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KR20140038881A - 발광다이오드 모듈 및 그 제작방법 - Google Patents

발광다이오드 모듈 및 그 제작방법 Download PDF

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KR20140038881A
KR20140038881A KR1020130106595A KR20130106595A KR20140038881A KR 20140038881 A KR20140038881 A KR 20140038881A KR 1020130106595 A KR1020130106595 A KR 1020130106595A KR 20130106595 A KR20130106595 A KR 20130106595A KR 20140038881 A KR20140038881 A KR 20140038881A
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KR
South Korea
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electrode
substrate
light emitting
emitting diode
diode module
Prior art date
Application number
KR1020130106595A
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English (en)
Inventor
체 흐상 황
핀 추안 첸
룽 흐신 첸
웬 리앙 트셍
유 리앙 황
Original Assignee
어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
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Abstract

본 발명에 따른 발광다이오드 모듈은, 기판과, 상기 기판 내에 삽입설치된 제1전극조합 및 제2전극조합과, 상기 제1전극조합 및 상기 제2전극조합에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 다이를 포함하되, 상기 제1전극조합은 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있는 상기 제2전극조합은 제3전극을 포함하며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되고, 상기 제3전극의 측면은 상기 기판 내부에 있으며, 상기 발광다이오드 다이는 상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제3전극에 전기적으로 연결된다.

Description

발광다이오드 모듈 및 그 제작방법{LIGHT EMITTING DIODE MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 발광다이오드 모듈 및 그 제작방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED) 광원은 휘도가 높고, 동작전압이 낮으며, 소모율이 작고, 구동이 간편하며, 수명이 긴 등의 이점을 갖고 있으므로, 조명분야에 광범위하게 사용되고 있다.
발광다이오드 모듈은, 기판과, 상기 기판 위에 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극 및 상기 제2전극에 전기적으로 연결되는 복수개의 발광다이오드 다이를 구비하여 구성된다.
종래의 발광다이오드 모듈은, 외계(外界)의 전기회로기판에 설치할 때, 각 전극을 땜납을 이용하여 외계의 전기회로기판에 납땜하므로, 반복적인 납땜작업으로 인해 시간이 많이 소비된다. 게다가, 서로 인접한 전극 사이의 거리가 비교적 짧기 때문에, 납땜과정에 있어서 서로 인접한 전극의 땜납이 달라붙어 서로 인접한 전극이 단락되기 쉬우며, 그 결과로서 발광다이오드 모듈이 파손된다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 안전성이 높은 발광다이오드 모듈 및 그 제작방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드 모듈은, 기판과, 상기 기판 내에 삽입설치된 제1전극조합 및 제2전극조합과, 상기 제1전극조합 및 상기 제2전극조합에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 다이를 포함하되, 상기 제1전극조합은 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있는 상기 제2전극조합은 제3전극을 포함하며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되고, 상기 제3전극의 측면은 상기 기판 내부에 있으며, 상기 발광다이오드 다이는 상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제3전극에 전기적으로 연결된다.
또, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드 모듈의 제작방법은 다음의 단계를 포함한다: 즉, 도선 프레임과, 상기 도선 프레임 내에 서로 간격을 두고 설치된 제1전극조합 및 제2전극조합과, 상기 제1전극조합 및 상기 제2전극조합과 상기 도선 프레임을 연결시키는 지지대를 포함하고 있는 연결틀을 제공하되, 상기 제1전극조합이 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있는 상기 제2전극조합이 제3전극을 포함하도록 하는 단계; 상기 연결틀 내의 간격 유지 영역에 기판을 형성하되, 상기 기판의 양단에 제1수용부 및 제2수용부가 형성되고, 상기 기판의 중앙부분에 제3수용부가 형성되며, 상기 제1전극은 상기 제1수용부에 수용되고, 상기 제2전극은 상기 제2수용부에 수용되며, 상기 제3전극은 상기 제3수용부에 수용되고, 상기 제1전극 및 상기제2전극의 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되며, 상기 제3전극의 측면은 상기 기판 내부에 있도록 하는 단계; 복수개의 발광다이오드 다이를 제공하되, 복수개의 상기 발광다이오드 다이가 금속도선에 의해 상기 제1전극, 상기 제3전극 및 상기 제2전극에 전기적으로 연결되도록 하는 단계; 및 상기 도선 프레임과 상기 기판을 절단하되, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 두 측면과 대응되는 상기 기판의 마주 대하고 있는 두 측면이 각각 동일한 평면으로 되도록 하고, 또한 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 두 측면이 상기 기판으로부터 밖으로 노출되도록 하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 발광다이오드 모듈에 있어서는, 상기 제1전극의 제1본체부의 서로 마주 대하고 있는 두 측면이 대응되는 상기 기판의 서로 마주 대하고 있는 두 측면으로부터 밖으로 노출되어 있고, 상기 제2전극의 제2본체부의 서로 마주 대하고 있는 두 측면이 대응되는 상기 기판의 서로 마주 대하고 있는 두 측면으로부터 밖으로 노출되어 있으며, 상기 제3전극과 상기 제4전극은 그 윗 표면을 제외한 다른 표면이 모두 상기 기판 내부에 수용되어 있으므로, 상기 기판의 측면으로부터 밖으로 노출된 상기 제1전극의 제1본체부의 측면과 상기 제2전극의 제2본체부의 측면을 전기회로기판에 납땜할 때, 상기 제3전극과 상기 제4전극은 상기 기판에 막혀 땜납과 점착되지 않고, 또한 상기 제2전극조합은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 끼워 넣어져 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 거리가 비교적 길어지므로, 그 위의 땜납도 쉽게 연결되지 않게 되는바, 이로써 상기 발광다이오드 모듈의 단락을 방지할 수 있고, 상기 발광다이오드 모듈의 안전성을 제고할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 모듈의 입체도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 모듈의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 모듈의 제작공정을나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 모듈(1)은, 기판(20)과, 상기 기판(200) 내에 삽입설치된 제1전극조합(11) 및 제2전극조합(13)과, 상기 제1전극조합(11) 및 상기 제2전극조합(13)에 전기적으로 연결되는 복수개의 발광다이오드 다이(30)와, 상기 제1전극조합(11) 및 상기 제2전극조합(13)을 커버하는 패키지층(40)을 포함하고 있다.
도 2를 함께 참조하면, 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)은 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 동일한 직선 위에서 서로 간격을 두고 설치되어 있다. 상기 제1전극조합(11)은 서로 간격을 두고 설치된 제1전극(111)과 제2전극(113)을 포함하고 있다. 상기 제2전극조합(13)은 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113) 사이에 설치되어 있으며, 서로 간격을 두고 설치된 제3전극(131)과 제4전극(133)을 포함하고 있다. 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113)의 높이는, 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)의 높이보다 높게 되어 있다. 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향에서의 넓이는, 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향에서의 넓이보다 넓게 되어 있다(도 3 참조).
상기 제1전극(111), 상기 제2전극(113), 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)은, 상기 발광다이오드 모듈(1)의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면이 T자형을 이루고 있다.
상기 제1전극(111)은, 제1본체부(1111)와, 상기 제1본체부(1111)의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 안으로 경사지게 연신되어 형성된 제1연신부(1113)를 포함하고 있다. 상기 제1본체부(1111)는 장방형의 평판모양으로 되어 있으며, 상기 제1연신부(1113)의 횡단면은 구형을 이루고 있고, 상기 제1연신부(1113)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따른 종단면은 제형(蹄形, U자형)을 이루고 있다. 상기 제1연신부(1113)의 넓이는 상기 제1본체부(1111)로부터 멀어질수록 점점 작아진다.
