JP5012952B2 - フォトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体用フォトマスク（レチクルとも称する）やＬＣＤ用マスクの黒欠陥の修正方法に関する。

近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、その回路作製に用いられるフォトマスクにも、一層の微細化が求められるようになってきている。パターン寸法の微細化に加え、フォトリソグラフィの解像度限界を改善するために、位相シフトマスクなどの高解像度技術も実用されている。フォトリソグラフィでは、フォトマスク上に欠陥が存在すると、欠陥がウェーハ上に転写されて歩留まりを減少する原因となるので、ウェーハにマスクパターンを転写する前に欠陥検査装置によりフォトマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場合には欠陥修正装置により欠陥修正処理を行い無欠陥マスクとして供給している。
パターン寸法の微細化に伴い、フォトマスクの修正しなくてはならない欠陥部のサイズは益々小さくなってきており、修正における精度も益々小さくなってきた。また、位相シフトマスク等の高解像度技術を用いるマスクへの対応も求められている。
フォトマスクの欠陥としては、本来必要なパターンが欠損あるいは欠落している場合（白欠陥と称する）と、不要な余剰パターンが存在している場合（黒欠陥と称する）の二通りがある。黒欠陥の場合には、余剰部分を除去することにより正常なパターンが得られる。

フォトマスクの黒欠陥の修正方法としては、現在、レーザー光による修正方法と、集束イオンビーム（ＦＩＢ）による修正方法が主流であり、いずれも直接欠陥部膜を修正する方法である。
図２は、従来のレーザー光による修正方法と、集束イオンビームによる修正方法の工程をまとめて示した概念図である。図２（ａ）は、石英基板等のガラス基板２１の表面にクロム等の金属膜で遮光膜パターン２２が形成され、黒欠陥部２３が存在する状態を示す。図２（ｂ）は、黒欠陥部２３にレーザー光またはイオンビーム２４を照射する工程図で、図２（ｃ）は、黒欠陥部２３を除去したフォトマスクの状態を示す。

従来、黒欠陥部の修正には、パルス励起のＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー光を用いて、欠陥部を蒸発させて除去する方法が用いられている。このレーザー光照射修正方法は、ある範囲に広げられたレーザー光を、アパーチャにて所定の形状（通常は矩形）、サイズ、強度分布になるようにし、通常、アパーチャ通過後にさらに縮小、集光させて被修正部に照射するが、アパーチャの目合わせ位置調整不良、フォーカス調整不良、光軸調整不良等により、照射される形成されたビームの端部では、その強度は均一となっていないため、修正端部では直線的ではなくなり、エッジに微細な凹凸が出やすい。
また、レーザー光では、黒欠陥部を蒸発させて除去する際、図２（ｃ）に示すように、石英ガラス等は劈開して飛散し、欠陥下部のガラス基板に５ｎｍ〜１０ｎｍ程度の凹凸による基板ダメージ２６を生じ、修正部に相当する部位の表面が荒れて、ガラス基板の透過率が低下するという問題が生ずる。ｉ線ステッパーではあまり影響はないが、露光光源がエキシマレーザーとなり、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）とより短波長化していくとともに、修正部の荒れによる露光する光の透過率低下が問題となってきている。

一方、レーザービームによる修正に代わり、微細化に対応できるものとして、集束イオンビームによる黒欠陥の修正方法も用いられている。しかし、欠陥自体が不定形をしているため、欠陥部位のみを修正することが困難で、欠陥の周囲のガラス基板へのダメージが発生してしまうと共に、イオンビームとして通常ガリウムを用いるため、ガリウムが下地のガラス基板に打ち込まれ、図２（ｃ）に示すように、いわゆるガリウムステインという現象によるガラス基板ダメージ２６が生じ、修正部位の光透過率を低下させるという問題がある。ガリウムステイン現象は、例え、ガリウムイオンの加速電圧を下げたとしても、ガリウムイオンはガラス基板に打ち込まれてしまい、ガリウムステイン現象による透過率低下は、露光波長の短波長化に伴い、より大きな問題となっており、例えば、イオンビームにより修正した箇所のＡｒＦエキシマレーザーの透過率は９０％程度となってしまう。
また、イオンビームによる黒欠陥部の修正時には、図２（ｃ）に示すように、欠陥の周辺にガラス基板のオーバーエッチングによるリバーベッド２５と呼ばれるガラスの掘り込み現象が発生していた（例えば、特許文献２参照。）。
リバーベッドは透過光の位相を乱すため、転写結果に悪影響をもたらし、黒欠陥部の修正個所の加工品質を低下させる要因になっている。最近の縮小投影露光装置の光源の短波長化により、従来では問題にならない程度の深さのリバーベッドでも転写結果に影響するようになってきており、リバーベッドの生じない欠陥修正技術が強く求められている。

