KR20150007944A

KR20150007944A - Method for processing wafers

Info

Publication number: KR20150007944A
Application number: KR20140077973A
Authority: KR
Inventors: 유스케 오타케; 시게야 구리무라
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2013-07-11
Filing date: 2014-06-25
Publication date: 2015-01-21
Also published as: JP2015018965A; JP6170769B2; TWI614800B; TW201507015A

Abstract

The purpose of the present invention is to process a wafer without a film separation by a cheap apparatus configuration. According to the present invention, a method for processing a wafer (W) with a laminate (82) composed of a low dielectric insulation film and a functional film on a substrate (81) along a division expected line (83) includes: the steps of forming a shallow groove (86) by removing the laminate just by a leading edge shape using a cut blade (43) with the leading edge shape, wherein the width of the blade becomes narrower to the leading edge; and forming a deep groove (87) by cutting the surface of the substrate exposed from the shallow groove by a cut blade (44) which is thinner than the width of the shallow groove.

Description

[0001] METHOD FOR PROCESSING WAFERS [0002]

본 발명은, 저유전률 절연막과 기능막이 적층된 적층체에 의해, 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of processing a wafer in which a device is formed on the surface of the wafer by a laminate in which a low dielectric constant insulating film and a functional film are laminated.

최근, 반도체 디바이스의 미세화에 따라, 반도체 기판의 표면에 반도체 디바이스를 형성한 디바이스 웨이퍼가 실용화되고 있다. 디바이스 웨이퍼는, 실리콘이나 갈륨비소 등의 반도체 기판의 표면에, SiOF, BSG 등의 무기물계막 또는 파릴렌계 폴리머 등의 유기물계막으로 이루어지는 Low-k막(저유전률 절연막)과, 회로를 형성하는 기능막을 적층하여 형성된다. Low-k막은 매우 취약하여, 절삭 블레이드를 이용한 메커니컬 다이싱에서는 Low-k막이 박리되어, 디바이스를 파손시켜 버릴 우려가 있었다.2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, device wafers in which semiconductor devices are formed on the surface of semiconductor substrates have been put to practical use. The device wafer can be formed by depositing a low-k film (low dielectric constant insulating film) made of an inorganic film such as SiOF or BSG or an organic film such as a parylene polymer on the surface of a semiconductor substrate such as silicon or gallium arsenide, . The low-k film is very fragile, and in the mechanical dicing using the cutting blade, the low-k film is peeled off, and the device may be damaged.

종래, 이러한 종류의 디바이스 웨이퍼를 양호하게 분할하기 위해서, 레이저 다이싱과 메커니컬 다이싱을 조합시킨 가공 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 웨이퍼의 가공 방법에서는, 웨이퍼의 표면측으로부터 레이저 빔을 조사하여 Low-k막과 기능막을 분단한 레이저 가공홈을 형성하고, 절삭 블레이드를 이용하여 레이저 가공홈의 저면으로부터 노출된 기판 표면을 절삭하고 있다. 이러한 가공에 의해, Low-k막의 막 박리를 방지하면서, 디바이스 웨이퍼가 개개의 디바이스로 분할된다.Conventionally, a processing method in which laser dicing and mechanical dicing are combined is known in order to divide such a kind of device wafer well (see, for example, Patent Document 1). In this processing method of wafers, a laser beam is irradiated from the front side of the wafer to form a laser machining groove in which the low-k film and the functional film are divided, and the substrate surface exposed from the bottom of the laser machining groove is cut . By such processing, the device wafer is divided into individual devices while preventing film separation of the Low-k film.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-150523호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-150523

그러나, 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼의 가공 방법에서는, 절삭 장치 외에 레이저 가공 장치를 이용할 필요가 있기 때문에, 장치 비용이 증대한다고 하는 문제가 있었다. However, in the method of processing a wafer disclosed in Patent Document 1, it is necessary to use a laser processing device in addition to the cutting device, which has a problem that the cost of the device increases.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 저렴한 장치 구성으로 막 박리를 일으키는 일 없이 웨이퍼를 가공할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of these points, and it is an object of the present invention to provide a wafer processing method capable of processing a wafer without causing film separation with an inexpensive apparatus configuration.

본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 기판의 표면에 저유전률 절연막과 기능막이 적층된 적층체에 의해 형성된 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 이면에 보호 테이프를 접착하는 테이프 접착 공정과, 테이프 접착 공정을 실시한 후에, 블레이드 폭이 선단을 향해 좁아지는 선단 형상의 절삭 블레이드의 선단 형상만을 이용해서, 웨이퍼의 표면측으로부터 적층체를 제거하여 기판 표면을 정해진 깊이로 절입하면서 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 절삭하여, 적층체를 제거해서 기판에 절삭홈을 형성하는 적층체 제거 공정과, 적층체 제거 공정 후에, 절삭홈을 따라 절삭홈의 폭보다도 가느다란 두께의 절삭 블레이드에 의해 노출된 기판 표면으로부터 분할 예정 라인을 따라 기판을 절삭하여, 기판에 절삭홈을 형성하는 절삭홈 형성 공정을 구비한다.A method of processing a wafer according to the present invention is a method of processing a wafer for processing a wafer formed by dividing a device formed by a laminated body in which a low dielectric constant insulating film and a functional film are laminated on a surface of a substrate by a line to be divided, A tape adhering step for adhering a protective tape to the back surface of the wafer and a tape adhering step for adhering a protective tape from the front side of the wafer to the laminated body A step of cutting the wafer along the line to be divided while cutting the surface of the substrate to a predetermined depth to remove the layered body to form a cutting groove in the substrate; and a step of cutting From the substrate surface exposed by the cutting blade having a thickness smaller than the width of the groove Along the line defined by cutting the substrate, provided with a cutting groove forming step of forming the cut groove on the substrate.

이 구성에 따르면, 적층체 제거 공정에서는, 절삭 블레이드의 선단 형상이 선단을 향해 좁아지고 있고, 이 선단 형상만을 이용하여 웨이퍼 표면이 얕게 절입된다. 즉, 절삭 블레이드의 선단면에 의해 웨이퍼의 표면이 얕은 각도로 절입되어 기판 표면으로부터 적층체가 제거된다. 이 때문에, 절입부의 가장자리 부분이 모따기(chamfering)된 상태가 되어, 절입부의 가장자리 부분을 기점으로 한 웨이퍼의 막 박리가 방지된다. 따라서, 웨이퍼의 막 박리를 방지하기 위해서 고가의 레이저 가공 장치를 이용하여 가공할 필요가 없으며, 저렴한 장치 구성으로 막 박리를 일으키는 일 없이 웨이퍼를 가공할 수 있다.According to this configuration, in the laminated body removing step, the tip end shape of the cutting blade becomes narrow toward the tip end, and the wafer surface is shallowly inserted using only this tip end shape. That is, the surface of the wafer is cut at a shallow angle by the front end surface of the cutting blade, and the laminate is removed from the substrate surface. As a result, the edge portion of the cut-in portion is chamfered, and film separation of the wafer from the edge portion of the cut-in portion is prevented. Therefore, it is not necessary to use an expensive laser processing apparatus in order to prevent film separation of the wafer, and the wafer can be processed without causing film separation with an inexpensive apparatus configuration.

