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KR20120034948A - 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법 - Google Patents

기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법 Download PDF

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KR20120034948A
KR20120034948A KR1020100096349A KR20100096349A KR20120034948A KR 20120034948 A KR20120034948 A KR 20120034948A KR 1020100096349 A KR1020100096349 A KR 1020100096349A KR 20100096349 A KR20100096349 A KR 20100096349A KR 20120034948 A KR20120034948 A KR 20120034948A
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KR
South Korea
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substrate
drying
liquid
unit
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020100096349A
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김영후
이광욱
박승율
이근택
전용명
권용범
고현진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to US13/242,442 priority patent/US20120080061A1/en
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Abstract

기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징과, 상기 하우징 내부에 기판을 회전시킬 수 있도록 설치되는 회전지지부와, 상기 기판으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부의 상부에 위치하는 노즐부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부를 포함한다.

Description

기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법{APPARATUS FOR DRYING A SUBSTRATE AND METHOD FOR PERFORMING THE SAME USING THEREOF}
본 발명은 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 패턴이 형성된 기판의 세정 및 건조를 수행하기 위한 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중에서 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막 등을 제거하는 공정으로, 최근 반도체 기판상에 형성되는 패턴이 미세화되고, 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 커짐에 따라 점차 중요도가 높아지고 있다.
이러한 세정 공정 및 건조 공정을 수행하는 장치는 배치 타입의 기판 건조 장치와 싱글 타입의 기판 건조 장치로 구분된다. 배치 타입의 기판 건조 장치는 세워진 복수의 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 지지부가 탈이온수와 같은 세척액에 잠기게 한 후, 세척액의 상면에 이소프로필알콜을 제공한다. 제공된 이소프로필알콜은 탈이온수의 상부에 계면을 형성하게 되는데, 세척액과 이소프로필알콜을 배출하거나, 웨이퍼 지지부를 상방으로 이동시켜 웨이퍼 표면을 건조한다. 이와 같은 배치 타입은 일회의 공정에 의해 다수의 웨이퍼 건조 작업을 수행할 수 있다는 장점이 있으나, 웨이퍼 표면의 패턴이 미세화되면서 미세 패턴 사이에 형성되어 있는 탈이온수를 제거하지 못하여 건조 효율이 악화되는 등의 문제가 발생한다. 따라서, 날로 미세화되는 웨이퍼 표면의 미세 패턴을 효율적으로 건조시키기 위해 싱글 타입의 기판 건조 장치가 제안된 바 있다.
싱글 타입의 기판 건조 장치는 공정시 낱장의 웨이퍼를 순차적으로 세정한다. 보통 싱글 타입 기판 건조 장치는 스핀척에 웨이퍼를 안착시켜 일정속도로 회전시킨 후 회전되는 웨이퍼 표면으로 다양한 종류의 약액 및 가스를 분사하여 웨이퍼를 세정한다. 이러한 싱글 타입의 기판 건조 장치는 배치 타입에 비해 미세 패턴 사이의 세척액 제거 및 건조에 효율적이나, 미세 패턴 특히 종횡비(Aspect Ratio)가 큰 패턴의 경우 예를 들어 DRAM 미세 캐패시터와 같이 폭에 비해 높이가 큰 패턴은 건조 공정이 진행되면서 패턴 사이에 잔류하는 탈이온수에 의해 패턴 상호 간에 밀착되는 소위 패턴 붕괴(Pattern Leaning)가 발생하여 기판의 불량률이 높아지게 된다. 이는 잔류하는 탈이온수의 큰 표면장력이 패턴 사이에 전달되어 패턴이 쏠리는 현상이 발생하게 된다. 이와 같은 패턴 쏠림 현상은 패턴이 미세화 될수록 특히 종횡비가 큰 패턴일수록 표면장력에 의한 영향이 크기 때문에 변형이 더 쉽게 일어난다. 따라서, 이와 같은 기판 불량을 유발하는 탈이온수 또는 약액에 의한 표면장력을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 패턴에 전달되는 기판 불량을 유발하는 표면장력을 감소시키는 기판 건조 장치 및 이를 이용한 기판 건조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징과, 상기 하우징 내부에 기판을 회전시킬 수 있도록 설치되는 회전지지부와, 상기 기판으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부의 상부에 위치하는 노즐부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치는, 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징과, 상기 하우징 내부에 기판을 회전시킬 수 있도록 설치되고, 상기 기판 상에 형성된 패턴이 하부를 향하고 배면이 상부를 향하도록 상기 기판을 지지하는 회전지지부와, 상기 기판으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부의 하부에 위치하는 노즐부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부와, 상기 노즐부로 상기 기판을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부를 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법은, 패턴이 형성된 회전하는 기판의 전면에 세척액을 제공하는 단계와, 상기 기판의 전면 중앙부와 외곽부 사이를 이동하며 건조액을 분사하는 단계와, 상기 기판의 전면에 건조액을 분사하면서 동시에 상기 기판을 가열하는 단계와, 상기 기판을 고속 회전시켜 건조액을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 온도에 따른 표면장력의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치의 배출 시스템 및 이소프로필알콜 리사이클 시스템을 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시에에 따른 기판 건조 장치의 세척액공급부 및 건조액공급부의 구조를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치의 노즐부의 구성을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 도 1 내지 도 9을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치를 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치는 제1 높이로 형성된 제1 차단벽(12)으로 둘러싸인 하우징(10)과, 상기 하우징(10) 내부에 기판(W)을 회전시킬 수 있도록 설치되는 회전지지부(20)와, 상기 기판(W)으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부(20)의 상부에 위치하는 노즐부(30)와, 상기 노즐부(30)로 상기 기판(W)을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부(50)와, 상기 노즐부(30)로 상기 기판(W)을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부(60)를 포함한다.
