 도금) 형성 조건 ： Conditions for forming the barrier layer (zinc-nickel plating) of Example 2 and Comparative Example 2:

Ni ： 10 g/ℓ ∼ 30 g/ℓ, Zn ： 1 g/ℓ ∼ 15 g/ℓ, 황산 (H₂SO₄) ： 1 g/ℓ ∼ 12 g/ℓ, 염화물 이온 ： 0 g/ℓ ∼ 5 g/ℓ 를 첨가한 도금욕을 사용하여, 전류 밀도 1.3 A/d㎡ 로 도금 전기량 5.5 As/d㎡ 를, 조화 처리층을 형성한 M 면에 부여했다.1 g / l to 15 g / l of Zn, 1 g / l to 12 g / l of sulfuric acid (H ₂ SO ₄ ), 0 g / And a plating rate of 5.5 A / dm 2 at a current density of 1.3 A / dm 2 was applied to the M-plane on which the roughened layer was formed, using a plating bath to which 5 g / l was added.

〔방청 처리〕[Anticorrosive treatment]

실시예 1, 비교예 1 에 대해, 방청 처리 (크로메이트 처리) 를 하기의 조건으로 실시하여, 방청 처리층을 형성했다.The rust-preventive treatment (chromate treatment) was conducted under the following conditions to form the anti-rust treatment layer for Example 1 and Comparative Example 1.

(크로메이트 조건) CrO₃ ： 2.5 g/ℓ, Zn ： 0.7 g/ℓ, Na₂SO₄ ： 10 g/ℓ, pH 4.8, 54 ℃ 의 크로메이트욕에서 0.7 As/d㎡ 의 전기량을 부가. 또한, 크로메이트욕에서의 방청 처리 종료 직후, 액 샤워 배관을 사용하여, 동일한 크로메이트욕을 사용하여 조화 처리면 전체면을 샤워링했다.(Chromating condition) An electricity quantity of 0.7 As / dm 2 was added in a chromate bath of CrO ₃ : 2.5 g / l, Zn: 0.7 g / l, Na ₂ SO ₄ : 10 g / l, pH 4.8, Immediately after the rust-inhibiting treatment in the chromate bath, the entire surface of the roughened surface was showered using the same chromate bath using the liquid shower pipe.

〔실란 커플링재 도포〕[Application of silane coupling agent]

동박의 조화 처리면에, 0.2 ∼ 2 ％ 의 알콕시실란을 함유량하는 pH 7 ∼ 8 의 용액을 분무함으로써, 실란 커플링재 도포 처리를 실시했다.A silane coupling agent coating treatment was carried out by spraying a solution of pH 7 to 8 containing 0.2 to 2% alkoxysilane on the roughened surface of the copper foil.

실시예 6 에 대해서는, 방청 처리, 실란 커플링재 도포 후, 또한 하기의 조건으로 수지층의 형성을 실시했다.In Example 6, after the rust-preventive treatment and the silane coupling agent application, the resin layer was formed under the following conditions.

(수지 합성예) (Resin synthesis example)

스테인리스제의 갈고랑이형 교반봉, 질소 도입관과 스톱 콕이 부착된 트랩 상에, 볼이 부착된 냉각관을 장착한 환류 냉각기를 장착한 2 리터의 3 구 플라스크에, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 117.68 g (400 mmol), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 87.7 g (300 mmol), γ-발레로락톤 4.0 g (40 mmol), 피리딘 4.8 g (60 mmol), N-메틸-2-피롤리돈 (이하 NMP 라고 기재한다) 300 g, 톨루엔 20 g 을 첨가하고, 180 ℃ 에서 1 시간 가열한 후 실온 부근까지 냉각시킨 후, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 29.42 g (100 mmol), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}프로판 82.12 g (200 mmol), NMP 200 g, 톨루엔 40 g 을 첨가하고, 실온에서 1 시간 혼합 후, 180 ℃ 에서 3 시간 가열하여, 고형분 38 ％ 의 블록 공중합 폴리이미드를 얻었다. 이 블록 공중합 폴리이미드는, 하기에 나타내는 일반식 (1) ： 일반식 (2) = 3 ： 2 이며, 수평균 분자량 ： 70000, 중량 평균 분자량 ： 150000 이었다.In a 2-liter three-necked flask equipped with a stirrer bar made of stainless steel, a nitrogen inlet tube and a trap equipped with a stopcock and equipped with a reflux condenser equipped with a cooling tube equipped with a ball, 3,4,3 ' 117.78 g (400 mmol) of 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of gamma -valerolactone, 300 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 20 g of toluene were added, and the mixture was heated at 180 DEG C for 1 hour, cooled to room temperature, Bis (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 82.12 g (200 mmol) of N, N'-dicyclohexylcarbodiimide And 40 g of toluene were added and mixed at room temperature for 1 hour and then heated at 180 占 폚 for 3 hours to obtain a block copolymer polyimide having a solid content of 38%. This block copolymer polyimide had the following general formula (1): general formula (2) = 3: 2, number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight:

합성예에서 얻어진 블록 공중합 폴리이미드 용액을 NMP 로 더욱 희석하여, 고형분 10 ％ 의 블록 공중합 폴리이미드 용액으로 했다. 이 블록 공중합 폴리이미드 용액에 비스(4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-H, 케이·아이 화성) 을 고형분 중량 비율 35, 블록 공중합 폴리이미드의 고형분 중량 비율 65 로 하여 (즉, 수지 용액에 함유되는 비스(4-말레이미드페닐)메탄 고형분 중량 ： 수지 용액에 함유되는 블록 공중합 폴리이미드 고형분 중량 = 35 ： 65) 60 ℃, 20 분간 용해 혼합하여 수지 용액으로 했다. 그 후, 실시예 28 에서는 동박의 M 면 (고광택면) 에, 실시예 8 에서는 동박의 극박동 표면에, 리버스 롤 도공기를 사용하여 상기 수지 용액을 도공하고, 질소 분위기하에서, 120 ℃ 에서 3 분간, 160 ℃ 에서 3 분간 건조 처리 후, 마지막에 300 ℃ 에서 2 분간 가열 처리를 실시하여, 수지층을 구비하는 동박을 제작했다. 또한, 수지층의 두께는 2 ㎛ 로 했다.The block copolymer polyimide solution obtained in Synthesis Example was further diluted with NMP to obtain a block copolymer polyimide solution having a solid content of 10%. (4-maleimidophenyl) methane (BMI-H, K-ion) was added to this block copolymer polyimide solution in a solid weight ratio of 35 and a block copolymer polyimide weight ratio of 65 (4-maleimidophenyl) methane solids weight: weight of solid content of block copolymer polyimide contained in the resin solution = 35: 65) was dissolved and mixed at 60 占 폚 for 20 minutes to prepare a resin solution. Thereafter, in Example 28, the resin solution was coated on the M-side (high-gloss surface) of the copper foil and on the surface of the copper foil in Example 8 using a reverse roll coater. The resin solution was coated on the copper foil at 120 ° C for 3 minutes , Followed by drying treatment at 160 占 폚 for 3 minutes and finally at 300 占 폚 for 2 minutes to prepare a copper foil having a resin layer. The thickness of the resin layer was set at 2 탆.