상기 제2전극(113)과 상기 제1전극(111)은 높이가 같을 뿐만 아니라 유사한 구조를 가지고 있으며, 상기 제2전극(113)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 길이는 상기 제1전극(111)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 길이보다 길게 되어 있다. 상기 제2전극(113)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향을 따라 연신된 넓이는 상기 제1전극(111)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향을 따라 연신된 넓이와 같게 되어 있다.
상기 제2전극(113)은, 제2본체부(1131)와, 상기 제2본체부(1131)의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 안으로 경사지게 연신되어 형성된 제2연신부(1133)를 포함하고 있다. 상기 제2본체부(1131)는 장방형의 평판모양으로 되어 있으며, 그 두께는 상기 제1본체부(1111)의 두께와 같게 되어 있다. 상기 제2연신부(1133)의 횡단면은 구형을 이루고 있고, 상기 제2연신부(1133)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따른 종단면은 제형을 이루고 있다. 상기 제2연신부(1133)의 넓이는 상기 제2본체부(1131)로부터 멀어질수록 점점 작아진다. 상기 제2연신부(1133)의 상기 제2본체부(1131)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이는, 상기 제1연신부(1113)의 상기 제1본체부(1111)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이와 같게 되어 있다.
상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)은 지지대(50)에 의해 연결되어 있다. 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)은 높이가 같지만, 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113)의 높이보다 낮게 되어 있다.
상기 제3전극(131)은 상기 제2전극(113)과 유사한 구조를 가지고 있다. 즉, 상기 제3전극(131)은, 제3본체부(1311)와, 상기 제3본체부(1311)의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 안으로 경사지게 연신되어 형성된 제3연신부(1313)를 포함하고 있다. 상기 제3본체부(1311)의 두께는 상기 제1본체부(1111) 또는 상기 제2본체부(1131)의 두께와 같게 되어 있으며, 상기 제3본체부(1311)의 상기 제3본체부(1311)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이는 상기 제2연신부(1133)의 상기 제2본체부(1131)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이보다 작게 되어 있다.
상기 제4전극(133)은 상기 제1전극(111)과 유사한 구조를 가지고 있다. 즉, 상기 제4전극(133)은, 제4본체부(1331)와, 상기 제4본체부(1331)의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 안으로 경사지게 연신되어 형성된 제4연신부(1333)를 포함하고 있다. 상기 제4본체부(1331)의 두께는 상기 제1본체부(1111) 또는 상기 제2본체부(1131)의 두께와 같게 되어 있으며, 상기 제4연신부(1333)의 상기 제4본체부(1331)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이는 상기 제1연신부(1113)의 상기 제1본체부(1111)의 아랫면으로부터 아래 방향을 따라 연신된 높이보다 작게 되어 있다.
상기 기판(20)은 종방향을 따라 길게 연신된 길다란 판모양으로 되어 있고, 그 양단에 상기 기판(20)을 관통한 제1수용부(201) 및 제2수용부(202)가 형성되어 있으며, 상기 기판(20)의 중앙부분에 상기 기판(20)을 관통하지 않는 제3수용부(203) 및 제4수용부(204)가 형성되어 있다. 상기 제1수용부(201), 상기 제2수용부(202), 상기 제3수용부(203) 및 상기 제4수용부(204)의 치수는 각각 대응되는 상기 제1전극(111), 상기 제2전극(113), 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 치수와 같게 되어 있으며, 상기 제1전극조합(11) 및 상기 제2전극조합(13)은 상기 제1수용부(201), 상기 제2수용부(202), 상기 제3수용부(203) 및 상기 제4수용부(204)에 의해 상기 기판(20)에 삽입설치되어 있다. 상기 제1수용부(201), 상기 제2수용부(202), 상기 제3수용부(203) 및 상기 제4수용부(204)의 넓이는 상기 기판(20)의 윗 표면에 있어서 아랫 표면을 향하여 점점 작아진다.
