[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20140059985A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20140059985A
KR20140059985A KR1020120126523A KR20120126523A KR20140059985A KR 20140059985 A KR20140059985 A KR 20140059985A KR 1020120126523 A KR1020120126523 A KR 1020120126523A KR 20120126523 A KR20120126523 A KR 20120126523A KR 20140059985 A KR20140059985 A KR 20140059985A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
semiconductor layer
conductive
disposed
Prior art date
Application number
KR1020120126523A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김성균
최병연
주현승
범희영
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120126523A priority Critical patent/KR20140059985A/en
Priority to US14/072,070 priority patent/US9281449B2/en
Priority to CN201310553351.0A priority patent/CN103811623B/en
Priority to EP13192161.1A priority patent/EP2731137B1/en
Priority to JP2013231700A priority patent/JP2014096591A/en
Publication of KR20140059985A publication Critical patent/KR20140059985A/en
Priority to US15/007,723 priority patent/US9601666B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

According to an embodiment, a light emitting element includes: a substrate; a plurality of light emitting cells which are arranged at intervals from each other on the substrate; and a plurality of conductive connection layers each of which connects two adjacent light emitting cells. Each of the light emitting cells includes: a light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; a first electrode placed on the first conductive semiconductor layer; a second electrode placed on the second conductive semiconductor layer; and an etching area formed by an etching part of the light emitting structure and exposes the first conductive semiconductor layer. The light emitting structure includes: a first lateral surface adjacent to the second electrode and is parallel to the second electrode; and a second lateral surface opposite to the first lateral surface and touches the etching area. If the width between the first lateral surface and the second lateral surface seen from the top is assumed as W, the second electrode is placed at a distance between W/5 and W/2 from the first lateral surface of the light emitting structure.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors have been widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

수평형 발광소자의 경우, 일반적으로 사파이어 기판 위에 n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 포함한 발광 구조물이 적층되는데, 수평형 발광소자의 특성상 n-전극과 p-전극이 수평으로 형성되어 전류 스프레딩 저항이 큰 문제점이 존재한다. 이러한 문제점은 복수 개의 발광 셀이 직렬 또는 병렬로 연결된 발광소자에서도 나타난다. 따라서, 전류 스프레딩을 개선하기 위하여 n-전극과 p-전극의 위치를 최적화할 필요가 있다.In the case of a horizontal type light emitting device, a light emitting structure including an n-GaN layer, an active layer and a p-GaN layer is stacked on a sapphire substrate. In the characteristics of a horizontal light emitting device, n- There is a problem that the spreading resistance is large. This problem also occurs in a light emitting device in which a plurality of light emitting cells are connected in series or in parallel. Therefore, it is necessary to optimize the positions of the n-electrode and the p-electrode in order to improve the current spreading.

실시예는 전류 스프레딩이 개선된 발광소자를 제공하고자 한다.The embodiment attempts to provide a light emitting device having improved current spreading.

실시예에 따른 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 이격되어 배치된 복수 개의 발광 셀; 및 인접한 두 개의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 복수 개의 도전형 연결층;을 포함하고, 상기 복수 개의 발광 셀 각각은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극과, 상기 발광 구조물의 일부가 식각되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 식각 영역을 포함하며, 상기 발광 구조물은 상기 제2 전극과 인접하며 상기 제2 전극과 나란한 제1 측면 및 상기 제1 측면과 마주보며 상기 식각 영역과 접하는 제2 측면을 포함하고, 상부에서 바라본 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이의 폭이 W일 때, 상기 제2 전극은 상기 발광 구조물의 제1 측면으로부터

Figure pat00001
내지
Figure pat00002
사이의 거리에 위치한다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate; A plurality of light emitting cells spaced apart from each other on the substrate; And a plurality of conductive connection layers electrically connecting adjacent two light emitting cells, wherein each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer A first electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer; a second electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer; and a second electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer, Wherein the light emitting structure includes a first side surface that is adjacent to the second electrode and that is parallel to the second electrode, and a second side surface that is adjacent to the first side surface, And a second side facing the etching region, wherein when the width between the first side viewed from the upper side and the second side is W, the second electrode extends from the first side of the light emitting structure
Figure pat00001
To
Figure pat00002
Lt; / RTI >

상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치되고, 상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode may be disposed in a first direction parallel to the first side, and at least one of the plurality of conductive type connection layers may be disposed in the first direction.

상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치되고, 상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode may be disposed in a first direction parallel to the first side, and at least one of the plurality of conductive type connection layers may be disposed in a second direction different from the first direction.

상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치된 제1 부분 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치된 제2 부분을 포함할 수 있다.The second electrode may include a first portion disposed in a first direction parallel to the first side and a second portion disposed in a second direction different from the first direction.

상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 일단이 상기 제2 부분과 중첩될 수 있다.At least one of the plurality of conductive type connection layers may overlap with the second portion at one end.

상기 도전형 연결층은 상기 인접한 두 개의 발광 셀 중 하나의 발광 셀의 제1 전극과 상기 인접한 두 개의 발광 셀 중 다른 하나의 발광 셀의 제2 전극을 연결할 수 있다.The conductive type connection layer may connect the first electrode of one of the two adjacent light emitting cells to the second electrode of the other one of the two adjacent light emitting cells.

상기 도전형 연결층은 상기 인접한 두 개의 발광 셀 사이에 복수 개 존재할 수 있다.The plurality of conductive type connection layers may exist between the adjacent two light emitting cells.

상기 복수 개의 발광 셀 각각의 측면에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 절연층은 인접한 발광 셀 사이 또는 상기 도전형 연결층과 상기 발광 셀 사이를 전기적으로 차단할 수 있다.And an insulating layer disposed on a side surface of each of the plurality of light emitting cells. The insulating layer may electrically block the adjacent light emitting cells or between the conductive connecting layer and the light emitting cells.

상기 제2 부분은 적어도 일부가 상기

Figure pat00003
내지
Figure pat00004
사이의 거리의 범위를 벗어나 위치할 수 있다.Wherein the second portion comprises at least a portion
Figure pat00003
To
Figure pat00004
And can be located out of the range of the distance between them.

