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KR20160007372A - Method for manufacturing exposure mask - Google Patents

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KR20160007372A
KR20160007372A KR1020150094667A KR20150094667A KR20160007372A KR 20160007372 A KR20160007372 A KR 20160007372A KR 1020150094667 A KR1020150094667 A KR 1020150094667A KR 20150094667 A KR20150094667 A KR 20150094667A KR 20160007372 A KR20160007372 A KR 20160007372A
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South Korea
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light
wafer
shielding material
transparent plate
groove
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Withdrawn
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KR1020150094667A
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Korean (ko)
Inventor
사카에 마츠자키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 종래의 방법에 비하여 간단한 공정으로 저렴하게 노광 마스크를 제조할 수 있는 노광 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼 가공용 노광 마스크의 제조 방법으로서, 가공하는 웨이퍼(11) 이상의 크기를 가지며 광을 투과하는 투명판(21)의, 상기 웨이퍼의 스트리트(17)에 대응하는 표면(21a)측 영역에, 투명판의 이면(21b)에는 이르지 않는 깊이의 홈(23)을 형성하는 홈 형성 공정과, 홈에 차광성을 갖는 차광재(27)를 매설하는 차광재 매설 공정을 포함하는 구성으로 하였다.An object of the present invention is to provide a manufacturing method of an exposure mask which can manufacture an exposure mask at a low cost with a simple process as compared with a conventional method.
A method for manufacturing an exposure mask for wafer processing, comprising the steps of: forming a transparent plate (21) having a size larger than a wafer (11) to be processed and transmitting light, A groove forming step of forming a groove 23 having a depth not reaching the back surface 21b of the groove 21 and a light shielding material filling step of filling a light shielding material 27 having a light shielding property in the groove.

Description

노광 마스크의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK}METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK [0002]

본 발명은, 웨이퍼를 가공할 때에 사용되는 노광 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an exposure mask used for processing a wafer.

휴대전화로 대표되는 소형 경량의 전자기기에서는, IC, LSI 등의 전자 회로를 구비하는 디바이스 칩이 필수적인 구성으로 되어 있다. 디바이스 칩은, 예컨대, 실리콘 등의 재료로 이루어진 웨이퍼의 표면을 스트리트라고 불리는 복수의 분할 예정 라인으로 구획하고, 각 영역에 전자 회로를 형성한 후, 이 스트리트를 따라 웨이퍼를 절단함으로써 제조할 수 있다.In a small-sized and lightweight electronic apparatus typified by a cellular phone, a device chip having an electronic circuit such as an IC or an LSI is essential. The device chip can be manufactured by, for example, dividing the surface of a wafer made of a material such as silicon into a plurality of lines to be divided called streets, forming an electronic circuit in each area, and cutting the wafer along the street .

웨이퍼를 절단할 때에는, 예컨대, 고속 회전하는 절삭 블레이드를 웨이퍼의 스트리트에 절입시킨 후에, 절삭 블레이드 및 웨이퍼를 스트리트와 평행한 방향으로 상대 이동시킨다. 그러나, 이 방법에서는, 웨이퍼를 스트리트를 따라 기계적으로 깎아내기 때문에, 디바이스 칩의 항절 강도가 저하되기 쉽다.When the wafer is cut, for example, a cutting blade that rotates at a high speed is inserted into a street of the wafer, and then the cutting blade and the wafer are relatively moved in a direction parallel to the street. However, in this method, since the wafer is mechanically shaved along the street, the transverse strength of the device chip is liable to be lowered.

또한, 이 방법에서는, 절삭 블레이드를 스트리트에 대하여 고정밀도로 위치 맞춤한 후에, 각 스트리트를 개별로 절삭할 필요가 있기 때문에, 가공의 종료까지 긴 시간을 요하게 된다. 특히, 이 문제는, 절삭해야 할 분할 예정 라인의 수가 많은 웨이퍼에 있어서 심각하다.Further, in this method, since it is necessary to individually cut the respective blades after precisely aligning the cutting blades with respect to the streets, it takes a long time until the end of the machining. Particularly, this problem is serious in wafers having a large number of lines to be divided to be cut.

