KR20180086125A - A device for depositing material on a substrate, a system for depositing one or more layers on a substrate, and a method for monitoring a vacuum deposition system - Google Patents
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Abstract
본 개시내용은 기판(10) 상에서의 재료의 증착을 위한 장치(100)를 제공한다. 장치(100)는 진공 챔버(110), 진공 챔버(110) 내의 적어도 하나의 증착 소스(120), 적어도 하나의 증착 소스(120)에서의 셰이퍼 디바이스(130) ― 셰이퍼 디바이스(130)는 적어도 하나의 증착 소스(120)로부터 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성됨 ―, 및 진공 챔버(110) 내의 카메라 디바이스(140)를 포함하고, 카메라 디바이스(140)는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성된다.The present disclosure provides an apparatus (100) for depositing material on a substrate (10). The apparatus 100 includes at least one deposition source 120 in a vacuum chamber 110 and at least one shaper device 130-shaper device 130 in at least one deposition source 120, And the camera device 140 in the vacuum chamber 110 and the camera device 140 is configured to block material accumulation on the shaper device 130 Lt; / RTI >
Description
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치, 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템, 및 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, OLED(organic light-emitting diode) 디바이스들의 제조에서 유기 재료들의 증착에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present disclosure are directed to an apparatus for depositing material on a substrate, a system for depositing one or more layers on a substrate, and a method for monitoring a vacuum deposition system. Embodiments of the present disclosure particularly relate to the deposition of organic materials in the manufacture of organic light-emitting diode (OLED) devices.
[0002] 기판 상에서의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 열 증발, PVD(physical vapor deposition), 및 CVD(chemical vapor deposition)를 포함한다. 코팅된 기판들은 몇몇 애플리케이션들에서 그리고 몇몇 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 기판들은 OLED(organic light emitting diode) 디바이스들의 분야에서 사용될 수 있다. OLED들은 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드 디바이스들 등의 제조에서 사용될 수 있다. OLED 디스플레이와 같은 OLED 디바이스는, 모두 기판 상에 증착되는 2개의 전극들 사이에 위치된 유기 재료의 하나 또는 그 초과의 층들을 포함할 수 있다.[0002] Techniques for layer deposition on a substrate include, for example, thermal evaporation, physical vapor deposition (PVD), and chemical vapor deposition (CVD). Coated substrates can be used in several applications and in some technical fields. For example, coated substrates can be used in the field of organic light emitting diode (OLED) devices. OLEDs can be used in the manufacture of television screens, computer monitors, mobile phones, other hand-held devices, etc. for displaying information. An OLED device, such as an OLED display, may include one or more layers of organic material, all located between two electrodes deposited on a substrate.
[0003] 증발 소스는 기판 상에 층들, 이를테면, 유기 재료의 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하는 데 사용될 수 있다. 증발된 재료는 또한, 진공 증착 시스템의 다양한 컴포넌트들 상에 증착될 수 있다. 증착된 재료는, 예컨대, 진공 증착 시스템의 조작성(operability)을 보장하기 위해, 미리 결정된 서비스 인터벌들에서 컴포넌트들 중 적어도 일부로부터 제거되어야 한다.[0003] The evaporation source may be used to deposit layers on the substrate, such as one or more layers of organic material. The evaporated material may also be deposited on various components of a vacuum deposition system. The deposited material must be removed from at least some of the components at predetermined service intervals, for example, to ensure operability of the vacuum deposition system.
[0004] 상기 내용을 고려하여, 당해 기술 분야의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 새로운 장치들, 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템들, 및 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법이 유리하다. 본 개시내용은 특히, 진공 증착 시스템의 다운타임(downtime)을 감소시키기 위해 효율적 세정 프로세스를 제공할 수 있는 장치, 시스템 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.[0004] In view of the foregoing, there is a need for new devices for depositing materials on a substrate, systems for depositing one or more layers on a substrate, A method for monitoring the system is advantageous. The present disclosure is particularly directed to providing an apparatus, system, and method that can provide an efficient cleaning process to reduce the downtime of a vacuum deposition system.
[0005] 상기 내용을 고려하여, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치, 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템, 및 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가의 양상들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.[0005] In view of the foregoing, there is provided an apparatus for depositing material on a substrate, a system for depositing one or more layers on the substrate, and a method for monitoring a vacuum deposition system. Further aspects, benefits, and features of the present disclosure are apparent from the claims, the description, and the accompanying drawings.
[0006] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치가 제공된다. 장치는 진공 챔버, 진공 챔버 내의 적어도 하나의 증착 소스, 적어도 하나의 증착 소스에서의 셰이퍼 디바이스(shaper device) ― 셰이퍼 디바이스는 적어도 하나의 증착 소스로부터 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성됨 ―, 및 진공 챔버 내의 카메라 디바이스를 포함하고, 카메라 디바이스는 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성된다.[0006] According to one aspect of the present disclosure, an apparatus for depositing a material on a substrate is provided. The apparatus comprises a vacuum chamber, at least one deposition source in the vacuum chamber, a shaper device at the at least one deposition source, the shaper device configured to block at least a portion of the material emitted from the at least one deposition source, and And a camera device in the vacuum chamber, wherein the camera device is configured to monitor material accumulation on the shaper device.
[0007] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템이 제공된다. 시스템은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치, 진공 챔버 내로 기판을 로딩하기 위해 진공 챔버에 연결된 로드 록 챔버(load lock chamber), 및 상부에 증착된 하나 또는 그 초과의 층들을 갖는 기판을 진공 챔버로부터 언로딩하기 위해 진공 챔버에 연결된 언로드 록 챔버(unload lock chamber)를 포함한다.[0007] According to another aspect of the present disclosure, a system for depositing one or more layers on a substrate is provided. The system comprises an apparatus for depositing material on a substrate, a load lock chamber connected to a vacuum chamber for loading a substrate into a vacuum chamber, And an unload lock chamber connected to the vacuum chamber for unloading the substrate having layers thereon from the vacuum chamber.
[0008] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에서의 증착을 위해 증발 소스를 사용하여 재료를 증발시키는 단계, 및 진공 챔버 내에 설치된 카메라 디바이스를 사용하여, 증발 소스로부터 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성된 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하는 단계를 포함한다.[0008] According to yet another aspect of the present disclosure, a method for monitoring a vacuum deposition system is provided. The method includes depositing material on a shaper device configured to block at least a portion of the material emanating from the evaporation source, using evaporation source material for evaporation on the substrate, and using a camera device installed in the vacuum chamber And monitoring.
[0009] 실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 각각의 설명된 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명된 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.[0009] Embodiments also relate to apparatus for performing the disclosed methods, and include apparatus portions for performing each of the described method aspects. These methodological aspects may be performed by hardware components, by a computer programmed by appropriate software, by any combination of the two, or in any other manner. In addition, embodiments in accordance with the present disclosure also relate to methods for operating the described apparatus. The methods for operating the described apparatus include method aspects for performing all of the respective functions of the apparatus.