상기 제1전극(111)의 윗 표면과 상기 제2전극(113)의 윗 표면은 동일한 평면으로 되어 있으며, 상기 제1전극(111)의 아랫 표면과 상기 제2전극(113)의 아랫 표면도 동일한 평면으로 되어 있다. 상기 제3전극(131)의 윗 표면과 상기 제4전극(133)의 윗 표면은 동일한 평면으로 되어 있으며, 상기 제3전극(131)의 아랫 표면과 상기 제4전극(133)의 아랫 표면도 동일한 평면으로 되어 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1전극(111), 상기 제2전극(113), 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 윗 표면과 상기 기판(20)의 윗 표면은 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판(20) 밖으로 노출되어 있다. 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 아랫 표면과 상기 기판(20)의 아랫 표면도 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판(20) 밖으로 노출되어 있다. 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 아랫 표면은 상기 기판(20) 내부에 있다.
상기 제1본체부(1111)와 상기 제2본체부(1131)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향을 따라 연신되며 또한 상기 발광다이오드 모듈(1)의 바깥쪽에 위치한 두 측면은, 상기 기판(20)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 횡방향을 따라 연신된 두 측면과 각각 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판(20) 밖으로 노출되어 있다.
상기 제1본체부(1111)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 마주 대하고 있는 두 측면 및 상기 제2본체부(1131)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 마주 대하고 있는 두 측면은, 상기 기판(20)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 마주 대하고 있는 두 측면과 각각 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판(20) 밖으로 노출되어 있다. 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 측면은 모두 상기 기판(20) 내부에 수용되어 있다.
상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 상기 기판(20) 밖으로 노출된 아랫 표면과 상기 제1본체부(1111) 및 상기 제2본체부(1131)의 상기 기판(20) 밖으로 노출된 측면은, 땜납과 배합하는데 사용된다.
다른 실시예에 있어서는, 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 아랫 표면도 상기 기판(20) 내부에 있을 수 있는바, 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 마주 대하고 있는 두 측면이 상기 기판(20) 밖으로 노출되기만 하면 된다.
따라서, 상기 기판(20)과 상기 제1전극조합(11) 및 상기 제2전극조합(13)을 고정연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광다이오드 다이(30)의 수는 두 개이며, 그 중의 하나의 발광다이오드 다이(30)가 도선(301) 및 도선(303)에 의해 상기 제1전극(111) 및 상기 제3전극(131)에 전기적으로 연결되고, 다른 하나의 발광다이오드 다이(30)가 도선(301) 및 도선(303)에 의해 상기 제2전극(113) 및 상기 제4전극(133)에 전기적으로 연결되도록 되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 발광다이오드 다이(30)의 수는 세 개, 네 개 등 복수 개일 수 있고, 그에 대응해서 상기 제2전극조합(13)이 포함하는 전극의 수도 변화한다. 또한, 상기 발광다이오드 다이(30)는 서로 다른 색깔, 및 서로 다른 공률을 가질 수 있다.
상기 패키지층(40)은, 실리카겔(silica gel), 에폭시 수지 또는 기타 고분자재료 중의 하나로 구성된다.
상기 패키지층(40)은 상기 기판(20)의 윗 표면을 커버하고 있으며, 또한 상기 패키지층(40)의 각 측면과 상기 기판(20)의 대응되는 각 측면은 동일한 평면으로 되어 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 패키지층(40)은 당해 패키지층(40)을 관통하는 두 개의 관통구멍(41)을 포함하고 있는바, 하나의 관통구멍(41)은 상기 제1전극(111) 및 상기 제3전극(131)과 대응되게 설치되고, 다른 하나의 관통구멍(41)은 상기 제4전극(133) 및 상기 제2전극(113)과 대응되게 설치되며, 상기 두 개의 관통구멍(41)에 각각 하나의 상기 발광다이오드 다이(30)를 수용하고 있다. 상기 하나의 관통구멍(41)은 상기 패키지층(40)의 윗 표면으로부터 상기 제1전극(111) 및 상기 제3전극(131)의 윗 표면까지 상기 패키지층(40)을 경사지게 관통하고, 상기 다른 하나의 관통구멍(41)은 상기 패키지층(40)의 윗 표면으로부터 상기 제4전극(133) 및 상기 제2전극(113)의 윗 표면까지 상기 패키지층(40)을 경사지게 관통한다. 상기 관통구멍(41)의 횡단면은 타원형으로 되어 있고, 그 내부 직경은 상기 패키지층(40)의 윗 표면에 있어서 상기 패키지층(40)의 두께방향을 따라 점점 작아진다.