그래서, 최근에는, 플라즈마 에칭을 이용하여 웨이퍼를 절단하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 방법에서는, 플라즈마 에칭으로 웨이퍼의 전체면을 한번에 가공할 수 있기 때문에, 디바이스 칩의 소형화, 웨이퍼의 대형화 등에 따라 가공해야 할 분할 예정 라인의 수가 증가하여도, 가공 시간은 거의 변하지 않고 끝난다.Therefore, recently, a method of cutting a wafer by plasma etching has been proposed (for example, see Patent Document 1). In this method, the entire surface of the wafer can be processed at one time by the plasma etching. Therefore, even if the number of lines to be divided to be processed increases with the downsizing of the device chip and the wafer size, the processing time is almost unchanged.

또한, 웨이퍼를 기계적으로 깎아내는 것은 아니기 때문에, 가공시의 치핑(chipping) 등을 억제하고, 디바이스 칩의 항절 강도를 높게 유지할 수 있다. 또한, 이 방법에서는, 유리 기판의 표면에 크롬 등으로 이루어진 차광막의 패턴이 형성된 노광 마스크(예컨대, 특허문헌 2 참조)를 이용하여 웨이퍼의 표리면에 에칭용 레지스트막을 형성하고 있다.Further, since the wafer is not mechanically shaved, chipping or the like at the time of processing can be suppressed, and the transverse strength of the device chip can be maintained at a high level. Further, in this method, an etching resist film is formed on the front and back surfaces of the wafer using an exposure mask (see, for example, Patent Document 2) in which a pattern of a light-shielding film made of chromium or the like is formed on the surface of the glass substrate.

[선행기술문헌][Prior Art Literature]

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-114825호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-114825

[특허문헌 2] 일본 특허 공개 소화 제62-229151호 공보[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-229151

그러나, 전술한 노광 마스크는, 차광막의 형성, 레지스트막의 피복, 레지스트막의 패턴 묘화, 차광막의 에칭과 같은 복잡한 공정을 거쳐 제조되어, 가격이 비싸기 때문에, 이 노광 마스크를 이용하면, 웨이퍼의 가공 비용도 상승하게 된다.However, the exposure mask described above is manufactured through a complicated process such as formation of a light-shielding film, coating of a resist film, patterning of a resist film, etching of a light-shielding film, and is expensive. .

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 종래의 방법에 비하여 간단한 공정으로 저렴하게 노광 마스크를 제조할 수 있는 노광 마스크의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method of an exposure mask which can manufacture an exposure mask at a low cost in a simple process as compared with the conventional method.

본 발명에 따르면, 웨이퍼 가공용 노광 마스크의 제조 방법으로서, 가공하는 웨이퍼 이상의 크기를 가지며 광을 투과하는 투명판의, 상기 웨이퍼의 스트리트에 대응하는 표면측 영역에, 상기 투명판의 이면에는 이르지 않는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 공정과, 상기 홈에 차광성을 갖는 차광재를 매설하는 차광재 매설 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a method of manufacturing an exposure mask for wafer processing, comprising the steps of: providing a transparent plate having a size larger than a wafer to be processed and transmitting light, A groove forming step of forming a groove of the light shielding material in the groove and a light shielding material filling step of burying the light shielding material having a light shielding property in the groove.

본 발명에 있어서, 상기 차광재 매설 공정은, 잉크젯 노즐을 갖는 매설 수단에 의해 행해지는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the light-shielding material-embedding step is performed by embedding means having an ink-jet nozzle.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 차광재 매설 공정에서는, 상기 홈이 형성된 상기 투명판의 표면 전체에 상기 차광재를 피복하여 상기 홈에 상기 차광재를 매설한 후, 상기 투명판의 상기 홈 이외의 표면을 피복한 상기 차광재를 제거하는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, in the step of embedding the light-shielding material, the light-shielding material is coated on the entire surface of the transparent plate on which the grooves are formed, the light-blocking material is embedded in the grooves, It is preferable to remove the light shielding material coated on the surface.

본 발명에 따른 노광 마스크의 제조 방법은, 광을 투과하는 투명판의 표면측에, 웨이퍼의 스트리트에 대응하여 투명판의 이면에 이르지 않는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 공정과, 홈에 차광성을 갖는 차광재를 매설하는 차광재 매설 공정을 포함하고 있다.A manufacturing method of an exposure mask according to the present invention is characterized by comprising a groove forming step of forming a groove with a depth not reaching the back surface of the transparent plate corresponding to the street of the wafer on the surface side of the transparent plate through which light is transmitted, And a light-shielding material embedding step for embedding the light-shielding material having the light-shielding material.