또한, 이하의 실시예에 대해서는, 중간층의 형성을 하기 조건에 의해 실시했다.In the following examples, the formation of the intermediate layer was carried out under the following conditions.

(실시예 7) (Example 7)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Co-Mo 합금을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Co-Mo 합금 중간층은, 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1, except that a Co-Mo alloy was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Co-Mo alloy intermediate layer was formed by plating in a plating liquid having the following liquid composition.

액 조성 ： CoSO₄·7H₂O 0.5 ∼ 100 g/ℓ, Na₂MoO₄·2H₂O 0.5 ∼ 100 g/ℓ, 시트르산나트륨 2 수화물 20 ∼ 300 g/ℓSolution composition: CoSO ₄揃 7H ₂ O 0.5-100 g / ℓ, Na ₂ MoO ₄揃 2H ₂ O 0.5-100 g / ℓ, sodium citrate dihydrate 20-300 g / ℓ

온도 ： 10 ∼ 70 ℃ Temperature: 10 ~ 70 ℃

pH ： 3 ∼ 5 pH: 3-5

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 60 A/d㎡ Current density: 0.1 to 60 A / dm 2

(실시예 8)(Example 8)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Cr 을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Cr 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1 except that Cr was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Cr intermediate layer was formed by plating in a plating liquid having the following liquid composition.

액 조성 ： CrO₃200 ∼ 400 g/ℓ, H₂SO₄1.5 ∼ 4 g/ℓLiquid composition: 200 to 400 g / l of CrO ₃ , 1.5 to 4 g / l of H ₂ SO ₄

pH ： 1 ∼ 4pH: 1-4

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 45 ~ 60 ℃

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡ Current density: 10 ~ 40 A / dm2

(실시예 9)(Example 9)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Cr/CuP 를 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Cr/CuP 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1 except that Cr / CuP was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Cr / CuP intermediate layer was formed by plating in a plating liquid having the following liquid composition.

액 조성 1 ： CrO₃200 ∼ 400 g/ℓ, H₂SO₄1.5 ∼ 4 g/ℓLiquid composition 1: 200 to 400 g / l of CrO ₃ , 1.5 to 4 g / l of H ₂ SO ₄

pH ： 1 ∼ 4pH: 1-4

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 45 ~ 60 ℃

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡ Current density: 10 ~ 40 A / dm2

액 조성 2 ： Cu₂P₂O₇·3H₂O 5 ∼ 50 g/ℓ, K₄P₂O₇50 ∼ 300 g/ℓ Liquid composition 2: 5 to 50 g / l of Cu ₂ P ₂ O ₇ .3H ₂ O, 50 to 300 g / l of K ₄ P ₂ O ₇

액 온도 ： 30 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 30 ~ 60 ℃

pH ： 8 ∼ 10 pH: 8-10

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 1.0 A/d㎡Current density: 0.1 to 1.0 A / dm < 2 >

(실시예 10)(Example 10)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Ni/Cr 을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Ni/Cr 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1, except that Ni / Cr was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil. In this case, the Ni / Cr intermediate layer was formed by plating in a plating solution having the following liquid composition.

액 조성 1 ： NiSO₄·6H₂O 250 ∼ 300 g/ℓ, NiCl₂·6H₂O 35 ∼ 45 g/ℓ, 붕산 10 ∼ 50 g/ℓ Liquid composition 1: NiSO ₄ .6H ₂ O 250 - 300 g / l, NiCl ₂ .6H ₂ O 35 - 45 g / l, boric acid 10 - 50 g /

액 온도 ： 30 ∼ 70 ℃Liquid temperature: 30 ~ 70 ℃

pH ： 2 ∼ 6 pH: 2-6

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 50 A/d㎡ Current density: 0.1 to 50 A / dm 2

액 조성 2 ： CrO₃200 ∼ 400 g/ℓ, H₂SO₄1.5 ∼ 4 g/ℓ Liquid composition 2: 200 to 400 g / l of CrO ₃ , 1.5 to 4 g / l of H ₂ SO ₄

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃Liquid temperature: 45 ~ 60 ℃

pH ： 1 ∼ 4 pH: 1-4

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡ Current density: 10 ~ 40 A / dm2

(실시예 11)(Example 11)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Co/크로메이트 처리의 층을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1 except that a Co / chromate treatment layer was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil.

이 경우의, Co/크로메이트 처리의 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.In this case, the intermediate layer of the Co / chromate treatment was formed by plating in a plating liquid having the following liquid composition.

액 조성 1 ： CoSO₄·7H₂O 10 ∼ 100 g/ℓ, 시트르산나트륨 2 수화물 30 ∼ 200 g/ℓ Solution Composition 1: CoSO ₄揃 7H ₂ O 10 to 100 g / ℓ, sodium citrate dihydrate 30 to 200 g / ℓ

액 온도 ： 10 ∼ 70 ℃Liquid temperature: 10 ~ 70 ℃

pH ： 3 ∼ 5 pH: 3-5

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 60 A/d㎡ Current density: 0.1 to 60 A / dm 2

액 조성 2 ： CrO₃1 ∼ 10 g/ℓ Solution Composition _{2: CrO 3 1 ~ 10 g} / ℓ

액 온도 ： 10 ∼ 70 ℃Liquid temperature: 10 ~ 70 ℃

pH ： 10 ∼ 12 pH: 10-12

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 1.0 A/d㎡ Current density: 0.1 to 1.0 A / dm < 2 >

(실시예 12)(Example 12)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 유기물층을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다.A copper layer was formed under the same conditions as in Example 1, except that an organic material layer was formed as an intermediate layer between the carrier and the copper foil.

이 경우의, 유기물층의 중간층은 액 온도 40 ℃, pH 5, 농도 1 ∼ 10 g/ℓ 의 카르복시벤조트리아졸 수용액을, 10 ∼ 60 초간 분무라는 조건으로 제작했다.In this case, the intermediate layer of the organic material layer was prepared by spraying an aqueous solution of carboxybenzotriazole having a liquid temperature of 40 DEG C, a pH of 5, and a concentration of 1 to 10 g / L, for 10 to 60 seconds.

(실시예 13)(Example 13)

비스말레이미드트리아진 수지에 대해, Ar-H₂-HF (Ar ： H₂ ： HF = 1 ： 1 ： 1) 혼합 가스 중에서 플라즈마 처리 (1) 을 10 초간 실시한 후, 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 이 순서로 실시하고, 또한 Ar 가스 중에서 플라즈마 처리 (2) 를 10 초간 실시했다.The bismaleimide triazine resin was subjected to plasma treatment (1) for 10 seconds in a mixed gas of Ar-H ₂ -HF (Ar: H ₂ : HF = 1: 1: 1) Neutralization treatment was performed in this order, and plasma treatment (2) was performed in Ar gas for 10 seconds.

