KR20110051549A - 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 - Google Patents
플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110051549A KR20110051549A KR1020090108180A KR20090108180A KR20110051549A KR 20110051549 A KR20110051549 A KR 20110051549A KR 1020090108180 A KR1020090108180 A KR 1020090108180A KR 20090108180 A KR20090108180 A KR 20090108180A KR 20110051549 A KR20110051549 A KR 20110051549A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- post
- exposure
- heating process
- resist film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000003517 fume Substances 0.000 abstract description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명의 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법은, 기판 위에 마스크 대상막 및 레지스트막을 형성하는 단계; 레지스트막의 소정 영역에 전자빔을 조사하여 레지스트막 내의 광산 발생제(PAG)로부터 산(acid)을 발생시키는 노광 공정을 진행하는 단계; 레지스트막 상에 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행하여 노광 공정에서 발생된 산(acid)을 전자빔이 조사된 영역 내에 확산시키는 단계; 및 레지스트막 상에 현상 공정을 진행하여 노광 후 가열 공정에서 산(acid)이 확산된 영역의 레지스트 물질을 제거하여 마스크 대상막을 노출시키는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
노광 후 가열, 수소 플라즈마, 불순물
Description
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 메모리 소자, 예를 들어 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory) 소자는 수많은 미세 패턴들로 이루어져 있으며, 이와 같은 미세 패턴들은 리소그래피(lithography) 공정을 통해 형성된다. 리소그래피 공정은 패터닝하려는 대상막 위에 레지스트막을 도포하고, 대상막으로 전사하고자 하는 미세 패턴이 형성된 포토마스크를 레지스트막 상에 배치하고, 포토마스크 및 노광 장비를 이용하여 레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이 레지스트막 패턴을 식각마스크로 대상막의 노출부분을 제거한 후, 레지스트막 패턴은 스트립(strip)함으로써 미세 패턴을 형성하는 방법으로 진행하고 있다. 정확한 선폭(CD; Critical Dimension)을 가지는 미세 패턴을 구현하기 위해 포토마스크를 신뢰성 있게 제작하는 것이 중요하다.
포토마스크를 만들기 위해서는, 우선 석영 기판 상에 마스크 패턴 대상막 및 레지스트막이 형성된 블랭크 마스크(blank mask) 상에 전자빔으로 형성하고자하는 대상 패턴의 형상을 전사하는 전자빔 라이팅(E-beam writing)공정을 진행한다. 전자빔 라이팅 공정을 진행한 다음에, 대상 패턴의 형상을 고정시키는 노광 후 가열(PEB; Post Exposure Bake) 공정을 소정 시간 내에 진행한 다음, 대상 패턴만 남기는 현상(develope) 공정을 진행하고 있다. 일반적으로 노광 후 가열(PEB) 공정은 오븐(oven) 챔버 내에 전자빔 라이팅 공정을 진행한 석영 기판을 배치한 다음, 열을 소정 시간 동안 가하여 진행하고 있다.
도 1은 노광 후 가열(PEB) 공정을 진행하기 위한 오븐 챔버를 개략적으로 나타내보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 오븐 챔버(100)는 오븐 챔버(100) 내부의 하측에 핫 플레이트(hot plate, 105)가 구비되고, 핫 플레이트(105)의 가장자리에 기판(115)을 지지하는 받침대(110)가 구비되어 있다. 이러한 구조의 오븐 챔버(100)를 이용한 노광 후 가열(PEB) 공정은 열 인가 방식으로 진행하며, 전자빔 라이팅 공정을 진행한 석영 기판을 오븐 챔버(100)의 받침대(110) 상에 배치하고, 핫 플레이트(105)의 온도를 증가시켜 석영 기판 상에 열을 가하는 방식으로 진행하고 있다. 그러나 열 인가 방식의 노광 후 가열(PEB) 공정은 오븐 챔버(100)의 상부 커버에 결함의 원인으로 작용하는 흄(fume)이 잔류하는 문제가 있다. 또한 핫 플레이트의 온도를 상승시키거나 감소시키는 경우 시간이 오래 걸리고, 핫 플레이트 상에 인가되는 온도의 균일도를 조절하기 어려운 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행함으로써 열 인가 방식에서 유발되는 여러 가지 문제점을 방지할 수 있는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법은, 기판 위에 마스크 대상막 및 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막의 소정 영역에 전자빔을 조사하여 상기 레지스트막 내의 광산 발생제(PAG)로부터 산(acid)을 발생시키는 노광 공정을 진행하는 단계; 상기 레지스트막 상에 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행하여 상기 노광 공정에서 발생된 산(acid)을 상기 전자빔이 조사된 영역 내에 확산시키는 단계; 및 상기 레지스트막 상에 현상 공정을 진행하여 상기 노광 후 가열 공정에서 산(acid)이 확산된 영역의 레지스트 물질을 제거하여 상기 마스크 대상막을 노출시키는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 노광 공정은 현상액에 용해되는 폴리하이드록시스틸렌(Polyhydroxystylene)을 차단하는 보호 그룹의 결합을 상기 광산 발생제로부터 발생된 산(acid)으로 끊는다.