近年、集束イオンビームによる黒欠陥部の修正方法において、ガリウムステイン等を低減するため、エッチングガスを導入し、ガリウムイオンにより励起させ、欠陥部のみを選択的にエッチングするガスアシストエッチング技術（ＦＩＢ−ＧＡＥ方式）が実用化されつつある（例えば、特許文献３参照。）。
しかしながら、上記のＦＩＢ−ＧＡＥ方式は、欠陥形状の取り込み精度が悪く、欠陥境界で加工オーバーや加工不足を生じることによる基板への掘り込みや加工残りを生じるという問題がある。また、パターンを形成する遮光膜の材質によっては、エッチングのエンドポイントが検出できず、石英ガラス基板にガリウムの打ち込みによる光学透過率の低下を生じるという問題がある。さらに、画像イメージ取り込みの繰り返しによるガリウムの打ち込みという問題があり、この技術を用いても、完全に透過率を回復させることは不可能であり、露光波長が短くなるに伴い、問題となっている。

特開２００２−２１４７６０号公報 特開２０００−１０２６０号公報

本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、レーザー光やイオンビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法において生じる、ガラス基板にダメージを生じ、修正部に相当する部位のガラス基板表面が荒れて透過率が低下するという問題、ガリウムステインによるガラス基板ダメージと修正部位の光透過率を低下させるという問題、リバーベッドの発生等の問題を解消し、ガラス基板ダメージのないフォトマスクの黒欠陥部の修正方法を提供するものである。

上記の課題を解決するために、請求項１の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、黒欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記黒欠陥部の下がガラス基板であり、前記フォトマスク上にポジ型レジストおよび導電性樹脂を塗布してレジスト膜および導電性層を形成する工程と、該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながら電子線を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、黒欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記黒欠陥部の下がガラス基板であり、前記フォトマスク上にポジ型レジストおよび導電性樹脂を塗布してレジスト膜および導電性層を形成する工程と、該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながらイオンビームを照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項３の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記アシストガスが電子線照射によりＯＨイオンを生じることを特徴とするものである。
請求項４の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記アシストガスがイオンビーム照射によりＯＨイオンを生じることを特徴とするものである。
請求項５の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記アシストガスが水蒸気を用いることを特徴とするものである。
請求項６の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記ポジ型レジストが電子線レジストまたはフォトレジストであることを特徴とするものである。
請求項７の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記ポジ型レジストがアルカリ現像型のレジストであることを特徴とするものである。
請求項８の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程を、前記走査型電子顕微鏡を有する装置内で連続して行なうことを特徴とするものである。
請求項９の発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、前記露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程を、前記走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内で連続して行なうことを特徴とするものである。

本発明の黒欠陥部を有するフォトマスクの修正方法は、欠陥部の修正すべき領域のレジスト部分のみを電子線照射またはイオンビーム照射とアシストガスにより直接取り除き、従来のレジスト現像工程は不要となり、修正すべき領域以外はレジスト膜で覆われているため、欠陥部以外へのエッチングガス照射やエッチング液の作用はなく、また、欠陥部に選択性の高いエッチングガスやエッチング液を用いることができることから、石英ガラス基板等のガラス基板にダメージを与えることもなく修正が可能となる。
本発明の修正方法は、レーザー光あるいはイオンビームを直接黒欠陥部に用いないので、ガラス基板へのダメージがなく、ガリウムステインによる透過率低下や位相の変化も起こり得ず、リバーベッドも発生しない。また、マスク欠陥画像として２次電子像を用いているので、イオンビームを用いて画像を取り込んだ場合のようなイメージングによる透過部ダメージが生じない。
本発明のフォトマスクの修正方法によれば、電子線またはイオンビームによりレジスト膜をパターン形成し、そのレジストパターンに基づいて黒欠陥部を修正するので、微細で高精度に欠陥修正でき、マスク品質の向上が図れ、修正率の向上により良品マスクを増やし、マスク製造歩留りの向上とマスク製作期間の短縮が可能となる。