본 발명의 상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 상기 적층체 제거 공정을 실시하기 전에, 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인 상의 표면 변위를 측정 수단으로 측정하여, 웨이퍼의 표면 변위의 매핑 데이터를 형성하는 측정 공정을 실시하고, 상기 적층체 제거 공정에서는, 상기 매핑 데이터에 기초하여 표면 위치로부터 상기 절삭 블레이드에 의해 상기 정해진 깊이로 절입되도록, 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 절삭 블레이드를 조정하면서 절삭을 행한다. In the method of processing a wafer according to the present invention, a measurement step of measuring the surface displacement of the wafer on the line to be divided of the wafer with the measuring means and forming the mapping data of the surface displacement of the wafer And cutting the laminate while adjusting the cutting blade in a direction perpendicular to the wafer so that the cutting blade cuts the surface from the surface to the predetermined depth based on the mapping data.

본 발명에 따르면, 선단을 향해 폭이 좁게 형성된 절삭 블레이드의 선단 형상만을 이용하여 웨이퍼 표면으로부터 적층체를 제거함으로써, 저렴한 장치 구성으로 막 박리를 일으키는 일 없이 웨이퍼를 가공할 수 있다. According to the present invention, by removing the laminate from the wafer surface using only the tip shape of the cutting blade having a narrow width toward the tip end, the wafer can be processed without causing film separation with an inexpensive apparatus configuration.

도 1은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 테이프 접착 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 측정 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 적층체 제거 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 절삭홈 형성 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 적층체 제거 공정의 실험 결과의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 변형예에 따른 적층체 제거 공정 및 절삭홈 형성 공정의 일례를 도시하는 도면이다. 1 is a perspective view of a cutting apparatus according to the present embodiment.
2 is a view showing an example of a tape adhering step according to the present embodiment.
3 is a diagram showing an example of a measuring process according to the present embodiment.
Fig. 4 is a diagram showing an example of the laminate removal process according to the present embodiment.
5 is a diagram showing an example of a cutting groove forming step according to the present embodiment.
Fig. 6 is a diagram showing an example of the experimental result of the laminated body removing step according to the present embodiment.
7 is a view showing an example of a laminate removing process and a cutting groove forming process according to a modified example.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다. 한편, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에서 이용되는 절삭 장치는, 도 1에 도시하는 구성에 한정되지 않는다. 여기서는, 한 쌍의 절삭 블레이드를 구비한 절삭 장치를 예시하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명은, 피가공물에 절삭홈을 형성 가능한 절삭 장치이면, 어떠한 절삭 장치에도 적용 가능하다. Hereinafter, a method of processing a wafer according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. 1 is a perspective view of a cutting apparatus according to the present embodiment. On the other hand, the cutting apparatus used in the method of processing a wafer according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in Fig. Here, a cutting apparatus having a pair of cutting blades is exemplified, but the present invention is not limited to this configuration. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to any cutting apparatus capable of forming a cutting groove in a workpiece.

도 1에 도시하는 바와 같이, 절삭 장치(1)는, 두께가 상이한 2종류의 절삭 블레이드(43, 44)[도 1에서는 절삭 블레이드(43)만 도시]를 이용해서, 웨이퍼(W)에 대하여 2단계로 절입 깊이를 증가시키는 스텝컷을 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 대략 원판 형상으로 형성되어 있고, 기판(81)의 표면(91)에 디바이스(D)가 형성되어 있다(도 4 참조). 디바이스(D)는, 무기물계막 및 유기물계막으로 이루어지는 Low-k막(저유전률 절연막)과 회로를 형성하는 기능막이 적층된 적층체(82)에 의해 형성된다. 웨이퍼(W)의 표면(84)의 디바이스(D)는, 격자 형상으로 배열된 분할 예정 라인(83)에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있다(도 2 참조).As shown in Fig. 1, the cutting apparatus 1 is provided with two types of cutting blades 43 and 44 (only the cutting blades 43 are shown in Fig. 1) Step cutting is performed to increase the infeed depth in two steps. The wafer W is formed in a substantially disc shape, and a device D is formed on the surface 91 of the substrate 81 (see FIG. 4). The device D is formed by a laminate 82 in which a low-k film (low dielectric constant insulating film) composed of an inorganic film and an organic film is laminated with a functional film forming a circuit. The device D on the surface 84 of the wafer W is partitioned into a plurality of regions by a line to be divided 83 arranged in a lattice pattern (see FIG. 2).

또한, 웨이퍼(W)에는 보호 테이프(T)가 접착되어 있고, 이 보호 테이프(T)의 외주에는 환형의 지지 프레임(F)이 접착되어 있다. 웨이퍼(W)는, 보호 테이프(T)를 통해 지지 프레임(F)에 지지된 상태로 카세트(도시하지 않음)에 수용되며, 카세트에 의해 절삭 장치(1)에 반입된다. 한편, 본 실시형태에서는, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 등의 반도체 기판 상에 Low-k막과 기능막을 적층한 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명하지만, 이 구성으로 한정되는 것은 아니다. 반도체 기판에 한정되지 않고, Low-k막과 기능막이 적층되는 기판이면, 어떠한 기판이어도 좋다.A protective tape T is adhered to the wafer W and an annular support frame F is adhered to the outer periphery of the protective tape T. [ The wafer W is accommodated in a cassette (not shown) while being supported by the support frame F through the protective tape T, and is carried into the cutting apparatus 1 by the cassette. On the other hand, in the present embodiment, a wafer W in which a low-k film and a functional film are stacked on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or gallium arsenide is described as an example, but the present invention is not limited to this configuration. The substrate is not limited to a semiconductor substrate, and any substrate may be used as long as it is a substrate on which a low-k film and a functional film are stacked.

기대(基臺; 2)의 상면 중앙은, X축 방향으로 연장되도록 직사각형 형상으로 개구되어 있고, 이 개구를 덮도록 이동판(21) 및 방수 커버(22)가 설치되어 있다. 이동판(21) 상에는, Z축 주위로 회전 가능하게 척 테이블(3)이 설치되어 있다. 방수 커버(22) 및 이동판(21)의 하방에는, 척 테이블(3)을 X축 방향으로 이동시키는 볼나사식의 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 기대(2) 상에는, X축 방향으로 연장되는 개구에 걸쳐 있도록 세워 설치한 도어형의 기둥부(23)가 설치되어 있다. 도어형의 기둥부(23)에는, 척 테이블(3) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 스텝컷을 실시하는 절삭 기구(4)가 설치되어 있다. The center of the upper surface of the base 2 is opened in a rectangular shape so as to extend in the X axis direction and a moving plate 21 and a waterproof cover 22 are provided so as to cover the opening. On the moving plate 21, a chuck table 3 is rotatably provided around the Z axis. A ball screw type moving mechanism (not shown) for moving the chuck table 3 in the X axis direction is provided below the waterproof cover 22 and the moving plate 21. Further, on the base 2, there is provided a door-like column portion 23 which is erected so as to extend over an opening extending in the X-axis direction. The door-type column portion 23 is provided with a cutting mechanism 4 for performing a step cutting operation on the wafer W on the chuck table 3.