먼저, 하우징(10)은 내부에 반도체 기판(W)을 세정 및 건조하는 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(10)은 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 하우징(10)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)이 상기 공간으로 반입 또는 상기 공간으로부터 반출되도록 하기 위한 통로로 이용될 수 있다. 또는 하우징(10)의 상부는 개폐가 가능한 형태의 도어부(미도시)를 구비하여 세정 및 건조 작업 동안에는 외부와 차단되도록 할 수 있다. 하우징(10)을 감싸는 형태로 형성된 제1 차단벽(12)은 소정의 높이인 제1 높이로 형성된다. 제1 차단벽(12)은 후술하는 바와 같이 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 하우징(10) 외부로 세척액 또는 건조액이 새어나가지 않도록 차단하는 역할을 수행한다. 따라서, 제1 차단벽(12)의 상단 일부는 도시된 바와 같이 내측으로 소정의 각도만큼 꺾인 형태로 형성될 수 있다. 하우징(10)의 하부 바닥면에는 제1 배출구(14)가 형성되어 있다. 제1 배출구(14)는 오염물질 등을 포함하는 세척액 또는 초과 공급된 건조액이 하우징(10) 외부로 배출될 수 있는 통로 역할을 수행한다. 제1 배출구(14)는 후술하는 바와 같이 재생순환부(70)와 연결되어 세척액에 비해 비교적 고가의 건조액을 리사이클 할 수 있다.
회전지지부(20)는 하우징(10) 내부에 구비되어 있으며, 기판(W)이 움직이지 않도록 고정하는 역할을 수행함과 동시에 기판(W)을 일정한 속도로 회전하게 한다. 회전지지부(20)로는 스핀척(spin chuck)이 사용될 수 있다. 회전지지부(20)는 회전가능하게 구비되어 기판(W)을 회전시키는 스핀헤드(22), 스핀헤드(22)의 회전 중심을 이루는 회전축(24) 및 회전축(24)을 회전시키는 구동부(미도시)를 포함한다. 스핀헤드(22)는 대체로 원통형상으로 이루어진다. 스핀헤드(22)는 세정 및 건조 공정시 기판(W)을 지지하는 상부면을 가진다. 회전축(24)의 일단은 스핀헤드(22)의 하부 중앙과 결합되고, 타단은 구동기와 결합된다. 스핀헤드(22)에 고정되는 기판(W)은 패턴이 형성된 전면이 상부를 향하고 그 반대면인 배면이 하부를 향하도록 장착된다. 후술하는 바와 같이 구동기를 포함하는 회전지지부(20)는 수직방향으로 상하 이동이 가능하게 설치되어 기판(W)의 높이가 조절되도록 할 수 있다.
미세패턴이 형성된 기판(W)은 탈이온수와 같은 세척액에 의해 세척된 후, 세척에 사용된 탈이온수를 이소프로필알콜과 같은 건조액에 의해 치환하는 방식으로 세척액을 제거한다. 탈이온수는 이소프로필알콜에 비해 표면장력이 크기 때문에, 표면장력 차이에 의한 마란고니 효과를 이용하여 세척액을 제거한다. 이때, 세척액이 완전히 제거되지 않고 패턴 사이에 잔류하게 되면, 세척액의 표면장력으로 인해 미세 패턴 특히 종횡비가 큰 미세 패턴이 일정 간격으로 유지되지 못하고 패턴이 붕괴되는 현상이 발생하게 된다. 패턴 붕괴를 방지하기 위해서는 패턴에 가해지는 표면장력을 낮출 필요가 있는데, 이를 해결하기 위해서는 잔류하는 세척액의 양을 감소시키거나 세척액의 표면장력을 낮추는 방법이 있다. 또는 세척액의 양을 감소시키면서 세척액의 표면장력을 낮추는 방법을 동시에 사용할 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 유체의 표면장력은 유체의 온도가 높아질수록 작아지게 된다. 따라서, 세척액의 온도를 높이게 되면, 세척액의 표면장력이 낮아지므로, 그에 따라 세척액으로부터 미세 패턴에 전달되는 표면장력이 낮아지므로 미세 패턴이 붕괴되는 현상을 억제할 수 있다. 또한, 세척액의 온도가 높아지게 되면 세척액 분자의 운동에너지가 증가되어 확산이 잘 일어나게 되므로, 미세 패턴 사이에 잔류하는 세척액은 건조액에 의해 용이하게 치환될 수 있다. 뿐만 아니라, 세척액을 제거하기 위해 기판(W)에 분사되는 건조액의 온도를 높여주면, 건조액의 표면장력도 낮아지게 되므로 마란고니 효과가 증대되어 세척액을 보다 효율적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 패턴에 잔류하는 세척액의 양을 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 감소한 세척액의 양 만큼 전체 표면장력의 총합이 감소하며 미세 패턴에 전달되는 표면장력 또한 낮아지게 된다. 따라서, 미세 패턴 특히 종횡비가 큰 미세 패턴이 붕괴되는 현상을 억제할 수 있게 된다.