[0010]
본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치의 개략도를 도시하고;
도 2는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치의 개략도를 도시하고;
도 3은 본원에서 설명되는 또 다른 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치의 개략도를 도시하고;
도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 셰이퍼 디바이스를 갖는 증발 소스의 개략도를 도시하고;
도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템을 도시하고;
도 6a 내지 도 6d는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 상이한 포지션들에서 증착 소스를 갖는, 도 5의 시스템의 개략도들을 도시하고; 그리고
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.[0010] In the manner in which the above-recited features of the present disclosure can be understood in detail, a more particular description of the present disclosure, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below:
1 shows a schematic view of an apparatus for deposition of material on a substrate, according to embodiments described herein;
Figure 2 shows a schematic view of an apparatus for depositing material on a substrate, according to other embodiments described herein;
Figure 3 shows a schematic view of an apparatus for depositing material on a substrate, according to further embodiments described herein;
Figure 4 shows a schematic view of an evaporation source with a shaper device, according to embodiments described herein;
Figure 5 illustrates a system for depositing one or more layers on a substrate, according to embodiments described herein;
Figures 6A-6D illustrate schematic diagrams of the system of Figure 5 with an evaporation source at different positions, in accordance with the embodiments described herein; And
Figure 7 shows a flow diagram of a method for monitoring a vacuum deposition system, in accordance with embodiments described herein.
[0011] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명을 위해 제공되며, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은 또 다른 추가의 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 이러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.[0011] Reference will now be made in detail to various embodiments of the present disclosure, and one or more examples of various embodiments are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. In general, only differences for the individual embodiments are described. Each example is provided for the purpose of describing the present disclosure and is not intended as a limitation of the disclosure. Further, the features illustrated or described as part of one embodiment may be used with other embodiments or with other embodiments to produce yet another additional embodiment. The description is intended to cover such modifications and variations.
[0012] 증착 소스에 의해 배출되는 재료는, 예컨대, 방출되는 재료의 플룸(plume)을 성형하는 데 사용되는 셰이퍼 디바이스와 같은, 진공 증착 시스템의 다양한 컴포넌트들 상에 증착될 수 있다. 컴포넌트들은 진공 증착 시스템의 조작성을 보장하기 위해 수시로 세정될 수 있다. 본 개시내용은, 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해, 진공 챔버 내부에 로케이팅된 카메라 디바이스를 사용한다. 축적된 재료를 셰이퍼 디바이스로부터 제거하기 위한 세정 프로세스는 모니터링된 재료 축적에 기반하여 수행될 수 있다. 세정 프로세스는 효율적 방식으로 수행될 수 있으며, 진공 증착 시스템의 다운타임이 최소화될 수 있다.[0012] The material evacuated by the deposition source may be deposited on various components of a vacuum deposition system, such as, for example, a shaper device used to shape a plume of ejected material. The components can be cleaned from time to time to ensure operability of the vacuum deposition system. The present disclosure uses a camera device located within a vacuum chamber to monitor material accumulation on a shaper device. A cleaning process to remove the accumulated material from the shaper device may be performed based on the monitored material accumulation. The cleaning process can be performed in an efficient manner and the downtime of the vacuum deposition system can be minimized.
[0013]
도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판(10) 상에서의 재료의 증착을 위한 장치(100)의 개략적 평면도를 도시한다.[0013]
Figure 1 shows a schematic plan view of an
[0014]
장치(100)는 진공 챔버(110), 진공 챔버(110) 내의 적어도 하나의 증착 소스(120), 적어도 하나의 증착 소스(120)에 있는 셰이퍼 디바이스(130), 및 진공 챔버(110) 내의 카메라 디바이스(140)를 포함한다. 카메라 디바이스(140)는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성된다. 셰이퍼 디바이스(130)는 적어도 하나의 증착 소스(120)로부터 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성된다. 특히, 셰이퍼 디바이스(130)는 적어도 하나의 증착 소스(120)로부터 방출되는 재료의 방출 각도를 정의하도록 구성될 수 있다.[0014]
The
[0015]
재료는 적어도 하나의 증착 소스(120)로부터 방출 방향(1)으로, 코팅될 기판(10)이 로케이팅된 증착 영역을 향해 방출될 수 있다. 예컨대, 적어도 하나의 증착 소스(120)는 적어도 하나의 증착 소스(120)의 길이를 따라 적어도 하나의 라인 상에 배열되는 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 갖는 라인 소스를 제공할 수 있다. 재료는 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 통해 배출될 수 있다. 복수의 개구들 및/또는 노즐들은 방출 방향(1)을 정의하도록 성형될 수 있다.[0015]
The material may be emitted from the at least one