그 때문에, 레지스트막의 피복, 레지스트막의 패턴 묘화, 차광막의 에칭과 같은 복잡한 공정을 거치지 않고, 웨이퍼의 스트리트에 대응하는 차광 패턴을 구비한 노광 마스크를 제조할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, 종래의 방법에 비하여 간단한 공정으로 저렴하게 노광 마스크를 제조할 수 있는 노광 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다.Therefore, an exposure mask having a light-shielding pattern corresponding to a street of a wafer can be manufactured without complicated processes such as coating of a resist film, patterning of a resist film, and etching of a light-shielding film. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a manufacturing method of an exposure mask which can manufacture an exposure mask at a low cost with a simple process as compared with the conventional method.

도 1의 (A)는 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 사시도이고, 도 1의 (B)는 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 2의 (A)는 홈 형성 공정을 모식적으로 나타낸 사시도이고, 도 2의 (B)는 홈 형성 공정 후의 투명판을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 3의 (A)는 차광재 매설 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이고, 도 3의 (B)는 차광재 매설 공정 후의 투명판을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 4의 (A)는 차광재 매설 공정의 변형례를 모식적으로 나타낸 단면도이고, 도 4의 (B)는 차광재 매설 공정의 변형례를 모식적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 1 (A) is a perspective view schematically showing a configuration example of a wafer, and FIG. 1 (B) is a sectional view schematically showing a configuration example of a wafer.
FIG. 2A is a perspective view schematically showing a groove forming process, and FIG. 2B is a sectional view schematically showing a transparent plate after a groove forming process.
Fig. 3 (A) is a partial sectional side view schematically showing the light-shielding material-embedding process, and Fig. 3 (B) is a perspective view schematically showing a transparent plate after the light-shielding material-embedding process.
Fig. 4 (A) is a cross-sectional view that schematically shows a modification of the light-shielding material-embedding process, and Fig. 4 (B) is a perspective view that schematically shows a modification of the light-

첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 노광 마스크의 제조 방법은, 홈 형성 공정(도 2의 (A) 및 도 2의 (B) 참조), 및 차광재 매설 공정(도 3의 (A) 및 도 3의 (B) 참조)을 포함한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The method for manufacturing an exposure mask according to the present embodiment is characterized in that the groove forming step (see FIGS. 2A and 2B) and the light shielding material filling step (FIG. 3A and FIG. 3B )).

홈 형성 공정에서는, 광을 투과하는 투명판의 표면측에, 웨이퍼의 스트리트에 대응하여 투명판의 이면에 이르지 않는 깊이의 홈을 형성한다. 차광재 매설 공정에서는, 투명판의 홈에 차광성을 갖는 차광재를 매설한다. 이하, 본 실시형태에 따른 노광 마스크의 제조 방법에 대해서 상세히 설명한다.In the groove forming step, a groove having a depth not reaching the back surface of the transparent plate corresponding to the street of the wafer is formed on the surface side of the transparent plate through which light is transmitted. In the light insulating material submerged step, a light shielding material having a light shielding property is buried in the groove of the transparent plate. Hereinafter, a method of manufacturing an exposure mask according to the present embodiment will be described in detail.

우선, 본 실시형태의 노광 마스크를 이용하여 가공되는 웨이퍼에 대해서 설명한다. 도 1의 (A)는 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 사시도이고, 도 1의 (B)는 웨이퍼의 구성예를 모식적으로 나타낸 단면도이다.First, a wafer to be processed by using the exposure mask of the present embodiment will be described. FIG. 1 (A) is a perspective view schematically showing a configuration example of a wafer, and FIG. 1 (B) is a sectional view schematically showing a configuration example of a wafer.

도 1의 (A) 및 도 1의 (B)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)는, 예컨대, 실리콘 등의 반도체 재료로 형성된 대략 원형의 판상물(板狀物)로서, 표면(11a)은, 중앙의 디바이스 영역(13)과, 디바이스 영역(13)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(15)으로 나누어져 있다.1 (A) and 1 (B), the wafer 11 is a substantially circular plate-shaped material formed of a semiconductor material such as silicon, for example, and has a surface 11a, Is divided into a central device area 13 and an outer peripheral surplus area 15 surrounding the device area 13.