다시 도 1을 참고하면, 노즐부(30)는 세정 및 건조 공정시 기판(W)을 세정하기 위한 유체인 세척액과 기판(W)을 건조하기 위한 유체인 건조액을 공급한다. 노즐부(30)는 노즐몸체(32) 및 복수의 분사노즐(34)을 포함한다. 노즐몸체(32)는 세척액공급부(50) 또는 건조액공급부(60)로부터 유체를 공급받아 각각의 분사노즐로 이송시킨다. 세정 공정에서는 복수의 분사노즐(34)에서 세척액이 분사되어 기판(W)를 세정하고, 세정 후 건조 공정에서는 복수의 분사노즐(34)에서 건조액이 분사되어 기판(W)에 남아있는 세척액을 제거한다. 특히 앞서 설명한 바와 같이, 노즐부(30)로부터 고온의 세척액 또는 고온의 건조액을 분사할 경우에는 상온의 세척액 및 건조액에 비해 고온 바람직하게는 50℃ 이상의 세척액 및 건조액의 표면장력이 낮기 때문에, 세척액이 쉽게 기판(W)으로부터 제거되므로 얼룩이 남지 않고, 세척액으로 인해 패턴에 기해지는 표면장력이 감소하기 때문에 종횡비가 큰 미세패턴이 쏠리거나 휘어져서 기판의 불량을 발생시키는 패턴 붕괴(Pattern Leaning) 현상을 방지할 수 있다. 도시된 바로는 하나의 노즐부(30)에 2개의 분사노즐(34)이 형성되어 있고 각 분사노즐(34)은 각각 세척액공급부(50)와 건조액공급부(60)와 연결된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 세척액과 건조액은 동시에 분사되지 않고 시차를 두고 분사되기 때문에, 복수의 분사노즐(34)이 모두 세척액공급부(50) 및 건조액공급부(60)와 연결되어, 복수의 분사노즐(34)에서 세척액이 분사되거나 건조액이 분사되도록 구성될 수도 있다. 노즐부(30)는 노즐구동부(미도시)에 의해 수직 방향으로 상하 이동하여 노즐부(30)와 기판(W)의 거리를 조절할 수 있으며 수평 방향으로 좌우 이동하여 분사노즐(34)의 기판(W) 상의 위치를 조절할 수 있도록 구성될 수 있다. 뿐만 아니라, 분사노즐(34)은 2개 이상 구비될 수 있으며, 복수의 분사노즐(34) 중 하나의 분사노즐(34)은 기판(W)의 중앙에 분사할 수 있도록 위치하고, 다른 분사노즐(34)은 기판(W)의 외곽에 분사할 수 있도록 구성될 수 있다. 고온의 유체를 분사할 경우에는 직접 분사되는 기판(W) 영역과 분사되지 않는 기판(W) 영역 간의 온도차가 발생하여 세척 및 건조 효과가 균일하지 못할 수 있으며, 온도가 낮은 영역에서의 표면장력이 증가하여 일부 패턴 붕괴가 발생할 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 회전하는 기판(W)의 중앙에 분사하는 분사노즐(34)과 기판(W)의 외곽에 분사하는 분사노즐(34)을 구비하여 기판(W) 전체에 유체가 골고루 분사되어 온도 편차를 최소화할 수 있다.
기판가열부(40)는 회전지지부(20)의 일면에 구비되거나 별도로 구비되어 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 기판(W)을 가열하게 되면, 기판(W)에 잔류하는 세척액의 온도가 함께 상승하게 되어, 예를 들어 탈이온수와 같은 세척액의 표면장력이 낮아지게 되고, 건조액이 분사될 경우 건조액이 세척액을 용이하게 치환하여 세척액을 기판(W)으로부터 제거할 수 있다. 기판가열부(40)는 노즐 형태로 구비되어 세척액공급부(50) 또는 건조액공급부(60)로부터 가열된 유체를 공급받아 기판(W)의 배면에 분사하여 기판(W)의 온도를 상승시킬 수 있다. 또는 기판가열부(40)는 세척액공급부(50)와 건조액공급부(60) 이외에 다른 추가공급부(미도시)를 통해 가열된 유체를 공급받아 분사하도록 구성될 수도 있다. 기판가열부(40)를 구성하는 노즐은 복수로 구비되어 기판(W)의 배면 영역 중 다수의 영역에 동시에 50℃ 이상의 고온의 유체를 분사하여, 기판(W)의 배면 중에서 노즐에 의해 고온의 유체가 직접 분사되는 영역과 그 외의 영역의 온도차가 발생하지 않도록 구성될 수도 있다. 이와 같이 기판가열부(40)가 노즐 형태로 구비될 경우에는 해당 노즐이 회전지지부(20)의 상부로 노출되어, 기판(W)이 회전지지부(20)에 의해 회전되는 동안에 지속적으로 기판(W)의 배면에 고온의 유체를 분사하여 기판(W) 온도를 일정하게 유지할 수 있으며, 간접적으로 기판(W)의 패턴 사이에 잔류하는 세척액의 온도를 높여 세척액의 표면장력을 낮출 뿐만 아니라 건조액이 분사될 경우 건조액과 잔류 세척액의 치환이 용이하도록 하여 잔류 세척액을 효과적으로 제거할 수 있다.