또한, 기대(2)의 상면에는, 카세트(도시하지 않음)가 배치되는 엘리베이터 수단(6)과 가공이 끝난 웨이퍼(W)가 세정되는 세정 수단(7)이 설치되어 있다. 엘리베이터 수단(6)에서는, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 카세트 내의 웨이퍼(W)의 출납 위치가 조정된다. 세정 수단(7)에서는, 웨이퍼(W)를 유지한 스피너 테이블(71)이 기대(2) 내로 하강되고, 기대(2) 내에서 세정수가 분사되어 웨이퍼(W)가 세정된 후, 건조 에어가 내뿜어져 웨이퍼(W)가 건조된다. 기대(2)의 상방에는, 카세트, 척 테이블(3), 세정 수단(7)의 상호간에 웨이퍼(W)를 반송하는 하나 또는 복수의 반송 수단(도시하지 않음)이 설치되어 있다. An elevator means 6 in which a cassette (not shown) is disposed and a cleaning means 7 in which the processed wafer W is cleaned are provided on the upper surface of the base 2. In the elevator means 6, the loading / unloading position of the wafer W in the cassette is adjusted by a lifting mechanism (not shown). In the cleaning means 7, the spinner table 71 holding the wafer W is lowered into the base 2, and after the cleaning water is sprayed in the base 2 to clean the wafer W, And the wafer W is dried. One or a plurality of transfer means (not shown) for transferring the wafer W between the cassette, the chuck table 3, and the cleaning means 7 are provided above the base 2.

척 테이블(3)은, 절삭 기구(4)의 바로 아래에 웨이퍼(W)를 위치시키고, 절삭 기구(4)에 대하여 웨이퍼(W)를 X축 방향으로 가공 이송하도록 구성되어 있다. 척 테이블(3)의 표면에는, 다공성(porous) 세라믹재에 의해 웨이퍼(W)의 이면을 흡인 유지하는 유지면(31)이 형성되어 있다. 유지면(31)은, 척 테이블(3) 내의 유로를 통해 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 유지면(31) 상에 발생하는 부압에 의해 웨이퍼(W)가 흡착 유지된다. 척 테이블(3)의 주위에는, 웨이퍼(W)의 주위의 지지 프레임(F)을 협지(挾持) 고정하는 4개의 클램프부(32)가 설치되어 있다. The chuck table 3 is configured to position the wafer W immediately below the cutting mechanism 4 and feed the wafer W to the cutting mechanism 4 in the X axis direction. On the surface of the chuck table 3, a holding surface 31 for sucking and holding the back surface of the wafer W by a porous ceramic material is formed. The holding surface 31 is connected to a suction source (not shown) through a flow path in the chuck table 3 and the wafer W is sucked and held by a negative pressure generated on the holding surface 31. Four clamp portions 32 for holding and fixing the support frame F around the wafer W are provided around the chuck table 3.

절삭 기구(4)에는, 척 테이블(3)에 대하여 한 쌍의 블레이드 유닛(41, 42)을 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동시키는 볼나사식의 이동 기구(5)가 설치되어 있다. 이동 기구(5)는, 기둥부(23)의 전면(前面)에 대하여 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(51)과, 한 쌍의 가이드 레일(51)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 한 쌍의 Y축 테이블(52)을 갖고 있다. 또한, 이동 기구(5)는, 각 Y축 테이블(52)의 전면에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(53)과, 이 가이드 레일(53)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(54)을 갖고 있다. 각 Z축 테이블(54)의 하부에는 블레이드 유닛(41, 42)이 설치되어 있다.The cutting mechanism 4 is provided with a ball screw type moving mechanism 5 for moving a pair of blade units 41 and 42 in the Y axis direction and the Z axis direction with respect to the chuck table 3. The moving mechanism 5 includes a pair of guide rails 51 parallel to the Y axis direction with respect to the front surface of the column portion 23 and a pair of guide rails 51 slidably mounted on the pair of guide rails 51 And a pair of Y-axis tables 52 of the Y-axis. The moving mechanism 5 is provided with a pair of guide rails 53 disposed in the front surface of each Y-axis table 52 and parallel to the Z-axis direction, And a Z-axis table 54 of FIG. The blade units 41 and 42 are provided below the Z-axis tables 54, respectively.

각 Y축 테이블(52)의 배면측에는, 도시하지 않은 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼나사(55)가 나사 결합되어 있다. 또한, 각 Z축 테이블(54)의 배면측에는, 도시하지 않은 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼나사(56)가 나사 결합되어 있다. Y축 테이블(52)용의 볼나사(55), Z축 테이블(54)용의 볼나사(56)의 일단부에는, 각각 구동 모터(57, 58)가 연결되어 있다. 이들 구동 모터(57, 58)에 의해 볼나사(55, 56)가 회전 구동됨으로써, 한 쌍의 블레이드 유닛(41, 42)이 가이드 레일(51, 53)을 따라 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다. On the rear surface side of each Y-axis table 52, a nut portion (not shown) is formed, and a ball screw 55 is screwed to these nut portions. Further, a nut portion (not shown) is formed on the back surface side of each Z-axis table 54, and a ball screw 56 is screwed to these nut portions. Drive motors 57 and 58 are connected to one end of a ball screw 55 for the Y-axis table 52 and a ball screw 56 for the Z-axis table 54, respectively. The ball screws 55 and 56 are rotationally driven by the drive motors 57 and 58 so that the pair of blade units 41 and 42 are moved along the guide rails 51 and 53 in the Y axis direction and the Z axis direction .

한 쌍의 블레이드 유닛(41)의 절삭 블레이드(43, 44)는, 스핀들 유닛(46)의 스핀들축(도시하지 않음)의 선단에 설치되어 있다. 한쪽의 블레이드 유닛(41)의 절삭 블레이드(43)는, 다른쪽의 블레이드 유닛(42)의 절삭 블레이드(44)(도 5 참조)보다도 블레이드 폭이 두껍게 형성되어 있다. 절삭 기구(4)에서는, 이 두께가 상이한 2종류의 절삭 블레이드(43, 44)를 이용하여 스텝컷이 실시되고 있다. 즉, 분할 예정 라인(83)(도 2 참조)에 대하여 한쪽의 절삭 블레이드(43)에 의해 1단째의 절입부가 형성되고, 이 분할 예정 라인(83)에 대하여 다른쪽의 절삭 블레이드(44)에 의해 2단째의 절입부가 형성된다. The cutting blades 43 and 44 of the pair of blade units 41 are provided at the tip of a spindle shaft (not shown) of the spindle unit 46. The cutting blade 43 of one blade unit 41 is formed to have a larger blade width than the cutting blade 44 of the other blade unit 42 (see FIG. 5). In the cutting mechanism 4, step cutting is performed using two kinds of cutting blades 43, 44 having different thicknesses. That is, the first-stage cut-in portion is formed by one cutting blade 43 with respect to the line to be divided 83 (see Fig. 2), and the first cutting line is formed on the other cutting blade 44 The second step is formed.

