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KR20160048144A - 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치 Download PDF

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KR20160048144A
KR20160048144A KR1020167007841A KR20167007841A KR20160048144A KR 20160048144 A KR20160048144 A KR 20160048144A KR 1020167007841 A KR1020167007841 A KR 1020167007841A KR 20167007841 A KR20167007841 A KR 20167007841A KR 20160048144 A KR20160048144 A KR 20160048144A
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KR
South Korea
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carbon atoms
resin composition
photosensitive resin
acid
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KR1020167007841A
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Inventor
쿄우헤이 사키타
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

고감도를 유지하면서, 체적 저항률이 높은 감광성 수지 조성물, 그 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치를 제공한다.
(A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(B) 하기 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제, 및
(C) 용제
를 함유하는 감광성 수지 조성물.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 감광성 수지 조성물(이하, 간단하게, "본 발명의 조성물"이라고 하는 경우가 있음)에 관한 것이다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 경화막의 제조 방법, 감광성 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막, 상기 경화막을 이용한 각종 화상 표시 장치에 관한 것이다.
더 상세하게는, 액정 표시 장치, 유기 EL(유기 일렉트로루미네선스) 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 적합한, 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 경화막의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는, 패턴 형성된 층간 절연막이 마련되어 있다. 이 층간 절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 또한 충분한 평탄성이 얻어진다는 점에서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.
상기 표시 장치에 있어서의 층간 절연막에는, 체적 저항률, 내용제성, 내열성, 경도, 및 산화 인듐 주석(ITO) 스퍼터링 적성이 우수한 것과 같은 경화막의 물성이 요구되고 있다. 이러한 감광성 수지 조성물은, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다.
한편, 특허문헌 2에는, 특정 구조를 갖는 이미드설포네이트 화합물이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-221494호 특허문헌 2: WO2011/087011호 팸플릿
본 발명자가 검토한 결과, 특허문헌 1에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물은, 경화 후의 투과율이 높고, 노광 후 가열 처리(PEB)를 행하지 않아도 고감도이지만, 최근, 보다 높은 체적 저항률이 요구되는 경향이 있다. 이와 같이, 감광성 수지 조성물에 있어서, 높은 감도를 유지하면서, 보다 높은 체적 저항률을 양립시키는 수단은 알려져 있지 않다.
본 발명은, 이러한 과제를 해결하는 것을 목적으로 한 것으로서, 높은 감도를 유지하면서, 보다 높은 체적 저항률이 높은 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 상황하에서, 본 발명자가 검토를 행한 결과, 감광성 수지 조성물 중에 특정 구조를 갖는 이미드설포네이트 화합물을 광산발생제로서 배합시킴으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
구체적으로는, 이하의 해결 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는, <2> 내지 <10>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.
<1> (A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(B) 하기 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제, 및
(C) 용제
를 함유하는, 감광성 수지 조성물;
[화학식 1]
Figure pct00001
일반식 (I) 중, R1 및 R2 중 한쪽은, 하기 일반식 (A)로 나타나는 기를 나타내고, 다른 한쪽은 수소 원자를 나타낸다; R3은, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 10-캠퍼일기 또는, 하기 일반식 (B)로 나타나는 기를 나타낸다;
일반식 (A)
[화학식 2]
Figure pct00002
일반식 (A) 중, X1은, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, Y1은, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R4는, 탄소수 1~12의 탄화 수소기를 나타내고, R5는, 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R6은, 수소 원자, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기, 복소환기, 또는 수산기를 나타낸다; n은, 0~5의 정수를 나타내고, n이 2~5인 경우, 복수 존재하는 R5는 동일해도 되고 상이해도 된다;
일반식 (B)
[화학식 3]
Figure pct00003
일반식 (B) 중, Y2는, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내고, R7은, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내며, R8은, 단결합, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내고, R9는, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 알킬기, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기를 나타낸다; a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, a 및 b 중 적어도 한쪽은 1이다.
<2> 일반식 (I)의 R3이, 탄소수 1~8의 지방족 탄화 수소기, 탄소수 1~8의 퍼플루오로알킬기, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 6~10의 아릴기, 또는 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 7~10의 알킬아릴기를 나타내는, <1>에 따른 감광성 수지 조성물.
<3> (a2) 구성 단위에 있어서의 가교성기가 에폭시기 및/또는 옥세테인기인, <1> 또는 <2>에 따른 감광성 수지 조성물.
<4> 중합체 성분으로서, 적어도 (1)을 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 따른 감광성 수지 조성물.
<5> (B) 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 분자량이, 335~800인, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 따른 감광성 수지 조성물.
<6> 가교제를 더 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 따른 감광성 수지 조성물.
<7> (1) <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 따른 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
(3) 활성 방사선으로 노광하는 공정,
(4) 수성 현상액으로 현상하는 공정, 및
(5) 열경화시키는 포스트베이크 공정을 포함하는 경화막의 제조 방법.
<8> <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 따른 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막.
<9> 층간 절연막인, <8>에 따른 경화막.
<10> <8> 또는 <9>에 따른 경화막을 갖는, 액정 표시 장치 또는 유기 EL 표시 장치.
본 발명에 의하면, 고감도로 체적 저항률이 높은 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치를 제공하는 것이 가능해졌다.
도 1은 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
도 2는 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 이미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다. 또한, 본 발명에 있어서의 유기 EL 소자란, 유기 일렉트로루미네선스 소자를 말한다.
본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다. 단, 일반식 (I)로 나타나는 산발생제에 대해서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 것이 명기되어 있는 기를 제외하고, 치환기를 포함하지 않는 것으로 한다.
또한, 본 명세서 중에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.
감광성 수지 조성물:
본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (1) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, (2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
(B) 하기 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 4]
Figure pct00004
(일반식 (I) 중, R1 및 R2 중 한쪽은, 하기 일반식 (A)로 나타나는 기를 나타내고, 다른 한쪽은 수소 원자를 나타낸다. R3은, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 10-캠퍼일기 또는, 하기 일반식 (B)로 나타나는 기를 나타낸다.)
일반식 (A)
[화학식 5]
Figure pct00005
(일반식 (A) 중, X1은, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, Y1은, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R4는, 탄소수 1~12의 탄화 수소기를 나타내고, R5는, 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R6은, 수소 원자, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기, 복소환기, 또는 수산기를 나타낸다. n은, 0~5의 정수를 나타내고, n이 2~5인 경우, 복수 존재하는 R5는 동일해도 되고 상이해도 된다.)
일반식 (B)
[화학식 6]
Figure pct00006
(일반식 (B) 중, Y2는, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내고, R7은, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내며, R8은, 단결합, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내고, R9는, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 알킬기, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기를 나타낸다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, a 및 b 중 적어도 한쪽은 1이다.)
이와 같은 조성물을 이용함으로써, 높은 감도를 유지하면서, 체적 저항률이 높은 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이 가능해진다.
이와 같은 효과의 상세한 메커니즘은 불명확하지만, 이하와 같이 추정하고 있다.
감광성 수지 조성물에 용제가 혼합되어 있는 상태에서는, 조성물 중의 각 성분은 상용(相溶)되어 있지만, 용제를 제거할 때에 상용하기 어려워진다. 그 결과, 체적 저항률에 불균일이 발생하여, 경화막 전체로서의 체적 저항률이 저하되기 쉬워진다. 본 발명에서는, 일반식 (I) 중의 R1 및 R2 중 어느 하나가 나타내는 일반식 (A)로 나타나는 기와, 가교성기의 상용성을 향상시킴으로써, 용제를 제거할 때의 불균일의 발생을 억제하고, 경화막 전체의 체적 저항률을 향상시킬 수 있을 것이라고 추정되고 있다.
한편, 상기 특허문헌 2(WO2011/087011호 팸플릿)는, 포토레지스트로서 이용하는 것이며, 체적 저항률이 애초에 문제가 되지 않는다.
이하, 본 발명의 조성물의 양태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명의 조성물은, 통상, 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 이용된다.
<(A) 중합체 성분>
본 발명의 조성물은, 중합체 성분으로서, (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 (1), 그리고 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 (2) 중 적어도 한쪽을 포함한다. 또한, 이들 이외의 중합체를 포함하고 있어도 된다. 본 발명에 있어서의 (A) 중합체 성분은, 특별히 설명하지 않는 한, 상기 중합체 (1) 및/또는 상기 중합체 (2)에 더하여, 필요에 따라 첨가되는 다른 중합체를 포함한 것을 의미한다.
(2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체를 포함하는 경우에는, (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체의 비율은, 95:5~5:95가 바람직하고, 80:20~20:80이 보다 바람직하며, 70:30~30:70이 더 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 체적 저항률의 관점에서, 중합체 (1)을 적어도 포함하는 것이 바람직하다.
(A) 중합체 성분은, 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스터에 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스터에 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면, 스타이렌에 유래하는 구성 단위나, 바이닐 화합물에 유래하는 구성 단위 등을 갖고 있어도 된다. 또한, "(메트)아크릴산 및/또는 그 에스터에 유래하는 구성 단위"를 "아크릴계 구성 단위"라고도 한다.
<<(a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위>>
(A) 중합체 성분은, 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 (a1)을 적어도 갖는다. (A) 중합체 성분이 구성 단위 (a1)을 가짐으로써, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.
본 발명에 있어서의 "산기가 산분해성기로 보호된 기"는, 산기 및 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
구체적인 산기로서는, 카복실기, 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다.
또한, 구체적인 산분해성기로서는, 산에 의하여 비교적 분해하기 쉬운 기(예를 들면, 후술하는 에스터 구조, 테트라하이드로피란일에스터기, 또는 테트라하이드로퓨란일에스터기 등의 아세탈계 관능기)나, 산에 의하여 비교적 분해하기 어려운 기(예를 들면, tert-뷰틸에스터기 등의 제3급 알킬기, tert-뷰틸카보네이트기 등의 제3급 알킬카보네이트기)를 이용할 수 있다.
구성 단위 (a1)은, 산분해성기로 보호된 보호 카복실기를 갖는 구성 단위, 또는 산분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하다.
이하, 산분해성기로 보호된 보호 카복실기를 갖는 구성 단위 (a1-1)과, 산분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 (a1-2)에 대하여, 순서대로 각각 설명한다.
<<<(a1-1) 산분해성기로 보호된 보호 카복실기를 갖는 구성 단위>>>
구성 단위 (a1-1)은, 카복실기를 갖는 구성 단위의 카복실기가, 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의하여 보호된 보호 카복실기를 갖는 구성 단위이다.
상기 구성 단위 (a1-1)에 이용할 수 있는 상기 카복실기를 갖는 구성 단위로서는, 특별히 제한은 없고 공지의 구성 단위를 이용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카복실산, 불포화 다이카복실산, 불포화 트라이카복실산 등의, 분자 중에 적어도 하나의 카복실기를 갖는 불포화 카복실산 등에 유래하는 구성 단위 (a1-1-1)을 들 수 있다.
이하, 상기 카복실기를 갖는 구성 단위로서 이용되는, 구성 단위 (a1-1-1)에 대하여 설명한다.
<<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 하나의 카복실기를 갖는 불포화 카복실산 등에 유래하는 구성 단위>>>>
본 발명에서 이용되는 불포화 카복실산으로서는, 이하에 예로 드는 것이 이용된다.
즉, 불포화 모노카복실산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-석신산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-프탈산 등을 들 수 있다.
또한, 불포화 다이카복실산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다.
또한, 카복실기를 갖는 구성 단위를 얻기 위하여 이용되는 불포화 다가 카복실산은, 그 산무수물이어도 된다. 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카복실산은, 다가 카복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스터여도 되고, 예를 들면, 석신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 석신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카복실산은, 그 양 말단 다이카복시 폴리머의 모노(메트)아크릴레이트여도 되고, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카복실산으로서는, 아크릴산-2-카복시에틸에스터, 메타크릴산-2-카복시에틸에스터, 말레산 모노알킬에스터, 푸마르산 모노알킬에스터, 4-카복시스타이렌 등도 이용할 수 있다.