·팽윤 처리 ： 팽윤 처리액 (액 조성 ： 에틸렌글리콜 농도 500 g/ℓ, 잔부수) 에 72 ℃ 에서 10 분간 침지한다.Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, Cu²⁺15 g/ℓ, Ni²⁺5 g/ℓ, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다.Dismear treatment: The desmear treatment was carried out at 80 占 폚 in a desmear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ²⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.

·중화 처리 ： 중화 처리액 (액 조성 ： 황산하이드록실아민 농도 1.5 질량％, 황산 농도 4.9 질량％, 잔부수) 에 30 ℃ 에서 5 분간 침지한다.- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

상기 플라즈마 처리 (1) 은, 수소와 불화수소의 혼합 가스를 사용하여 10 ∼ 100 초간 실시했다. 이로써, 수지 기판에 요철이 형성된다. 또, 상기 디스미어 처리에서는, 디스미어액 중에 Ni 및 Cu 를 첨가함으로써, 산화 반응이 촉진되고, 구멍이 확장된다. 또, 상기 플라즈마 처리 (2) 는, 10 ∼ 100 초간 실시했다. 당해 플라즈마 처리 (2) 에 의해 디스미어 후의 수지의 표면을 조정한다. 이와 같이, 수지에 대해, 플라즈마 처리 (1) ＋ 디스미어 처리 ＋ 플라즈마 처리 (2) 를 실시함으로써, 본 발명에 관련된 구멍 형상을 갖는 수지 기재를 제조할 수 있다.The plasma treatment (1) was conducted for 10 to 100 seconds using a mixed gas of hydrogen and hydrogen fluoride. As a result, irregularities are formed on the resin substrate. In addition, in the desmear treatment, by adding Ni and Cu to the desmear solution, the oxidation reaction is promoted and the hole is expanded. The plasma treatment (2) was conducted for 10 to 100 seconds. The surface of the resin after desmearing is adjusted by the plasma treatment (2). Thus, a resin substrate having a hole shape related to the present invention can be produced by performing plasma treatment (1) + desmear treatment + plasma treatment (2) on the resin.

-표면 처리 동박 및 캐리어가 부착된 동박의 평가-- Evaluation of copper foil with surface treated copper foil and carrier -

상기와 같이 하여 얻어진 표면 처리 동박 및 캐리어가 부착된 동박에 대해, 이하의 방법으로 각종의 평가를 실시했다. 결과를 표 4 에 나타낸다.The surface-treated copper foil and the copper foil with the carrier thus obtained were subjected to various evaluations in the following manner. The results are shown in Table 4.

-기재 표면의 평가-- Evaluation of substrate surface -

다음으로, 각 실시예, 비교예의 표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박에 대해, 가로 세로 20 cm 사이즈의 하기의 수지 기재를 준비하고, 수지 기재와 동박을, 동박의 표면 처리층을 갖는 면을 수지 기재에 접하도록 하여 적층 프레스했다. 적층 프레스의 온도, 압력, 시간은, 기재 메이커의 추천 조건 (압력 ： 20 kg/c㎡, 온도 ： 220 ℃, 시간 ： 2 hr) 을 사용했다.Next, for the surface-treated copper foil of each of the examples and comparative examples and the copper foil with the carrier, the following resin base material having a size of 20 cm square was prepared, and the resin base and the copper foil were laminated on the surface having the surface- And laminated presses were brought into contact with the resin substrate. The temperature, pressure, and time of the laminated press were set as recommended conditions (pressure: 20 kg / cm 2, temperature: 220 캜, time: 2 hr) of the substrate manufacturer.

사용 수지 ： FR4Resin used: FR4

다음으로, 수지 기재 상의 표면 처리 동박을 하기의 에칭 조건으로 전체면 에칭으로 제거했다. 또, 수지 기재 상의 캐리어가 부착된 동박에 대해서는, 캐리어를 벗긴 후, 극박 동층을 하기의 에칭 조건으로 전체면 에칭으로 제거했다. 또한, 「전체면 에칭」 이란, 동박이 두께분, 모두 제거되어, 전체면에 수지가 노출될 때까지 에칭하는 것을 말한다.Next, the surface-treated copper foil on the resin substrate was removed by the entire surface etching under the following etching conditions. For the copper foil with the carrier on the resin substrate, the carrier was peeled off, and then the ultra thin copper layer was removed by the entire surface etching under the following etching conditions. The term " whole surface etching " refers to etching all the copper foil by thickness until the resin is exposed on the entire surface.

(에칭 조건) 에칭액 ： 염화 제 2 구리 용액, HCl 농도 ： 3.5 mol/ℓ, 온도 ： 50 ℃, 비중 1.26 이 되도록 CuCl₂ 농도 조절했다.(Etching conditions) Etching solution: CuCl ₂ concentration was adjusted so as to have a cupric chloride solution, HCl concentration: 3.5 mol / l, temperature: 50 ° C, specific gravity: 1.26.

