KR20120040107A - 절삭 지석 - Google Patents

Abstract

본 발명은 사파이어 웨이퍼와 같은 경질 취성 재료라 하더라도 이지러짐없이 절삭 가능한 절삭 지석을 제공하는 것을 과제로 한다.
붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 함유한 절삭 지석으로서, 이 절삭 지석은 전기 주조 지석, 레진 본드 지석, 메탈 본드 지석, 비트리파이드 본드 지석 중 어느 하나로 구성된다.

Description

절삭 지석{CUTTING GRINDSTONE}

본 발명은 경질 취성 재료를 절삭하기에 적합한 절삭 지석에 관한 것이다.

단파장의 청색이나 자외선을 발광하는 레이저 다이오드(LD)나 발광 다이오드(LED) 등의 발광 디바이스는, 예를 들어 사파이어 웨이퍼 상에 질화갈륨(GaN)의 에피택셜층을 성장시킴으로써 제조되고 있다.

사파이어 웨이퍼는 모스 경도가 비교적 높아 절삭 블레이드에 의한 분할이 어렵기 때문에, 레이저 빔의 조사에 의해 개개의 발광 디바이스로 분할되고, 분할된 발광 디바이스는 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 널리 이용되고 있다.

레이저 빔을 이용하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 발광 디바이스로 분할하는 방법으로서, 이하에 설명하는 제1 및 제2 가공 방법이 알려져 있다. 제1 가공 방법은, 사파이어 웨이퍼에 대하여 어블레이션(ablation) 가공을 실시하는 파장(예를 들어 355 nm)의 레이저 빔을 분할 예정 라인에 대응하는 영역에 조사하여 어블레이션 가공으로 분할 홈을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 발광 디바이스로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 공개 평10-305420호 공보 참조).

제2 가공 방법은, 사파이어 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예를 들어 1064 nm)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치 결정하고, 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 조사하여 웨이퍼 내부에 변질층을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 발광 디바이스로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 제3408805호 공보 참조).

일본 특허 공개 평10-305420호 공보 일본 특허 제3408805호 공보

그러나, 전술한 제1 및 제2 가공 방법을 수행하는 레이저 가공 장치는 절삭 장치에 비해 매우 고가라서, 경비 압박의 문제가 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적하는 바는 사파이어 웨이퍼와 같은 경질 취성 재료라 하더라도 이지러짐의 발생없이 절삭 가능한 절삭 지석을 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면, 피가공물을 절삭하는 절삭 지석으로서, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 절삭 지석이 제공된다.

바람직하게는, 절삭 지석은 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정한 전기 주조 지석으로 구성된다. 또는, 절삭 지석은 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 레진 본드, 비트리파이드 본드, 메탈 본드 중 어느 하나에 혼련하여 소결한 소결 지석으로 구성된다.

본 발명은, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립으로 절삭 지석을 구성하기 때문에, 사파이어 웨이퍼, 탄화실리콘 웨이퍼, 합성 석영판 등의 경질 취성 재료를 절삭할 경우, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립의 윤활성과 내열성에 의해 충격력이 완화되고, 지립의 마모가 억제되어, 절삭 홈의 표면 및 이면에 이지러짐의 발생없이 양호하게 절삭할 수 있다.

도 1은 본 발명의 절삭 지석을 채택할 수 있는 절삭 장치의 외관 사시도이다.
도 2는 스핀들의 선단부와 스핀들에 고정되어야 할 블레이드 마운트와의 관계를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 스핀들의 선단에 고정된 블레이드 마운트와 블레이드 마운트에 장착되어야 할 허브 블레이드와의 관계를 나타내는 분해 사시도이다.
도 4는 허브 블레이드가 스핀들에 장착된 상태의 사시도이다.
도 5는 스핀들에 고정된 블레이드 마운트와 블레이드 마운트에 장착되어야 할 링형 절삭 블레이드와의 관계를 나타내는 분해 사시도이다.
도 6은 절삭 유닛의 사시도이다.
도 7의 (A)는 본 발명 제1 실시형태의 전기 주조 지석으로 절삭한 사파이어 웨이퍼의 현미경 사진, 도 7의 (B)는 종래의 전기 주조 지석으로 절삭한 사파이어 웨이퍼의 현미경 사진이다.
도 8의 (A)는 본 발명 제2 실시형태의 레진 본드 지석으로 절삭한 사파이어 웨이퍼의 현미경 사진, 도 8의 (B)는 종래의 레진 본드 지석으로 절삭한 사파이어 웨이퍼의 현미경 사진이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 절삭 지석을 장착해서 사파이어 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 칩(발광 디바이스)으로 분할할 수 있는 절삭 장치(2)의 외관을 나타내고 있다.