그 중에서도, 현상성의 관점에서, 상기 구성 단위 (a1-1-1)을 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-석신산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-프탈산, 또는 불포화 다가 카복실산의 무수물 등을 이용하는 것이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산을 이용하는 것이 보다 바람직하다.
구성 단위 (a1-1-1)은, 1종 단독으로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 된다.
<<<<구성 단위 (a1-1)에 이용할 수 있는 산분해성기>>>>
구성 단위 (a1-1)에 이용할 수 있는 상기 산분해성기로서는, 상술한 산분해성기를 이용할 수 있다.
이들 산분해성기 중에서도, 산분해성기가 아세탈의 형태로 보호된 구조를 갖는 기인 것이 바람직하다. 예를 들면, 카복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카복실기인 것이, 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 콘택트 홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 또한, 카복실기가 하기 일반식 (a1-10)으로 나타나는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카복실기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 카복실기가 하기 일반식 (a1-10)으로 나타나는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카복실기인 경우, 보호 카복실기의 전체로서는, -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다.
일반식 (a1-10)
[화학식 7]
Figure pct00007
(식 (a1-10) 중, R101 및 R102는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단, R101과 R102가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은, 알킬기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103이 연결되어 환상 에터를 형성해도 된다.)
상기 일반식 (a1-10) 중, R101~R103은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 여기에서, R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 경우는 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.
상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1~12인 것이 바람직하고, 탄소수 1~6인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~4인 것이 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-뷰틸기, i-뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-다이메틸-2-뷰틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (a1-10) 중, R101~R103은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 여기에서, R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 경우는 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.
상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1~12인 것이 바람직하고, 탄소수 1~6인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~4인 것이 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-뷰틸기, i-뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-다이메틸-2-뷰틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.
상기 환상 알킬기로서는, 탄소수 3~12인 것이 바람직하고, 탄소수 4~8인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 4~6인 것이 더 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 노보닐기, 아이소보닐기 등을 들 수 있다.
상기 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로젠 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로젠 원자를 갖는 경우, R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우, R101, R102, R103은 아랄킬기가 된다.
상기 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.
또한, 상기 아릴기로서는, 탄소수 6~20의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6~12이며, 구체적으로는, 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉, 아랄킬기로서는, 벤질기, α-메틸벤질기, 펜에틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.
상기 알콕시기로서는, 탄소수 1~6의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1~4이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.
또한, 상기 알킬기가 환상 알킬기인 경우, 상기 환상 알킬기는, 치환기로서 탄소수 1~10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 되고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 경우에는, 치환기로서 탄소수 3~12의 환상 알킬기를 갖고 있어도 된다.
이들 치환기는, 상기 치환기로 추가로 치환되어 있어도 된다.
상기 일반식 (a1-10)에 있어서, R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타내는 경우, 상기 아릴기는, 탄소수 6~12인 것이 바람직하고, 탄소수 6~10인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 상기 치환기로서는 탄소수 1~6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 큐멘일기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.
또한, R101, R102 및 R103은, 서로 결합하여, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 하나가 되어 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합한 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 테트라하이드로퓨란일기, 아다만틸기 및 테트라하이드로피란일기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 일반식 (a1-10)에 있어서, R101 및 R102 중 어느 한쪽이, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 일반식 (a1-10)으로 나타나는 보호 카복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판 중인 것을 이용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2011-221494호의 단락 번호 0037~0040에 기재된 합성 방법 등으로 합성할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
상기 구성 단위 (a1-1)의 제1 바람직한 양태는, 하기 일반식 (A2')로 나타나는 구성 단위이다.
[화학식 8]
Figure pct00008
(식 (A2') 중, R1 및 R2는, 각각, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기를 나타내며, R3은, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결되어 환상 에터를 형성해도 되며, R4는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다.)
R1 및 R2가 알킬기인 경우, 탄소수는 1~10인 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우, 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는, 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기가 바람직하다.
R3은, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하며, 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다.
X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.
상기 구성 단위 (a1-1)의 제2 바람직한 양태는, 하기 일반식 (1-12)로 나타나는 구성 단위이다.
일반식 (1-12)
[화학식 9]
Figure pct00009
(식 (1-12) 중, R121은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, L1은 카보닐기 또는 페닐렌기를 나타내며, R122~R128은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다.)
R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.
L1은 카보닐기가 바람직하다.
R122~R128은, 수소 원자가 바람직하다.
상기 구성 단위 (a1-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, 하기의 구성 단위 중, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 10]
Figure pct00010
<<<(a1-2) 산분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>>
구성 단위 (a1-2)는, 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위가, 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의하여 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 (a1-2-1)이다.
<<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>>>
상기 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는, 하이드록시스타이렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있는데, 이들 중에서는, 하이드록시스타이렌, 또는 α-메틸하이드록시스타이렌에 유래하는 구성 단위가, 감도의 관점에서 바람직하다. 또 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서, 하기 일반식 (a1-20)으로 나타나는 구성 단위도, 감도의 관점에서 바람직하다.
일반식 (a1-20)
[화학식 11]
Figure pct00011
(일반식 (a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, R222는 할로젠 원자 또는 탄소수 1~5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1~5의 정수를 나타내며, b는 0~4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재하는 경우, 이들 R222는 서로 상이해도 되고 동일해도 된다.)
상기 일반식 (a1-20) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.
또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R221이 알킬렌기인 구체예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 아이소프로필렌기, n-뷰틸렌기, 아이소뷰틸렌기, tert-뷰틸렌기, 펜틸렌기, 아이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R221이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로젠 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 또한, a는 1~5의 정수를 나타내는데, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다는 점에서, a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.
또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R221과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위)으로 했을 때, 4위에 결합하고 있는 것이 바람직하다.
R222는 할로젠 원자 또는 탄소수 1~5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점에서, 염소 원자, 브로민 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.
또한, b는 0 또는 1~4의 정수를 나타낸다.
<<<<구성 단위 (a1-2)에 이용할 수 있는 산분해성기>>>>
상기 구성 단위 (a1-2)에 이용할 수 있는 상기 산분해성기로서는, 상기 구성 단위 (a1-1)에 이용할 수 있는 산분해성기와 마찬가지로, 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이, 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 콘택트 홀의 형성성의 관점에서 바람직하다. 또한, 산분해성기 중에서도, 페놀성 수산기가 상기 일반식 (a1-10)으로 나타나는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 일반식 (a1-10)으로 나타나는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 경우, 보호 페놀성 수산기의 전체로서는, -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.
페놀성 수산기의 아세탈에스터 구조의 바람직한 예는, R101=R102=R103=메틸기나 R101=R102=메틸기이고 R103=벤질기인 조합을 예시할 수 있다.
또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2011-215590호의 단락 번호 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 테트라하이드로피란일 보호체가 투명성의 관점에서 바람직하다.
페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면, 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-뷰톡시에틸기, 1-아이소뷰톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-사이클로헥실옥시에틸기, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 구성 단위 (a1-2)를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판 중인 것을 이용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산촉매의 존재하에서 바이닐에터와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기의 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 외의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산촉매의 존재하에서 바이닐에터와 반응시켜도 된다.
상기 구성 단위 (a1-2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 12]
Figure pct00012
[화학식 13]
Figure pct00013
[화학식 14]
Figure pct00014
<<<구성 단위 (a1)의 바람직한 양태>>>
상기 구성 단위 (a1)을 함유하는 중합체가, 실질적으로, 구성 단위 (a2)를 포함하지 않는 경우, 구성 단위 (a1)의 함유량은, 중합체 중, 20~100몰%가 바람직하고, 30~90몰%가 보다 바람직하다.
상기 구성 단위 (a1)을 함유하는 중합체가, 구성 단위 (a2)를 함유하는 경우, 구성 단위 (a1)의 함유량은, 중합체 중, 감도의 관점에서 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위 (a1)에 이용할 수 있는 상기 산분해성기가, 카복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카복실기를 갖는 구성 단위인 경우, 20~50몰%가 바람직하다.
상기 구성 단위 (a1-1)은, 상기 구성 단위 (a1-2)에 비하면, 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고자 하는 경우에는, 구성 단위 (a1-1)이 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고자 하는 경우에는, 구성 단위 (a1-2)를 이용하는 것이 바람직하다.
<<(a2) 가교성기를 갖는 구성 단위>>
(A) 중합체 성분은, 가교성기를 갖는 구성 단위 (a2)를 갖는다. 상기 가교성기는, 가열 처리로 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 구성 단위의 양태로서는, 에폭시기, 옥세탄일기, -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기)로 나타나는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세탄일기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기)로 나타나는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 중합체 성분이, 에폭시기 및 옥세탄일기 중 적어도 하나를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시기 및 옥세탄일기 중 적어도 하나를 포함하는 단위로 함으로써, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 보다 상세하게는, 이하의 것을 들 수 있다.
<<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 구성 단위>>>
상기 (A) 중합체 성분은, 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 구성 단위(이하, 구성 단위 (a2-1)이라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 구성 단위 (a2-1)은, 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세탄일기를 적어도 하나 갖고 있으면 되고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상 옥세탄일기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세탄일기를 갖고 있어도 되며, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 합계 1~3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 합계 1개 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하며, 에폭시기 또는 옥세탄일기를 1개 갖는 것이 더 바람직하다.
에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-뷰틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시뷰틸, 메타크릴산-3,4-에폭시뷰틸, 아크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, o-바이닐벤질글리시딜에터, m-바이닐벤질글리시딜에터, p-바이닐벤질글리시딜에터, 일본 특허공보 제4168443호의 단락 번호 0031~0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
옥세탄일기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 번호 0011~0016에 기재된 옥세탄일기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터나, 일본 공개특허공보 2012-088459 공보의 단락 번호 0027에 기재되어 있는 화합물 등을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
상기 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 구성 단위 (a2-1)을 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 메타크릴산 에스터 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스터 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.
이들 중에서도 바람직한 것은, 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시사이클로헥실메틸, o-바이닐벤질글리시딜에터, m-바이닐벤질글리시딜에터, p-바이닐벤질글리시딜에터, 아크릴산(3-에틸옥세테인-3-일)메틸, 및 메타크릴산 (3-에틸옥세테인-3-일)메틸이, 공중합 반응성 및 경화막의 제특성의 향상의 관점에서 바람직하다. 이들 구성 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 구성 단위 (a2-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, 하기의 구성 단위 중, R은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 15]
Figure pct00015
<<<(a2-2)에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위>>>
상기 가교성기를 갖는 구성 단위 (a2)의 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 (a2-2)를 들 수 있다. 상기 구성 단위 (a2-2)로서는, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 가지며, 탄소수 3~16의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하다.
그 외, 구성 단위 (a2-2)에 대해서는, 일본 공개특허공보 2011-215580호의 단락 번호 0072~0090의 기재 및 일본 공개특허공보 2008-256974의 단락 번호 0013~0031에 기재된 화합물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
<<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기)로 나타나는 기를 갖는 구성 단위>>>
본 발명에서 이용하는 (A) 중합체 성분은, -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기)로 나타나는 기를 갖는 구성 단위 (a2-3)도 바람직하다. 구성 단위 (a2-3)을 가짐으로써, 완만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있어, 제특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기에서, R은 탄소수 1~9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 되는데, 바람직하게는, 직쇄 또는 분기의 알킬기이다. 구성 단위 (a2-3)은, 보다 바람직하게는, 하기 일반식 (a2-30)으로 나타나는 기를 갖는 구성 단위이다.
일반식 (a2-30)
[화학식 16]
Figure pct00016
(일반식 (a2-30) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 수소 원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다.)
R2는, 탄소수 1~9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬기가 더 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 되는데, 바람직하게는, 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.
R2의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-뷰틸기, i-뷰틸기, 사이클로헥실기, 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-뷰틸기, n-뷰틸기, 메틸기가 바람직하다.
<<<가교성기를 갖는 구성 단위 (a2)의 바람직한 양태>>>
상기 구성 단위 (a2)를 함유하는 중합체가, 실질적으로, 구성 단위 (a1)을 포함하지 않는 경우, 구성 단위 (a2)의 함유량은, 중합체 중, 5~90몰%가 바람직하고, 20~80몰%가 보다 바람직하다.