＜흰색부 평균, 흑색부 평균＞<White part average, black part average>

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 가속 전압을 15 kV 로 하여, 사진 촬영을 실시했다. 또한, 사진 촬영 시에, 관찰 시야 전체의 구멍의 윤곽이 명확하게 보이도록, 콘트라스트와 브라이트니스를 조정했다. 사진 전체가 새하얗거나 새까맣지 않아, 구멍의 윤곽을 관찰할 수 있는 상태에서 사진 촬영을 실시했다. 그리고 촬영한 사진 (SEM 이미지 (30 k 배 (30000 배))) 에 대해, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여, 백색·흑색 화상 처리 (2 치화 처리) 를 실시했다. 또한, 백색·흑색 화상 처리 (2 치화 처리) 의 임계값은 128 로 했다. 다음으로, 얻어진 화상에 대해 도 1 에 나타내는 바와 같은 종횡을 각각 3 등분하는 4 선 (A ∼ D 선) 을 그어, 각 선이 흰색부 (백색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흰색부의 길이의 합계를 구했다. 이 때, 흰색부 (백색 영역) 는, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나누었다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야 (1 시야의 크기 ： 가로 4.2 ㎛ × 세로 3.0 ㎛ = 면적 12.6 ㎛²) 에 대해 실시하고, 그 평균 ((흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흰색부 평균 (㎛) 으로 했다. 또, 4 개의 선 (A ∼ D 선) 이 흑색부 (흑색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흑색부의 길이의 합계를 구했다. 이 때, 흑색부는, 흰색부로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나누었다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야 (1 시야의 크기 ： 가로 4.2 ㎛ × 세로 3.0 ㎛ = 면적 12.6 ㎛²) 에 대해 실시하고, 그 평균 ((흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흑색부 평균 (㎛) 으로 했다.Photographing was carried out with the use of a scanning electron microscope (SEM) at an acceleration voltage of 15 kV against the etching side surface of the resin substrate of each of the examples and comparative examples. Further, at the time of photographing, the contrast and the brightness were adjusted so that the outline of the hole of the entire observation field of view could be clearly seen. The whole picture was not white or white, so we took pictures with the outline of the hole visible. Then, the photographed images (SEM image (30 k times (30000 times))) were subjected to white and black image processing (binarization processing) using Photo Shop 7.0 software. The threshold value of the white / black image processing (binarization processing) was set to 128. Next, four lines (A to D lines) dividing the vertical and horizontal directions into three parts as shown in Fig. 1 are drawn for the obtained image, and the sum of the lengths of the respective lines passing through the white part (white area) is measured. The sum of the lengths of the white portions of the D lines was obtained. At this time, the white portion (white region) is composed of a plurality of line segments that are divided into black portions (black regions). Next, the sum of the lengths of the white portions was divided by the number of the white portion segments. This is carried out with respect to the three fields of view (the size of one field of view: 4.2 占 퐉 占 3.0 占 퐉 = area 12.6 占 퐉 ² ) of the surface of the resin substrate to be measured and the average of the lengths of the white portions The sum of the three fields of view obtained by dividing by number) / 3) was defined as a white sub-average (mu m). The sum of the lengths of the four lines (A to D lines) passing through the black portion (black region) was measured, and the sum of the lengths of the black portions of the A to D lines was obtained. At this time, the black portion is composed of a plurality of line segments which are divided into white portions. Next, the sum of the lengths of the black portions was divided by the number of black portion segments. This is carried out for the three fields of view (the size of 1 field of view: 4.2 占 퐉 占 3.0 占 퐉 = area 12.6 占 퐉 ² ) of the surface of the resin substrate to be measured and the average of the lengths of the black portions The sum of the three fields of view obtained by dividing by the number) / 3) was defined as the black area average (占 퐉).

＜흰색부 최대, 흑색부 최대＞<White part maximum, black part maximum>

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부 최대, 흑색부 최대를 측정했다. 여기서, 흰색부 최대는, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 최대 길이 (인접하는 흑색부와 흑색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다. 또, 흑색부 최대는, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 최대 길이 (인접하는 흰색부와 흰색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다.With respect to the images obtained by the above-described SEM image, the maximum of the white part and the maximum of the black part were measured for the etching side surface of the resin substrate of each of the examples and comparative examples. In this case, the maximum of the white part is the maximum length of the whiteness constituted by a plurality of line segments divided into the black part (black area) by integrating the four lines (A to D lines) shown in Fig. 1 in each observation field (The maximum distance among the distances between the adjacent black portions and the black portions) is measured, and the maximum lengths of the white portions constituted by the plurality of line segments divided into the black portions (black regions) Divided by 3 (arithmetic average value). The black part maximum is a maximum length of the black part constituted by a plurality of line segments divided into white parts (white areas) by integrating the four lines (A to D lines) shown in Fig. 1 in each observation field A maximum value among the distances between adjacent white portions and white portions) is measured, and the maximum length of each of the black portions constituted by a plurality of line segments divided into white portions (white regions) Divided by 3 (arithmetic average value).

＜흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균＞&Lt; Average of 10 points from the larger side of the white part, average of 10 points from the larger side of the black part >

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균을 구했다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흰색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흰색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흰색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 A (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 A 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흑색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흑색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흑색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 B (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 B 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다.On the etching side surface of the resin substrate of each of the examples and comparative examples, an average of 10 points from the larger side of the white portion and an average of 10 points from the larger side of the black portion were obtained for the image obtained by the SEM image described above. Here, the average of 10 points from the larger side of the white portion is defined as the distance of the longest distance from the longest distance to the white portion of the longest distance, (Arithmetic mean value) obtained by dividing the value obtained by summing up to the tenth up to 10 is obtained, and the value A obtained by dividing the obtained value A in 3 view by 3 (arithmetic mean value) was obtained. The average of 10 points from the larger black portion is determined as the maximum black portion maximum in each observation field, followed by the black portion with the longer distance and then the black portion with the longer distance. (Arithmetic average value) obtained by dividing the value obtained by summing up to the 10th line is divided by 10, and the value B obtained by dividing the value B obtained in the third field by 3 (arithmetic average value).

＜흰색부 비율＞<White portion ratio>

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부와 흑색부의 합계에 대한 흰색부의 비율을 구했다. 여기서, 흰색부 비율은, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이 합계의 비율로 했다.With respect to the image obtained by the above-mentioned SEM image, the ratio of the white portion to the total of the white portion and the black portion was obtained for the etching side surface of the resin base material of each of the examples and comparative examples. Here, the white portion ratio is a ratio of the sum of the white portion length to the total of the total of the white portion length and the black portion length.

＜필 강도＞<Peel Strength>

수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면에, 팽윤 처리, 디스미어 처리 및 중화 처리를 이 순서로 실시했다. 각 처리 조건은 이하와 같다.The swelling treatment, the desmear treatment and the neutralization treatment were carried out in this order on the etched surface of the resin substrate (entire surface etching base material). The respective treatment conditions are as follows.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다.Dismear treatment: Dipping is carried out at 80 ° C for 25 minutes in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration: 4.1% by mass, sodium hydroxide concentration: 3.3% by mass, the balance).

계속해서, 상기 처리면에 무전해 구리를 석출시키기 위한 촉매 부여, 및, 칸토 화성 제조의 KAP-8 욕을 사용하여, 하기 조건으로 무전해 구리 도금을 실시했다. 얻어진 무전해 구리 도금의 두께는 0.5 ㎛ 였다.Subsequently, electroless copper plating was carried out using a KAP-8 bath manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., and a catalyst for depositing electroless copper on the treated surface. The thickness of the obtained electroless copper plating was 0.5 mu m.

CuSO₄ 농도 ： 0.06 mol/ℓ, HCHO 농도 ： 0.5 mol/ℓ, EDTA 농도 ： 0.12 mol/ℓ, pH 12.5, 첨가제 ： 2,2'-디피리딜, 첨가제 농도 ： 10 mg/ℓ, 표면 활성 제 ： REG-1000, 표면 활성제 농도 ： 500 mg/ℓ CuSO ₄ concentration: 0.06 mol / ℓ, HCHO concentration: 0.5 mol / ℓ, EDTA concentration: 0.12 mol / ℓ, pH 12.5, additive: 2,2 ' dipyridyl, additive concentration: 10 mg / ℓ, the surface-active : REG-1000, surfactant concentration: 500 mg / l

다음으로, 무전해 구리 도금 상에, 추가로 하기의 전해액을 사용하여 전해 도금을 실시했다. 구리 두께 (무전해 도금 및 전해 도금의 총 두께) 는 12 ㎛ 가 되었다.Next, electrolytic plating was carried out on the electroless copper plating using the following electrolytic solution. Copper thickness (total thickness of electroless plating and electrolytic plating) was 12 占 퐉.

