KR20080078877A - 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, 액상 에폭시 수지, 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, 무기 충전제를 함유하고, 또한 경화 촉진제, 실리콘 중합체 입자, 비이온성 계면 활성제 중 하나 이상을 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 관한 것이다. 이에 따라, 좁은 갭(narrow gap)에서의 유동성이 양호하고, 공극 발생이 없고, 접착성, 저응력성이 우수하며, 필렛(fillet) 형성성이 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 신뢰성(내습성, 내열 충격성)이 높은 전자 부품 장치를 제공한다.
전자 부품용 액상 수지 조성물, 액상 에폭시 수지, 액상 방향족 아민, 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전체, 실리콘 중합체 입자, 비이온성 계면활성제
Description
본 발명은 엄격한 신뢰성이 요구되는 전자 부품 장치의 밀봉용으로 특히 바람직한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이 조성물로 밀봉된 소자를 구비한 전자 부품 장치에 관한 것이다.
종래부터 트랜지스터, IC 등의 전자 부품 장치의 소자 밀봉의 분야에서는 생산성, 비용 등의 면에서 수지 밀봉이 주류가 되어, 에폭시 수지 조성물이 널리 이용되고 있다. 이 이유로서는, 에폭시 수지가 작업성, 성형성, 전기 특성, 내습성, 내열성, 기계 특성, 인서트 부품과의 접착성 등의 다양한 특성에 균형이 잡혀 있기 때문이다. COB(Chip on Board), COG(Chip on Glass), TCP(Tape Carrier Package) 등의 베어칩이 실장된 반도체 장치에 있어서는 전자 부품용 액상 수지 조성물이 밀봉재로서 널리 사용되고 있다. 또한, 반도체 소자를 세라믹, 유리/에폭시 수지, 유리/이미드 수지 또는 폴리이미드 필름 등을 기판으로 하는 배선 기판 상에 직접 범프 접속하여 이루어지는 반도체 장치(플립칩)에서는, 범프 접속된 반도체 소자와 배선 기판의 간극(갭)을 충전하는 언더필재로서 전자 부품용 액상 수지 조성물이 사용되고 있다. 이들 전자 부품용 액상 수지 조성물은 전자 부품을 온습도나 기계 적인 외력으로부터 보호하기 위해서 중요한 역할을 하고 있다.
또한, 내습 접착력, 저응력성이 우수한 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 소자를 구비한 신뢰성(내습성, 내열 충격성)이 높은 전자 부품 장치를 제공하기 위해서, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (C) 고무 입자, (D) 무기 충전제를 함유하여 이루어지는 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 의해 밀봉된 소자를 구비한 전자 부품 장치가 개시되어 있다(예를 들면 일본 특허 공개 제2001-270976공보 참조).
<발명의 개시>
그러나 반도체의 진보가 현저하여, 범프 접속을 행하는 플립칩 방식에서는 범프수 증가에 따라 범프 피치, 범프 높이가 낮아지고, 결과적으로 좁은 갭의 미세화가 진행되고 있다. 고집적화에 따라 칩사이즈도 크게 되어, 언더필재에는 좁은 갭에서 넓은 면적을 유동하는 특성이 요구되어 왔다.
또한, 좁은 갭의 미세화와 동시에 범프수가 증가하여, 범프 피치도 좁아지기 때문에, 언더필재의 유동 경로도 복잡해져서, 공극이 발생하기 쉬워진다. 게다가, 언더필재는 배선 기판과 반도체 소자의 간극을 충전한 후, 반도체 소자 주변부에 일정량 스며나와 필렛(fillet)을 형성하는데, 필렛의 형상이 불균일하면 온도 주기 시 등에 필렛에 균열이 생기거나, 기판 또는 반도체 소자와 박리를 발생시키거나 하는 경우가 있다. 이와 같은 공극의 발생이나 불균일한 필렛의 형성은 플립칩 반도체 장치의 신뢰성에 큰 영향을 준다.
또한, 언더필재의 중요한 역할로서 팽창 계수가 서로 다른 반도체 소자와 배선 기판 간에 발생하는 응력을 분산시켜서 범프 접속의 신뢰성을 유지하는 것을 들 수 있는데, 반도체 소자의 대형화와 좁은 갭의 미세화에 의해 종래의 재료로는 범프 접속의 신뢰성 유지가 곤란하게 되었다. 특히 환경 보호 측면에서 무연 땜납을 범프에 사용하는 경향에 있어, 종래의 땜납과 비교하여, 무연 땜납은 기계 특성이 취약해지기 때문에 범프 접속의 신뢰성이 더욱 엄격해진다. 범프 접속의 신뢰성을 유지하기 위해서는 반도체 소자 및 배선 기판과 양호한 접착성을 유지하여, 양자 간에 발생하는 응력을 분산시킬 필요가 있다. 또한, 반도체 소자와 언더필재의 계면에 발생하는 응력은 반도체 소자의 고장으로 이어진다. 특히 반도체 소자의 고속화에 따라, 층간 절연층에 블랙다이아몬드 등의 저유전체를 이용한 반도체 소자에서는 상기 절연층이 취약하기 때문에 언더필재에 대폭적인 응력 감소가 요구되고 있다.
