KR20150003200A - 수분 장벽 층을 갖는 전자 컴포넌트 - Google Patents
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Abstract
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트(100)가 제공되고, 전자 컴포넌트(100)는 수분으로부터 보호될 층과 수분 장벽 층(120)을 갖고, 수분 장벽 층(120)은 적어도 부분적으로, 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 보호될 층 아래에 배열되고, 여기서 수분 장벽 층은 상이한 화학량론 조성의 동일한 재료의 복수의 층들을 갖는다.
Description
다양한 실시예들은 전자 컴포넌트, 및 그러한 전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
종래 전자 컴포넌트, 예컨대 종래 유기 발광 다이오드(OLED)에서는, 장벽 층이 보통, 수분-민감 및/또는 산소-민감 구역들을 보호하기 위해 적용되고, 그리고 심지어 수년간 매일의 사용중에 그 기능을 유지할 수 있기 위하여 그리고 그에 따라 긴 서비스 수명을 가능케 하기 위해, 주로 수분의 통과 및/또는 부식으로부터 보호하도록 제공된다. 이러한 목적을 위해, 실리콘 질화물(SiN) 또는 실리콘 산화물(SiO2)이 보통 장벽 층으로서 적용된다. 그러나, 종래 장벽 층들은 비교적 높은 기계적 스트레스를 나타내고, 예컨대 평면 방식으로 이어지지 않는 표면 구조물들의 경우, 상기 비교적 높은 기계적 스트레스는 예컨대 에지들 또는 스텝들에서 균열을 쉽게 유도할 수 있고, 상기 균열은 장벽 층의 장벽 효과 및 그에 따라 전자 컴포넌트의 서비스 수명을 크게 감소시킨다. 종래의 또는 불량한 장벽 층은 컴포넌트의 단축된 스토리지 수명의 결과로서 컴포넌트의 페일(failure)(소위 다크 스폿의 발생)을 유도할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 장벽 층의 장벽 효과가 증가될 수 있는 전자 컴포넌트가 제공된다. 또한, 다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트의 스토리지 수명이 단순한 방식으로 길어질 수 있는 전자 컴포넌트가 제공된다.
다양한 실시예들에서, 수분으로부터 보호될 층; 및 적어도 부분적으로 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 보호될 층 아래에 배열되는 수분 장벽 층을 포함하는 전자 컴포넌트가 제공되고; 여기서 상기 수분 장벽 층은 상이한 화학량론 조성(stoichiometric composition)들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 포함한다.
예시적으로, 다양한 실시예들에서, 예컨대 광학 발광 컴포넌트에서 층 구조물을 사용하는 것이 가능한데, 예컨대 투명 유기 발광 다이오드에서 예컨대 하단 방출기 또는 상단 방출기 또는 상하단 방출기를 사용하는 것이 가능하고, 여기서 다양한 실시예들의 층 구조물은 발광 컴포넌트의 투명도를 증가시킬 수 있다. 이는, 발광 컴포넌트의 총 두께를 크게 증가시키는 것 없이, 다양한 실시예들에서 달성될 수 있다.
수분 장벽 층의 층 구조물의 개별 층들은 상이한 특성들, 예컨대 상이한 층 스트레스들을 가질 수 있다. 바람직하게, 개별 층들은, 층들 사이에 유체 전이부들을 가진 채로, 하나의 층 위에 다른 층이 증착될 수 있다. 결합된 층들이 상이한 층 스트레스들을 갖는 것이 유리한데, 그 이유는 그 결과, 가능한 한 스트레스가 없는 전체 층을 제조하기 위하여 최적화된 방식으로 후속 층들 또는 지지부의 스트레인들이 적응될 수 있기 때문에 예컨대 수분으로부터 보호될 전자 컴포넌트의 층의 표면 상의 불균일들 또는 입자들이 무-스트레스 방식으로 재형상화될 수 있기 때문이다. 수분 장벽 층은 크게 개선된 장벽 효과를 나타낸다.
추가적인 구성에서, 수분 장벽 층은 대략 5㎚ 내지 대략 100㎛ 범위의 층 두께, 그리고 특히 대략 50㎚ 내지 대략 5㎛ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
추가적인 구성에서, 복수의 층들 중 각각의 층은 대략 5㎚ 내지 대략 400㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 복수의 층들 중 각각의 층은 예컨대 대략 100㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 복수의 층들 중 각각의 층은 예컨대 대략 200㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 또 다른 구성에서, 복수의 층들 중 각각의 층은 예컨대 대략 250㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 복수의 층들 중 적어도 하나의 제1 층은 예컨대 대략 100㎚의 층 두께를 가질 수 있고, 적어도 하나의 추가적인 층이 대략 200㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 복수의 층들 중 적어도 하나의 제1 층은 대략 100㎚의 층 두께를 가질 수 있고, 적어도 하나의 추가적인 층이 대략 250㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
다른 구성에서, 복수의 층들은 실리콘 질화물로 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 실리콘 질화물은 비결정질일 수 있고, 공식 SiNx에 따른 화학량론 조성을 가질 수 있으며, 여기서 x에 대해 0≤x<2가 유효하다.
추가적인 구성에서, 복수의 층들은 실리콘 이산화물로 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 실리콘 이산화물은 비결정질일 수 있다.
예로서, 복수의 층들 중 적어도 하나의 층은 실리콘 질화물로 구성될 수 있다. 예시적으로 표현되면, 예로서, 복수의 층들 중 하나의 층이 실리콘 질화물로 구성될 수 있고, 복수의 층들 중 적어도 하나의 추가적인 층이 예컨대 실리콘 이산화물로 구성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예로서, 복수의 층들 중 제1 층이 실리콘 이산화물로 구성될 수 있고, 각각의 추가적인 층이 실리콘 질화물로 구성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예로서, 역시 정반대로, 제1 층이 실리콘 질화물로 구성될 수 있고, 여기서 각각의 추가적인 층은 실리콘 이산화물로 구성될 수 있다. 번갈아 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 구성되는 복수의 층들의 추가적인 층 시퀀스들이 또한 고려가능하다. 예로서, 제1 층이 실리콘 질화물로 구성되고, 적어도 하나의 추가적인 층이 실리콘 이산화물로 구성되며, 그리고 적어도 하나의 추가적인 층이 다시 실리콘 질화물로 구성되는 것이 또한 가능하다. 정반대로, 제1 층이 실리콘 이산화물로 구성되고, 적어도 하나의 추가적인 층이 실리콘 질화물로 구성되며, 그리고 적어도 하나의 추가적인 층이 실리콘 이산화물로 구성되는 것이 또한 가능하다. 층들의 시퀀스의 예들이 순수하게 예로서 이루어지고 철저하지 않음이 지적되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트는 캐리어 ―여기서, 수분으로부터 보호될 층은 상기 캐리어 상에 또는 그 위에 배열될 수 있음―, 그리고 캡슐화부 ―여기서, 상기 캡슐화부는 수분 장벽 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 수분 장벽 층 아래에 배열될 수 있음― 를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트는 또한 캡슐화부를 포함할 수 있고, 여기서 상기 캡슐화부는 기판을 등지는 전기 액티브 구역의 그 면 상에 배열될 수 있고, 그리고 여기서 층 구조물은 상기 캡슐화부 아래에 배열될 수 있다.