디바이스 영역(13)은, 격자형으로 배열된 스트리트(분할 예정 라인)(17)에 의해 복수의 영역으로 더 구획되어 있고, 각 영역에는, IC 등의 디바이스(19)가 형성되어 있다. 웨이퍼(11)의 외주(11c)는 모따기 가공되어 있어, 둥그스름하게 되어 있다.The device region 13 is further divided into a plurality of regions by streets (line to be divided) 17 arranged in a lattice pattern, and devices 19 such as ICs are formed in each region. The outer periphery 11c of the wafer 11 is chamfered and rounded.

본 실시형태에 따른 노광 마스크의 제조 방법에서는, 전술한 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하는 차광 패턴을 구비한 노광 마스크를 제조한다. 구체적으로는, 우선, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응한 홈을 투명판에 형성하는 홈 형성 공정을 실시한다. 도 2의 (A)는 홈 형성 공정을 모식적으로 나타낸 사시도이고, 도 2의 (B)는 홈 형성 공정 후의 투명판을 모식적으로 나타낸 단면도이다.In the method of manufacturing an exposure mask according to the present embodiment, an exposure mask having a light shielding pattern corresponding to the street 17 of the wafer 11 described above is manufactured. Concretely, first, a groove forming step is performed in which a groove corresponding to the street 17 of the wafer 11 is formed on the transparent plate. FIG. 2A is a perspective view schematically showing a groove forming process, and FIG. 2B is a sectional view schematically showing a transparent plate after a groove forming process.

도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 노광 마스크의 기재가 되는 투명판(21)은, 유리, 수지 등의 투명 재료로 형성된 대략 원형의 판상물로서, 그 직경은, 예컨대, 웨이퍼(11)의 직경보다 크게 되어 있다. 단, 투명판(21)은, 웨이퍼(11)와 동일한 직경으로 형성되어도 좋다. 즉, 투명판(21)은 웨이퍼(11) 이상의 크기이면 좋다.2 (A) and 2 (B), the transparent plate 21 to be the base of the exposure mask is a substantially circular plate-like material formed of a transparent material such as glass or resin, For example, larger than the diameter of the wafer 11. However, the transparent plate 21 may be formed to have the same diameter as the wafer 11. That is, the transparent plate 21 may have a size larger than that of the wafer 11.

또한, 이 투명판(21)은, 노광 마스크에 요구되는 임의의 광학 특성을 구비하고 있다. 구체적으로는, 예컨대, 투명판(21)은, 레지스트재를 경화시키기 위해서 이용하는 정해진 파장의 광에 대하여 투명하다. 단, 투명판(21)은, 반드시 가시광에 대하여 투명할 필요는 없다.Further, the transparent plate 21 has arbitrary optical characteristics required for the exposure mask. Specifically, for example, the transparent plate 21 is transparent to light of a predetermined wavelength used for curing the resist material. However, the transparent plate 21 does not necessarily have to be transparent to visible light.

홈 형성 공정에서는, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 고속 회전시킨 절삭 블레이드(2)를 투명판(21)의 표면(21a)에 절입시켜, 절삭 블레이드(2)와 투명판(21)을 수평 방향으로 상대 이동시킨다. 여기서, 절삭 블레이드(2)는, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하는 영역에 절입된다. 또한, 절삭 블레이드(2)의 절입 깊이는, 절삭 블레이드(2)가 투명판(21)의 이면(21b)에 이르지 않을 정도로 한다.2 (A), the cutting blade 2 rotated at a high speed is cut into the surface 21a of the transparent plate 21 so that the cutting blade 2 and the transparent plate 21 ) Relative to each other in the horizontal direction. Here, the cutting blade 2 is inserted into a region corresponding to the street 17 of the wafer 11. The cutting depth of the cutting blade 2 is set to such a degree that the cutting blade 2 does not reach the back surface 21b of the transparent plate 21.

이에 따라, 투명판(21)의 표면(21a)측에, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하여 투명판(21)의 이면(21b)에 이르지 않는 깊이의 홈(23)을 형성할 수 있다. 웨이퍼(11)의 모든 스트리트(17)에 대응하는 홈(23)이 형성되면, 홈 형성 공정은 종료된다.A groove 23 having a depth not reaching the back surface 21b of the transparent plate 21 corresponding to the street 17 of the wafer 11 is formed on the surface 21a side of the transparent plate 21 . When the grooves 23 corresponding to all the streets 17 of the wafer 11 are formed, the groove forming process is finished.