그런데, Low-k막을 갖는 웨이퍼(W)의 표면(84)에 있어서는 절삭 블레이드(43)에 의한 절삭 가공시에 막 박리가 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있다. 본건 출원인은, 절삭 블레이드(43)의 절입 깊이와 막 박리의 관계를 조사한 결과, 절삭 블레이드(43)의 끝으로 갈수록 가늘어지는 선단 형상만을 이용해서 웨이퍼(W)의 표면(84)에 대하여 1단째의 절입부를 형성함으로써, 웨이퍼(W)의 표면(84)의 막 박리가 발생하기 어려워지는 것을 발견하였다. 그래서, 본 실시형태에서는, 스텝컷에 있어서, 1단째의 절입부를 가능한 한 얕게 함으로써, 웨이퍼(W)의 표면(84)의 막 박리를 방지하도록 하고 있다.However, on the surface 84 of the wafer W having the Low-k film, there is a problem that film peeling is apt to occur at the time of cutting with the cutting blade 43. The applicant of the present application has studied the relationship between the depth of cut of the cutting blade 43 and the film peeling and found that only the tip shape tapering toward the end of the cutting blade 43 is used, It is found that film separation of the surface 84 of the wafer W is difficult to occur. Thus, in the present embodiment, film cut-off of the surface 84 of the wafer W is prevented by making the notch of the first stage as shallow as possible in step cutting.

또한, 한쪽의 Z축 테이블(54)에는, 블레이드 유닛(41)에 X축 방향에서 인접하도록, 분할 예정 라인(83)의 표면 변위를 측정하는 측정 수단(45)이 설치되어 있다. 측정 수단(45)은, 배압 센서나 레이저 변위계 등의 비접촉식의 측정 수단으로 구성되어 있다. 측정 수단(45)에 의한 분할 예정 라인(83)의 표면 변위의 측정 결과로부터 매핑 데이터가 형성된다. 이 매핑 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면(84)에 대한 1단째의 절입 깊이가 분할 예정 라인(83)의 표면 변위에 추종된다. 이 때문에, 표면 변위에 변동이 발생하고 있어도, 절삭 블레이드(43)의 절입부가 웨이퍼(W)의 표면(84)으로부터 적절한 깊이로 조정되어, 웨이퍼(W)의 표면(84)의 막 박리가 효과적으로 방지된다. The one Z-axis table 54 is provided with measuring means 45 for measuring the surface displacement of the line to be divided 83 so as to be adjacent to the blade unit 41 in the X-axis direction. The measuring means 45 is constituted by a non-contact type measuring means such as a back pressure sensor or a laser displacement meter. The mapping data is formed from the measurement result of the surface displacement of the line to be divided 83 by the measuring means 45. [ Based on this mapping data, the depth of penetration of the first stage with respect to the surface 84 of the wafer W is followed by the surface displacement of the line 83 to be divided. The cutting edge of the cutting blade 43 is adjusted to an appropriate depth from the surface 84 of the wafer W so that the film separation of the surface 84 of the wafer W can be effectively performed even when the surface displacement is changed .

이와 같이 구성된 절삭 장치(1)에서는, 테이프 접착 공정 후의 보호 테이프(T)가 부착된 웨이퍼(W)가 반입되고, 측정 공정, 적층체 제거 공정, 절삭홈 형성 공정이 실시된다. 테이프 접착 공정에서는, 웨이퍼(W)의 이면(85)에 보호 테이프(T)가 접착된다(도 2 참조). 보호 테이프(T)가 접착된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)의 표면(84)을 상방으로 향하게 한 상태로 절삭 장치(1)에 반입된다. 측정 공정에서는, 측정 수단(45)에 의해 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(83) 상의 표면 변위가 측정되고, 측정 결과에 기초하여 표면 변위를 나타내는 매핑 데이터가 형성된다(도 3 참조).In the cutting apparatus 1 configured as described above, the wafer W with the protective tape T attached thereto after the tape bonding step is carried in, and a measuring step, a laminate removing step, and a cutting groove forming step are performed. In the tape adhering step, the protective tape T is adhered to the back surface 85 of the wafer W (see Fig. 2). The wafer W to which the protective tape T is adhered is brought into the cutting apparatus 1 with the surface 84 of the wafer W facing upward. In the measuring process, the measuring means 45 measures the surface displacement on the line 83 to be divided of the wafer W, and the mapping data representing the surface displacement is formed based on the measurement result (see Fig. 3).

적층체 제거 공정에서는, 한쪽의 절삭 블레이드(43)의 선단 형상만을 이용해서, 웨이퍼(W)의 표면(84)측으로부터 적층체(82)가 제거되고, 기판(81)의 표면(91)에 절삭홈으로서의 얕은 홈(86)이 형성된다(도 4 참조). 이때, 매핑 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면 위치로부터의 절삭 블레이드(43)의 절입량이 조정되어 있다. 이에 따라, 막 박리를 일으키는 일 없이 분할 예정 라인(83)을 따라 적층체(82)가 제거된다. 절삭홈 형성 공정에서는, 얕은 홈(86)보다도 좁은 폭의 다른쪽의 절삭 블레이드(44)를 이용해서, 절삭홈으로서의 깊은 홈(87)이 얕은 홈(86)을 따라 형성되어 웨이퍼(W)가 풀컷(full cut)된다(도 5 참조). 이에 따라, 웨이퍼(W)가 개개의 디바이스(D)로 분할된다.The stacked body 82 is removed from the surface 84 side of the wafer W by using only the tip end shape of one of the cutting blades 43 and the stacked body 82 is removed from the surface 91 of the substrate 81 A shallow groove 86 as a cutting groove is formed (see Fig. 4). At this time, the amount of cutting of the cutting blade 43 from the surface position of the wafer W is adjusted based on the mapping data. Thus, the layered product 82 is removed along the line 81 to be divided without causing film separation. A deep groove 87 serving as a cutting groove is formed along the shallow groove 86 so as to form the wafer W in the cutting groove forming process using the other cutting blade 44 having a width narrower than that of the shallow groove 86 Full-cut (see Fig. 5). Thereby, the wafer W is divided into individual devices D.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 상세히 설명한다. 도 2는 테이프 접착 공정, 도 3은 측정 공정, 도 4는 적층체 제거 공정, 도 5는 절삭홈 형성 공정의 각각의 일례를 도시하는 도면이다.Hereinafter, with reference to Figs. 2 to 5, a method of processing a wafer according to the present embodiment will be described in detail. Fig. 2 is a view showing a tape adhering step, Fig. 3 is a measuring step, Fig. 4 is a laminate removing step, and Fig. 5 is a drawing showing an example of each cutting groove forming step.

도 2에 도시하는 바와 같이, 먼저 테이프 접착 공정이 실시된다. 테이프 접착 공정에서는, 환형의 지지 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 보호 테이프(T)가 접착되고, 보호 테이프(T)의 접착면(88)에 웨이퍼(W)의 이면(85)이 접착된다. 웨이퍼(W)는, 보호 테이프(T)를 통해 지지 프레임(F)에 지지된다. 한편, 테이프 접착 공정은, 오퍼레이터에 의한 수작업으로 실시되어도 좋고, 도시하지 않은 테이프 접착 장치에 의해 행해져도 좋다. 보호 테이프(T)의 접착 후의 웨이퍼(W)는 절삭 장치(1)에 반입된다.As shown in Fig. 2, a tape bonding step is first carried out. The protective tape T is adhered to cover the inner opening of the annular support frame F and the back surface 85 of the wafer W is adhered to the adhering surface 88 of the protective tape T do. The wafer W is supported on the support frame F through the protective tape T. [ On the other hand, the tape adhering step may be performed manually by an operator, or may be performed by a tape adhering apparatus (not shown). After the protective tape T is adhered, the wafer W is carried into the cutting device 1.