다른 구성에서, 전자 컴포넌트는 또한, 수분으로부터 보호될 층을 포함하는 전기 액티브 구역을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 캐리어는 함몰부(depression)를 가질 수 있고, 여기서 전자 컴포넌트의 전기 액티브 구역의 적어도 일부가 상기 함몰부에 배열된다.
다른 구성에서, 기판의 적어도 일부는 함몰부에 배열될 수 있다.
다른 구성에서, 전자 컴포넌트는 발광 전자 컴포넌트로서 설계될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트는 예컨대 발광 전자 반도체 컴포넌트로서, 특히 발광 다이오드로서 설계될 수 있다.
다른 구성에서, 전자 컴포넌트는 유기 발광 다이오드로서 설계될 수 있다.
다른 구성에서, 전자 컴포넌트는 솔라 셀로서, 예컨대 유기 솔라 셀로서, 예컨대 플렉서블 유기 솔라 셀로서 설계될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 수분으로부터 보호될 층을 형성하는 단계; 적어도 부분적으로 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 보호될 층 아래에 배열되는 수분 장벽 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 여기서 상기 수분 장벽 층은 상이한 화학량론 조성들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 갖는다.
방법의 일 구성에서, 복수의 층들 중 상기 층들은 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다. 예로서, 증착 방법은 CVD(chemical vapor deposition) 방법일 수 있다.
방법의 다른 구성에서, 기상 증착 방법은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법일 수 있다. 예로서, 이러한 경우, 플라즈마는 전자 컴포넌트 위에 그리고/또는 그 주변에 있는 볼륨에서 생성될 수 있다. 적어도 두 개의 기체 시작 화합물(gaseous starting compound)들이 볼륨에 피딩 및 여기되어, 서로 반응한다.
다양한 실시예들에서, 적어도 하나의 비활성 기체가 볼륨에 피딩될 수 있다. 비활성 기체는 예컨대 아르곤 또는 헬륨일 수 있다.
다른 실시예에서, 적어도 하나의 비활성 기체는 과도하게 피딩될 수 있다.
방법의 일 실시예에서, 실리콘 질화물을 형성하기 위한 암모니아 및 실란이 볼륨에 피딩될 수 있다. 예로서, 암모니아는 과도하게 피딩될 수 있다. 추가적인 실시예에서, 수분 장벽 층의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 실란의 농도에 의해 결정될 수 있다.
본 발명에 따른 수분 장벽 층은 예컨대 실온(다시 말해, 대략 15℃ 내지 대략 25℃의 온도 범위)에서부터 대략 400℃의 범위에 있는 온도에서, 예컨대 실온에서부터 대략 200℃의 범위에 있는 온도에서 형성될 수 있다.
방법의 다른 실시예에서, 실리콘 산화물을 형성하기 위한 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS) 또는 N2O가 볼륨에 피딩될 수 있다. 예로서, 암모니아가 과도하게 피딩될 수 있다. 추가적인 실시예에서, 수분 장벽 층의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)의 농도에 의해 결정될 수 있다.
수분 장벽 층은 예컨대 대략 실온에서부터 대략 400℃의 범위에 있는 온도에서, 예컨대 실온에서부터 대략 200℃의 범위에 있는 온도에서 형성될 수 있다.
실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산화물의 비결정성의 정도는 적절한 시작 화합물들, 온도들, 플라즈마 조건들 및/또는 기체 압력들의 선택에 의해 구현될 수 있다.
다른 구성에서, 기상 증착 방법은 무 플라즈마 기상 증착 방법(PLCVD:plasmaless chemical vapor deposition)로서 설계될 수 있다.
다른 구성에서, 증착 방법은 ALD(atomic layer deposition) 방법으로서 설계될 수 있다.
다른 구성에서, ALD 방법은 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 방법으로서 설계될 수 있다.
다른 구성에서, ALD 방법은 PLALD(plasmaless atomic layer deposition) 방법으로서 설계될 수 있다.
전자 컴포넌트가 LED, PD, SC 및/또는 TFT를 포함한다면, 하나 또는 복수의 기능 층들은 에피택셜 층 시퀀스, 즉 에피택셜하게 성장된 반도체 층 시퀀스를 포함할 수 있거나, 또는 그와 같이 구현될 수 있다. 이러한 경우, 반도체 층 시퀀스는 예컨대, InGaAlN, InGaAlP 및/또는 AlGaAs에 기초한 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체, 및/또는 원소들 Be, Mg, Ca 및 Sr 중 하나 또는 그 초과, 그리고 원소들 O, S 및 Se 중 하나 또는 그 초과를 포함하는 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예로서, Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체 재료들은 ZnO, ZnMgO, CdS, ZnCdS 및 MgBeO를 포함한다.
다양한 실시예들에서, 예로서, 예컨대 하나 또는 복수의 OLED들, 및/또는 하나 또는 복수의 LED들을 포함하는 전자 컴포넌트는 특히 조명 디바이스로서 또는 디스플레이로서 구현될 수 있고, 그리고 대면적을 이용하여 구현된 액티브 루미너스 영역을 가질 수 있다. 이러한 경우 "대면적을 이용"은, 전자 컴포넌트가 몇 제곱 밀리미터와 동일하거나 또는 그보다 더 큰 면적, 예컨대 1 제곱 밀리미터와 동일하거나 또는 그보다 더 큰 면적, 그리고 예컨대 1 제곱 데시미터와 동일하거나 또는 그보다 더 큰 면적을 가짐을 의미할 수 있다.
전자 컴포넌트의 실시예들의 전술된 열거는 예로서 있고 제약적 ―지나치게 제약적― 이지 않음이 이해되어야 한다. 그보다는, 전자 컴포넌트는, 그 자체로 기술분야의 당업자에게 알려져 있는 추가적인 전자 엘리먼트들 및/또는 기능 층 시퀀스들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고, 아래에서 더욱 상세히 설명된다.
도면들에서:
도 1은 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트로서 설계된 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 4는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 6은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 7은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 1은 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트로서 설계된 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 4는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 6은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 7은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
다음의 상세한 설명에서, 동반된 도면들이 참조되고, 도면들은 본 설명의 일부를 형성하고, 예시 목적들을 위해, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이 점에서, 예컨대 "상단에", "하단에", "앞쪽에", "뒷쪽에", "앞쪽", "뒷쪽" 등등과 같은 방향 용어는 설명되는 도면(들)의 배향에 대하여 사용된다. 실시예들의 컴포넌트 파트들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 제공되고, 아무것도 어떠한 방식으로든 제약하지 않는다. 본 발명의 보호 범위로부터 벗어남 없이, 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 논리적 변경들이 이루어질 수 있음은 말할 필요도 없다. 구체적으로 그렇지 않다고 표시되지 않는다면, 본원에 설명된 다양한 실시예들의 피처들이 서로 결합될 수 있음은 말할 필요도 없다. 그러므로, 다음의 상세한 설명은 제약적 의미로 해석되어서는 안되며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다. 도면들의 개략적인 도면들은 단지 본 발명의 개념을 예시하기 위해 제공되고, 실척에 맞게 묘사되지 않는다.