상기 구성 단위 (a2)를 함유하는 중합체가, 상기 구성 단위 (a1)을 함유하는 경우, 구성 단위 (a2)의 함유량은, 중합체 중, 약품 내성의 관점에서 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다.
본 발명에서는, 또한 어느 양태에 상관 없이, (A) 중합체 성분의 전체 구성 단위 중, 구성 단위 (a2)의 함유량이 3~70몰%인 것이 바람직하고, 10~60몰%인 것이 보다 바람직하다.
상기의 수치의 범위 내로 함으로써, 제특성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.
<<(a3) 그 외의 구성 단위>>
본 발명에 있어서, (A) 중합체 성분은, 상기 구성 단위 (a1) 및/또는 구성 단위 (a2)에 더하여, 이들 이외의 다른 구성 단위 (a3)을 갖고 있어도 된다. 구성 단위 (a3)은, 상기 중합체 (1) 및/또는 (2)가 포함되어 있어도 된다. 또한, 상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로, 실질적으로 구성 단위 (a1) 및 구성 단위 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위 (a3)을 갖는 중합체를 갖고 있어도 된다.
그 외의 구성 단위 (a3)이 되는 모노머로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 스타이렌류, (메트)아크릴산 알킬에스터, (메트)아크릴산 환상 알킬에스터, (메트)아크릴산 아릴에스터, 불포화 다이카복실산 다이에스터, 바이사이클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공액 다이엔계 화합물, 불포화 모노카복실산, 불포화 다이카복실산, 불포화 다이카복실산 무수물, 그 외의 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 산기를 갖는 구성 단위를 갖고 있어도 된다. 그 외의 구성 단위 (a1-3)이 되는 모노머는, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
구성 단위 (a3)은, 구체적으로는, 스타이렌, 메틸스타이렌, 하이드록시스타이렌, α-메틸스타이렌, 아세톡시스타이렌, 메톡시스타이렌, 에톡시스타이렌, 클로로스타이렌, 바이닐벤조산 메틸, 바이닐벤조산 에틸, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스터, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 n-프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 벤질, (메트)아크릴산 아이소보닐, (메트)아크릴로일모폴린, N-사이클로헥실말레이미드, 아크릴로나이트릴, 에틸렌글라이콜모노아세토아세테이트모노(메트)아크릴레이트 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 외에, 일본 공개특허공보 2004-264623호의 단락 번호 0021~0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.
또한, 그 외의 구성 단위 (a3)으로서 스타이렌류, 지방족환식 골격을 갖는 기가, 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 스타이렌, 메틸스타이렌, 하이드록시스타이렌, α-메틸스타이렌, 다이사이클로펜탄일(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 그 외의 구성 단위 (a3)으로서 (메트)아크릴산 알킬에스터가, 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 n-뷰틸 등을 들 수 있고, (메트)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다.
그 외의 구성 단위 (a3)으로서, 산기를 포함하는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 산기를 포함함으로써, 알칼리성의 현상액에 용해되기 쉬워져, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 본 발명에 있어서의 산기란, pKa가 7보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는, 통상, 산기를 형성할 수 있는 모노머를 이용하여, 산기를 포함하는 구성 단위로서, 중합체에 포함된다. 이와 같은 산기를 포함하는 구성 단위를 중합체 중에 포함시킴으로써, 알칼리성의 현상액에 대하여 용해되기 쉬워지는 경향이 있다.
본 발명에서 이용되는 산기로서는, 카복실산기에 유래한 것, 설폰아마이드기에 유래한 것, 포스폰산기에 유래한 것, 설폰산기에 유래한 것, 페놀성 수산기에 유래한 것, 설폰아마이드기, 설폰일이미드기 등이 예시되고, 카복실산기에 유래한 것 및/또는 페놀성 수산기에 유래한 것이 바람직하다.
본 발명에서 이용되는 산기를 포함하는 구성 단위는, 스타이렌에 유래하는 구성 단위나, 바이닐 화합물에 유래하는 구성 단위, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스터에 유래하는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2012-88459호의 단락 번호 0021~0023 및 단락 번호 0029~0044에 기재된 화합물을 이용할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다. 그 중에서도, p-하이드록시스타이렌, (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산에 유래하는 구성 단위가 바람직하다.
산기를 포함하는 반복 단위의 도입 방법으로서는, (a1) 구성 단위 및/또는 (a2) 구성 단위와 동일한 중합체에 도입할 수도 있고, (a1) 구성 단위 및 (a2) 구성 단위와는 다른 중합체의 구성 단위로서 도입할 수도 있다.
이와 같은 중합체로서는, 측쇄에 카복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 소59-44615호, 일본 공고특허공보 소54-34327호, 일본 공고특허공보 소58-12577호, 일본 공고특허공보 소54-25957호, 일본 공개특허공보 소59-53836호, 일본 공개특허공보 소59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는, 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스터화 말레산 공중합체 등, 및 측쇄에 카복실기를 갖는 산성 셀룰로스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메트)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.
예를 들면, 벤질(메트)아크릴레이트/(메트)아크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트/벤질(메트)아크릴레이트/(메트)아크릴산 공중합체, 일본 공개특허공보 평7-140654호에 기재된, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트/폴리스타이렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.
그 외에도, 일본 공개특허공보 평7-207211호, 일본 공개특허공보 평8-259876호, 일본 공개특허공보 평10-300922호, 일본 공개특허공보 평11-140144호, 일본 공개특허공보 평11-174224호, 일본 공개특허공보 2000-56118호, 일본 공개특허공보 2003-233179호, 일본 공개특허공보 2009-52020호 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
이들 중합체는, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다.
이와 같은 중합체로서, 시판되고 있는, SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상, 사토머사제), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080(이상, 도아 고세이(주)제), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586(이상, BASF제) 등을 이용할 수도 있다.
본 발명에서는, 특히, 카복실기를 갖는 구성 단위, 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 것이, 감도의 관점에서 바람직하다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2012-88459호의 단락 번호 0021~0023 및 단락 번호 0029~0044에 기재된 화합물을 이용할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
산기를 포함하는 구성 단위는, 전체 중합체 성분의 구성 단위의 1~80몰%가 바람직하고, 1~50몰%가 보다 바람직하며, 5~40몰%가 더 바람직하고, 5~30몰%가 특히 바람직하며, 5~25몰%가 특히 바람직하다.
이하에, 본 발명의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시형태)
중합체 (1)이, 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성 단위 (a3)을 더 갖는 양태.
(제2 실시형태)
중합체 (2)에 있어서의, (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가, 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성 단위 (a3)을 더 갖는 양태.
(제3 실시형태)
중합체 (2)에 있어서의, (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가, 1종 또는 2종 이상의 그 외의 구성 단위 (a3)을 더 갖는 양태.
(제4 실시형태)
상기 제1~제3 실시형태 중 어느 하나에 있어서, 그 외의 구성 단위 (a3)으로서, 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 양태.
(제5 실시형태)
상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로, 또한, 실질적으로 구성 단위 (a1) 및 구성 단위 (a1-2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위 (a3)을 갖는 중합체를 갖는 양태.
(제6 실시형태)
상기 제1~제5 실시형태 중 2 이상의 조합으로 이루어지는 형태.
실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위 (a3)을 갖는 중합체를 갖는 양태에 있어서는, (a1) 및/또는 (a2)를 갖는 중합체의 합계량과, 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위 (a3)을 갖는 중합체의 합계량의 중량 비율은, 99:1~5:95가 바람직하고, 97:3~30:70이 보다 바람직하며, 95:5~50:50이 더 바람직하다.
<<(A) 중합체 성분의 분자량>>
(A) 중합체 성분의 분자량은, 폴리스타이렌 환산 중량 평균 분자량으로, 바람직하게는 1,000~200,000, 보다 바람직하게는 2,000~50,000의 범위이다. 상기의 수치의 범위 내이면, 제특성이 양호하다. 수평균 분자량과 중량 평균 분자량의 비(분산도)는 1.0~5.0이 바람직하고 1.5~3.5가 보다 바람직하다.
(A) 중합체 성분의 중량 평균 분자량 및 분산도는, GPC 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중합체 성분의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8120(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSK gel Multipore HXL-M(도소(주)제, 7.8mmID×30.0cm)을, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용함으로써 구할 수 있다.
<<(A) 중합체 성분의 제조 방법>>
또한, (A) 중합체 성분의 합성법에 대해서도, 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a3)으로 나타나는 구성 단위를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 이른바 고분자 반응으로 합성할 수도 있다.
(A) 중합체는, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스터에 유래하는 구성 단위를, 전체 구성 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다.
<(B) 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제>
본 발명의 조성물은, (B) 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제를 포함한다.
[화학식 17]
Figure pct00017
(일반식 (I) 중, R1 및 R2 중 한쪽은, 하기 일반식 (A)로 나타나는 기를 나타내고, 다른 한쪽은 수소 원자를 나타낸다. R3은, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 10-캠퍼일기 또는, 하기 일반식 (B)로 나타나는 기를 나타낸다.)
일반식 (A)
[화학식 18]
Figure pct00018
(일반식 (A) 중, X1은, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, Y1은, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R4는, 탄소수 1~12의 탄화 수소기를 나타내고, R5는, 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R6은, 수소 원자, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기, 복소환기, 또는 수산기를 나타낸다. n은, 0~5의 정수를 나타내고, n이 2~5인 경우, 복수 존재하는 R5는 동일해도 되고 상이해도 된다.)
일반식 (B)
[화학식 19]
Figure pct00019
(일반식 (B) 중, Y2는, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내고, R7은, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내며, R8은, 단결합, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내고, R9는, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 알킬기, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기를 나타낸다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, a 및 b 중 적어도 한쪽은 1이다.)
<<일반식 (I)의 R1 및 R2>>
일반식 (I) 중, R1 및 R2 중 한쪽은, 일반식 (A)로 나타나는 기를 나타내고, 다른 한쪽은 수소 원자를 나타낸다.
<<<일반식 (A)로 나타나는 기>>>
일반식 (A) 중, X1은, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
X1이 황 원자를 나타내는 경우, R1이 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하고, X1이 산소 원자를 나타내는 경우, R2가 수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다.
일반식 (A) 중, R4는, 탄소수 1~12의 탄화 수소기를 나타낸다.
탄소수 1~12의 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~10의 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~3의 탄화 수소기가 더 바람직하다.
탄소수 1~12의 탄화 수소기는, 알킬렌기, 알켄일기, 알카인일렌기 등의 지방족 탄화 수소기, 사이클로알킬렌기 등의 지환식 탄화 수소기, 지방족 탄화 수소와 지환식 탄화 수소가 결합한 기 등을 들 수 있고, 알킬렌기가 바람직하다.
구체적으로는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로페인-1,3-다이일기, 프로페인-1,2-다이일기, 뷰틸렌기, 뷰테인-1,3-다이일기, 뷰테인-2,3-다이일기, 뷰테인-1,2-다이일기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 사이클로헥실렌기, 사이클로헥실렌메틸기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 사이클로헥실렌에틸기, 메틸렌사이클로헥실렌메틸기, 노닐렌기, 데실렌기, 아다만틸렌기, 노보닐렌기, 아이소노보닐렌기, 도데실렌기, 운데실렌기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, R4는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기가 바람직하고, 메틸렌기 및/또는 에틸렌기가 바람직하다.
일반식 (A) 중, R5는, 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1~4의 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, R5는, 메틸렌기, 에틸렌기가 바람직하다.
일반식 (A) 중, Y1은, 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1~4의 알킬렌기로서는, R5에서 설명한 것과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
일반식 (A) 중, R6은, 수소 원자, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기, 복소환기, 또는 수산기를 나타낸다.
분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 아이소뷰틸기 등을 들 수 있다.
탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.