절삭 장치(2)의 전면(前面)측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 수단(4)이 설치된다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 수단에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 수단(6)이 설치된다.

다이싱 대상인 사파이어 웨이퍼의 표면에서는, 잘 알려진 바와 같이 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 형성되어 있고, 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 LED, LD 등의 발광 디바이스가 형성된다.

웨이퍼(W)는 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)에 점착되고, 다이싱 테이프(T)의 외측 둘레 가장자리부는 환상 프레임(F)에 점착된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(T)를 개재하여 프레임(F)에 지지된 상태가 되고, 도 1에 나타낸 웨이퍼 카세트(8) 내에 웨이퍼가 복수장(예를 들어 25장) 수용된다. 웨이퍼 카세트(8)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된다.

웨이퍼 카세트(8)의 후방에는, 그 웨이퍼 카세트(8)로부터 절삭전의 웨이퍼(W)를 반출하고, 절삭후의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트(8)에 반입하는 반출ㆍ반입 수단(10)이 설치된다. 웨이퍼 카세트(8)와 반출ㆍ반입 수단(10) 사이에는, 반츨ㆍ반입 대상인 웨이퍼가 일시적으로 배치되는 영역인 임시 배치 영역(12)이 마련되고, 임시 배치 영역(12)에는, 웨이퍼(W)를 일정한 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 수단(14)이 설치된다.

임시 배치 영역(12)의 근방에는, 웨이퍼(W)와 일체가 된 프레임(F)을 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 수단(16)이 설치되고, 임시 배치 영역(12)에 반출된 웨이퍼(W)는 반송 수단(16)에 의해 흡착되어 척테이블(18) 상에 반송되며, 이 척테이블(18)에 흡인되고 복수의 클램프(19)에 의해 프레임(F)이 클램핑됨으로써 척테이블(18) 상에 유지된다.

척테이블(18)은 회전 가능하고 X축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되고, 척테이블(18)의 X축 방향의 이동 경로의 위쪽에는, 절삭해야 할 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인을 검출하는 얼라인먼트 수단(20)이 설치된다.

얼라인먼트 수단(20)은 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 수단(22)을 포함하며, 촬상에 의해 취득된 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 처리에 의해 절삭해야 할 분할 예정 라인을 검출할 수 있다. 촬상 수단(22)에 의해 취득된 화상은 표시 수단(6)에 표시된다.

얼라인먼트 수단(20)의 좌측에는, 척테이블(18)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 절삭 가공을 실시하는 절삭 유닛(24)이 설치된다. 절삭 유닛(24)은 얼라인먼트 수단(20)과 일체적으로 구성되고, 양자가 연동하여 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동한다.

절삭 유닛(24)은 회전 가능한 스핀들(26)의 선단에 절삭 블레이드(28)가 장착되어 구성되고, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 절삭 블레이드(28)는 촬상 수단(22)의 X축 방향의 연장선 상에 위치한다.

도 2를 참조하면, 스핀들과, 스핀들에 장착되는 블레이드 마운트와의 관계를 나타내는 분해 사시도가 도시되어 있다. 스핀들 유닛(30)의 스핀들 하우징(32) 내에는, 도시하지 않은 서보 모터에 의해 회전 구동하는 스핀들(26)이 회전 가능하게 수용된다. 스핀들(26)은 테이퍼부(26a) 및 선단 소직경부(26b)를 갖고 있고, 선단 소직경부(26b)에는 수나사(34)가 형성된다.

도면 부호 36은 보스부(볼록부; 38)와, 보스부(38)와 일체적으로 형성된 고정 플랜지(40)로 구성되는 블레이드 마운트이며, 보스부(38)에는 수나사(42)가 형성된다. 또한, 블레이드 마운트(36)는 장착 구멍(43)을 갖고 있다.

블레이드 마운트(36)는 장착 구멍(43)을 스핀들(26)의 선단 소직경부(26b) 및 테이퍼부(26a)에 삽입하고, 너트(44)를 수나사(34)에 나사 결합하여 체결함으로써, 도 3에 나타낸 바와 같이 스핀들(26)의 선단부에 부착된다.