도 3에 도시하는 바와 같이, 테이프 접착 공정이 실시된 후에는, 측정 공정이 실시된다. 측정 공정에서는, 보호 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)의 이면(85)이 척 테이블(3)에 유지되고, 웨이퍼(W) 주위의 지지 프레임(F)이 클램프부(32)에 유지된다. 그리고, 측정 수단(45)이 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(83)을 따라 이동되어, 분할 예정 라인(83)의 표면 변위가 측정된다. 예컨대, 측정 수단(45)이 배압 센서인 경우에는, 노즐이 분할 예정 라인(83) 상에 위치하게 되고, 압축 에어의 압력 변화에 기초하여 노즐과 웨이퍼(W)의 표면(84)과의 거리가 분할 예정 라인(83)의 표면 변위로서 구해진다.As shown in Fig. 3, after the tape adhering step is carried out, the measuring step is carried out. The back surface 85 of the wafer W is held on the chuck table 3 via the protective tape T and the supporting frame F around the wafer W is held in the clamping portion 32 . Then, the measuring means 45 is moved along the line to be divided 83 of the wafer W, and the surface displacement of the line 81 to be divided is measured. For example, when the measuring means 45 is a back pressure sensor, the nozzle is positioned on the line to be divided 83, and the distance between the nozzle and the surface 84 of the wafer W Is obtained as the surface displacement of the line 83 to be divided.

또한, 측정 공정에서는, 측정 수단(45)의 측정 결과에 기초하여, 분할 예정 라인(83)의 표면 변위를 나타내는 매핑 데이터가 형성된다. 매핑 데이터는, 예컨대, 분할 예정 라인(83) 상의 좌표와 표면 위치(높이)가 관련지어짐으로써 형성된다. 한편, 측정 공정에서는, 분할 예정 라인(83)을 따라 연속적으로 표면 변위가 측정되는 구성에 한하지 않고, 분할 예정 라인(83) 상의 수개소에서 표면 변위가 측정되는 구성으로 해도 좋다. 이 경우, 분할 예정 라인(83) 상의 수개소의 표면 변위의 평균치로부터 매핑 데이터가 형성된다. 또한, 측정 수단(45)은, 분할 예정 라인(83) 상의 표면 변위를 측정 가능한 구성이면 되고, 비접촉식의 측정 수단에 한하지 않고, 접촉식의 측정 수단으로 구성되어도 좋다. Further, in the measuring step, mapping data indicating the surface displacement of the line to be divided 83 is formed based on the measurement result of the measuring means 45. The mapping data is formed, for example, by associating the coordinates (coordinates) on the line to be divided 83 with the surface position (height). On the other hand, in the measurement step, the structure may be such that the surface displacement is measured at several points on the dividing line 83, without being limited to the configuration in which the surface displacement is continuously measured along the dividing line 83. In this case, mapping data is formed from the average of the surface displacements of several points on the line 83 to be divided. The measurement means 45 may be configured to measure the surface displacement on the line to be divided 83 and may be constituted by a contact type measurement means instead of the non-contact type measurement means.

도 4에 도시하는 바와 같이, 측정 공정이 실시된 후에는, 적층체 제거 공정이 실시된다. 적층체 제거 공정에서는, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(83)에 대하여 한쪽의 절삭 블레이드(43)가 위치 맞춤되고, 절삭수가 분사되면서 절삭 블레이드(43)의 선단 형상만을 이용해서 웨이퍼(W)의 표면(84)측으로부터 얕게 절입된다. 절삭 블레이드(43)에 의해 웨이퍼(W)가 정해진 깊이까지 절입되면, 절삭 블레이드(43)에 대하여 척 테이블(3)이 X축 방향으로 절삭 이송된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면(84)측으로부터 상기 적층체(82)가 제거되고, 기판(81)의 표면(91)에 분할 예정 라인(83)을 따른 얕은 홈(86)이 형성된다.As shown in Fig. 4, after the measurement process is performed, the laminate removal process is performed. 4A, one of the cutting blades 43 is aligned with the line 83 to be divided of the wafer W, and the tip of the cutting blade 43 And is shallowly inserted from the surface 84 side of the wafer W using only the shape. When the wafer W is pushed down to a predetermined depth by the cutting blade 43, the chuck table 3 is cut and transferred in the X-axis direction with respect to the cutting blade 43. The laminate 82 is removed from the side of the surface 84 of the wafer W and a shallow groove 86 along the line 83 to be divided along the surface 91 of the substrate 81 is formed .

이때, 매핑 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 표면 위치로부터의 절삭 블레이드(43)의 절입량이 조정되기 때문에, 웨이퍼(W)의 표면 변위에 절삭 블레이드(43)의 절입량을 추종시킬 수 있다. 예컨대, 절삭 블레이드(43)의 R형상의 선단면(47)(도 4b 참조)만으로 웨이퍼(W)가 절입되도록, 매핑 데이터로 나타나는 웨이퍼(W)의 표면 위치를 기준으로 해서, 절삭 블레이드(43)의 블레이드 폭과 선단면(47)의 곡률로부터 절삭 블레이드(43)의 절입량이 조정된다. 웨이퍼(W)의 표면 변위의 변동에 상관없이 항상 절삭 블레이드(43)의 선단 형상만으로 웨이퍼(W)를 절삭할 수 있어, 웨이퍼(W)에 대하여 절삭 블레이드(43)가 깊게 들어가는 일이 없다. 적층체(82)의 제거에 절삭 블레이드(43)의 끝으로 갈수록 가늘어지는 선단 형상만을 이용함으로써, 절삭 가공 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 표면(84)의 막 박리가 방지된다.At this time, since the infeed amount of the cutting blade 43 from the surface position of the wafer W is adjusted based on the mapping data, the infeed amount of the cutting blade 43 can follow the surface displacement of the wafer W . For example, the cutting blade 43 (see FIG. 4B) is formed on the basis of the surface position of the wafer W, which is represented by the mapping data, so that the wafer W can be inserted only by the R-shaped front end face 47 And the amount of cut of the cutting blade 43 is adjusted from the curvature of the front end face 47. [ The wafer W can be always cut only by the shape of the tip of the cutting blade 43 regardless of the fluctuation of the surface displacement of the wafer W so that the cutting blade 43 does not enter the wafer W deeply. The use of only the tip shape tapering toward the end of the cutting blade 43 for removing the layered body 82 prevents film separation of the surface 84 of the wafer W during cutting.

