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KR20120001896A - Photoelectrode for dye-sensitized solar cell, preparing method of the same, and dye-sensitized solar cell having the same - Google Patents

Photoelectrode for dye-sensitized solar cell, preparing method of the same, and dye-sensitized solar cell having the same Download PDF

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Publication number
KR20120001896A
KR20120001896A KR1020100062510A KR20100062510A KR20120001896A KR 20120001896 A KR20120001896 A KR 20120001896A KR 1020100062510 A KR1020100062510 A KR 1020100062510A KR 20100062510 A KR20100062510 A KR 20100062510A KR 20120001896 A KR20120001896 A KR 20120001896A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transition metal
metal oxide
dye
photoelectrode
oxide layer
Prior art date
Application number
KR1020100062510A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
문준혁
신주환
조창열
진우민
강지환
Original Assignee
서강대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서강대학교산학협력단 filed Critical 서강대학교산학협력단
Priority to KR1020100062510A priority Critical patent/KR20120001896A/en
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Abstract

PURPOSE: A photoelectrode for a dye sensitive solar cell, a manufacturing method thereof, and the dye sensitive solar cell including the same are provided to control the thickness of the photoelectrode of the dye sensitive solar cell by applying a casting method and a spin coating speed. CONSTITUTION: A colloidal crystal layer is formed on a conductive transparent substrate(S100). A porous first transition metal oxide layer is formed by selectively removing the colloidal crystal layer(S200). A second transition metal oxide layer is formed on the porous surface of the first transition metal oxide layer by post-processing the porous first transition metal oxide layer with a second transition metal oxide containg-precursor solutions(S300). A photosensitive dye is absorbed in the first transition metal oxide layer with the second transition metal oxide layer on the porous surface thereof(S400).

Description

염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지{PHOTOELECTRODE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING THE SAME}Photoelectrode for dye-sensitized solar cell, method for manufacturing the same, and dye-sensitized solar cell including same TECHNICAL FIELD

본원은, 염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 구체적으로, 제 1 전이금속 산화물층 및 그의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극, 다공성 제 1 전이금속 산화물 층을 제 2 전이금속 산화물 전구체 용액으로 후처리하여 상기 제 1 전이금속 산화물 층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 상기 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.The present application relates to a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell, a method for manufacturing the same, and a dye-sensitized solar cell including the same. Specifically, the present invention includes a first transition metal oxide layer and a second transition metal oxide layer formed on a pore surface thereof. A photoelectrode for a dye-sensitized solar cell, wherein the porous first transition metal oxide layer is post-treated with a second transition metal oxide precursor solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer. The present invention relates to a dye-sensitized solar cell manufacturing method, and a dye-sensitized solar cell comprising the photoelectrode.

일반적으로 태양전지는 태양에너지를 전기에너지로 변화시키는 소자이다. 태양전지는 무한한 에너지원인 태양광을 이용해 전기를 생산하는 것으로서, 이미 우리 생활에 널리 이용되고 있는 실리콘 태양전지가 대표적이며, 최근 차세대 태양전지로 염료감응 태양전지가 연구되고 있다.In general, solar cells are devices that convert solar energy into electrical energy. Solar cells produce electricity using solar energy, which is an infinite energy source, and silicon solar cells, which are already widely used in our lives, are typical.

염료감응 태양전지는 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 발표된 것이 대표적이며[미국등록특허 제 5350644호], 구조는 두 개의 전극 중 하나의 전극은 염료가 흡착되어 있는 반도체 산화물층이 형성된 전도성 투명 기판을 포함하는 광전극이며, 상기 두 개의 전극 사이의 공간에는 전해질이 채워져 있다. 작동 원리를 살펴보면, 태양 에너지가 반도체 산화물 전극에 흡착된 염료에 의해 흡수됨으로써 광전자가 발생하며, 상기 광전자는 반도체 산화물 층을 통해 전도되어 투명 전극이 형성된 전도성 투명 기판에 전달되고, 전자를 잃어 산화된 염료는 전해질에 포함된 산화-환원 쌍에 의해 환원된다. 한편, 외부 전선을 통하여 반대편 전극(상대 전극)에 도달한 전자는 산화된 전해질의 산화-환원 쌍을 다시 환원 시켜작동 과정이 완성된다. Dye-sensitized solar cells are typical of those published by Gratzel et al. (US Pat. No. 5,350,644). The structure of the dye-sensitized solar cell is one of two electrodes. A photoelectrode including a substrate, and an electrolyte is filled in the space between the two electrodes. In the working principle, the solar energy is absorbed by the dye adsorbed on the semiconductor oxide electrode to generate photoelectrons, which are conducted through the semiconductor oxide layer and transferred to the conductive transparent substrate on which the transparent electrode is formed, and the electrons are lost and oxidized. The dye is reduced by the redox pairs contained in the electrolyte. On the other hand, the electrons that reach the opposite electrode (relative electrode) through the external wire is reduced again the oxidation-reduction pair of the oxidized electrolyte to complete the operation process.

염료감응 태양전지에서 산화물 전극은 일반적으로 다공성 메조기공을 갖는 이산화티타늄 전극이 많이 사용되며, 일반적으로 이산화티타늄 나노입자를 코팅하여 얻어진다. 메조기공은 비표면적을 증가시켜 염료흡착을 증가시켜 궁극적으로 광-전기 변환효율을 높일 수 있다. In a dye-sensitized solar cell, an oxide electrode is generally used a titanium dioxide electrode having a porous mesopores, generally obtained by coating titanium dioxide nanoparticles. Mesopores can increase dye adsorption by increasing the specific surface area and ultimately increase the photo-electric conversion efficiency.

다공성 이산화티타늄 구조체의 제조는 나노입자의 코팅뿐만 아니라 최근에 주형법을 통해서도 이루어지고 있으며, 주형법은 계면활성제 및 고분자 나노입자 등의 자기조립을 통해 틀을 만들고, 이산화티타늄을 주입하고, 틀을 제거하여 다공성 이산화티타늄 구조를 획득하는 방법이다[Advanced Functional Materials 2009, 19, p1913-1099]. The production of porous titanium dioxide structures has recently been carried out not only by coating nanoparticles, but also by using a casting method. The casting method forms a mold through self-assembly of surfactants and polymer nanoparticles, injects titanium dioxide, and molds. Removal to obtain a porous titanium dioxide structure (Advanced Functional Materials 2009, 19, p1913-1099).

그러나, 이러한 방법은 기공 제어의 재현성이 떨어지며 또한 비교적 오랜 시간(수시간)의 기공형성의 시간이 필요하다는 문제점이 있다. 또한, 구조의 부피분율이 낮아 기계적 강도가 낮고 또한 전자의 이동이 지연될 가능성이 있다.However, this method has a problem in that reproducibility of pore control is inferior and a time for pore formation of a relatively long time (several hours) is required. In addition, there is a possibility that the volume fraction of the structure is low, the mechanical strength is low, and the movement of electrons is delayed.

한편, 염료감응 태양전지의 경우 기존 태양전지에 비해 여러 계면(반도체|염료, 반도체|전해질, 반도체|투명전극, 전해질|상대전극)을 포함하고 있어 각각의 계면에서의 물리화학 작용을 이해하고 조절하는 것이 염료감응 태양전지 기술의 핵심이다. 또한, 염료감응 태양전지의 에너지 변환 효율은 광흡수에 의해 생성된 전자의 양에 비례하기 때문에, 광흡수에 의해 많은 양의 전자를 생성하기 위해서는 염료 분자의 흡착량을 증가시킬 수 있는 광전극의 제조가 요구되고 있다.On the other hand, dye-sensitized solar cells contain more interfaces (semiconductor | dye, semiconductor | electrolyte, semiconductor | transparent electrode, electrolyte | relative electrode) than the conventional solar cells, so that they understand and control the physicochemical action at each interface. Is the key to dye-sensitized solar cell technology. In addition, since the energy conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell is proportional to the amount of electrons generated by the light absorption, in order to generate a large amount of electrons by the light absorption, the photoelectrode may increase the adsorption amount of the dye molecules. Manufacturing is required.