本発明のマスク欠陥修正方法を示す工程断面図である。 従来のレーザー光による修正方法と、集束イオンビームによる修正方法の工程をまとめて示す概念図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は本発明のマスク欠陥修正方法を示す工程断面図である。図１は、レジスト膜のパターン照射に電子線を用いる場合とイオンビームを用いる場合を共通の図として示す。
石英ガラスや低膨張ガラス等のガラス基板１にクロム、酸化クロム等で遮光膜パターン２を形成し、修正すべき黒欠陥部３を有する被修正フォトマスク上に、ポジ型の電子線レジストまたはフォトレジストを塗布し、レジスト膜４を形成する（図１（ａ））。ポジ型の電子線レジストまたはフォトレジストとしては、通常、フォトマスク形成に用いられるポジ型レジストが用いられ、さらにアルカリ現像型のレジストを用いるのが好ましい。
電子線レジストまたはフォトレジストのレジスト膜４は、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の厚さが好ましい。１００ｎｍ未満の厚さでは、エッチング時にピンホールが生じ易くなり、３００ｎｍを超えるとレジスト下のパターン認識が難しくなる。
また、本発明においては、欠陥部の修正前に、あらかじめレジスト膜４の表面に導電性樹脂を塗布し導電性層を形成しておくと、電子線照射時あるいはイオンビーム照射時のチャージアップ現象が抑制されて好ましい。導電性層は数１０ｎｍ程度の厚さで用いられる。

次いで、上記の被修正フォトマスクを、走査型電子顕微鏡を有する装置内または走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内に設置し、修正すべき領域のレジスト部分を除去してパターン化するが、まずレジスト膜のパターン照射に電子線を用いる場合について説明する。
次に、上記のレジスト膜を形成した被修正フォトマスクを、アシストガス導入用のノズルを備え、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を有する装置内に設置し、外観検査装置より得た黒欠陥部の座標をもとに、黒欠陥部の二次電子像を取り込み、修正すべき領域を決定する（図１（ｂ））。ＳＥＭを用いることにより、レジスト膜４で覆われていても黒欠陥部３は明瞭に認識できる。

次に、上記の修正すべき領域にノズル６からアシストガス７を吹きつけながら電子線８を照射する（図１（ｃ））。アシストガス７としては、水酸基を有し、ガス化した状態で電子線照射によりＯＨイオンを形成する物質であれば特に限定されないが、水を水蒸気化して用いるのが簡単で好ましい。また、水蒸気を用いると、電子線照射時にチャージアップしないという利点もある。水蒸気は電子線エネルギーにより、活性化されたＯＨイオンを発生する。アシストガスとしての水蒸気は、例えば、１〜０．５Ｔｏｒｒ程度供給すればよい。レジスト膜４の電子線照射部は、活性化されたＯＨイオンにより直接分解され、修正すべき領域のレジスト部分が除去され、黒欠陥部３を露出する。

続いて、露出した黒欠陥部３を、選択エッチング性の高いエッチングガス又はエッチング液９にて、エッチング除去する（図１（ｄ））。
最後に、レジスト膜４を専用のレジスト剥離液あるいは酸素プラズマ等で除去し、修正を完了する（図１（ｅ））。
この方法により、ガラス基板にダメージを与えることなく、黒欠陥部を除去できる。

次に、レジスト膜のパターン照射にイオンビームを用いる場合について説明する。
レジスト膜を形成した被修正フォトマスクを、アシストガス導入用のノズルを備え、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）とイオンビームカラムを有する装置内に設置し、外観検査装置より得た黒欠陥部の座標をもとに、黒欠陥部の二次電子像を取り込み、修正すべき領域を決定する（図１（ｂ））。
次に、上記の修正すべき領域にノズル６からアシストガス７を吹きつけながらイオンビーム８を照射する（図１（ｃ））。電子線を用いる場合と同様に、アシストガス７としては、水酸基を有し、ガス化した状態でイオンビーム照射によりＯＨイオンを形成する物質であれば特に限定されないが、水を水蒸気化して用いるのが簡単で好ましい。レジスト膜４のイオンビーム照射部は、活性化されたＯＨイオンにより直接分解され、修正すべき領域のレジスト部分が除去され、黒欠陥部３を露出する。