이상과 같이 언더필재를 예로 들면, 반도체의 진보와 동시에 전자 부품용 액상 수지 조성물에 다양한 과제의 해결이 요구되고 있다. 본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 좁은 갭에서의 유동성이 양호하고, 공극 발생이 없고, 전자 부품 구성 부재와의 접착성, 저응력성이 우수하며, 필렛 형성성이 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 신뢰성(내습성, 내열 충격성)이 높은 전자 부품 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제와 경화 촉진제 또는 계면 활성제를 이용하면 내습 접착성 등의 상기 목적을 달성할 수 있으며, 저응력제로서는 실리콘 중합체 입자를 사용함으로써 신뢰성도 높으면서 저응력 효과가 우수한 것을 발견하여, 상기 목적을 달성하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 이하의 (1) 내지 (17)에 관한 것이다.
(1) 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (C) 경화 촉진제, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(2) (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 유도체인, 상기 (1)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(3) (C) 성분의 경화 촉진제가 페닐기 및 수산기를 치환기로서 갖는 이미다졸 유도체인 상기 (1)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(4) 이미다졸 유도체가 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체인 상기 (2)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(5) 이미다졸 유도체가 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체인 상기 (3)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(6) 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (E) 실리콘 중합체 입자, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(7) (E) 성분의 실리콘 중합체 입자의 1차 입경이 0.05 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 상기 (6)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(8) 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (F) 비이온성 계면 활성제, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(9) (F) 성분의 비이온성 계면 활성제가 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖고, 또한 중량 평균 분자량 500 이상 5000 이하의 유기실록산과 에폭시 수지와의 반응으로 얻어지는 실리콘 변성 에폭시 수지인 상기 (8)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(10) 배선 기판 상에 전자 부품이 직접 범프 접속되는 전자 부품 장치에 이용되는 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(11) 범프가 납을 포함하지 않는 금속인 상기 (10)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(12) 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 전자 부품 장치를 구성하는 배선 기판과 상기 전자 부품의 범프 접속면의 거리가 80 ㎛ 이하인 상기 (10) 또는 (11)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(13) 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 상기 전자 부품이 유전율 3.0 이하의 유전체층을 갖는 반도체 소자인 상기 (10) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(14) 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물에 의해 밀봉된 전자 부품을 구비한 전자 부품 장치.
(15) 범프가 납을 포함하지 않는 금속인 상기 (14)에 기재된 전자 부품 장치.
(16) 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 전자 부품 장치를 구성하는 배선 기판과 상기 전자 부품의 범프 접속면의 거리가 80 ㎛ 이하인 상기 (14) 또는 (15)에 기재된 전자 부품 장치.
(17) 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 상기 전자 부품이 유전율 3.0 이하의 유전체층을 갖는 반도체 소자인 상기 (14) 내지 (16) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품 장치.
본원의 개시는 2005년 12월 8일에 출원된 일본 특허 출원 제2005-354719호, 일본 특허 출원 제2005-354720호 및 일본 특허 출원 제2005-354721호에 기재된 주제와 관련이 있으며, 이들의 개시 내용은 인용에 의해 본 명세서에 원용된다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명에서 이용되는 (A) 성분의 액상 에폭시 수지로서는, 한 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서 상온에서 액상이면 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물로 일반적으로 사용되고 있는 액상 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 수소 첨가 비스페놀 A 등의 디글리시딜에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지를 대표로 하는 페놀류와 알데히드류의 노볼락 수지를 에폭시화한 것, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, p-아미노페놀, 디아미노디페닐메탄, 이소시아누르산 등의 아민 화합물과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산에 의해 산화시켜서 얻어지는 선상 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 그중에서도, 유동성 측면에서는 액상 비스페놀형 에폭시 수지가 바람직하고, 내열성, 접착성 및 유동성 측면에서 액상 글리시딜아민형 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 2종의 에폭시 수지는 어느 하나 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있는데, 그 배합량은 그 성능을 발휘하기 위해서 액상 에폭시 수지 전량에 대하여 총합으로 20 질량％ 이상이 바람직하고, 30 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 50 질량％ 이상이 특히 바람직하다.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 본 발명의 효과가 달성되는 범위 내이면 고형 에폭시 수지를 병용할 수도 있지만, 성형 시의 유동성 측면에서 병용하는 고형 에폭시 수지는 에폭시 수지 전량에 대하여 20 질량％ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 에폭시 수지의 순도, 특히 가수분해성 염소량은 IC 등 소자 상의 알루미늄 배선 부식에 관계되기 때문에 적은 쪽이 바람직하고, 내습성이 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물을 얻기 위해서는 500 ppm 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 가수분해성 염소량이란 시료의 에폭시 수지 1 g을 디옥산 30 ㎖에 용해시키고, 1N-KOH 메탄올 용액 5 ㎖를 첨가하여 30분간 환류시킨 후, 전위차 적정에 의해 구한 값을 척도로 한 것이다.