단순 황산구리 전해액 ： Cu 농도 ： 100 g/ℓ, H₂SO₄ 농도 ： 80 g/ℓ Simple copper sulfate Electrolyte: Cu concentration: 100 g / l, H ₂ SO ₄ concentration: 80 g / l

상기 서술한 바와 같이 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 에 무전해 구리 도금, 전해 구리 도금을 실시하여 구리층 두께를 12 ㎛ 로 한 도금 구리 부착 적층판에 대해, 폭 10 mm 의 구리 회로를 습식 에칭에 의해 제작했다. JIS-C-6481 에 준하여, 이 구리 회로를 90 도로 박리했을 때의 강도를 측정하여, 필 강도로 했다.Electrolytic copper plating and electrolytic copper plating were performed on the resin base material (entire surface etching base material) as described above to obtain a copper layer laminate having a copper layer thickness of 12 占 퐉. A copper circuit having a width of 10 mm was subjected to wet etching . According to JIS-C-6481, the strength when the copper circuit was peeled off at 90 degrees was measured to obtain the peel strength.

실시예 1 ∼ 14 는 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 당해 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 당해 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 당해 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 평균, 흰색부 최대, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부 평균, 흑색부 최대, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흰색부 비율이 각각 소정의 범위로 제어되어 있어, 구리 회로의 필 강도가 양호해졌다.In Examples 1 to 14, when the surface-treated copper foil was bonded to the resin substrate from the side of the surface treatment layer, the surface-treated copper foil was removed, and the surface of the exposed resin substrate was subjected to the swelling treatment, the desizing treatment and the neutralization treatment, White average, white portion maximum, white portion average, black portion average, black portion maximum, black portion, average of 10 points from the larger side, average of 10 points from the larger side, , And the peel strength of the copper circuit was improved.

비교예 1 ∼ 3 은 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 당해 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 당해 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 당해 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 평균, 흰색부 최대, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부 평균, 흑색부 최대, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흰색부 비율이 각각 적절한 범위로부터 벗어나 있어, 구리 회로의 필 강도가 불량이 되었다.In Comparative Examples 1 to 3, when the surface-treated copper foil was bonded to the resin substrate from the side of the surface treatment layer, the surface-treated copper foil was removed, and the surface of the exposed resin substrate was subjected to the swelling treatment, the desizing treatment and the neutralization treatment, White average, white portion maximum, white portion average, black portion average, black portion maximum, black portion from the larger side, average of 10 points from the larger portion, and white portion ratio, respectively And the peel strength of the copper circuit became poor.

도 4 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 1 의 화상을 나타낸다.Fig. 4 shows an image of Example 1 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation in the above measurement.

도 5 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 3 의 화상을 나타낸다.Fig. 5 shows an image of Example 3 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation in the above measurement.

도 6 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 1 의 화상을 나타낸다.Fig. 6 shows an image of Comparative Example 1 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation in the above measurement.

도 7 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 2 의 화상을 나타낸다.Fig. 7 shows an image of Comparative Example 2 obtained by using Photo Shop 7.0 software used for white part and black part evaluation in the above measurement.

Claims

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the white part average of the copper foil removing side surface is 0.14 to 0.70 占 퐉, the white part maximum is 0.40 to 0.81 占 퐉, and the white part ratio is 45.5 to 70%.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the average of 10 points from the larger white portion of the copper foil removing side surface is 0.35 to 1.0 占 퐉, the maximum of the white portion is 0.40 to 0.81 占 퐉, and the white portion ratio is 45.5 to 70%.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the black part average of the copper foil removal side surface is 0.13 to 0.256 占 퐉, the white part maximum is 0.40 to 0.81 占 퐉, and the white part ratio is 45.5 to 70%.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the maximum black part of the surface of the copper foil removing side is 0.42 to 1.07 mu m, the maximum of the white part is 0.40 to 0.81 mu m, and the white part ratio is 45.5 to 70%.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the average of the ten points of the black part on the copper foil removal side surface is from 0.31 to 0.55 mu m, the maximum of the white part is from 0.40 to 0.81 mu m, and the white part ratio is from 45.5 to 70%.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Wherein the surface of the copper foil on the copper foil removal side surface satisfies 1, 2 or 3 or 4, 5 or 6 of the following (1-1) to (1-6)
(1-1) the white part average is 0.16 to 0.65 mu m,
(1-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-3) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-4) The black part average is 0.15 to 0.23 mu m,
(1-5) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-6) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 탆.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having a white part average of 0.14 to 0.70 占 퐉, a white part maximum of 0.40 to 0.81 占 퐉 and a white part ratio of 45.5 to 70%
(1) or (2) or (3) or (3) or (4) or (5) or (6) or 7 or 8 or 9 or 10 surface treated copper foil satisfying:
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having a white part maximum of the copper foil removing side surface of 0.40 to 0.81 mu m and a white part ratio of 45.5 to 70%
(1) to (1-2) and (1-4) to (1-12) on the copper foil removal side surface of the resin base material, one or two or three or four or 5 or 6 or 7 or 8 or 9 or 10 or 11,
(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having an average of 10 points from 0.35 to 1.0 占 퐉, a maximum whiteness of 0.40 to 0.81 占 퐉, and a whiteness ratio of 45.5% to 70%
(1) to (1-2) and (1-5) to (1-12) on the copper foil removing side surface of the resin base material, one or two or three or four or 5 or 6 or 7 or 8 or 9 or 10,
(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having a black part average of 0.13 to 0.256 mu m on the copper foil removing side surface, a maximum white part of 0.40 to 0.81 mu m and a white part ratio of 45.5 to 70%
(1-1), (1-2), (1-4), (1-5) and (1-7) to (1-12) described below on the copper- One or two or three or four or five or six or seven or eight or nine or ten,
(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having a black part maximum on the copper foil removing side surface of 0.42 to 1.07 mu m, a white part maximum of 0.40 to 0.81 mu m and a white part ratio of 45.5 to 70%
(1-1), (1-2), (1-4) to (1-8) and (1-10) to (1-12) on the copper- One or two or three or four or five or six or seven or eight or nine or ten,
(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-11) The average of the ten points from the black side is 0.31 to 0.55 탆,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