복소환기로서는, 탄소수 3~10의 복소환기가 바람직하고, 이를 구성하는 복소환명으로 예시하면, 피롤, 싸이오펜, 퓨란, 피란, 싸이오피란, 이미다졸, 피라졸, 싸이아졸, 아이소싸이아졸, 옥사졸, 아이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 피롤리딘, 피라졸리딘, 이미다졸리딘, 아이소옥사졸리딘, 아이소싸이아졸리딘, 피페리딘, 피페라진, 모폴린, 싸이오모폴린, 크로메인, 싸이오크로메인, 아이소크로메인, 아이소싸이오크로메인, 인돌린, 아이소인돌린, 피린딘, 인돌리진, 인돌, 인다졸, 퓨린, 퀴놀리진, 아이소퀴놀린, 퀴놀린, 나프티리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 아크리딘, 페리미딘, 페난트롤린, 카바졸, 카볼린, 페나진, 안티리딘, 싸이아다이아졸, 옥사다이아졸, 트라이아진, 트라이아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조싸이아졸, 벤조싸이아다이아졸, 벤조퓨록세인, 나프토이미다졸, 벤조트라이아졸, 테트라아자인덴 및 상기의 복소환 중에 존재하는 불포화 결합 또는 공액 결합에 수소 첨가된 포화복소환(테트라하이드로퓨란환 등) 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, R6은, 수소 원자, 탄소수 1~4의 알킬기, 수산기가 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 수산기가 보다 바람직하며, 수소 원자 또는 수산기가 더 바람직하다.
일반식 (A) 중, n은, 0~5의 정수를 나타내고, 0~3의 정수가 바람직하며, 0~2의 정수가 보다 바람직하고, 0 또는 1이 더 바람직하다. n이 2~5인 경우, 복수 존재하는 R5는 동일해도 되고 상이해도 되는데, 동일한 편이 바람직하다.
<<일반식 (I)의 R3>>
R3은, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및 알킬싸이오기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 10-캠퍼일기 또는, 하기 일반식 (B)로 나타나는 기를 나타낸다.
여기에서, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 된다란, 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기의 수소 원자가, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어 있는 경우 외에, 치환기인, 알킬싸이오기나 지환식 탄화 수소기의 수소 원자가, 추가로 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어 있는 경우도 포함하는 취지이다. 일반식 (I)에 있어서의 다른 기에 대해서도 동일하게 해석한다.
<<<할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기>>>
탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~8의 지방족 탄화 수소기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 지방족 탄화 수소기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~3의 지방족 탄화 수소기가 더 바람직하다. 지방족 탄화 수소기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기가 바람직하다.
알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 아밀기, 아이소아밀기, tert-아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 아이소헵틸기, tert-헵틸기, 옥틸기, 아이소옥틸기, tert-옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트라이데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.
치환기로서 갖고 있어도 되는, 할로젠 원자로서는, 불소, 염소, 브로민, 아이오딘을 들 수 있고, 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하며, 불소가 보다 바람직하다.
할로젠 원자로 치환된 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기로서는, 탄소수 1~10의 퍼플루오로알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 퍼플루오로알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 퍼플루오로알킬기가 더 바람직하다. 할로젠 원자로 치환된 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기의 구체예로서는, 예를 들면, 트라이플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2-클로로에틸, 2-브로모에틸, 헵타플루오로프로필, 3-브로모프로필, 노나플루오로뷰틸, 트라이데카플루오로헥실, 헵타데카플루오로옥틸, 2,2,2-트라이플루오로에틸, 1,1-다이플루오로에틸, 1,1-다이플루오로프로필, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필, 3,3,3-트라이플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 노보닐-1,1-다이플루오로에틸, 노보닐테트라플루오로에틸, 아다만테인-1,1,2,2-테트라플루오로프로필 등의 할로젠화 알킬기 등을 들 수 있다. 알킬싸이오기로 치환된 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소로서는, 예를 들면, 2-메틸싸이오에틸, 4-메틸싸이오뷰틸, 4-뷰틸싸이오에틸 등을 들 수 있고, 할로젠 원자 및 탄소수 1~18의 알킬싸이오기로 치환된 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기로서는, 1,1,2,2-테트라플루오로-3-메틸싸이오프로필 등을 들 수 있다.
치환기로서 갖고 있어도 되는, 알킬싸이오기로서는, 탄소수 1~18의 알킬싸이오기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬싸이오기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 알킬싸이오기가 더 바람직하다. 알킬싸이오기로서는, 구체적으로는, 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, 프로필싸이오기, 아이소프로필싸이오기, 뷰틸싸이오기, sec-뷰틸싸이오기, tert-뷰틸싸이오기, 아이소뷰틸싸이오기, 아밀싸이오기, 아이소아밀싸이오기, tert-아밀싸이오기, 헥실싸이오기, 헵틸싸이오기, 아이소헵틸싸이오기, tert-헵틸싸이오기, 옥틸싸이오기, 아이소옥틸싸이오기, tert-옥틸싸이오기, 2-에틸헥실싸이오기, 노닐싸이오기, 데실싸이오기, 운데실싸이오기, 도데실싸이오기, 트라이데실싸이오기, 테트라데실싸이오기, 펜타데실싸이오기, 헥사데실싸이오기, 헵타데실싸이오기, 옥타데실싸이오기 등을 들 수 있다.
치환기로서 갖고 있어도 되는, 지환식 탄화 수소기는, 탄소수 3~30의 지환식 탄화 수소기가 예시되고, 단환이어도 되고 축합환이어도 된다.
특히, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기로서는, 할로젠 원자 및/또는 지환식 탄화 수소기로 치환되어 있는 탄소수 1~18의 알킬기, 그리고 치환기를 갖지 않는 탄소수 1~18의 직쇄 또는 환상 알킬기가 바람직하고, 불소 원자 및/또는 탄소수 6~10의 환상 알킬기로 치환된, 탄소수 1~4의 직쇄 알킬기, 그리고 무치환의, 탄소수 1~10의 직쇄 알킬기가 보다 바람직하다.
<<<할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기>>>
할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~14의 아릴기가 바람직하고, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~10의 아릴기가 보다 바람직하다. 이와 같은 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 4-바이닐페닐기, 바이페닐기, 안트라센일기 등을 들 수 있다.
치환기로서의 할로젠 원자의 바람직한 범위는, 상술한 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기에서 설명한 할로젠 원자와 동의이다.
할로젠 원자로 치환된 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐기, 클로로페닐기, 다이클로로페닐기, 트라이클로로페닐기, 2,4-비스(트라이플루오로메틸)페닐기, 브로모에틸페닐기 등을 들 수 있다.
치환기로서의 알킬싸이오기의 바람직한 범위는, 상술한 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기에서 설명한 알킬싸이오기와 동의이다.
알킬싸이오기로 치환된 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 예를 들면, 4-메틸싸이오페닐기, 4-뷰틸싸이오페닐기, 4-옥틸싸이오페닐기, 4-도데실싸이오페닐기 등을 들 수 있다.
할로젠 원자 및 알킬싸이오기로 치환된 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 예를 들면, 1,2,3,4,5-펜타플루오로페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-메틸싸이오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-뷰틸싸이오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-도데실싸이오페닐기 등을 들 수 있다.
또한, 아실기로 치환된 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 예를 들면, 아세틸페닐기, 아세틸나프틸기, 벤조일페닐기, 1-안트라퀴놀일기, 2-안트라퀴놀일기 등을 들 수 있다.
치환기로서의 알킬기의 바람직한 범위는, 직쇄, 분기, 환상의 알킬기이고, 탄소수 1~3의 직쇄의 알킬기, 탄소수 3~5의 분기의 알킬기, 탄소수 6의 환상 알킬기가 바람직하다. 이들 알킬기는, 할로젠 원자(특히, 불소 원자)로 치환되어 있어도 된다.
치환기로서의 아실기의 바람직한 범위는, R-C(=O)-로 나타나는 기에 있어서, R은 알킬기 또는 방향족기가 바람직하고, R은 메틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라센일기가 예시된다.
할로젠 원자로 치환되어도 되는 아릴기의 바람직한 일 양태로서, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 알킬아릴기가 예시되며, 탄소수 7~15의 알킬아릴기가 바람직하고 탄소수 7~10의 알킬아릴기가 보다 바람직하다. 이와 같은 알킬아릴기로서는, 예를 들면, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 3-아이소프로필페닐기, 4-아이소프로필페닐기, 4-뷰틸페닐기, 4-아이소뷰틸페닐기, 4-tert-뷰틸페닐기, 4-헥실페닐기, 4-사이클로헥실페닐기, 4-옥틸페닐기, 4-(2-에틸헥실)페닐기, 2,3-다이메틸페닐기, 2,4-다이메틸페닐기, 2,5-다이메틸페닐기, 2,6-다이메틸페닐기, 3,4-다이메틸페닐기, 3,5-다이메틸페닐기, 2,4-다이tert-뷰틸페닐기, 2,5-다이tert-뷰틸페닐기, 2,6-다이-tert-뷰틸페닐기, 2,4-다이tert-펜틸페닐기, 2,5-다이tert-아밀페닐기, 2,5-다이tert-옥틸페닐기, 사이클로헥실페닐기, 2,4,5-트라이메틸페닐기, 2,4,6-트라이메틸페닐기, 2,4,6-트라이아이소프로필페닐기 등을 들 수 있다.
특히, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기로서는, 무치환 또는, 할로젠 원자 및/혹은 알킬기로 치환된, 탄소수 6~20의 아릴기가 바람직하고, 무치환 또는, 불소 원자 및/혹은 직쇄의 탄소수 1~6의 알킬기로 치환된, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다.
<<<할로젠 원자 및 알킬싸이오기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기>>>
할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기로서는, 탄소수 7~15의 아릴알킬기가 바람직하고 탄소수 7~12의 아릴알킬기가 보다 바람직하다. 이와 같은 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 펜에틸기, 2-페닐프로페인-2-일기, 다이페닐메틸기, 트라이페닐메틸기, 스타이릴기, 신남일기 등을 들 수 있다.
치환기로서의 할로젠 원자의 바람직한 범위 및 알킬싸이오기의 바람직한 범위는, 각각, 상술한 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기에 있어서의, 치환기로서의 할로젠 원자 및 알킬싸이오기의 기재와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
할로젠 원자로 치환된 탄소수 7~20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐메틸기, 페닐다이플루오로메틸기, 2-페닐-테트라플루오로에틸기, 2-(펜타플루오로페닐)에틸기 등을 들 수 있다.
알킬싸이오기로 치환된 탄소수 7~20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, p-메틸싸이오벤질기 등을 들 수 있다.
할로젠 원자 및 알킬싸이오기로 치환된 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 2,3,5,6-테트라플루오로-4-메틸싸이오페닐에틸기 등을 들 수 있다.
<<<10-캠퍼일기>>>
10-캠퍼일기는, 하기 식으로 나타나는 기이다(Me는 메틸기를 나타낸다).
[화학식 20]
Figure pct00020
일반식 (I) 중, R3은, 감도의 관점에서, 할로젠 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 탄소수 1~8의 지방족 탄화 수소기, 탄소수 1~8의 퍼플루오로알킬기, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 6~10의 아릴기, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 7~10의 알킬아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 퍼플루오로알킬기가 더 바람직하다.
<<<일반식 (B)로 나타나는 기>>>
R7은, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타낸다.
탄소수 2~6의 알킬렌기로서는, 예를 들면, 에틸렌기, 프로페인-1,3-다이일기, 프로페인-1,2-다이일기, 뷰틸렌, 뷰테인-1,3-다이일기, 뷰테인-2,3-다이일기, 뷰테인-1,2-다이일기, 펜테인-1,5-다이일기, 펜테인-1,3-다이일기, 펜테인-1,4-다이일기, 펜테인-2,3-다이일기, 헥세인-1,6-다이일기, 헥세인-1,2-다이일기, 헥세인-1,3-다이일기, 헥세인-1,4-다이일기, 헥세인-2,5-다이일기, 헥세인-2,4-다이일기, 헥세인-3,4-다이일기 등을 들 수 있다.
탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기는, 탄소수 2~6의 알킬렌기 중의 적어도 하나의 프로톤이 할로젠 원자로 치환된 것이다. 할로젠 원자로서는, 불소, 염소, 브로민, 아이오딘을 들 수 있고, 불소가 바람직하다. 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기로서는, 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌기, 1,1-다이플루오로에틸렌기, 1-플루오로에틸렌기, 1,2-다이플루오로에틸렌기, 헥사플루오로프로페인-1,3-다이일기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로페인-1,3-다이일기, 1,1,2,2-테트라플루오로펜테인-1,5-다이일기 등을 들 수 있다.