도 3은 블레이드 마운트(36)가 고정된 스핀들(26)과, 절삭 블레이드(28)의 장착 관계를 나타내는 분해 사시도이다. 절삭 블레이드(28)는 허브 블레이드라고 불리며, 원형 허브(48)를 갖는 원형 베이스(46)의 외측 둘레에, 니켈 모재 중에 붕소(B)를 도핑한 다이아몬드 지립이 분산된 절삭 지석(절삭 날; 50)이 전착되어 구성된다.

붕소를 도핑한 다이아몬드 지립은, 예컨대 일본 특허 공표 제2006-502955호에 개시되어 있는 분말 셀 방법에 의해 제조된다. 이 분말 셀 방법에서는, 그래파이트와, 촉매 또는 용매 금속과, 임의의 다이아몬드 종결정과, 붕소원으로 충분히 고밀도인 혼합물을 형성한다. 이 혼합물을 다이아몬드를 제조하기에 충분히 고온 고압인 분위기 속에서 정해진 시간 동안 유지하고, 다이아몬드 구조 내의 탄소 원자를 붕소로 치환하여 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 제조할 수 있다.

절삭 블레이드(28)의 장착 구멍(52)을 블레이드 마운트(36)의 보스부(38)에 삽입하고, 고정 너트(54)를 보스부(38)의 수나사(42)에 나사 결합하여 체결함으로써, 도 4에 나타낸 바와 같이 절삭 블레이드(28)가 스핀들(26)에 부착된다.

도 5를 참조하면, 링형 또는 와셔형의 절삭 블레이드(56)를 스핀들(26)에 장착하는 양태를 나타내는 분해 사시도가 도시되어 있다. 절삭 블레이드(56)는 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 레진 본드에 혼련하여 소결한 소결 지석으로 구성된다.

레진 본드는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등으로 구성된다. 본 실시형태에서는, 레진 본드로서 페놀 수지를 사용하고, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 페놀 수지에 혼련하여 와셔 블레이드 형상으로 성형하고, 소결 온도 180℃?200℃에서 7 내지 8시간 소결하여 전체가 소결 지석으로 이루어진 절삭 블레이드(56)를 제조했다.

소결 지석은 레진 본드 소결 지석에 한정되지 않고, 메탈 본드 소결 지석 또는 비트리파이드 본드 소결 지석을 채택할 수도 있다. 메탈 본드 소결 지석은, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 메탈 본드에 혼련하여 와셔 블레이드 형상으로 성형하고, 소결 온도 600℃?700℃에서 약 1시간 소결하여 형성된다. 여기서, 메탈 본드로는, 구리와 주석 합금인 브론즈를 주성분으로 하고, 코발트, 니켈 등을 미량 혼입한 것을 채택하는 것이 바람직하다.

비트리파이드 본드 소결 지석은, 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 비트리파이드 본드 중에 혼련하여 와셔 블레이드 형상으로 성형하고, 소결 온도 700℃?800℃에서 약 1시간 소결하여 형성된다. 여기서, 비트리파이드 본드로는, 이산화규소(SiO₂)를 주성분으로 하고, 장석 등을 약간 혼입한 것을 채택하는 것이 바람직하다.

블레이드 마운트(36)의 보스부(38)에 절삭 블레이드(56)를 삽입하고, 또한 착탈 플랜지(58)를 보스부(38)에 삽입해서, 고정 너트(54)를 수나사(42)에 나사 결합하여 체결함으로써, 절삭 블레이드(56)는 고정 플랜지(40)와 착탈 플랜지(58) 양측 사이에 끼워져 스핀들(26)에 부착된다.

도 6을 참조하면, 절삭 블레이드로서 제1 실시형태의 허브 블레이드(28)를 채택한 절삭 유닛(24)의 확대 사시도가 도시되어 있다. 도면 부호 60은 절삭 블레이드(28)를 덮는 블레이드 커버이며, 이 블레이드 커버(60)에는 절삭 블레이드(28)의 측면을 따라서 신장되는 도시하지 않은 절삭수(水) 노즐이 부착된다. 절삭수가 파이프(72)를 통해 도시하지 않은 절삭수 노즐에 공급된다.

도면 부호 62는 착탈 커버이며, 나사(64)에 의해 블레이드 커버(60)에 부착된다. 착탈 커버(62)는 블레이드 커버(60)에 부착되었을 때, 절삭 블레이드(28)의 측면을 따라서 신장되는 절삭수 노즐(70)을 갖는다. 절삭수는 파이프(74)를 통해 절삭수 노즐(70)에 공급된다.