본 발명자들은 콜로이드 결정층을 주형으로 하여 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 전구체-함유 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 공정에 의하여 염료감응 태양전지용 광전극을 형성함으로써 상기 광전극의 비표면적을 증가시키고 및 미세 구조를 조절함으로써 상기 광전극을 염료감응 태양전지에 적용하였을 때 광전효율을 향상시킬 수 있음을 발견하여 본원을 완성하였다.The present inventors post-treated the porous first transition metal oxide layer formed by using a colloidal crystal layer as a template with a second transition metal oxide precursor-containing solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer. By forming a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell by a process comprising forming the photoelectrode efficiency when the photoelectrode is applied to a dye-sensitized solar cell by increasing the specific surface area of the photoelectrode and controlling the microstructure. It was found that the present application was completed.

이에, 본원은, 염료감응 태양전지용 광전극, 그의 제조 방법, 및 그를 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 구체적으로, 제 1 전이금속 산화물 층 및 그의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극, 다공성 제 1 전이금속 산화물 층을 제 2 전이금속 산화물 전구체 용액으로 후처리하여 상기 제 1 전이금속 산화물 층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 상기 염료감응 태양전지용 광전극 의 제조 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지를 제공하고자 한다.Accordingly, the present application relates to a dye-sensitized solar cell photoelectrode, a method of manufacturing the same, and a dye-sensitized solar cell including the same, and specifically, a first transition metal oxide layer and a second transition metal oxide layer formed on the pore surface thereof. A photoelectrode for dye-sensitized solar cell, comprising post-treating a porous first transition metal oxide layer with a second transition metal oxide precursor solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer. To provide a dye-sensitized solar cell manufacturing method, and a dye-sensitized solar cell comprising the photoelectrode.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, another task that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 전도성 투명 기판 상에 콜로이드 결정층을 형성하는 단계; 상기 콜로이드 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체-함유 용액을 주입한 후 소결하여 상기 콜로이드 결정층을 선택적으로 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층이 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, one aspect of the present invention, forming a colloidal crystal layer on a conductive transparent substrate; Injecting a first transition metal oxide precursor-containing solution into the colloidal crystal layer and then sintering to selectively remove the colloidal crystal layer to form a porous first transition metal oxide layer; Post-treating the porous first transition metal oxide layer with a second transition metal oxide-containing precursor solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer; And adsorbing a photosensitive dye on the porous first transition metal oxide layer on which the second transition metal oxide layer is formed on the pore surface.

본원의 다른 측면은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극를 제공한다.Another aspect of the present disclosure includes a conductive transparent substrate, a porous transition metal oxide structure formed on the conductive transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed to the porous transition metal oxide structure, wherein the porous transition metal oxide structure includes a first transition metal. It provides a photosensitive electrode for a dye-sensitized solar cell comprising an oxide layer and a second transition metal oxide layer formed on the pore surface of the first transition metal oxide layer.

본원의 또 다른 측면은, 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서, 상기 광전극은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지를 제공한다.Another aspect of the present application, in the dye-sensitized solar cell comprising a photoelectrode, a counter electrode facing the photoelectrode, and an electrolyte positioned between the two electrodes, the photoelectrode is a conductive transparent substrate, the conductive A porous transition metal oxide structure formed on the transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed on the porous transition metal oxide structure, wherein the porous transition metal oxide structure includes pores of the first transition metal oxide layer and the first transition metal oxide layer. It provides a dye-sensitized solar cell comprising a second transition metal oxide layer formed on the surface.

본 발명에 따르면, 첫째, 콜로이드 입자의 스핀코팅 또는 캐스팅 방법을 적용하여 수 분 내에 콜로이드 결정을 형성하고 이를 적용하여 염료감응 태양전지용 전극 제조가 가능하다. 둘째, 스핀코팅의 속도 및 캐스팅 방법을 적용하여 두께가 제어된 염료감응 태양전지용 광전극 제조가 가능하다. 셋째, 수십-수 마이크로미터의 기공 크기를 가지는 구조를 형성하고 이를 후처리 과정을 거침으로써 효율을 증가시킬 수 있으므로 궁극적으로 효율이 향상된 염료감응 태양전지의 제조가 가능하다. 넷째, 수십-수 마이크로미터의 기공 크기의 제어가 가능하여, 점성이 높은 고분자 또는 고체 전해질의 침투에 효율적인 통로를 제공하여 장기 안정성이 향상된 염료감응 태양전지의 제조가 가능하다.According to the present invention, first, by applying a spin coating or casting method of the colloidal particles to form a colloidal crystal within a few minutes it is possible to manufacture the electrode for dye-sensitized solar cell. Second, it is possible to manufacture a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell having a controlled thickness by applying the spin coating speed and casting method. Third, since the efficiency can be increased by forming a structure having a pore size of several tens to several micrometers and undergoing a post-treatment process, it is possible to manufacture a dye-sensitized solar cell with ultimately improved efficiency. Fourth, it is possible to control the pore size of several tens-several micrometers, to provide an efficient passage for the penetration of high viscosity polymer or solid electrolyte, it is possible to manufacture a dye-sensitized solar cell with improved long-term stability.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 광전극의 제조 방법을 나타내는 순서도이며,
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 광전극의 제조 과정을 나타내는 단면도이며,
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지의 구조의 개략도이고,
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 균일한 콜로이드 입자의 자기조립을 통해 형성된 콜로이드 결정구조의 전자현미경 사진이고,
도 5는 본원의 일 실시예에 따른 콜로이드 결정구조를 희생층으로 적용해 형성된 역전된 콜로이드 결정구조를 갖는 다공성 제 1 이산화티타늄 층의 전자현미경 사진이고,
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 도 5의 다공성 제 1 이산화티타늄 층의 투과전자현미경 사진이고,
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 도 5의 다공성 제 1 이산화티타늄 층을 후처리하여 그 기공 표면에 제 2 이산화티타늄 층이 형성된 것을 보여주는 전자현미경 사진이고,
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 기공 표면에 제 2 이산화티타늄 층이 형성된 다공성 제 1 이산화티타늄 층을 포함하는 광전극을 이용하여 제조된 염료감응 태양전지의 광전류-전압 특성을 나타낸 그래프이고,
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 후처리 시간 변화에 따라 제조된 제 2 이산화티타늄 층의 두께에 따른 염료감응 태양전지의 효율 측정치 그래프이다.
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photoelectrode according to an exemplary embodiment of the present application.
2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a photoelectrode according to an exemplary embodiment of the present application.
3 is a schematic diagram of a structure of a dye-sensitized solar cell including a photoelectrode according to an embodiment of the present application,
4 is an electron micrograph of a colloidal crystal structure formed through self-assembly of uniform colloidal particles according to one embodiment of the present application,
5 is an electron micrograph of a porous first titanium dioxide layer having an inverted colloidal crystal structure formed by applying a colloidal crystal structure as a sacrificial layer according to an embodiment of the present disclosure;
6 is a transmission electron micrograph of the porous first titanium dioxide layer of FIG. 5 according to an embodiment of the present disclosure,
FIG. 7 is an electron micrograph showing that a second titanium dioxide layer is formed on a surface of a pore by post-processing the porous first titanium dioxide layer of FIG. 5 according to an embodiment of the present disclosure; FIG.
8 is a graph showing photocurrent-voltage characteristics of a dye-sensitized solar cell manufactured using a photoelectrode including a porous first titanium dioxide layer having a second titanium dioxide layer formed on a pore surface according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 9 is a graph illustrating efficiency measurement values of a dye-sensitized solar cell according to a thickness of a second titanium dioxide layer manufactured according to a post-treatment time change according to an embodiment of the present disclosure.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the embodiments and embodiments of the present application to be easily carried out by those of ordinary skill in the art.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments and examples described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서, 용어“~ 하는 단계”는 “~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다. Throughout this specification, when an element is referred to as " including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. Throughout this specification, the term "step to" does not mean "step for."

본원 명세서 전체에서, 어떤 층 또는 부재가 다른 층 또는 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 층 또는 부재가 다른 층 또는 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 층 또는 두 부재 사이에 또 다른 층 또는 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when a layer or member is located “on” with another layer or member, it is not only when one layer or member is in contact with another layer or member, but also between two layers or another member between the two members. Or when another member is present. In addition, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
As used throughout this specification, the terms “about”, “substantially”, and the like, are used at, or in close proximity to, numerical values when manufacturing and material tolerances inherent in the meanings indicated are provided, and an understanding of the present application may occur. Accurate or absolute figures are used to assist in the prevention of unfair use by unscrupulous infringers.