실시예에 따르면 제1 전극과 제2 전극 사이의 전류 스프레딩이 개선되어 발광소자의 광도를 향상시키고 동작 전압을 낮출 수 있다.According to the embodiment, the current spreading between the first electrode and the second electrode is improved, thereby improving the luminous intensity of the light emitting device and lowering the operating voltage.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 3은 도 2를 PP 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도.
도 4는 실시예에 따라 제2 전극을 위치시켰을 때, 제2 전극의 위치에 따른 출력 파워(Po.)와 동작 전압(Vf)을 나타낸 그래프.
도 5는 도 1의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도.
도 7은 도 6의 C 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광소자의 일부를 상부에서 바라본 모습을 나타낸 도면.
도 9는 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면.
도 10은 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment;
Fig. 2 is an enlarged view of a portion A in Fig. 1; Fig.
FIG. 3 is a cross-sectional view of FIG. 2 cut in the PP direction and viewed from the front; FIG.
4 is carried out when it was placed a second electrode according to the example, the graph showing the output power (Po.) And the operating voltage (V f) according to the position of the second electrode.
5 is an enlarged view of a portion B in Fig. 1; Fig.
6 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment;
7 is an enlarged view of a portion C in Fig. 6; Fig.
8 is a top view of a portion of a light emitting device according to another embodiment.
9 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package including a light emitting device according to embodiments.
10 is a view illustrating an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments is disposed.
11 is a view illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2를 PP 방향으로 절단하여 정면에서 바라본 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is an enlarged view of a portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross sectional view of the light emitting device taken along line PP in FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자(100A)는 기판(110), 기판(110) 상에 이격되어 배치된 복수 개의 발광 셀(100), 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결하는 복수 개의 도전형 연결층(170)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device 100A according to the first embodiment includes a substrate 110, a plurality of light emitting cells 100 disposed on the substrate 110, And a plurality of conductive type connection layers 170 electrically connecting the plurality of conductive type connection layers 170 to each other.

기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 기판(110)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.The substrate 110 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, which is suitable for semiconductor material growth. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 may be used as the substrate 110. The substrate 110 may be wet-cleaned to remove impurities on the surface.

기판(110) 상에 복수 개의 발광 셀(100)이 이격되어 배치된다.A plurality of light emitting cells 100 are disposed on the substrate 110 so as to be spaced apart from each other.

발광 셀(100)은 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting cell 100 includes an LED (Light Emitting Diode) using a semiconductor layer of a plurality of compound semiconductor layers, for example, a group III-V element, and the LED is a colored layer emitting light such as blue, green, LED, white LED or UV LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

도 3을 참조하면, 복수 개의 발광 셀(100) 각각은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)과, 상기 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되는 제1 전극(130)과, 상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치되는 제2 전극(140)을 포함한다.3, each of the plurality of light emitting cells 100 includes a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126, A first electrode 130 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 122 and a second electrode 140 disposed on the second conductivity type semiconductor layer 126.

발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as a group III-V element or a group II-VI element. The first conductive type dopant may also be doped. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto. When the first conductive semiconductor layer 122 is a p-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 includes a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) can do. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound, and may be formed of a compound semiconductor such as a Group 3-Group 5 or a Group 2-Group 6, for example. The second conductivity type dopant may also be doped. The second conductivity type semiconductor layer 126 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? can do. The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP. When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants, but is not limited thereto. When the second conductive semiconductor layer 126 is an n-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as the n-type dopant, but is not limited thereto.

이하에서는, 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer will be described as an example.

상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.An n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductive type semiconductor layer 126 when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductive type, for example, the second conductive type semiconductor layer 126 is a p- . Accordingly, the light emitting structure may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 활성층(124)이 위치한다.The active layer 124 is positioned between the first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126.

활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다.The active layer 124 is a layer in which electrons and holes meet each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, electrons are injected from the first conductivity type semiconductor layer 122, Holes can be injected from the conductive semiconductor layer 126. [

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed with a multiple quantum well structure by injecting trimethylgallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(124)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP ) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

발광 구조물(120)과 기판(110) 사이에는 버퍼층(115)이 위치할 수 있다. 버퍼층(115)은 발광 구조물(120)과 기판(110)의 재료의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 버퍼층(115)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체, 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.A buffer layer 115 may be positioned between the light emitting structure 120 and the substrate 110. The buffer layer 115 is intended to alleviate the difference in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the materials of the light emitting structure 120 and the substrate 110. The material of the buffer layer 115 may be at least one of Group III-V compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, and AlInN.

기판(110)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이에 언도프트 반도체층(미도시)이 위치할 수도 있다. 언도프트 반도체층은 제1 도전형 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 상기 제1 도전형 반도체층(122)과 같을 수 있다.An undoped semiconductor layer (not shown) may be disposed between the substrate 110 and the first conductivity type semiconductor layer 122. The un-doped semiconductor layer is a layer formed for improving the crystallinity of the first conductivity type semiconductor layer 122, and has a lower electrical conductivity than that of the first conductivity type semiconductor layer without being doped with an n-type dopant. May be the same as the first conductivity type semiconductor layer 122.

발광 구조물(120)은 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)이 노출된 식각 영역(S)을 포함한다. 식각 영역(S)이란 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 영역을 의미한다.The light emitting structure 120 includes an etched region S in which the first conductive semiconductor layer 122 is partially etched. The etching region S means a region of the first conductivity type semiconductor layer 122 exposed by etching a part of the second conductivity type semiconductor layer 126, the active layer 124 and the first conductivity type semiconductor layer 122 do.

제2 도전형 반도체층(126) 상에 제2 전극(140)이 배치되며, 제2 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결된다.The second electrode 140 is disposed on the second conductive semiconductor layer 126 and the second electrode 140 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 126.

식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 식각 영역(S)에 제1 전극(130)이 배치되며, 제1 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결된다.The first electrode 130 is disposed in the etching region S of the first conductive semiconductor layer 122 exposed by etching and the first electrode 130 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 122 .

제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed of a metal such as Mo, Cr, Ni, Au, Al, Layer structure including at least one of tungsten (V), tungsten (W), lead (Pd), copper (Cu), rhodium (Rh) or iridium (Ir).

제2 전극(140)이 형성되기 전 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 도전층(150)이 배치될 수 잇다.The conductive layer 150 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 126 before the second electrode 140 is formed.

실시예에 따라, 제2 도전형 반도체층(126)이 노출되도록 도전층(150)의 일부가 오픈되어 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(140)이 접할 수 있다.A part of the conductive layer 150 may be opened to expose the second conductive semiconductor layer 126 so that the second conductive semiconductor layer 126 and the second electrode 140 can be in contact with each other.

또는, 도 3에 도시된 바와 같이, 도전층(150)을 사이에 두고 제2 도전형 반도체층(126)과 제2 전극(140)이 전기적으로 연결될 수도 있다.Alternatively, as shown in FIG. 3, the second conductive semiconductor layer 126 and the second electrode 140 may be electrically connected to each other with the conductive layer 150 therebetween.

도전층(150)은 제2 도전형 반도체층(126)의 전기적 특성을 향상시키고 제2 전극(140)과의 전기적 접촉을 개선하기 위한 것으로, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 도전층(150)은 투과성을 갖는 투명 전극층으로 형성될 수 있다.The conductive layer 150 may be formed of a layer or a plurality of patterns for improving electrical characteristics of the second conductivity type semiconductor layer 126 and improving electrical contact with the second electrode 140. The conductive layer 150 may be formed of a transparent electrode layer having transparency.