홈 형성 공정 후에는, 투명판(21)의 홈(23)에 차광성을 갖는 차광재를 매설하는 차광재 매설 공정을 실시한다. 도 3의 (A)는 차광재 매설 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이고, 도 3의 (B)는 차광재 매설 공정 후의 투명판(21)을 모식적으로 나타낸 사시도이다.After the groove forming process, a light-shielding material filling step for filling a light-shielding material having a light-shielding property into the groove 23 of the transparent plate 21 is carried out. 3 (A) is a partial cross-sectional side view schematically showing the light-shielding material-embedding process and FIG. 3 (B) is a perspective view schematically showing the transparent plate 21 after the light-shielding material-embedding process.

차광재 매설 공정에서는, 예컨대, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 투명판(21)의 표면(21a)측에 배치된 잉크젯 노즐(매설 수단)(4)을 홈(23)을 따라 이동시키면서, 나노 메탈 잉크로 대표되는 차광성을 갖춘 액체(25)를 홈(23)에 적하한다.3 (A), the ink jet nozzles (buried means) 4 disposed on the surface 21a side of the transparent plate 21 are arranged along the grooves 23 The liquid 25 having a light-shielding characteristic represented by a nano-metal ink is dropped into the groove 23.

그 후, 홈(23)에 공급된 액체(25)를 건조·경화시킴으로써, 도 3의 (A) 및 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하는 직선형의 차광재(27)를 형성할 수 있다. 투명판(21)의 모든 홈(23)에 차광재(27)가 매설되면, 노광 마스크는 완성된다.Thereafter, the liquid 25 supplied to the grooves 23 is dried and cured so as to correspond to the streets 17 of the wafers 11 as shown in Figs. 3 (A) and 3 (B) It is possible to form a light shielding material 27 of a linear shape. When the light shielding material 27 is embedded in all the grooves 23 of the transparent plate 21, the exposure mask is completed.

이상과 같이, 본 발명에 따른 노광 마스크의 제조 방법은, 광을 투과하는 투명판(21)의 표면(21a)측에, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하여 투명판(21)의 이면(21b)에 이르지 않는 깊이의 홈(23)을 형성하는 홈 형성 공정과, 홈(23)에 차광성을 갖는 차광재(27)를 매설하는 차광재 매설 공정을 포함하고 있다.As described above, the method of manufacturing an exposure mask according to the present invention is characterized in that the transparent mask 21 is provided on the side of the surface 21a of the transparent plate 21 through which light is transmitted, A groove forming step of forming a groove 23 having a depth not reaching the back surface 21b and a light shielding material filling step of burying the light shielding material 27 having a light shielding property in the groove 23. [

그 때문에, 레지스트막의 피복, 레지스트막의 패턴 묘화, 차광막의 에칭과 같은 복잡한 공정을 거치지 않고, 웨이퍼(11)의 스트리트(17)에 대응하는 차광 패턴을 구비한 노광 마스크를 제조할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 종래의 방법에 비하여 간단한 공정으로 저렴하게 노광 마스크를 제조할 수 있는 노광 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다.Therefore, an exposure mask having a light-shielding pattern corresponding to the streets 17 of the wafer 11 can be manufactured without complicated processes such as coating of a resist film, patterning of a resist film, and etching of a light-shielding film. As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a manufacturing method of an exposure mask that can manufacture an exposure mask at a low cost with a simple process as compared with the conventional method.

또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 잉크젯 노즐(4)로 액체(25)를 적하하는, 소위 잉크젯법을 이용하여 홈(23)에 차광재(27)를 매설하고 있지만, 홈(23)에 차광재(27)를 매설하는 방법은 이것에 한정되지 않는다.The present invention is not limited to the description of the above embodiment, but may be modified in various ways. For example, in the above embodiment, the light shielding material 27 is embedded in the groove 23 using a so-called inkjet method in which the liquid 25 is dropped into the inkjet nozzle 4, 27 are not limited to this.