본원의 일 측면은, 전도성 투명 기판 상에 콜로이드 결정층을 형성하는 단계; 상기 콜로이드 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체-함유 용액을 주입한 후 소결하여 상기 콜로이드 결정층을 선택적으로 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층이 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법을 제공한다.One aspect of the present invention, forming a colloidal crystal layer on a conductive transparent substrate; Injecting a first transition metal oxide precursor-containing solution into the colloidal crystal layer and then sintering to selectively remove the colloidal crystal layer to form a porous first transition metal oxide layer; Post-treating the porous first transition metal oxide layer with a second transition metal oxide-containing precursor solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer; And adsorbing a photosensitive dye on the porous first transition metal oxide layer on which the second transition metal oxide layer is formed on the pore surface.

상기 전도성 투명 기판(10)은 당업계에서 사용되는 통상적인 것에서 선택하여 사용할 수 있으며, 당업계에서 통상 사용되는 투명 기판 상에, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 및 SnO2-Sb2O3 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 고분자 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 투명 고분자 기판의 구체적인 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리이미드(polyimide, PI), 트리아세틸 셀룰로오스(triacetylcellulose, TAC), 또는 이들의 공중합체 등의 고분자를 포함하는 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The conductive transparent substrate 10 may be selected from conventional ones used in the art, and on the transparent substrates commonly used in the art, indium tin oxide (ITO), fluorine tin oxide (FTO), and ZnO- Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 And SnO 2- Sb 2 O 3 It can be used that is coated with a transparent electrode, but is not limited thereto. For example, the transparent substrate may be a glass substrate or a transparent polymer substrate, but is not limited thereto. Specific examples of the transparent polymer substrate include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polypropylene (PP), polyimide (PI) , But may be a substrate containing a polymer such as triacetylcellulose (TAC), or a copolymer thereof, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In an exemplary embodiment, the sintering may be performed at a temperature of 400 ° C. to 600 ° C., but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 후처리는 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 전구체 함유-용액에 침지시켜 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하고 소결하는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In an exemplary embodiment, the post-treatment comprises immersing the porous first transition metal oxide layer in a second transition metal oxide precursor-containing solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer. It may be to include forming and sintering, but is not limited thereto. For example, the sintering may be performed at a temperature of 400 ° C. to 600 ° C., but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 1 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the first transition metal oxide is Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and The combination may be selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 2 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the second transition metal oxide is Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and The combination may be selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층에 있어서 기공 사이의 제 1 전이금속 산화물층의 두께는 약 150 nm 이하 정도의 두께를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제 1 전이금속 산화물층은, 0 nm 초과 내지 150 nm, 또는 약 10 nm 내지 150 nm, 또는 약 50 nm 내지 150, 또는 약 100 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the thickness of the first transition metal oxide layer between pores in the porous first transition metal oxide layer may have a thickness of about 150 nm or less, but is not limited thereto. For example, the first transition metal oxide layer may have a thickness of more than 0 nm to 150 nm, or about 10 nm to 150 nm, or about 50 nm to 150, or about 100 nm to 150 nm. However, the present invention is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 제 2 전이금속 산화물층의 두께는 상기 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액의 농도 또는 상기 후처리하는 시간에 의하여 조절될 수 있는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제 2 전이금속 산화물층은 0 nm 초과 내지 약 500 nm, 또는 약 100 nm 내지 약 500 nm, 또는 약 150 nm 내지 약 500 nm 의 두께를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In an exemplary embodiment, the thickness of the second transition metal oxide layer may be controlled by the concentration of the second transition metal oxide-precursor solution or the post-treatment time, but is not limited thereto. . For example, the second transition metal oxide layer may have a thickness of more than 0 nm and about 500 nm, or about 100 nm and about 500 nm, or about 150 nm and about 500 nm, but is not limited thereto. .

예시적 구현예에 있어서, 상기 콜로이드 결정층을 형성하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the method may further include forming a blocking layer on the conductive transparent substrate before forming the colloidal crystal layer, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 휘발성 용매에 콜로이드 입자가 분산되어 있는 콜로이드 용액을 상기 전도성 투명 기판 상에 도포하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the colloidal crystal layer may be formed by a process including applying a colloidal solution in which colloidal particles are dispersed in a volatile solvent on the conductive transparent substrate, but is not limited thereto. .

예시적 구현예에 있어서, 상기 콜로이드 결정층은, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA), 또는 이들의 조합을 함유하는 콜로이드를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment, the colloidal crystal layer is polystyrene (PS), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), polyamide, poly (butylmetha). It may include, but is not limited to, a colloid containing acrylate-divinylbenzene) (PBMA), or a combination thereof.

본원의 다른 측면은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 광전극은 상기 전술한 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법에 의하여 제조될 수 있다.Another aspect of the present disclosure includes a conductive transparent substrate, a porous transition metal oxide structure formed on the conductive transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed to the porous transition metal oxide structure, wherein the porous transition metal oxide structure includes a first transition metal. It provides an optical electrode for a dye-sensitized solar cell comprising an oxide layer and a second transition metal oxide layer formed on the pore surface of the first transition metal oxide layer. The photoelectrode may be manufactured by the method of manufacturing the photoelectrode for the dye-sensitized solar cell described above.

본원의 또 다른 측면은, 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서, 상기 광전극은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지를 제공한다.
Another aspect of the present application, in the dye-sensitized solar cell comprising a photoelectrode, a counter electrode facing the photoelectrode, and an electrolyte positioned between the two electrodes, the photoelectrode is a conductive transparent substrate, the conductive A porous transition metal oxide structure formed on the transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed on the porous transition metal oxide structure, wherein the porous transition metal oxide structure includes pores of the first transition metal oxide layer and the first transition metal oxide layer. It provides a dye-sensitized solar cell comprising a second transition metal oxide layer formed on the surface.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본원의 일 구현예에 따른 광전극(100) 및 그의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to FIGS. 1 and 2, the photoelectrode 100 and a manufacturing method thereof according to the exemplary embodiment of the present application will be described in detail.

먼저, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 단계(S100)에서는, 전도성 투명 기판(10) 상에 콜로이드 결정층을 형성한다(도 2a 및 도 2b). First, as shown in FIGS. 1 and 2, in step S100, a colloidal crystal layer is formed on the conductive transparent substrate 10 (FIGS. 2A and 2B).

상기 전도성 투명 기판(10) 은 투명 기판 상에 투명 전극(투명 전도성 필름)을 증착하여 제조할 수 있다. 상기 투명 기판으로는 외부광의 입사가 가능하도록 투명성을 갖는 물질이라면 특별히 한정됨 없이 사용할 수 있다. 상기 전도성 투명 기판(10)은 당업계에서 사용되는 통상적인 것에서 선택하여 사용할 수 있으며, 투명 기판 상에, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 및 SnO2-Sb2O3 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 고분자 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 투명 고분자 기판의 구체적인 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리이미드(polyimide, PI), 트리아세틸 셀룰로오스(triacetylcellulose, TAC), 또는 이들의 공중합체 등의 고분자를 포함하는 기판을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The conductive transparent substrate 10 may be manufactured by depositing a transparent electrode (transparent conductive film) on the transparent substrate. As the transparent substrate, any material having transparency to enable incidence of external light may be used without particular limitation. The conductive transparent substrate 10 may be selected from conventional ones used in the art, and on the transparent substrate, indium tin oxide (ITO), fluorine tin oxide (FTO), ZnO—Ga 2 O 3 , ZnO -Al 2 O 3, and SnO 2 -Sb 2 O 3 be used but of a transparent electrode containing any coating, and the like. For example, the transparent substrate may be a glass substrate or a transparent polymer substrate, but is not limited thereto. Specific examples of the transparent polymer substrate include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polypropylene (PP), polyimide (PI) , Triacetyl cellulose (TAC), or a substrate containing a polymer such as a copolymer thereof, but is not limited thereto.