본 설명의 상황에서, 용어들 "연결된" 및 "커플링된"은 직접 및 간접 연결 그리고 직접 또는 간접 커플링 둘 다를 설명하는데 사용된다. 도면들에서, 동일한 또는 유사한 엘리먼트들에는, 이것이 편리한 한, 동일한 참조 사인들이 제공된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따라, 예컨대 발광 컴포넌트(100)로서, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED)(100)로서 구현된 전자 컴포넌트(100)의 단면도를 도시한다.
전자 컴포넌트(100)는 기판(102)을 가질 수 있다. 기판(102)은 예컨대, 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예컨대 발광 엘리먼트들에 대한 캐리어 또는 캐리어 엘리먼트(102)로서의 역할을 할 수 있다. 예로서, 기판(102)은, 유리, 석영, 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적절한 재료를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은, 플라스틱 필름 또는 플라스틱 필름을 포함하는 라미네이트 또는 복수의 플라스틱 필름들을 포함하는 라미네이트를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 그 초과의 폴리올레핀들(예컨대, 고 밀도 또는 저 밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 플라스틱은 폴리비닐 염화물(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스터 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 기판(102)은 위에서 언급된 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다. 기판(102)은 반투명 또는 심지어 투명한 것으로서 구현될 수 있다. 또한, 기판은 (예컨대, 플렉서블) 금속 필름(예컨대, 재료들 알루미늄, 구리, 스틸 등등 중 적어도 하나를 포함하거나 또는 적어도 하나로 구성됨)일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은, 층이 광, 예컨대 하나 또는 그 초과의 파장 범위들에서 예컨대 발광 컴포넌트에 의해 생성된 광, 예컨대 가시 광의 파장 범위(예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위 중 부분 범위)에 있는 광을 투과시킴을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은, 구조물(예컨대, 층)에 커플링 인 되는 광의 실질상 전체 양이 또한 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 커플링 아웃 되고, 여기서 광의 일부가 이러한 경우 산란될 수 있음을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 용어 "투명" 또는 "투명 층"은, 층이 광(예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위 중 부분 범위에 있는 광)을 투과시키고, 여기서 구조물(예컨대, 층)에 커플링 인 되는 광이 또한, 실질상 산란 또는 광 변환 없이, 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 커플링 아웃됨을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 결과적으로, 다양한 실시예들에서, "투명"은 "반투명"의 특별한 경우로서 간주되어야 한다.
예컨대 발광 단색 또는 방출 스펙트럼-제한된 전자 컴포넌트가 제공되도록 의도되는 경우에 대해, 광학 반투명 층 구조물이, 적어도 원하는 단색 광의 파장 범위 중 부분 범위에서 또는 제한된 방출 스펙트럼에 대해 반투명인 것으로 충분하다.
다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(100)(그렇지 않으면, 위에서 설명된 또는 아래에 설명될 실시예들에 따른 발광 컴포넌트들)는 하단 방출기 또는 상단 방출기 또는 상하단 방출기로서 표시될 수 있다. 상하단 방출기는 또한, 광학 투명 컴포넌트, 예컨대 투명 유기 발광 다이오드로서 표시될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 장벽 층(104)은 선택적으로 기판(102) 상에 또는 그 위에 배열될 수 있다. 장벽 층(104)은 다음의 재료들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 옥시나이트라이드, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있거나, 또는 하나 또는 그 초과로 구성될 수 있다. 또한, 다양한 실시예들에서, 장벽 층(104)은 대략 0.1㎚(일 원자 층) 내지 대략 5000㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 200㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은 장벽 층(104) 상에 또는 그 위에 배열될 수 있다. 전기 액티브 구역(106)은, 발광 컴포넌트(100)의 동작을 위한 전기 전류가 흐르는 발광 컴포넌트(100)의 그 구역으로서 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전기 액티브 구역(106)은 아래에 훨씬 더 상세히 설명될 바와 같이 제1 전극(108), 제2 전극(112) 및 유기 기능 층 구조물(110)을 가질 수 있다.
이 점에서, 다양한 실시예들에서, 제1 전극(108)(예컨대, 제1 전극 층(108)의 형태임)은 장벽 층(104) 상에 또는 그 위에(또는, 장벽 층(104)이 존재하지 않으면, 기판(102) 상에 또는 그 위에) 적용될 수 있다. 제1 전극(108)(이후에 하단 전극(108)으로서 또한 표시됨)은, 예컨대 금속, 또는 투명 전도성 산화물(TCO), 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 스택과 같은 전기 전도성 재료로부터 형성될 수 있다. 투명 전도성 산화물들은 투명 전도성 재료들, 예컨대 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 예컨대 금속 산화물들이다. 예컨대 ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 같은 이원계 금속-산소 화합물들 이외에, 예컨대 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 삼원계 금속-산소 화합물들 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO들의 그룹에 속하고, 다양한 실시예들에서 사용될 수 있다. 또한, TCO들이 반드시 화학량론 조성에 대응하는 것은 아니며, 또한 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(108)은 금속을 포함할 수 있다; 예컨대, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm 또는 Li, 그리고 이러한 재료들의 화합물들, 결합들 또는 합금들. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(108)은 TCO 층 상에 금속 층, 또는 그 반대의 결합의 층 스택에 의해 형성될 수 있다. 일 예는 인듐 주석 산화물(ITO) 층 상에 적용된 실버 층(ITO 상에 Ag), 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(108)은 전술된 재료들에 부가하여 또는 대안으로서 다음의 재료들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들로 구성된, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크들; 그래핀 입자들 및 그래핀 층들; 반도체의 나노와이어들로 구성된 네트워크들 중 하나 또는 복수 개를 제공할 수 있다. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
또한, 제1 전극(108)은 전기 전도성 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명 전기 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(108) 및 기판(102)은 반투명 또는 투명한 것으로서 형성될 수 있다. 제1 전극(108)이 금속으로부터 형성되는 경우에, 제1 전극(108)은 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 18㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(108)은 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(108)은 대략 10㎚ 내지 대략 25㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 18㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 18㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 제1 전극(108)이 투명 전도성 산화물(TCO)로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(108)은 예컨대 대략 50㎚ 내지 대략 500㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 75㎚ 내지 대략 250㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 150㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 제1 전극(108)이 예컨대 금속성 나노와이어들 ―전도성 폴리머들과 결합될 수 있음― 로 구성된, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크로부터, 또는 그래핀 층들 및 복합물들로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(108)은 예컨대 대략 1㎚ 내지 대략 500㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 400㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚ 내지 대략 250㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
제1 전극(108)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제1 전극(108)은 제1 전기 단자를 가질 수 있고, 상기 제1 전기 단자에 제1 전기 전위(에너지 소스(미도시), 예컨대 전류원 또는 전압원에 의해 제공됨)가 인가될 수 있다. 대안적으로, 제1 전기 전위는 기판(102)에 인가될 수 있고, 그런 다음 상기 기판을 통해 제1 전극(108)에 간접적으로 피딩될 수 있다. 제1 전기 전위는 예컨대 접지 전위 또는 어떤 다른 미리정의된 기준 전위일 수 있다.