본 발명에 이용되는 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제 (B)는 상온에서 액상의 방향환을 갖는 아민이면 특별히 제한은 없다. 이들을 예시하면 디에틸톨루엔디아민, 1-메틸-3,5-디에틸-2,4-디아미노벤젠, 1-메틸-3,5-디에틸-2,6-디아미노벤젠, 1,3,5-트리에틸-2,6-디아미노벤젠, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,5,3',5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄 등을 들 수 있다. 이들 액상 방향족 아민 화합물은 예를 들면, 시판품으로서, jER큐어-W, jER큐어-Z(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 가야 하드 A-A, 가야 하드 A-B, 가야 하드 A-S(닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 도토아민 HM-205(도토 가세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 아데카 하드너 EH-101(아사히 덴카 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 에포믹 Q-640, 에포믹 Q-643(미쓰이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조의 상품명), DETDA80(론자사 제조의 상품명) 등이 입수 가능하고, 이들은 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
(B) 경화제에 포함되는 액상 방향족 아민으로서는 보존 안정성 측면에서는 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄 및 디에틸톨루엔디아민이 바람직하고, 경화제는 이들 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 디에틸톨루엔디아민으로서는 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민 및 3,5-디에틸톨루엔-2,6-디아민을 들 수 있고, 이들을 단독으로 사용하거나 혼합물을 사용할 수도 있는데, 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민을 60 질량％ 이상 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물의 (B) 경화제에는 본 발명의 효과가 달성되는 범위 내이면 액상 방향족 아민 이외에 페놀성 경화제, 산무수물 등의 전자 부품용 액상 수지 조성물에서 일반적으로 사용되고 있는 경화제를 병용할 수가 있고, 고형 아민, 이미다졸 화합물 등의 고형 경화제도 병용할 수 있다. 그중에서도 내열성 측면에서는 고형 아민이 바람직하고, 유동성 측면에서는 알릴화페놀노볼락 수지가 바람직하다.
다른 경화제를 병용하는 경우, 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제 (B)의 배합량은 그 성능을 발휘하기 위해서 (B) 경화제 전량에 대하여 60 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. (A) 성분과 고형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와 (B) 경화제 전량과의 당량비는 특별히 제한은 없지만, 각각의 미반응분이 적도록 억제하기 위해서, 에폭시 수지에 대하여 경화제를 0.7 당량 이상 1.6 당량 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 0.8 당량 이상 1.4 당량 이하가 보다 바람직하고, 0.9 당량 이상 1.2 당량 이하가 특히 바람직하다.
본 발명에 이용되는 (C) 경화 촉진제는 (A) 성분의 액상 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제 (B)와의 반응을 촉진하는 것이면 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다.
이들을 예시하면 1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7,1,5-디아자-비시클로(4,3,0)노넨, 5,6-디부틸아미노-1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 시클로아미딘 화합물 및 이들의 유도체,
트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 삼급아민 화합물 및 이들의 유도체,
2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물 및 이들의 유도체,
트리부틸포스핀 등의 트리알킬포스핀, 디메틸페닐포스핀 등의 디알킬아릴포스핀, 메틸디페닐포스핀 등의 알킬디아릴포스핀, 트리페닐포스핀, 알킬기 치환 트리페닐포스핀 등의 유기포스핀류 및 이들의 유도체,
및 이들 화합물에 무수 말레산, 1,4-벤조퀴논, 2,5-톨루퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸벤조퀴논, 2,6-디메틸벤조퀴논, 2,3-디메톡시-5-메틸-1,4-벤조퀴논, 2,3-디메톡시-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논 등의 퀴논 화합물, 디아조페닐메탄, 페놀 수지 등의 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자내 분극을 갖는 화합물 및 이들의 유도체,
또한 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트 등의 페닐붕소염 등을 들 수 있고, 이들 중 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
또한, 잠재성을 갖는 경화 촉진제로서 상온 고체의 아미노기를 갖는 화합물, 특히 이미다졸 유도체를 코어로 하여 상온 고체의 에폭시 화합물의 쉘을 피복하여 이루어지는 코어쉘 입자를 들 수 있고, 시판품으로서 아미큐어(아지노모또 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 또는 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체를 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 노바큐어(아사히 카세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조의 상품명) 등을 사용할 수 있다.