다른 예로, 기판가열부(40)는 기판(W)에 열을 전달하는 가열 플레이트 형태일 수 있다. 즉, 직접적으로 열을 발산하는 가열 플레이트와 기판(W)을 밀착 또는 인접하게 위치하도록 구성하여, 가열 플레이트로부터 발산된 열이 기판(W)에 전달되어 기판(W)의 온도가 상승하도록 할 수 있다. 이와 같이 구성되는 경우 기판가열부(40)가 기판(W)의 배면 이외에도 전면의 일부에 위치하여 기판(W)을 가열하도록 할 수 있다.
또 다른 예로, 기판가열부(40)는 기판(W)에 레이저를 조사하여 가열하는 형태일 수 있다. 에너지 준위가 높은 레이저가 기판(W)의 영역을 조사하면 조사된 영역의 에너지 준위가 상승하여 온도가 상승하게 된다. 이와 같은 경우, 기판가열부(40)는 기판(W)에 밀착되지 않아도 무방하며, 기판(W)과 이격되어 기판의 전면 또는 배면과 일정한 거리만큼 이격된 곳에 위치할 수 있다.
세척액공급부(50)는 탈이온수 또는 약액으로 구성된 세척액을 노즐(30)로 공급한다. 반도체 소자 또는 반도체 칩 등을 제조하기 위하여는 일반적으로 실리콘으로 형성되는 기판(웨이퍼)을 반도체 장비를 이용하여 처리한다. 이러한 기판은 통상적으로 리소그래피, 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체소자 제조공정을 거치면서 기판의 표면에는 화합물 또는 분진 등과 같은 이물질 또는 오염물질이 잔재하게 되는데, 반도체 소자의 품질을 향상시키기 위해서는, 세척 및 건조 등과 같은 세정 공정을 통해 웨이퍼 표면에 잔재하는 오염물질을 완전히 제거하여야한다. 따라서, 세척액공급부(50)로부터 세척액을 노즐부(30)로 공급하고, 노즐부(30)로부터 기판(W)으로 세척액이 분사되어 기판 표면의 이물질을 세척하게 된다.
건조액공급부(60)는 이소프로필알콜 또는 이와 유사한 물질로 구성된 세척액을 노즐(30)로 공급한다. 세척 공정을 위해 사용된 세척액 특히 탈이온수(DE-IONIZED WATER; DIW)를 사용한 경우에는, 탈이온수가 실리콘으로 구성된 기판(W)의 표면을 용해시키는 성질을 갖고 있기 때문에, 세척 공정후 탈이온수의 물 반점(WATER SPOT)이 형성되지 않도록 웨이퍼를 완전히 건조시켜야 한다. 뿐만 아니라 앞서 설명한 것처럼, 미세 패턴이 세척액의 표면장력으로 인해 붕괴되지 않도록, 표면장력이 상대적으로 작은 건조액이 표면장력이 큰 세척액을 치환하게 된다. 따라서, 세척액은 기판(W)의 외부로 제거된다. 특히, 기판(W)은 회전지지부(20)에 의해 일정한 속도 대략 300rpm 이상으로 회전하기 때문에 치환되어 떨어져나온 세척액은 원심력을 받아서 기판(W)의 반지름방향으로 이동하게 되어 결국 기판(W)으로부터 제거된다. 앞서 설명한 바와 같이, 세척액을 치환하는 건조액의 온도를 높이게 되면 세척액의 표면장력이 더 낮아지게 되어 세척액을 치환하는 효과가 향상될 수 있다.
이어서, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 하우징(10)은 제1 차단벽(12)의 내측 영역에 높이가 상이한 제2 차단벽(16) 및 제2 차단벽(16)으로 둘러싸인 내부 공간에 제2 배출구(18)를 더 포함할 수 있다. 하우징(10)에 형성된 제1 및 제2 차단벽(12, 16)과 제1 및 제2 배출구(14, 18) 및 상하 높이 조절이 가능한 회전지지부(20)는 건조액 리사이클 시스템을 구성한다.