또한, 발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은, 제1 전극(108) 상에 또는 그 위에 적용되는 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)을 가질 수 있다.
유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은, 예컨대 형광 및/또는 인광 방출기들을 포함하는 하나 또는 복수의 방출기 층들(114), 그리고 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(116)(홀 수송 층(들)(116)으로서 또한 표시됨)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 전자-전도 층들(118)(전자 수송 층(들)(118)으로서 또한 표시됨)이 대안적으로 또는 부가하여 제공될 수 있다.
방출기 층(들)(114)에 대한 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트(100)에서 사용될 수 있는 방출기 재료들의 예들은, 넌-폴리메릭 방출기들로서, 유기 또는 유기금속성 화합물들, 예컨대 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌의 유도체들(예컨대, 2- 또는 2,5-substituted poly-p-phenylene vinylene) 및 금속 착물들, 예컨대 이리듐 착물들, 예컨대 청색 인광 FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl(2-carboxypyridyl)iridium III), 녹색 인광 Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(tris[4,4'-di-tert-butyl(2,2')bipyridine]ruthenium(III) 착물) 그리고 청색 형광 DPAVBi(4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광 TTPA(9,10-bis[N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광 DCM2(4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)를 포함한다. 그러한 넌-폴리메릭 방출기들은 예컨대 열 증착에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 특히, 예컨대 스핀 코팅과 같은 습식-화학적 방법에 의하여 증착될 수 있는 폴리머 방출기들을 사용하는 것이 가능하다. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
방출기 재료들은 적절한 방식으로 매트릭스 재료에 임베딩될 수 있다.
다른 실시예들에서 다른 적절한 방출기 재료들이 마찬가지로 제공됨이 지적되어야 한다.
예컨대 발광 컴포넌트(100)가 백색광을 방출하도록 발광 컴포넌트(100)의 방출기 층(들)(114)의 방출기 재료들이 선택될 수 있다. 방출기 층(들)(114)은 상이한 색들(예컨대, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)로 방출하는 복수의 방출기 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 방출기 층(들)(114)은 또한 복수의 부분 층들, 예컨대 청색 형광 방출기 층(114) 또는 청색 인광 방출기 층(114), 녹색 인광 방출기 층(114) 및 적색 인광 방출기 층(114)으로부터 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합함으로써, 백색 인상을 갖는 광의 방출이 야기될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 생성되는 일차 방출의 빔 경로에 컨버터 재료를 배열하는 것이 또한 제공될 수 있고, 상기 컨버터 재료는 적어도 부분적으로 일차 방사선을 흡수하고 상이한 파장을 갖는 이차 방사선을 방출하며, 그래서 (아직 백색이 아닌) 일차 방사선으로부터 일차 및 이차 방사선의 결합 때문에 백색 인상이 야기된다.
유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은 일반적으로 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들을 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 단위체들, 유기 소형 넌-폴리메릭 분자들("소분자들") 또는 이러한 재료들의 결합을 포함할 수 있다. 예로서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은, 예컨대 OLED의 경우에 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효 홀 주입을 가능케 하기 위하여, 홀 수송 층(116)으로서 구현된 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은, 예컨대 OLED에서 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효 전자 주입을 가능케 하기 위하여, 전자 수송 층(118)으로서 구현된 하나 또는 복수의 기능 층들을 포함할 수 있다. 예로서, 삼차 아민들, 카바조 유도체(carbazo derivative)들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜이 홀 수송 층(116)에 대한 재료로서 사용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들은 전기루미네선트 층으로서 구현될 수 있다. 이러한 재료들은 아래에 설명되는 실시예들에서 동일한 방식으로 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 홀 수송 층(116)이 제1 전극(108) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있고, 방출기 층(114)이 홀 수송 층(116) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전자 수송 층(118)은 방출기 층(114) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)(다시 말해, 예컨대, 홀 수송 층(들)(116) 및 방출기 층(들)(114) 및 전자 수송 층(들)(118)의 두께들의 합)은 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은 예컨대, 하나의 유기 발광 다이오드가 다른 유기 발광 다이오드 바로 위에 배열된 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들의 스택을 가질 수 있고, 여기서 각각의 OLED는 예컨대 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은 예컨대 하나의 OLED가 다른 OLED 바로 위에 배열된 두 개, 세 개 또는 네 개의 OLED들의 스택을 가질 수 있고, 상기의 경우 예컨대 유기 전기루미네선트 층 구조물(110)은 최대 대략 3㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)는 선택적으로, 예컨대 하나 또는 복수의 방출기 층들(114) 상에 또는 그 위에, 또는 전자 수송 층(들)(118) 상에 또는 그 위에 배열된 추가적인 유기 기능 층들을 일반적으로 포함할 수 있고, 상기 추가적인 유기 기능 층들은 발광 컴포넌트(100)의 기능 및 그에 따른 효율을 추가로 개선시키기 위해 제공된다.
제2 전극(112)(예컨대, 제2 전극 층(112)의 형태임)은 유기 전기루미네선트 층 구조물(110) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있거나, 또는 적절하다면, 하나 또는 복수의 추가적인 유기 기능 층들 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은 제1 전극(108)과 동일한 재료들을 포함할 수 있거나 또는 이들로부터 형성될 수 있고, 다양한 실시예들에서 금속들이 특히 적절하다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)(예컨대, 금속성 제2 전극(112)의 경우에 대해)은 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 45㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 35㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 30㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
제2 전극(112)은 일반적으로, 제1 전극(108)과 유사한 방식으로 또는 제1 전극(108)과 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은, 제1 전극(108)과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 재료들 중 하나 또는 그 초과로부터 그리고 각각의 층 두께를 이용하여 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(108) 및 제2 전극(112) 둘 다는 반투명 또는 투명한 것으로서 형성된다. 결과적으로, 도 1에 예시된 발광 컴포넌트(100)는 상하단 방출기(다르게 말하면, 투명 발광 컴포넌트(100))로서 설계될 수 있다.
제2 전극(112)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제2 전극(112)은 제2 전기 단자를 가질 수 있고, 상기 제2 전기 단자에, 에너지 소스에 의해 제공되는 제2 전기 전위(제1 전기 전위와 상이함)가 인가될 수 있다. 제2 전기 전위는 예컨대, 제1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5V 내지 대략 20V 범위에 있는 값, 예컨대 대략 2.5V 내지 대략 15V 범위에 있는 값, 예컨대 대략 3V 내지 대략 12V 범위에 있는 값을 갖도록 하기 위한 값을 가질 수 있다.
예컨대 장벽 박막 층/박막 캡슐화부(120) 형태의 수분 장벽 층(120)은 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에, 그리고 그에 따라 수분으로부터 보호될 적어도 하나의 층을 갖는 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있고, 여기서 수분 장벽 층(120)은 상이한 화학량론 조성들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 포함한다.
