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KR20140099618A - Light emitting device and light emitting device package including the same - Google Patents

Light emitting device and light emitting device package including the same Download PDF

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KR20140099618A
KR20140099618A KR1020130012250A KR20130012250A KR20140099618A KR 20140099618 A KR20140099618 A KR 20140099618A KR 1020130012250 A KR1020130012250 A KR 1020130012250A KR 20130012250 A KR20130012250 A KR 20130012250A KR 20140099618 A KR20140099618 A KR 20140099618A
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KR
South Korea
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light emitting
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conductive
disposed
electrode
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Application number
KR1020130012250A
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Korean (ko)
Inventor
홍준희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Abstract

Disclosed are a light emitting device with enhanced light extraction efficiency and a light emitting device package including the same. The light emitting device according to an embodiment comprises a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; a first conductive support substrate and a second conductive support substrate arranged at a lower part of the light emitting structure and electrically separated from each other; a first insulation layer arranged between the light emitting structure and the first and the second conductive support substrates; a first electrode arranged to penetrate the first insulation layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer and electrically connecting the first conductive semiconductor layer to the first conductive support substrate; a second insulation layer arranged between the first electrode and the second conductive semiconductor layer and between the first electrode and the active layer; and a second electrode arranged to penetrate the first insulation layer and electrically connecting the second conductive semiconductor layer to the second conductive support substrate.

Description

발광소자 및 이를 포함한 발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device,

실시예는 발광소자 및 이를 포함한 발광소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and a light emitting device package including the same.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors have been widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

도 1은 종래의 수직형 발광소자의 측단면도이다.1 is a side sectional view of a conventional vertical light emitting device.

도 1을 참조하면, 종래의 수직형 발광소자(1)는 제1 도전형 반도체층(11)과 활성층(12) 및 제2 도전형 반도체층(13)을 포함하는 발광 구조물(10), 발광 구조물(10)의 하부에 배치되는 지지기판(20), 제1 도전형 반도체층(11) 상에 배치되는 제1 전극(30) 및 제2 도전형 반도체층(13)의 일면에 배치되는 제2 전극(40)을 포함한다.1, a conventional vertical light emitting device 1 includes a light emitting structure 10 including a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12 and a second conductivity type semiconductor layer 13, A first electrode 30 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11 and a second electrode 30 disposed on one side of the second conductivity type semiconductor layer 13, Two electrodes 40 are formed.

그러나, 종래의 수직형 발광소자(1)에는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional vertical light emitting device 1 has the following problems.

제1 도전형 반도체층의 상부에 제1 전극(30)이 위치하기 때문에 활성층(12)에서 생성된 빛의 일부가 상기 제1 전극(30)에 의해 흡수되어 광 효율이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 수직형 발광소자(1)가 발광소자 패키지에 실장될 때 와이어(50)를 사용하여 발광소자 패키지의 리드 프레임과 제1 전극(30)을 연결하는 와이어 본딩 공정을 반드시 수행해야 하는 번거로움이 있으며, 수직형 발광소자(1)의 상부에 와이어(50)가 위치하게 되면서 와이어(50)에 의한 광 흡수도 발생할 수 있다.A portion of the light generated in the active layer 12 is absorbed by the first electrode 30 because the first electrode 30 is located on the first conductivity type semiconductor layer. In addition, when the vertical light emitting device 1 is mounted on the light emitting device package, the wire bonding process of connecting the lead frame of the light emitting device package and the first electrode 30 using the wire 50 must be performed And light absorption by the wire 50 may occur as the wire 50 is positioned on the vertical light emitting device 1. [

실시예는 광추출 효율이 향상된 발광소자 및 이를 포함한 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device having improved light extraction efficiency and a light emitting device package including the same.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 하부에 배치되며, 서로 전기적으로 분리된 제1 전도성 지지기판 및 제2 전도성 지지기판; 상기 발광 구조물과 상기 제1,2 전도성 지지기판의 사이에 배치되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 전도성 지지기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이 및 상기 제1 전극과 상기 활성층의 사이에 배치되는 제2 절연층; 및 상기 제1 절연층을 관통하여 배치되며 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전도성 지지기판을 전기적으로 연결하는 제2 전극;을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first conductive supporting substrate and a second conductive supporting substrate disposed under the light emitting structure and electrically separated from each other; A first insulating layer disposed between the light emitting structure and the first and second conductive supporting substrates; A first electrode disposed through the first insulating layer, the second conductive type semiconductor layer, and the active layer and electrically connecting the first conductive type semiconductor layer and the first conductive supporting substrate; A second insulating layer disposed between the first electrode and the second conductive type semiconductor layer and between the first electrode and the active layer; And a second electrode disposed through the first insulating layer and electrically connecting the second conductive type semiconductor layer and the second conductive supporting substrate.

상기 제1 전극은 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다.The plurality of first electrodes may be spaced apart from each other.

상기 제2 전극은 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다.The plurality of second electrodes may be spaced apart from each other.

상기 제2 전극은 상기 발광 구조물의 외곽 영역에 대응하여 배치될 수 있다.The second electrode may be disposed corresponding to an outer region of the light emitting structure.

상기 제2 전도성 지지기판은 상기 복수 개의 제2 전극에 대응하여 복수 개 배치될 수 있다.The plurality of second conductive supporting substrates may be disposed corresponding to the plurality of second electrodes.

상기 제1 절연층 내에 배치되는 반사층을 더 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 반사층을 관통할 수 있다.And a reflective layer disposed in the first insulating layer, wherein the first electrode and the second electrode can penetrate the reflective layer.

상기 제2 절연층은 상기 반사층과 상기 제1 전극의 사이에까지 연장되어 배치될 수 있다.The second insulating layer may extend between the reflective layer and the first electrode.