구체적으로는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 절삭 블레이드(43)의 선단 형상은 R형상으로 되어 있고, 이 R형상의 둥그스름함을 이용하여 절삭 블레이드(43)의 선단면(47)에 의해 웨이퍼(W)의 표면(84)이 얕은 각도로 절입된다. 예컨대, 화살표 A로 나타나는 바와 같이, 절삭 블레이드(43)의 외면에 대한 접선(t)이 웨이퍼(W)의 표면(84)에 대하여 얕은 각도가 되는 범위가 선단면(47)으로서 이용된다. 따라서, 화살표 B로 나타나는 바와 같이, 절삭 블레이드(43)의 외면에 대한 접선(t)이 웨이퍼(W)의 표면(84)에 대하여 깊은 각도, 즉 대략 직각이 되는 범위로 웨이퍼(W)가 절입되는 일이 없다. 이 결과, 얕은 홈(86)의 가장자리 부분은 절삭 블레이드(43)의 선단면(47)에 의해 모따기된 상태가 되어, 절삭 가공 중에 얕은 홈(86)의 가장자리 부분을 기점으로 한 막 박리가 발생하기 어렵게 되어 있다.More specifically, as shown in Fig. 4B, the tip end of the cutting blade 43 is formed in an R shape, and the front end surface 47 of the cutting blade 43 is used to cut the wafer The surface 84 of the wafer W is inserted at a shallow angle. A range in which the tangential line t to the outer surface of the cutting blade 43 becomes a shallow angle with respect to the surface 84 of the wafer W is used as the distal end surface 47, Therefore, as shown by the arrow B, the wafer W is inserted in the range where the tangential line t to the outer surface of the cutting blade 43 is at a deep angle with respect to the surface 84 of the wafer W, There is nothing happening. As a result, the edge portion of the shallow groove 86 is chamfered by the front end face 47 of the cutting blade 43, and film peeling occurs from the edge portion of the shallow groove 86 during the cutting process .

한편, 적층체 제거 공정에서는, 측정 공정에 있어서 모든 분할 예정 라인(83)의 매핑 데이터가 형성된 후에, 얕은 홈(86)이 형성되는 구성으로 해도 좋다. 또한, 측정 수단(45)의 후방에 절삭 블레이드(43)를 배치하고, 선행의 측정 수단(45)으로 분할 예정 라인(83)의 표면 변위를 측정하면서, 후속의 절삭 블레이드(43)로 측정 수단(45)의 측정 결과에 기초하여 얕은 홈(86)이 형성되어도 좋다.On the other hand, in the laminated body removing step, the shallow grooves 86 may be formed after the mapping data of all the dividing lines 83 are formed in the measuring step. The cutting blade 43 is arranged behind the measuring means 45 and the measuring means 45 measures the surface displacement of the line to be divided 83 so that the subsequent cutting blade 43 can measure the surface displacement of the line to be divided 83, A shallow groove 86 may be formed on the basis of the measurement result of the sensor 45.

도 5에 도시하는 바와 같이, 적층체 제거 공정이 실시된 후에는, 절삭홈 형성 공정이 실시된다. 절삭홈 형성 공정에서는, 적층체 제거 공정의 절삭 블레이드(43)에 대하여 수라인 늦게 절삭홈 형성 공정의 절삭 블레이드(44)에 의한 가공이 개시된다. 이 경우, 얕은 홈(86)의 폭보다도 가느다란 두께의 다른쪽의 절삭 블레이드(44)가 웨이퍼(W)의 얕은 홈(86)에 대하여 위치 맞춤되고, 절삭수가 분사되면서 절삭 블레이드(44)에 의해 웨이퍼(W)가 깊게 절입된다. 절삭 블레이드(44)에 의해 웨이퍼(W)가 보호 테이프(T)에 이르는 깊이까지 절입되면, 절삭 블레이드(44)에 대하여 척 테이블(3)이 X축 방향으로 절삭 이송된다. 이에 따라, 얕은 홈(86)으로부터 노출된 기판(81)의 표면(91)이 절삭되어 분할 예정 라인(83)을 따른 깊은 홈(87)이 형성되고, 웨이퍼(W)가 개개의 디바이스(D)로 분할된다.As shown in Fig. 5, after the laminated body removing step is performed, a cutting groove forming step is performed. In the cutting groove forming process, machining by the cutting blade 44 in the cutting groove forming process is started several lines later with respect to the cutting blade 43 in the laminate removing process. In this case, the other cutting blade 44 having a thickness smaller than the width of the shallow groove 86 is aligned with the shallow groove 86 of the wafer W, and the cutting blade 44 The wafer W is deeply inserted. The chuck table 3 is cut and transferred in the X-axis direction with respect to the cutting blade 44 when the wafer W is cut to the depth reaching the protective tape T by the cutting blade 44. [ The surface 91 of the substrate 81 exposed from the shallow groove 86 is cut to form a deep groove 87 along the line to be divided 83 and the wafer W is transferred to the individual devices D ).

여기서는, 사전에 한쪽의 절삭 블레이드(43)에 의해 적층체(82)가 제거된 얕은 홈(86)을 따라 절삭되기 때문에, 얕은 홈(86)의 홈폭보다도 가느다란 다른쪽의 절삭 블레이드(44)에 의해 웨이퍼(W)의 적층체(82)가 절삭되는 일이 없다. 따라서, 절삭 블레이드(44)에 의해 웨이퍼(W)가 깊게 절입되어도, 적층체(82)가 손상되는 일이 없으며, 웨이퍼(W)의 표면(84)에 막 박리가 발생하는 일이 없다. 이와 같이, 분할 예정 라인(83)에 대하여, 1단째의 절입부를 얕게 하여 막 박리를 방지하고, 2단째의 절입부를 깊게 하여 보호 테이프(T)까지 절입함으로써, 웨이퍼(W)를 양호하게 분할하는 것이 가능해지고 있다. Here, since the cutter blade 44 is cut along the shallow groove 86 in which the laminate body 82 is removed by one cutting blade 43 in advance, the other cutting blade 44, which is narrower than the groove width of the shallow groove 86, The stacked body 82 of the wafer W is not cut. Therefore, even if the wafer W is deeply cut by the cutting blade 44, the layered body 82 is not damaged, and film peeling does not occur on the surface 84 of the wafer W. As described above, film separation is prevented by making the first-tier infeed portion shallower for the division planned line 83, and the wafer T is divided into the protective tape T by deeply penetrating the second- It is becoming possible.

한편, 본 실시형태에서는, 적층체 제거 공정의 절삭 블레이드(43)에 대하여 수라인 늦게 절삭홈 형성 공정의 절삭 블레이드(44)를 나란히 배치시키는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 절삭홈 형성 공정은, 모든 분할 예정 라인(83)에 대하여 적층체 제거 공정이 실시된 후에 실시되는 구성으로 해도 좋다.On the other hand, in the present embodiment, the cutting blades 44 of the cutting groove forming process are arranged side by side with respect to the cutting blades 43 of the laminated body removing step later in a line. However, the present invention is not limited to this configuration. The cutting groove forming process may be performed after all the lines 81 to be divided are subjected to the laminate removing process.