상기 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행하는 단계는, 상기 노광 공정이 진행된 기판을 공정 챔버, 전압 파워를 제공하는 전원이 연결된 척 및 진공 펌프가 구비된 플라즈마 장비의 척 위에 배치하는 단계; 상기 공정 챔버 내에 플라즈마 발생을 위한 반응 가스를 공급하면서 전압을 인가하여 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 플라즈마를 형성하기 위해 제공된 전압에 의해 상기 기판을 가열하여 노광 후 가열 공정을 진행하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반응 가스는 수소 가스를 포함한다.
상기 노광 후 가열 공정 단계에서 유발된 불순물 또는 잔여물은 상기 진공 펌프를 통해 상기 공정 챔버로부터 외부로 배출할 수 있다.
본 발명에 따르면, 수소 이온 발생이 용이하여 보호 그룹의 결합을 끊기 위한 에너지가 적게 요구됨에 따라 기판을 가열하거나 냉각하기 위한 시간을 생략할 수 있다. 또한 플라즈마가 균일하게 작용하기 때문에 온도 균일도를 조절하기 위한 추가 작업을 생략할 수 있다. 아울러 진공 펌프를 이용하여 결함 원인 물질을 제거할 수 있어 결함 발생을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다. 그리고 도 8은 노광 후 가열 공정을 진행하기 위한 플라즈마 장비를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(200) 위에 위상반전막(205), 광차단막(210)을 차례로 증착한다. 기판(200)은 석영(Quartz)을 포함하며, 빛을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 이루어진다. 다음에 기판(200) 위에 형성된 위상반전막(205)은 수 %의 투과율을 갖는 물질로 이루어지며, 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 화합물을 포함한다. 여기서 몰리브데늄(Mo)을 함유하는 화합물은 몰리브덴 실리콘 나이트라이드(MoSiON)를 포함하여 형성할 수 있다. 다음에 위상반전막(205) 위에 형성된 광차단막(210)은 빛을 차단하는 역할을 한다. 광차단막(210)은 크롬막(Cr)을 포함하여 형성할 수 있다. 다음에 광차단막(210) 위에 레지스트막(215)을 형성한다.
도 3을 참조하면, 레지스트막(215) 상에 노광 공정을 진행한다. 노광 공정은 전자빔(E-beam)을 이용한 라이팅(writing) 공정으로 진행할 수 있다. 이를 위해, 레지스트막(215)이 형성된 기판(200)을 전자빔 노광 장비 상에 배치한다. 다음에 레지스트막(215) 상에 도면에서 화살표로 도시한 바와 같이 노광 공정을 진행한다. 그러면 레지스트막(215)의 빛이 조사된 지역(215a)에 광화학반응에 의한 용해도 차이가 발생한다.
구체적으로, 전자빔을 이용한 라이팅 공정을 진행하면 전자빔이 조사된 부분(215a)의 레지스트 물질은 전자빔 에너지를 받는다. 그러면 레지스트 물질 내의 광산 발생제(PAG; Photo acid generator)가 산(acid)으로 바뀌어 수소(H+) 이온 및 부산물을 방출한다. 여기서 광산 발생제(PAG)는 폴리하이드록시스틸렌(Polyhydroxystylene)의 수용성 특성 부분을 차단하고 있는 보호 그룹(protection group)을 포함한다. 이 보호 그룹은 수용성 특성이 나타나는 부분을 차단하여 이후 진행할 현상 공정에서 현상액에 레지스트 물질이 쉽게 녹지 않게 하는 역할을 한다. 그런데 노광 공정에서 광산 발생제(PAG)로부터 발생된 산에 의해 보호 그룹의 결합이 끊어진다. 그러면 전자빔이 조사된 부분의 레지스트는 현상액에 쉽게 용해되는 폴리하이드록시스틸렌(Polyhydroxystylene), 탄소 가스(CO2) 가스 및 분해된 보호 그룹으로 변성된다. 이에 따라 보호 그룹으로부터 차단되어 현상액에 쉽게 녹지 않는 물질이 현상액에 쉽게 녹는 물질로 변성된다.