以後、上記の電子線の場合と同じく、露出した黒欠陥部３を、選択エッチング性の高いエッチングガス又はエッチング液９にて、エッチング除去し、レジスト膜４を除去し、修正を完了する（図１（ｅ））。
本発明においては、イオンビームは、レジスト膜のパターン照射に用い、黒欠陥部を直接除去するのではないため、ガラス基板へのダメージがなく、ガリウムステインによる透過率低下や位相の変化も起こり得ず、リバーベッドも発生しない。また、マスク欠陥画像として２次電子像を用いているので、イオンビームを用いて画像を取り込む場合のようなイメージングによる透過部ダメージが生じない。

上記のように、本発明は、アシストガスを用いて電子線あるいはイオンビームによりレジスト膜を直接に分解してパターン形成し、そのレジストパターンに基づいて黒欠陥部を修正するので、微細で高精度な欠陥修正が可能となり、しかも従来のレジスト現像工程が不要となるため、工程の短縮も図れるものであり、修正率の向上により高品質フォトマスクが得られるものである。

また、本発明のフォトマスクの欠陥修正方法は、露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程を、走査型電子顕微鏡を有する装置内もしくは走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内で連続して行なうようにすることも可能である。

（実施例１）
図１に示す修正方法にて黒欠陥部を修正した実施例について述べる。光学研磨された６インチ角の超高純度合成石英ガラス基板１上に、１００ｎｍ厚のクロム遮光膜パターン２を形成し、余剰なクロム膜よりなる黒欠陥部３を有するフォトマスクを用意し、上記のフォトマスク上に、電子線レジストとして化学増幅型レジスト（東京応化工業（株）製ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９）をスピンコ−ティング法により塗布し、１３０℃で２０分間の塗布後ベ−ク（プリベ−ク）し、厚さ０．３μｍの均一なレジスト膜４を形成した（図１（ａ））。

次に、上記のレジスト膜を形成した被修正フォトマスクを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を有する装置内に設置し、外観検査装置より得た欠陥座標により、黒欠陥部の二次電子像を取り込み、修正すべき領域を決定した（図１（ｂ））。このとき、ＳＥＭを有する装置の真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ〜１×１０^-7Ｔｏｒｒであった。

次に、上記の修正すべき領域にノズル６からアシストガス７として水蒸気を吹きつけながら電子線８を照射した（図１（ｃ））。水蒸気のガス圧は約１Ｔｏｒｒであり、アシストガスの導入により、ＳＥＭを有する装置の真空度は１×１０^-4Ｔｏｒｒ〜１×１０^-5Ｔｏｒｒとなった。電子線照射時の加速電圧は２０ｋＶにて、約３分間照射した。水蒸気は電子線エネルギーにより、活性化されたＯＨイオンを発生し、レジスト膜４の電子線照射部は、活性化されたＯＨイオンにより直接分解され、修正すべき領域のレジスト部分が除去され、黒欠陥部３が露出した。

続いて、黒欠陥部３がレジスト膜４から露出した被修正フォトマスクを、ＳＥＭを有する装置内から取り出し、塩素ガスを主成分とするエッチングガスにてドライエッチング装置（アルバック成膜（株）製ＭＥＰＳ−６０２５）でドライエッチングし（図１（ｄ））、次に、残存するレジスト膜を酸素プラズマにより灰化除去し、黒欠陥部を修正したフォトマスクを得た（図１（ｅ））。
本発明の修正方法によれば、ガラス基板にダメージを与えず、またガリウムステインのような問題も生ぜず、ガラス基板の透過率低下や位相の変化も無く、フォトマスクの黒欠陥部を高精度で微細に修正可能となり、高品質マスクが得られた。

（実施例２）
実施例１と同様に、光学研磨された６インチ角の超高純度合成石英ガラス基板上に、１００ｎｍ厚の酸化クロムよりなる遮光膜パターンを形成し、黒欠陥部を有するフォトマスクを用意した。上記のフォトマスク上に、電子線レジストとして化学増幅型レジスト（東京応化工業（株）製ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９）をスピンコ−ティング法により塗布し、１３０℃で２０分間の塗布後ベ−ク（プリベ−ク）し、厚さ０．３μｍの均一なレジスト膜を形成し、さらにその上に帯電防止樹脂（昭和電工（株）社製エスペーサー１００ ）をスピンコーティング法にて塗布し、７０℃で１０分間加熱乾燥して、厚さ５０ｎｍの均一な導電性層を形成した。