전도성 투명 기판(10) 상에 고분자 콜로이드 용액을 일정한 두께로 도포하여 건조과정을 거쳐 고분자 콜로이드 자기조립 결정층(12)을 형성한다(도 2b). 상기 고분자 콜로이드 용액을 도포하는 것은 스핀 코팅 또는 캐스팅 방법에 의하여 수행될 수 있다. 이에 따라 형성된 콜로이드 자기조립 결정층은, 이후 다공성 제 1 전이금속 산화물층(14) 형성을 위하여 주형으로 사용한다. 예를 들어, 상기 고분자 콜로이드 입자의 크기는 약 50 ㎚ 내지 10 ㎛이하 일수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층(12)의 두께는 상기 고분자 콜로이드 용액의 도포량에 의하여 조절될 수 있으며, 약 1 - 2 마이크로미터에서 30 마이크로미터 두께로 조절할 수 있다.A polymer colloidal solution is coated on the conductive transparent substrate 10 to a predetermined thickness to form a polymer colloid self-assembled crystal layer 12 through a drying process (FIG. 2B). Applying the polymer colloidal solution may be carried out by a spin coating or casting method. The colloidal self-assembled crystal layer thus formed is then used as a template for forming the porous first transition metal oxide layer 14. For example, the size of the polymer colloidal particles may be about 50 nm to 10 μm or less, but is not limited thereto. For example, the thickness of the polymer colloidal self-assembled crystal layer 12 may be controlled by the coating amount of the polymer colloidal solution, and may be adjusted to a thickness of about 1 to 2 micrometers to 30 micrometers.

여기서 상기 고분자 콜로이드 용액은 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드 6(Nylon 6) 등과 같은 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA), 또는 이들의 조합을 포함하는 고분자 콜로이드 입자가 물과 알코올의 혼합 용매 등과 같은 휘발성 용매 중에 10 중량% 이상 또는 20 중량% 이상의 고농도로 분산된 용액을 사용할 수 있으며, 이로 인하여 상기 고분자 콜로이드 용액은도포 후 단시간 내에 건조시킬 수 있다. 이때 고농도의 콜로이드 입자의 경우 저장 안전성이 좋지 않을 수 있으므로 계면활성제를 추가할 수 있다. 또한, 전도성 투명 기판(10) 상에 상기 고분자 콜로이드 입자를 코팅하기 전에 플라즈마 세정 등을 통해 상기 기판 표면을 세척하면 상기 고분자 콜로이드 입자의 퍼짐성을 좋게 할 수 있다. Herein, the polymer colloidal solution may include polyamides such as polystyrene (PS), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), polyamide 6 (Nylon 6) Polymer colloidal particles comprising butyl methacrylate-divinylbenzene) (PBMA), or a combination thereof, are dispersed in a high concentration of at least 10% or at least 20% by weight in a volatile solvent such as a mixed solvent of water and alcohol. The polymer colloidal solution may be dried within a short time after application. In this case, a high concentration of colloidal particles may add a surfactant because the storage safety may not be good. In addition, if the surface of the substrate is washed through plasma cleaning or the like before coating the polymer colloidal particles on the conductive transparent substrate 10, the spreadability of the polymer colloidal particles may be improved.

전도성 투명 기판(10) 상에 콜로이드 결정층을 형성하기 전에 필요한 경우 차단층(미도시)이 형성될 수도 있다. 상기 차단층은 전도성 투명 기판(10) 상에 산화물을 일정한 두께로 코팅하여 형성한다. 상기 차단층은 산화물로 이루어져 있으며, 전도성 투명 기판(10)과 다공성 제 1 전이금속 산화물층(20) 사이에 접착력을 강화하는 역할을 한다. 상기 차단층은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 전도성 투명 기판(10) 상에 0.1 M 사염화티타늄 수용액을 스핀코팅 방법으로 균일하게 도포한 후 450℃에서 열처리하여 차단층을 완성할 수 있다. 그러나, 상기 차단층의 재료는 상술한 것에 한정되지 않으며, 열처리 횟수나 조건 등도 상술한 조건에 한정되지 않고 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서 다양하게 변형 가능하다.A blocking layer (not shown) may be formed if necessary before forming the colloidal crystal layer on the conductive transparent substrate 10. The blocking layer is formed by coating an oxide with a predetermined thickness on the conductive transparent substrate 10. The blocking layer is formed of an oxide, and serves to enhance adhesion between the conductive transparent substrate 10 and the porous first transition metal oxide layer 20. The barrier layer is a transition selected from the group consisting of Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and combinations thereof. It may include an oxide of a metal, but is not limited thereto. For example, the 0.1 M titanium tetrachloride aqueous solution may be uniformly coated on the conductive transparent substrate 10 by a spin coating method, and then heat treated at 450 ° C. to complete the blocking layer. However, the material of the barrier layer is not limited to the above-described one, and the number of heat treatments and conditions are not limited to the above-described conditions, and various modifications can be made within the scope of achieving the object of the present invention.

단계(S200)에서는, 형성된 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입하고 건조 및 소결하여 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층(14)을 형성한다(도 2c). 상기 전구체는 솔-젤 반응을 일으켜 산화물을 형성할 수 있는 전이금속 산화물 형성용 전구체로 당업계에서 통상 사용되는 것을 사용할 수 있다. 상기 전구체는 용액 상태의 전구체 또는 용매에 희석된 것이다. 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 내로 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입할 때 상기 전도성 투명 기판을 진공으로 고정하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 제거를 위한 소결은, 예를 들어, 400℃ 이상, 또는, 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 제 1 전이금속 산화물 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 화합물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다공성 제 1 전이금속 산화물층(14)은 상기 콜로이드 결정이 역전된 형태의 구조를 가지며, 다공성구조로 되어 있다. 상기 기공의 구조는 구형의 기공이 3차원의 면심입방구조로 되어 있으며, 기공 사이는 작은 기공 통로로 연결되어 있다. 기공의 크기는 상기 콜로이드 결정에 사용된 입자 및 입자 사이의 거리로 결정되며 예를 들어, 기공의 평균지름은 50 nm 초과 내지 10 ㎛ 이하의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 매크로기공 크기의 다공성 구조는 전해질을 도포할 때 원활하게 기공을 채울 수 있는 장점이 있고, 점성이 높은 고분자 또는 고체 전해질의 침투에 효율적인 기공을 제공한다.In step S200, the porous first transition metal oxide layer 14 is formed by injecting the first transition metal oxide precursor solution into the formed polymer colloidal self-assembled crystal layer, and drying and sintering to remove the polymer colloid self-assembled crystal layer. (FIG. 2C). The precursor may be one commonly used in the art as a precursor for forming a transition metal oxide capable of forming an oxide by causing a sol-gel reaction. The precursor is diluted in a precursor or solvent in solution. The injection of the transition metal oxide precursor solution into the polymer colloidal self-assembled crystal layer may include fixing the conductive transparent substrate in a vacuum, but is not limited thereto. Sintering for removing the polymer colloidal self-assembled crystal layer may be performed at, for example, 400 ° C. or higher, or 400 ° C. to 600 ° C., but is not limited thereto. The first transition metal oxide precursor is a group consisting of Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, and combinations thereof It may be a compound of the transition metal selected from, but is not limited thereto. The porous first transition metal oxide layer 14 has a structure in which the colloidal crystal is inverted and has a porous structure. The pore structure has a spherical pore having a three-dimensional face-centered cubic structure, and the pores are connected by small pore passages. The size of the pores is determined by the distance between the particles and the particles used in the colloidal crystal, for example, the average diameter of the pores may range from more than 50 nm to 10 ㎛ or less, but is not limited thereto. Such a porous structure having a macropore size has an advantage of filling pores smoothly when applying an electrolyte, and provides efficient pores for penetration of a highly viscous polymer or solid electrolyte.

이어서, 상기 콜로이드 결정층을 주형으로 하여 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층(16)을 형성하는 것을 포함하는 후처리 과정(도 2d)을 통하여 광전극(100)을 형성하게 된다. 구체적으로, 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 전구체 함유-용액에 침지시켜 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 전구체층을 형성하고 소결하여 제 2 전이금속 산화물층을 형성한다. 상기 소결은 사용하는 제 2 전이금속 산화물 전구체 종류에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어, 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Subsequently, the porous first transition metal oxide layer formed on the conductive transparent substrate using the colloidal crystal layer as a template is post-treated with a second transition metal oxide-containing precursor solution to thereby form a second surface on the pore surface of the first transition metal oxide layer. The photoelectrode 100 is formed through a post-treatment process (FIG. 2D) including forming the transition metal oxide layer 16. Specifically, the porous first transition metal oxide layer is immersed in the second transition metal oxide precursor-containing solution to form a second transition metal precursor layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer and sintered to form a second transition metal. An oxide layer is formed. The sintering may be appropriately selected according to the type of the second transition metal oxide precursor used, for example, but may be performed at a temperature of 400 ° C. to 600 ° C., but is not limited thereto.