도면 부호 66은 블레이드 검출 블록이며, 나사(68)에 의해 블레이드 커버(60)에 부착된다. 블레이드 검출 블록(66)에는 발광부 및 수광부를 포함하는 도시하지 않은 블레이드 센서가 부착되어 있고, 이 블레이드 센서에 의해 절삭 블레이드(28)의 절삭 지석(50)의 상태를 검출한다.

블레이드 센서에 의해 절삭 지석(50)의 결함 등을 검출한 경우에는, 절삭 블레이드(28)를 새로운 절삭 블레이드로 교환한다. 도면 부호 76은 블레이드 센서의 위치를 조정하기 위한 조정 나사이다.

실시예 1

붕소를 도핑한 평균 입자 직경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 혼입한 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에서 도 3에 나타낸 바와 같은 허브 블레이드의 외측 둘레를 전기 주조하여, 평균 입자 직경 5 ㎛의 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 체적비로 15?20% 함유한 두께 30 ㎛의 전기 주조 지석을 제조했다.

이 전기 주조 지석을 갖는 허브 블레이드(28)를 스핀들(26)에 장착하고, 스핀들 회전수 10000 rpm, 절입 깊이 30 ㎛, 이동 속도 10 mm/초로 두께 100 ㎛의 사파이어 웨이퍼를 절삭했다.

절삭후의 2개의 절삭 홈이 형성된 사파이어 웨이퍼를 표면측에서 본 상태의 현미경 사진이 도 7의 (A)에 나타나 있다. 배율은 200배이다. 이 도면에서 분명한 바와 같이, 절삭 홈의 양측에 이지러짐은 거의 발생하지 않았다.

또, 전기 주조 지석의 마모량은 2.5 ㎛/(1 m당)이며, 마모량이 종래의 전기 주조 지석에 비해 1/2로 저감된 것이 판명되었다. 또한, 이 전기 주조 지석을 갖는 허브 블레이드(28)에서는, 절삭 개시로부터 약 15초만에 부하 전류치가 안정되었다.

(비교예 1)

평균 입자 직경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 혼입하여 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에서 허브 블레이드의 외측 둘레를 전기 주조하여, 평균 입자 직경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 15?20% 함유한 두께 30 ㎛의 전기 주조 지석을 갖는 허브 블레이드(28)를 제조했다.

이 허브 블레이드를 스핀들(26)의 선단에 장착하여, 실시예 1과 동일한 조건으로 사파이어 웨이퍼를 절삭했다. 절삭후의 2개의 절삭 홈이 형성된 사파이어 웨이퍼를 표면측에서 본 상태의 현미경 사진이 도 7의 (B)에 나타나 있다. 배율은 200배이다.

이 도면에서 분명한 바와 같이, 절삭 홈의 양측에 비교적 큰 이지러짐이 많이 발생하여, 이 전기 주조 지석을 외측 둘레에 갖는 절삭 블레이드는 사파이어 웨이퍼의 절삭에 적합하지 않은 것이 판명되었다.

이 전기 주조 지석의 마모량은 5.5 ㎛/(1 m당)이며, 실시예 1의 전기 주조 지석의 마모에 비해 약 2배의 속도로 마모되는 것이 판명되었다. 또, 이 종래의 전기 주조 지석에 의한 절삭에서는, 부하 전류치가 좀처럼 안정되지 않고, 안정될 때까지 장시간을 요했다.

실시예 2

페놀 수지를 포함하는 레진 본드에, 평균 입자 직경 5 ㎛의 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립(체적비 10?20%)과 필러로서 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자(체적비 35?25%)를 혼입하여 와셔 형상으로 성형했다. 이 성형체를 180℃의 소결 온도에서 약 8시간 소결하여 두께 200 ㎛의 와셔형 레진 본드 지석을 제조했다.

이 레진 본드 지석을 스핀들에 장착하여, 스핀들 회전수 20000 rpm, 절입 깊이 1080 ㎛, 이동 속도 15 mm/초로 두께 1000 ㎛의 합성 석영 기판을 절삭했다. 절삭후의 합성 석영 기판을 이면에서 촬영한 상태의 현미경 사진이 도 8의 (A)에 나타나 있다. 배율은 200배이다. 도 8의 (A)에 나타내는 이면측뿐만 아니라 표면측에도 이지러짐이 거의 발생하지 않은 것이 확인되었다.

이 레진 본드 지석의 마모량은 3 ㎛/(1 m당)이며, 종래의 레진 본드 지석에 비해 마모량이 약 1/2로 저감된 것이 판명되었다. 또, 이 레진 본드 지석을 갖는 절삭 블레이드에 의하면, 절삭 개시로부터 약 10초만에 부하 전류치가 안정되었다.