상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 절연층의 사이에 배치되는 반사층을 더 포함할 수 있다.And a reflective layer disposed between the second conductive semiconductor layer and the first insulating layer.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 바닥면 및 측면으로 이루어진 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치되며 서로 전기적으로 분리된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 및 상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하며, 상기 발광소자는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 의한 발광소자이다.A light emitting device package according to an embodiment includes a package body having a cavity having a bottom surface and a side surface; A first lead frame and a second lead frame disposed in the package body and electrically separated from each other; And a light emitting element disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames, wherein the light emitting element is the light emitting element according to any one of claims 1 to 8.

상기 제1,2 리드 프레임은 상기 캐비티의 바닥면에서부터 상기 패키지 몸체의 바닥면까지 상기 패키지 몸체를 관통하여 배치될 수 있다.The first and second lead frames may be disposed through the package body from a bottom surface of the cavity to a bottom surface of the package body.

상기 발광소자와 상기 제1,2 리드 프레임은 와이어 없이 서로 직접 통전될 수 있다.The light emitting device and the first and second lead frames can be directly energized without a wire.

실시예에 따르면 발광소자의 상부에 전극 패드가 위치하지 않으므로 전극 패드에 의한 광 흡수를 줄일 수 있으며, 외부로의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, since the electrode pad is not disposed on the light emitting device, the light absorption by the electrode pad can be reduced and the light extraction efficiency to the outside can be improved.

또한, 실시예에 따르면 와이어 본딩 공정을 거칠 필요가 없으므로 발광소자 패키지의 제작 공정이 간소화될 수 있다.In addition, according to the embodiment, since the wire bonding process does not need to be performed, the manufacturing process of the light emitting device package can be simplified.

도 1은 종래의 수직형 발광소자의 측단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 측단면도.
도 3a는 레이저 스크라이빙 후 레이저 입사면의 표면 상태를 나타낸 이미지.
도 3b는 레이저 스크라이빙 후 레이저 출사면의 표면 상태를 나타낸 이미지.
도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자의 측단면도.
도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자의 측단면도.
도 6은 상술한 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일 실시예를 도시한 측단면도.
도 7은 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.1 is a side sectional view of a conventional vertical light emitting device.
2 is a side sectional view of a light emitting device according to the first embodiment;
3A is an image showing the surface state of the laser incident surface after laser scribing.
3B is an image showing the surface state of the laser emergence surface after laser scribing.
4 is a side sectional view of a light emitting device according to a second embodiment;
5 is a side sectional view of a light emitting device according to a third embodiment;
FIG. 6 is a side cross-sectional view illustrating one embodiment of a light emitting device package including the light emitting device according to the above-described embodiments. FIG.
FIG. 7 illustrates an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments is disposed. FIG.
8 is a view illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

이하 첨부한 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.Embodiments will now be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.2 is a side cross-sectional view of the light emitting device according to the first embodiment.

도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자(100A)는 발광 구조물(120), 제1 전도성 지지기판(131), 제2 전도성 지지기판(132), 제1 절연층(141), 제1 전극(151), 제2 절연층(142), 제2 전극(152)을 포함한다.2, the light emitting device 100A according to the first embodiment includes a light emitting structure 120, a first conductive supporting substrate 131, a second conductive supporting substrate 132, a first insulating layer 141, And includes a first electrode 151, a second insulating layer 142, and a second electrode 152.

발광소자(100A)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 100A includes an LED (Light Emitting Diode) using a semiconductor layer of a plurality of compound semiconductor layers, for example, a Group III-V or a Group II-VI element, and the LED includes blue, green or red A colored LED emitting the same light, or a white LED or a UV LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다.The light emitting structure 120 includes a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126.

발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as a group III-V element or a group II-VI element. The first conductive type dopant may also be doped. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto. When the first conductive semiconductor layer 122 is a p-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 includes a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) can do. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound, and may be formed of a compound semiconductor such as a Group 3-Group 5 or a Group 2-Group 6, for example. The second conductivity type dopant may also be doped. When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants, but is not limited thereto. When the second conductive semiconductor layer 126 is an n-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as the n-type dopant, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층(126)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 126 includes a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? can do. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

이하에서는, 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer will be described as an example.

제2 도전형 반도체층(126) 상에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.An n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 126 when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductivity type, for example, the second conductivity type semiconductor layer is a p-type semiconductor layer . Accordingly, the light emitting structure may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이에 활성층(124)이 배치된다.The active layer 124 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126.

활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다.The active layer 124 is a layer in which electrons and holes meet each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, electrons are injected from the first conductivity type semiconductor layer 122, Holes can be injected from the conductive semiconductor layer 126. [

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(130)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물(MQW) 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 130 is formed by implanting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) to form a multiple quantum well (MQW) But is not limited thereto.

활성층(124)이 다중 양자 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)은 서로 번갈아 위치하는 복수 개의 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 장벽층은 우물층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.In the case where the active layer 124 is formed of a multiple quantum well structure, the active layer 124 may include a plurality of well layers and a barrier layer alternately disposed. The well layer / barrier layer of the active layer 124 may be formed of any one or more pairs of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP But are not limited thereto. The barrier layer may be formed of a material having an energy band gap greater than the energy band gap of the well layer.

활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층의 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조를 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다. A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 124. The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap wider than the band gap of the barrier layer of the active layer. For example, the conductive clad layer may comprise GaN, AlGaN, InAlGaN or a superlattice structure. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

발광 구조물(120)의 하부에 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)이 배치된다.The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 are disposed under the light emitting structure 120.

제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성되며, 예를 들어, 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)으로서, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 are formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the first and second conductive supporting substrates 131 and 132 may be a base substrate having a predetermined thickness, such as molybdenum (Mo), silicon (Si) (Au), a copper alloy (Cu Alloy), a nickel (Ni) alloy, or a material selected from the group consisting of tungsten (W), copper (Cu) , copper-tungsten (Cu-W), carrier wafer (such as a GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) or a conductive sheet or the like may optionally be included.