앞서 설명한 바와 같이, 회전지지부(20)는 상하로 높이 조절이 가능하게 구비되는데, 기판(W)에 노즐부(30)로부터 탈이온수와 같은 세척액이 분사될 경우에는 회전지지부(20)의 높이를 낮춰서 오염물질을 포함하는 세척액이 기판(W)의 원심력에 의해 제2 차단벽(16)을 따라 제2 배출구(18)로 향하게 한다. 제2 배출구(18)로 배출되는 세척액은 오염물질을 포함하므로 이를 수거하여 적절하게 폐기할 수 있으며, 정화필터(미도시)를 설치하여 오염물질은 제거하고 세척액을 다시 세척액공급부(50)로 순화시킬 수도 있다.
한편, 기판(W)에 세척액 공급을 중단한 후, 공급된 세척액을 완전히 제거(치환)하기 위해 기판(W)에 건조액을 분사한다. 세척액을 분사하는 초기 공정에는 세척액과 건조액이 혼합된 용액이 배출되므로, 상기 혼합된 용액은 제2 차단벽(16)을 따라 제2 배출구(18)로 배출시킨다. 세척액이 일정 이상 제거된 후에는 기판(W)으로부터 원심력에 의해 제거되는 용액은 대체로 이소프로필알콜과 같은 건조액이므로, 세척액이 비해 고가의 건조액은 그냥 배출시키지 않고 리사이클 시킨다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 세척액이 일정 이상 제거된 후에는 기판(W)을 지지하는 회전지지부(20)의 높이를 높일 경우에는 원심력에 의해 기판(W)으로부터 이탈된 건조액이 제2 차단벽(16)의 위를 통과하여 제2 차단벽(16)보다 높게 형성된 제1 차단벽(12)에 의해 차단되어 제1 배출구(14)로 향하게 된다. 이와 같이 하우징(10)이 서로 높이가 다른 제1 차단벽(12) 및 제2 차단벽(16)을 구비함으로써, 선택적으로 용액을 분리하여 고가의 건조액을 리사이클 시킬 수 있다. 위와 구성에서, 회전지지부(20)는 높이가 고정되고, 제1 및 제2 차단벽(12, 16)의 높낮이가 조절가능하게 구성될 수도 있다. 즉, 제2 배출구(18)로 오염물질을 포함하는 세척액을 배출시키기 위해서는 제2 차단벽(16)의 높이를 상승시킬 수 있다. 반대로, 제1 배출구(14)로 건조액을 배출시켜 재순환 시키기 위해서는 제2 차단벽(16)의 높이를 낮출 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 배출구(14)와 연결된 관의 중간 부분에는 제1 배출구(14)로 배출된 건조액을 수거하여 건조액공급부(60)로 재순환시키는 재생순환부(70)를 더 포함할 수 있다. 재생순환부(70)의 내부에는 건조액을 걸러내는 필터(미도시) 및 필터를 통과한 건조액을 다시 건조액공급부(60)로 보내기 위한 공급펌프(미도시)를 포함할 수 있다. 필터는 분자량에 의해 세척액과 건조액을 분리하는 제올라이트 분리막(zeolite membrane)을 포함할 수 있다.
위와 같이 하우징(10)에 형성된 제1 및 제2 차단벽(12, 16)과 제1 및 제2 배출구(14, 18), 상하 높이 조절이 가능한 회전지지부(20) 및 재생순환부(70)에 의해 구성되는 건조액 리사이클 시스템으로 인해 일회의 분사 후 외부로 배출되는 고가의 건조액을 재활용하여 생산비용을 감축시킬 수 있다.
이어서 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치의 세척액공급부(50) 및 건조액공급부(60)의 구성을 설명한다.
먼저 도 6을 참조하면, 세척액공급부(50)의 내부 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 앞서 설명한 바와 같이 세척액의 온도가 상승하면 표면장력이 낮아지면서 세척 및 건조 효과가 상승하기 때문에 세척액공급부(50)는 세척액을 일정한 온도 이상 바람직하게 50℃ 이상으로 노즐부(30)에 공급한다. 세척액은 주로 탈이온수를 사용하는데, 탈이온수의 경우에는 직접 가열하는 방식을 사용해도 무방하기 때문에, 외부로부터 공급된 탈이온수를 가열하는 제1 유체가열부(52)에 통과시켜 탈이온수의 온도를 직접적으로 높일 수 있다.