실시예 3

브론즈를 주성분으로 하고, 코발트 및 니켈을 약간 혼입한 메탈 본드에, 평균 입자 직경 5 ㎛의 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립(체적비 10?20%)과 필러로서 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자(체적비 35?25%)를 혼입하여 와셔 형상으로 성형했다.

이 성형체를 700℃의 소결 온도에서 약 1시간 소결하여 두께 200 ㎛의 와셔 형상의 메탈 본드 지석을 제조했다. 이 메탈 본드 지석을 스핀들에 장착하여, 실시예 2와 동일한 조건으로 합성 석영 기판을 절삭한 결과, 합성 석영 기판의 표면측 및 이면측에 이지러짐이 거의 발생하지 않은 것을 확인했다.

이 메탈 본드 지석의 마모량은 2.5 ㎛/(1 m당)이며, 종래의 메탈 본드 지석에 비해 마모량이 약 1/2로 저감된 것이 판명되었다. 또, 이 메탈 본드 지석을 갖는 절삭 블레이드에 의하면, 절삭 개시로부터 약 10초만에 부하 전류치가 안정되었다.

실시예 4

이산화규소를 주성분으로 하고, 장석을 약간 혼입한 비트리파이드 본드에, 평균 입자 직경 5 ㎛의 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립(체적비 10?20%)과 필러로서 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자(체적비 35?25%)를 혼입하여 와셔 형상으로 성형했다.

이 성형체를 700℃의 소결 온도에서 약 1시간 소결하여 두께 200 ㎛의 와셔 형상의 비트리파이드 본드 지석을 제조했다. 이 비트리파이드 본드 지석을 스핀들에 장착하여, 실시예 2와 동일한 조건으로 합성 석영 기판을 절삭한 결과, 합성 석영 기판의 표면측 및 이면측에 이지러짐이 거의 발생하지 않은 것을 확인했다.

이 비트리파이드 본드 지석의 마모량은 3 ㎛/(1 m당)이며, 종래의 비트리파이드 본드 지석에 비해 마모량이 약 1/2로 저감된 것이 판명되었다. 또, 이 비트리파이드 본드 지석을 갖는 절삭 블레이드에 의하면, 절삭 개시로부터 약 10초만에 부하 전류치가 안정되었다.

(비교예 2)

페놀 수지로 형성된 레진 본드에. 평균 입자 직경 5 ㎛의 다이아몬드 지립(체적비 10?20%)과 필러로서 평균 입자 직경 1 ㎛의 SiC 입자(체적비 35?25%)를 혼입하여 와셔 형상으로 성형했다.

이 성형체를 180℃의 소결 온도에서 약 8시간 소결하여 두께 200 ㎛의 레진 본드 지석을 제조했다. 이 레진 본드 지석을 스핀들에 장착하여, 실시예 2와 동일한 조건으로 합성 석영 기판을 절삭했다.

절삭후의 합성 석영 기판의 이면측의 현미경 사시도가 도 8의 (B)에 나타나 있다. 배율은 100배이다. 이 도면에서 분명한 바와 같이, 합성 석영 기판의 이면측에 비교적 큰 이지러짐이 많이 발생하여, 종래의 레진 본드 지석이 합성 석영 기판의 절삭에 적합하지 않은 것이 판명되었다.

종래의 레진 본드 지석의 마모량은 6.5 ㎛/(1 m당)이며, 실시예 2의 레진 본드 지석에 비해 그 마모가 약 2배의 속도로 진행되는 것이 확인되었다. 또, 이 레진 본드 지석을 갖는 절삭 블레이드에 의하면, 절삭 개시로부터 부하 전류치가 좀처럼 안정되지 않고, 안정될 때까지 장시간을 요했다.

2 : 절삭 장치 18 : 척테이블
24 : 절삭 유닛 26 : 스핀들
28 : 절삭 블레이드 50 : 절삭 지석
56 : 절삭 블레이드

Claims (3)

1. 피가공물을 절삭하는 절삭 지석에 있어서,
   붕소를 도핑한 다이아몬드 지립에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 절삭 지석.
2. 제1항에 있어서, 상기 절삭 지석은 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정한 전기 주조 지석으로 구성되는 것인 절삭 지석.
3. 제1항에 있어서, 상기 절삭 지석은 붕소를 도핑한 다이아몬드 지립을 레진 본드, 비트리파이드 본드, 메탈 본드 중 어느 하나에 혼련하여 소결한 소결 지석으로 구성되는 것인 절삭 지석.

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