본 출원의 상황에서, 수분 장벽 층 또는 "장벽 박막"(120)은, 예컨대, 화학적 불순물들 또는 대기 물질들에 대비해, 특히 물(수분) 및 산소에 대비해 장벽을 형성하기에 적절한 층 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층(120)은, 물, 산소 또는 용제와 같은 OLED-손상 물질들이 장벽 박막 층(120)을 통과할 수 없도록 또는 상기 물질들 중 기껏해야 매우 작은 비율들이 장벽 박막 층(120)을 통과할 수 있도록 형성된다.
다시 말해, 일 구성에 따라, 수분 장벽 층(120)은 층 스택으로서 형성될 수 있다. 수분 장벽 층(120), 또는 수분 장벽 층(120)의 하나 또는 복수의 층들은 예컨대 적절한 증착 방법에 의하여, 예컨대 일 구성에 따라 ALD(atomic layer deposition) 방법, 예컨대 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 방법 또는 PLALD(plasmaless atomic layer deposition) 방법에 의하여, 또는 다른 구성에 따라 CVD(chemical vapor deposition) 방법, 예컨대 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법 또는 PLCVD(plasmaless chemical vapor deposition) 방법에 의하여, 또는 대안적으로 다른 적절한 증착 방법들에 의하여 형성될 수 있다.
ALD(atomic layer deposition) 방법을 이용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착되는 것이 가능하다. 특히, 원자 층 범위의 층 두께들을 갖는 층들이 증착될 수 있다.
일 구성에 따라, 수분 장벽 층(120)의 경우에, 복수의 층들 중 모든 층들이 ALD 방법에 의하여 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스가 "나노라미네이트"로서 또한 표시될 수 있다.
대안적 구성에 따라, 수분 장벽 층(120)의 경우에, 수분 장벽 층(120)의 복수의 층들 중 적어도 하나 또는 그 초과의 층들이 ALD 방법과 상이한 증착 방법에 의하여, 예컨대 기상 증착 방법에 의하여 증착될 수 있다.
일 구성에 따라, 수분 장벽 층(120)은 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 100㎛ 범위, 예컨대 대략 400㎚ 내지 대략 20㎛ 범위, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 250㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 복수의 층들 중 각각의 층은 대략 250㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 복수의 층들 중 제1 층은 대략 100㎚의 층 두께를 가질 수 있고, 적어도 하나의 추가적인 층은 대략 200㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 예로서, 복수의 층들 중 적어도 하나의 제1 층은 대략 100㎚의 층 두께를 가질 수 있고, 적어도 하나의 추가적인 층은 대략 250㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
일 구성에 따라, 상기 수분 장벽 층(120)에서, 복수의 층들 중 모든 층들은 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따라, 수분 장벽 층(120)의 개별 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 층들 중 적어도 하나가 하나 또는 그 초과의 다른 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
일 구성에 따라, 수분 장벽 층(120), 또는 수분 장벽 층(120)의 개별 층들은 반투명 또는 투명 층으로서 구현될 수 있다. 다시 말해, 수분 장벽 층(120)(또는 장벽 박막 층(120)의 복수의 층들 중 개별 층들)은 반투명 또는 투명 재료(또는 반투명하거나 또는 투명한 재료 결합)로 구성될 수 있다.
복수의 층들은 예컨대 실리콘 질화물로 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 실리콘 질화물은 비결정질일 수 있다. 실리콘 질화물은 공식 SiNx에 따른 화학량론 조성을 가질 수 있으며, 여기서 x에 대해 0≤x<2가 유효하다. 수분 장벽 층(120)의 화학량론을 셋팅하기 위한 또는 비결정성의 정도의 셋팅은, 예컨대 적절한 시작 화합물들, 온도들, 플라즈마 조건들 및/또는 기체 압력들의 선택에 의해 수행될 수 있다. 예로서, 적어도 하나의 비활성 기체가 기체 압력 셋팅의 목적으로 피딩될 수 있다. 적어도 하나의 비활성 기체는 예컨대 아르곤, 예컨대 헬륨을 포함할 수 있거나, 또는 예컨대 아르곤, 예컨대 헬륨일 수 있다. 비활성 기체는 과도하게 피딩될 수 있다. 예로서, 암모니아가 볼륨에 피딩될 수 있다. 암모니아는 비결정성의 정도를 셋팅하기 위해 또는 화학량론을 셋팅하기 위해 과도하게 피딩될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 실란이 피딩될 수 있다. 수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 실란의 농도에 의해 결정될 수 있다. 수분 장벽 층(120)은 대략 실온에서부터 대략 400℃의 범위에 있는 온도에서, 예컨대 대략 실온에서부터 대략 200℃의 범위에 있는 온도에서 형성될 수 있다.
수분 장벽 층(120)의 복수의 층들은 실리콘 이산화물로 구성될 수 있다. 실리콘 이산화물은 예컨대 비결정질일 수 있다. 수분 장벽 층(120)의 화학량론을 셋팅하기 위한 또는 비결정성의 정도의 셋팅은, 예컨대 적절한 시작 화합물들, 온도들, 플라즈마 조건들 및/또는 기체 압력들의 선택에 의해 수행될 수 있다. 예로서, 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS) 또는 N2O가 피딩될 수 있다. 수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS)의 농도에 의해 결정될 수 있다. 수분 장벽 층은 예컨대 대략 실온에서부터 대략 400℃ 범위의 온도에서, 예컨대 대략 실온에서부터 대략 200℃ 범위의 온도에서 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 낮은 굴절률 중간 층 또는 낮은 굴절률 중간 층 구조물(122)(예컨대, 동일한 재료 또는 상이한 재료들로 구성된 하나 또는 복수의 층들을 가짐)은, 수분 장벽 층(120) 상에 또는 그 위에 배열될 수 있고, 예컨대 투명 발광 컴포넌트(100)의 경우에, 그의 총 투명도를 증가시키기 위해 제공된다.
중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122)은, 아래에 훨씬 더 상세히 설명될 바와 같이, 발광 컴포넌트(100)의 (미리정의된 파장에서의) 커버의 굴절률 미만인 굴절률을 (상기 미리정의된 파장에서(예컨대, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위에 있는 미리정의된 파장에서)) 갖는 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 중간 층, 또는 중간 층 구조물(122)의 적어도 하나의 층, 또는 전체 중간 층 구조물(122)은, 아래에 훨씬 더 상세히 설명될 바와 같이, 발광 컴포넌트(100)의 커버의 굴절률 미만인 굴절률을 가질 수 있다.