도전층(150)에는 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지 않는다.For example, the conductive layer 150 may include a transparent conductive layer and a metal. For example, the conductive layer 150 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON TiO 2, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, ZnO, IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 도전형 연결층(170)이 배치된다. 도전형 연결층(170)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결한다. 도전형 연결층(170)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)의 제1 전극(130)과 다른 하나의 발광 셀(100)의 제2 전극(140)을 연속되게 연결함으로써 복수 개의 발광 셀(100)을 직렬 연결할 수 있다. 직렬 연결된 복수 개의 발광 셀(100)의 간략한 회로도를 도 1의 아래 부분에 나타내었다. 또는, 도전형 연결층(170)은, 도시하지는 않았으나, 인접한 두 개의 발광 셀(100) 중 어느 하나의 발광 셀(100)과 다른 하나의 발광 셀(100)에서 동일한 극성의 전극(130과 130; 140과 140)을 연결함으로써 복수 개의 발광 셀(100)을 병렬 연결할 수도 있다.A conductive type connection layer 170 is disposed between adjacent two light emitting cells 100. The conductive type connection layer 170 electrically connects the adjacent two light emitting cells 100. 1 to 3, the conductive type connection layer 170 may be formed on the first electrode 130 of one of the two adjacent light emitting cells 100 and the other of the light emitting cells 100, The plurality of light emitting cells 100 may be connected in series by continuously connecting the second electrodes 140 of the light emitting cells 100. A simplified circuit diagram of a plurality of light emitting cells 100 connected in series is shown in the lower part of FIG. Alternatively, the conductive type connection layer 170 may be formed on one of the two adjacent light emitting cells 100 and the other of the light emitting cells 100 of the same polarity 130 and 130 140 and 140 to connect the plurality of light emitting cells 100 in parallel.

일 예로서, 도 3을 참조하면, 도전형 연결층(170)은 인접한 두 개의 발광 셀(100a, 100b)을 전기적으로 연결한다. 구체적으로, 도전형 연결층(170)은 인접한 두 개의 발광 셀(100a, 100b) 중 어느 하나의 발광 셀(100a)의 제2 전극(140)에서부터 발광 셀(100a)의 측면 및 다른 하나의 발광 셀(100b)의 측면을 따라 발광 셀(100b)의 제1 전극(130)까지 연장되어 배치되어, 인접한 두 개의 발광 셀(100a, 100b)을 직렬 연결할 수 있다.For example, referring to FIG. 3, the conductive type connection layer 170 electrically connects two adjacent light emitting cells 100a and 100b. More specifically, the conductive type connection layer 170 may extend from the second electrode 140 of one of the two adjacent light emitting cells 100a and 100b to the side of the light emitting cell 100a, The second light emitting cells 100a and 100b may be connected in series to the first electrode 130 of the light emitting cell 100b along the side surface of the cell 100b.

도 3을 참조하면, 인접한 두 개의 발광 셀(100a, 100b)은 서로 이격되어 배치된다. 그리고, 발광 구조물(120) 각각의 측면에 절연층(160)이 위치한다. 절연층(160)은, 도전형 연결층(170)이 존재하는 부분에서는 발광 셀(100)과 도전형 연결층(170) 사이에 위치한다.Referring to FIG. 3, adjacent two light emitting cells 100a and 100b are disposed apart from each other. The insulating layer 160 is disposed on the side surfaces of each of the light emitting structures 120. The insulating layer 160 is located between the light emitting cell 100 and the conductive connection layer 170 in a portion where the conductive connection layer 170 is present.

절연층(160)은 인접한 발광 셀(100) 사이 또는 도전형 연결층(170)과 발광 셀(100) 사이를 전기적으로 차단하는 역할을 한다.The insulating layer 160 serves to electrically isolate the adjacent light emitting cells 100 or between the conductive type connecting layer 170 and the light emitting cells 100.

절연층(160)은 비전도성 산화물 또는 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로서, 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The insulating layer 160 may be made of a non-conductive oxide or nitride, and may include, for example, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 구조물(120)은 제2 전극(140)과 인접하며 상기 제2 전극(140)과 나란한 제1 측면(120a) 및 상기 제1 측면(120a)과 마주보며 식각 영역(S)과 접하는 제2 측면(120b)을 포함한다. 제2 전극(140)과 나란하다는 의미는 제2 전극(140)의 길이방향과 나란한 것을 의미한다. 제2 전극(140)의 길이방향이란 제2 전극(140)에서 변의 길이가 가장 긴 부분이 배열된 방향을 의미한다.1 to 3, the light emitting structure 120 includes a first side 120a adjacent to the second electrode 140 and a second side opposite to the first side 120a, And a second side surface 120b that is in contact with the etching region (S). The term "parallel to the second electrode 140" means parallel to the longitudinal direction of the second electrode 140. The longitudinal direction of the second electrode 140 means a direction in which the longest sides of the second electrode 140 are arranged.

제2 측면(120b)은 제1 전극(130)이 위치하는 식각 영역(S)과 접하며, 식각 영역(S)으로부터 소정 각도(θ)를 갖도록 배치된다. 식각 영역(S)과 제2 측면(120b)이 이루는 각도(θ)는 90도 이상일 수 있다. 제2 측면(120b)은 발광 구조물(120)의 일부가 식각되어 식각 영역(S)을 형성할 때, 식각에 의해 노출된 발광 구조물(120)의 일 측면에 해당한다.The second side surface 120b contacts the etching region S where the first electrode 130 is located and is arranged to have a predetermined angle? The angle? Between the etching region S and the second side surface 120b may be 90 degrees or more. The second side surface 120b corresponds to one side of the light emitting structure 120 exposed by etching when a part of the light emitting structure 120 is etched to form the etching region S. [

상부에서 봤을 때, 복수 개의 발광 셀(100) 각각의 제2 전극(140)은 제1 측면(120a)과 나란한 제1 방향으로 배치된다. The second electrode 140 of each of the plurality of light emitting cells 100 is disposed in a first direction parallel to the first side face 120a.

상부에서 바라본 제1 측면(120a)과 제2 측면(120b) 사이의 폭이 W일 때, 제2 전극(140)은 상기 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00005
내지
Figure pat00006
사이의 거리(D)에 위치한다.When the width between the first side face 120a and the second side face 120b viewed from above is W, the second electrode 140 is separated from the first side face 120a
Figure pat00005
To
Figure pat00006
As shown in FIG.