(실험예)(Experimental Example)

다음으로, 절삭 블레이드(43)의 입경과 절입량을 변화시켜, 적층체 제거 공정을 실시한 실험예에 대해서 설명한다. 여기서는, 도 6a-도 6d에 도시하는 바와 같이, 지립의 입경으로서, #2000, #3000, #4000, #5000의 4종류의 절삭 블레이드(43)를 준비하고, 각각에 대해서 기판에 대한 절입량을 20 ㎛로 하여 적층체 제거 공정을 실시하였다. 또한, 도 6e-도 6h에 도시하는 바와 같이, 입경 #4000의 절삭 블레이드(43)에 대해서는, 기판에 대한 절입량을 20 ㎛, 10 ㎛으로 하여 적층체 제거 공정을 실시하였다. 이 경우, 블레이드 회전수 30000 rpm, 가공 이송 속도 30 ㎜/s로 가공하였다. 한편, 평가 웨이퍼로서는, 실리콘 기판 상에 Low-k막 및 패시베이션(passivation)막을 적층한 것을 이용하였다. Next, an experimental example in which the laminated body removing step is performed by changing the particle diameter and the infeed amount of the cutting blade 43 will be described. Here, as shown in Figs. 6A to 6D, four kinds of cutting blades 43 of # 2000, # 3000, # 4000, and # 5000 are prepared as grain sizes of the abrasive grains, To 20 mu m, the laminate removal step was carried out. As shown in Figs. 6E to 6H, the cutting blade 43 having a grain size of 4000 was subjected to a laminated body removing step with 20 mu m and 10 mu m of infiltration amounts to the substrate. In this case, the number of revolutions of the blade was 30,000 rpm and the processing feed rate was 30 mm / s. On the other hand, as the evaluation wafer, a low-k film and a passivation film were laminated on a silicon substrate.

이 결과, 도 6a-도 6d에 도시하는 바와 같이, 지립의 입경이 작아짐에 따라 막 박리가 작아지는 것이 확인되었다. #5000의 절삭 블레이드(43)를 이용한 경우라도, #2000의 절삭 블레이드(43)를 이용한 경우보다 막 박리를 저감시킬 수 있으나, 절입부의 가장자리 부분의 막 박리를 억제할 수 없었다. 또한, 도 6e에 도시하는 바와 같이, #4000의 절삭 블레이드(43)를 이용하여 20 ㎛ 절입된 경우에는 막 박리가 확인되었으나, 도 6f에 도시하는 바와 같이, 동일한 #4000의 절삭 블레이드(43)를 이용하여 10 ㎛ 절입된 경우에는 막 박리가 확인되지 않았다.As a result, as shown in Figs. 6A to 6D, it was confirmed that the film peeling became smaller as the grain size of the abrasive grains became smaller. Even in the case of using the cutting blade 43 of # 5000, it is possible to reduce the film peeling, as compared with the case of using the cutting blade 43 of # 2000, but the peeling of the edge portion of the cut portion can not be suppressed. 6E, film peeling was confirmed when the cutting blade 43 was cut by 20 占 퐉 using the cutting blade 43 of # 4000, but as shown in Fig. 6F, the cutting blade 43 of the same # The film peeling was not observed.

이것은, 도 6g에 도시하는 바와 같이, 절입량이 20 ㎛에서는 절삭 블레이드(43)의 R형상의 선단면(47) 뿐만이 아니라, 측면 부근에서도 웨이퍼(W)가 절입되고, 도 6h에 도시하는 바와 같이, 절입량이 10 ㎛에서는 절삭 블레이드(43)의 R형상의 선단면(47)만으로 웨이퍼(W)가 절입되기 때문이라고 생각된다. 이 결과, 절삭 블레이드(43)의 선단 형상만으로 적층체(82)를 절입함으로써, 웨이퍼(W)의 막 박리가 효과적으로 방지되는 것이 확인되었다. 한편, 상기한 실험예에서는, 가공 조건이나 절입량은 어디까지나 일례를 나타내는 것이며, 한정되지 않는다. 특히 절입량은, 절삭 블레이드(43)의 블레이드 폭 등에 기초하여 결정되는 것이며, 예컨대, 블레이드 폭이 30 ㎛-35 ㎛인 것에 대해서는 10 ㎛ 이하로 조정되는 것이 바람직하다.This is because, as shown in Fig. 6G, when the depth of cut is 20 占 퐉, the wafer W is inserted not only in the R-shaped front end face 47 of the cutting blade 43 but also in the vicinity of the side face, Likewise, it is considered that the wafer W is inserted only by the R-shaped distal end face 47 of the cutting blade 43 when the infeed amount is 10 탆. As a result, it was confirmed that the film separation of the wafer W was effectively prevented by inserting the laminate 82 into the tip of the cutting blade 43 only. On the other hand, in the above-described experimental examples, the processing conditions and the infeed amount are merely examples and are not limited. In particular, the infeed amount is determined based on the blade width of the cutting blade 43 or the like. For example, it is preferable that the blade width is adjusted to 10 mu m or less when the blade width is 30 mu m-35 mu m.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 가공 방법에 따르면, 적층체 제거 공정에서는, 절삭 블레이드(43)의 선단 형상이 선단을 향해 좁아지고 있고, 이 선단 형상만을 이용해서 웨이퍼(W)의 표면(84)이 얕게 절입된다. 즉, 절삭 블레이드(43)의 선단면(47)에 의해 웨이퍼(W)의 표면(84)이 얕은 각도로 절입되어 기판(81)의 표면(91)으로부터 적층체(82)가 제거된다. 이 때문에, 절입부의 가장자리 부분이 모따기된 상태가 되어, 절입부의 가장자리 부분을 기점으로 한 웨이퍼(W)의 막 박리가 방지된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 막 박리를 방지하기 위해서 고가의 레이저 가공 장치를 이용하여 가공할 필요가 없으며, 저렴한 장치 구성으로 막 박리를 일으키는 일 없이 웨이퍼(W)를 가공할 수 있다. As described above, according to the processing method of the wafer W according to the present embodiment, the tip end shape of the cutting blade 43 becomes narrow toward the tip end in the laminated body removing step, and the tip of the wafer W Is shallowly inserted. The surface 84 of the wafer W is cut at a shallow angle by the front end face 47 of the cutting blade 43 and the stacked body 82 is removed from the surface 91 of the substrate 81. Therefore, the edge portion of the cut-in portion is chamfered, and film peeling of the wafer W starting from the edge portion of the cut-in portion is prevented. Therefore, it is not necessary to use an expensive laser processing apparatus to prevent film separation of the wafer W, and the wafer W can be processed without causing film separation with an inexpensive apparatus configuration.

한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지로 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다. On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. In the above-described embodiment, the size, shape and the like shown in the accompanying drawings are not limited to this, and it is possible to appropriately change them within the range of exerting the effect of the present invention. In addition, as long as the scope of the object of the present invention is not deviated, it can be appropriately changed and carried out.