중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122) 상에 또는 그 위에, 접착제 및/또는 보호 래커(124)를 제공하는 것이 가능하고, 이에 의하여, 예컨대, 커버(126)(예컨대, 유리 커버(126))가 중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122) 상에 고정, 예컨대 접착식으로 본딩된다. 다양한 실시예들에서, 접착제 및/또는 보호 래커(124)로 구성된 광학 반투명 층은 1㎛을 초과하는 층 두께, 예컨대 수 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나, 또는 라미네이션 접착제일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광-산란 입자들은 또한 접착제의 층(접착제 층으로서 또한 표시됨)으로 임베딩될 수 있고, 상기 입자들은 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율의 추가적인 개선을 유도할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제공된 광-산란 입자들은, 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Oa), 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물과 같은 예컨대 금속 산화물들과 같은 예컨대 유전체 산란 입자들일 수 있다. 다른 입자들이 반투명 층 구조물, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 텅 빈 유리 비드들의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 상기 다른 입자들이 또한 적절할 수 있다. 또한, 예로서, 금속성 나노입자들, 금속들, 예컨대 골드, 실버, 철 나노입자들 등등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학적 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 접착제 및/또는 보호 래커(124)로 구성된 층과 제2 전극(112) 사이에, 추가적인 전기 절연 층(미도시), 예컨대 추가적인 수분 장벽 층(120), 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 100㎛ 범위의 층 두께를 갖는, 예컨대 대략 400㎚ 내지 대략 20㎛ 범위의 층 두께를 갖는 예컨대 SiN이 또한 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 접착제는, 상기 접착제 자체가 커버(126)의 굴절률 미만인 굴절률을 갖도록 설계될 수 있다. 이러한 경우, 접착제 자체는 예시적으로, 중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122) 또는 그 일부를 형성한다. 그러한 접착제는, 예컨대 대략 1.3의 굴절률을 갖는 아크릴레이트와 같은 예컨대 낮은 굴절률 접착제일 수 있다. 또한, 접착제 층 시퀀스를 형성하는 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 접착제(124)가 또한 예컨대, 예컨대 유리로 구성된 커버(126)가 예컨대 플라즈마 스프레잉에 의하여 중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122)에 적용되는 실시예들에서, 완전히 생략될 수 있음이 지적되어야 한다.
중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122)과 접착제(124) 둘 다가 제공되는 실시예들에서, 층 구조물 중 적어도 하나의 층은, 또한 접착제(124)의 굴절률 미만인 굴절률을 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 커버(126) 및/또는 접착제(124)는 (예컨대, 633㎚의 파장에서) 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 무반사 층들(예컨대 수분 장벽 층(120), 예컨대 박막 캡슐화부(120)와 결합됨)이 발광 전자 컴포넌트(100)에 부가하여 제공될 수 있다.
예로서, 여기서 다양한 실시예들에서 설명된 수분 장벽 층들(120)은, 적어도 구역들에서 수분 및/또는 산소(부식)에 민감한 전자 컴포넌트(100)를, 60℃와 동일하거나 또는 그 초과의 온도 및 90%와 동일하거나 또는 그 초과의 상대 에어 습도에서, 그렇지 않으면 위에서 언급된 조건들 중 하나 아래에서, 900시간보다 더 오랫동안 수분 및 산소가 통과하지 않도록 유지시킬 수 있다.
따라서, 상이한 특성들, 예컨대 상이한 층 스트레스들을 갖는, 실리콘 질화물로 구성된 적어도 두 개 또는 바람직하게는 복수의 층들이 예컨대 층들 사이의 유체 전이부들을 이용하여 하나의 층이 다른 층 위에 증착된다면, 실리콘 질화물로 구성된 수분 장벽 층(120)의 장벽 효과가 상당히 개선될 수 있다. 상이한 스트레스들의 층들이 결합된다는 사실이 가능한데, 그 이유는 그 결과 표면 상의 뷸균일들/입자들이 무-스트레스 방식으로 재형상화될 수 있고 그리고 그 결과 본 발명에 따른 수분 장벽 층(120)이 예컨대 물 또는 산소와 같은 예컨대 OLED-유해한 물질들에 대해 상당히 더 높은 장벽 효과를 나타내기 때문이다. 또한, 예컨대, CVD에 의하여 제조된 수분 장벽 층(120)은, 가능한 한 스트레스가 없는 전체 층을 제조하기 위하여, 후속 층들 또는 지지부의 스트레인들에 최적화된 방식으로 적응될 수 있다. 이러한 방식으로 개선된 수분 장벽 층들(120)은 추가적인 장벽 층들, 예컨대 ALD 층들과 부가하여 결합될 수 있다.
| 스택 | 총 층 두께 [㎚] |
평균 "다크 스폿 밀도" [T0] |
스트레스 [a.u.] |
| P1 (x ㎚) | X | 12 | y1 |
| P2 (x ㎚) | X | 9 | y2 (y1 > y2) |
| P1 (x/2 ㎚) P2 (x/2 ㎚) |
X | 4 | y3 (y1 > y3 > y2) |
| P2 (x/2 ㎚) P1 (x/2 ㎚) |
X | 5 | y4 (y1 > y4 > y2) |
| P2 (x/4 ㎚) P1 (x/4 ㎚) P2 (x/4 ㎚) P1 (x/4 ㎚) |
X | 5 | y5 (y1 > y5 > y2) |
위의 표에서, X는 층 두께를 표시하고, Y는 스트레스를 표시한다.
또한, 위의 표에서, 다크 스폿 밀도는 대략 1.7㎠의 루미너스 면적을 갖는 컴포넌트들에 관련된다.
도 2는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트(200)의 단면도를 도시한다.
도 2에서 순수하게 개략적으로 표시되고 예컨대 도 1에 제시된 예들에 따라 구현될 수 있는 전자 컴포넌트(200)는 기판(202)을 포함할 수 있고, 상기 기판(202) 상에, 전기 액티브 구역(206)을 포함할 수 있다.
전기 액티브 구역(206)은, 전자 컴포넌트(200)의 동작을 위한 전기 전류가 흐르는 전자 컴포넌트(200)의 그 구역으로서 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전기 액티브 구역(206)은 제1 전극(208) 및 제2 전극(212)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 제1 전극(208)은 예컨대 애노드일 수 있다. 이러한 경우에, 제2 전극(212)은 예컨대 캐소드일 수 있다.
다양한 실시예들에 따라, 전기 액티브 구역(206)은 수분으로부터 보호될 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 상기 보호될 적어도 하나의 층 상에 또는 그 위에, 상이한 화학량론 조성들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 포함하는 수분 장벽 층(120)이 적어도 구역들에서 배열될 수 있다.
수분 장벽 층(120)의 층들 또는 복수의 층들은 예컨대 실리콘 질화물로 구성된 제1 층(228), 실리콘 질화물로 구성된 제2 층(228)을 포함할 수 있고, 상기 제1 층 및 실리콘 산화물로 구성된 추가적인 층(230) 상에 배열될 수 있고 상기 제2 층(228) 상에 배열될 수 있다. 층들은, 도 1에서 설명된 실시예들에 따라 구현될 수 있고, 예컨대 상이한 층 두께들, 예컨대 대략 5㎚ 내지 대략 5㎛ 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 층 두께들은 예컨대, 높은 층 스트레스 또는 낮은 층 스트레스를 번갈아 이용하여 제조될 수 있다.
도 3은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트(300)의 단면도를 도시한다.