탄소수 6~20의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기, 2,5-다이메틸-1,4-페닐렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 다이페닐메테인-4,4'-다이일기, 2,2-다이페닐프로페인-4,4'-다이일기, 나프탈렌-1,2-다이일기, 나프탈렌-1,3-다이일기, 나프탈렌-1,4-다이일기, 나프탈렌-1,5-다이일기, 나프탈렌-1,6-다이일기, 나프탈렌-1,7-다이일기, 나프탈렌-1,8-다이일기, 나프탈렌-2,3-다이일기, 나프탈렌-2,6-다이일기, 나프탈렌-2,7-다이일기 등을 들 수 있다.
탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기는, 탄소수 6~20의 아릴렌기 중의 적어도 하나의 프로톤이 할로젠 원자로 치환된 것이다. 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기로서는, 예를 들면 테트라플루오로페닐렌기 등을 들 수 있다.
R8은, 단결합, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타낸다. R8이 나타내는 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기는, R7이 나타내는 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
Y2는, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타낸다. Y2가 나타내는 탄소수 1~4의 알킬렌기는, 일반식 (A) 중의 Y1이 나타내는 탄소수 1~4의 알킬렌기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
R9는, 분지를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~18의 알킬기, 분지를 갖고 있어도 되는 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기를 나타낸다.
R9가 나타내는 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기는, 일반식 (I)에 있어서의 R3에 있어서의 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 및 아실기 중 어느 하나로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 알킬아릴기와 각각 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.
탄소수 1~18의 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~3의 알킬기가 더 바람직하다. 이와 같은 알킬기는, 분지여도 된다. 탄소수 1~18의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 아밀기, 아이소아밀기, tert-아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 아이소헵틸기, tert-헵틸기, 옥틸기, 아이소옥틸기, tert-옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트라이데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.
탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기는, 탄소수 1~18의 알킬기 중의 적어도 하나의 프로톤이 할로젠 원자로 치환된 것이며, 분지되어 있어도 된다. 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기로서는, 예를 들면, 트라이플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로뷰틸기, 트라이데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 1,1-다이플루오로에틸기, 1,1-다이플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 3,3,3-트라이플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로테트라데실기 등의 할로젠화 알킬기를 들 수 있다.
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, a 및 b 중 적어도 한쪽은 1이며, a가 1인 것이 바람직하다.
일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 구체예로서는, 이하와 같은 화합물을 들 수 있지만, 본 발명에서는 특별히 이에 한정되지 않는다.
[화학식 21]
Figure pct00021
[화학식 22]
Figure pct00022
[화학식 23]
Figure pct00023
[화학식 24]
Figure pct00024
[화학식 25]
Figure pct00025
[화학식 26]
Figure pct00026
[화학식 27]
Figure pct00027
[화학식 28]
Figure pct00028
[화학식 29]
Figure pct00029
[화학식 30]
Figure pct00030
[화학식 31]
Figure pct00031
상기 예시 화합물 중에서도, B-1~B-17이 바람직하고, B-3, B-4, B-8, B-9, B-11~B-13, B-15, B-16이 보다 바람직하다.
일반식 (I)로 나타나는 광산발생제는, 공지의 방법으로 합성할 수 있고, 예를 들면, WO2011/087011호 팸플릿의 단락 번호 0076~0080의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 분자량으로서는, 특별히 제한은 없지만, 335~800이 바람직하고, 335~780이 보다 바람직하며, 400~700이 더 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형 성분에 대하여, 0.1~10질량%가 바람직하고, 0.5~5질량%가 보다 바람직하며, 1~3질량%가 더 바람직하다. 광산발생제는, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제 이외의 광산발생제를 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 광산발생제로서는, 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300~450nm의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 이용할 수 있다. 이와 같은 광산발생제로서는, pKa가 4 이하인 산을 발생시키는 광산발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 광산발생제가 보다 바람직하며, 2 이하인 산을 발생시키는 광산발생제가 특히 바람직하다.
이와 같은 광산발생제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2013-178439호의 단락 번호 0070~0117의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
한편, 본 발명에서는, 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제 이외의 광산발생제를 실질적으로 포함하지 않는 조성물로 할 수도 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 본 발명의 조성물 중에 있어서의, 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 함유량의 5질량% 이하의 양인 것을 말한다.
<그 외의 성분>
본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 상기 성분에 더하여, 필요에 따라, 용제, 증감제, 가교제, 알콕시실레인 화합물, 염기성 화합물, 계면활성제, 산화 방지제를 바람직하게 첨가할 수 있다. 또한 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 산증식제, 현상 촉진제, 가소제, 열라디칼 발생제, 열산발생제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 첨가할 수 있다. 또한, 이들의 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-88459호의 단락 번호 0201~0224에 기재된 화합물을 사용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
<<(C) 용제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, (C) 용제를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 필수 성분과, 또한 후술하는 임의의 성분을 용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다. 본 발명의 조성물의 조제에 이용되는 용제로서는, 필수 성분 및 임의 성분을 균일하게 용해하여, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는, 공지의 용제를 이용할 수 있고, 에틸렌글라이콜모노알킬에터류, 에틸렌글라이콜다이알킬에터류, 에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 프로필렌글라이콜모노알킬에터류, 프로필렌글라이콜다이알킬에터류, 프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 다이에틸렌글라이콜다이알킬에터류, 다이에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터류, 다이프로필렌글라이콜다이알킬에터류, 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 에스터류, 케톤류, 아마이드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제의 구체예로서는 일본 공개특허공보 2011-221494호의 단락 번호 0174~0178에 기재된 용제, 일본 공개특허공보 2012-194290 공보의 단락 번호 0167~0168에 기재된 용제도 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또한, 이들 용제에 추가로 필요에 따라, 벤질에틸에터, 다이헥실에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 아이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 다이에틸, 말레산 다이에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다. 이들 용제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에 이용할 수 있는 용제는, 1종 단독, 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류 또는 다이알킬에터류, 다이아세테이트류와 다이에틸렌글라이콜다이알킬에터류, 혹은 에스터류와 뷰틸렌글라이콜알킬에터아세테이트류를 병용하는 것이 더 바람직하다.
또한, 용제로서는, 비점 130℃ 이상 160℃ 미만의 용제, 비점 160℃ 이상의 용제, 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다.
비점 130℃ 이상 160℃ 미만의 용제로서는, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(비점 146℃), 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트(비점 158℃), 프로필렌글라이콜메틸-n-뷰틸에터(비점 155℃), 프로필렌글라이콜메틸-n-프로필에터(비점 131℃)를 예시할 수 있다.
비점 160℃ 이상의 용제로서는, 3-에톡시프로피온산 에틸(비점 170℃), 다이에틸렌글라이콜메틸에틸에터(비점 176℃), 프로필렌글라이콜모노메틸에터프로피오네이트(비점 160℃), 다이프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트(비점 213℃), 3-메톡시뷰틸에터아세테이트(비점 171℃), 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터(비점 189℃), 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(비점 162℃), 프로필렌글라이콜다이아세테이트(비점 190℃), 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트(비점 220℃), 다이프로필렌글라이콜다이메틸에터(비점 175℃), 1,3-뷰틸렌글라이콜다이아세테이트(비점 232℃)를 예시할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의, 용제의 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 성분 100질량부당, 50~95질량부인 것이 바람직하고, 60~90질량부인 것이 더 바람직하다. 용제는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<증감제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광산발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위하여, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는, 활성 광선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 광산발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써 광산발생제는 화학 변화를 일으켜 분해되고, 산을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속해 있고, 또한 350nm에서 450nm의 파장역 중 임의의 파장역에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.
다핵 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트라이페닐렌, 안트라센, 9,10-다이뷰톡시안트라센, 9,10-다이에톡시안트라센, 3,7-다이메톡시안트라센, 9,10-다이프로필옥시안트라센), 잔텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벵갈), 잔톤류(예를 들면, 잔톤, 싸이오잔톤, 다이메틸싸이오잔톤, 다이에틸싸이오잔톤), 사이아닌류(예를 들면 싸이아카보사이아닌, 옥사카보사이아닌), 메로사이아닌류(예를 들면, 메로사이아닌, 카보메로사이아닌), 로다사이아닌류, 옥소놀류, 싸이아진류(예를 들면, 싸이오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-뷰틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠아릴륨류(예를 들면, 스쿠아릴륨), 스타이릴류, 베이스스타이릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(다이메틸아미노)페닐]에텐일]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-다이에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-하이드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라하이드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-온).
이들 증감제 중에서도, 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스타이릴류, 베이스스타이릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 증감제를 함유하는 경우, 증감제의 첨가량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형 성분 100질량부에 대하여, 0.001~100질량부인 것이 바람직하고, 0.1~50질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5~20질량부인 것이 더 바람직하다. 증감제는, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<가교제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하여 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.
가교제로서는, 열에 의하여 가교 반응이 일어나는 것이면 제한은 없다. 예를 들면, 이하에 설명하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 또는 적어도 하나의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물, 블록 아이소사이아네이트 화합물 등을 첨가할 수 있고, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 화합물이 바람직하다. 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 화합물을 배합하면 경화막의 표면 거칠어짐 억제나 노광 현상 후의 패턴의 직사각형성 향상이라는 효과가 보다 효과적으로 발휘된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 가교제를 함유하는 경우, 가교제의 첨가량은, 상기 (A) 중합체 성분의 합계 100질량부에 대하여, 0.01~50질량부인 것이 바람직하고, 0.1~30질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5~20질량부인 것이 더 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막이 얻어진다. 가교제는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 및/또는 옥세탄일기를 갖는 화합물>>>
분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, JER152, JER157S70, JER157S65, JER806, JER828, JER1007((주)미쓰비시 케미컬 홀딩스제) 등, 일본 공개특허공보 2011-221494호의 단락 번호 0189에 기재된 시판품 등을 들 수 있고, 그 외에도, 데나콜 EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402(이상 나가세 켐텍스제), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325(이상 신닛테쓰 가가쿠제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.
분자 내에 2개 이상의 옥세탄일기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론 옥세테인 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아 고세이(주)제)를 이용할 수 있다.
또한, 옥세탄일기를 포함하는 화합물은, 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 그 외의 가교제로서는, 일본 공개특허공보 2012-8223호의 단락 번호 0107~0108에 기재된 알콕시메틸기 함유 가교제, 및 적어도 하나의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 등도 바람직하게 이용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화 글라이콜우릴이 바람직하다.
<<<블록 아이소사이아네이트 화합물>>>
본 발명의 감광성 수지 조성물에서는, 가교제로서, 블록 아이소사이아네이트계 화합물도 바람직하게 채용할 수 있다. 블록 아이소사이아네이트 화합물은, 특별히 제한은 없지만, 경화성의 관점에서, 1분자 내에 2 이상의 블록 아이소사이아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서의 블록 아이소사이아네이트기란, 열에 의하여 아이소사이아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이며, 예를 들면, 블록제와 아이소사이아네이트기를 반응시켜 아이소사이아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 아이소사이아네이트기는, 90℃~250℃의 열에 의하여 아이소사이아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.