[0016]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 셰이퍼 디바이스(130)는 적어도 하나의 증착 소스(120)에 의해 배출되는 재료의 분포 콘(distribution cone) 또는 플룸을 범위지정(delimit)하도록 구성될 수 있다. 예로서, 적어도 하나의 증착 소스(120)는, 예컨대 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 갖는 증발 소스이고, 셰이퍼 디바이스(130)는 증발 소스에 의해 증발되는 재료의 분포 콘을 범위지정하도록 구성된다. 셰이퍼 디바이스(130)는, 재료가 증착될 기판(10) 또는 기판 표면에 수직인 평면에 대해, 미리 결정된 각도보다 더 큰 각도들, 이를테면, 큰 각도들, 예컨대 10° 또는 그 초과, 20° 또는 그 초과, 또는 심지어 30° 또는 그 초과로 방출되는 재료를 컷오프 또는 차단하는 데 사용될 수 있다. 또한, 셰이퍼 디바이스(130)는 증착 영역을 향한 열 방사를 감소시키도록 구성될 수 있다. 셰이퍼 디바이스(130)는 도 4와 관련하여 추가로 설명된다.[0016]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0017]
일부 구현들에서, 셰이퍼 디바이스(130)의 적어도 일부는, 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해 카메라 디바이스(140)의 시야(field of view)(142) 내에 배열된다. 특히, 셰이퍼 디바이스(130)의 적어도 일부는 카메라 디바이스(140)에 대한 직접적 시선(direct line of sight)에 포지셔닝될 수 있다. 예로서, 카메라 디바이스(140)는, 카메라 디바이스(140)가 증착 프로세스에 간섭하지 않도록, 기판(10) 위의 및/또는 뒤의 포지션에 배열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 예컨대 적어도 하나의 증착 소스(120)의 최상부 상에 장착되는 카메라 디바이스(140)가 제공될 수 있으며, 셰이퍼 디바이스(130)의 적어도 일부는 카메라 디바이스(140)의 시야(142) 내에 배열된다.[0017]
In some implementations, at least a portion of the
[0018]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 카메라 디바이스(140)는 하나 또는 그 초과의 카메라들, 이를테면, 이미지 카메라들, 비디오 카메라들, 고해상도 카메라들, 적외선 카메라들, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다. 일부 구현들에서, 카메라 디바이스(140)는 이미지들을 미리 결정된 시간 인터벌들로, 이를테면, 1초당 1회, 1분당 1회, 1시간당 1회, 또는 심지어 1일당 1회 제공하도록 구성될 수 있다. 다른 구현들에서, 카메라 디바이스(140)는 셰이퍼 디바이스(130) 및/또는 재료 축적을 연속적으로 모니터링하도록 구성될 수 있다. 예로서, 카메라 디바이스(140)는 재료 축적의 실시간 모니터링을 제공할 수 있다.[0018]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0019]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 장치(100)는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 결정하도록 구성된 모니터링 디바이스(150)를 더 포함한다. 모니터링 디바이스(150)는 무선 링크에 의해 및/또는 케이블에 의해 카메라 디바이스(140)에 연결될 수 있다. 예로서, 데이터 송신을 위해 카메라 디바이스(140)와 모니터링 디바이스(150)를 연결하기 위한 USB 연결이 제공될 수 있다.[0019]
In accordance with some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0020]
일부 구현들에서, 모니터링 디바이스(150)는 셰이퍼 디바이스(130) 상에 축적된 재료의 물리적 특징들과 같은 하나 또는 그 초과의 특징들을 결정하도록 구성될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 특징들은 층 두께, 컬러, 컬러 스펙트럼, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 예로서, 모니터링 디바이스(150)는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적의 하나 또는 그 초과의 특징들을 결정하기 위해 소프트웨어를 사용한다. 소프트웨어는 카메라 디바이스(140)에 의해 제공되는 이미지 데이터와 같은 데이터의 평가를 위해 구성된 알고리즘을 포함할 수 있다. 소프트웨어 및 특히 알고리즘은 카메라 디바이스(140)에 의해 제공된 데이터로부터 하나 또는 그 초과의 특징들을 유도하도록 구성될 수 있다. 모니터링 디바이스(150)는, 하나 또는 그 초과의 특징들에 관한 정보를 디스플레이하도록 구성된 사용자 인터페이스, 이를테면 디스플레이를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 모니터링 디바이스(150)는 셰이퍼 디바이스(130)의 형상 또는 윤곽(contour)을 결정하도록 구성될 수 있다. 재료 축적은, 형상 또는 윤곽의 변화, 예컨대 재료 축적에 의해 야기되는 형상의 확대에 기반하여 결정될 수 있다. 예로서, 기준 형상은 실제 또는 결정된 형상과 비교될 수 있고, 그 비교에 기반하여 재료 축적이 결정될 수 있다.[0020]
In some implementations, the
[0021]
모니터링 디바이스(150)는 카메라 디바이스(140)의 포커스를 사용하여 셰이퍼 디바이스(130) 상에 축적된 재료의 층 두께를 결정하도록 구성될 수 있다. 예로서, 카메라 디바이스(140)의 포커스는 고정된 세팅을 가질 수 있다. 층 두께는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료의 축적에 의해 야기된 디-포커싱(de-focusing)의 양으로부터 유도될 수 있다. 다른 예에서, 카메라 디바이스(140)의 포커스는 재료가 축적되는 동안, 예컨대 오토 포커스를 사용하여 변화될 수 있어서, 셰이퍼 디바이스(130)의 모니터링되는 부분, 및 특히 축적된 재료가 명확하게 재생된다. 다시 말해, 카메라 디바이스(140)에 의해 제공되는 이미지는 선명한 또는 포커싱된 이미지이다. 층 두께는 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료의 축적에 의해 야기된 포커스의 변화량으로부터 유도될 수 있다.[0021]
The
[0022]
부가적으로 또는 대안적으로, 모니터링 디바이스(150)는 축적된 재료의 컬러 또는 컬러 스펙트럼에 기반하여, 축적된 재료의 양을 결정하도록 구성될 수 있다. 특히, 컬러 또는 컬러 스펙트럼은 재료의 축적에 따라 변화될 수 있다. 층 두께는 컬러 또는 컬러 스펙트럼으로부터 유도될 수 있다.[0022]
Additionally or alternatively, the
[0023]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 장치(100)는 셰이퍼 디바이스(130) 상에 축적된 재료를 제거하기 위해 셰이퍼 디바이스(130)를 가열하도록 구성된 가열 디바이스를 더 포함한다. 특히, 수집된 재료는 셰이퍼 디바이스(130)를 세정하기 위해 재증발될 수 있다. 셰이퍼 디바이스(130)를 세정하는 것은, 예컨대 적어도 하나의 증착 소스(120)의 노즐들이, 응축된 재료에 의해 막히는 것을 방지할 수 있다. 가열 디바이스는 전기 가열기 또는 유도 가열기일 수 있다.[0023]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0024]
일부 구현들에서, 장치(100)는 모니터링된 재료 축적에 기반하여, 셰이퍼 디바이스(130)를 가열하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 조정하도록 구성된다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들은 가열 시작 시간, 최대 가열 온도, 온도 램프 레이트(temperature ramp rate), 가열 지속기간, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 응축된 재료를 제거하기 위해 최적의 프로세스 파라미터들이 선택될 수 있는데, 왜냐하면, 재료 축적에 관한 상세한 정보가 이용가능하기 때문이다. 특히, 셰이퍼 디바이스(130)를 가열할 때, 어느 온도까지 가열할지, 얼마나 오랫동안 가열할지 등이 최적으로 결정될 수 있다.[0024]
In some implementations, the
[0025]
일부 구현들에서, 장치(100)는 셰이퍼 디바이스(130)를 자동적으로 가열하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 결정하도록 구성될 수 있다. 모니터링 디바이스(150)는, 모니터링 디바이스(150)에 의해 결정된 하나 또는 그 초과의 특징들 및/또는 결정된 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 디스플레이하도록 구성된 사용자 인터페이스, 이를테면 디스플레이를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 셰이퍼 디바이스(130)의 가열은 예컨대, 서비스 절차 동안 자동적으로 수행될 수 있다.[0025]
In some implementations, the
[0026]
다른 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들은 예컨대, 오퍼레이터에 의해 수동적으로 결정될 수 있다. 예로서, 모니터링 디바이스(150)는 축적된 재료의 층 두께와 같은 하나 또는 그 초과의 특징들을 디스플레이하도록 구성된 사용자 인터페이스를 포함할 수 있다. 오퍼레이터는 하나 또는 그 초과의 특징들에 기반하여 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 선택할 수 있다.[0026]