도 4의 (A)는 차광재 매설 공정의 변형례를 모식적으로 나타낸 단면도이고, 도 4의 (B)는 차광재 매설 공정의 변형례를 모식적으로 나타낸 사시도이다. 변형례에 따른 차광재 매설 공정에서는, 우선, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 투명판(21)의 표면(21a) 전체를 피복하는 차광막(차광재)(29)을 형성한다. 차광막(29)은, 예컨대, 스퍼터링법이나 CVD법 등에 의해 형성되는 금속막으로서, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 그 일부가 홈(23)에 매설되어 있다.Fig. 4 (A) is a cross-sectional view that schematically shows a modification of the light-shielding material-embedding process, and Fig. 4 (B) is a perspective view that schematically shows a modification of the light- A light shielding film (light shielding material) 29 for covering the entire surface 21a of the transparent plate 21 is first formed, as shown in Fig. 4 (A). The light shielding film 29 is a metal film formed by, for example, a sputtering method or a CVD method, and a part of the light shielding film 29 is buried in the groove 23, as shown in Fig.

다음에, 차광막(29)의 일부를 제거하여, 투명판(21)의 표면(21a)을 표출시킨다. 차광막(29)의 제거는, 예컨대, 도 4의 (B)에 도시된 연삭 장치(12)에 의해 실시된다. 연삭 장치(12)는, 투명판(21)을 흡인 유지하는 유지 테이블(14)을 구비하고 있다. 유지 테이블(14)의 아래쪽에는, 회전 기구(도시되지 않음)가 마련되어 있어, 유지 테이블(14)은, 이 회전 기구에 의해 연직축 주위로 회전한다.Next, a part of the light shielding film 29 is removed, and the surface 21a of the transparent plate 21 is exposed. The removal of the light shielding film 29 is carried out, for example, by the grinding apparatus 12 shown in Fig. 4 (B). The grinding apparatus 12 is provided with a holding table 14 for holding the transparent plate 21 by suction. Under the holding table 14, a rotating mechanism (not shown) is provided, and the holding table 14 is rotated around the vertical axis by the rotating mechanism.

유지 테이블(14)의 표면(상면)은, 투명판(21)의 이면(21b)측을 흡인 유지하는 유지면으로 되어 있다. 이 유지면에는, 유지 테이블(14)의 내부에 형성된 흡인로(도시되지 않음)를 통해 흡인원(도시되지 않음)의 부압이 작용하여, 투명판(21)을 흡인하는 흡인력이 발생한다.The surface (upper surface) of the holding table 14 serves as a holding surface for holding the back surface 21b side of the transparent plate 21 by suction. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a suction path (not shown) formed in the holding table 14, and a suction force for sucking the transparent plate 21 is generated.

유지 테이블(14)의 위쪽에는, 연직축 주위로 회전하는 스핀들(16)이 배치되어 있다. 이 스핀들(16)은, 승강 기구(도시되지 않음)에 의해 승강된다. 스핀들(16)의 하단측에는, 원반 형상의 휠 마운트(18)가 고정되어 있고, 이 휠 마운트(18)에는, 연삭 휠(20)이 장착되어 있다.Above the holding table 14, a spindle 16 that rotates about a vertical axis is disposed. The spindle 16 is lifted and lowered by a lifting mechanism (not shown). A disk-shaped wheel mount 18 is fixed to the lower end of the spindle 16. A grinding wheel 20 is mounted on the wheel mount 18. [

연삭 휠(20)은, 알루미늄, 스테인리스 등의 금속 재료로 형성된 휠 베이스(20a)를 구비하고 있다. 휠 베이스(20a)의 원환 형상의 하면에는, 전체 둘레에 걸쳐 복수의 연삭 지석(20b)이 고정되어 있다.The grinding wheel 20 has a wheel base 20a formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. A plurality of grinding wheels 20b are fixed to the lower surface of the annular shape of the wheel base 20a over the entire periphery.

차광막(29)을 제거할 때에는, 우선, 투명판(21)의 이면(21b)측을 유지 테이블(14)의 유지면에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 투명판(21)은, 표면(21a)을 피복하는 차광막(29)이 위쪽으로 노출된 상태에서 유지 테이블(14)에 흡인 유지된다.When the light shielding film 29 is removed, first, the back surface 21b side of the transparent plate 21 is brought into contact with the holding surface of the holding table 14 to apply a negative pressure of the suction source. The transparent plate 21 is attracted and held by the holding table 14 in a state in which the light shielding film 29 covering the surface 21a is exposed upward.