When the surface-treated copper foil is attached to the resin substrate from the surface treatment layer side, the surface-treated copper foil is removed, and the exposed resin substrate surface is subjected to the swelling treatment, the dispersion treatment and the neutralization treatment under the following conditions, Treated copper foil having an average of 10 points from 0.31 to 0.55 占 퐉, a maximum whiteness of 0.40 to 0.81 占 퐉, and a whiteness ratio of 45.5 to 70% from the larger black portion of the copper foil removing side surface,
(1), (1-2), (1-4) to (1-10) and (1-12) on the copper foil removal side surface of the resin base material, Three or four or five or six or seven or eight or nine or ten,
(1-1) the white portion average is 0.14 to 0.70 mu m,
(1-2) The white part average is 0.16 to 0.65 占 퐉,
(1-4) The average of the 10 points from the larger side of the white portion is 0.35 to 1.0 占 퐉,
(1-5) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-6) The black part average is 0.13 to 0.256 占 퐉,
(1-7) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-8) The black part average is 0.15 to 0.23 占 퐉,
(1-9) The black part maximum is from 0.42 to 1.07 mu m,
(1-10) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-12) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 占 퐉.
Swelling treatment: The swelling treatment liquid (liquid composition: ethylene glycol concentration: 500 g / l, the remaining number) is immersed at 72 ° C for 10 minutes.
Dismear treatment: Dismear treatment was carried out at 80 占 폚 in a dismear treatment liquid (liquid composition: sodium permanganate concentration 4.1 mass%, sodium hydroxide concentration 3.3 mass%, Cu ² ⁺ 15 g / l, Ni ²⁺ 5 g / Immerse for 25 minutes.
- Neutralization treatment: Immersed in a neutralization treatment liquid (liquid composition: 1.5% by mass of sulfuric acid hydroxylamine, 4.9% by mass of sulfuric acid, the balance) at 30 ° C for 5 minutes.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the surface treatment layer is a roughened treatment layer.

14. The method of claim 13,
Wherein the roughening treatment layer is a layer made of an alloy containing any one or more selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc.

14. The method of claim 13,
Wherein at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer is provided on the surface of the roughened treatment layer.

15. The method of claim 14,
Wherein at least one layer selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer is provided on the surface of the roughened treatment layer.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the surface treatment layer is at least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
And a resin layer on the surface treatment layer.

18. The method of claim 17,
And a resin layer on the surface treatment layer.

1. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 1, wherein the ultra-thin copper layer has a carrier.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is adhered, wherein the ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil according to claim 2.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 3, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the copper foil is the surface-treated copper foil according to claim 4, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 5, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

7. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, the copper foil having the ultra-thin copper foil as claimed in claim 7, wherein the carrier is adhered.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 8, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 9, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is a surface-treated copper foil according to claim 10, wherein the ultra-thin copper layer is a carrier.

11. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is adhered, wherein the ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil according to claim 11.

12. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, the copper foil having the ultra-thin copper foil as claimed in claim 12.

18. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, the copper foil having the carrier as described above, wherein the ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil.

A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the carrier is adhered, wherein the ultra-thin copper layer is the surface-treated copper foil according to claim 19.

A copper foil having a carrier provided on both sides of a carrier, the carrier having an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the ultra thin copper foil is the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12, .

12. A copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, wherein the ultra thin copper foil is the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12,
And a roughening treatment layer on the side opposite to the ultra thin copper layer of the carrier.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Wherein the white part average is 0.14 to 0.70 mu m when the mear treatment and the neutralization treatment are carried out.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Wherein when the miter treatment and the neutralization treatment are carried out, the maximum white part is 0.40 to 0.81 mu m.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Mage treatment, and neutralization treatment, an average of 10 points from the larger side of the white portion becomes 0.35 to 1.0 占 퐉.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Wherein when the mear treatment and the neutralization treatment are carried out, the black part average is 0.13 to 0.256 mu m.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Wherein the maximum black part is 0.42 to 1.07 mu m when subjected to a mear treatment and a neutralization treatment.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, Wherein the average of the ten points from the black portion to the black portion is from 0.31 to 0.55 mu m when the mear treatment and the neutralization treatment are carried out.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, The white part ratio is 45.5 to 70% when the mear treatment and the neutralization treatment are carried out.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, which is obtained by bonding a surface-treated layer side to a substrate and removing the surface-treated copper foil, or a carrier according to any one of claims 20 to 30 Treating the surface of the substrate exposed by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered, and subjecting the exposed surface of the substrate to a swelling treatment, 1, 2, or 3 or 4, or 5 or 6 out of the following (1-1) to (1-6) when subjected to a mear treatment and a neutralization treatment:
(1-1) the white part average is 0.16 to 0.65 mu m,
(1-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion is 0.36 to 0.9 탆,
(1-3) The black part average is 0.14 to 0.24 mu m,
(1-4) The black part average is 0.15 to 0.23 mu m,
(1-5) The black part maximum is 0.5 to 1.0 占 퐉,
(1-6) The average of the ten points from the black side is 0.32 to 0.53 탆.

A laminate produced by using the surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12 or the copper foil with the carrier according to any one of claims 20 to 30.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, or a laminate containing a copper foil and a resin with a carrier according to any one of claims 20 to 30, Or a part or all of a cross section of the copper foil on which the carrier is adhered is covered by the resin.

The method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 20 to 30, wherein a copper foil having a carrier is attached from the carrier side or the ultra thin copper layer side to the carrier according to any one of claims 20 to 30 Laminated on the carrier side or the ultra thin copper layer side of the copper foil.

A process for preparing a surface-treated copper foil and an insulating substrate according to any one of claims 1 to 12,
A step of laminating the surface-treated copper foil on the insulating substrate from the surface treatment layer side,
Removing the surface-treated copper foil on the insulating substrate,
A step of forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the surface-treated copper foil is removed
And a step of forming the printed circuit board.

A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing the copper foil and the insulating substrate with the carrier according to any one of claims 20 to 30;
A step of laminating the copper foil with the carrier on the insulating substrate from the ultra-
A step of removing the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered after laminating the copper foil with the carrier and the insulating substrate,
Removing the ultra thin copper layer on the insulating substrate after peeling off the carrier,
A step of forming a circuit on the surface of the insulating substrate from which the ultra thin copper layer is removed
And a step of forming the printed circuit board.

A process for preparing a surface-treated copper foil and an insulating substrate according to any one of claims 1 to 12,
The surface-treated copper foil is laminated on the insulating substrate from the surface treatment layer side to form a copper clad laminate,
And then forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing the copper foil and the insulating substrate with the carrier according to any one of claims 20 to 30;
A step of laminating the copper foil with the carrier on the insulating substrate from the ultra-
After the step of laminating the copper foil on which the carrier is adhered and the insulating substrate is peeled off from the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered to form a copper clad laminate,
And then forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12, wherein a circuit is formed on the surface of the surface treatment layer side, or the surface-treated copper foil according to any one of claims 20 to 30 wherein a circuit is formed on the surface of the ultra- , A step of preparing a copper foil with a carrier described in
Forming a resin layer on the surface of the surface-treated copper foil or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,
A step of forming a circuit on the surface of the resin layer,
A step of exposing a circuit buried in the resin layer by removing the surface-treated copper foil or the copper foil on which the carrier is adhered,
And a step of forming the printed circuit board.