발광소자(100A)의 광도를 향상시키고 동작 전압을 낮추기 위해서는 제1 전극(130)과 제2 전극(140)으로부터 주입된 전류가 발광 구조물(120)의 전면에 걸쳐 고르게 스프레딩되는 것이 중요하다. 제2 전극(140)이 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00007
이내의 영역 위치하는 경우 제1 전극(130)과 제2 전극(130)의 이격 간격이 넓어져서 전류 스프레딩이 잘 이루어지지 않으며, 제2 전극(140)이 제1 측면(120a)으로부터
Figure pat00008
을 초과하는 영역에 위치하는 경우 제2 전극(140)과 제1 측면(120a) 사이의 간격이 넓어져서 전류 스프레딩이 잘 이루어지지 않는다. It is important that the current injected from the first electrode 130 and the second electrode 140 is uniformly spread over the entire surface of the light emitting structure 120 in order to improve the luminous intensity of the light emitting device 100A and lower the operating voltage. When the second electrode 140 is separated from the first side 120a
Figure pat00007
The distance between the first electrode 130 and the second electrode 130 is widened so that the current spreading is not performed well and the second electrode 140 is separated from the first side 120a
Figure pat00008
The gap between the second electrode 140 and the first side 120a is widened, so that the current spreading is not performed well.

도 4는 실시예에 따라 제2 전극을 위치시켰을 때, 제2 전극의 위치에 따른 출력 파워(Po.)와 동작 전압(Vf)을 나타낸 그래프이다.Figure 4 is a graph showing the value when it was placed a second electrode, the output power (Po.) And the operating voltage according to the position of the second electrode (V f), in accordance with an embodiment.

도 4를 참조하면, 제2 전극(140)이 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00009
위치에서
Figure pat00010
위치로 갈수록 출력 파워(Po.)가 상승하고 동작 전압(Vf)이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 제2 전극(140)이 제1 측면(120a)으로부터
Figure pat00011
위치에서
Figure pat00012
위치로 갈수록 출력 파워(Po.)와 동작 전압(Vf)의 개선 효과가 현저하며,
Figure pat00013
위치에서
Figure pat00014
위치로 갈수록 출력 파워(Po.)와 동작 전압(Vf)의 개선 효과가 수렴하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, the second electrode 140 extends from the first side 120a
Figure pat00009
From location
Figure pat00010
It can be seen that the output power Po increases and the operating voltage V f decreases as the position increases. In particular, when the second electrode 140 extends from the first side 120a
Figure pat00011
From location
Figure pat00012
The effect of improving the output power (Po.) And the operating voltage ( Vf )
Figure pat00013
From location
Figure pat00014
It can be seen that the improvement effect of the output power Po. And the operating voltage V f converges toward the position.

Figure pat00015
,
Figure pat00016
,
Figure pat00017
위치에서의 구체적인 수치는 하기의 표 1과 같이 나타났다.
Figure pat00015
,
Figure pat00016
,
Figure pat00017
Specific values at the positions are shown in Table 1 below.

제2 전극의 위치The position of the second electrode Po.[mV]Po. [MV] Vf[V]V f [V]

Figure pat00018
Figure pat00018
20.3620.36 3.073.07
Figure pat00019
Figure pat00019
 20.9720.97 33
Figure pat00020
Figure pat00020
 2121 2.992.99

즉, 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 간격이 최적화되면서 전류 스프레딩이 잘 이루어지고, 이로 인해 출력 파워(Po.)가 상승하고 동작 전압(Vf)은 감소하는 효과가 나타난다.That is, the current spreading is well performed while the interval between the first electrode 130 and the second electrode 140 is optimized. As a result, the output power Po increases and the operation voltage Vf decreases appear.

다시, 도 2를 참조하면, 복수 개의 도전형 연결층(170) 중 적어도 하나는 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 제2 방향은 수평면에서 상기 제1 방향과 수직일 수 있다.Referring again to FIG. 2, at least one of the plurality of conductive connection layers 170 may be disposed in a second direction different from the first direction. According to an embodiment, the second direction may be perpendicular to the first direction in a horizontal plane.

도전형 연결층(170)은 인접한 발광 셀(100a, 100b) 중 어느 하나의 발광 셀(100a)의 제1 전극(130) 및 다른 하나의 발광 셀(100b)의 제2 전극(140)과 단부가 중첩되면서, 인접한 발광 셀(100a, 100b)을 전기적으로 연결한다. 또는, 도전형 연결층(170)은 인접한 발광 셀(100a, 100b) 중 어느 하나의 발광 셀(100b)의 제1 전극(130) 및 다른 하나의 발광 셀(100a)의 제2 전극(140)과 단부가 중첩되면서, 인접한 발광 셀(100a, 100b)을 전기적으로 연결한다.The conductive type connection layer 170 is formed on the first electrode 130 of one of the light emitting cells 100a and the second electrode 140 of the other light emitting cell 100b of the adjacent light emitting cells 100a and 100b, The adjacent light emitting cells 100a and 100b are electrically connected to each other. Alternatively, the conductive type connection layer 170 may be formed on the first electrode 130 of one of the light emitting cells 100b and the second electrode 140 of the other light emitting cell 100a of the adjacent light emitting cells 100a and 100b, And the adjacent light emitting cells 100a and 100b are electrically connected.

도전형 연결층(170)은 활성층(124)에서 생성된 빛의 흡수를 최소화하기 위하여, 발광 구조물(120)의 상부에 위치하는 부분의 폭이 인접한 발광 셀(100a, 100b)의 사이에 위치하는 부분의 폭보다 좁을 수 있다.In order to minimize the absorption of light generated in the active layer 124, the conductive type connection layer 170 is formed so that the width of the portion located above the light emitting structure 120 is located between the adjacent light emitting cells 100a and 100b May be narrower than the width of the portion.

도 5는 도 1의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.5 is an enlarged view of a portion B in Fig.

도 5를 참조하면, 복수 개의 도전형 연결층(170) 중 적어도 하나는 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다. 이때, 인접한 두 개의 발광 셀(100b, 100d) 중 어느 하나의 발광 셀(100d)의 제1 전극(130)은 활성층(124)의 손실을 최소화하기 위하여 발광 셀(100b)의 에지 영역에 위치하고, 다른 하나의 발광 셀(100b)의 제2 전극(130)은 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00021
내지
Figure pat00022
사이의 거리(D)에 위치하여 상기 제1 전극(130)과 제2 전극(140)이 동일선 상에 위치하지 않을 수 있다. 따라서, 제1 방향으로 배치된 도전형 연결층(170)과 접하는 발광 셀(100b)의 제1 전극(130)은 절곡부(G)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, at least one of the plurality of conductive type connection layers 170 may be disposed in the first direction. At this time, the first electrode 130 of one of the two light emitting cells 100b and 100d is positioned in the edge region of the light emitting cell 100b in order to minimize the loss of the active layer 124, The second electrode 130 of the other light emitting cell 100b is electrically connected to the first side 120a
Figure pat00021
To
Figure pat00022
The first electrode 130 and the second electrode 140 may not be located on the same line. The first electrode 130 of the light emitting cell 100b contacting the conductive connection layer 170 disposed in the first direction may include the bent portion G. [

도 1을 참조하면, 실시예에 따라, 제1 방향으로 배치된 도전형 연결층(170)이 위치하는 부분은 발광소자(100A)에서 발광 셀(100)의 배열 방향이 바뀌는 부분일 수 있다.Referring to FIG. 1, according to an embodiment, a portion where the conductive connection layer 170 disposed in the first direction is located may be a portion where the arrangement direction of the light emitting cells 100 is changed in the light emitting device 100A.