반면 도 7을 참조하면, 건조액공급부(60)의 내부 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 앞서 설명한 바와 같이 건조액의 온도가 상승하면 표면장력이 낮아지면서 세척액을 제거 또는 치환하는 효과가 상승하기 때문에 건조액공급부(50)는 건조액을 일정한 온도 이상 바람직하게 50℃ 내지 80℃의 범위로 노즐부(30)에 공급한다. 건조액은 주로 이소프로필알콜을 사용하는데, 이소프로필알콜은 세척액으로 사용되는 탈이온수와 달리 온도가 80℃ 이상으로 가열될 경우에는 대기중에서 발화되어 안전사고가 발생할 우려가 있으므로, 50℃ 내지 80℃ 사이의 온도를 유지하도록, 물 등의 매개로 중탕하는 식으로 간접 가열한다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 건조액공급부(60) 내부에는 물이 채워져 있고, 그 중간에는 하나 이상의 가열봉(62)으로 물을 가열한다. 외부로부터 공급된 건조액의 공급관은 가열봉(62)과 인접하여 지나갈 수 있으며, 가열봉(62)에 의해 가열된 물에 의해 온도가 상승하게 된다. 건조액공급부(60)의 내부를 관통하는 건조액의 공급관의 길이가 길수록 온도 상승의 효과가 크기 때문에 원하는 온도 범위에 맞게 적절히 공급관의 길이를 조절할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 가열된 세척액 또는 건조액을 노즐부(30)에 공급하게 되는데, 원하는 온도범위로 가열된 세척액 또는 건조액이 노즐부(30)로 이동하면서 온도가 하강할 수 있다. 따라서, 세척액공급부(50)와 노즐부(30)의 사이에 제1 분배부(54)를 포함할 수 있으며, 건조액공급부(60)와 노즐부(30)의 사이에 제2 분배부(64)를 포함할 수 있다. 제1 분배부 및 제2 분배부(54, 64)는 각각 노즐부(30)로 공급되는 세척액과 건조액의 온도를 감지하여 일정 온도 범위를 벗어난 경우, 세척액 또는 건조액을 각각 세척액공급부(50) 또는 건조액공급부(60)로 회송한다. 특히, 제1 및 제2 분배부(54, 64)가 노즐부(30)에 인접하게 구비될 경우 노즐부(30)에 공급되는 최종 온도를 용이하게 제어할 수 있으므로, 제1 및 제2 분배부(54, 64)는 노즐부(30)에 인접하게 설치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 노즐부(30)의 변형된 예가 도시되어 있다. 즉, 노즐부(30)를 통해 분사되는 가열된 유체가 동시에 기판(W)에 고르게 전달되어 표면장력을 낮추는 효과를 얻기 위해서, 노즐부(30)는 바 타입(bar type)의 노즐을 포함할 수 있다. 즉, 노즐부(30)의 일단의 길이가 기판(W)의 반경 또는 직경과 동일할 경우에는 300rpm 이상으로 회전하는 기판(W)의 전 영역 온도를 고르게 상승시킬 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치를 설명한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치는 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징(10)과, 상기 하우징(10) 내부에 기판(W)을 회전시킬 수 있도록 설치되고, 상기 기판(W) 상에 형성된 패턴이 하부를 향하고 배면이 상부를 향하도록 상기 기판(W)을 지지하는 회전지지부(20)와, 상기 기판(W)으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부(20)의 하부에 위치하는 노즐부(30)와, 상기 노즐부(30)로 상기 기판(W)을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부(50)와, 상기 노즐부(30)로 상기 기판(W)을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부(60)를 포함한다.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치는 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 전면이 아래를 향하고 배면이 위를 향하도록 고정되어 있다. 따라서, 기판(W)의 전면을 세정 및 건조하기 위한 노즐부(30)가 기판(W)의 하부에 형성되어 있다. 그 외의 구성은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 장치와 모두 동일하다.
이와 같이 기판(W)이 반대로 고정되어 있는 경우에는 세척액이 기판 전면으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판(W)이 정위치로 고정되어 있는 경우, 세척 과정을 마친 후 건조액을 기판(W)의 전면에 분사하게 된다. 한편, 앞서 설명한 바와 같이, 건조액에 의한 세척액 제거 또는 치환 효과를 극대화하기 위해서는 기판(W)의 온도를 높여서 기판(W)에 잔존하는 세척액의 온도를 상승시켜 표면장력을 낮추는 것이 필요하다. 이때, 기판가열부(40)가 고온의 탈이온수를 기판(W)의 배면에 분사하여 가열하는 방식인 경우에는, 고온의 탈이온수가 분사된 후 기판(W)의 원심력에 의해 외각으로 이동하게 되는데, 일부의 탈이온수는 기판(W)의 원주에서 전면으로 역행하게 된다. 따라서, 이러한 현상을 방지하기 위해 기판(W) 전면에 건조액을 분사하면서 동시에 기판(W) 배면에 세척액을 분사하는 과정 후, 먼저 기판(W) 배면에 세척액을 분사하는 과정을 중단하고 일정 시간 동안 기판(W) 전면에 건조액을 분사하여 배면으로부터 전면으로 역행하는 세척액을 원심력에 의해 반지름방향으로 이동하는 건조액 입자에 의해 밀어냄으로써, 역행하는 세척액을 차단하는 과정을 수행하게 된다. 따라서, 기판(W)의 배면에 고온의 세척액을 분사하는 시간이 그만큼 줄어들게 되므로, 기판(W)의 온도증가 효과가 둔화될 수 있으며, 특히 기판(W) 배면에 세척액을 분사하는 과정을 중단하고, 역행하는 세척액을 차단하기 위해 기판(W)의 전면에만 건조액을 분사하는 공정 동안 기판(W)의 온도가 감소하게 되어 그만큼 표면장력이 증가하게 된다.