A metal foil on which a circuit is formed on the surface or a first surface-treated copper foil on which a circuit is formed on the surface on which the surface treatment layer is formed or a metal foil with a carrier on which a circuit is formed on the surface of the ultra- Preparing a copper foil with a first carrier on which a circuit is formed,
Forming a resin layer on the surface of the metal foil or on the surface of the first surface-treated copper foil or on the surface of the metal foil on which the carrier is adhered or on the surface of the copper foil to which the first carrier is adhered,
A step of laminating a second surface-treated copper foil on the resin layer from the side of the surface treatment layer or a step of laminating the copper foil on which the second carrier is adhered on the resin layer from the ultra-
When the foil laminated on the resin layer is a copper foil with the second carrier attached thereto, the step of peeling off the carrier of the copper foil on which the second carrier is attached,
A step of removing a second surface treated copper foil on the resin layer or an ultra thin copper foil remaining after peeling off a carrier of a copper foil on which the second carrier is adhered,
A step of forming a circuit on the surface of the resin layer from which the second surface treated copper foil is removed or the surface of the resin layer from which the ultra thin copper foil remaining after the carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered is removed,
By removing the metal foil after the circuit is formed on the resin layer or by removing the first surface treated copper foil or by removing the ultra thin metal layer after peeling the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered or And a step of exposing a circuit buried in the resin layer by removing the ultra thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the first carrier,
Wherein the first surface-treated copper foil and the second surface-treated copper foil are the surface-treated copper foils according to any one of claims 1 to 12, respectively, and the copper foil with the first carrier and the copper foil with the second carrier Is a copper foil having the carrier according to any one of claims 20 to 29.

The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12, wherein a circuit is formed on the surface of the surface treatment layer side, or the surface-treated copper foil according to any one of claims 20 to 30 wherein a circuit is formed on the surface of the ultra- , A step of preparing a copper foil with a carrier described in
Forming a resin layer on the surface of the surface-treated copper foil or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,
A step of laminating a metal foil on the resin layer or a step of laminating a metal foil with a carrier on the resin layer from the side of the ultra-
When the foil laminated on the resin layer is a metal foil on which the carrier is adhered, the step of peeling off the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered,
A step of removing the metal foil on the resin layer or the ultra thin metal layer remaining after the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered is peeled off,
A step of forming a circuit on the surface of the resin layer from which the metal foil is removed or the surface of the resin layer from which the ultra thin copper layer has been removed,
A circuit buried in the resin layer is exposed by removing the surface-treated copper foil after forming the circuit on the resin layer, or removing the ultra-thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the carrier attached thereto fair
And a step of forming the printed circuit board.

A metal foil on which a circuit is formed on the surface or a first surface-treated copper foil on which a circuit is formed on the surface on which the surface treatment layer is formed or a metal foil with a carrier on which a circuit is formed on the surface of the ultra- Preparing a copper foil with a first carrier on which a circuit is formed,
Forming a resin layer on the surface of the metal foil or on the surface of the first surface-treated copper foil or on the surface of the metal foil on which the carrier is adhered or on the surface of the copper foil to which the first carrier is adhered,
A step of laminating a second surface-treated copper foil on the resin layer from the side of the surface treatment layer or a step of laminating the copper foil on which the second carrier is adhered on the resin layer from the ultra-
When the foil laminated on the resin layer is a copper foil with the second carrier attached thereto, the step of peeling off the carrier of the copper foil on which the second carrier is attached,
The second surface-treated copper foil on the resin layer, or the ultra-fine copper foil on which the carrier of the copper foil on which the second carrier is adhered is peeled off, is used as the semi-additive method, the subtractive method, the partly additive method, A step of forming a circuit on the resin layer by any of the additive method,
By removing the metal foil after the circuit is formed on the resin layer or by removing the first surface treated copper foil or by removing the ultra thin metal layer after peeling the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered or , A step of exposing a circuit buried in the resin layer by removing the ultra thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the first carrier attached thereto
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Wherein the first surface-treated copper foil and the second surface-treated copper foil are the surface-treated copper foils according to any one of claims 1 to 12, respectively, and the copper foil with the first carrier and the copper foil with the second carrier Is a copper foil having the carrier according to any one of claims 20 to 29.

The surface-treated copper foil according to any one of claims 1 to 12, wherein a circuit is formed on the surface of the surface treatment layer side, or the surface-treated copper foil according to any one of claims 20 to 30 wherein a circuit is formed on the surface of the ultra- , A step of preparing a copper foil with a carrier described in
Forming a resin layer on the surface of the surface-treated copper foil or the surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,
A step of laminating a metal foil on the resin layer or a step of laminating a metal foil with a carrier on the resin layer from the side of the ultra-
When the foil laminated on the resin layer is a metal foil on which the carrier is adhered, the step of peeling off the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered,
The metal foil on the resin layer or the carrier of the metal foil on which the carrier is adhered is peeled off and the ultra thin metal layer is used to remove the metal foil on the resin layer by any one of the semiadditive method, the subtractive method, the partly additive method and the modified semi- A step of forming a circuit on the resin layer,
A circuit buried in the resin layer is exposed by removing the surface-treated copper foil after forming the circuit on the resin layer, or removing the ultra-thin copper layer after peeling the carrier of the copper foil with the carrier attached thereto fair
And a step of forming the printed circuit board.

A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: laminating the ultra thin copper layer side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 20 to 30 or the carrier side surface and a resin substrate;
A step of forming at least one layer of a resin layer and a circuit on the surface of the ultra thin copper layer on the side opposite to the side of the copper foil on which the carrier is laminated with the resin substrate or on the carrier side surface,
A step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier is adhered after forming the two layers of the resin layer and the circuit
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming at least once two layers of a resin layer and a circuit on one or both surfaces of the laminate according to claim 43,
After the two layers of the resin layer and the circuit are formed, the step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier constituting the laminate is adhered
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming at least one resin layer and two layers of circuit on at least one side of the laminate according to claim 44,
After the two layers of the resin layer and the circuit are formed, the step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier constituting the laminate is adhered
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming at least one resin layer and two layers of circuit on at least one side of the laminate according to claim 45,
After the two layers of the resin layer and the circuit are formed, the step of peeling the carrier or the ultra thin copper layer from the copper foil on which the carrier constituting the laminate is adhered
And a step of forming the printed circuit board.

And a white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 탆.

Wherein the average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is larger than 0.457 to 1.0 占 퐉.

And a black part maximum of the surface is more than 0.605 to 1.07 탆.

Wherein the average of the ten points from the black side portion of the surface is greater than 0.335 to 0.55 占 퐉.

Wherein a white part average of the surface is in the range of more than 0.23 to 0.70 占 퐉 and satisfies one or two or three or four or five of the following (2-2) to (2-6)
(2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,
(2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,
(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,
(2-5) The average of 10 points from the larger side of the black part of the surface is more than 0.335 to 0.55 탆,
(2-6) The white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%.