제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)은 서로 전기적으로 분리된다. 제1 전도성 지지기판(131)은 발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결되며, 제2 전도성 지지기판(132)은 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.The first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 are electrically separated from each other. The first conductive support substrate 131 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120 and the second conductive support substrate 132 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120. [ Layer 126. [0033]

제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 지지함과 동시에, 발광 구조물(120)에 전류를 공급하는 역할을 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 안정적으로 지지할 수 있도록 소정의 두께를 가져야 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)에서 발생된 열을 전달받아 외부로 방출하는 방열 플레이트의 역할도 할 수 있다.The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 support the light emitting structure 120 and supply current to the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 must have a predetermined thickness to stably support the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 may also serve as a heat radiating plate that receives heat generated from the light emitting structure 120 and discharges the heat to the outside.

발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치된다. 즉, 발광 구조물(120)과 제1 전도성 지지기판(131)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치되고, 발광 구조물(120)과 제2 전도성 지지기판(132)의 사이에도 제1 절연층(141)이 배치된다.A first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132. That is, the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first conductive supporting substrate 131, and the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the second conductive supporting substrate 132. A layer 141 is disposed.

제1 절연층(141)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 제1 절연층(141)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The first insulating layer 141 may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the first insulating layer 141 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer, but is not limited thereto.

제1 절연층(141), 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124)을 관통하여 제1 전극(151)이 배치된다. 제1 전극(151)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 전도성 지지기판(131)을 전기적으로 연결한다. 제1 전극(151)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 관통하여 배치될 수도 있다. 제1 전극(151)은 발광소자(100A)의 외부로 노출되지 않는 관통 전극이며, 기둥 모양으로 형성될 수 있다. 제1 전극(151)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일부분에 전류가 집중되지 않도록 복수 개가 서로 이격되어 배치될 수도 있다. 제1 전극(151)의 개수는 실시예에 따라 달라질 수 있으며, 이에 제한을 두지 않는다.The first electrode 151 is disposed through the first insulating layer 141, the second conductivity type semiconductor layer 126, and the active layer 124. The first electrode 151 electrically connects the first conductive type semiconductor layer 122 and the first conductive supporting substrate 131. The first electrode 151 may be disposed through a part of the first conductive type semiconductor layer 122. The first electrode 151 is a penetrating electrode that is not exposed to the outside of the light emitting device 100A and may be formed in a columnar shape. A plurality of first electrodes 151 may be spaced apart from each other such that current is not concentrated on a part of the first conductivity type semiconductor layer 122. The number of the first electrodes 151 may vary according to the embodiment, but is not limited thereto.

제1 전극(151)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이 및 제1 전극(151)과 활성층(124)의 사이에 제2 절연층(142)이 배치된다. 제1 전극(151)의 측면과 제1 도전형 반도체층(122)의 사이에도 제2 절연층(142)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(142)은 제1 전극(151)과 제2 도전형 반도체층(126)의 사이 및 제1 전극(151)과 활성층(124)의 사이를 전기적으로 분리한다. 실시예에 따라, 제1 전극(151)과 제1 절연층(141)의 사이에도 공정상 제2 절연층(142)이 배치될 수도 있다.A second insulating layer 142 is disposed between the first electrode 151 and the second conductive semiconductor layer 126 and between the first electrode 151 and the active layer 124. The second insulating layer 142 may be disposed between the side surface of the first electrode 151 and the first conductive type semiconductor layer 122. The second insulating layer 142 electrically separates the first electrode 151 from the second conductivity type semiconductor layer 126 and the first electrode 151 from the active layer 124. The second insulating layer 142 may be disposed between the first electrode 151 and the first insulating layer 141 in a process.

제2 절연층(142)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 제2 절연층(142)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The second insulating layer 142 may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the second insulating layer 142 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer, but is not limited thereto.

제1 절연층(141)을 관통하여 제2 전극(152)이 배치된다. 제2 전극(152)은 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전도성 지지기판(132)을 전기적으로 연결한다. 제2 전극(152)은 제2 도전형 반도체층(126)의 일부분에 전류가 집중되지 않도록 복수 개가 서로 이격되어 배치될 수도 있다. 제2 전극(152)의 개수는 실시예에 따라 달라질 수 있으며, 이에 제한을 두지 않는다. The second electrode 152 is disposed through the first insulating layer 141. The second electrode 152 electrically connects the second conductive type semiconductor layer 126 and the second conductive supporting substrate 132. A plurality of the second electrodes 152 may be spaced apart from each other so that a current is not concentrated on a part of the second conductive type semiconductor layer 126. The number of the second electrodes 152 may vary according to the embodiment, but is not limited thereto.

제2 전극(152)은 발광 구조물(120)의 외곽 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 제2 전극(152)이 복수 개 존재하는 경우, 발광 구조물(120)의 외곽 영역의 둘레를 따라 복수 개의 제2 전극(152)이 이격되어 배치될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 실시예에 따라, 제1 전극(151)이 발광 구조물(120)의 외곽 영역에 대응하여 배치되고 제2 전극(152)이 제1 전극(151)보다 안쪽에 배치될 수도 있다. 제1 전극(151)과 제2 전극(152)의 배치 관계는 실시예에 따라 달라질 수 있다.The second electrode 152 may be disposed corresponding to an outer area of the light emitting structure 120. When a plurality of the second electrodes 152 are present, the plurality of second electrodes 152 may be spaced apart along the periphery of the outer region of the light emitting structure 120. Although not shown, the first electrode 151 may be disposed corresponding to an outer area of the light emitting structure 120, and the second electrode 152 may be disposed further than the first electrode 151, according to an embodiment. The arrangement relationship of the first electrode 151 and the second electrode 152 may vary according to the embodiment.

제1 전극(151) 및 제2 전극(152)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 151 and the second electrode 152 may be formed of a metal such as Mo, Cr, Ni, Au, Al, Layer structure including at least one of tungsten (V), tungsten (W), lead (Pd), copper (Cu), rhodium (Rh) or iridium (Ir).