상기 지지대(50)는, 금속재료로 구성되고, 상기 기판(20) 내부에 수용되어 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)을 연결한다. 상기 지지대(50)와 상기 도선(301, 303)은 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)을 전기적으로 조합한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 제1전극조합(11)의 제1전극(111), 제2전극(113) 및 상기 제2전극조합(13)의 제3전극(131), 제4전극(133)의 모양과 구조는 완전히 같을 수 있으며, 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 윗 표면은 상기 기판(20) 밖으로 노출되고, 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 아랫 표면은 상기 기판(20) 내부에 수용되며, 상기 제1본체부(1111) 및 상기 제2본체부(1131)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면은 상기 기판(20) 밖으로 노출될 수 있다. 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113) 사이에 있는 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 윗 표면은 상기 기판(20) 밖으로 노출되고, 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113) 사이에 있는 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 다른 표면은 모두 상기 기판(20) 내부에 수용될 수 있다.
물론, 상기 제2전극조합(13)은 상기 제3전극(131) 또는 상기 제4전극(133)만으로 구성될 수도 있는바, 상기 제3전극(131) 또는 상기 제4전극(133)의 윗 표면이 상기 기판(20) 밖으로 노출되기만 하면 된다. 상기 제3전극(131) 또는 상기 제4전극(133)의 측면과 아랫 표면은 모두 상기 기판(20) 내부에 수용될 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여 상기 발광다이오드 모듈(1)의 제작방법을 설명한다. 상기 발광다이오드 모듈(1)의 제작방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.
제1단계: 연결틀(22)을 제공한다(도 3 내지 도 5 참조). 도 4는 도 3에 도시된 연결틀의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 연결틀의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도이다.
상기 연결틀(2)은, 도선 프레임(22), 상기 도선 프레임(22) 내에 서로 간격을 두고 설치된 제1전극조합(11) 및 제2전극조합(13), 상기 제1전극조합(11) 및 상기 제2전극조합(13)과 상기 도선 프레임(22)을 연결시키는 지지대(50)를 포함하고 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 연결틀(2) 내의 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)의 수는 각각 4개이며, 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)은 모두 상기 도선 프레임(22)과 서로 간격을 두고 배설되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 연결틀(2) 내의 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)의 수는 수요에 따라 결정할 수 있다.
상기 도선 프레임(22)은, 금속재료로 구성되고, 구형모양을 이루고 있다. 상기 도선 프레임(20)의 각 변의 높이는, 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)의 두께와 같다.
상기 지지대(50)는 복수개의 연결부(51, 52, 53)를 포함하고 있다. 상기 지지대(50)는, 상기 복수개의 연결부(51, 52, 53)에 의해, 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)을 상기 연결틀(2) 내에 연결고정시킨다. 상기 도선 프레임(22)의 안쪽 가장자리 가까이에 있는 상기 제1전극(111), 상기 제2전극(113), 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)의 바깥쪽은 상기 연결부(51)에 의해 상기 도선 프레임(22)의 안쪽에 연결되고, 상기 도선 프레임(22)의 종방향을 따라 서로 간격을 두고 설치된 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133) 사이는 상기 연결부(53)에 의해 연결되며, 상기 도선 프레임(22)의 횡방향을 따라 서로 간격을 두고 설치된 상기 제1전극(111)들 사이, 상기 제2전극(113)들 사이, 상기 제3전극(131)들 사이 및 상기 제4전극(133)들 사이는 상기 연결부(55)에 의해 연결된다.