次に、上記の被修正フォトマスクをＳＥＭを有する装置内に設置し、外観検査装置より得た欠陥座標により、黒欠陥部の二次電子像を取り込み、修正すべき領域を決定した。

次に、上記の修正すべき領域にノズルからアシストガスとして水蒸気を吹きつけながら電子線を照射した。電子線照射時の加速電圧は２０ｋＶとし、約３分間照射した。実施例１と同様に、レジスト膜の電子線照射部は、活性化されたＯＨイオンにより直接分解され、修正すべき領域のレジスト部分が除去され、黒欠陥部が露出した。

続いて、黒欠陥部がレジスト膜から露出した被修正フォトマスクを、ＳＥＭを有する装置内から取り出し、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液で露出している黒欠陥部をウェットエツチングし、水洗後、レジスト膜を専用の剥離液で除去し、黒欠陥部を修正したフォトマスクを得た。
得られたフォトマスクは、ガラス基板にダメージがなく、ガラス基板の透過率低下や位相の変化も無く、高品質なマスクであった。

（実施例３）
実施例１と同様に、光学研磨された６インチ角の超高純度合成石英ガラス基板上に、１００ｎｍ厚の酸化クロムよりなる遮光膜パターンを形成し、黒欠陥部を有するフォトマスクを用意した。上記のフォトマスク上に、電子線レジストとして化学増幅型レジスト（東京応化工業（株）製ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９）をスピンコ−ティング法により塗布し、１３０℃で２０分間の塗布後ベ−ク（プリベ−ク）し、厚さ０．３μｍの均一なレジスト膜を形成し、さらにその上に帯電防止樹脂（昭和電工（株）社製エスペーサー１００ ）をスピンコーティング法にて塗布し、７０℃で１０分間加熱乾燥して、厚さ５０ｎｍの均一な導電性層を形成した。

次に、上記の被修正フォトマスクをＳＥＭとイオンビームカラムを有する装置内に設置し、外観検査装置より得た欠陥座標データに基づき、SEMにて黒欠陥部の二次電子像を取り込み、修正すべき領域を決定した。

次に、上記の修正すべき領域にノズルからアシストガスとして水蒸気を吹きつけながらイオンビームを照射した。照射時の加速電圧は２０ｋＶとし、１．５から２分間照射した。実施例１と同様に、レジスト膜のイオンビーム照射部は、活性化されたＯＨイオンにより直接分解され、修正すべき領域のレジスト部分が除去され、黒欠陥部が露出した。

続いて、黒欠陥部がレジスト膜から露出した被修正フォトマスクを、ＳＥＭおよびイオンビームを有する装置内から取り出し、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液で露出している黒欠陥部をウェットエツチングし、水洗後、レジスト膜を専用の剥離液で除去し、黒欠陥部を修正したフォトマスクを得た。
得られたフォトマスクは、ガラス基板にダメージがなく、ガラス基板の透過率低下や位相の変化も無く、高品質なマスクであった。

１ ガラス基板
２ 遮光膜パターン
３ 黒欠陥部
４ レジスト膜
５ 電子線走査
６ ノズル
７ アシストガス
８ 電子線またはイオンビーム
９ エッチングガスまたはエッチング液
２１ ガラス基板
２２ 遮光膜パターン
２３ 黒欠陥部
２４ レーザー光またはイオンビーム
２５ リバーベッド
２６ ガラス基板ダメージ

Claims (9)

1. 黒欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記黒欠陥部の下がガラス基板であり、
   前記フォトマスク上にポジ型レジストおよび導電性樹脂を塗布してレジスト膜および導電性層を形成する工程と、
   該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、
   前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながら電子線を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、
   該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、
   前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
2. 黒欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記黒欠陥部の下がガラス基板であり、
   前記フォトマスク上にポジ型レジストおよび導電性樹脂を塗布してレジスト膜および導電性層を形成する工程と、
   該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、
   前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながらイオンビームを照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、
   該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、
   前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
3. 前記アシストガスが電子線照射によりＯＨイオンを生じることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
4. 前記アシストガスがイオンビーム照射によりＯＨイオンを生じることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
5. 前記アシストガスが水蒸気を用いることを特徴とする請求項１〜４に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
6. 前記ポジ型レジストが電子線レジストまたはフォトレジストであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
7. 前記ポジ型レジストがアルカリ現像型のレジストであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
8. 前記露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程を、前記走査型電子顕微鏡を有する装置内で連続して行なうことを特徴とする請求項１、３、請求項５〜７のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
9. 前記露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程を、前記走査型電子顕微鏡とイオンビームカラムを有する装置内で連続して行なうことを特徴とする請求項２、請求項４〜７のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。

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