도 1을 참조하면, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 일 단부에 존재하는 발광 셀(100Z1)은 제2 전극(140)에 전극 패드(140p)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다. 마찬가지로, 복수 개의 발광 셀(100)의 배열에서 다른 단부에 존재하는 발광 셀(100Z2)은 제1 전극(130)에 전극 패드(130p)를 포함하여 와이어 본딩을 위한 면적을 확보할 수 있다.1, a light emitting cell 100Z1 at one end of an array of a plurality of light emitting cells 100 includes an electrode pad 140p on a second electrode 140 to secure an area for wire bonding . Likewise, the light emitting cells 100Z 2 existing at the other end in the array of the plurality of light emitting cells 100 include the electrode pads 130p in the first electrode 130 to secure an area for wire bonding.

도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 7은 도 6의 C 부분을 확대하여 나타낸 도면이다. 발광소자의 측단면도의 도시는 생략하고 도 3을 참조하여 설명한다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.FIG. 6 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment, and FIG. 7 is an enlarged view of a portion C of FIG. A side cross-sectional view of the light emitting element is not shown and will be described with reference to Fig. The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자(100B)는 기판(110), 기판(110) 상에 이격되어 배치된 복수 개의 발광 셀(100), 인접한 두 개의 발광 셀(100)은 전기적으로 연결하는 복수 개의 도전형 연결층(170)을 포함한다.6 and 7, the light emitting device 100B according to the second embodiment includes a substrate 110, a plurality of light emitting cells 100 disposed on the substrate 110, 100 includes a plurality of electrically conductive connection layers 170 electrically connected to each other.

복수 개의 발광 셀(100) 각각은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)과, 상기 제1 도전형 반도체층(122) 상에 배치되는 제1 전극(130)과, 상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치되는 제2 전극(140)을 포함한다.Each of the plurality of light emitting cells 100 includes a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126, A first electrode 130 disposed on the first conductive semiconductor layer 122 and a second electrode 140 disposed on the second conductive semiconductor layer 126.

발광 구조물(120)은 일부가 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)이 노출된 식각 영역(S)을 포함한다. 식각 영역(S)이란 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 영역을 의미한다.The light emitting structure 120 includes an etched region S in which the first conductive semiconductor layer 122 is partially etched. The etching region S means a region of the first conductivity type semiconductor layer 122 exposed by etching a part of the second conductivity type semiconductor layer 126, the active layer 124 and the first conductivity type semiconductor layer 122 do.

인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 도전형 연결층(170)이 배치된다. 도전형 연결층(170)은 인접한 두 개의 발광 셀(100)을 전기적으로 연결한다.A conductive type connection layer 170 is disposed between adjacent two light emitting cells 100. The conductive type connection layer 170 electrically connects the adjacent two light emitting cells 100.

제2 전극(140)은 제1 부분(140a) 및 상기 제1 부분(140a)과 연결되며 상기 제1 부분(140a)과 다른 방향으로 배치된 제2 부분(140b)을 포함한다. The second electrode 140 includes a first portion 140a and a second portion 140b connected to the first portion 140a and disposed in a direction different from the first portion 140a.

발광 구조물(120)은 제2 전극(140)의 제1 부분(140a)과 인접하며 상기 제1 부분(140a)과 나란한 제1 측면(120a) 및 상기 제1 측면(120a)과 마주보며 식각 영역(S)과 접하는 제2 측면(120b)을 포함한다. 제2 전극(140)의 제1 부분(140a)과 나란하다는 의미는 제1 부분(140a)의 길이방향과 나란한 것을 의미한다. 제1 부분(140a)의 길이방향이란 제1 부분(140a)에서 변의 길이가 가장 긴 부분이 배열된 방향을 의미한다.The light emitting structure 120 is adjacent to the first portion 140a of the second electrode 140 and has a first side 120a parallel to the first portion 140a and a second side 120b opposite the first side 120a, (S). Parallel with the first portion 140a of the second electrode 140 means parallel to the longitudinal direction of the first portion 140a. The longitudinal direction of the first portion 140a means the direction in which the longest side of the first portion 140a is arranged.

제2 전극(140)의 제1 부분(140a)은 제1 측면(120a)과 나란한 제1 방향으로 배치되고, 제2 전극(140)의 제2 부분(140b)은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치된다. 실시예에 따라, 제2 방향은 수평면에서 상기 제1 방향과 수직일 수 있다.The first portion 140a of the second electrode 140 is disposed in a first direction parallel to the first side 120a and the second portion 140b of the second electrode 140 is disposed in a second direction Are arranged in two directions. According to an embodiment, the second direction may be perpendicular to the first direction in a horizontal plane.

상부에서 바라본 제1 측면(120a)과 제2 측면(120b) 사이의 폭이 W일 때, 제2 전극(140)의 제1 부분(140a)은 상기 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00023
내지
Figure pat00024
사이의 거리(D)에 위치한다. 이때, 제2 전극(140)의 제2 부분(140b)은 상기 제1 측면(120a)으로부터
Figure pat00025
내지
Figure pat00026
사이의 거리(D) 내에 위치할 수도 있고, 적어도 일부는 상기 거리(D)의 범위를 벗어나 위치할 수도 있다.The first portion 140a of the second electrode 140 extends from the first side face 120a to the first side face 120a when the width between the first side face 120a and the second side face 120b,
Figure pat00023
To
Figure pat00024
As shown in FIG. At this time, the second portion 140b of the second electrode 140 is separated from the first side surface 120a
Figure pat00025
To
Figure pat00026
And at least a part of the distance D may be located outside the range.