제2단계: 상기 연결틀(2) 내의 간격 유지 영역에 기판(20)을 형성하되, 상기 제1전극조합(11)과 상기 제2전극조합(13)이 상기 기판(20)에 삽입설치되도록 한다(도 6 참조). 상기 제1전극(111) 및 상기 제2전극(113)은 각각 상기 기판(20)의 제1수용부(201) 및 제2수용부(202) 내에 수용되어 있다. 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113)의 윗 표면은 모두 상기 기판(20)의 윗 표면으로부터 밖으로 노출되어 있다. 상기 제3전극(131) 및 상기 제4전극(133)은 각각 상기 기판(20)의 제3수용부(203) 및 제4수용부(204) 내에 수용되어 있다. 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)의 윗 표면은 모두 상기 기판(20)의 윗 표면으로부터 밖으로 노출되어 있고, 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)의 아랫 표면과 측면은 모두 상기 기판(20) 내부에 수용되어 있다.
제3단계: 상기 연결틀(2) 위에 상기 연결틀(2)을 커버하는 패키지층(40)을 형성하고, 상기 패키지층(40)의 관통구멍(41)이 상기 제1전극(111), 상기 제3전극(131) 및 상기 제2전극(113), 상기 제4전극(133)과 대응되도록 한다(도 7 참조).
제4단계: 복수개의 발광다이오드 다이(30)를 제공하되, 복수개의 상기 발광다이오드 다이(30)가 금속도선(301, 303)에 의해 상기 제1전극(111), 상기 제3전극(131) 및 상기 제2전극(113), 상기 제4전극(133)에 전기적으로 연결되도록 하고, 또한 각각의 상기 발광다이오드 다이(30)가 상기 관통구멍(41)에 수용되도록 한다(도 8 참조). 상기 발광다이오드 다이(30)의 발광효과를 개선하기 위하여, 상기 관통구멍(41) 내에 상기 발광다이오드 다이(30)를 커버하는 패키지층을 형성하고 있는데, 상기 패키지층은 상기 발광다이오드 다이(30)의 발광특성에 따라 형광분말을 포함할 수도 있다. 본 실시예에 있어서, 복수개의 상기 발광다이오드 다이(30)는 모두 같은 것이다. 다른 실시예에 있어서, 복수개의 상기 발광다이오드 다이(30)는 실수요에 따라 서로 다른 색깔 또는 서로 다른 공률의 발광다이오드 다이를 선택할 수 있다.
제5단계: 상기 도선 프레임(22)과 상기 기판(20)을 절단하되, 상기 제1전극(111)의 제1본체부(1111) 및 상기 제2전극(113)의 제2본체부(1131)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 두 측면과 대응되는 상기 기판(20)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면이 각각 동일한 평면으로 되도록 하고, 또한 상기 제1전극(111)의 제1본체부(1111) 및 상기 제2전극(113)의 제2본체부(1131)의 상기 발광다이오드 모듈(1)의 종방향을 따라 연신된 두 측면이 상기 기판(20)으로부터 밖으로 노출되도록 한다(도 9 참조). 더욱 상세하게는, 도 9에 도시된 점선에 따라 상기 도선 프레임(22)과 상기 기판(20)을 절단하여 복수개의 상기 발광다이오드 모듈(1)을 형성한다.
물론, 실수요에 따라 다른 절단방식을 선택할 수도 있는바, 그에 따라서 치수가 다른 발광다이오드 모듈을 형성함으로써, 제작효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 코스트를 절약할 수 있다.