또한, 블록 아이소사이아네이트 화합물로서는, 그 골격은 특별히 한정되는 것은 아니고, 1분자 중에 아이소사이아네이트기를 2개 갖는 것이면 어떤 것이어도 되고, 지방족, 지환족 또는 방향족의 폴리아이소사이아네이트여도 되는데, 예를 들면 2,4-톨릴렌다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌다이아이소사이아네이트, 아이소포론다이아이소사이아네이트, 1,6-헥사메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,3-트라이메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,4-테트라메틸렌다이아이소사이아네이트, 2,2,4-트라이메틸헥사메틸렌다이아이소사이아네이트, 2,4,4-트라이메틸헥사메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,9-노나메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,10-데카메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,4-사이클로헥세인다이아이소사이아네이트, 2,2'-다이에틸에터다이아이소사이아네이트, 다이페닐메테인-4,4'-다이아이소사이아네이트, o-자일렌다이아이소사이아네이트, m-자일렌다이아이소사이아네이트, p-자일렌다이아이소사이아네이트, 메틸렌비스(사이클로헥실아이소사이아네이트), 사이클로헥세인-1,3-다이메틸렌다이아이소사이아네이트, 사이클로헥세인-1,4-다이메틸렌다이아이소사이아네이트, 1,5-나프탈렌다이아이소사이아네이트, p-페닐렌다이아이소사이아네이트, 3,3'-메틸렌다이톨릴렌-4,4'-다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐에터다이아이소사이아네이트, 테트라클로로페닐렌다이아이소사이아네이트, 노보네인다이아이소사이아네이트, 수소화 1,3-자일릴렌다이아이소사이아네이트, 수소화 1,4-자일릴렌다이아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트 화합물 및 이들 화합물로부터 파생되는 프리폴리머형의 골격의 화합물을 적합하게 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 톨릴렌다이아이소사이아네이트(TDI)나 다이페닐메테인다이아이소사이아네이트(MDI), 헥사메틸렌다이아이소사이아네이트(HDI), 아이소포론다이아이소사이아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 블록 아이소사이아네이트 화합물의 모구조(母構造)로서는, 뷰렛형, 아이소사이아누레이트형, 어덕트형, 2관능 프리폴리머형 등을 들 수 있다.
상기 블록 아이소사이아네이트 화합물의 블록 구조를 형성하는 블록제로서는, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알코올 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 머캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알코올 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.
상기 옥심 화합물로서는, 옥심, 및 케톡심을 들 수 있고, 구체적으로는, 아세톡심, 폼알독심, 사이클로헥세인옥심, 메틸에틸케톤옥심, 사이클로헥산온옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.
상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-뷰티로락탐 등을 예시할 수 있다.
상기 페놀 화합물로서는, 페놀, 나프톨, 크레졸, 자일레놀, 할로젠 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.
상기 알코올 화합물로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 뷰탄올, 사이클로헥산올, 에틸렌글라이콜모노알킬에터, 프로필렌글라이콜모노알킬에터, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.
상기 아민 화합물로서는, 1급 아민 및 2급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 중 어느 것이어도 되며, 아닐린, 다이페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.
상기 활성 메틸렌 화합물로서는, 말론산 다이에틸, 말론산 다이메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.
상기 피라졸 화합물로서는, 피라졸, 메틸피라졸, 다이메틸피라졸 등을 예시할 수 있다.
상기 머캅탄 화합물로서는, 알킬머캅탄, 아릴머캅탄 등을 예시할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 블록 아이소사이아네이트 화합물은, 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들면, 코로네이트 AP 스테이블 M, 코로네이트 2503, 2515, 2507, 2513, 2555, 밀리오네이트 MS-50(이상, 닛폰 폴리유레테인 고교(주)제), 타케네이트 B-830, B-815N, B-820NSU, B-842N, B-846N, B-870N, B-874N, B-882N(이상, 미쓰이 가가쿠(주)제), 듀라네이트 17B-60PX, 17B-60P, TPA-B80X, TPA-B80E, MF-B60X, MF-B60B, MF-K60X, MF-K60B, E402-B80B, SBN-70D, SBB-70P, K6000(이상, 아사히 가세이 케미컬즈(주)제), 데스모듀어 BL1100, BL1265 MPA/X, BL3575/1, BL3272MPA, BL3370MPA, BL3475BA/SN, BL5375MPA, VPLS2078/2, BL4265SN, PL340, PL350, 스미듀어 BL3175(이상, 스미카 바이엘 유레테인(주)제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
<<알콕시실레인 화합물>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 밀착 개량제로서 알콕시실레인 화합물을 함유해도 된다. 알콕시실레인 화합물을 이용하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하여 형성된 막과 기판의 밀착성을 향상시킬 수 있거나, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하여 형성된 막의 성질을 조정할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 이용할 수 있는 알콕시실레인 화합물은, 기재가 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 몰리브데넘, 타이타늄, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 공지의 실레인 커플링제 등도 유효하다.
실레인 커플링제로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-아미노프로필트라이에톡시실레인, γ-글리시독시프로필트라이알콕시실레인, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필다이알콕시실레인, γ-메타크릴옥시프로필트라이알콕시실레인, γ-메타크릴옥시프로필다이알콕시실레인, γ-클로로프로필트라이알콕시실레인, γ-머캅토프로필트라이알콕시실레인, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이알콕시실레인, 바이닐트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트라이알콕시실레인이나 γ-메타크릴옥시프로필트라이알콕시실레인이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트라이알콕시실레인이 더 바람직하며, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인이 보다 더 바람직하다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시실레인 화합물은, 특별히 이들에 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 알콕시실레인을 함유하는 경우, 알콕시실레인 화합물의 함유량은, 감광성 조성물 중의 전체 고형분 100질량부에 대하여, 0.1~30질량부가 바람직하고, 0.5~20질량부가 보다 바람직하다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<염기성 화합물>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 염기성 화합물을 함유해도 된다. 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 이용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄하이드록사이드, 카복실산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-221494호의 단락 번호 0204~0207에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
구체적으로는, 지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트라이메틸아민, 다이에틸아민, 트라이에틸아민, 다이-n-프로필아민, 트라이-n-프로필아민, 다이-n-펜틸아민, 트라이-n-펜틸아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, 다이사이클로헥실아민, 다이사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.
방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-다이메틸아닐린, 다이페닐아민 등을 들 수 있다.
복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-다이메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 트라이페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아마이드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 퓨린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모폴린, 4-메틸모폴린, N-사이클로헥실-N'-[2-(4-모폴린일)에틸]싸이오 요소, 1,5-다이아자바이사이클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-다이아자바이사이클로[5.3.0]-7-운데센, 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.
제4급 암모늄하이드록사이드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-뷰틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.
카복실산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-뷰틸암모늄아세테이트, 테트라-n-뷰틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.
본 발명에 이용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 염기성 화합물을 함유하는 경우, 염기성 화합물의 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형 성분 100질량부에 대하여, 0.001~3질량부인 것이 바람직하고, 0.005~1질량부인 것이 보다 바람직하다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<계면활성제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는 양성(兩性) 중 어느 것이어도 사용할 수 있는데, 바람직한 계면활성제는 비이온 계면활성제이다. 본 발명의 조성물에 이용되는 계면활성제로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2012-88459호의 단락 번호 0201~0205에 기재된 것이나, 일본 공개특허공보 2011-215580호의 단락 번호 0185~0188에 기재된 것을 이용할 수 있고, 이들 기재는 본원 명세서에 원용된다.
비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에터류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에터류, 폴리옥시에틸렌글라이콜의 고급 지방산 다이에스터류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로, KP-341, X-22-822(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), 폴리플로 No. 99C(교에이샤 가가쿠(주)제), 에프톱(미쓰비시 머티리얼 가세이사제), 메가팍(DIC(주)제), 플루오라드 노벡 FC-4430(스미토모 3M(주)제), 서프론 S-242(AGC 세이미 케미컬사제), PolyFoxPF-6320(OMNOVA사제), SH-8400(도레이·다우코닝 실리콘), 프터젠트 FTX-218G(네오스사제) 등을 들 수 있다.
또한, 계면활성제로서, 하기 일반식 (I-1-1)로 나타나는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 포함하고, 테트라하이드로퓨란(THF)을 용매로 한 경우의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피로 측정되는 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.
일반식 (I-1-1)
[화학식 32]
Figure pct00032
(식 (I-1-1) 중, R401 및 R403은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R402는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R404는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내며, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이고, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내며, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내며, s는 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.)
상기 L은, 하기 일반식 (I-1-2)로 나타나는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 일반식 (I-1-2)에 있어서의 R405는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 습윤성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하며, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100질량%인 것이 바람직하다.
일반식 (I-1-2)
[화학식 33]
Figure pct00033
상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.
이들 계면활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 계면활성제를 함유하는 경우, 계면활성제의 첨가량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형 성분 100질량부에 대하여, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.001~10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.01~3질량부인 것이 더 바람직하다. 계면활성제는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<산화 방지제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있거나, 또는 분해에 의한 막두께 감소를 저감시킬 수 있고, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다.
이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면, 인계 산화 방지제, 아마이드류, 하이드라자이드류, 힌더드 아민계 산화 방지제, 유황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 싸이오 황산염, 하이드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제, 힌더드 아민계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 아마이드계 산화 방지제, 하이드라자이드계 산화 방지제, 유황계 산화 방지제가 바람직하고, 페놀계 산화 방지제가 가장 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 혼합해도 된다.
구체예로서는, 일본 공개특허공보 2005-29515호의 단락 번호 0026~0031에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-227106호의 단락 번호 0106~0116에 기재된 화합물을 들 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
바람직한 시판품으로서, 아데카 스타브 AO-20, 아데카 스타브 AO-60, 아데카 스타브 AO-80, 아데카 스타브 LA-52, 아데카 스타브 LA-81, 아데카 스타브 AO-412S, 아데카 스타브 PEP-36, 이르가녹스 1035, 이르가녹스 1098, 티누빈 144를 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 산화 방지제를 함유하는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물 중의 전체 고형 성분 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부인 것이 바람직하고, 0.2~5질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5~4질량부인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성 시의 감도도 양호해진다. 산화 방지제는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<<산증식제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감도 향상을 목적으로, 산증식제를 이용할 수 있다.
본 발명에 이용할 수 있는 산증식제는, 산촉매 반응에 의하여 추가로 산을 발생시켜 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정적으로 존재하는 화합물이다.
이와 같은 산증식제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-221494의 단락 번호 0226~0228에 기재된 산증식제를 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
<<현상 촉진제>>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 현상 촉진제를 함유할 수 있다.
현상 촉진제로서는, 일본 공개특허공보 2012-042837호의 단락 번호 0171~0172에 기재되어 있는 것을 참조할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다.
현상 촉진제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 현상 촉진제를 함유하는 경우, 현상 촉진제의 첨가량은, 감도와 잔막률의 관점에서, 감광성 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여, 0~30질량부가 바람직하고, 0.1~20질량부가 보다 바람직하며, 0.5~10질량부인 것이 가장 바람직하다. 2종류 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
또한, 그 외의 첨가제로서는 일본 공개특허공보 2012-8223호의 단락 번호 0120~0121에 기재된 열라디칼 발생제, WO2011/136074A1에 기재된 질소 함유 화합물 및 열산발생제도 이용할 수 있고, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
<감광성 수지 조성물의 조제 방법>
각 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, 성분을, 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은, 예를 들면 구멍 직경 0.2μm의 필터 등을 이용하여 여과한 후에, 사용할 수도 있다.
경화막의 제조 방법:
본 발명의 경화막의 제조 방법은, 이하의 (1)~(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정;
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정;
(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의하여 노광하는 공정;
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의하여 현상하는 공정;
(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화시키는 포스트베이크 공정.
이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.
(1)의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 알칼리 세정이나 플라즈마 세정과 같은 기판의 세정을 행하는 것이 바람직하고, 또한 기판 세정 후에 헥사메틸다이실라제인으로 기판 표면을 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 행함으로써, 감광성 수지 조성물의 기판에 대한 밀착성이 향상되는 경향이 있다. 헥사메틸다이실라제인으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 헥사메틸다이실라제인 증기 중에 기판을 노출시키는 방법 등을 들 수 있다.
상기의 기판으로서는, 무기 기판, 수지, 수지 복합 재료 등을 들 수 있다.
무기 기판으로서는, 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 실리콘 나이트라이드, 및 그들과 같은 기판 상에 몰리브데넘, 타이타늄, 알루미늄, 구리 등을 증착한 복합 기판을 들 수 있다.
수지로서는, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리뷰틸렌나프탈레이트, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 폴리에터설폰, 폴리아릴레이트, 알릴다이글라이콜카보네이트, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리에터이미드, 폴리벤즈아졸, 폴리페닐렌설파이드, 폴리사이클로올레핀, 노보넨 수지, 폴리클로로트라이플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 액정 폴리머, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아이오노머 수지, 사이아네이트 수지, 가교 푸마르산 다이에스터, 환상 폴리올레핀, 방향족 에터, 말레이미드-올레핀, 셀룰로스, 에피설파이드 화합물 등의 합성 수지로 이루어지는 기판을 들 수 있다.