상기한 바와 같이 후처리된 전체 전이금속 산화물층은 두께가 증가하는 효과가 있다. 또한, 상기 후처리 과정에서 상기 제 2 전이금속 산화물 층의 코팅이 솔-젤 반응을 통해 수행되므로, 상기 후처리 공정에서 사용하는 상기 제 2 전이금속 산화물 전구체는 솔-젤 반응이 가능한 전구체를 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전이금속 산화물 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 화합물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As described above, the post-processed whole transition metal oxide layer has an effect of increasing thickness. In addition, since the coating of the second transition metal oxide layer is performed through a sol-gel reaction in the post-treatment process, the second transition metal oxide precursor used in the post-treatment process includes all precursors capable of sol-gel reaction. Can be used. For example, the second transition metal oxide precursor is Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and their It may be a compound of a transition metal selected from the group consisting of a combination, but is not limited thereto.

이어서, 상기 과정에 따라 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층이 형성된 상기 제 1 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시킨다. 상기 감광성 염료의 종류 및 흡착 방법은 당업자가 당업계에서 통상 사용되는 염료 및 흡착 방법을 적의 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 감광성 염료는 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 유로퓸(Eu), 납(Pb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등을 포함하는 금속 복합체를 포함할 수 있다. 여기서, 루테늄은 백금족에 속하는 원소로서 많은 유기 금속 복합체를 형성할 수 있어, 루테늄을 포함하는 염료가 많이 사용된다. 일례로, Ru(etc bpy)2(NCS)2·CH3CN 타입이 많이 사용되고 있다. 여기서 etc는 (COOEt)2 또는 (COOH)2로서 상기 후처리된 전이금속 산화물 구조체 표면과 결합 가능한 반응기이다. 또한, 유기 색소 등을 포함하는 염료가 사용될 수도 있는데, 이러한 유기 색소로는 쿠마린(coumarin), 포르피린(porphyrin), 크산틴(xanthene), 리보플라빈(riboflavin), 트리페닐메탄(triphenylmethane) 등이 있다. 이들은 단독 또는 Ru 복합체와 혼합 사용하여 장파장의 가시광 흡수를 개선함으로써 광전 변환 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Subsequently, the photosensitive dye is adsorbed onto the first transition metal oxide layer having the second transition metal oxide layer formed on the pore surface according to the above procedure. Kinds and adsorption methods of the photosensitive dye may be appropriately selected by those skilled in the art using dyes and adsorption methods commonly used in the art. For example, the photosensitive dye includes a metal complex including aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), europium (Eu), lead (Pb), iridium (Ir), ruthenium (Ru), and the like. can do. Here, ruthenium can form many organometallic complexes as an element belonging to the platinum group, and a lot of dyes containing ruthenium are used. For example, many Ru (etc bpy) 2 (NCS) 2 CH 3 CN types are used. Where etc is (COOEt) 2 or (COOH) 2 as reactor capable of bonding with the surface of the post-treated transition metal oxide structure. In addition, dyes including organic dyes may be used. Examples of such organic dyes include coumarin, porphyrin, xanthene, riboflavin, and triphenylmethane. They can be used alone or in combination with Ru composites to improve the absorption of visible light at long wavelengths, thereby further improving the photoelectric conversion efficiency.

일 구현예에 있어서, 상술한 콜로이드 자기조립 결정층을 형성하는 단계, 콜로이드 자기조립 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입하고 자기조립 결정층을 제거하여 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계, 후처리를 통해 제 2 전이금속 산화물층을 추가로 형성하는 단계 및 후처리된 전이금속 산화물 구조체에 감광성 염료를 흡착시키는 단계는 적어도 1 회 이상 반복될 수 있으며, 이에 따라 광전극 구조 및 두께를 조절할 수 있다.
In one embodiment, forming the colloidal self-assembled crystal layer described above, injecting a first transition metal oxide precursor solution into the colloidal self-assembled crystal layer and removing the self-assembled crystal layer to form a porous first transition metal oxide layer And further forming the second transition metal oxide layer through post-treatment and adsorbing the photosensitive dye on the post-treated transition metal oxide structure may be repeated at least one or more times. The thickness can be adjusted.

본원의 다른 측면은, 광전극(100), 상기 광전극(100)에 대향되는 상대 전극(200), 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질(30)을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서, 상기 제조 방법에 의하여 제조된 광전극(100)을 포함하여, 상기 광전극(100)은 전도성 투명 기판(10), 및 상기 전도성 투명 기판(10) 상에 형성된 감광성 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 염료감응 태양전지를 제공한다.In another aspect of the present invention, in the dye-sensitized solar cell comprising a photoelectrode 100, a counter electrode 200 facing the photoelectrode 100, and an electrolyte 30 positioned between the two electrodes, Including the photoelectrode 100 manufactured by the manufacturing method, the photoelectrode 100 is a conductive transparent substrate 10, and a porous transition metal oxide adsorbed a photosensitive dye formed on the conductive transparent substrate 10 It provides a dye-sensitized solar cell comprising a structure.

광전극(100)은 전술한 바와 같은 방법에 의하여 제조되어 콜로이드 결정이 역전된 형태의 구조를 갖는 다공성 제 1 전이금속 산화물층(14) 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층(16)이 형성되어 있는 다공성 전이금속 산화물층(20)을 포함한다(도 2). 다공성 전이금속 산화물층(20)의 기공의 구조는 구형의 기공, 예를 들어, 3차원의 면심입방 구조로 되어 있으며, 기공 사이는 작은 기공 통로로 연결되어 있다. 상기 기공의 크기는 고분자 콜로이드 결정층 형성에 사용된 입자 및 입자 사이의 거리로 결정되며, 기공의 평균 지름은 예를 들어 50 ㎚ 초과 내지 10 ㎛ 이하의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 매크로기공 크기의 다공성 구조는 전해질을 도포할 때 원활하게 기공을 채울 수 있는 장점이 있고, 점성이 높은 고분자 또는 고체 전해질의 침투에 효율적인 기공을 제공한다.The photoelectrode 100 is manufactured by the method described above to have a porous first transition metal oxide layer 14 having a structure in which colloidal crystals are inverted and a second transition on the pore surface of the first transition metal oxide layer. The metal oxide layer 16 includes a porous transition metal oxide layer 20 (FIG. 2). The pore structure of the porous transition metal oxide layer 20 has spherical pores, for example, three-dimensional face-centered cubic structure, and the pores are connected by small pore passages. The pore size is determined by the distance between the particles and the particles used to form the polymer colloidal crystal layer, and the average diameter of the pores may be, for example, more than 50 nm to 10 μm or less, but is not limited thereto. The macropore-sized porous structure has the advantage of smoothly filling pores when applying the electrolyte, and provides efficient pores for penetration of highly viscous polymers or solid electrolytes.

상기와 같은 방법으로 제조된 광전극(100)을 포함하는 염료감응 태양전지는, 도 3에 도시된 바와 같이, 전도성 투명 기판(10)과 투명 기판 상에 형성된 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물층(20)으로 이루어진 광전극(100), 광전극(100)에 대향하는 상대전극(200), 및 광전극(100)과 상대 전극 사이에 채워져 있는 전해질(30)을 포함한다.In the dye-sensitized solar cell including the photoelectrode 100 manufactured by the above method, as illustrated in FIG. 3, the conductive transition substrate 10 and the porous transition metal oxide layer on which the dye formed on the transparent substrate are adsorbed are adsorbed. A photoelectrode 100 composed of 20, a counter electrode 200 facing the photoelectrode 100, and an electrolyte 30 filled between the photoelectrode 100 and the counter electrode.