The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉 and one or two or three or four of the following (2-1) and (2-3) to (2-6) A resin substrate:
(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,
(2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,
(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,
(2-5) The average of 10 points from the larger side of the black part of the surface is more than 0.335 to 0.55 탆,
(2-6) The white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%.

(2-1) to (2-2) and (2-4) to (2-5), wherein the black part average of the surface is in the range of more than 0.20 to 0.256 占 퐉. Resin substrate:
(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,
(2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,
(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,
(2-5) The average of the ten points from the black portion of the surface is larger than 0.335 to 0.55 탆.

(2-1) to (2-3) and (2-5) to (2-6), wherein the black part maximum of the surface is in the range of more than 0.605 to 1.07 탆 and one or two or three or four A resin substrate:
(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,
(2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,
(2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,
(2-5) The average of 10 points from the larger side of the black part of the surface is more than 0.335 to 0.55 탆,
(2-6) The white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%.

(2-1) to (2-4) and (2-6), wherein the average of the ten points from the black portion of the surface is 0.335 to 0.55 mu m, and one or two or three or four A resin substrate:
(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,
(2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,
(2-3) the black average of the surface is more than 0.20 to 0.256 mu m,
(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,
(2-6) The white portion ratio of the surface is more than 68% to 70%.

(2-1) to (2-2), (2-4) to (2-5), wherein the white portion ratio of the surface is in the range of 68 to 70% Resin substrate:
(2-1) the white part average of the surface is more than 0.23 to 0.70 m,
(2-2) The average of 10 points from the larger side of the white portion of the surface is more than 0.457 to 1.0 占 퐉,
(2-4) has a black part maximum of from more than 0.605 to 1.07 mu m,
(2-5) The average of the ten points from the black portion of the surface is larger than 0.335 to 0.55 탆.

69. The method according to any one of claims 59 to 68,
Semi-additive construction method, resin substrate.

42. A laminate produced by using the substrate according to claim 42.

A laminate produced by using the resin substrate according to any one of claims 59 to 68.

A surface-treated copper foil as set forth in any one of claims 1 to 12, or a copper foil having a carrier according to any one of claims 20 to 30, or a copper foil as set forth in any one of items 59 to 68 And the resin substrate described in item (1) above.

42. A printed wiring board produced using the substrate according to claim 42.

72. An electronic device using the printed wiring board according to claim 72.

An electronic device using the printed wiring board according to claim 73.

A surface-treated copper foil and a resin base material, or a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer laminated in this order on a carrier,
A step of laminating the surface-treated copper foil or the copper foil having the carrier on the resin base material from the surface treatment layer side or the ultra-thin copper layer side,
When the foil laminated on the resin substrate is a copper foil with a carrier adhered thereto, the step of peeling off the carrier from the copper foil on which the carrier is adhered,
A step of removing the surface-treated copper foil or the ultra thin copper layer on the resin base to obtain the resin base according to any one of claims 59 to 68,
A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil or the ultra-thin copper layer is removed
And a step of forming the printed circuit board.

A surface treated copper foil or a copper foil with a carrier formed by laminating a carrier, an intermediate layer and an ultra thin copper layer in this order is laminated on the resin substrate described in any one of items 59 to 68 from the side of the surface treatment layer or the ultra- A step of peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered when the foil laminated on the resin base material is a copper foil having a carrier adhered thereto, and a step of peeling the carrier on the copper- A step of forming a circuit by any one of an additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method.

Preparing a metal foil having a circuit on its surface,
A step of forming a resin base material on the surface of the metal foil so that the circuit is buried,
A step of laminating a copper foil with a carrier having a surface-treated copper foil or carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order on the resin base material from the side of the surface treatment layer or the ultra-
When the foil laminated on the resin base material is a copper foil with a carrier adhered thereto, the step of peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered,
A step of removing the surface-treated copper foil or the ultra thin copper layer on the resin base to obtain the resin base according to any one of claims 59 to 68,
A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil or the ultra-thin copper layer is removed,
Removing the metal foil to expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin substrate;
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming a circuit on an ultra-fine copper layer side surface of a copper foil on which a first carrier is adhered, in which a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer are stacked in this order,
Forming a resin base material on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil to which the first carrier is attached so that the circuit is buried,
A step of preparing a copper foil having a second carrier laminated by stacking a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order, and laminating the copper foil on the resin base material from the ultra-
A step of removing the carrier of the copper foil on which the second carrier is attached after the copper foil with the second carrier is laminated on the resin base material,
A step of removing the ultra thin copper layer on the resin substrate after peeling off the carrier of the copper foil with the second carrier to obtain the resin substrate according to any one of items 59 to 68,
A step of forming a circuit on the surface of the resin substrate from which the ultra thin copper layer is removed,
A step of peeling the carrier of the copper foil with the first carrier after the circuit is formed on the resin base,
Wherein the first carrier-adhered copper foil is peeled off after the first carrier-adhered copper foil is peeled off, and the ultra-fine copper layer of the copper foil on which the first carrier is adhered is removed, A step of exposing a buried circuit
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming a circuit on an ultra-fine copper layer side surface of a copper foil having a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer in this order,
Forming a resin base material on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil on which the carrier is adhered so that the circuit is buried,
A step of laminating the surface-treated copper foil on the resin base material from the side of the surface treatment layer,
A step of removing the surface-treated copper foil on the resin base to obtain the resin base according to any one of claims 59 to 68,
A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil is removed,
A step of forming a circuit on the resin substrate and then peeling the carrier of the copper foil on which the carrier is adhered,
A circuit buried in the resin base material formed on the surface of the ultra thin copper layer of the copper foil on which the carrier is adhered by removing the ultra thin copper layer of the copper foil on which the carrier is adhered is peeled off after the carrier of the copper foil with the carrier is peeled off Exposing process
And a step of forming the printed circuit board.

Preparing a metal foil having a circuit on its surface,
Forming a resin substrate according to any one of claims 59 to 68 on the surface of the metal foil so that the circuit is buried,
A step of forming a circuit on the resin substrate by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method,
Removing the metal foil to expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin substrate;
And a step of forming the printed circuit board.

A step of forming a circuit on an ultra-fine copper layer side surface of a copper foil on which a first carrier is adhered, in which a carrier, an intermediate layer and an ultra-thin copper layer are stacked in this order,
Forming a resin substrate according to any one of claims 59 to 68 on the surface of the ultra thin copper layer side of the copper foil on which the first carrier is adhered,
A step of forming a circuit on the resin substrate by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method and a modified semi-additive method,
A step of peeling the carrier of the copper foil with the first carrier after the circuit is formed on the resin base,
Wherein the first carrier-adhered copper foil is peeled off after the first carrier-adhered copper foil is peeled off, and the ultra-fine copper layer of the copper foil on which the first carrier is adhered is removed, A step of exposing a buried circuit
And a step of forming the printed circuit board.