잠재성을 갖는 경화 촉진제란 어떤 특정한 온도 등의 조건으로 경화 촉진 기능이 발현되는 것으로서, 예를 들면 통상의 경화 촉진제가 마이크로캡슐 등으로 보호되거나 각종 화합물과 부가된 염의 구조로 되어있거나 하는 것을 들 수 있다. 이 경우 특정한 온도를 초과하면 마이크로캡슐이나 부가물로부터 경화 촉진제가 개방된다.
그중에서도, 경화 촉진 작용과 신뢰성의 균형 측면에서 이미다졸 유도체가 바람직하다. 경화성과 성형성의 양립 측면에서는 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, 2-헵타데실이미다졸, 보존 안정성 측면에서는 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체를 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨, 잠재성을 갖는 상기 노바큐어(아사히 카세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조의 상품명)가 보다 바람직하고, 페닐기 및 수산기를 치환기로서 갖는 이미다졸 유도체인 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸이 보다 바람직하다.
경화 촉진제의 배합량은 경화 촉진 효과가 달성되는 양이면 특별히 제한되는 것이 아니지만, (A) 액상 에폭시 수지와 고형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지에 대하여 0.2 질량％ 이상 5 질량％ 이하가 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 0.2 질량％ 미만이면 저온에서의 경화성이 떨어지는 경향이 있고, 5 질량％을 초과하면 경화 속도가 너무 빨라서 제어가 곤란해지거나 가사 시간, 쉘 수명 등의 보존 안정성이 떨어지는 경향이 있다. 또한, 0.2 질량％보다도 적으면 경화 촉진제의 첨가 효과가 충분히 발휘되지 않고, 결과적으로 성형시의 공극의 발생을 억제할 수 없게 됨과 동시에, 휘어짐 감소 효과도 불충분해지는 경향이 있다.
또한, 경화 촉진제가 경화 촉진 성분 단체가 아니고, 잠재성을 갖는 경화 촉진제와 같이 경화 촉진제 성분과 에폭시 화합물, 에폭시 수지 성분을 갖는 경화 촉진제를 배합할 때는, 분산되어 있는 에폭시 수지 등을 포함시켜 모두를 경화 촉진제로 생각하여, 그 밖의 에폭시 수지에 대한 배합량은 0.1 질량％ 이상 40 질량％ 이하가 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.8 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 특히 바람직하다. 0.1 질량％ 미만이면 저온에서의 경화성이 떨어지는 경향이 있고, 40 질량％을 초과하면 경화 속도가 너무 빠르고 제어가 곤란해지거나 가사 시간, 쉘 수명 등의 보존 안정성이 떨어지는 경향이 있다. 상기 (A),(B) 성분과 함께 이용되는 (D) 성분의 무기 충전제로서는, 예를 들면, 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카, 탄산칼슘, 클레이, 산화알루미나 등의 알루미나, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 규산칼슘, 티탄산칼륨, 질화알루미늄, 베릴리아, 지르코니아, 지르콘, 포스테라이트, 스테아타이트, 스피넬, 멀라이트, 티타니아 등의 분체, 또는 이들을 구형화한 비드, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
또한, 난연 효과가 있는 무기 충전제로서는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전제는 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 그중에서도 용융 실리카가 바람직하고, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 미세 간극에 대한 유동성·침투성 측면에서는 구형 실리카가 보다 바람직하다.
무기 충전제의 평균 입경은, 특히 구형 실리카의 경우, 0.3 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 범위가 바람직하고, 평균 입경 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하다. 평균 입경이 0.5 ㎛ 미만이면 액상 수지에 대한 분산성이 떨어지는 경향이나 전자 부품용 액상 수지 조성물에 요변성이 부여되어 유동 특성이 떨어지는 경향이 있고, 10 ㎛를 초과하면 충전재 침강을 일으키기 쉬워지는 경향이나 전자 부품용 액상 수지 조성물로서의 미세 간극에 대한 침투성·유동성이 저하되어 공극·미충전을 초래하기 쉬워지는 경향이 있다.