이를 방지하기 위해, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 건조 장치는 기판(W)을 반대로 고정시킨다. 즉, 기판(W) 상에서 패턴이 형성된 전면을 하부로 향하게 하고 그 반대면인 배면을 상부로 향하게 하면, 기판(W)의 원주를 따라 역행하는 세척액을 차단할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 배면에 고온의 세척액을 분사하는 과정을 중단할 필요없이, 기판(W)의 전면에 건조액을 분사하는 공정이 종료될 때까지 기판(W)의 배면에 세척액을 분사할 수 있기 때문에, 상기 일 실시예에와 달리 온도 감소를 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 도 11 및 도 12를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법을 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 건조 방법은 패턴이 형성된 회전하는 기판의 전면에 세척액을 제공하는 단계와(S10), 상기 기판의 전면 중앙부와 외곽부 사이를 이동하며 건조액을 분사하는 단계와(S20), 상기 기판의 전면에 건조액을 분사하면서 동시에 상기 기판을 가열하는 단계와(S30), 상기 기판을 고속 회전시켜 건조액을 제거하는 단계(S40)를 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 일련의 반도체소자 제조공정을 거치면서 기판의 표면에는 화합물 또는 분진 등과 같은 이물질 또는 오염물질이 잔재하기 때문에, 먼저, 300rpm 내지 1000rpm으로 회전하는 기판의 전면에 탈이온수와 같은 세척액을 분사하여 기판의 전면을 세척한다(S10). 오염물질을 제거하는 단계에서는 탈이온수의 온도를 상온으로 유지할 수도 있으며, 앞서 설명한 바와 같이 제1 유체가열부에 의해 50℃ 이상으로 가열된 고온의 세척액을 분사할 수도 있다.
오염물질이 제거되면, 세척액을 제거하여 기판을 건조시키기 위해 기판의 표면에 세척액의 공급을 중단하고, 이소프로필알콜과 같은 건조액을 분사한다(S20). 앞서 설명한 바와 같이 표면장력을 낮춰서 기판에 잔류하는 세척액을 보다 효율적으로 제거할 수 있도록 건조액의 온도는 50℃ 내지 80℃로 가열된 상태로 공급되는 것일 수 있다. 건조액을 분사하는 초기단계에서는 기판 전체에 균일하게 건조액이 도포되어 기판 표면에 잔류하는 오염물질에 의해 기판의 표면이 불균일하게 손상되는 것을 방지하기 위해, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이 기판의 전면 중앙부와 외곽부 사이를 2 내지 3회 정도 왕복하면서 건조액을 분사하게 할 수 있다.
다음으로, 기판의 전면에 건조액을 분사하면서 동시에 기판을 가열한다(S30). 기판을 가열하면, 기판의 패턴에 잔류하는 세척액의 온도를 높여서 결국 세척액의 표면장력을 낮추게 되어 잔류 세척액이 기판으로부터 쉽게 제거될 수 있다. 기판을 가열하는 방법은 앞서 설명한 바와 같이, 가열된 고온의 세척액을 기판의 배면에 분사하거나, 가열된 고온의 건조액을 기판의 배면에 분사하거나, 기판에 레이저를 조사하거나, 기판에 가열 플레이트를 통해 열을 전달하는 방법이 하나 이상 사용될 수 있다.
한편, 기판을 가열하는 방법에서 가열된 고온의 세척액을 기판의 배면에 분사하는 방식을 사용한 경우에는 본 단계 후에 배면에 세척액 공급을 중단한 상태에서 기판의 전면에만 건조액을 분사하는 과정이 추가로 진행될 수 있다. 앞서 살펴본 바와 같이, 배면에 고온의 세척액을 공급하여 기판의 온도를 높이는 경우에는 세척액의 일부가 기판의 원주면을 따라 역행하여 기판의 전면으로 향할 수 있다. 따라서 이를 방지하기 위해 먼저 배면의 세척액 공급을 중단하고, 일정 시간 동안 기판의 전면에만 건조액을 분사하여 배면으로부터 역행하는 세척액을 기판 외부로 밀어낼 수 있다. 배면에 공급된 세척액이 모두 제거된 후 다음 단계를 수행할 수 있다.
다음으로, 건조액의 공급을 중단하고, 기판을 고속으로 회전시켜 건조액을 제거한다(S40). 전 단계에서 세척액을 제거하기 위해 분사된 건조액의 분사를 중단하고, 기판의 회전속도를 500rpm 내지 2000rpm으로 상승시켜 잔류하는 건조액을 제거한다. 건조액의 경우에는 기본적으로 표면장력이 낮을 뿐만 아니라 가열하여 온도를 상승시킨 건조액이 기판에 도포된 상태이므로, 기판으로부터 쉽게 이탈되어 건조 작업이 마무리될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 하우징
20: 회전지지부
30: 노즐부
40: 기판가열부
50: 세척액공급부
60: 건조액공급부

Claims (36)

  1. 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징과,
    상기 하우징 내부에 기판을 회전시킬 수 있도록 설치되는 회전지지부와,
    상기 기판으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부의 상부에 위치하는 노즐부와,
    상기 노즐부로 상기 기판을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부와,
    상기 노즐부로 상기 기판을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부를 포함하는 기판 건조 장치.