In other implementations, one or more of the process parameters may be determined manually, e.g., by an operator. As an example, the
[0027]
장치(100)는, 기판(10), 또는 상부에 포지셔닝된 기판(10)을 갖는 캐리어(20)를 진공 챔버(110)를 통해, 특히 증착 영역을 통해, 선형 이송 경로와 같은 이송 경로를 따라 이송하도록 구성된 이송 시스템을 포함할 수 있다. 이송 시스템은, 수평 방향일 수 있는 이송 방향(2)으로 기판(10) 또는 캐리어(20)의 이송을 위해 구성될 수 있다.[0027]
The
[0028]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 장치(100)는 실질적으로 수직인 배향으로 기판(10) 상에서의 재료의 증착을 위해 구성된다. 본 개시내용 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같은, "실질적으로 수직"은, 특히 기판 배향을 언급할 경우에, ±20° 또는 그 미만, 예컨대 ±10° 또는 그 미만의, 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 이러한 편차는, 예컨대 수직 배향으로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션을 유발할 수 있기 때문에, 제공될 수 있다. 또한, 기판이 전방으로 기울어지는 경우에 더 적은 입자들이 기판 표면에 도달한다. 그러나, 예컨대 진공 증착 프로세스 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 고려되고, 이는 ±20° 또는 그 미만의 수평인 것으로 고려될 수 있는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 고려된다.[0028]
According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the
[0029]
"수직 방향" 또는 "수직 배향"이라는 용어는 "수평 방향" 또는 "수평 배향"과 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향" 또는 "수직 배향"은 예컨대, 캐리어(20) 및 기판(10)의 실질적으로 수직 배향에 관한 것이며, 정확한 수직 방향 또는 수직 배향으로부터의 몇 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 15°의 편차는 여전히 "실질적으로 수직 방향" 또는 "실질적으로 수직 배향"으로 간주된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다.[0029]
The terms "vertical direction" or "vertical orientation" are understood to be distinguished from "horizontal direction" or "horizontal orientation". Refers to a substantially vertical orientation of the
[0030] 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들 상의 증발을 위해 활용될 수 있다. 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들 및 방법들이 제공되는 기판들은 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 대략 0.67 m2(0.73 x 0.92 m)의 표면적에 대응하는 GEN 4.5, 대략 1.4 m2(1.1 m x 1.3 m)의 표면적에 대응하는 GEN 5, 대략 4.29 m2(1.95 m x 2.2 m)의 표면적에 대응하는 GEN 7.5, 대략 5.7 m2(2.2 m x 2.5 m)의 표면적에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 대략 8.7 m2(2.85 m x 3.05 m)의 표면적에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대들 및 대응하는 표면적들이 유사하게 구현될 수 있다. GEN 세대들의 절반 사이즈들이 또한, OLED 디스플레이 제조에서 제공될 수 있다.[0030] The embodiments described herein can be utilized for evaporation, for example, on large area substrates for display fabrication. In particular, the substrates on which the structures and methods according to the embodiments described herein are provided are large area substrates. For example, large area substrates or carriers, about 0.67 m 2 (0.73 x 0.92 m ) approximately 4.29 m 2 GEN 5, corresponding to the surface area of the GEN 4.5, about 1.4 m 2 (1.1 mx 1.3 m ) corresponding to the surface area of the ( GEN corresponding to a surface area of 1.95 mx 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to a surface area of approximately 5.7 m 2 (2.2 mx 2.5 m), or even GEN corresponding to a surface area of approximately 8.7 m 2 (2.85 mx 3.05 m) 10 < / RTI > Much larger generations such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding surface areas can similarly be implemented. Half sizes of GEN generations can also be provided in OLED display manufacturing.
[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 내지 1.8 mm일 수 있다. 기판 두께는 대략 0.9 mm 또는 그 미만, 이를테면 0.5 mm일 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 비가요성 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명한 크리스털의 슬라이스들, 또는 유리 플레이트를 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이들로 제한되지 않으며, "기판"이라는 용어는 또한, 웹 또는 포일과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. "실질적으로 비가요성"이라는 용어는 "가요성"과 구별되는 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 비가요성인 기판, 예컨대 0.9 mm 또는 그 미만, 이를테면 0.5 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는 유리 플레이트는 어느 정도의 가요성을 가질 수 있는데, 여기서, 실질적으로 비가요성인 기판의 가요성은 가요성 기판들에 비해 작다.[0031] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate thickness may be 0.1 to 1.8 mm. The substrate thickness may be approximately 0.9 mm or less, such as 0.5 mm. The term "substrate" as used herein may in particular encompass substantially unstable substrates, such as slices of transparent crystal, such as wafers, sapphire, or glass plates. However, the present disclosure is not limited to these, and the term "substrate" may also encompass flexible substrates such as webs or foils. The term "substantially unlikely" is understood to be distinguished from "flexible ". Specifically, a substantially unembossed substrate, such as a glass plate having a thickness of, for example, 0.9 mm or less, such as 0.5 mm or less, may have some degree of flexibility, wherein the flexibility of the substantially non- The properties are small compared to flexible substrates.