다음에, 유지 테이블(14)과 스핀들(16)을, 각각 정해진 방향으로 회전시키면서, 스핀들(16)을 하강시켜, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 차광막(29)에 연삭 지석(20b)을 접촉시킨다. 스핀들(16)은, 차광막(29)의 연삭에 알맞은 이송 속도로 하강된다.Next, the spindle 16 is lowered while the holding table 14 and the spindle 16 are rotated in respective predetermined directions, and the grinding wheel 29 (see Fig. 4 20b. The spindle 16 is lowered at a conveyance speed suitable for grinding of the light shielding film 29.

투명판(21)의 표면(21a)이 노출될 때까지 차광막(29)을 연삭하면, 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 홈(23)에는, 차광막(29)의 일부인 차광재(27)가 남는다. 이와 같이, 변형례에 따른 차광재 매설 공정을 실시하는 경우에도, 상기 실시형태와 동일한 노광 마스크를 제조할 수 있다.The light shielding film 29 is grinded until the surface 21a of the transparent plate 21 is exposed so that the light shielding film 29 is formed in the groove 23 as shown in Fig. 27) is left. Thus, even when the light-shielding material-embedded process according to the modification is carried out, the same exposure mask as in the above-described embodiment can be produced.

또한, 상기 변형예에서는, 차광막(29)을 연삭함으로써, 홈(23)에 차광재(27)를 잔존시키고 있지만, 에칭 등의 별도의 방법으로 차광막(29)을 제거하고, 홈(23)에 차광재(27)를 잔존시켜도 좋다.Although the shielding film 27 is left in the groove 23 by grinding the light shielding film 29 in this modified example, the light shielding film 29 may be removed by another method such as etching, The light shielding material 27 may remain.

그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명의 목적 범위를 벗어나지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the configuration, method, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately changed without departing from the object of the present invention.

11 : 웨이퍼 11a : 표면
11b : 이면 11c : 외주
13 : 디바이스 영역 15 : 외주 잉여 영역
17 : 스트리트(분할 예정 라인) 19 : 디바이스
21 : 투명판 21a : 표면
21b : 이면 23 : 홈
25 : 액체 27 : 차광재
29 : 차광막(차광재) 2 : 절삭 블레이드
4 : 잉크젯 노즐(매설 수단) 12 : 연삭 장치
14 : 유지 테이블 16 : 스핀들
18 : 휠 마운트 20 : 연삭 휠
20a : 휠 베이스 20b : 연삭 지석11: wafer 11a: surface
11b: Back side 11c: Outer side
13: Device area 15: Outer redundancy area
17: Street (line to be divided) 19: Device
21: transparent plate 21a: surface
21b: back side 23: home
25: liquid 27:
29: light shielding film (light shielding material) 2: cutting blade
4: Ink-jet nozzle (burial means) 12: Grinding device
14: Holding table 16: Spindle
18: Wheel mount 20: Grinding wheel
20a: Wheel base 20b: Grinding wheel

Claims (3)

웨이퍼 가공용 노광 마스크의 제조 방법으로서,
가공하는 웨이퍼 이상의 크기를 가지며 광을 투과하는 투명판의, 상기 웨이퍼의 스트리트에 대응하는 표면측 영역에, 상기 투명판의 이면에는 이르지 않는 깊이의 홈을 형성하는 홈 형성 공정과,
상기 홈에 차광성을 갖는 차광재를 매설하는 차광재 매설 공정
을 포함한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing an exposure mask for wafer processing,
A groove forming step of forming a groove having a depth not reaching to the back surface of the transparent plate on a surface side area of the transparent plate that has a size equal to or larger than the size of a wafer to be processed and which corresponds to the street of the wafer,
A light-shielding material-embedding process in which a light-shielding material having a light-
Wherein the mask is formed on the substrate. 제1항에 있어서, 상기 차광재 매설 공정은, 잉크젯 노즐을 갖는 매설 수단에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 제조 방법.The method of manufacturing an exposure mask according to claim 1, wherein the light-shielding material-embedding process is performed by embedding means having an ink-jet nozzle. 제1항에 있어서, 상기 차광재 매설 공정에서는, 상기 홈이 형성된 상기 투명판의 표면 전체에 상기 차광재를 피복하여 상기 홈에 상기 차광재를 매설한 후, 상기 투명판의 상기 홈 이외의 표면을 피복한 상기 차광재를 제거하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein in the step of embedding the light-shielding material, after the light-shielding material is coated on the entire surface of the transparent plate on which the groove is formed and the light-blocking material is embedded in the groove, Wherein the light shielding material coated with the light shielding material is removed.
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