다양한 실시예들에서, 수분 장벽 층(120)은 예컨대, 실리콘 질화물로 구성된 층(328), 실리콘 산화물로 구성된 층(330), 실리콘 질화물로 구성되고 층(330) 상에 배열된 추가적인 층(328), 그리고 실리콘 산화물로 구성되고 제2 층(328) 상에 배열된 두 개의 추가적인 층들(330)을 포함하는 적층된 구성을 가질 수 있고, 여기서 층 스트레스는 각각의 경우 낮거나 또는 높을 수 있고, 여기서 층 스트레스의 셋팅, 예컨대 감소는 증착 파라미터들의 적절한 선택에 의해 유발될 수 있다. 프로세스 파라미터들의 선택을 통해, 표면들 ―상기 표면들 상에, 상이한 조성들을 포함하는 층들의 증착에 의해, 수분 장벽 층(120)이 배열됨― 의 불균일들 또는 에지들의 커버링을 최적화시키는 것이 가능하고, 그리고 수분 장벽 층(120) 및 그에 따라 전자 컴포넌트(300)의 서비스 수명을 개선시키는 것이 따라서 가능하다.
도 4는 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트(400)의 단면도를 도시한다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트(400)는, 실리콘 산화물로 구성되거나 또는 실리콘 산화물을 포함하는 층(430), 실리콘 산화물로 구성된 층(430), 및 실리콘 질화물로 구성된 층(428)을 갖는 적층된 구성을 가질 수 있다. 이러한 경우, 각각의 층의 재료의 선택은 예컨대 재료의 광학 또는 절연 특성들에 따라 이루어질 수 있다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라, 예컨대 LED 또는 (예컨대, 상단-방출) OLED로서 구현된 전자 컴포넌트(500)의 단면도를 도시한다.
전기 액티브 구역(106)은 함몰부(534)에 배열될 수 있다. 예로서, 전기 액티브 구역(106) 및 발광 GaN 층(536)은 함몰부에 배열될 수 있고, 그리고 실리콘 질화물로 구성된 층(528), 실리콘 산화물로 구성된 층(530), 실리콘 질화물로 구성되고 층(530) 상에 배열된 추가적인 층(528), 그리고 실리콘 산화물로 구성되고 제2 층(528) 상에 배열된 두 개의 추가적인 층들(530)을 갖는 적층된 구성을 가질 수 있으며, 여기서 층 스트레스는 각각의 경우 낮거나 또는 높을 수 있고, 여기서 층 스트레스의 셋팅, 예컨대 감소는 증착 파라미터들의 적절한 선택에 의해 유발될 수 있다. 프로세스 파라미터들의 선택을 통해, 표면들 ―상기 표면들 상에, 상이한 조성들을 포함하는 층들의 증착에 의해, 수분 장벽 층(120)이 배열됨― 의 불균일들 또는 에지들의 커버링을 최적화시키는 것이 가능하고, 그리고 수분 장벽 층(120) 및 그에 따라 전자 컴포넌트(500)의 서비스 수명을 개선시키는 것이 따라서 가능하다.
도 6은 다양한 실시예들에 따라 전자 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
위에서 언급된 실시예들 중 하나에 따라 구성될 수 있고 순수하게 개략적으로만 예시되는 전자 컴포넌트(600)는 캡슐화부(632)를 부가하여 포함할 수 있고, 상기 캡슐화부(632)는 수분 장벽 층(120)의 층들 또는 복수의 층들 위에 배열될 수 있다. 도 6은 예로서, 실리콘 질화물로 구성된 층(628), 실리콘 산화물로 구성된 층(632) 및 실리콘 질화물로 구성된 복수의 층들(628)을 포함하는 층들의 적층된 구성을 도시하고, 여기서 층 스트레스는 각각의 경우 낮거나 또는 높을 수 있고, 여기서 층 스트레스의 셋팅, 예컨대 감소는 증착 파라미터들의 적절한 선택에 의해 유발될 수 있다. 프로세스 파라미터들의 선택을 통해, 표면들 ―상기 표면들 상에, 상이한 조성들을 포함하는 층들의 증착에 의해, 수분 장벽 층(120)이 배열됨― 의 불균일들 또는 에지들의 커버링을 최적화시키는 것이 가능하고, 그리고 수분 장벽 층(120) 및 그에 따라 전자 컴포넌트(600)의 서비스 수명을 개선시키는 것이 따라서 가능하다.
도 7은 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름 차트(700)를 도시한다.
702에서, 전기 액티브 구역(106)이 형성되고, 여기서 제1 전극(108) 및 제2 전극(112)이 형성되며, 그리고 여기서 유기 기능 층 구조물이 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성된다. 또한, 704에서, 적어도 하나의 층을 갖는 층 구조물이 전기 액티브 구역 위에 형성될 수 있다.
다양한 층들, 예컨대 중간 층(122) 또는 중간 층 구조물(122), 전극들(108, 112)과 예컨대 유기 기능 층 구조물(114), 홀 수송 층(들)(116) 또는 전자 수송 층(들)(118)과 같은 전기 액티브 구역(106)의 다른 층들은, 다양한 프로세스들에 의하여, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대, 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열 증착)에 의하여, 대안적으로 플레이팅 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여 적용, 예컨대 증착될 수 있다.
또한, 방법은 수분으로부터 보호될 적어도 하나의 층을 형성하는 단계, 및 수분 장벽 층(120)을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 수분 장벽 층(120)은 적어도 부분적으로 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에 배열되고, 상기 수분 장벽 층은 상이한 화학량론 조성들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 포함한다.
복수의 층들 중 층들은 증착 방법에 의하여 형성된다. 증착 방법은 CVD(chemical vapor deposition) 방법일 수 있다. 기상 증착 방법은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법일 수 있다. 예로서, 플라즈마는 전기 컴포넌트 위에 그리고/또는 그 주변에 있는 볼륨에서 생성될 수 있고, 그리고 여기서 적어도 두 개의 기체 시작 화합물들이 볼륨에 피딩 및 여기되어, 서로 반응할 수 있다. 예로서, 적어도 하나의 비활성 기체가 볼륨에 피딩될 수 있고, 상기 적어도 하나의 비활성 기체에 의하여, 예컨대 기체 압력이, 예컨대 상이한 층 스트레스들을 갖는 층들을 제조하기 위해 셋팅될 수 있다. 비활성 기체는 예컨대 아르곤, 예컨대 헬륨일 수 있다. 적어도 하나의 비활성 기체는 예컨대 과도하게 피딩될 수 있다. 실리콘 질화물 층들을 제조하기 위하여, 예컨대 암모니아가 시작 화합물로서 볼륨에 피딩될 수 있다. 암모니아는, 수분 장벽 층(120)의 화학량론을 셋팅하기 위해 예컨대 과도하게 피딩될 수 있다. 실리콘 질화물 층들을 제조하기 위하여, 실란이 추가적인 시작 화합물로서 볼륨에 피딩될 수 있다. 수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 실란의 농도에 의해 결정될 수 있다. 예컨대 비결정성의 원하는 정도 또는 각각의 층의 다른 특성들, 예컨대 수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 층 스트레스를 셋팅하기 위해, 수분 장벽 층은 대략 실온에서부터 대략 400℃의 범위에 있는 온도에서, 예컨대 대략 실온에서부터 대략 200℃의 범위에 있는 온도에서 형성될 수 있다. 각각의 층에 대한 온도는 프로세스중에 셋팅될 수 있다.
실리콘 산화물 층들을 제조하기 위하여, 예컨대 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS) 또는 N2O가 볼륨에 피딩될 수 있다.
수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 각각의 화학량론 조성은 테트라에틸 오소실리케이트(TEOS) 또는 N2O의 농도에 의해 결정될 수 있다. 각각의 층의 비결정성 또는 다른 특성들, 예컨대 수분 장벽 층(120)의 각각의 층의 층 스트레스를 고려하면, 수분 장벽 층은 대략 실온에서부터 대략 400℃의 범위에 있는 온도에서, 예컨대 대략 실온에서부터 대략 200℃의 범위에 있는 온도에서 형성될 수 있고, 여기서 각각의 층에 대한 온도가 셋팅될 수 있다.
기상 증착 방법은 예컨대 PLCVD(plasmaless chemical vapor deposition) 방법으로서 설계될 수 있다. 증착 방법은 예컨대 ALD(atomic layer deposition) 방법으로서 설계될 수 있다. ALD 방법은 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition)으로서 설계될 수 있다. ALD 방법은 PLALD(plasmaless atomic layer deposition) 방법으로서 설계될 수 있다.
다양한 실시예들에서, PE-CVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법이 CVD 방법으로서 사용될 수 있다. 이러한 경우, 플라즈마는, 엘리먼트 ―적용될 층이 상기 엘리먼트에 적용되도록 의도됨― 위에 그리고/또는 그 주변에 있는 볼륨에서 생성될 수 있고, 여기서 적어도 두 개의 기체 시작 화합물들이 볼륨에 피딩되고, 상기 화합물들은 플라즈마에서 이온화되고 여기되어, 서로 반응한다. 플라즈마의 생성은, 온도 ―예컨대 유전체 층을 제조하는 것을 가능케 하기 위하여, 엘리먼트의 표면이 상기 온도까지 가열될 것임― 가 무 플라즈마 CVD 방법과 비교할 때 감소될 수 있는 것을 가능케 할 수 있다. 그것은, 예컨대, 엘리먼트, 예컨대 형성될 발광 전자 컴포넌트가 최대 온도를 초과하는 온도에서 손상될 것이라면, 유리할 수 있다. 최대 온도는 예컨대 다양한 실시예들에 따라 형성될 발광 전자 컴포넌트의 경우에 대략 120℃일 수 있고, 그래서 예컨대 유전체 층이 적용되는 온도는 120℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있고, 예컨대 80℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있다.
또한, 전기 액티브 구역(106)을 형성한 이후에 그리고 커버(104)를 형성하기 이전에, 전기 액티브 구역을 갖는 구조물의 광학 투명도가 측정되는 것이 제공될 수 있다. 그런 다음, 중간 층 또는 중간 층 구조물이 측정된 광학 투명도에 따라 형성될 수 있고, 그래서 전기 액티브 구역을 갖는 구조물 및 중간 층 또는 중간 층 구조물의 원하는 광학 타겟 투명도가 획득된다(이 점에서, 예로서, 중간 층 또는 중간 층 구조물의 재료의 선택 및/또는 층 두께가 적응될 수 있다).
다양한 실시예들에서, 예컨대 OLED와 같은 발광 컴포넌트의 투명도가, 접착제 및 커버 유리(상기 접착제 및 상기 커버 유리 둘 다는 보통, 대략 동일한 굴절률을 가짐)와 비교할 때 낮은 굴절률을 갖는 매우 얇은 층의 사용에 의해 증가될 수 있음이 인정되었다. 다양한 실시예들에서, 층 두께는 50㎚ 내지 150㎚의 범위에 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 발광 컴포넌트의 투명도는 층의 두께 및 굴절률에 따라 크게 증가될 수 있다. 선택적으로, 706에서 층 구조물 위에 커버를 형성하는 것이 가능하고, 여기서 층 구조물의 적어도 하나의 층은 커버의 굴절률보다 더 낮은 굴절률을 갖는다. 다양한 실시예들에서, 그러한 낮은 굴절률 층(즉, 예컨대 1.5 미만의 굴절률을 갖는 층)은 진행중인 프로세스 흐름에서 예컨대 캡슐화부, 예컨대 수분 장벽 층(120) 상의 부가적인 층으로서 도입될 수 있다.
Claims (13)
- 전자 컴포넌트(100)로서,
수분으로부터 보호될 층; 및
적어도 부분적으로 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 보호될 층 아래에 배열되는 수분 장벽 층(120)
을 포함하고,
여기서, 상기 수분 장벽 층(120)은 상이한 화학량론 조성(stoichiometric composition)들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 포함하는,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항에 있어서,
상기 수분 장벽 층(120)은 대략 10㎚ 내지 대략 100㎛ 범위의 층 두께를 갖는,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 층들은 실리콘 질화물로 구성된,
전자 컴포넌트(100). - 제 3 항에 있어서,
상기 실리콘 질화물은 비결정질인,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 층들은 실리콘 이산화물로 구성된,
전자 컴포넌트(100). - 제 5 항에 있어서,
상기 실리콘 이산화물은 비결정질인,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
캐리어(102) ―여기서, 상기 수분으로부터 보호될 층은 상기 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 배열됨―; 및
캡슐화부(632) ―여기서, 상기 캡슐화부(632)는 상기 수분 장벽 층(120) 상에 또는 그 위에 배열됨―
를 더 포함하는,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(100)는 발광 전자 컴포넌트로서 설계된,
전자 컴포넌트(100). - 제 8 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(100)는, 발광 다이오드로서 설계된, 바람직하게는 유기 발광 다이오드로서 설계된, 더욱 바람직하게는 플렉서블 유기 발광 다이오드로서 설계된,
전자 컴포넌트(100). - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(100)는, 솔라 셀로서 설계된, 바람직하게는 유기 솔라 셀로서 설계된, 더욱 바람직하게는 플렉서블 유기 솔라 셀로서 설계된,
전자 컴포넌트(100). - 전자 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법으로서,
수분으로부터 보호될 층을 형성하는 단계; 및
적어도 부분적으로 상기 보호될 층 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 보호될 층 아래에 배열되는 수분 장벽 층(120)을 형성하는 단계
를 포함하고,
여기서, 상기 수분 장벽 층(120)은 상이한 화학량론 조성들을 갖는 동일한 재료로 구성된 복수의 층들을 갖는,
전자 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법. - 제 11 항에 있어서,
적어도 하나의 비활성 기체가 볼륨에 피딩되는,
전자 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 비활성 기체는 아르곤 및/또는 헬륨을 포함하거나, 또는 아르곤 및/또는 헬륨인,
전자 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법.
Applications Claiming Priority (3)
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Publications (1)
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