[0032] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 유리(예컨대, 소다-석회 유리(soda-lime glass), 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.[0032] According to the embodiments described herein, the substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate can be a glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, Of a material selected from the group consisting of other materials or combinations of materials.
[0033]
일부 실시예들에 따르면, 기판(10)은 재료의 증착 동안 동적이거나 또는 정적이다. 예시적으로, 동적 기판 및 정적 기판이 도 1 및 도 6에 각각 예시된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 동적 증착 프로세스는 예컨대, OLED 디바이스들의 제조를 위해 제공될 수 있다.[0033]
According to some embodiments, the
[0034]
도 2는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따른, 기판(10) 상에서의 재료의 증착을 위한 장치(200)의 개략적 측면도를 도시한다.[0034]
Figure 2 shows a schematic side view of an
[0035]
일부 실시예들에 따르면, 카메라 디바이스(240)는 기판(10)에 의해 제공되는, 셰이퍼 디바이스(130)의 반사에 기반하여 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성된다. 특히, 카메라 디바이스(240)는, 기판(10)의 적어도 일부가 카메라 디바이스(240)의 시야(242) 내에 배열되도록, 진공 챔버(110) 내에 포지셔닝될 수 있다. 예로서, 도 2에 예시되는 바와 같이, 기판(10)은 적어도 하나의 증착 소스(120)의 정면에 제공될 수 있다.[0035]
According to some embodiments, the
[0036]
기판(10)은 미러로서의 역할을 할 수 있다. 카메라 디바이스(240)는 예컨대, 적어도 하나의 증착 소스(120) 상에서 기판(10)을 "향해" 설치될 수 있다. 예로서, 카메라 디바이스(240)는 적어도 하나의 증착 소스(120)의 슈팅 방향, 즉, 방출 방향(1)을 볼 수 있다. 미러 표면 상에서의 반사를 통해, 셰이퍼 디바이스(130)의 상태를 관찰하는 것이 가능하다. 특히, 셰이퍼 디바이스(130)의 형상 및/또는 재료 축적의 하나 또는 그 초과의 특징들이 결정되고 그리고/또는 관찰될 수 있다. 일부 구현들에서, 셰이퍼 디바이스(130)의 반사는 코팅되지 않은, 즉, 베어 기판(bare substrate), 이를테면, 유리 기판에 의해 제공된다. 추가의 구현들에서, 셰이퍼 디바이스(130)의 반사는 코팅된 기판, 예컨대 금속-코팅된 기판에 의해 제공된다. 코팅된 기판은 높은 반사율을 갖는 기판, 이를테면, 금속-코팅된 기판일 수 있다. 재료 축적은 증착 프로세스가 시작되기 전에 모니터링될 수 있다.[0036]
The
[0037]
카메라 디바이스(240)는 증착 영역으로부터 원거리의 포지션에, 이를테면, 적어도 하나의 증착 소스(120)의 최상부 상에 로케이팅될 수 있다. 카메라 디바이스(240)는 증착 프로세스에 간섭하지 않으며, 특히 증착 재료에 간섭하지 않는다. 카메라 디바이스(240) 상의 재료 축적은 방지될 수 있다.[0037]
The
[0038]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 카메라 디바이스(240)는, 적어도 하나의 증착 소스(120)로부터 방출되는 재료의 방출 방향(1), 예컨대 메인 방출 방향에 대해 정렬된다. 카메라 디바이스(240) 및 특히 시야(242)는, 기판 표면 상에서의 셰이퍼 디바이스(130)의 반사가 카메라 디바이스(240)에 의해 캡처될 수 있도록, 증착 영역을 향해, 즉, 코팅될 기판(10)을 향해 포인팅할 수 있다.[0038]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0039]
적어도 하나의 증착 소스(120)는, 방출 방향(1)이, 기판 표면에 직각인 표면에 대해 대략 0°(즉, 방출 방향(1)이 기판 표면에 직각임), 특히 대략 20° 또는 그 미만, 예컨대 3° 내지 10°의 각도를 갖도록 구성 및/또는 배열될 수 있다. 일부 구현들에서, 적어도 하나의 증착 소스(120), 이를테면, 증발 소스는 재료의 플룸 또는 분포 콘을 기판(10)에 제공하도록 구성된다. 방출 방향(1)은 플룸 또는 분포 콘을 형성하는 원자들 또는 분자들의 주요 전파 방향으로서 정의될 수 있다.[0039]
The at least one
[0040]
일부 실시예들에 따르면, 장치(200)는 캐리어(20)의 비접촉 부양(levitation), 이송 및/또는 정렬을 위해 구성된 이송 시스템(260)을 포함한다. 캐리어(20)의 비접촉 부양, 이송 및/또는 정렬은, 이송 동안, 예컨대 가이드 레일들과의 기계적 접촉으로 인한 입자들이 전혀 생성되지 않는다는 점에서 유리하다. 이송 시스템(260)은 기판(10) 상에 증착되는 층들의 개선된 순도 및 균일성을 제공하는데, 왜냐하면, 비접촉 부양, 이송, 및/또는 정렬을 사용할 때 입자 생성이 최소화되기 때문이다.[0040]
According to some embodiments, the
[0041]
도 3은 본원에서 설명되는 또 다른 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치(300)의 개략도를 도시한다. 도 3의 장치(300)는 도 2의 장치와 유사하며, 유사한 또는 동일한 양상들의 설명은 반복되지 않는다.[0041]
FIG. 3 shows a schematic diagram of an
[0042]
일부 실시예들에 따르면, 장치(300)는 진공 챔버(110) 내에 설치된 반사 디바이스(370)를 포함한다. 반사 디바이스(370)의 적어도 일부는, 반사 디바이스(370)에 의해 제공되는, 셰이퍼 디바이스(130)의 반사에 기반하여 셰이퍼 디바이스(130) 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해 카메라 디바이스(340)의 시야(342) 내에 배열된다. 반사 디바이스(370)는 미러일 수 있다.[0042]
According to some embodiments, the
[0043]
셰이퍼 디바이스(130)의 모니터링은 도 2와 관련하여 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 카메라 디바이스(340)는 적어도 하나의 증착 소스(120) 상에, 예컨대 적어도 하나의 증착 소스(120)의 최상부 상에 장착될 수 있다. 카메라 디바이스(340)는 증착 영역으로부터 원거리의 포지션에 로케이팅될 수 있고, 증착 프로세스에 간섭하지 않으며, 특히 증착 재료에 간섭하지 않는다. 카메라 디바이스(340) 상의 재료 축적은 방지될 수 있다.[0043]
The monitoring of the
[0044]
도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 셰이퍼 디바이스(420)를 갖는 증발 소스(400)의 개략도를 도시한다. 특히, 적어도 하나의 증착 소스는 증발 소스일 수 있고, 셰이퍼 디바이스(420)는 증발 소스(400)에 의해 증발되는 재료의 분포 콘을 범위지정하도록 구성된다.[0044]
FIG. 4 shows a schematic diagram of an
[0045]
도 4에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 소스(400)는 증발 도가니(440)에 연결된 분배 어셈블리(430)를 포함할 수 있다. 예컨대, 분배 어셈블리(430)는, 세장형 튜브일 수 있는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 분배 파이프는, 분배 파이프의 길이를 따라 적어도 하나의 라인으로 배열되는 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 갖는 라인 소스를 제공할 수 있다. 대안적으로, 적어도 하나의 라인을 따라 연장되는 하나의 세장형 개구가 제공될 수 있다. 예컨대, 세장형 개구는 슬릿일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 라인은 본질적으로 수직일 수 있다.[0045]
4, the
[0046]
일부 구현들에서, 분배 어셈블리(430)는, 예컨대 내부에 배치된 복수의 개구들을 갖는 선형 분배 샤워헤드로서 제공되는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는, 재료가 예컨대, 증발 도가니(440)로부터 제공 또는 안내될 수 있는 인클로저, 중공 공간, 또는 파이프를 갖는다. 샤워헤드는, 샤워헤드 내의 압력이 샤워헤드 외부보다 더 높도록, 복수의 개구들(또는 세장형 슬릿)을 가질 수 있다. 예컨대, 샤워헤드 내의 압력은 샤워헤드 외부보다 적어도 10배 더 높을 수 있다.[0046]
In some implementations, the dispensing
[0047]
본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 길이는 적어도, 코팅될 기판의 높이에 대응할 수 있다. 특히, 분배 파이프의 길이는, 코팅될 기판의 높이보다, 적어도 10% 또는 심지어 20% 만큼 더 길 수 있다. 예컨대, 분배 파이프의 길이는 1.3 m 또는 그 초과, 예컨대 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다. 따라서, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다. 대안적인 구성에 따르면, 분배 어셈블리(430)는, 수직 축을 따라 배열될 수 있는 하나 또는 그 초과의 포인트 소스들을 포함할 수 있다.[0047]