발광소자(100A)의 광도를 향상시키고 동작 전압을 낮추기 위해서는 제1 전극(130)과 제2 전극(140)으로부터 주입된 전류가 발광 구조물(120)의 전면에 걸쳐 고르게 스프레딩되는 것이 중요하다. 제2 전극(140)의 제1 부분(120a)이 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00027
이내의 영역 위치하는 경우 제1 전극(130)과 제2 전극(130)의 이격 간격이 넓어져서 전류 스프레딩이 잘 이루어지지 않으며, 제2 전극(140)의 제1 부분(140a)이 제1 측면(120a)으로부터
Figure pat00028
을 초과하는 영역에 위치하는 경우 제2 전극(140)과 제1 측면(120a) 사이의 간격이 넓어져서 전류 스프레딩이 잘 이루어지지 않는다. It is important that the current injected from the first electrode 130 and the second electrode 140 is uniformly spread over the entire surface of the light emitting structure 120 in order to improve the luminous intensity of the light emitting device 100A and lower the operating voltage. The first portion 120a of the second electrode 140 extends from the first side 120a
Figure pat00027
The distance between the first electrode 130 and the second electrode 130 is widened so that the current spreading is not performed well and the first portion 140a of the second electrode 140 is spaced apart from the first electrode 140, From the side surface 120a
Figure pat00028
The gap between the second electrode 140 and the first side 120a is widened, so that the current spreading is not performed well.

제2 전극(140)을 제1 부분(140a) 및 제2 부분(140b)을 갖도록 형성함으로써, 제1 부분(140a)만으로 이루어진 경우에 비해 전류 스프레딩이 잘 이루어질 수 있다.By forming the second electrode 140 to have the first portion 140a and the second portion 140b, the current spreading can be performed well as compared with the case where only the first portion 140a is formed.

제2 전극(140)의 제1 부분(140a)은 제2 부분(140b)에 비해 길게 형성될 수 있다.The first portion 140a of the second electrode 140 may be formed longer than the second portion 140b.

복수 개의 도전형 연결층(170) 중 적어도 하나는 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 배치될 수 있다.At least one of the plurality of conductive type connection layers 170 may be disposed in a second direction different from the first direction.

도전형 연결층(170)은 인접한 발광 셀(100a, 100b) 중 어느 하나의 발광 셀(100a)의 제1 전극(130) 및 다른 하나의 발광 셀(100b)의 제2 전극(140)과 단부가 중첩되면서, 인접한 발광 셀(100a, 100b)을 전기적으로 연결한다. 또는, 도전형 연결층(170)은 인접한 발광 셀(100a, 100b) 중 어느 하나의 발광 셀(100b)의 제1 전극(130) 및 다른 하나의 발광 셀(100a)의 제2 전극(140)과 단부가 중첩되면서, 인접한 발광 셀(100a, 100b)을 전기적으로 연결한다.The conductive type connection layer 170 is formed on the first electrode 130 of one of the light emitting cells 100a and the second electrode 140 of the other light emitting cell 100b of the adjacent light emitting cells 100a and 100b, The adjacent light emitting cells 100a and 100b are electrically connected to each other. Alternatively, the conductive type connection layer 170 may be formed on the first electrode 130 of one of the light emitting cells 100b and the second electrode 140 of the other light emitting cell 100a of the adjacent light emitting cells 100a and 100b, And the adjacent light emitting cells 100a and 100b are electrically connected.

또한, 복수 개의 도전형 연결층(170) 중 적어도 하나는 상기 제1 방향으로 배치될 수 있다. 이때, 인접한 두 개의 발광 셀(100b, 100d) 중 어느 하나의 발광 셀(100d)의 제1 전극(130)은 활성층(124)의 손실을 최소화하기 위하여 발광 셀(100b)의 에지 영역에 위치하고, 다른 하나의 발광 셀(100b)의 제2 전극(130)은 제1 부분(140a)이 제1 측면(120a)으로부터

Figure pat00029
내지
Figure pat00030
사이의 거리(D)에 위치하여 상기 제1 전극(130)과 제2 전극(140)의 제1 부분(140a)이 동일선 상에 위치하지 않을 수 있다. 따라서, 제1 방향으로 배치된 도전형 연결층(170)과 접하는 발광 셀(100b)의 제1 전극(130)은 절곡부(G)를 포함할 수 있다.At least one of the plurality of conductive type connection layers 170 may be disposed in the first direction. At this time, the first electrode 130 of one of the two light emitting cells 100b and 100d is positioned in the edge region of the light emitting cell 100b in order to minimize the loss of the active layer 124, The second electrode 130 of the other light emitting cell 100b has the first portion 140a extending from the first side 120a
Figure pat00029
To
Figure pat00030
The first electrode 130 and the first portion 140a of the second electrode 140 may not be located on the same line. The first electrode 130 of the light emitting cell 100b contacting the conductive connection layer 170 disposed in the first direction may include the bent portion G. [

도전형 연결층(170)이 제1 방향으로 배치되는 경우, 도전형 연결층(170)은 일단이 제2 전극(120)의 제2 부분(120b)과 중첩될 수 있다.When the conductive type connection layer 170 is disposed in the first direction, the conductive type connection layer 170 may overlap with the second portion 120b of the second electrode 120 at one end.

실시예에 따라, 제1 방향으로 배치된 도전형 연결층(170)이 위치하는 부분은 발광소자(100B)에서 발광 셀(100)의 배열 방향이 바뀌는 부분일 수 있다.According to the embodiment, the portion where the conductive connection layer 170 disposed in the first direction is located may be a portion where the arrangement direction of the light emitting cells 100 in the light emitting device 100B is changed.

도 8은 다른 실시예에 따른 발광소자의 일부를 상부에서 바라본 모습을 나타낸 도면이다. 상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.8 is a view illustrating a part of the light emitting device according to another embodiment viewed from above. The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도전형 연결층(170)은 인접한 두 개의 발광 셀 사이에 복수 개 존재할 수 있다. 예를 들어, 도 8을 참조하면, 인접한 두 개의 발광 셀(100b, 100d) 사이에 두 개의 도전형 연결층(170)이 존재하고, 인접한 두 개의 발광 셀(100a, 100b) 사이에 두 개의 도전형 연결층(170)이 존재한다.A plurality of conductive type connection layers 170 may exist between adjacent two light emitting cells. For example, referring to FIG. 8, two conductive type connection layers 170 exist between two adjacent light emitting cells 100b and 100d, and two conductive type connection layers 170 are formed between two adjacent light emitting cells 100a and 100b. Type connecting layer 170 is present.

인접한 두 개의 발광 셀(100) 사이에 존재하는 도전형 연결층(170)의 개수는 실시예에 따라 달라질 수 있으며, 복수 개가 서로 이격되어 배치된다.The number of the conductive type connection layers 170 existing between the adjacent two light emitting cells 100 may vary according to the embodiment, and a plurality of the conductive type connection layers 170 may be spaced apart from each other.

도 9는 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.9 is a view illustrating a light emitting device package including a light emitting device according to embodiments.