제1 도전성 지지기판(131) 및/또는 제2 전도성 지지기판(132)은 복수 개 배치될 수도 있다. A plurality of the first conductive supporting substrate 131 and / or the second conductive supporting substrate 132 may be disposed.

복수 개의 제1 전극(151)에 대응하여 하나의 제1 도전성 지지기판(131)이 배치될 수도 있고, 복수 개의 제1 전극(151)에 대응하여 복수 개의 제1 도전성 지지기판(131)이 배치될 수도 있다. 제1 도전성 지지기판(131)의 개수는 제1 전극(151)의 개수보다 적거나 제1 전극(151)의 개수와 동일할 수 있다.One first conductive support substrate 131 may be disposed corresponding to the plurality of first electrodes 151 and a plurality of first conductive support substrates 131 may be disposed corresponding to the plurality of first electrodes 151 . The number of the first conductive support substrates 131 may be less than the number of the first electrodes 151 or may be equal to the number of the first electrodes 151.

마찬가지로, 복수 개의 제2 전극(152)에 대응하여 하나의 제2 도전성 지지기판(132)이 배치될 수도 있고, 복수 개의 제2 전극(152)에 대응하여 복수 개의 제2 도전성 지지기판(132)이 배치될 수도 있다. 제2 도전성 지지기판(132)의 개수는 제2 전극(152)의 개수보다 적거나 제2 전극(152)의 개수와 동일할 수 있다.A plurality of second conductive supporting substrates 132 may be disposed corresponding to the plurality of second electrodes 152 and a plurality of second conductive supporting substrates 132 may be disposed corresponding to the plurality of second electrodes 152. [ May be disposed. The number of the second conductive support substrates 132 may be less than the number of the second electrodes 152 or equal to the number of the second electrodes 152.

도 2에는 일 예로서, 세 개의 제1 전극(151)에 대응하여 하나의 제1 전도성 지지기판(131)이 배치되고 두 개의 제2 전극(152)에 대응하여 두 개의 제2 전도성 지지기판(132)이 각각 배치되며, 제1 전도성 지지기판(131)이 안쪽에 위치하고 제1 전도성 지지기판(132)의 양 옆에 제2 전도성 지지기판(132)이 하나씩 위치하는 것으로 도시하였으나, 이에 한정하지 않는다.2, one first conductive supporting substrate 131 is disposed corresponding to three first electrodes 151 and two second conductive supporting substrates 131 corresponding to the two second electrodes 152, The first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 are disposed on both sides of the first conductive supporting substrate 132 and the first conductive supporting substrate 132, Do not.

제1 절연층(141) 내에 반사층(160)이 배치될 수 있다. 반사층(160)은 발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 배치되며, 제1 절연층(141) 내에 배치된다. A reflective layer 160 may be disposed within the first insulating layer 141. The reflective layer 160 is disposed between the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132 and disposed in the first insulating layer 141.

반사층(160)은 활성층(124)에서 생성된 빛을 반사시켜 발광소자(100A)의 내부에서 소멸되는 빛의 양을 줄임으로써, 발광소자(100A)의 외부양자효율을 향상시킬 수 있다.The reflective layer 160 may improve the external quantum efficiency of the light emitting device 100A by reducing the amount of light that is emitted from the active layer 124 and disappearing from the inside of the light emitting device 100A.

제1 전극(151) 및 제2 전극(152)은 반사층(160)을 관통하여 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극(151)은 제1 절연층(141), 반사층(160), 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 전도성 지지기판(131)을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 제2 전극(152)은 제1 절연층(141) 및 반사층(160)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전도성 지지기판(132)을 전기적으로 연결할 수 있다. 실시예에 따라, 반사층(160)은 제2 전극(152)과 접할 수도 있다. 제2 절연층(142)이 제1 전극(151)과 반사층(160)의 사이에까지 연장되어 배치될 수 있다. 또는, 도시하지 않았으나, 제1 전극(151)과 반사층(160)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치될 수도 있다.The first electrode 151 and the second electrode 152 may be disposed through the reflective layer 160. That is, the first electrode 151 penetrates the first insulating layer 141, the reflective layer 160, the second conductive semiconductor layer 126, and the active layer 124 to form the first conductive semiconductor layer 122, 1 conductive supporting substrate 131 can be electrically connected. The second electrode 152 may pass through the first insulating layer 141 and the reflective layer 160 to electrically connect the second conductive type semiconductor layer 126 and the second conductive supporting substrate 132. According to an embodiment, the reflective layer 160 may be in contact with the second electrode 152. The second insulating layer 142 may extend between the first electrode 151 and the reflective layer 160. Alternatively, although not shown, the first insulating layer 141 may be disposed between the first electrode 151 and the reflective layer 160.

반사층(160)은 반사율이 높은 금속을 포함하여 이루어지며, 예를 들어 Ag, Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The reflective layer 160 may include at least one of Ag, Ti, Ni, Cr, and AgCu, but is not limited thereto.

제1 절연층(141)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 본딩층(170)이 배치될 수 있다.The bonding layer 170 may be disposed between the first insulating layer 141 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132.

본딩층(170)은 발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에서 이들을 서로 결합하며, 발광 구조물(120)에서 발생된 열을 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)으로 전달하는 역할을 한다.The bonding layer 170 couples the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132 to each other to transfer heat generated from the light emitting structure 120 to the first and second conductive supporting substrates 131, and 132, respectively.

본딩층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bonding layer 170 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, It is not limited thereto.

본딩층(170)은 발광 구조물(120)에 인접하여 확산 방지층(미도시)을 포함함으로써, 본딩층(170)에 사용된 금속 등이 상부의 발광 구조물(120) 내부로 확산되는 것을 방지할 수도 있다.The bonding layer 170 includes a diffusion preventing layer (not shown) adjacent to the light emitting structure 120 to prevent the metal or the like used in the bonding layer 170 from diffusing into the upper light emitting structure 120 have.