상기 상대전극(200)은 전도성 투명 기판(10) 상에 형성된 백금층(40)을 포함하며, 백금층(40)이 광전극(100)의 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물층(20)과 대향하도록 배치된다.The counter electrode 200 includes a platinum layer 40 formed on the conductive transparent substrate 10, and the platinum layer 40 includes a porous transition metal oxide layer 20 on which a dye of the photoelectrode 100 is adsorbed. Are arranged to face each other.

상대전극(200)에 있어서 전도성 투명 기판(10)은, 광전극(100)에서와 동일하게, 유리 기판 또는 투명 고분자 기판 등의 투명 기판 상, 예를 들어, 유리 기판 또는 투명 고분자 기판 상에, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 및 SnO2-Sb2O3 중 어느 하나를 포함하는 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상대전극(200)에 있어서, 전도성 투명 기판(10) 상에 백금층(40)이 형성된다. 상기 백금층(40)은 산화-환원 쌍(redox couple)을 활성화시키는 역할을 하는 것으로, 백금(Pt), 금(Au), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 탄소(C), WO3, TiO2 및 전도성 고분자 등의 전도성 물질을 포함할 수 있다.In the counter electrode 200, the conductive transparent substrate 10 is formed on a transparent substrate such as a glass substrate or a transparent polymer substrate, for example, on a glass substrate or a transparent polymer substrate, similarly to the photoelectrode 100. Uses coated with a transparent electrode comprising any one of indium tin oxide (ITO), fluorine tin oxide (FTO), ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 , and SnO 2 -Sb 2 O 3 It may be, but is not limited thereto. In the counter electrode 200, the platinum layer 40 is formed on the conductive transparent substrate 10. The platinum layer 40 serves to activate a redox couple, platinum (Pt), gold (Au), ruthenium (Ru), palladium (Pd), rhodium (Rh), iridium ( It may include a conductive material such as Ir), osmium (Os), carbon (C), WO 3 , TiO 2 and a conductive polymer.

본원을 설명하는 명세서에서 투명이라는 단어의 의미는 소재의 광투과율이 100%인 경우뿐만 아니라 광투과율이 높은 경우를 모두 포함한다.The meaning of the word transparent in the description of the present application includes not only the case where the material has a light transmittance of 100% but also a case where the light transmittance is high.

도 3에 나타낸 바와 같이, 광전극(100)과 상대전극(200) 사이에는 전해질(30)이 주입되어 있다. 전해질은 예를 들어, 요오드화물(iodide)을 포함하며, 산화, 환원에 의해 상대 전극으로부터 전자를 받아 전자를 잃었던 염료분자에 받은 전자를 전달하는 역할을 수행한다. 전해질은 실제로는 광전극(100)의 기공 내부로 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 예를 들어, 전해질의 제조 방법은 다음과 같다. 상기 전해질은 전해액으로 이루어지며, 상기 전해액은 아이오다이드(iodide)/트리오다이드(triodide) 쌍으로서 산화, 환원에 의해 상대 전극으로부터 전자를 받아 염료 분자에 전달하는 역할을 수행한다. 예를 들어, 상기 전해질로서는 요오드를 아세토니트릴에 용해시킨 용액 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 홀 전도 기능이 있는 것이라면 어느 것이나 제한 없이 사용할 수 있다. 또는, 상기 전해질로서는 0.7 M 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 이오다이드(1-butyl-3-methylimidazolium iodide; BMⅡ), 0.03 M 요오드(Iodine; I2), 0.1 M 구아니디움 티오시아네이트(Guanidiumthiocyanate; GSCN), 0.5 M 4-tert-부틸피리딘(4-tert-buthlpyridine; TBP), 위 4개의 시약을 아세토나이트릴(CAN)과 발레노나이트릴(VN) 혼합액(부피비 85:15)에 용해하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 3, an electrolyte 30 is injected between the photoelectrode 100 and the counter electrode 200. The electrolyte includes, for example, iodide, and serves to transfer the electrons received to the dye molecules that have lost the electrons by receiving them from the counter electrode by oxidation and reduction. The electrolyte may actually be uniformly dispersed into the pores of the photoelectrode 100. For example, the manufacturing method of an electrolyte is as follows. The electrolyte is composed of an electrolyte, and the electrolyte serves as an iodide / triodide pair to receive electrons from the counter electrode by oxidation and reduction and transfer them to the dye molecules. For example, a solution in which iodine is dissolved in acetonitrile may be used as the electrolyte, but is not limited thereto. Any electrolyte may be used without limitation as long as it has a hole conduction function. Alternatively, as the electrolyte, 0.7 M 1-butyl-3-methylimidazolium iodide (1-butyl-3-methylimidazolium iodide; BMII), 0.03 M iodine (I 2 ), 0.1 M guanidium thiosia Nate (Guanidiumthiocyanate (GSCN), 0.5 M 4-tert-butylpyridine (TBP), acetonitrile (CAN) and valenonitrile (VN) mixed solution (volume ratio 85:15) Can be dissolved in, but is not limited thereto.

예시적 구현예에 있어서, 상기 두 개의 전극 사이의 간격을 유지시켜 주는 고분자 필름을 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 반대 극 전극으로는 전도성 투명 기판(10)에 백금이 코팅된 것을 사용하며, 수 십 마이크로미터 두께의 고분자 필름을 두 전극 사이에 끼워 넣어 간격을 유지한다. 고분자 필름은 가장자리에만 형성한다. In an exemplary embodiment, the method may further include a polymer film that maintains a gap between the two electrodes, but is not limited thereto. As the counter electrode, platinum coated on the conductive transparent substrate 10 is used, and a polymer film of several tens of micrometers is sandwiched between two electrodes to maintain a gap. The polymer film is formed only at the edges.

광전극(100)과 상대전극(200)의 가장 자리에는 밀봉부(50)가 형성될 수 있다. 밀봉부(50)는 열가소성 고분자물질을 포함하며, 열 또는 자외선에 의하여 경화된다. 구체적인 예로, 밀봉부(50)는 에폭시 수지를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The sealing part 50 may be formed at the edge of the photoelectrode 100 and the counter electrode 200. The seal 50 includes a thermoplastic polymer and is cured by heat or ultraviolet rays. As a specific example, the sealing unit 50 may include an epoxy resin, but is not limited thereto.

상기와 같이 형성된 염료감응 태양전지에 있어서, 광전극(100)은 전도성 투명 기판(10)과 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물층(20)을 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물층(20)은 일정한 규칙을 갖는 다공성의 3차원 면심입방 구조로 되어 있어 효과적인 전자 전달 통로가 형성되어 염료감응 태양전지의 광전 변환 효율이 향상된다. 또한, 상기 다공성 전이금속 산화물층(20)의 3차원 면심입방 구조의 정렬된 벌크-공극(ordered bulk-pore)을 통하여 점성이 높은 고분자 또는 고체 전해질의 침투에 효율적인 통로를 제공해줌으로써 염료감응 태양전지의 장기 안정성이 향상된다. 본원에 따른 3차원 면심입방 구조의 기공의 평균지름은 대략 50 ㎚ 초과 내지 10 ㎛ 이하의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the dye-sensitized solar cell formed as described above, the photoelectrode 100 includes a conductive transparent substrate 10 and a porous transition metal oxide layer 20 on which dye is adsorbed, and the porous transition metal oxide layer 20 is The porous three-dimensional face-centered cubic structure with a certain rule forms an effective electron transfer path, thereby improving the photoelectric conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell. In addition, the dye-sensitized solar cell by providing an efficient passage for the penetration of high viscosity polymer or solid electrolyte through the ordered bulk-pore of the three-dimensional face centered cubic structure of the porous transition metal oxide layer 20 Long-term stability is improved. The average diameter of the pores of the three-dimensional face-centered cubic structure according to the present invention may be in the range of more than about 50 nm to 10 ㎛ or less, but is not limited thereto.

광전극Photoelectrode 제조 및 이에 의한 염료감응 태양전지 Fabrication and Dye-Sensitized Solar Cells

전도성 투명 기판으로서 투명한 유리기판 상에 전도성의 투명전극이 형성되어 있는 것을 사용하였다. 전도성 투명 기판 상에는 차단층이 형성되어 있다. As the conductive transparent substrate, a conductive transparent electrode was formed on the transparent glass substrate. A blocking layer is formed on the conductive transparent substrate.