According to some embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the length of the dispensing pipe may correspond at least to the height of the substrate to be coated. In particular, the length of the dispensing pipe may be at least 10% or even 20% longer than the height of the substrate to be coated. For example, the length of the distribution pipe may be 1.3 m or more, such as 2.5 m or more. Thus, uniform deposition at the upper end of the substrate and / or at the lower end of the substrate can be provided. According to an alternative arrangement, the dispensing
[0048]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증발 도가니(440)는 분배 어셈블리(430)와 유체 연통하고 분배 어셈블리(430)의 하부 단부에 제공된다. 특히, 증발 도가니(440)와 분배 어셈블리(430) 사이의 연결을 제공하도록 구성되는 커넥터, 예컨대 플랜지 유닛(flange unit)이 제공될 수 있다. 예컨대, 증발 도가니(440) 및 분배 어셈블리(430)는 개별 유닛들로서 제공될 수 있는데, 이들은 분리될 수 있고, 예컨대 증발 소스(400)의 동작을 위해, 커넥터에서 연결 또는 어셈블링될 수 있다. 증발 도가니(440)는, 증발 도가니(440)를 가열함으로써 증발될 재료, 이를테면, 유기 재료를 위한 저장소(reservoir)일 수 있다. 증발되는 재료는, 특히 분배 파이프의 최하부에서 분배 어셈블리(430)에 진입할 수 있고, 분배 파이프의 복수의 개구들을 통해 본질적으로 횡방향(sideward direction)으로, 예컨대 본질적으로 수직으로 배향된 기판을 향해 안내될 수 있다.[0048]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0049]
일부 실시예들에 따르면, 가열 유닛(410)은 분배 어셈블리(430), 및 특히 분배 파이프(들)를 가열하기 위해 제공될 수 있다. 가열 유닛(410)은 분배 어셈블리(430)의 벽들에 장착 또는 부착될 수 있다. 분배 어셈블리(430)는, 증발 도가니(440)에 의해 제공되는 재료의 증기가 분배 어셈블리(430)의 벽의 내측 부분에서 응축(condense)되지 않도록 하는 온도로 가열될 수 있다. 또한, 가열 유닛(410)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 분배 파이프를 향해 반사시키기 위해, 열 차폐부가 분배 파이프 둘레에 제공될 수 있다.[0049]
According to some embodiments, the
[0050]
증발 소스(400)는 기판에 제공되는 증발되는 재료의 분포 콘을 범위지정하기 위해 셰이퍼 디바이스(420)("차폐 디바이스", "셰이퍼 차폐 디바이스" 또는 "핫 셰이퍼(hot shaper)"로 또한 지칭됨)를 포함한다. 또한, 셰이퍼 디바이스(420)는 증착 영역을 향한 열 방사를 감소시키도록 구성될 수 있다. 일부 구현들에서, 셰이퍼 디바이스(420)는 냉각 엘리먼트(422)에 의해 냉각될 수 있다. 예컨대, 냉각 엘리먼트(422)는 셰이퍼 디바이스(420)의 후면측에 장착될 수 있고, 냉각 유체를 위한 도관을 포함할 수 있다.[0050]
The
[0051]
셰이퍼 디바이스(420)를 제공함으로써, 배출구들을 통해 분배 파이프 또는 파이프들을 빠져나가는 증기의 방향(즉, 방출 방향)이 제어될 수 있는데, 즉, 증기 방출의 각도가 감소될 수 있다. 특히, 증발 소스(400)의 배출구들 또는 노즐들을 통해 증발되는 재료의 적어도 일부는 셰이퍼 디바이스(420)에 의해 차단된다. 방출 각도의 폭이 제어될 수 있다. 예로서, 셰이퍼 디바이스(420)는, 재료가 증착될 기판(10) 또는 기판 표면에 수직인 평면에 대해, 미리 결정된 각도보다 더 큰 각도들, 이를테면, 큰 각도들, 예컨대 10° 또는 그 초과, 20° 또는 그 초과, 또는 심지어 30° 또는 그 초과로 방출되는 재료를 컷오프 또는 차단하는 데 사용될 수 있다. 셰이퍼 디바이스(420)는 기판들을 향해 분배되는 재료들의 분포 콘을 범위지정하는데, 즉, 셰이퍼 디바이스(420)는 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성된다.[0051]
By providing the
[0052]
일부 구현들에서, 증발 소스(400)는, 특히 증발 동안, 축을 중심으로 하는 회전을 위해 구성될 수 있다. 예컨대, 소스 카트(도시되지 않음)와 증발 소스(400) 사이의 연결부들에서 회전 드라이브가 제공될 수 있다. 회전 드라이브는, 기판의 코팅이 수행되기 전에, 증발 소스(400)를 본질적으로 기판과 평행하도록 터닝시키도록 구성될 수 있다. OLED 디바이스 제조를 위한 다양한 애플리케이션들은 프로세스들을 포함하며, 여기서, 2개 또는 그 초과의 유기 재료들이 동시에 증발된다. 일부 실시예들에서, 2개 또는 그 초과의 분배 어셈블리들, 특히 분배 파이프들 및 대응하는 증발 도가니들은 서로 나란히 제공될 수 있다. 이러한 증발 소스는 또한, 증발 소스 어레이로 지칭될 수 있으며, 예컨대, 여기서, 1개 초과의 종류의 유기 재료가 동시에 증발된다.[0052]
In some implementations, the
[0053]
도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판(10) 상에 예컨대, 유기 재료의 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템(500)을 도시한다. 시스템(500)은 정지 기판 및 이동하는 증착 소스를 예시적으로 예시한다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않으며, 도 1 내지 도 3과 관련하여 예시적으로 예시된 바와 같이, 증착 소스가 정적일 수 있고, 기판이 층 증착 프로세스 동안 이동될 수 있다.[0053]
FIG. 5 illustrates a
[0054]
시스템(500)은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치, 진공 챔버(540) 내로 기판(10)을 로딩하기 위해 진공 챔버(540)에 연결된 로드 록 챔버(501), 및 상부에 증착된 하나 또는 그 초과의 층들을 갖는 기판(10)을 진공 챔버(540)로부터 언로딩하기 위해 진공 챔버(540)에 연결된 언로드 록 챔버(502)를 포함한다. 시스템(500)은 유기 재료의 증착을 위해 구성될 수 있다.[0054]
The
[0055]
적어도 하나의 증착 소스, 특히 증발 소스(400)가 진공 챔버(540) 내에 제공된다. 적어도 하나의 증착 소스는 트랙 또는 선형 가이드(522) 상에 제공될 수 있다. 선형 가이드(522)는 적어도 하나의 증착 소스의 병진 이동을 위해 구성될 수 있다. 또한, 적어도 하나의 증착 소스의 병진 이동을 제공하기 위한 드라이브가 제공될 수 있다. 진공 챔버(540)는 각각의 게이트 밸브들을 통해 로드 록 챔버(501) 및 언로드 록 챔버(502)에 연결될 수 있다. 게이트 밸브들은 인접한 진공 챔버들 사이의 진공 밀봉을 허용할 수 있으며, 기판 및/또는 마스크를 진공 챔버(540) 내로 또는 진공 챔버(540) 밖으로 이동시키기 위해 개방 및 폐쇄될 수 있다.[0055]
At least one evaporation source, in particular an
[0056]
본 개시내용에서, "진공 챔버"는 진공 프로세스 챔버 또는 진공 증착 챔버로서 이해될 것이다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "진공"이라는 용어는 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 진공 챔버(540) 내의 압력은 10-5 mbar 내지 대략 10-8 mbar, 특히 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 더욱 특히 대략 10-6 mbar 내지 대략 10-7 mbar일 수 있다. 시스템(500)은, 진공 챔버(540) 내부의 진공의 생성을 위해 진공 챔버(540)에 연결된 하나 또는 그 초과의 진공 펌프들, 이를테면, 터보 펌프(turbo pump)들 및/또는 크라이오-펌프(cryo-pump)들을 포함할 수 있다.[0056] In the present disclosure, a "vacuum chamber" will be understood as a vacuum process chamber or a vacuum deposition chamber. The term "vacuum" as used herein can be understood in the sense of a technical vacuum with a vacuum pressure of, for example, less than 10 mbar. The pressure in the
[0057]
본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예와 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 2개의 기판들, 예컨대 제1 기판(10A) 및 제2 기판(10B)은 진공 챔버(540) 내의 각각의 이송 트랙들 상에 지지될 수 있다. 또한, 그 상부에 마스크들을 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공될 수 있다. 특히, 기판들의 코팅은, 각각의 마스크들, 예컨대 에지 제외 마스크(edge exclusion mask) 또는 섀도우 마스크(shadow mask)에 의해 기판들을 마스킹하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 마스크를 미리 결정된 포지션에 홀딩하기 위한 마스크 프레임(530)에 마스크들, 예컨대 제1 기판(10A)에 대응하는 제1 마스크(30A) 및 제2 기판(10B)에 대응하는 제2 마스크(30B)가 제공된다.[0057]
According to some embodiments, which may be combined with any of the other embodiments described herein, two substrates, e.g., a
[0058]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판들은, 예컨대 연결 엘리먼트들(552)에 의해 정렬 시스템(550)에 연결될 수 있는 각각의 캐리어에 의해 지지될 수 있다. 정렬 시스템(550)은 마스크에 대해 기판의 포지션을 조정할 수 있다. 재료의 증착 동안 기판과 마스크 사이의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 기판이 마스크에 대해 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 실시예들에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크 및/또는 마스크를 홀딩하는 마스크 프레임(530)은 정렬 시스템(550)에 연결될 수 있다. 마스크가 기판에 대해 포지셔닝될 수 있거나 또는 마스크 및 기판 둘 모두가 서로에 대해 포지셔닝될 수 있다.[0058]
According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrates may be supported by respective carriers, which may be connected to the
[0059]
일부 실시예들에 따르면, 선형 가이드(522)를 따르는 적어도 하나의 증착 소스의 병진 이동을 위해 구성된 소스 지지부(531)가 제공될 수 있다. 소스 지지부(531)는 증발 도가니(440), 및 증발 도가니(440) 위에 제공된 분배 어셈블리(430)를 지지할 수 있다. 증발 도가니(440)에서 발생되는 증기는 상방향으로 그리고 분배 어셈블리(430)의 하나 또는 그 초과의 배출구들 밖으로 이동할 수 있다. 분배 어셈블리(430)는 증발되는 재료, 특히 증발되는 소스 재료의 플룸을 분배 어셈블리(430)로부터 기판으로 제공하도록 구성된다.[0059]
According to some embodiments, a
[0060]
적어도 하나의 증착 소스는 셰이퍼 디바이스(420)를 포함한다. 부가적으로, 도 6c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 증착 소스가 회전된 포지션에 있을 때, 적어도 하나의 증착 소스, 예컨대 증발 소스(400)로부터 방출되는 증발되는 소스 재료를 수집하기 위한 재료 수집 유닛(560)이 진공 챔버(540) 내에 배열될 수 있다. 적어도 하나의 증착 소스의 서비스 포지션에서 셰이퍼 디바이스(420)를 세정하기 위한 가열 디바이스(570)가 제공될 수 있다. 서비스 포지션은, 코팅될 기판을 향해 배출구들이 지향되는 분배 어셈블리(430)의 증착 포지션과 비교하여, 분배 어셈블리(430)의 배출구들이 회전된 포지션에 있는 적어도 하나의 증착 소스의 포지션일 수 있다.[0060]
The at least one deposition source includes a shaper device (420). Additionally, as depicted illustratively in FIG. 6C, when at least one deposition source is in a rotated position, it may be desirable to collect the evaporated source material that is emitted from at least one deposition source, A
[0061]
도 6a 내지 도 6d는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 상이한 포지션들에서 적어도 하나의 증착 소스를 갖는(증착 소스는 증발 소스(400)일 수 있음), 도 5의 시스템의 개략도들을 도시한다. 플룸 또는 분포 콘(518)은 적어도 하나의 증착 소스에 의해 방출된다.[0061]
Figures 6A-6D illustrate schematic diagrams of the system of Figure 5 with at least one deposition source in different positions (the deposition source may be an evaporation source 400), in accordance with the embodiments described herein . The plume or
[0062]
도 6a 내지 도 6d는 진공 챔버(540) 내의 다양한 포지션들에서의 적어도 하나의 증착 소스, 특히 증발 소스(400)를 도시한다. 상이한 포지션들 사이의 이동은 화살표들(102B, 102C, 및 102D)에 의해 표시된다. 도 6a에서, 적어도 하나의 증착 소스가 제1 포지션에서 도시된다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(540) 내의 좌측 기판은, 화살표(102B)에 의해 표시된 바와 같이 적어도 하나의 증착 소스의 병진 이동에 의해 재료의 층으로 코팅된다. 좌측 기판, 예컨대 제1 기판이 재료의 층으로 코팅되는 동안, 점선들에 의해 표시된 바와 같이, 제2 기판, 예컨대 도 6a 내지 도 6d의 우측 상의 기판은 교환될 수 있다. 제1 기판이 코팅된 후에, 적어도 하나의 증착 소스의 분배 어셈블리는 도 6c에서 화살표(102C)에 의해 표시된 바와 같이 회전될 수 있다. 제1 기판 상에서의 재료의 증착 동안, 제2 기판은 제2 마스크에 대해 포지셔닝되고 정렬되었다. 도 6c에 도시된 회전 후에, 제2 기판은, 도 6d에서 화살표(102D)에 의해 표시된 바와 같이 적어도 하나의 증착 소스의 병진 이동에 의해 재료의 층으로 코팅될 수 있다. 제2 기판이 유기 재료로 코팅되는 동안, 점선들에 의해 표시된 바와 같이, 제1 기판은 진공 챔버(540) 밖으로 이동될 수 있다.[0062]
6A-6D illustrate at least one deposition source, particularly an
[0063]
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법(700)의 흐름도를 도시한다. 방법은 본 개시내용에 따른 장치 및 시스템을 활용할 수 있다.[0063]
FIG. 7 shows a flow diagram of a
[0064]
방법(700)은, 블록(710)에서, 기판 상에서의 증착을 위해 증발 소스를 사용하여 재료를 증발시키는 단계, 및 블록(720)에서, 진공 챔버 내에 설치된 카메라 디바이스를 사용하여, 증발 소스로부터 방출되는 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성된 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하는 단계를 포함한다.[0064]
The
[0065]
일부 구현들에서, 방법(700)은, 모니터링된 재료 축적에 기반하여 가열 디바이스에 대한 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 결정하는 단계, 및 결정된 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 사용하여 가열 디바이스에 의해 셰이퍼 디바이스를 가열하는 단계를 더 포함한다. 응축된 재료를 제거하기 위해 최적의 프로세스 파라미터들이 선택될 수 있는데, 왜냐하면, 재료 축적에 관한 상세한 정보가 이용가능하기 때문이다. 특히, 셰이퍼 디바이스를 가열할 때, 어느 온도까지 가열할지, 얼마나 오랫동안 가열할지 등이 최적으로 결정될 수 있다.[0065]
In some implementations, the
[0066] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법은, 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들 및 상호관련된 제어기들에 의해 수행될 수 있으며, 이 제어기들은 CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 대면적 기판을 프로세싱하기 위해 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 수단을 가질 수 있다.[0066] According to embodiments described herein, a method for monitoring a vacuum deposition system may be performed by computer programs, software, computer software products, and interrelated controllers, which may include a CPU, a memory, a user Interface, and input and output means for communicating with corresponding components of the apparatus for processing large area substrates.