발광 구조물(120)의 측면 및/또는 상부의 일부에 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다.The passivation layer 180 may be disposed on a side surface and / or a part of the upper portion of the light emitting structure 120.

패시베이션층(180)은 산화물 또는 질화물로 이루어져 발광 구조물(120)을 보호할 수 있다. 일 예로서, 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 실리콘 질화물층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The passivation layer 180 may be made of an oxide or a nitride to protect the light emitting structure 120. As an example, the passivation layer 180 may comprise, but is not limited to, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, a silicon nitride layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 광추출 구조(R)가 형성될 수 있다.The light extracting structure R may be formed on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)의 상부에도 패시베이션층(180)이 존재하는 경우, 상기 패시베이션층(180)에 광추출 구조(R)가 위치할 수도 있다. 광추출 구조(R)는 PEC(Photo enhanced chemical) 식각 방법이나 마스크 패턴을 이용한 에칭 공정 수행하여 형성할 수 있다. 광추출 구조(R)는 활성층(124)에서 생성된 광의 외부 추출 효율을 증가시키기 위한 것으로서, 규칙적인 주기를 갖거나 불규칙적인 주기를 가질 수 있다.The light extracting structure R may be positioned on the passivation layer 180 when the passivation layer 180 is also present on the light emitting structure 120. The light extraction structure R may be formed by performing an etching process using a photo enhanced chemical (PEC) etching method or a mask pattern. The light extracting structure R is for increasing the extraction efficiency of light generated in the active layer 124, and may have a regular period or an irregular period.

제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)의 분리는 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정에 의해 이루어질 수 있다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 분리 전에는 하나의 전도성 지지기판이 존재하며, 발광소자(100A)의 하부에서 상기 전도성 지지기판의 표면에 레이저를 조사하여 지지기판의 물질을 점차 녹임으로써 제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)으로 분리가 이루어질 수 있다.The separation of the first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 may be performed by a laser scribing process. One conductive supporting substrate exists before the separation of the first and second conductive supporting substrates 131 and 132. A laser is irradiated to the surface of the conductive supporting substrate at a lower portion of the light emitting device 100A to gradually melt the material of the supporting substrate. The first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 may be separated from each other.

도 3a는 레이저 스크라이빙 후 레이저 입사면의 표면 상태를 나타낸 이미지이고, 도 3b는 레이저 스크라이빙 후 레이저 출사면의 표면 상태를 나타낸 이미지이다.FIG. 3A is an image showing the surface state of the laser incidence surface after laser scribing, and FIG. 3B is an image showing the surface state of the laser emergence surface after laser scribing.

레이저 스크라이빙 공정에 의해 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)을 분리하면 도 3a 및 도 3b에 나타난 바와 같이 러프니스(roughness)가 분리면에 형성된다. 즉, 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)을 식각에 의해 분리하거나, 마스크 패턴을 사용하여 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)을 분리 형성하는 경우에는 분리면이 매끈하게 나타나지만, 레이저 스크라이빙 방법을 사용하면 레이저를 조사하여 전도성 지지기판을 녹여나가는 것이기 때문에 분리면이 거칠게 나타난다.When the first and second conductive supporting substrates 131 and 132 are separated by the laser scribing process, a roughness is formed on the separation surface as shown in FIGS. 3A and 3B. That is, when the first and second conductive supporting boards 131 and 132 are separated by etching or the first and second conductive supporting boards 131 and 132 are separately formed using a mask pattern, , The laser scribing method is used to irradiate the laser to dissolve the conductive support substrate, resulting in a rough separation surface.

제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 분리시 본딩층(170)도 같이 분리될 수 있다.When the first and second conductive supporting boards 131 and 132 are separated, the bonding layer 170 may also be separated.

실시예에 따르면 발광 구조물(120)의 상부에 제1 전극이 배치되지 않기 때문에 빛의 흡수에 의한 광 손실을 줄일 수 있고 외부로의 광추출 효율이 향상될 수 있다. 또한, 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)에 의해 발광 구조물(120)을 안정적으로 지지하면서도 발광소자 패키지의 제작시 와이어 본딩 공정을 거칠 필요가 없으므로, 와이어에 의한 빛 흡수를 줄임과 동시에 발광소자 패키지의 제작 공정을 간소화할 수 있다.According to the embodiment, since the first electrode is not disposed on the upper portion of the light emitting structure 120, the light loss due to the absorption of light can be reduced and the light extraction efficiency to the outside can be improved. In addition, since the light emitting structure 120 is stably supported by the first and second conductive supporting substrates 131 and 132, it is unnecessary to perform a wire bonding process in manufacturing the light emitting device package, The fabrication process of the light emitting device package can be simplified.

도 4는 제2 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.4 is a side cross-sectional view of the light emitting device according to the second embodiment. The contents overlapping with the above embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자(100B)는 발광 구조물(120), 제1 전도성 지지기판(131), 제2 전도성 지지기판(132), 제1 절연층(141), 제1 전극(151), 제2 절연층(142), 제2 전극(152)을 포함한다.4, the light emitting device 100B according to the second embodiment includes a light emitting structure 120, a first conductive supporting substrate 131, a second conductive supporting substrate 132, a first insulating layer 141, And includes a first electrode 151, a second insulating layer 142, and a second electrode 152.

제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)은 서로 전기적으로 분리된다. 제1 전도성 지지기판(131)은 발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결되며, 제2 전도성 지지기판(132)은 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.The first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 are electrically separated from each other. The first conductive support substrate 131 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120 and the second conductive support substrate 132 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120. [ Layer 126. [0033]

제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 지지함과 동시에, 발광 구조물(120)에 전류를 공급하는 역할을 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 안정적으로 지지할 수 있도록 소정의 두께를 가져야 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)에서 발생된 열을 전달받아 외부로 방출하는 방열 플레이트의 역할도 할 수 있다.The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 support the light emitting structure 120 and supply current to the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 must have a predetermined thickness to stably support the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 may also serve as a heat radiating plate that receives heat generated from the light emitting structure 120 and discharges the heat to the outside.

발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치된다. 즉, 발광 구조물(120)과 제1 전도성 지지기판(131)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치되고, 발광 구조물(120)과 제2 전도성 지지기판(132)의 사이에도 제1 절연층(141)이 배치된다.A first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132. That is, the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first conductive supporting substrate 131, and the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the second conductive supporting substrate 132. A layer 141 is disposed.

제2 도전형 반도체층(126)과 제1 절연층(141)의 사이에 반사층(160)이 배치될 수 있다. 반사층(160)은 일면이 제2 도전형 반도체층(126)과 접할 수 있다.A reflective layer 160 may be disposed between the second conductive type semiconductor layer 126 and the first insulating layer 141. The reflective layer 160 may be in contact with the second conductivity type semiconductor layer 126 on one side.

제1 전극(151) 및 제2 전극(152)은 반사층(160)을 관통하여 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극(151)은 제1 절연층(141), 반사층(160), 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(122)과 제1 전도성 지지기판(131)을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 제2 전극(152)은 제1 절연층(141) 및 반사층(160)을 관통하여 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전도성 지지기판(132)을 전기적으로 연결할 수 있다. 실시예에 따라, 반사층(160)은 제2 전극(152)과 접할 수도 있다. 제1 전극(151)과 반사층(160)의 사이에 제2 절연층(142)이 배치될 수 있다. 또는 도시하지 않았으나, 제1 전극(151)과 반사층(160)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치될 수도 있다.The first electrode 151 and the second electrode 152 may be disposed through the reflective layer 160. That is, the first electrode 151 penetrates the first insulating layer 141, the reflective layer 160, the second conductive semiconductor layer 126, and the active layer 124 to form the first conductive semiconductor layer 122, 1 conductive supporting substrate 131 can be electrically connected. The second electrode 152 may pass through the first insulating layer 141 and the reflective layer 160 to electrically connect the second conductive type semiconductor layer 126 and the second conductive supporting substrate 132. According to an embodiment, the reflective layer 160 may be in contact with the second electrode 152. A second insulating layer 142 may be disposed between the first electrode 151 and the reflective layer 160. Alternatively, the first insulating layer 141 may be disposed between the first electrode 151 and the reflective layer 160, though not shown.

실시예에 따라, 반사층(160)은 오믹접촉물질을 포함할 수 있다. 오믹접촉물질은 제2 도전형 반도체층(126)의 전기적 특성을 개선하기 위한 것으로, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.According to an embodiment, the reflective layer 160 may comprise an ohmic contact material. The ohmic contact material is for improving the electrical characteristics of the second conductive type semiconductor layer 126. For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO aluminum zinc oxide, IGTO (indium gallium tin oxide), IZTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON NiO, IrOx / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al , At least one of Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf.

그 밖의 내용은 제1 실시예와 관련하여 상술한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.The other contents are as described above in connection with the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

도 5는 제3 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.5 is a side cross-sectional view of the light emitting device according to the third embodiment. The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 5를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광소자(100C)는 발광 구조물(120), 제1 전도성 지지기판(131), 제2 전도성 지지기판(132), 제1 절연층(141), 제1 전극(151), 제2 절연층(142), 제2 전극(152)을 포함한다.5, the light emitting device 100C according to the third embodiment includes a light emitting structure 120, a first conductive supporting substrate 131, a second conductive supporting substrate 132, a first insulating layer 141, And includes a first electrode 151, a second insulating layer 142, and a second electrode 152.

제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)은 서로 전기적으로 분리된다. 제1 전도성 지지기판(131)은 발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결되며, 제2 전도성 지지기판(132)은 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.The first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 are electrically separated from each other. The first conductive support substrate 131 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120 and the second conductive support substrate 132 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120. [ Layer 126. [0033]

제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 지지함과 동시에, 발광 구조물(120)에 전류를 공급하는 역할을 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)을 안정적으로 지지할 수 있도록 소정의 두께를 가져야 한다. 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)은 발광 구조물(120)에서 발생된 열을 전달받아 외부로 방출하는 방열 플레이트의 역할도 할 수 있다.The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 support the light emitting structure 120 and supply current to the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 must have a predetermined thickness to stably support the light emitting structure 120. The first and second conductive supporting substrates 131 and 132 may also serve as a heat radiating plate that receives heat generated from the light emitting structure 120 and discharges the heat to the outside.

발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치된다. 즉, 발광 구조물(120)과 제1 전도성 지지기판(131)의 사이에 제1 절연층(141)이 배치되고, 발광 구조물(120)과 제2 전도성 지지기판(132)의 사이에도 제1 절연층(141)이 배치된다.A first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132. That is, the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the first conductive supporting substrate 131, and the first insulating layer 141 is disposed between the light emitting structure 120 and the second conductive supporting substrate 132. A layer 141 is disposed.

제1 절연층(141) 내에 반사층(160)이 배치될 수 있다. 반사층(160)은 발광 구조물(120)과 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)의 사이에 배치되며, 제1 절연층(141) 내에 배치된다. 또는, 도시하지는 않았으나, 제2 실시예와 관련하여 상술한 바와 같이 제1 절연층(141) 내에 반사층(160)이 배치될 수도 있다. A reflective layer 160 may be disposed within the first insulating layer 141. The reflective layer 160 is disposed between the light emitting structure 120 and the first and second conductive supporting substrates 131 and 132 and disposed in the first insulating layer 141. Alternatively, although not shown, the reflective layer 160 may be disposed in the first insulating layer 141 as described above in connection with the second embodiment.

제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)의 사이에 제3 절연층(143)이 배치된다. 레이저 스크라이빙 공정에 의해 분리된 제1 전도성 지지기판(131)과 제2 전도성 지지기판(132)의 사이에 제3 절연층(143)이 충진될 수 있다. 제3 절연층(143)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 제3 절연층(143)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.A third insulating layer 143 is disposed between the first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132. The third insulating layer 143 may be filled between the first conductive supporting substrate 131 and the second conductive supporting substrate 132 separated by the laser scribing process. The third insulating layer 143 may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the third insulating layer 143 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer, but is not limited thereto.

이 밖의 내용은 제2 실시예 및 제3 실시예와 관련하여 상술한 바와 같으므로 자세한 설명은 생략한다.The other contents are as described above in connection with the second embodiment and the third embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6은 상술한 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일 실시예를 도시한 측단면도이다.6 is a side cross-sectional view illustrating an embodiment of a light emitting device package including the light emitting device according to the above-described embodiments.

도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210), 제1,2 리드 프레임(221, 222), 발광소자(100)를 포함한다.Referring to FIG. 6, a light emitting device package 200 according to an exemplary embodiment includes a package body 210, first and second lead frames 221 and 222, and a light emitting device 100.

패키지 몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 패키지 몸체(210)에는 발광소자(100)에 전류를 공급하기 위한 제1,2 리드 프레임(221, 222)이 배치된다. 패키지 몸체(210)가 금속 재질 등의 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 패키지 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1,2 리드 프레임(221, 222)과의 전기적 단락을 방지할 수 있다. 패키지 몸체(210)는 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 발광소자(100)를 지지할 수 있다.The package body 210 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. The first and second lead frames 221 and 222 for supplying current to the light emitting device 100 are disposed in the package body 210. When the package body 210 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the package body 210 to prevent an electrical short circuit with the first and second lead frames 221 and 222 can do. The package body 210 may support the first and second lead frames 221 and 222 and the light emitting device 100.

패키지 몸체(210)는 바닥면 및 측면으로 이루어진 캐비티(212)를 갖는다. 캐비티(212)는 패키지 몸체(210)의 상면에서부터 내측을 향해 함몰되어 형성되며, 캐비티(212)를 통해 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 일부가 노출된다.The package body 210 has a cavity 212 having a bottom surface and a side surface. The cavity 212 is recessed toward the inside from the top surface of the package body 210 and a part of the first and second lead frames 221 and 222 is exposed through the cavity 212.

캐비티(212) 내에 발광소자(100)가 배치된다. 발광소자(100)는 캐비티(212)의 바닥면에 배치된다. 발광소자(100)에서 방출된 광의 반사 효율을 높이기 위하여 캐비티(212)의 측면은 경사면으로 이루어질 수 있다. 캐비티(212)의 측면과 바닥면은 서로 둔각을 이룰 수 있다.The light emitting device 100 is disposed in the cavity 212. The light emitting device 100 is disposed on the bottom surface of the cavity 212. In order to increase the reflection efficiency of the light emitted from the light emitting device 100, the side surface of the cavity 212 may be inclined. The side surface and the bottom surface of the cavity 212 may be at an obtuse angle with respect to each other.

발광소자(100)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(100A~100C)일 수 있다.The light emitting device 100 may be the light emitting device 100A to 100C according to the embodiments described above.

제1,2 리드 프레임(221, 222)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 발광소자(100)에서 방출된 광을 반사시켜 광 추출 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다. 발광소자(100)가 복수 개 배치된 경우, 복수 개의 발광소자 간의 직렬 연결 또는 병렬 연결의 형태에 따라, 세 개 이상의 리드 프레임이 존재할 수도 있다.The first and second lead frames 221 and 222 are electrically separated from each other to supply current to the light emitting device 100. The first and second lead frames 221 and 222 may reflect the light emitted from the light emitting device 100 to increase the light extraction efficiency and may also discharge the heat generated from the light emitting device 100 to the outside have. When a plurality of light emitting devices 100 are disposed, three or more lead frames may exist depending on the form of serial connection or parallel connection among a plurality of light emitting devices.

제1,2 리드 프레임(221, 222) 상에 발광소자(100)가 배치된다. 발광소자(100)의 제1 전도성 지지기판(131)은 제1 리드 프레임(221)과 연결되고, 발광소자(100)의 제2 전도성 지지기판(131)은 제2 리드 프레임(222)과 연결된다. 발광소자(100)와 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 와이어 없이 서로 직접 통전될 수 있다. 즉, 와이어를 사용하지 않고, 도전성 접착부재(미도시) 등을 사용하여 발광소자(100)의 제1,2 전도성 지지기판(131, 132)과 제1,2 리드 프레임(221, 222)을 각각 전기적으로 연결할 수 있다. 와이어 본딩 공정이 생략되므로 발광소자 패키지(200)의 제작 공정이 간소화될 수 있다.The light emitting device 100 is disposed on the first and second lead frames 221 and 222. The first conductive support substrate 131 of the light emitting device 100 is connected to the first lead frame 221 and the second conductive support substrate 131 of the light emitting device 100 is connected to the second lead frame 222 do. The light emitting device 100 and the first and second lead frames 221 and 222 can be directly energized without the wires. That is, the first and second conductive supporting boards 131 and 132 and the first and second lead frames 221 and 222 of the light emitting element 100 are electrically connected to each other using a conductive adhesive member (not shown) Respectively. Since the wire bonding process is omitted, the fabrication process of the light emitting device package 200 can be simplified.

제1,2 리드 프레임(221, 222)은 패키지 몸체(210)를 관통하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 캐비티(212)의 바닥면에서부터 패키지 몸체(210)의 바닥면까지 패키지 몸체(210)를 일직선으로 관통하여 배치될 수 있다.The first and second lead frames 221 and 222 may be disposed through the package body 210. For example, the first and second lead frames 221 and 222 may be arranged to penetrate the package body 210 in a straight line from the bottom surface of the cavity 212 to the bottom surface of the package body 210.

발광소자(100)를 포위하도록 몰딩부(230)가 배치된다. 몰딩부(230)는 패키지 몸체(210)의 캐비티(212) 내에 형성되며, 일부는 캐비티(212)의 외부로 돌출되어 형성될 수도 있다.The molding part 230 is disposed so as to surround the light emitting device 100. The molding part 230 may be formed in the cavity 212 of the package body 210 and a part of the molding part 230 may protrude out of the cavity 212.

