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KR20090015898A - 텍스쳐링된 투명 전도층 및 그 제조방법 - Google Patents

텍스쳐링된 투명 전도층 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20090015898A
KR20090015898A KR1020087025467A KR20087025467A KR20090015898A KR 20090015898 A KR20090015898 A KR 20090015898A KR 1020087025467 A KR1020087025467 A KR 1020087025467A KR 20087025467 A KR20087025467 A KR 20087025467A KR 20090015898 A KR20090015898 A KR 20090015898A
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conductive layer
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transparent conductive
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크리스토프 발리프
디디에 도미네
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위니베르시떼 드 뉴샤텔
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Abstract

본 발명에 따른 텍스쳐링된 투명 전도층은 광전자 장치로 의도된 기재 상에 증착되고, 일련의 험프 및 할로우로 형성된 표면 형상을 나타낸다. 층의 할로우는 반경이 25nm보다 큰 둥근 베이스를 갖고, 상기 할로우는 사실상 매끄러워서, 미세 거칠기를 나타낸다고 할 수 있고, 이러한 미세 거칠기는 5nm 미만의 평균 높이를 가지며, 층의 측면이 기재 평면과 절대값의 중앙값이 30° 내지 75°인 각을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

텍스쳐링된 투명 전도층 및 그 제조방법{TEXTURED TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYER AND METHOD OF PRODUCING IT}
본 발명은 광전자 장치 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 박막 광전자 장치로 의도된, 기재 위에 증착되는 투명 전도층에 관한 것이다. 이러한 유형의 층은 한정되어서 TCO(transparent conductive oxide, 투명 전도성 산화물) 층 또는 전극으로 불리우는 경우가 가장 많다. 본 발명은 또한 이러한 전극의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 적용은 특히 전기적 에너지 생산을 위한 광전지 제조에 유용하지만, 또한 보다 일반적으로 광 방사가 전기적 신호로 변환되는 임의의 구조, 예컨대 광검출기에 적용가능하다.
현재의 기술 수준에서, 일반적으로 10μm 미만의 두께를 갖는 박막 광전자 장치는, 투명하거나 그렇지 않고 가요성 또는 강성인 기재, 및 이러한 기재 위에 증착된, 무기 반도체 물질 또는, 보다 드물게는 유기 반도체 물질로 이루어지고, 양쪽 측면에서 두 개의 전극(이들 중 적어도 하나는 투명)에 의해 접촉되는 광전자적 활성층으로 구성된다. 반도체층은 일반적으로 p-형 층, 진성 활성층(intrinsic-type active layer), n-형 층의 스택킹(stacking)에 의하여 형성되어 서, 함께 p-i-n 또는 n-i-p 접합을 형성한다. 사용되는 물질은 기본적으로 비정질 규소 또는 수소화된 미세결정이다. 유기 광전자 활성층의 경우, 일반적으로 p-형 층 및 n-형 층을 스택킹함으로써 형성된다. 사용되는 물질은 예컨대, 중합체이다.
광전자 장치의 생산 비용을 제한하기 위하여, 진성 활성층은 비교적 얇아야 한다(100nm 내지 수 마이크론). 그러나, 이러한 층은 특히 간접 갭 물질, 예컨대 미세결정성 규소에 있어서 흡수되는 광량을 약화시키고, 그 결과, 효율성이 감소된다. 따라서, 이러한 효과를 상쇄하기 위하여, 진성층 내에서 가능한한 빛의 광학적 경로를 증가시킬 필요가 있다. 이는 일반적으로 입사광을 분산 또는 회절시킴으로써 활성층에서 광로의 길이를 증가시킬 수 있는 텍스쳐링된 TCO 기재 또는 층을 사용하여 이루어진다.
독일 특허 제 197 13 215 호에는, 유리하게 알루미늄으로 도핑된 ZnO 타겟으로부터 아르곤 분위기로 캐쏘드 스퍼터링함으로써 형성된 산화 아연(ZnO)인, TCO 층으로 기재가 도포된 태양 전지가 기재되어 있다. 일반적으로 돌기 없이 이러한 TCO 층에 거칠기를 부여하기 위하여, 산 용액을 사용한 화학적 방법 또는 전기 화학적 방법(애노드 에칭 또는 반응성 이온 에칭)을 통하여 에칭한다. 에칭은 TCO층의 증착 전 또는 후에 이루어질 수 있다.
그러나, 이러한 유형의 방법은 몇몇 단점이 있다. 우선, 캐쏘드 스퍼터링 장비 및 필요한 타겟이 비교적 값비싸서, 제조된 전지의 가격에 실질적인 부담이 된다. 둘째로, TCO층의 에칭이 정밀함을 요한다. 따라서, TCO층을 위하여, 표면 형상, 특히, 광전자층의 양호한 후기 성장에 그다지 바람직하지 못한 단 절(interruptions)들 뿐만 아니라 광학적 트랩핑에 불리한 대형 함몰(crater)을 얻지 않도록 조심스럽게 에칭이 행해져야 한다.
일본 특허 제 62-297462 호는 화학적이 아닌 증발에 의한 TCO층의 증착, 및 아르곤 플라즈마 에칭에 의한 층 표면의 연화를 위한 이러한 조작의 중단을 제안한다.
광전지 제조에 적용되는 이러한 접근 방법은 증발에 의한 증착으로 인하여, 어떠한 경우든 이러한 용도를 위해 허용가능한 광학적 트랩핑 용량을 부여하기에 명백히 불충분한, 매우 낮은 거칠기의 필름을 초래한다. 증착된 층에 대한 아르곤 플라즈마의 작용은 다시 층의 거칠기를 감소시키는 역할을 하여, 실제적으로 광전지의 광학적 트랩핑 기능을 제공할 수 없게 한다.
층이 갖는 광학적 트랩핑 능력의 하나의 지표는, 입사광이 전혀 분산되지 않는 경우를 0%의 값으로 하고, 수용되는 광 모두가 분산되는 경우를 100%의 값으로 가정한 "헤이즈 인자(Haze factor)"에 의하여 제공된다. 물론, 태양 전지의 "헤이즈 인자"는 가능한한 높은 값, 일반적으로 최소한 10%의 값을 가져야 한다. 그러나, 상기 일본 특허 문헌에서 제공된 값들은 각각 아르곤 플라즈마의 작용 전 2 내지 5% 및 처리 후 0.5%이다. 이러한 값들은 증발에 의하여 증착된 층의 아르곤 플라즈마 에칭이 광전지 분야에 적용할 것을 목적으로 하지 않음을 명백히 보여준다.
유럽 특허 제 1 443 527 호는 0.1 내지 0.3μm의 베이스, 0.05 내지 0.2μm의 높이 및 0.1 내지 0.3μm의 피치(피크 간의 거리)를 갖는 다수의 미세 돌기를 보유한, 일련의 평평한 할로우(hollows)로 형성된 표면 형상을 갖는 텍스쳐링된 TCO 층을 기재한다. 그러나, 이러한 미세 돌기는 광전자층의 양호한 후기 성장에 특히 적합하지는 않다. 더구나, 이러한 미세 돌기들은 이들의 작은 크기로 인하여 관심 범위 (적색광 및 적외선) 내에서 광 트랩핑을 그다지 많이 증가시킬 수 없다. 게다가, 중공이 평평하기 때문에 광 반사를 증가시키고, 이로 인하여, 광전지 장치로 주사되는 광을 감소시켜서 광-발전 전류를 감소시키는 단점이 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 광전자층의 만족스러운 후기 성장을 보장하면서, 양호한 광 트랩핑 능력을 갖는 TCO 층을 제공하는 것이다.
보다 정확하게는, 본 발명은 광전자 장치로 의도된, 기재 위에 증착되고, 일련의 험프(hump) 및 할로우로 형성된 표면 형상을 갖는 텍스쳐링된 투명 전도층에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 이러한 층은 하기의 특징을 갖는다:
- 층의 할로우는 반경이 약 25nm보다 큰 둥근 베이스를 갖고,
- 상기 할로우는 사실상 매끄러우면서, 미세거칠기(microroughnesses)를 나타내고, 이러한 미세거칠기는 5nm 미만의 평균 높이를 갖고,
- 층의 측면은 기재 평면과 절대값의 중앙값이 약 30° 내지 75°인 각을 형성한다.
또한, 본 발명은 광전자 장치로 의도된 기재 상에, 텍스쳐링된 투명 전도층을 구현하는 방법에 관한 것이다. 이러한 방법은 하기 주요 조작을 포함한다:
- 광을 분산시키는 거친 층의 기재 상에서 화학적 증착, 및
- 입사광을 분산시키는 능력을 유의적으로 감소시키지 않으면서, 그 위에 증착된 광전자층의 양호한 후기 성장에 바람직한 형상을 층에 부여하기 위하여, 이러한 거친 층을 플라즈마로 에칭함.
본 발명에 따른 TCO층 및 이의 제조방법을 기재하기 전에, 태양 전지와 관련되어 있든지 또는 광검출기와 관련되어 있든지, 광전자 장치는 보존 성능(η) 및 광학적 트랩핑 능력(광발전된 전류의 수집이 양호한 이상, 전자는 후자에 의존함)에 의하여 특징지워진다는 점이 상기될 것이다.
이러한 유형의 장치의 보존 성능(η)은 장치에 의해 공급되는 전력과 수용된 촉광(candle power) 간의 비율에 의하여 정해지는데, 공급되는 전력은 단락 전류(Isc) X 개로 전압(Voc) X 곡선 인자(Fill factor, FF)의 값과 동등하다.
광학적 트랩핑 능력의 좋은 지표는 역 전압 하에서 전지에 의해 제공되는 광전류 밀도(Iinv)에 의하여 주어지는데, 이러한 역 전압은 모든 광발전된 캐리어 전류의 추출을 가능하게 함으로써 Voc 및 FF 값과 독립적으로 장치의 최대 전류 밀도를 평가할 수 있게 한다.
본 발명에 따른 방법은, 플라스틱, 금속, 유리 또는 다른 임의의 절연 또는 전도성 물질로서 가요성이거나 강성인 물질로 이루어질 수 있는, 광전자 장치로 의도된 기재 상에서 수행되는 2개의 필수적 조작을 포함한다.
첫번째 조작은 특히, 일반적으로 0.05 내지 10μm 전후의 두께를 갖는 SnO2, ZnO, ITO, In2O3, Cd2SnO4, ... 또는 이들 산화물의 조합으로 구성된 투명 전도성 산화물(TCO)층을 기재 상에 증착하는 것이다. 본 발명에 따르면, 증착은 화학적으로 이루어지며, 이러한 표현은 화학 반응이 일어나는 본질적으로는 물리적인 방법을 포함한다.
바람직하게는, 증착이 비제한적으로 하기에 열거된 기법들중 하나를 사용하여 이루어지며, 이러한 기법에 대한 참조문헌은 다음과 같다:
- 저압 CVD (LPCVD): 유럽 특허 제 0 204 563 호
- 대기압 CVD (APCVD): "Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure chemical vapor deposition and their use in amorphous silicon solar cells", Jianhua Hu and Roy G. Gordon, Solar Cells, Vol. 30 (1991), p. 437-450
- 광유도 유기 금속 CVD (photo-MOCVD): "Large area ZnO thin films for solar cells prepared by photo-induced metalorganic chemical vapor deposition", Masahiro Yoshino, Wilson W. Wenas, Akira Yamada, Makoto Konagai 및 Kioshi Takahashi, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 32 (1993), p. 726-730, Part 1, No. 2
- 화학적 용액 성장( CBD ): "Novel temperature solution deposition of perpendicularly orientated rods of ZnO: substrate effects and evidence of the importance of counter-ions in the control of crystallite growth", David S. Boyle, Kuveshni Govender 및 Paul O'Brien, Chemical Communications, (2002), p. 80-81
- 반응성 증발법: "Preparation and optoelectronic characterization of ZnO thin films deposited by reactive evaporation", G. Gordillo, C. Calderon, J. Olarte, J. Sandino 및 H. Mendez, Proceedings of the 2nd world conference and exhibition on photovoltaic solar energy conversion, 1998년 7월 6~10일, 비엔나, 오스트리아, Thin Film Cells and Technologies, Vol B5 (1998), p. 750-753
- 플라즈마 향상 CVD(PECVD): "Surface texture ZnO films for thin film solar cell applications by expanding thermal plasma CVD", R. Groenen, J. Loffler, P. M. Sommeling, J. L. Linden, E. A. G. Hamers, R. E. I Schropp, M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 392 (2001), p. 226-230. "The effect of substrate temperature and rf power on the growth rate and the orientation of ZnO thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition", 김영진, 김형준, Materials Letters 21, (1994), p. 351-356.
- 증기 제트: "Jet vapor deposition of transparent conductive ZnO:Al thin films for photovoltaic applications", H. Han, J.-Z. Zhang, B. L. Halpern, J.J. Schmitt, 및 J. del Cueto, Material Research Society Proceedings Vol 426, (1997) p. 491-496.
- 분무 열분해법: "Properties presented by zinc oxide thin films deposited by spray pyrolysis", P. Nunes, E. Fortunato, P. Vilarinho, F. Braz Fernandes, R. Martins, Proceedings of the 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 글래스고우, Vol. 1 (2000), p. 899-902.
- RF 마그네트론 스퍼터링: "The fiber texture growth and the surface roughness of ZnO thin films", J. A. Anna Selvan, H. Keppner, U. Kroll, J. Cuperus, A. Shah, T. Adatte 및 N. Randall, Materials Research Society Proceedings Vol 472 (1997), p. 39-44.
이하 제시되는 측정 결과는 증착 변수가 주의깊게 선택되는 한, 얻어진 TCO층이 탁월한 광학적 트랩핑 능력을 가짐을 나타낸다. 그러나, 도 1의 프로파일 (a) 및 도 3의 개략적인 모습에 도시된 바와 같이, 이러한 층은, 비교적 가파른 측면을 갖고 대체적으로 V-형인 험프 및 할로우로 구성된 매우 거친 표면을 갖는다. 이들 할로우의 곡선 반경 ρ는 일반적으로 수 나노미터이다. 이러한 형상은 양호한 변환 성능을 갖는 태양 전지 또는 광검출기를 제조할 수 있게 할 광전자층의 양호한 후기 성장에 적합하지 않다. 특히, V의 할로우는 반도체층의 성장 동안, 장치의 변환 성능에 영향을 미치는 캐리어 및 다른 전기적 문제(단락, 등...)의 위험 유발 재조합인 크랙(crack) 또는 프랙쳐(fracture)의 외관이 발생하기 좋은 위치이다.
화학적으로 증착된 TCO층의 거칠기는 층의 "rms-거칠기" 표면을 구성하는 뾰족한 끝에서의 높이의 표준 편차를 특징으로 할 수 있고, 도 2의 그래프에 도시된 값은 202nm이다.
양호한 광학적 트랩핑 능력에도 불구하고, 상기한 바와 같이, 이와 같은 층은 그 위에 광전자층을 성장시키기에 적합하지 않기 때문에, 본 발명에 따른 방법은, 희(稀)가스 플라즈마, 예컨대, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 및 라돈(Rn)을 사용한 TCO층의 에칭으로 구성된 제 2 조작을 통하여 이러한 약점을 교정한다. 실험 결과는 또한 대기 중에서 간단한 에칭이 바람직한 효과를 달성할 것임을 보여주었다. 에칭은 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 염소(Cl2), 메탄(CH4), 수증기(H2O) 및 이산화탄소(CO2)와 같은 하나 이상의 다른 가스를 사용하여 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 에칭은 아르곤 플라즈마를 사용하여 이루어진다.
플라즈마 에칭 기법에 대한 기술은 예컨대, 문헌["Effect of high-density plasma etching on the optical properties and surface stoichiometry of ZnO", K. Ip 등, Applied Physics Letters, vol 81(19), p. 3546, 2002]에 기재되어 있다.
인테그레이티드 플라즈마 리미티드(Integrated Plasma Limited)사의 장치(Reactive ion etcher IPL 200E)를 사용할 수 있다. 비제한적인 예로서, 에칭 조건은 다음과 같을 수 있다:
- 전력: 1 W/cm2
- 압력: 90 mTor
- 주파수: 13.56 Mhz
- 대기온도
- 가스: 아르곤
놀랍게도, 하기에 제시되는 측정 결과로부터 알 수 있듯이, 이러한 유형의 에칭은 TCO층의 트랩핑 능력을 실질적으로 감소시키지 않는다. 그러나, 도 1의 프로파일 (b) 및 도 4에 도시된 바와 같이, 층의 거칠기가 유지되고, 그의 뾰쪽한 끝도 높은 상태를 유지하며, 층의 할로우가 U 형상을 띄고 따라서 V-형 밸리(valley)의 경우보다 실질적으로 보다 둥근 베이스를 갖는다. 일반적으로, 베이스의 곡선 반경 ρ(도 1)은 약 25nm 보다 크다. 더욱이, 베이스는 사실상 매끄러워서, 미세 거칠기를 나타낸다고 할 수 있고, 이러한 미세 거칠기는 5nm 미만의 평균 높이 및, 그 표면을 구성하는 뾰족한 끝의 높이의 표준 편차로 측정시 3nm 미만의 표면 거칠기를 갖는다. 이러한 유형의 형상은 광전자층의 양호한 후기 성장에 이상적이어서, 프랙쳐 없이 태양 전지 또는 광검출기를 제조할 수 있도록 한다.
층의 플라즈마 에칭 때문에, "rms-거칠기" 표면의 표준 편차는, 도 2의 그래프에도 도시된 바와 같이, 202nm에서 40분 후에 177nm가 되고, 80분 후에 151nm가 된다.
일반적으로, 본 발명에 따른 TCO층은 유리하게 다음과 같은 주요 기하학적 특성을 나타낸다:
- 측면이 기재 평면과 절대값의 중앙값이 대략 30° 내지 75°인 각 α(도 1)를 이루고;
- 표면을 형성하는 뾰족한 끝의 높이의 표준 편차가 대략 40 내지 250nm이고;
- 험프 및 할로우 간의 수직 갭이 대략 100 내지 800nm이며;
- 험프의 피크 사이의 거리가 대략 100 내지 1500nm이다.
층 측면에 의해 형성되는 각 α에 대하여, 30° 미만의 값은 약한 광학적 트랩핑을 야기하고, 75°를 초과하는 값은 순차적으로 증착되는 층의 불량한 성장을 초래한다는 점을 주지할 것이다.
따라서, 양호한 광학적 트랩핑 능력을 갖지만 광전자층의 양호한 후기 성장에 적합하지 않은 형상을 가졌던, 화학적으로 증착된 초기 TCO층은 플라즈마 에칭으로 인하여, 양호한 트랩핑 능력 및 광전자층의 성장에 잘 적합화된 형상 모두를 갖는다.
또한, 도 5의 그래프는, 플라즈마 에칭 시간(t)에 따라서, 화학적으로 증착된 TCO층으로 도포된 기재가 제공된 수소화 미세결정 규소 광전자 장치의 변환 성능 η이 향상됨을 보여 준다. 여기서, 미세결정성 규소층은 PECVD("플라즈마 향상 화학적 기상 증착") 방법을 사용하여 증착된다. 에칭 전 η값이 초기에 3.3%에 불과하지만, 40분 후에 9.2%로 증가하고, 이후에 일정하게 유지된다는 점을 주목하여야 한다. 따라서, 상기 조작 조건 하에서의 플라즈마 처리의 최적 시간은 대략 40분이다. 이어서, 거칠기의 표준 편차는 180nm 미만의 값으로 감소되지만, 여전히 전지에서 최적의 광 트랩핑을 위하여 완벽하게 만족스러운 값이다.
하기 표는 플라즈마 에칭 전 및 후에 화학적으로 증착된 TCO층이 제공된 수 소화 미세결정성 규소 광전자 장치의 (전술한) 다양한 특성의 변화를 한 예로서 나타낸다.
Iinv (mA/cm2) ΔIinv/Iinv (%) Voc (mV) ΔVoc/Voc (%) FF (%) ΔFF/FF (%) η(%) Δη/η(%)
w/o 처리 25.2 0 441 0 42.3 0 3.3 0
40 분 25.7 +2.0 528 +19.7 69.2 +63.6 9.2 +238
60 분 24.9 -1.2 534 +21.1 70.4 +66.4 9.2 +238
하기와 같은 언급을 할 수 있다:
- 장치의 광학적 트랩핑 능력의 지표인, 역 전압 하에서 제공되는 광-전류 밀도 Iinv는 플라즈마 에칭에 의하여 사실상 영향을 받지 않는다.
- 둘다 장치의 변환 성능에 기여하는, 개로 전압(Voc) 및 곡선 인자(FF)는 에칭 60분 후에 각각 21.1% 및 66.4%의 급격한 상승을 나타내어서, 매우 향상된다.
- 마지막으로, 변환 성능 η은 238%의 증가를 나타낸다.
전술한 바는 2가지 공지 조작들의 조합, 즉 TCO층의 화학적 증착에 이은 플라즈마 에칭이 우수한 변환 성능 및 우수한 광학적 트랩핑 능력을 부여하는 기재를 갖는 광전자 장치를 제공할 수 있게 한다는 것을 보여준다.
또한, 플라즈마 에칭으로 인하여, 본 발명에 따른 방법에 의하여 수득된 층의 생산 성능이, 다른 방법들을 사용할 때 평균적으로 60%인 반면에, 95% 보다 크다는 점도 주목하여야 한다. 이것은 플라즈마 처리가, 전지의 단락을 일으키는 작업 환경에 존재하는 모든 먼지 및 입자를 효율적으로 제거한다는 사실에 기인한 것이다.
물론, 임의의 박막 광전자 장치가 본 발명에 따른 기재의 잇점을 취할 수 있 으며, 예컨대, 하기 장치들 중 하나를 포함할 수 있다:
- 수소화 비정질 규소의 태양 전지,
- 수소화 미세결정성 규소의 태양 전지,
- 박막을 갖는 다접합형 전지,
- 비정질 규소 접합 및 미세결정성 규소 접합을 포함하는 "탄뎀(tandem)" 태양 전지,
- 카드뮴 텔루라이드 태양 전지,
- 예컨대, Cu(InxGa1-x)Se2를 갖는 황동석(chalcopyrite)계 태양 전지,
- 비정질 규소 및 게르마늄 합금 베이스를 갖는 태양 전지,
- 상기 물질 중 하나를 갖는 유기 또는 광검출 태양 전지.
본 발명의 다른 특징들은 첨부된 도면을 참조하여, 하기 기재로부터 알 수 있을 것이다:
도 1은 각각 아르곤 플라즈마 에칭 전(a) 및 후(b)에 화학적으로 증착된 ZnO 층의 프로파일(위치에 따른 높이)을 나타내고;
도 2는 에칭 시간(t)에 따른 층의 거칠기(Rrms)의 변화를 보여주는 그래프이며;
도 3 및 도 4는 에칭 전 및 후의 층의 개략적 모습을 나타내고;
도 5는 이러한 유형의 층이 제공된 광전자 장치에서, 플라즈마 에칭 시간(t) 에 따른 효율성(η)을 보여주는 그래프이다.

Claims (10)

  1. 광전자 장치로 의도된 기재 상에 증착되고, 일련의 험프(hump) 및 할로우(hollow)로 형성된 표면 형상을 가지며, 하기 특징을 갖는 텍스쳐링된 투명 전도층:
    - 상기 층의 할로우는 반경이 25nm보다 큰 둥근 베이스를 갖고,
    - 상기 할로우는 사실상 매끄러워서, 미세 거칠기를 나타낸다고 할 수 있고, 이러한 미세 거칠기는 5nm 미만의 평균 높이를 가지며,
    - 상기 층의 측면이 기재 평면과 절대값의 중앙값이 30°내지 75°인 각을 형성한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 층의 표면을 구성하는 뾰족한 끝의 높이의 표준 편차로 측정시, 상기 층의 거칠기가 40 내지 250nm인 전도층.
  3. 제 2 항에 있어서, 할로우의 표면을 구성하는 뾰족한 끝의 높이의 표준 편차로 측정시, 할로우의 거칠기가 3nm보다 작은 전도층.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 험프 및 상기 할로우 간의 갭이 100 내지 800nm인 전도층.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 험프의 피크 사이의 거리가 100 내지 1500nm인 전도층.
  6. 광전자 장치로 의도된 기재 상에, 텍스쳐링된 투명 전도층을 생성하는 방법으로서, 하기의 주요 조작을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    - 광을 분산시키는 거친 층의 기재 상에서 화학적 증착, 및
    - 입사광을 분산시키는 능력을 유의적으로 감소시키지 않으면서, 그 위에 증착된 광전자층의 양호한 후기 성장에 바람직한 형상을 층에 부여하기 위하여, 이러한 거친 층을 플라즈마로 에칭함.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화학적 증착 조작이 저압 CVD(LPCVD), 대기압 CVD(APCVD), 광유도 유기 금속 CVD(photo-MOCVD), 화학적 용액 성장(CBD), 반응성 증발법, 플라즈마 향상 CVD(PECVD), 증기 제트, 분무 열분해법 및 RF 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 기법을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 층이 SnO2, ZnO, ITO, In2O3, Cd2SnO4 및 이들 산화물의 조합으로 이루어 진 군으로부터 선택된 산화물을 포함하는 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭 조작이 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 및 라돈을 포함하는 군으로부터 선택되는 가스 플라즈마를 사용하여 이루어지는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스가 수소, 산소, 질소, 염소, 메탄, 수증기 및 이산화탄소를 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 다른 가스를 수반하는 방법.
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