  2. 제1 높이로 형성된 제1 차단벽으로 둘러싸인 하우징과,
    상기 하우징 내부에 기판을 회전시킬 수 있도록 설치되고, 상기 기판 상에 형성된 패턴이 하부를 향하고 배면이 상부를 향하도록 상기 기판을 지지하는 회전지지부와,
    상기 기판으로 유체를 제공하도록 상기 회전지지부의 하부에 위치하는 노즐부와,
    상기 노즐부로 상기 기판을 세척하기 위한 세척액을 제공하는 세척액공급부와,
    상기 노즐부로 상기 기판을 건조시키기 위한 건조액을 제공하는 건조액공급부를 포함하는 기판 건조 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세척액은 탈이온수인 기판 건조 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세척액의 온도는 50℃ 이상인 기판 건조 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세척액공급부는 세척액을 가열하는 제1 유체가열부를 포함하는 기판 건조 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 세척액공급부는 상기 노즐부에 인접하게 설치되어 세척액의 온도를 감지하여, 50℃ 이하인 경우 세척액을 제1 유체가열부로 회송하는 제1 분배부를 더 포함하는 기판 건조 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 건조액은 이소프로필알콜인 기판 건조 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 건조액의 온도는 50℃ 내지 80℃인 기판 건조 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 건조액공급부는 건조액을 가열하는 제2 유체가열부를 포함하는 기판 건조 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 유체가열부는 고온수에 의해 건조액을 간접 가열시키는 기판 건조 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 건조액공급부는 상기 노즐부에 인접하게 설치되어 건조액의 온도를 감지하여, 50℃ 이하인 경우 건조액을 제2 유체가열부로 회송하는 제2 분배부를 더 포함하는 기판 건조 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 제1 차단벽 내측 영역에 상기 제1 높이와 다른 제2 높이로 형성된 제2 차단벽을 더 포함하고, 상기 제1 차단벽과 제2 차단벽 사이의 하우징 바닥면에는 제1 배출구가 형성되는 기판 건조 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 차단벽의 높이가 제2 차단벽의 높이보다 높은 기판 건조 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 회전지지부는 높이가 조절 가능한 기판 건조 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 차단벽은 높이가 조절 가능한 기판 건조 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 배출구와 연결되어, 상기 제1 배출구로 배출된 건조액을 수거하여 재순환시키는 재생순환부를 더 포함하는 기판 건조 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 재생순환부는 건조액을 걸러내는 필터를 포함하는 기판 건조 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 필터는 제올라이트 분리막을 포함하는 기판 건조 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 제2 차단벽으로 둘러싸인 내부 공간의 하우징 바닥면에는 제2 배출구가 형성되는 기판 건조 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 배출구는 건조액에 의해 치환되어 상기 기판으로부터 이탈된 오염물질을 포함하는 세척액을 외부로 배출시키는 기판 건조 장치.
  21. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 기판가열부를 더 포함하는 기판 건조 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 기판가열부는 상기 기판의 배면에 고온의 세척액 또는 고온의 건조액을 분사하는 기판 건조 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 기판가열부는 상기 고온의 세척액 또는 고온의 건조액이 상기 기판의 배면 중앙 및 외곽에 분사되도록 하는 기판 건조 장치.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 기판가열부는 상기 기판에 열을 전달하는 가열 플레이트인 기판 건조 장치.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 기판가열부는 상기 기판에 레이저를 조사하여 가열하는 기판 건조 장치.
  26. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 노즐부는 제1 분사노즐과 제2 분사노즐을 포함하고, 상기 제1 분사노즐은 상기 기판 중앙에 건조액을 분사하고, 상기 제2 분사노즐은 상기 기판 외곽에 건조액을 분사하는 기판 건조 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 노즐부는 바 타입인 기판 건조 장치.
  28. 패턴이 형성된 회전하는 기판의 전면에 세척액을 제공하는 단계와,
    상기 기판의 전면 중앙부와 외곽부 사이를 이동하며 건조액을 분사하는 단계와,
    상기 기판의 전면에 건조액을 분사하면서 동시에 상기 기판을 가열하는 단계와,
    상기 기판을 고속 회전시켜 건조액을 제거하는 단계를 포함하는 기판 건조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 세척액은 탈이온수인 기판 건조 방법.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 세척액의 온도는 50℃ 이상인 기판 건조 장치.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 건조액은 이소프로필알콜인 기판 건조 방법.
  32. 제28항에 있어서,
    상기 건조액의 온도는 50℃ 내지 80℃인 기판 건조 장치.
  33. 제28항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 단계는 가열된 세척액을 상기 기판의 배면에 분사하는 기판 건조 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 단계 후에,
    세척액 공급을 중단한 상태에서 상기 기판의 전면에 건조액을 분사하는 단계를 더 포함하는 기판 건조 방법.
  35. 제28항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 단계는 가열된 건조액을 상기 기판의 배면에 분사하는 기판 건조 방법.
  36. 제28항에 있어서,
    상기 기판을 가열하는 단계는 상기 기판에 레이저를 조사하거나 가열 플레이트를 통해 상기 기판에 열을 전달하는 기판 건조 방법.
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