도 4 및 도 8을 참조하면, 기판(200)을 플라즈마 장비 내에 배치하고, 노광 후 가열(PEB; Post Exposure Bake) 공정을 진행한다. 플라즈마 장비는 도 8에 도시한 바와 같이, 공정 챔버(300) 및 공정 챔버(300) 내에 기판이 장착되는 척(chuck, 305)을 포함한다. 공정 챔버(300) 상부에는 공정 챔버(300) 내부로 플라즈마 발생을 위한 반응 가스를 공급하는 가스 공급부(310)가 배치된다. 공정 챔버(300) 외부에는 플라즈마 코일(313)이 배치되며, 이 플라즈마 코일(313)에는 플라즈마 발생을 위한 RF 파워(radio frequency power)를 제공하는 제1 전원(315)이 연결된다. 또한 척(305)에는 기판의 후면에 바이어스(bias)를 인가하여 플라즈마의 직진성을 유도하는 전압 파워를 제공하는 제2 전원(325)이 연결된다. 그리고 공정 챔버(300) 하부에는 플라즈마 공정시 유발된 불순물 또는 잔여물들을 흡입하여 공정 챔버(300) 외부로 배출하는 진공 펌프(320)가 배치된다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 공정 챔버(300) 내에 반응 가스를 공급하면서 플라즈마를 형성하기 위한 전압을 인가하여 기판(200)이 배치된 공정 챔버(300) 내에 수소(H2) 플라즈마를 발생시킨다. 여기서 반응 가스는 수소(H2) 가스를 포함한다. 기판(200)이 배치된 척(305)과 연결된 제2 전원(325)에 고전압(high voltage)이 인가되면 기판(200)이 가열되고, 이를 이용하여 노광 후 가열(PEB) 공정을 진행한다. 노광 후 가열(PEB) 공정을 진행하면, 상술한 노광 공정을 진행하면서 광산 발생제(PAG)에서 발생된 산이 확산한다. 확산된 산은 전자빔이 조사된 부분의 보호 그룹의 결합을 제거한다. 그러면 전자빔이 조사된 부분의 레지스트는 현상액에 쉽게 용해되는 폴리하이드록시스틸렌(Polyhydroxystylene), 탄소 가스(CO2) 가스 및 분해된 보호 그룹으로 변성된다. 이에 따라 보호 그룹으로부터 차단되어 현상액에 쉽게 녹지 않는 물질이 현상액에 쉽게 녹는 물질로 변성된다. 이때 산은 촉매 작용만 하며, 반응에 참여하지 않기 때문에 반응 전후로 산의 양은 변화가 없고, 연쇄적으로 반응하며 확산한다. 산이 반응에 참여할 경우 보호 그룹의 결합을 끊기 위해서 필요로 하는 활동 에너지(Activation energy)보다 낮은 에너지로 현상액에 쉽게 녹는 물질로 변성시키는 반응을 진행 할 수 있다.
이 경우, 수소(H2) 플라즈마를 발생시켜 노광 후 가열 공정을 진행하면 수소(H+) 이온 발생이 쉽게 이루어짐에 따라 보호 그룹의 결합을 끊기 위한 에너지가 그만큼 적게 필요로 한다. 이에 따라 핫 플레이트를 이용하여 노광 후 가열 공정 진행시 요구되는, 기판(200)을 가열하기 위해 온도를 올리거나 낮추기 위한 시간을 필요로 하지 않는다. 또한 기판(200) 상에 플라즈마가 균일하게 작용하므로 기판(200)의 위치에 따른 온도 균일도를 조절하지 않아도 되며, 온도 균일도를 조절하기 위한 추가 공정을 생략할 수 있다. 여기서 노광 후 가열 공정에서 발생된 가스, 불순물 및 잔여물(330)들은 진공 펌프(320)를 통해 외부로 배출된다. 이에 따라 잔여물등 결함 원인 물질에 의한 결함 발생이 감소한다. 또한 진공 펌프(320)에 의해 불순물들이 제거되므로 흄에 의한 공정 챔버의 상부 오염으로 인한 결함 발생을 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 노광 후 가열(PEB) 공정이 진행된 레지스트막 상에 현상 공정을 진행한다. 현상액을 이용하여 노광 공정에 의해 용해도 차이가 발생된 부분을 제거하면 광차단막(210)을 선택적으로 노출시키는 레지스트막 패턴(215b)이 형성된다. 레지스트막 패턴(215b)은 이후 웨이퍼에 전사하고자 하는 마스크막 패턴이 형성될 영역을 정의한다. 여기서 현상액은 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 용액을 이용한다. 수소 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행한 다음 현상 공정을 진행함에 따라 수소 이온이 증가하여 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 용액과의 반응이 민감해져 선폭(CD; Critical dimension)의 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 7을 참조하면, 레지스트막 패턴(215b, 도 6 참조)을 식각마스크로 광차단막(210)의 노출 부분을 식각하여 광차단막 패턴(220)을 형성한다. 계속해서 레지스트막 패턴(215b) 및 광차단막 패턴(220)을 식각마스크로 위상반전막(205)의 노출 부분을 식각하여 기판(200) 표면을 일부 노출시키는 위상반전막 패턴(225)을 형성한다. 다음에 도면에 비록 도시하지는 않았지만 후속 공정을 진행하여 포토마스크 제작을 완료한다. 예를 들어 회로 패턴 부분에서 특수 영역의 광차단막 패턴을 제거하여 목적에 맞는 위상반전막 패턴을 노출시키는 공정으로 포토마스크 제작을 완료한다.