본 발명의 발광다이오드 모듈(1)에 있어서는, 상기 제1전극(111)의 제1본체부(1111)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면이 대응되는 상기 기판(20)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면으로부터 밖으로 노출되어 있고, 상기 제2전극(113)의 제2본체부(1131)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면이 대응되는 상기 기판(20)의 서로 마주 대하고 있는 두 측면으로부터 밖으로 노출되어 있으며, 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)은 그 윗 표면을 제외한 다른 표면이 모두 상기 기판(20) 내부에 수용되어 있다. 이 때문에, 상기 기판(20)의 측면으로부터 밖으로 노출된 상기 제1전극(111)의 제1본체부(1111)의 측면과 상기 제2전극(113)의 제2본체부(1131)의 측면을 전기회로기판에 납땜할 때, 상기 제3전극(131)과 상기 제4전극(133)은 상기 기판(20)에 막혀 땜납과 점착되지 않고, 또한 상기 제2전극조합(13)은 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113) 사이에 끼워 넣어져 상기 제1전극(111)과 상기 제2전극(113) 사이의 거리가 비교적 길어지므로 그 위의 땜납도 쉽게 연결되지 않게 되는바, 이로써 상기 발광다이오드 모듈(1)의 단락을 방지할 수 있고, 상기 발광다이오드 모듈(1)의 안전성을 제고할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시형태를 사용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
1 --- 발광다이오드 모듈
2 --- 연결틀
11 --- 제1전극조합
13 --- 제2전극조합
20 --- 기판
30 --- 발광다이오드 다이
40 --- 패키지층
41 --- 관통구멍
50 --- 지지대
51, 53, 55 --- 연결부
111 --- 제1전극
113 --- 제2전극
131 --- 제3전극
133 --- 제4전극
201 --- 제1수용부
202 --- 제2수용부
203 --- 제3수용부
204 --- 제4수용부
1111 --- 제1본체부
1113 --- 제1연신부
1131 --- 제2본체부
1133 --- 제2연신부
1311 --- 제3본체부
1313 --- 제3연신부
1331 --- 제4본체부
1333 --- 제4연신부

Claims (9)

  1. 기판과, 상기 기판 내에 삽입설치된 제1전극조합 및 제2전극조합과, 상기 제1전극조합 및 상기 제2전극조합에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 다이를 포함하되, 상기 제1전극조합은 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있는 상기 제2전극조합은 제3전극을 포함하는 발광다이오드 모듈에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되고, 상기 제3전극의 측면은 상기 기판 내부에 있으며, 상기 발광다이오드 다이는 상기 제1전극, 상기 제2전극 및 상기 제3전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 아랫 표면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되고, 상기 제3전극의 아랫 표면은 상기 기판 내부에 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 제1본체부와 상기 제1본체부의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 연신되어 형성된 제1연신부를 포함하고, 상기 제2전극은 제2본체부와 상기 제2본체부의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 연신되어 형성된 제2연신부를 포함하며, 상기 제3전극은 제3본체부와 상기 제3본체부의 아랫면 중앙부분으로부터 아래 방향을 따라 연신되어 형성된 제3연신부를 포함하되, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 마주 대하고 있는 두 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되고, 상기 제3본체부의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 마주 대하고 있는 두 측면은 상기 기판 내부에 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1연신부와 상기 제2연신부의 아랫 표면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되어 있고, 상기 제3연신부의 아랫 표면은 상기 기판 내부에 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극조합은, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있으며 또한 상기제3전극과 서로 간격을 두고 설치되어 상기 제3전극과 전기적으로 연결된 제4전극을 더 포함하되, 상기 제4전극의 측면이 상기 기판 내부에 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 발광다이오드 다이의 수는 두 개이며, 하나의 발광다이오드 다이는 상기 제1전극과 상기 제3전극에 전기적으로 연결되고, 다른 하나의 발광다이오드 다이는 상기 제2전극과 상기 제4전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제3전극과 상기 제4전극의 상기 발광다이오드 모듈의 횡방향을 따라 연신된 넓이는, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상기 발광다이오드 모듈의 횡방향을 따라 연신된 넓이보다 작게 되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1전극, 상기 제2전극, 상기 제3전극 및 상기 제4전극의 윗 표면과 상기 기판의 윗 표면은 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판 밖으로 노출되어 있으며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 아랫 표면과 상기 기판의 아랫 표면은 동일한 평면으로 되어 있고 또한 상기 기판 밖으로 노출되어 있으며, 상기 제3전극 및 상기 제4전극의 아랫 표면은 상기 기판 내부에 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈.