우선, 유리기판 상에 전도성의 ITO 투명전극을 형성하여 전도성 투명 기판을 형성하였다. 상기 전도성 투명 기판 상에 이산화티타늄을 포함하는 차단층을 형성하였다. 구체적으로, 상기 0.1 M 사염화티타늄 수용액을 상기 전도성 투명 기판 상에 도포한 후 오븐에서 건조시킨 후 450℃에서 소결시켜 이산화티타늄을 포함하는 차단층을 제조하였다.First, a conductive transparent substrate was formed by forming a conductive ITO transparent electrode on a glass substrate. A blocking layer including titanium dioxide was formed on the conductive transparent substrate. Specifically, the 0.1 M titanium tetrachloride aqueous solution was applied on the conductive transparent substrate, dried in an oven, and then sintered at 450 ° C. to prepare a barrier layer including titanium dioxide.

이어, 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 형성을 위하여, 폴리스타이렌 고분자 콜로이드를 물과 에탄올의 질량비가 4:1인 혼합 용매에 분산시키고 상기 고분자 콜로이드의 농도는 10%로 맞추었다.Subsequently, in order to form a polymer colloid self-assembled crystal layer, the polystyrene polymer colloid was dispersed in a mixed solvent having a mass ratio of water and ethanol 4: 1, and the concentration of the polymer colloid was adjusted to 10%.

콜로이드 결정의 두께는 스핀코팅의 속도 및 캐스팅 용량에 따라서 제어할 수 있으며 콜로이드 결정으로 형성되는 시간은 짧게는 수분에서, 30분을 넘지 않았다. 차단층이 코팅 된 165 mm2의 투명전도성 기판 위에 콜로이드 용액을 0.01 ml 도포하고 주입한다. 주입한 샘플을 70℃ 오븐에 넣어 건조시킨다. 건조가 완료되면 콜로이드 결정이 형성된다. 콜로이드 결정의 두께는 15 ~ 16 ㎛로 제어하였다.The thickness of the colloidal crystals can be controlled according to the speed and casting capacity of the spin coating, and the formation time of the colloidal crystals was not more than 30 minutes in a few minutes. 0.01 ml of a colloidal solution is applied and injected onto a 165 mm 2 transparent conductive substrate coated with a barrier layer. The injected sample is placed in an oven at 70 ° C. and dried. When drying is complete, colloidal crystals are formed. The thickness of the colloidal crystals was controlled to 15 ~ 16 ㎛.

이어, 광전극 형성을 위한 제 1 다공성 이산화티타늄 층을 형성하기 위하여, 상기 형성된 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 주형으로 하여 여기에 이산화티타늄 전구체 용액으로서 0.1 M 사염화티타늄(TiCl4) 수용액을 주입하였다. 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층이 형성된 전도성 투명기판을 진공으로 고정시킨 후 상기 전구체 용액을 주입한 후 스핀코팅시켰다. 이어 건조 과정을 거쳐 상기 전구체 용액이 건조된 기판을 500℃에서 2 시간 소결시켜 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 제거함으로써 다공성 제 1 이산화티타늄층을 제조하였다.Subsequently, in order to form the first porous titanium dioxide layer for photoelectrode formation, 0.1 M titanium tetrachloride (TiCl 4 ) aqueous solution was injected therein as a titanium dioxide precursor solution using the polymer colloidal self-assembled crystal layer formed as a template. The conductive transparent substrate on which the polymer colloidal self-assembled crystal layer was formed was fixed in vacuo, followed by spin coating after injecting the precursor solution. Subsequently, the first titanium dioxide layer was prepared by sintering the substrate on which the precursor solution was dried through a drying process at 500 ° C. for 2 hours to remove the polymer colloidal self-assembled crystal layer.

이어서, 상기 다공성 제 1 이산화티타늄층이 후처리를 위하여, 제 2 전이금속 산화물 전구체로서 0.2 M TiCl4 수용액을 제조하여 상기 다공성 제 1 이산화티타늄층을 상기 TiCl4 수용액에 0 내지 120분 범위에서 일정 시간(후처리 시간) 동안 각각 침지하여 상기 다공성 제 1 이산화티타늄층의 기공 표면에 상기 제 2 전이금속 산화물 전구체 층을 형성하고, 70℃ 오븐에서 반응시킨 후 시간 별로 꺼내어 물로 세척한 후 450℃에서 1 시간 소결시켜 상기 다공성 제 1 이산화티타늄층의 기공 표면에 제 2 이산화티타늄층을 형성하였다. 상기 후처리 시간 0 내지 대략 2 시간 정도의 침지의 경우, 상기 다공성 제 1 이산화티타늄층의 두께 150 nm에 더하여 상기 후처리에 의하여 상기 제 2 이산화티타늄층이 후처리 시간에 따라 각각 약 0 nm 내지 350 nm 정도의 두께로 형성되어 상기 제 1 이산화티타늄층과 상기 제 2 이산화티타늄층의 총 두께가 각각 150 nm 내지 500 nm로 형성되었다. 상기 제 1 이산화티타늄층 및 상기 제 2 이산화티타늄층을 포함하는 전체 다공성 이산화티타늄 층의 두께는 상기 소결과정 시 부피수축이 수반되어 상기 콜로이드 결정의 두께는 15 ~ 16 ㎛에 비하여 다소 감소되어 13 ~ 14 ㎛ 정도가 되었다.Subsequently, for the post-treatment of the porous first titanium dioxide layer, a 0.2 M TiCl 4 aqueous solution was prepared as a second transition metal oxide precursor, and the porous first titanium dioxide layer was fixed in the TiCl 4 aqueous solution in a range of 0 to 120 minutes. After immersing for a period of time (post-treatment time) to form the second transition metal oxide precursor layer on the pore surface of the porous first titanium dioxide layer, and reacted in an oven at 70 ℃, taken out by time and washed with water and then at 450 ℃ Sintering was performed for 1 hour to form a second titanium dioxide layer on the pore surface of the porous first titanium dioxide layer. In the case of the immersion of the post-treatment time of about 0 to about 2 hours, in addition to 150 nm of the thickness of the porous first titanium dioxide layer, the second titanium dioxide layer is about 0 nm to It was formed to a thickness of about 350 nm so that the total thickness of the first titanium dioxide layer and the second titanium dioxide layer was 150 nm to 500 nm, respectively. The thickness of the totally porous titanium dioxide layer including the first titanium dioxide layer and the second titanium dioxide layer is accompanied by volume shrinkage during the sintering process so that the thickness of the colloidal crystals is slightly reduced compared to 15 to 16 ㎛ 13 ~ It became about 14 micrometers.

이어서, 상기 광전극에 포함된 상기 이산화티타늄층 표면에 염료를 흡착시켰으며, 염료로서 다이졸 회사의 제품인 N719, 루테늄 535 Bis-TBA을 사용하였다. 상기 염료의 화학명은 시스-비스(이소티오시아나토)비스(2,2′-바이피리딜-4,4′-디카르복실라토)-루테늄(II) 비스-테트라부틸암모늄이다. N719 염료 0.119 g을 무수에탄올 200 mL에 용해시켰다. 상기 염료 용액에 상기 이산화티타늄층이 형성된 전도성 투명 기판을 담궜다. 빛이 들어오지 않는 곳에 40 시간 방치시켰다. 40 시간 후, 상기 기판을 꺼내어 에탄올로 세척하였다.Subsequently, a dye was adsorbed onto the surface of the titanium dioxide layer included in the photoelectrode, and N719, ruthenium 535 Bis-TBA, manufactured by Dizol Company, was used as the dye. The chemical name of the dye is cis-bis (isothiocyanato) bis (2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato) -ruthenium (II) bis-tetrabutylammonium. 0.119 g of N719 dye was dissolved in 200 mL of anhydrous ethanol. The conductive transparent substrate on which the titanium dioxide layer was formed was dipped in the dye solution. It was left for 40 hours where no light came in. After 40 hours, the substrate was taken out and washed with ethanol.