몰딩부(230)는 물리적 및 화학적 충격으로부터 발광소자(100)와 와이어(미도시) 등을 보호하며, 발광소자(100)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 몰딩부(230)는 투명한 재질로 이루어지며, 실리콘 수지 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 몰딩부(230)는 형광체(240)를 포함하여 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있다.The molding part 230 protects the light emitting device 100 and the wires (not shown) from physical and chemical impacts, and can prevent the light emitting device 100 from being detached. The molding part 230 is made of a transparent material and may include a silicone resin or the like. The molding part 230 may include the fluorescent material 240 to convert the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

형광체(240)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor 240 may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu 2 + (0 <x <6) can be.

이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드램프와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, the headlamp and the backlight unit will be described as an embodiment of the lighting system in which the above-described light emitting device or the light emitting device package is disposed.

도 7은 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments is disposed.

도 7을 참조하면, 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.7, the light emitted from the light emitting module 710 having the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiments is reflected by the reflector 720 and the shade 730 and then transmitted through the lens 740 It can be directed toward the front of the vehicle body.

상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자 또는 발광소자 패키지가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.The light emitting module 710 may include a plurality of light emitting devices or light emitting device packages on a circuit board, but the present invention is not limited thereto.

도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.8, the display device 800 according to the embodiment includes a light emitting module 830 and 835, a reflection plate 820 on the bottom cover 810, and a reflection plate 820 disposed in front of the reflection plate 820, A first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840, A panel 870 disposed in front of the panel 870 and a color filter 880 disposed in the front of the panel 870.

발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 바와 같다.The light emitting module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 is as described above.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to uniformly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

100, 100A~100C: 발광소자 120: 발광 구조물
122: 제1 도전형 반도체층 124: 활성층
126: 제2 도전형 반도체층 131: 제1 전도성 지지기판
132: 제2 전도성 지지기판 141: 제1 절연층
142: 제2 절연층 143: 제3 절연층
151: 제1 전극 152: 제2 전극
160: 반사층 170: 본딩층
180: 패시베이션층 210: 패키지 몸체
221: 제1 리드 프레임 222: 제2 리드 프레임
230: 몰딩부100, 100A to 100C: light emitting device 120: light emitting structure
122: first conductivity type semiconductor layer 124: active layer
126: second conductive type semiconductor layer 131: first conductive supporting substrate
132: second conductive supporting board 141: first insulating layer
142: second insulation layer 143: third insulation layer
151: first electrode 152: second electrode
160: reflective layer 170: bonding layer
180: passivation layer 210: package body
221: first lead frame 222: second lead frame
230: molding part

Claims (11)

제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물의 하부에 배치되며, 서로 전기적으로 분리된 제1 전도성 지지기판 및 제2 전도성 지지기판;
상기 발광 구조물과 상기 제1,2 전도성 지지기판의 사이에 배치되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 배치되며 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 전도성 지지기판을 전기적으로 연결하는 제1 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이 및 상기 제1 전극과 상기 활성층의 사이에 배치되는 제2 절연층; 및
상기 제1 절연층을 관통하여 배치되며 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전도성 지지기판을 전기적으로 연결하는 제2 전극;을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first conductive supporting substrate and a second conductive supporting substrate disposed under the light emitting structure and electrically separated from each other;
A first insulating layer disposed between the light emitting structure and the first and second conductive supporting substrates;
A first electrode disposed through the first insulating layer, the second conductive type semiconductor layer, and the active layer and electrically connecting the first conductive type semiconductor layer and the first conductive supporting substrate;
A second insulating layer disposed between the first electrode and the second conductive type semiconductor layer and between the first electrode and the active layer; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer through the first insulating layer and electrically connected to the second conductive type semiconductor layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 서로 이격되어 복수 개 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of first electrodes are spaced apart from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 서로 이격되어 복수 개 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of second electrodes are spaced apart from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광 구조물의 외곽 영역에 대응하여 배치되는 발광소자.The method according to claim 1,
And the second electrode is disposed corresponding to an outer region of the light emitting structure. 제 3 항에 있어서,
상기 제2 전도성 지지기판은 상기 복수 개의 제2 전극에 대응하여 복수 개 배치되는 발광소자.The method of claim 3,
Wherein a plurality of the second conductive supporting substrates are disposed corresponding to the plurality of second electrodes. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층 내에 배치되는 반사층을 더 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 반사층을 관통하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a reflective layer disposed in the first insulating layer, wherein the first electrode and the second electrode pass through the reflective layer. 제 6 항에 있어서,
상기 제2 절연층은 상기 반사층과 상기 제1 전극의 사이에까지 연장되어 배치된 발광소자.The method according to claim 6,
And the second insulating layer extends between the reflective layer and the first electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 절연층의 사이에 배치되는 반사층을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a reflective layer disposed between the second conductive type semiconductor layer and the first insulating layer. 바닥면 및 측면으로 이루어진 캐비티를 갖는 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체에 배치되며 서로 전기적으로 분리된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 및
상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하며,
상기 발광소자는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 의한 발광소자인 발광소자 패키지.A package body having a cavity made up of a bottom surface and a side surface;
A first lead frame and a second lead frame disposed in the package body and electrically separated from each other; And
And a light emitting element disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames,
Wherein the light emitting element is the light emitting element according to any one of claims 1 to 8. 제 9 항에 있어서,
상기 제1,2 리드 프레임은 상기 캐비티의 바닥면에서부터 상기 패키지 몸체의 바닥면까지 상기 패키지 몸체를 관통하여 배치된 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the first and second lead frames are disposed through the package body from a bottom surface of the cavity to a bottom surface of the package body. 제 9 항에 있어서,
상기 발광소자와 상기 제1,2 리드 프레임은 와이어 없이 서로 직접 통전되는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the light emitting device and the first and second lead frames are directly energized without wires.
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