도 1은 노광 후 가열(PEB) 공정을 진행하기 위한 오븐 챔버를 개략적으로 나타내보인 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 8은 노광 후 가열 공정을 진행하기 위한 플라즈마 장비를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.
Claims (5)
- 기판 위에 마스크 대상막 및 레지스트막을 형성하는 단계;상기 레지스트막의 소정 영역에 전자빔을 조사하여 상기 레지스트막 내의 광산 발생제(PAG)로부터 산(acid)을 발생시키는 노광 공정을 진행하는 단계;상기 레지스트막 상에 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행하여 상기 노광 공정에서 발생된 산(acid)을 상기 전자빔이 조사된 영역 내에 확산시키는 단계; 및상기 레지스트막 상에 현상 공정을 진행하여 상기 노광 후 가열 공정에서 산(acid)이 확산된 영역의 레지스트 물질을 제거하여 상기 마스크 대상막을 노출시키는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법.
- 제1항에 있어서,상기 노광 공정은 현상액에 용해되는 폴리하이드록시스틸렌(Polyhydroxystylene)을 차단하는 보호 그룹의 결합을 상기 광산 발생제로부터 발생된 산(acid)으로 끊는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 이용한 노광 후 가열 공정을 진행하는 단계는,상기 노광 공정이 진행된 기판을 공정 챔버, 전압 파워를 제공하는 전원이 연결된 척 및 진공 펌프가 구비된 플라즈마 장비의 척 위에 배치하는 단계;상기 공정 챔버 내에 플라즈마 발생을 위한 반응 가스를 공급하면서 전압을 인가하여 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 플라즈마를 형성하기 위해 제공된 전압에 의해 상기 기판을 가열하여 노광 후 가열 공정을 진행하는 단계를 포함하는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 반응 가스는 수소 가스를 포함하는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법.
- 제3항에 있어서,상기 노광 후 가열 공정 단계에서 유발된 불순물 또는 잔여물은 상기 진공 펌프를 통해 상기 공정 챔버로부터 외부로 배출하는 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090108180A KR20110051549A (ko) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090108180A KR20110051549A (ko) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110051549A true KR20110051549A (ko) | 2011-05-18 |
Family
ID=44361798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090108180A KR20110051549A (ko) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110051549A (ko) |
-
2009
- 2009-11-10 KR KR1020090108180A patent/KR20110051549A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100828781B1 (ko) | 포토마스크 제조용으로 적합한 카본 하드마스크를 통한크롬 층의 플라즈마 에칭 방법 | |
| KR20080089315A (ko) | 석영 포토마스크 플라즈마 식각을 위한 방법 | |
| US8908150B2 (en) | Substrate processing method, manufacturing method of EUV mask, and EUV mask | |
| CN101349872A (zh) | 光刻曝光装置、系统和光刻图形化方法 | |
| JP5012952B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| CN112034678B (zh) | 一种修补光罩的方法 | |
| US6030731A (en) | Method for removing the carbon halo caused by FIB clear defect repair of a photomask | |
| JP2012068579A (ja) | フォトマスクのクリーニング方法及びフォトマスクのクリーニング装置 | |
| US20090246708A1 (en) | Method of forming mask pattern | |
| US6280646B1 (en) | Use of a chemically active reticle carrier for photomask etching | |
| KR20110051549A (ko) | 플라즈마를 이용한 노광 후 가열공정 방법 | |
| US20110244374A1 (en) | Methods of Correcting Optical Parameters in Photomasks | |
| KR100924342B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 | |
| JP4926383B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| US20060199082A1 (en) | Mask repair | |
| KR20080095153A (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| KR100854459B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR101179262B1 (ko) | 트리톤 위상반전마스크 제조방법 | |
| KR100219399B1 (ko) | 반도체용 포토마스크제조방법 | |
| KR20090068006A (ko) | 포토마스크 세정 장치 | |
| KR100865558B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| KR20090114253A (ko) | 포토마스크의 패턴 형성방법 | |
| KR20040059720A (ko) | 포토마스크의 리페어 식각 방법 | |
| KR20090015422A (ko) | 포토 마스크의 결함 수정방법 | |
| KR20080089757A (ko) | 포토마스크의 핀홀 제거방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |