KR20100083310A - 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로는 데이터 입출력 대역폭이 가변되는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로로서, 전원 공급 패드와 제 1 내부 회로 간에 접속되어 제 1 내부 회로로 외부 공급전원을 제공하는 제 1 스위칭부 및 전원 공급 패드와 제 2 내부 회로 간에 접속되어 제 2 내부 회로로 외부 공급전원을 제공하는 제 2 스위칭부를 포함한다.
전원 공급 회로, 전원 공급 패드
Description
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로에 관한 것이다.
최근에는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 멀티 비트 구조의 입출력 경로를 설계하고 있다. 멀티 비트 구조에 따르면 한번의 데이터 입출력 신호에 의해 연속적으로 입출력되어 질 수 있는 데이터의 대역폭이 2비트, 4비트, 8비트, 16비트, 32비트 등이 될 수 있다. ×4,×8,×16 등은 각각 4비트, 8비트, 16비트 구조의 메모리 장치를 의미한다.
반도체 메모리 장치는 4비트, 8비트 및 16비트 모드를 모두 만족시킬 수 있도록 즉, 입출력 환경(I/O Configuration)을 공유하도록 설계되어 선택 신호를 통해 옵션 처리를 하여 최종적으로 4비트, 8비트 및 16비트 중 어느 하나의 특정 모드로 동작하게끔 구성된다.
한편, 반도체 메모리 장치는 데이터 입출력 패드, 어드레스 패드, 제어신호 입력 패드 및 전원 공급 패드를 포함한다.
그리고, 전원 공급 패드를 통해 외부에서 인가되는 전원은 내부적으로 동일한 전원으로만 사용된다.
그런데, 반도체 메모리 장치의 주 전원인 전원전압(VDD)과 접지전압(VSS)이충분한 레벨로 공급되지 않으면, 반도체 메모리 장치의 동작 성능이 저하되어 오류가 발생하는 문제점이 있다.
예를들어, 입출력 환경을 공유하는 8비트 모드 및 16비트 모드 반도체 메모리 장치는 낮은 대역폭 즉, 8비트 모드로 동작할 때, 전원 공급 패드의 일부만 사용한다. 이 경우 주 전원이 제대로 공급되지 않으면 반도체 메모리 장치가 오동작 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 입출력 환경을 공유하는 반도체 메모리 장치에서 전원 레벨을 안정화 시킬 수 있는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로는 데이터 입출력 대역폭이 가변되는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로로서, 전원 공급 패드와 제 1 내부 회로 간에 접속되어 상기 제 1 내부 회로로 외부 공급전원을 제공하는 제 1 스위칭부 및 상기 전원 공급 패드와 제 2 내부 회로 간에 접속되어 상기 제 2 내부 회로로 상기 외부 공급전원을 제공하는 제 2 스위칭부를 포함한다.
본 발명에 의하면, 입출력 환경을 공유하는 반도체 메모리 장치에서 상대적으로 대역폭이 낮은 모드로 동작할 때, 여분의 전원 공급 패드를 통해 외부 전원을 공급한다. 이에 따라, 안정적인 전원 레벨을 유지 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로의 예시도이다.
도 1에 도시된 바와같이, 본 발명의 전원 공급 회로(100)는 제 1 스위칭부(120)와 제 2 스위칭부(130)로 구성된다. 외부 전원(VEXT)은 전원 공급 패드(110)를 통해 노드(A)에 인가되고, 상기 제 1 스위칭부(120)와 상기 제 2 스위칭부(130)는 각각 노드 A와 내부회로(140,150) 간에 접속된다.
제 1 스위칭부(120)는 제 1 제어신호를 입력받아 턴온되며, 공통노드(A)에 인가되는 외부 전원(VEXT)을 내부 회로 1(140)로 공급한다.
제 2 스위칭부(130)는 제 2 제어신호를 입력받아 턴온되며, 공통노드(A)에서 인가되는 외부 전원(VEXT)을 내부 회로 2(150)로 공급한다.
여기에서, 전원 공급 패드(110)는 데이터 입출력용 전원 공급 패드(VDDQ 또는 VSSQ)가 될 수 있고, 제 1 제어신호 및 제 2 제어신호는 대역폭 선택 신호가 될 수 있다. 또한 외부전원(VEXT)은 전원전압(VDD) 레벨 또는 접지전압(VSS) 레벨이 될 수 있다.
즉, 대역폭 선택 신호에 의해 8비트 모드 또는 16비트 모드로 동작하는 반도체 메모리 장치에서 제 1 제어신호는 8비트 모드를 위한 대역폭 선택신호가 되고, 제 2 제어신호는 16비트 모드를 위한 대역폭 선택 신호가 될 수 있다.
낮은 대역폭 즉, 8비트 모드로 동작하는 경우 제 1 스위칭부(120)를 통해 공급되는 외부 전원(VEXT)은 전원전압(VDD) 또는 접지전압(VSS)을 사용하는 내부회로(140)로 공급된다.
한편, 높은 대역폭 즉, 16비트 모드로 동작하는 경우 제 2 스위칭부(130)를 통해 공급되는 외부 전원(VEXT)은 데이터 입출력 드라이버 등과 같이 데이터 입출력용 전원전압(VDDQ) 또는 접지전압(VSSQ)을 사용하는 내부 회로(150)로 공급된다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 스위칭부의 일 예시도이며, 도 3은 도 1에 도시된 제 2 스위칭부의 일 예시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭부(120)는 게이트단에 인가되는 제 1 제어신호에 의해 구동되고, 소스단이 공통노드(A)에 접속되어 외부 전원(VEXT)을 내부회로 1(140)에 공급하는 제 1 트랜지스터(P1)로 구성할 수 있다.
도 3에 도시된 바와같이, 제 2 스위칭부(130)는 게이트단에 인가되는 제 2 제어신호에 의해 구동되고, 소스단이 공통노드(A)에 접속되어 외부 전원(VEXT)을 내부회로 2(150)에 공급하는 제 2 트랜지스터(P2)로 구성할 수 있다.
여기에서, 제 1 및 제 2 트랜지스터(P1,P2)는 PMOS 트랜지스터가 될 수 있다.
따라서, 본 발명은 입출력 환경을 공유하는 반도체 메모리 장치에서 상대적으로 대역폭이 낮은 모드로 동작할때, 여분의 전원 공급 패드를 통해 외부 전원을 공급할 수 있다. 이로 인해, 반도체 메모리의 전원 특성이 좋아져 동작에 따른 불량 확률을 낮출 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 들어 설명하였지만, 본 발명은 이에 의해 제한되는 것은 아니고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구성될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로의 예시도,
도 2는 도 1의 도시된 제 1 스위칭부의 일 예시도, 및
도 3은 도 1에 도시된 제 2 스위칭부의 일 예시도이다.
〈주요 도면 부호의 상세한 설명〉
120 : 제 1 스위칭부 130 : 제 2 스위칭부
Claims (4)
- 데이터 입출력 대역폭이 가변되는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로로서,전원 공급 패드와 제 1 내부 회로 간에 접속되어 상기 제 1 내부 회로로 외부 공급전원을 제공하는 제 1 스위칭부; 및상기 전원 공급 패드와 제 2 내부 회로 간에 접속되어 상기 제 2 내부 회로로 상기 외부 공급전원을 제공하는 제 2 스위칭부;를 포함하고, 상기 제 1 스위칭부 및 제 2 스위칭부는 상기 대역폭에 따라 선택적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전원 공급 패드는 데이터 입출력용 전원 공급 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 스위칭부는, 상기 반도체 메모리 장치를 제 1 대역폭으로 동작시키기 위한 제 1 제어신호에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 스위칭부는, 상기 반도체 메모리 장치를 제 2 대역폭으로 동작시키기 위한 제 2 제어신호에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로.
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| KR1020090002632A KR20100083310A (ko) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로 |
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| KR1020090002632A KR20100083310A (ko) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | 반도체 메모리 장치의 전원 공급 회로 |
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| KR (1) | KR20100083310A (ko) |
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2009
- 2009-01-13 KR KR1020090002632A patent/KR20100083310A/ko not_active Application Discontinuation
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