이들 기판은, 상기의 형태 그대로 이용되는 경우는 적고, 통상, 최종 제품의 형태에 따라, 예를 들면 TFT 소자와 같은 다층 적층 구조가 형성되어 있다.
기판에 대한 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법, 유연 도포법, 슬릿 앤드 스핀법 등의 방법을 이용할 수 있다.
도포했을 때의 습윤막 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 용도에 따른 막두께로 도포할 수 있는데, 통상은 0.5~10μm의 범위에서 사용된다.
또한, 기판에 본 발명에서 이용되는 조성물을 도포하기 전에, 일본 공개특허공보 2009-145395호에 기재되어 있는, 이른바 프리웨트법을 적용하는 것도 가능하다.
(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기의 막으로부터, 감압(진공) 및/또는 가열 등에 의하여, 용제를 제거하고 기판 상에 건조 도막을 형성시킨다. 용제 제거 공정의 가열 조건은, 바람직하게는 70~130℃에서 30~300초간 정도이다. 온도와 시간이 상기 범위인 경우, 패턴의 밀착성이 보다 양호하고, 또한 잔사도 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.
(3)의 노광 공정에서는, 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, 광산발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의하여, 도막 성분 중에 포함되는 아세탈기가 가수분해되어, 카복실기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.
활성 광선에 의한 노광 광원으로서는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 이용할 수 있고, i선(365nm), h선(405nm), g선(436nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 차단 필터, 단파장 차단 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사광을 조정할 수도 있다. 노광량은 바람직하게는 1~500mJ/cm2이다.
노광 장치로서는, 미러 프로젝션 얼라이너, 스테퍼, 스캐너, 프록시미티, 콘택트, 마이크로 렌즈 어레이, 렌즈 스캐너, 레이저 노광 등 각종 방식의 노광기를 이용할 수 있다.
산촉매가 생성된 영역에 있어서, 상기의 가수분해 반응을 가속시키기 위하여, 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, "PEB"라고도 함)를 행할 수 있다. PEB에 의하여, 아세탈기로부터의 카복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하며, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.
단, 본 발명에 있어서의 아세탈기는, 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산발생제 유래의 산에 의하여 용이하게 분해되며, 카복실기 또는 페놀성 수산기를 발생시키기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않아도, 현상에 의하여 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.
(4)의 현상 공정에서는, 유리한 카복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를, 알칼리성 현상액을 이용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해되기 쉬운 카복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성된다.
현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라뷰틸암모늄하이드록사이드, 벤질트라이메틸암모늄하이드록사이드, 콜린하이드록사이드 등의 암모늄하이드록사이드류 등의 암모늄하이드록사이드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
바람직한 현상액으로서, 테트라메틸암모늄하이드록사이드의 0.4~2.5% 수용액을 들 수 있다.
현상액의 pH는, 바람직하게는 10.0~14.0이다.
현상 시간은, 바람직하게는 30~500초간이며, 또한 현상의 수법은 액 융기법(패들법), 샤워법, 딥법 등 중 어느 것이어도 된다.
현상 후에, 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는, 현상 후의 기판을 순수 등으로 세정함으로써, 부착되어 있는 현상액 제거, 현상 잔사 제거를 행한다. 린스 방법은 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면 샤워 린스나 딥 린스 등을 들 수 있다.
(5)의 포스트베이크 공정에서는, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 아세탈기를 열분해하여 카복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시켜, 가교성기, 가교제 등과 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180~250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5~90분간, 오븐이면 30~120분간, 가열 처리를 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 가교 반응을 진행시킴으로써, 내열성, 경도 등이 보다 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기하에서 행함으로써, 투명성을 보다 향상시킬 수도 있다.
포스트베이크 전에, 비교적 저온에서 베이크를 행한 후에 포스트베이크할 수도 있다(미들베이크 공정의 추가). 미들베이크를 행하는 경우는, 90~150℃에서 1~60분 가열한 후에, 200℃ 이상의 고온에서 포스트베이크하는 것이 바람직하다. 또한, 미들베이크, 포스트베이크를 3단계 이상의 다단계로 나누어 가열할 수도 있다. 이와 같은 미들베이크, 포스트베이크의 고안에 의하여, 패턴의 테이퍼각을 조정할 수 있다. 이와 같은 가열은, 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등, 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다.
또한, 포스트베이크에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의하여 전체면 재노광(포스트 노광)한 후, 포스트베이크함으로써 미노광 부분에 존재하는 광산발생제로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진시키는 촉매로서 기능시킬 수 있고, 막의 경화 반응을 촉진할 수 있다. 포스트 노광 공정을 포함하는 경우의 바람직한 노광량으로서는, 100~3,000mJ/cm2가 바람직하고, 100~500mJ/cm2가 특히 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은, 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 수도 있다. 포스트베이크 공정에 의하여 열경화되어 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용하는 경우, 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.
경화막:
본 발명의 경화막은, 상술한 본 발명의 조성물을 경화시켜 얻어진 경화막이다.
본 발명의 경화막은, 층간 절연막으로서 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은, 상술한 본 발명의 경화막의 형성 방법에 의하여 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하여, 절연성이 우수하고, 고온에서 베이크된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 이루어지는 층간 절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치의 용도로 유용하다.
액정 표시 장치:
본 발명의 액정 표시 장치는, 본 발명의 경화막을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 액정 표시 장치를 들 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는, 아모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에, 이들 TFT에 조합하여 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 구동 방식으로서는 TN(Twisted Nematic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.
패널 구성에 있어서는, COA(Color Filter on Allay) 방식의 액정 표시 장치에서도 본 발명의 경화막을 이용할 수 있고, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2005-284291의 유기 절연막(115)이나, 일본 공개특허공보 2005-346054의 유기 절연막(212)으로서 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광배향법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2003-149647호나 일본 공개특허공보 2011-257734호에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의하여 폴리머 배향 지지되어 있어도 된다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 다양한 용도로 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도, 컬러 필터의 보호막이나, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 마련되는 마이크로 렌즈 등에 적합하게 이용할 수 있다.
도 1은, 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부된 2매의 유리 기판(14, 15)의 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트 홀(18)을 통과하여, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.
백라이트의 광원으로서는, 특별히 한정되지 않고 공지의 광원을 이용할 수 있다. 예를 들면 백색 LED, 청색·적색·녹색 등의 다색 LED, 형광등(냉음극관), 유기 EL 등을 들 수 있다.
또한, 액정 표시 장치는, 3D(입체시)형의 것으로 하거나, 터치 패널형의 것으로 하거나 하는 것도 가능하다. 또한 플렉시블형으로 하는 것도 가능하고, 일본 공개특허공보 2011-145686호에 기재된 제2 층간 절연막(48)이나, 일본 공개특허공보 2009-258758호에 기재된 층간 절연막(520)으로서 이용할 수 있다.
유기 EL 표시 장치:
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 본 발명의 경화막을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는, 아모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에, 이들 TFT에 조합하여 바람직하게 이용할 수 있다.
도 2는, 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도이다. 보텀 이미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시하지 않은 콘택트 홀을 형성한 후, 이 콘택트 홀을 통하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0μm)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는 이후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.
또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위하여, 배선(2)에 의한 요철을 메우는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.
평탄화막(4) 상에는, 보텀 이미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트 홀(7)을 통하여 배선(2)에 접속되어 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.
제1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.
또한, 도 2에는 도시하고 있지 않지만 원하는 패턴 마스크를 통하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성하며, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 첩함함으로써 밀봉하여, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 경화성 및 경화막 특성이 우수하기 때문에, MEMS 디바이스의 구조 부재로서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트 패턴을 격벽으로 하거나, 기계 구동 부품의 일부로서 도입하여 사용된다. 이러한 MEMS용 디바이스로서는, 예를 들면 SAW 필터, BAW 필터, 자이로 센서, 디스플레이용 마이크로 셔터, 이미지 센서, 전자 페이퍼, 잉크젯 헤드, 바이오 칩, 밀봉제 등의 부품을 들 수 있다. 보다 구체적인 예는, 일본 공표특허공보 2007-522531, 일본 공개특허공보 2008-250200, 일본 공개특허공보 2009-263544 등에 예시되어 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 평탄성이나 투명성이 우수하기 때문에, 예를 들면 일본 공개특허공보 2011-107476호의 도 2에 기재된 뱅크층(16) 및 평탄화막(57), 일본 공개특허공보 2010-9793호의 도 4(a)에 기재된 격벽(12) 및 평탄화막(102), 일본 공개특허공보 2010-27591호의 도 10에 기재된 뱅크층(221) 및 제3 층간 절연막(216b), 일본 공개특허공보 2009-128577호의 도 4(a)에 기재된 제2 층간 절연막(125) 및 제3 층간 절연막(126), 일본 공개특허공보 2010-182638호의 도 3에 기재된 평탄화막(12) 및 화소 분리 절연막(14) 등의 형성에 이용할 수도 있다. 이 외에, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나, 팩시밀리, 전자 복사기, 고체 촬상 소자 등의 온 칩(on-chip) 컬러 필터의 결상 광학계 혹은 광섬유 커넥터의 마이크로 렌즈에도 적합하게 이용할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다.
이하의 합성예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.
MATHF: 2-테트라하이드로퓨란일메타크릴레이트(합성품)
MAEVE: 1-에톡시에틸메타크릴레이트(와코 준야쿠 고교제)
StOEVE: 4-(1-에톡시에틸옥시)스타이렌
OXE-30: 3-에틸-3-옥세탄일메틸메타크릴레이트(오사카 유키 가가쿠 고교제)
GMA: 글리시딜메타크릴레이트(와코 준야쿠 고교제)
NBMA: n-뷰톡시메틸아크릴아마이드(도쿄 가세이제)
HEMA: 하이드록시에틸메타크릴레이트(와코 준야쿠사제)
MAA: 메타크릴산(와코 준야쿠 고교제)
MMA: 메틸메타크릴레이트(와코 준야쿠 고교제)
St: 스타이렌(와코 준야쿠 고교제)
DCPM: 다이사이클로펜탄일메타크릴레이트
StOH: 4-하이드록시스타이렌
V-601: 다이메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(와코 준야쿠 고교제)
V-65: 2,2'-아조비스(2,4-다이메틸발레로나이트릴)(와코 준야쿠 고교제)
PGMEA: 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트
MEDG: 메틸에틸다이글라이콜
<MATHF의 합성>
메타크릴산(86g, 1mol)을 15℃로 냉각해 두고, 캠퍼설폰산(4.6g, 0.02mol)을 첨가했다. 그 용액에, 2-다이하이드로퓨란(71g, 1mol, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에, 포화 탄산 수소 나트륨(500mL)을 첨가하여, 아세트산 에틸(500mL)로 추출하고, 황산 마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물(油狀物)을 감압 증류하여 비점(bp.) 54~56℃/3.5mmHg 유분(留分)의 메타크릴산 테트라하이드로-2H-퓨란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).
<중합체 P-1의 합성예>
3구 플라스크에 PGMEA(프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트)(89g)를 넣고, 질소 분위기하에 있어서 90℃로 승온했다. 그 용액에 MAA(전체 단량체 성분 중의 9.5mol%가 되는 양), MATHF(전체 단량체 성분 중의 43mol%가 되는 양), GMA(전체 단량체 성분 중의 47.5mol%에 상당), V-65(전체 단량체 성분의 합계 100mol%에 대하여 4mol%에 상당)를 용해시켜, 2시간 동안 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반하고, 반응을 종료시켰다. 이로써 중합체 P-1을 얻었다. 또한, 용제 이외의 성분(고형분이라 칭함)의 농도가 40질량%가 되도록 조정했다.
모노머류 등을 하기 표에 나타내는 바와 같이 변경하여, 다른 중합체를 합성했다.
[표 1]
Figure pct00034
상기 표에 있어서, 표 중의 (a1)~(a3)의 단량체 성분은, 몰비이다. 중합 개시제 및 첨가제의 수치는, 단량체 성분을 100mol에 대한 mol비이다. 고형분 농도는, 모노머 질량/(모노머 질량+용제 질량)×100(단위 질량%)으로서 나타내고 있다. 중합 개시제로서 V-601을 이용한 경우는, 반응 온도는 90℃, V-65를 이용한 경우는 70℃를 반응 온도로 했다.