일실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 몸체(310)와, 상기 몸체(310)에 배치된 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)과, 상기 몸체(310)에 배치되어 상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(100)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(340)를 포함한다. 상기 몸체(310)에는 캐비티가 형성될 수 있다. 발광소자(100)는 상술한 바와 같이 직렬 또는 병렬 연결된 복수 개의 발광 셀이 하나의 칩으로 형성된 것이다.The light emitting device package 300 according to an exemplary embodiment includes a body 310, a first lead frame 321 and a second lead frame 322 disposed on the body 310, Emitting device 100 according to the above-described embodiments electrically connected to the first lead frame 321 and the second lead frame 322, and a molding part 340 formed in the cavity. A cavity may be formed in the body 310. The light emitting device 100 includes a plurality of light emitting cells connected in series or in parallel as described above.

상기 몸체(310)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(310)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(310)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(321, 322) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 310 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 310 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer is coated on the surface of the body 310 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 321 and 322 .

상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 321 and the second lead frame 322 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 100. The first lead frame 321 and the second lead frame 322 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100. The heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(310) 상에 배치되거나 상기 제1 리드 프레임(321) 또는 제2 리드 프레임(322) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(321)과 발광소자(100)가 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(322)과 상기 발광소자(100)는 와이어(330)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(100)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(321, 322)과 연결될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 310 or may be disposed on the first lead frame 321 or the second lead frame 322. The first lead frame 321 and the light emitting element 100 are directly energized and the second lead frame 322 and the light emitting element 100 are connected to each other through the wire 330 in this embodiment. The light emitting device 100 may be connected to the lead frames 321 and 322 by a flip chip method or a die bonding method in addition to the wire bonding method.

상기 몰딩부(340)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(340) 상에는 형광체(350)가 포함되어, 상기 발광소자(100)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding part 340 may surround and protect the light emitting device 100. In addition, the phosphor 350 may be included on the molding part 340 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

형광체(350)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor 350 may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu 2 + (0 <x <6) can be.

상기 발광소자(100)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(350)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다. The light of the first wavelength range emitted from the light emitting device 100 is excited by the phosphor 350 to be converted into the light of the second wavelength range and the light of the second wavelength range passes through the lens (not shown) The light path can be changed.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight .

이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드램프와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, the headlamp and the backlight unit will be described as an embodiment of the lighting system in which the above-described light emitting device or the light emitting device package is disposed.

도 10은 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.10 is a view showing an embodiment of a headlamp in which a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments is disposed.

도 10을 참조하면, 실시예들에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.10, the light emitted from the light emitting module 710 having the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiments is reflected by the reflector 720 and the shade 730 and then transmitted through the lens 740 It can be directed toward the front of the vehicle body.

상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.The light emitting module 710 may include a plurality of light emitting devices on a circuit board, but the present invention is not limited thereto.

도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.11 is a view illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

도 11을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.11, a display device 800 according to an embodiment includes a light emitting module 830 and 835, a reflection plate 820 on a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed in front of the reflection plate 820, A first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840 and a second prism sheet 860 disposed between the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860. The light guiding plate 840 guides light emitted from the light- A panel 870 disposed in front of the panel 870 and a color filter 880 disposed in the front of the panel 870.

발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 6에서 설명한 바와 같다.The light emitting module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 is the same as that described with reference to FIG.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to uniformly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

100A~100C: 발광소자 110: 기판
120: 발광 구조물 130: 제1 전극
140: 제2 전극 150: 도전층
310: 패키지 몸체 321, 322: 제1,2 리드 프레임
330: 와이어 340: 몰딩부
350: 형광체 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터100A to 100C: light emitting device 110: substrate
120: light emitting structure 130: first electrode
140: second electrode 150: conductive layer
310: package body 321, 322: first and second lead frames
330: wire 340: molding part
350: phosphor 710: light emitting module
720: Reflector 730: Shade
800: Display device 810: Bottom cover
820: reflector 840: light guide plate
850: first prism sheet 860: second prism sheet
870: Panel 880: Color filter

Claims (9)

기판;
상기 기판 상에 이격되어 배치된 복수 개의 발광 셀; 및
인접한 두 개의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 복수 개의 도전형 연결층;을 포함하고,
상기 복수 개의 발광 셀 각각은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 전극과, 상기 발광 구조물의 일부가 식각되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 식각 영역을 포함하며,
상기 발광 구조물은 상기 제2 전극과 인접하며 상기 제2 전극과 나란한 제1 측면 및 상기 제1 측면과 마주보며 상기 식각 영역과 접하는 제2 측면을 포함하고, 상부에서 바라본 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이의 폭이 W일 때, 상기 제2 전극은 상기 발광 구조물의 제1 측면으로부터
Figure pat00031
내지
Figure pat00032
사이의 거리에 위치하는 발광소자.Board;
A plurality of light emitting cells spaced apart from each other on the substrate; And
And a plurality of conductive type connection layers electrically connecting adjacent two light emitting cells,
Wherein each of the plurality of light emitting cells includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, a light emitting structure including an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, Type semiconductor layer, a second electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer, and an etch region in which a part of the light emitting structure is etched to expose the first conductivity type semiconductor layer In addition,
Wherein the light emitting structure includes a first side adjacent to the second electrode and parallel to the second electrode and a second side facing the first side and in contact with the etching region, When the width between the two side surfaces is W, the second electrode extends from the first side of the light emitting structure
Figure pat00031
To
Figure pat00032
Emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치되고, 상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 상기 제1 방향으로 배치된 발광소자.The method according to claim 1,
The second electrode is disposed in a first direction parallel to the first side, and at least one of the plurality of conductive type connection layers is disposed in the first direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치되고, 상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치된 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the second electrode is disposed in a first direction parallel to the first side, and at least one of the plurality of conductive type connection layers is disposed in a second direction different from the first direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제1 측면과 나란한 제1 방향으로 배치된 제1 부분 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치된 제2 부분을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
The second electrode includes a first portion disposed in a first direction parallel to the first side and a second portion disposed in a second direction different from the first direction. 제 4 항에 있어서,
상기 복수 개의 도전형 연결층 중 적어도 하나는 일단이 상기 제2 부분과 중첩되는 발광소자.5. The method of claim 4,
And at least one of the plurality of conductive type connection layers overlaps with the second portion at one end. 제 1 항에 있어서,
상기 도전형 연결층은 상기 인접한 두 개의 발광 셀 중 하나의 발광 셀의 제1 전극과 상기 인접한 두 개의 발광 셀 중 다른 하나의 발광 셀의 제2 전극을 연결하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the conductive connection layer connects the first electrode of one of the two adjacent light emitting cells to the second electrode of the other of the two adjacent light emitting cells. 제 6 항에 있어서,
상기 도전형 연결층은 상기 인접한 두 개의 발광 셀 사이에 복수 개 존재하는 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein the plurality of conductive type connection layers are present between the adjacent two light emitting cells. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 발광 셀 각각의 측면에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 절연층은 인접한 발광 셀 사이 또는 상기 도전형 연결층과 상기 발광 셀 사이를 전기적으로 차단하는 발광소자.The method according to claim 1,
And an insulating layer disposed on a side surface of each of the plurality of light emitting cells, wherein the insulating layer electrically disconnects adjacent light emitting cells or between the conductive connecting layer and the light emitting cells. 제 3 항에 있어서,
상기 제2 부분은 적어도 일부가 상기
Figure pat00033
내지
Figure pat00034
사이의 거리의 범위를 벗어나 위치하는 발광소자.The method of claim 3,
Wherein the second portion comprises at least a portion
Figure pat00033
To
Figure pat00034
Of the light emitting element.
KR1020120126523A 2012-11-09 2012-11-09 Light emitting device KR20140059985A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120126523A KR20140059985A (en) 2012-11-09 2012-11-09 Light emitting device
US14/072,070 US9281449B2 (en) 2012-11-09 2013-11-05 Light emitting device
CN201310553351.0A CN103811623B (en) 2012-11-09 2013-11-08 Luminescent device
EP13192161.1A EP2731137B1 (en) 2012-11-09 2013-11-08 Light emitting device
JP2013231700A JP2014096591A (en) 2012-11-09 2013-11-08 Light-emitting element
US15/007,723 US9601666B2 (en) 2012-11-09 2016-01-27 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120126523A KR20140059985A (en) 2012-11-09 2012-11-09 Light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140059985A true KR20140059985A (en) 2014-05-19