예컨대, 상기한 실시형태에서는, 얕은 홈(86)용의 절삭 블레이드(43)가, 깊은 홈(87)용의 절삭 블레이드(44)보다도 블레이드 폭이 두껍게 형성되는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 두꺼운 웨이퍼(W)를 절단하는 경우에는, 깊은 홈(87)용의 절삭 블레이드(43)로서, 얕은 홈(86)용의 절삭 블레이드(44)보다도 블레이드 폭이 두꺼운 것이 이용된다. 이 경우, 적층체 제거 공정에서는, 도 7a에 도시하는 바와 같이, 분할 예정 라인(83)에 대하여 1개째의 얕은 홈(86a)을 형성하고, 또한 도 7b에 도시하는 바와 같이, 얕은 홈(86a)에 대하여 폭 방향으로 약간 어긋나게 해서 2개째의 얕은 홈(86b)을 형성함으로써, 얕은 홈(86)의 홈폭을 확대시킨다. 이에 따라, 도 7c에 도시하는 바와 같이, 절삭홈 형성 공정에서 얕은 홈(86)용의 절삭 블레이드(43)보다도 블레이드 폭이 두꺼운 절삭 블레이드(44)를 이용한 경우라도, 얕은 홈(86)의 내측에 깊은 홈(87)을 형성할 수 있다. 즉, 적층체 제거 공정은, 분할 예정 라인(83)을 따른 복수 회의 절삭 가공에 의해 1개의 얕은 홈(86)을 형성하는 구성도 포함하고 있다.For example, in the above-described embodiment, the cutting blade 43 for the shallow groove 86 is formed to have a larger blade width than the cutting blade 44 for the deep groove 87, but the present invention is not limited to this configuration Do not. In the case of cutting a thick wafer W, a blade having a blade width larger than that of the cutting blade 44 for the shallow groove 86 is used as the cutting blade 43 for the deep groove 87. 7A, the first shallow groove 86a is formed in the line to be divided 83, and as shown in Fig. 7B, the shallow groove 86a So that the groove width of the shallow groove 86 is enlarged. 7C, even when the cutting blade 44 having a blade width larger than that of the cutting blade 43 for the shallow groove 86 is used in the cutting groove forming step, the inner side of the shallow groove 86 A deep groove 87 can be formed. That is, the laminated body removing step also includes a structure in which one shallow groove 86 is formed by cutting a plurality of times along the line to be divided 83.

또한, 상기한 실시형태에서는, 선단 형상이 R형상인 절삭 블레이드(43)를 이용하고, 이 선단 형상만으로 절입하여 적층체 제거 공정이 실시되었으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 적층체 제거 공정은, 블레이드 폭이 선단을 향해 좁아지는 선단 형상의 절삭 블레이드의 상기 선단 형상만을 이용하여 실시되면 된다. 예컨대, 선단 형상이 V자 형상인 절삭 블레이드를 이용하고, 이 선단 형상만으로 절입하여 적층체 제거 공정이 실시되어도 좋다. 이러한, 선단 형상이 V자 형상인 절삭 블레이드를 이용해도, 웨이퍼(W)에 대한 절입부의 가장자리 부분을 기점으로 한 막 박리가 방지된다. In the embodiment described above, the cutting blade 43 having the R-shaped tip end is used and the step of removing the layered body is performed by inserting only the tip end shape, but the present invention is not limited to this configuration. The laminate removal step may be carried out using only the tip shape of the cutting blade having the tip shape narrowed toward the tip of the blade width. For example, a cutting blade having a V-shaped tip shape may be used, and the step of removing the layered body may be performed by cutting only the tip shape. Even when a cutting blade having a V-shaped tip shape is used, peeling of the film from the edge portion of the cut-in portion with respect to the wafer W can be prevented.

또한, 상기한 실시형태에 있어서는, 절삭홈 형성 공정에서는 웨이퍼(W)를 풀컷하여 개개의 디바이스(D)로 분할하는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 절삭홈 형성 공정은, 웨이퍼(W)를 하프컷하여, 개개의 디바이스(D)로 분할되지 않는 구성으로 해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)가 하프컷된 후에, 웨이퍼(W)를 이면측으로부터 연삭하여 개개의 디바이스(D)로 분할하는 DBG(Dicing Before Grinding) 가공이 행해져도 좋다. Further, in the above-described embodiment, in the cutting groove forming step, the wafer W is fully cut and divided into individual devices D, but the present invention is not limited to this configuration. The cutting grooving step may be configured such that the wafer W is half-cut so as not to be divided into the individual devices D. In this case, a DBG (Dicing Before Grinding) process of grinding the wafer W from the back surface side and dividing the wafer W into individual devices D may be performed after the wafer W is half cut.

또한, 상기한 실시형태에서는, 적층체 제거 공정 전에 측정 공정을 실시하는 구성으로 하였으나, 이 구성에 한정되지 않는다. 웨이퍼(W)의 표면 변위의 변동이 작은 경우에는, 측정 공정을 생략하는 것이 가능하다.Further, in the above-described embodiment, the measurement process is performed before the stack removing process, but the present invention is not limited to this configuration. When the fluctuation of the surface displacement of the wafer W is small, it is possible to omit the measuring step.

또한, 본 실시형태에서는, 측정 공정, 적층체 제거 공정, 절삭홈 형성 공정이 동일한 가공 장치로 실시되었으나, 테이프 접착 공정도 동일한 가공 장치로 실시되어도 좋다. 또한, 일부의 공정 또는 각 공정이, 상이한 가공 장치로 실시되어도 좋다. Further, in the present embodiment, the measuring step, the laminate removing step, and the cutting groove forming step are performed by the same processing apparatus, but the tape bonding step may be performed by the same processing apparatus. In addition, some of the steps or the steps may be carried out by different processing apparatuses.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 저렴한 장치 구성으로 막 박리를 일으키는 일 없이 웨이퍼를 가공할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 저유전률 절연막과 기능막이 적층된 적층체에 의해, 웨이퍼의 표면에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법에 유용하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention has an effect that a wafer can be processed without causing film separation with an inexpensive device constitution. Particularly, by using a laminate in which a low dielectric constant insulating film and a functional film are stacked, Is useful for a method of processing a wafer on which a wafer is formed.

1: 절삭 장치 3: 척 테이블
43, 44: 절삭 블레이드 45: 측정 수단
47: 선단면 81: 기판
82: 적층체 83: 분할 예정 라인
84: 웨이퍼의 표면 85: 웨이퍼의 이면
86: 얕은 홈(절삭홈) 87: 깊은 홈(절삭홈)
91: 기판의 표면 D: 디바이스
T: 보호 테이프 W: 웨이퍼1: cutting device 3: chuck table
43, 44: cutting blade 45: measuring means
47: front end surface 81: substrate
82: laminate 83: line to be divided
84: Surface 85 of the wafer:
86: shallow groove (cutting groove) 87: deep groove (cutting groove)
91: surface of substrate D: device
T: Protective tape W: Wafer

Claims

There is provided a method of processing a wafer along a line to be divided along a line formed by dividing a device formed by a laminated body in which a low dielectric constant insulating film and a functional film are laminated on a surface of a substrate,
A tape adhering step of adhering a protective tape to the back surface of the wafer,
The laminated body is removed from the front side of the wafer using only the tip shape of the cutting blade having the tip shape narrowed toward the tip of the blade after the tape adhering step so that the surface of the substrate is cut to a predetermined depth, A laminated body removing step of cutting the wafer along the line to be divided and removing the laminated body to form a cut groove in the substrate;
The substrate is cut along the line to be divided from the surface of the substrate exposed by the cutting blade having a thickness smaller than the width of the cut groove along the cut groove after the step of removing the stack, And a cutting groove forming step of forming a cutting groove.

The method according to claim 1, further comprising: before the step of removing the layered product, measuring a surface displacement of the wafer on the line to be divided by measurement means to perform a measurement step of forming mapping data of the surface displacement of the wafer,
Wherein the cutting is performed while adjusting the cutting blade in a direction perpendicular to the wafer so that the cutting blade cuts the blade from the surface position to the predetermined depth based on the mapping data in the step of removing the layered product .