광전극의 반대전극은 전도성 투명 기판에 평행하게 배치되어 있으며, 유리 등의 기판에 투명전극이 형성되어 있으며, 백금층이 형성되어 있다. 백금층 형성 방법은 다음과 같다. 투명 전도성 기판을 백금 스퍼터(Pt sputter) 코팅 기기를 통하여 100초 코팅 시간을 가지고 백금층을 형성하였다. 광전극과 백금이 도포된 전극사이에는 전해질이 있으며, 또한 광전극의 기공 내부에도 위치한다.The opposite electrode of the photoelectrode is disposed in parallel with the conductive transparent substrate, the transparent electrode is formed on a substrate such as glass, and the platinum layer is formed. The platinum layer formation method is as follows. The transparent conductive substrate was formed through a platinum sputter coating machine with a coating time of 100 seconds to form a platinum layer. There is an electrolyte between the photoelectrode and the platinum-coated electrode, and it is also located inside the pores of the photoelectrode.

전해질은 몇 가지 성분을 혼합하여 제조하였다. 전해질의 제조 방법은 다음과 같다. 0.7 M 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 이오다이드(BMII), 0.03 M 요오드(I2), 0.1 M 구아니디움 티오시아네이트(GSCN), 0.5 M 4-tert-부틸피리딘(TBP), 위 4 개의 시약을 아세토나이트릴(ACN)과 발레노나이트릴(VN) 혼합액(부피비 85:15)에 용해하여 제조하였다. The electrolyte was prepared by mixing several components. The preparation method of the electrolyte is as follows. 0.7 M 1-butyl-3-methylimidazolium iodide (BMII), 0.03 M iodine (I 2 ), 0.1 M guanidium thiocyanate (GSCN), 0.5 M 4-tert-butylpyridine (TBP) , The above four reagents were prepared by dissolving acetonitrile (ACN) and valenonitrile (VN) mixed solution (volume ratio 85:15).

상기 실시예에 따라 제조된 염료감응 태양전지를 AM1.5, 100 mW/cm2 조건에서 전류밀도(Jsc), 전압(Voc), 충진계수(FF) 및 에너지 변환효율(EFF.) 값을 측정하였다.The dye-sensitized solar cell manufactured according to the above embodiment was AM1.5, 100 mW / cm 2 Under the conditions, values of current density (Jsc), voltage (Voc), filling factor (FF) and energy conversion efficiency (EFF.) Were measured.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 표 1의 결과로부터, 본 발명에 따라 제작된 염료감응 태양전지는 2.82%의 광전 변환효율을 보였으며 후처리되지 않은 종래 인공오팔 구조의 기공을 가지는 구조를 적용하는 경우보다 약 542% 향상된 결과이다.
From the results of Table 1, the dye-sensitized solar cell manufactured according to the present invention showed a photoelectric conversion efficiency of 2.82% and improved by about 542% compared with the case of applying a structure having pores of the conventional artificial opal structure which was not post-treated. to be.

이상, 실시예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본원은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본원의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다.As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and may be modified in various forms, and having ordinary skill in the art within the technical idea of the present application. It is obvious that many other variations are possible.

10: 전도성 투명 기판
12: 고분자 콜로이드 자기조립 결정
14: 다공성 제 1 전이금속 산화물층
16: 제 2 전이금속 산화물층
20: (염료가 흡착된) 다공성 전이금속 산화물층
30: 전해질
40: 백금층
50: 밀봉부
60: 차단층
100: 광전극
200: 상대전극
10: conductive transparent substrate
12: Polymer colloid self-assembly crystal
14: porous first transition metal oxide layer
16: second transition metal oxide layer
20: porous transition metal oxide layer (dye adsorbed)
30: electrolyte
40: platinum layer
50: seal
60: barrier layer
100: photoelectrode
200: counter electrode

Claims (14)

전도성 투명 기판 상에 콜로이드 결정층을 형성하는 단계;
상기 콜로이드 결정층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체-함유 용액을 주입한 후 소결하여 상기 콜로이드 결정층을 선택적으로 제거함으로써 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 형성하는 단계;
상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액으로 후처리함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및
상기 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층이 형성된 제 1 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:
를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
Forming a colloidal crystal layer on the conductive transparent substrate;
Injecting a first transition metal oxide precursor-containing solution into the colloidal crystal layer and then sintering to selectively remove the colloidal crystal layer to form a porous first transition metal oxide layer;
Post-treating the porous first transition metal oxide layer with a second transition metal oxide-containing precursor solution to form a second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer; And
Adsorbing a photosensitive dye on a first transition metal oxide layer having a second transition metal oxide layer formed on the pore surface:
A manufacturing method of a photoelectrode for dye-sensitized solar cell comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 후처리는 상기 다공성 제 1 전이금속 산화물층을 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액에 침지시켜 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 제 2 전이금속 산화물층을 형성하고 소결하는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The post treatment comprises immersing the porous first transition metal oxide layer in a second transition metal oxide containing-precursor solution to form and sinter the second transition metal oxide layer on the pore surface of the first transition metal oxide layer. The manufacturing method of the photoelectrode for dye-sensitized solar cells.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The first transition metal oxide in the group consisting of Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and combinations thereof What is selected, the manufacturing method of the photoelectrode for dye-sensitized solar cells.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The second transition metal oxide in the group consisting of Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga and combinations thereof What is selected, the manufacturing method of the photoelectrode for dye-sensitized solar cells.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전이금속 산화물층의 두께는 상기 제 2 전이금속 산화물 함유-전구체 용액이 농도 또는 상기 후처리하는 시간에 의하여 조절될 수 있는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The thickness of the second transition metal oxide layer can be controlled by the concentration of the second transition metal oxide-containing precursor solution or the post-treatment, the manufacturing method of the photoelectrode for a solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The sintering is to be carried out at a temperature of 400 ℃ to 600 ℃, method for manufacturing a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전이금속 산화물층은 0 nm 초과 내지 500 nm의 두께를 가지는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The second transition metal oxide layer has a thickness of more than 0 nm to 500 nm, a method for manufacturing a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 콜로이드 결정층을 형성하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
Before forming the colloidal crystal layer, further comprising forming a blocking layer on the conductive transparent substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 콜로이드 결정층은, 휘발성 용매에 콜로이드 입자가 분산되어 있는 콜로이드 용액을 상기 전도성 투명 기판 상에 도포하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The colloidal crystal layer is formed by a process comprising applying a colloidal solution in which colloidal particles are dispersed in a volatile solvent on the conductive transparent substrate, the manufacturing method of the photoelectrode for dye-sensitized solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 콜로이드 결정층은, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠(PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠)(PBMA), 또는 이들의 조합을 함유하는 콜로이드를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The colloidal crystal layer is polystyrene (PS), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene / polydivinylbenzene (PS / DVB = polystyrene / divinylbenzene), polyamide, poly (butyl methacrylate-divinylbenzene) The manufacturing method of the photoelectrode for dye-sensitized solar cells containing the colloid containing (PBMA) or a combination thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 소결은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법.
The method of claim 1,
The sintering is to be carried out at a temperature of 400 ℃ to 600 ℃, method for manufacturing a photoelectrode for a dye-sensitized solar cell.
전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며,
상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인,
염료감응 태양전지용 광전극.
A conductive transparent substrate, a porous transition metal oxide structure formed on the conductive transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed on the porous transition metal oxide structure,
The porous transition metal oxide structure comprises a first transition metal oxide layer and a second transition metal oxide layer formed on the pore surface of the first transition metal oxide layer,
Photoelectrode for dye-sensitized solar cell.
제 12 항에 있어서,
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극.
The method of claim 12,
The photoelectrode for a dye-sensitized solar cell, which is prepared by the method according to any one of claims 1 to 11.
광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,
상기 광전극은, 전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하며, 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 제 1 전이금속 산화물층 및 상기 제 1 전이금속 산화물층의 기공 표면에 형성된 제 2 전이금속 산화물층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지.
In a dye-sensitized solar cell comprising a photoelectrode, a counter electrode facing the photoelectrode, and an electrolyte located between the two electrodes,
The photoelectrode includes a conductive transparent substrate, a porous transition metal oxide structure formed on the conductive transparent substrate, and a photosensitive dye adsorbed to the porous transition metal oxide structure, wherein the porous transition metal oxide structure includes a first transition metal oxide. A dye-sensitized solar cell comprising a layer and a second transition metal oxide layer formed on the pore surface of the first transition metal oxide layer.
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