  9. 도선 프레임과, 상기 도선 프레임 내에 서로 간격을 두고 설치된 제1전극조합 및 제2전극조합과, 상기 제1전극조합 및 상기 제2전극조합과 상기 도선 프레임을 연결시키는 지지대를 포함하고 있는 연결틀을 제공하되, 상기 제1전극조합이 서로 간격을 두고 설치된 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 있는 상기 제2전극조합이 제3전극을 포함하도록 하는 단계;
    상기 연결틀 내의 간격 유지 영역에 기판을 형성하되, 상기 기판의 양단에 제1수용부와 제2수용부가 형성되고, 상기 기판의 중앙부분에 제3수용부가 형성되며, 상기 제1전극은 상기 제1수용부에 수용되고, 상기 제2전극은 상기 제2수용부에 수용되며, 상기 제3전극은 상기 제3수용부에 수용되고, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 측면은 상기 기판으로부터 밖으로 노출되며, 상기 제3전극의 측면은 상기 기판 내부에 있도록 하는 단계;
    복수개의 발광다이오드 다이를 제공하되, 복수개의 상기 발광다이오드 다이가 금속도선에 의해 상기 제1전극, 상기 제3전극 및 상기 제2전극에 전기적으로 연결되도록 하는 단계; 및
    상기 도선 프레임과 상기 기판을 절단하되, 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 두 측면과 대응되는 상기 기판의 마주 대하고 있는 두 측면이 각각 동일한 평면으로 되도록 하고, 또한 상기 제1전극 및 상기 제2전극의 상기 발광다이오드 모듈의 종방향을 따라 연신된 두 측면이 상기 기판으로부터 밖으로 노출되도록 하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈의 제작방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105280779A (zh) * 2014-07-15 2016-01-27 深圳市斯迈得光电子有限公司 一种led封装结构
CN105870291A (zh) * 2015-01-21 2016-08-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组及其制造方法
WO2016204163A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
TWI658609B (zh) * 2017-11-07 2019-05-01 欣新開發有限公司 表面黏著型雷射二極體及其製程

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04168778A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード、発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードランプ
JP2556486Y2 (ja) * 1991-02-20 1997-12-03 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージ
JP2503074Y2 (ja) * 1991-03-14 1996-06-26 株式会社小糸製作所 チップ型発光ダイオ―ドの取付構造
JP2000294832A (ja) * 1999-04-05 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 発光ダイオード装置及びその製造方法
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
TWI346395B (en) * 2007-03-02 2011-08-01 Advanced Optoelectronic Tech Packaging structure of laser diode surface mount device and fabricating method thereof
JP2008251664A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US7871842B2 (en) * 2008-10-03 2011-01-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package
TWI528508B (zh) * 2008-10-13 2016-04-01 榮創能源科技股份有限公司 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US10431567B2 (en) * 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
CN101826516B (zh) * 2009-03-02 2012-06-13 展晶科技(深圳)有限公司 侧面出光型发光组件封装结构及其制造方法
KR101041503B1 (ko) 2009-11-06 2011-06-16 우리엘이디 주식회사 반도체 발광소자 패키지
JP2011151239A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Toppan Printing Co Ltd Led用リードフレーム及びledモジュールの製造方法
CN102473827A (zh) * 2010-01-29 2012-05-23 株式会社东芝 Led封装及其制造方法
CN102971383B (zh) * 2010-06-11 2014-11-12 株式会社艾迪科 含硅固化性组合物、该含硅固化性组合物的固化物及由该含硅固化性组合物形成的引线框基板
CN102456826A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架
CN103682019B (zh) * 2012-09-21 2017-04-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法

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