[0067] 증착 소스에 의해 배출되는 재료는, 예컨대, 방출되는 재료의 플룸을 성형하는 데 사용되는 셰이퍼 디바이스와 같은, 진공 증착 시스템의 다양한 컴포넌트들 상에 증착될 수 있다. 컴포넌트들은 진공 증착 시스템의 조작성을 보장하기 위해 수시로 세정될 수 있다. 본 개시내용은, 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해, 진공 챔버 내부에 로케이팅된 카메라 디바이스를 사용한다. 축적된 재료를 셰이퍼 디바이스로부터 제거하기 위한 세정 프로세스는 모니터링된 재료 축적에 기반하여 수행될 수 있다. 세정 프로세스는 효율적 방식으로 수행될 수 있으며, 진공 증착 시스템의 다운타임이 최소화될 수 있다.[0067] The material evacuated by the deposition source may be deposited on various components of a vacuum deposition system, such as, for example, a shaper device used to form a plume of ejected material. The components can be cleaned from time to time to ensure operability of the vacuum deposition system. The present disclosure uses a camera device located within a vacuum chamber to monitor material accumulation on a shaper device. A cleaning process to remove the accumulated material from the shaper device may be performed based on the monitored material accumulation. The cleaning process can be performed in an efficient manner and the downtime of the vacuum deposition system can be minimized.
[0068] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0068] While the foregoing is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope thereof, and the scope of the present disclosure is defined in the following claims .
Claims (15)
진공 챔버;
상기 진공 챔버 내의 적어도 하나의 증착 소스;
상기 적어도 하나의 증착 소스에서의 셰이퍼 디바이스(shaper device) ― 상기 셰이퍼 디바이스는 상기 적어도 하나의 증착 소스로부터 방출되는 상기 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성됨 ―; 및
상기 진공 챔버 내의 카메라 디바이스를 포함하고,
상기 카메라 디바이스는 상기 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.An apparatus for depositing a material on a substrate,
A vacuum chamber;
At least one deposition source in the vacuum chamber;
A shaper device in the at least one deposition source configured to block at least a portion of the material emitted from the at least one deposition source; And
A camera device in the vacuum chamber,
Wherein the camera device is configured to monitor material accumulation on the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 셰이퍼 디바이스의 적어도 일부는, 상기 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해 상기 카메라 디바이스의 시야(field of view) 내에 배열되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein at least a portion of the shaper device is arranged within a field of view of the camera device for monitoring material accumulation on the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 카메라 디바이스는 상기 기판에 의해 제공되는, 상기 셰이퍼 디바이스의 반사에 기반하여 상기 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하도록 구성되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the camera device is configured to monitor material accumulation on the shaper device based on reflection of the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 카메라 디바이스는, 상기 기판의 적어도 일부가 상기 카메라 디바이스의 시야 내에 배열되도록, 상기 진공 챔버 내에 포지셔닝되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.The method of claim 3,
Wherein the camera device is positioned within the vacuum chamber such that at least a portion of the substrate is arranged in the field of view of the camera device.
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 진공 챔버 내에 설치된 반사 디바이스를 더 포함하고,
상기 반사 디바이스의 적어도 일부는, 상기 반사 디바이스에 의해 제공되는, 상기 셰이퍼 디바이스의 반사에 기반하여 상기 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하기 위해 상기 카메라 디바이스의 시야 내에 배열되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a reflective device installed in the vacuum chamber,
Wherein at least a portion of the reflective device is arranged in the field of view of the camera device for monitoring material accumulation on the shaper device based on reflections of the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 카메라 디바이스는 상기 적어도 하나의 증착 소스 상에 장착되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the camera device is mounted on the at least one deposition source,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 카메라 디바이스는 상기 적어도 하나의 증착 소스로부터 방출되는 상기 재료의 방출 방향에 대해 정렬되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the camera device is aligned with a direction of emission of the material emitted from the at least one deposition source,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
무선 링크에 의해 또는 케이블에 의해 상기 카메라 디바이스에 연결된 모니터링 디바이스를 더 포함하고,
상기 모니터링 디바이스는 상기 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 결정하도록 구성되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Further comprising a monitoring device connected to the camera device by a wireless link or by a cable,
Wherein the monitoring device is configured to determine material accumulation on the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 셰이퍼 디바이스 상에 축적된 상기 재료를 제거하기 위해 상기 셰이퍼 디바이스를 가열하도록 구성된 가열 디바이스를 더 포함하는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Further comprising a heating device configured to heat the shaper device to remove the material accumulated on the shaper device,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 장치는 상기 재료 축적에 기반하여 상기 셰이퍼 디바이스를 가열하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 조정하도록 구성되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the device is configured to adjust one or more process parameters for heating the shaper device based on the material accumulation,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들은 가열 시작 시간, 최대 가열 온도, 온도 램프 레이트(temperature ramp rate), 가열 지속기간, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the one or more process parameters are selected from the group consisting of a heating start time, a maximum heating temperature, a temperature ramp rate, a heating duration, and any combination thereof.
Apparatus for deposition of material on a substrate.
상기 적어도 하나의 증착 소스는 증발 소스이고, 그리고
상기 셰이퍼 디바이스는 상기 증발 소스에 의해 증발되는 상기 재료의 분포 콘(distribution cone)을 범위지정(delimit)하도록 구성되는,
기판 상에서의 재료의 증착을 위한 장치.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the at least one deposition source is an evaporation source, and
Wherein the shaper device is configured to delimit a distribution cone of the material evaporated by the evaporation source,
Apparatus for deposition of material on a substrate.
제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항의 장치;
상기 기판을 진공 챔버 내로 로딩하기 위해 상기 진공 챔버에 연결된 로드 록 챔버(load lock chamber); 및
상기 기판 상에 증착된 하나 또는 그 초과의 층들을 갖는 상기 기판을 상기 진공 챔버로부터 언로딩하기 위해 상기 진공 챔버에 연결된 언로드 록 챔버(unload lock chamber)를 포함하는,
기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템.A system for depositing one or more layers on a substrate,
13. Apparatus according to any one of claims 1 to 12;
A load lock chamber connected to the vacuum chamber for loading the substrate into the vacuum chamber; And
And an unload lock chamber coupled to the vacuum chamber for unloading the substrate having one or more layers deposited thereon from the vacuum chamber.
A system for depositing one or more layers on a substrate.
기판 상에서의 증착을 위해 증발 소스를 사용하여 재료를 증발시키는 단계; 및
진공 챔버 내에 설치된 카메라 디바이스를 사용하여, 상기 증발 소스로부터 방출되는 상기 재료의 적어도 일부를 차단하도록 구성된 셰이퍼 디바이스 상의 재료 축적을 모니터링하는 단계를 포함하는,
진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법.A method for monitoring a vacuum deposition system,
Evaporating material using an evaporation source for deposition on a substrate; And
Monitoring material accumulation on a shaper device configured to block at least a portion of the material emitted from the evaporation source using a camera device installed in the vacuum chamber.
A method for monitoring a vacuum deposition system.
모니터링된 재료 축적에 기반하여 가열 디바이스를 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 결정하는 단계; 및
결정된 하나 또는 그 초과의 프로세스 파라미터들을 사용하여 상기 가열 디바이스에 의해 상기 셰이퍼 디바이스를 가열하는 단계를 더 포함하는,
진공 증착 시스템을 모니터링하기 위한 방법.15. The method of claim 14,
Determining one or more process parameters for the heating device based on the monitored material accumulation; And
Heating the shaper device by the heating device using one or more determined process parameters,
A method for monitoring a vacuum deposition system.
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