Family

ID=49619793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120126523A KR20140059985A (en) 2012-11-09 2012-11-09 Light emitting device

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9281449B2 (en)
EP (1) EP2731137B1 (en)
JP (1) JP2014096591A (en)
KR (1) KR20140059985A (en)
CN (1) CN103811623B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160139181A (en) * 2015-05-27 2016-12-07 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683376A (en) 2007-01-22 2012-09-19 科锐公司 High-pressure light emitter, light emitter and illumination device
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
TWI532215B (en) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 Light-emitting diode elements
KR102212666B1 (en) 2014-06-27 2021-02-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device
TWD169527S (en) * 2014-08-20 2015-08-01 晶元光電股份有限公司 Portions of light-emitting diode unit
US10090449B2 (en) * 2014-11-18 2018-10-02 PlayNitride Inc. Light emitting device
TWD172675S (en) * 2014-12-19 2015-12-21 晶元光電股份有限公司 Portion of light-emitting diode array
CN110061027B (en) 2015-02-13 2024-01-19 首尔伟傲世有限公司 Light-emitting element
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
CN104766914A (en) * 2015-04-20 2015-07-08 电子科技大学 High-lighting-rate high-voltage LED chip structure
TWI776403B (en) 2015-04-22 2022-09-01 新世紀光電股份有限公司 Method for manufacturing light-emitting device
JP6474044B2 (en) 2015-09-15 2019-02-27 豊田合成株式会社 Light emitting unit
TWD178892S (en) * 2015-11-17 2016-10-11 晶元光電股份有限公司 Portion of light-emitting diode array
KR20170104031A (en) * 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 Package substrate and semiconductor light emitting device package
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
TWD181129S (en) * 2016-05-11 2017-02-01 晶元光電股份有限公司 Portion of light-emitting diode array
JP7290001B2 (en) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド High-density pixelated LED chips, chip array devices, and methods of making same
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
JP7348520B2 (en) * 2018-12-25 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and display device
TWI818070B (en) * 2019-08-30 2023-10-11 晶元光電股份有限公司 Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2021087109A1 (en) 2019-10-29 2021-05-06 Cree, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
CN114937679A (en) * 2021-04-20 2022-08-23 友达光电股份有限公司 Light emitting diode element and light emitting diode circuit

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100421266C (en) * 2002-08-29 2008-09-24 首尔半导体股份有限公司 Light-emitting device having light-emitting elements
JP2005117035A (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Showa Denko Kk Flip-chip gallium-nitride-based semiconductor light-emitting element and method of fabricating same
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
CN102779918B (en) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 Semiconductor light-emitting elements
JP4625827B2 (en) * 2007-06-04 2011-02-02 株式会社東芝 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device
KR100928259B1 (en) * 2007-10-15 2009-11-24 엘지전자 주식회사 Light emitting device and manufacturing method thereof
WO2009088084A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101025972B1 (en) 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 Ac driving light emitting device
TW201011890A (en) 2008-09-04 2010-03-16 Formosa Epitaxy Inc Alternating current light emitting device
JP5521325B2 (en) * 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
US7982409B2 (en) * 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
CN102804415A (en) * 2009-06-18 2012-11-28 松下电器产业株式会社 Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting diode
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
KR101665932B1 (en) 2010-02-27 2016-10-13 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device having a multi-cell array, light emitting module and illumination apparatus
TWI446527B (en) * 2010-07-02 2014-07-21 Epistar Corp An optoelectronic device
JP2012028749A (en) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd Light-emitting diode
TWI451555B (en) 2010-10-25 2014-09-01 Epistar Corp A rectifying unit, a light emitting diode device and the combination thereof
CN102110705B (en) * 2010-12-14 2013-03-20 武汉迪源光电科技有限公司 Alternating current light emitting diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160139181A (en) * 2015-05-27 2016-12-07 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
EP2731137B1 (en) 2020-08-12
EP2731137A2 (en) 2014-05-14
US9601666B2 (en) 2017-03-21
US20140131657A1 (en) 2014-05-15
JP2014096591A (en) 2014-05-22
US20160225954A1 (en) 2016-08-04
CN103811623A (en) 2014-05-21
EP2731137A3 (en) 2016-01-06
CN103811623B (en) 2017-12-19
US9281449B2 (en) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101941033B1 (en) Light emitting device
KR20140059985A (en) Light emitting device
US9318662B2 (en) Light emitting device with improved current spreading performance and lighting apparatus including the same
KR101908657B1 (en) Light emitting device
EP2696375A2 (en) Light emitting diode
KR101915213B1 (en) Light emitting device
KR20140008064A (en) Light emitting device
KR20150011310A (en) Light emitting device
KR101991032B1 (en) Light emitting device
KR101922529B1 (en) Light emitting device
KR101963220B1 (en) Light emitting device
KR101954202B1 (en) Light emitting device and illuminating system including the same
KR101929933B1 (en) Light emitting device and lighting system including the device
KR101998766B1 (en) Light emitting device package
KR20140023684A (en) Light emitting device package
KR101883844B1 (en) Light emitting device
KR20140046162A (en) Light emitting device
KR101897003B1 (en) Light emitting device
KR20140092092A (en) Light emitting device
KR20140080992A (en) Light emitting device
KR101960791B1 (en) Light emitting device
KR101963222B1 (en) Light emitting device
KR20140056929A (en) Light emitting device
KR101991031B1 (en) Light emitting device
KR20140088695A (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application