<B-1의 합성>
질소 분위기하, 3구 플라스크에, 4-브로모나프탈산 무수물 9.29g, 다이메틸설폭사이드 34g, 1,4-다이아자바이사이클로-[2.2.2]옥테인 4.14g을 첨가하고, 옥테인싸이올 5.14g을 30℃ 이하에서 적하하여, 40℃에서 5시간 교반했다. 반응액에 메탄올 70mL를 넣어 빙랭하고, 30분 교반 후, 석출한 결정을 여과 채취, 건조하여, 중간체 B-1A를 8.65g 얻었다.
이어서, 질소 분위기하, 3구 플라스크에, B-1A를 8.21g, 다이메틸폼아마이드 27.5g, 염산 하이드록실아민 2.00g을 첨가하고, 48중량% 수산화 나트륨 수용액 2.40g을 30℃ 이하에서 적하하여, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액에 증류수 30mL를 첨가하여 빙랭하고, 30분 교반 후, 농염산 1.00g을 첨가하여 추가로 1시간 교반했다. 석출한 결정을 여과 채취, 건조하여, 중간체 B-1B를 8.35g 얻었다.
3구 플라스크에, B-1B를 3.57g, 다이클로로메테인 25g, 피리딘 1.03g을 첨가하여 교반 후, 트라이플루오로메테인설폰산 무수물 2.96g을 15~20℃에서 적하하고, 25℃에서 3시간 교반했다. 반응액에 증류수 20mL와 다이클로로메테인 20g을 첨가하여 교반하고, 분액 후, 다이클로로메테인층을 0.25중량% 수산화 나트륨 수용액 30mL로 2회, 5중량% 염산 수용액 30mL로 1회, 증류수 40mL로 3회 수세했다. 유기층을 농축 후, n-헵테인 25g을 첨가하여 교반하고, 석출한 결정을 여과 채취, 건조하여 B-1을 3.83g 얻었다.
<B-2~B-18의 합성>
B-1과 동일하게, 대응하는 산무수물 중간체를 합성하여, 염산 하이드록실아민으로 이미드체로 유도 후, 설폰산 에스터화함으로써, B-2~B-18을 합성했다.
<감광성 수지 조성물의 조제>
하기 표에 기재된 고형분비가 되도록 각 성분을 칭량하여, 용제(PGMEA:MEDG=1:1)에 고형분 농도 15%가 될 때까지 용해 혼합하고, 구경 0.2μm의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터로 여과하여, 각종 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 및 비교예에 이용한 각 화합물을 나타내는 약호의 상세는, 이하와 같다.
(일반식 (I)로 나타나는 광산발생제)
B-1~B-17: 하기 구조의 화합물
[화학식 34]
Figure pct00035
[화학식 35]
Figure pct00036
[화학식 36]
Figure pct00037
B-1'~B-3': 하기 구조의 화합물
[화학식 37]
Figure pct00038
(염기성 화합물)
C-1: 하기 구조의 화합물
[화학식 38]
Figure pct00039
C-2: 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센
C-3: 트라이페닐이미다졸
(알콕시실레인 화합물)
D-1: γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인(KBM-403: 신에쓰 가가쿠제)
(계면활성제)
E-1: 하기 구조식으로 나타나는 퍼플루오로알킬기 함유 비이온 계면활성제(F-554, DIC제)
[화학식 39]
Figure pct00040
(그 외의 첨가제)
F-1: JER828((주)미쓰비시 케미컬 홀딩스제)
F-2: JER1007((주)미쓰비시 케미컬 홀딩스제)
F-3: JER157S65((주)미쓰비시 케미컬 홀딩스제)
G-1: 아데카 스타브 AO-60((주)ADEKA제)
G-2: 이르가녹스 1035(BASF제)
G-3: 이르가녹스 1098(BASF제)
<평가 항목>
(감도) 실시예 1~27 및 비교예 1~3
유리 기판(코닝 1737, 0.7mm 두께(코닝사제)) 상에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 프리베이크하여 용제를 휘발시켜, 막두께 3.0μm의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.
다음으로, 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 MPA 5500CF(고압 수은등)를 이용하여, 소정의 마스크를 통하여 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 조성물층을, 알칼리 현상액(0.4중량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후, 초순수로 20초 린스했다.
이들 조작에 의하여 10μm의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 i선 노광량(Eopt)을 감도로 했다.
1: 40mJ/cm2 미만
2: 40mJ/cm2 이상 80mJ/cm2 미만
3: 80mJ/cm2 이상 160mJ/cm2 미만
4: 160mJ/cm2 이상
(감도) 실시예 28 및 29
유리 기판(코닝 1737, 0.7mm 두께(코닝사제)) 상에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 프리베이크하여 용제를 휘발시켜, 막두께 3.0μm의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.
다음으로, 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 MPA 5500CF(고압 수은등)를 이용하여, 소정의 마스크를 통하여 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 조성물층을, 알칼리 현상액(2.38중량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후, 초순수로 20초 린스했다.
이들 조작에 의하여 10μm의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 i선 노광량(Eopt)을 감도로 했다.
1: 40mJ/cm2 미만
2: 40mJ/cm2 이상 80mJ/cm2 미만
3: 80mJ/cm2 이상 160mJ/cm2 미만
4: 160mJ/cm2 이상
(체적 저항률)
알루미늄 기판 상에 재료를 도포한 후, 90℃에서 2분 건조 후, 초고압 수은등으로 300mJ 노광하고, 또한, 230℃에서 30분 오븐으로 가열하여, 막두께 3μm의 경화막을 형성했다. 이 경화막 상에 알루미늄 증착을 행한 것을 체적 저항률 측정용 샘플로 했다.
상기 체적 저항률 측정용 샘플을 23℃, 60%RH, 24h 조습한 후, ULTRA HIGH RESISTANCE METER(ADVANTEST제)로 체적 저항률 측정을 행했다. 측정 방법은 JIS K6911에 준거하여, 인가 전압 10V, 1분으로 체적 저항 측정값(Ω)을 측정했다. 본 측정값과, 알루미늄 전극의 면적 및 시료 두께로부터, 체적 저항률(Ω·cm)을 산출했다.
평가 기준은 이하와 같고, 1 또는 2가 실용상 바람직하다.
1: 1×10×16Ω·cm 이상
2: 5×10×15Ω·cm 이상 1×1016Ω·cm 미만
3: 1×10×15Ω·cm 이상 5×1015Ω·cm 미만
4: 1×10×15Ω·cm 미만
[표 2]
Figure pct00041
상기 표로부터, 광산발생제로서 일반식 (I)로 나타나는 화합물을 이용한 실시예 1~29는, 고감도이며, 체적 저항률도 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 한편, 일반식 (I)로 나타나는 화합물이 아닌 광산발생제를 이용한 비교예 1~3은, 모두 체적 저항률이 뒤떨어졌고, 비교예 2는 감도도 뒤떨어진 것을 알 수 있다.
또한, 일반식 (I) 중의 R3에 할로젠 원자가 치환되어 있으면, 감도와 체적 저항률이 보다 향상되는 것을 알 수 있다.
<표시 장치의 제작>
(실시예 101)
박막 트랜지스터(TFT)를 이용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 2 참조).
유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트 홀을 형성한 후, 이 콘택트 홀을 통하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0μm)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는 이후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.
또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위하여, 배선(2)에 의한 요철을 메우는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이크(90℃×2분)한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은등을 이용하여 i선(365nm)을 45mJ/cm2(조도 20mW/cm2) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다.
감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm였다.
다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 상에, 보텀 이미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 먼저, 평탄화막(4) 상에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트 홀(7)을 통하여 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 시판 중인 레지스트를 도포, 프리베이크하고, 원하는 패턴의 마스크를 통하여 노광하여, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 에천트를 이용한 웨트 에칭에 의하여 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(리무버 100, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제)을 이용하여 레지스트 패턴을 50℃에서 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.
다음으로, 제1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여 상술한 방법과 동일한 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.
또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 첩함함으로써 밀봉했다.
이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통하여 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 102)
실시예 101에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 2의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 101과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 103)
실시예 101에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 3의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 101과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 104)
실시예 101에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 4의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 101과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 105)
실시예 101에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 5의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 101과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 106)
일본 특허공보 제3321003호의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하고, 실시예 106의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 이용하여, 상기 실시예 101에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 동일한 방법으로, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.
얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 107)
실시예 106에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 7의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 106과 동일하게 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 108)
실시예 106에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 8의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 106과 동일하게 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 109)
실시예 106에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 9의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 106과 동일하게 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
(실시예 110)
실시예 106에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 10의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외에는, 실시예 106과 동일하게 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.
1: TFT(박막 트랜지스터)
2: 배선
3: 절연막
4: 평탄화막
5: 제1 전극
6: 유리 기판
7: 콘택트 홀
8: 절연막
10: 액정 표시 장치
12: 백라이트 유닛
14, 15: 유리 기판
16: TFT
17: 경화막
18: 콘택트 홀
19: ITO 투명 전극
20: 액정
22: 컬러 필터

Claims (10)

  1. (A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
    (1) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
    (2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체
    (B) 하기 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제, 및
    (C) 용제
    를 함유하는, 감광성 수지 조성물;
    [화학식 1]
    Figure pct00042

    일반식 (I) 중, R1 및 R2 중 한쪽은, 하기 일반식 (A)로 나타나는 기를 나타내고, 다른 한쪽은 수소 원자를 나타낸다; R3은, 할로젠 원자, 알킬싸이오기 및 지환식 탄화 수소기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 1~18의 지방족 탄화 수소기, 할로젠 원자, 알킬싸이오기, 알킬기 및 아실기 중 어느 하나 이상으로 치환되어도 되는 탄소수 6~20의 아릴기, 할로젠 원자 및/또는 알킬싸이오기로 치환되어도 되는 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 10-캠퍼일기 또는, 하기 일반식 (B)로 나타나는 기를 나타낸다;
    일반식 (A)
    [화학식 2]
    Figure pct00043

    일반식 (A) 중, X1은, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, Y1은, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R4는, 탄소수 1~12의 탄화 수소기를 나타내고, R5는, 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내며, R6은, 수소 원자, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~4의 알킬기, 탄소수 3~10의 지환식 탄화 수소기, 복소환기, 또는 수산기를 나타낸다; n은, 0~5의 정수를 나타내고, n이 2~5인 경우, 복수 존재하는 R5는 동일해도 되고 상이해도 된다;
    일반식 (B)
    [화학식 3]
    Figure pct00044

    일반식 (B) 중, Y2는, 단결합 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기를 나타내고, R7은, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내며, R8은, 단결합, 탄소수 2~6의 알킬렌기, 탄소수 2~6의 할로젠화 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기 또는 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴렌기를 나타내고, R9는, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 알킬기, 분기되어 있어도 되는 탄소수 1~18의 할로젠화 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기, 탄소수 7~20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7~20의 할로젠화 아릴알킬기를 나타낸다; a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, a 및 b 중 적어도 한쪽은 1이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    일반식 (I)의 R3이, 탄소수 1~8의 지방족 탄화 수소기, 탄소수 1~8의 퍼플루오로알킬기, 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 6~10의 아릴기, 또는 할로젠 원자로 치환되어도 되는 탄소수 7~10의 알킬아릴기를 나타내는, 감광성 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    (a2) 구성 단위에 있어서의 가교성기가 에폭시기 및/또는 옥세테인기인 감광성 수지 조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체 성분으로서, 적어도 (1)을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    (B) 일반식 (I)로 나타나는 광산발생제의 분자량이, 335~800인, 감광성 수지 조성물.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    가교제를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  7. (1) 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,
    (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
    (3) 활성 방사선으로 노광하는 공정,
    (4) 수성 현상액으로 현상하는 공정, 및
    (5) 열경화시키는 포스트베이크 공정을 포함하는 경화막의 제조 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 경화막.
  9. 청구항 8에 있어서,
    층간 절연막인, 경화막.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 경화막을 갖는, 액정 표시 장치 또는 유기 EL 표시 장치.
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