무기 충전제의 배합량은 전자 부품용 액상 수지 조성물 전체의 20 질량％ 이상 90 질량％ 이하의 범위로 설정되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25 질량％ 이상 80 질량％ 이하, 특히 바람직하게는 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하이다. 배합량이 20 질량％ 미만이면 열팽창 계수의 감소 효과가 낮아지는 경향이 있고, 90 질량％을 초과하면 전자 부품용 액상 수지 조성물의 점도가 상승하여 유동성·침투성 및 분산성의 저하를 초래하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서의 (E) 성분의 실리콘 중합체 입자는 주로 가요성을 향상시키기 위해서 사용된다. 실리콘 중합체 입자로서는 특별히 제한은 없지만, 직쇄상의 폴리디메틸실록산, 폴리메틸페닐실록산, 폴리디페닐실록산 등의 폴리유기실록산을 가교한 실리콘 고무 입자나, 이들 실리콘 고무 입자의 표면을 실리콘 수지로 피복한 것 등을 들 수 있다. 이들 실리콘 중합체 입자의 형상은 무정형이거나 구형이어도 사용할 수가 있는데, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 성형성에 관계되는 점도를 낮게 억제하기 위해서는 구형의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 이들 실리콘 중합체 입자는 도레이 다우코닝 실리콘(주), 신에츠 가가꾸 고교(주) 등으로부터 시판품을 입수할 수 있다.
또한, (E) 성분의 실리콘 중합체 입자로서 고형 실리콘 중합체의 코어와 아크릴 수지 또는 아크릴 수지 공중합체 등의 유기중합체의 쉘로 이루어지는 코어쉘중합체 입자 등을 사용할 수 있다. 이들 코어쉘 중합체 입자를 얻는 방법으로서는, 유화 중합에 의해 코어가 되는 실리콘 중합체를 합성하고, 다음으로 아크릴 단량체와 개시제를 첨가하여 2단계째의 중합을 행함으로써 쉘을 형성하는 방법 등이 있다. 이 경우, 1단계째의 중합에 사용되는 실록산 단량체 또는 올리고머 성분에 이중 결합을 갖는 실록산 화합물을 적절히 배합함으로써, 이중 결합을 통해 아크릴 수지가 그래프트화하여 코어와 쉘의 계면이 견고하게 되기 때문에, 이렇게 하여 얻어진 실리콘 중합체 입자를 사용함으로써 전자 부품용 액상 수지 경화물의 강도를 높일 수 있다.
(E) 성분의 실리콘 중합체 입자의 1차 입경은 조성물을 균일하게 변성하기 위해서는 미세한 쪽이 양호하고, 1차 입경이 0.05 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하의 범위인 것이 특히 바람직하다. 1차 입경이 0.05 ㎛ 미만이면 액상 에폭시 수지 조성물에 대한 분산성이 떨어지는 경향이 있고, 10 ㎛를 초과하면 저응력화 개선 효과가 낮아지는 경향이나 전자 부품용 액상 수지 조성물로서의 미세 간극에 대한 침투성·유동성이 저하되어 공극, 미충전을 초래하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 1차 입경이란 실리콘 중합체 입자를 전자현미경 등으로 직접 관찰하여 얻어지는 값으로 한다.
(E) 성분의 실리콘 중합체 입자의 배합량은 충전제를 제외하는 전자 부품용 액상 수지 조성물 전체의 1 질량％ 이상 30 질량％ 이하의 범위로 설정되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 질량％ 이상 20 질량％ 이하이다. 실리콘 중합체 입자의 배합량이 1 질량％ 미만이면 저응력 효과가 낮아지는 경향이 있고, 30 질량％을 초과하면 전자 부품용 액상 수지 조성물의 점도가 상승하여 성형성(유동 특성)이 떨어지는 경향이 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 내열 충격성 향상, 반도체 소자에 대한 응력 감소 등의 측면에서 (E) 성분의 실리콘 중합체 입자 이외의 각종 가요제를 배합할 수 있다. 가요제로서는 특별히 제한은 없지만 고무 입자가 바람직하고, 이들을 예시하면 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 니트릴-부타디엔 고무(NBR), 부타디엔 고무(BR), 우레탄 고무(UR), 아크릴 고무(AR) 등의 고무 입자를 들 수 있다. 그중에서도 내열성, 내습성 측면에서 아크릴 고무로 이루어지는 고무 입자가 바람직하고, 코어쉘형 아크릴계 중합체, 즉 코어쉘형 아크릴 고무 입자가 보다 바람직하다. 또한, 고무 입자는 취급성이나 수지 성분과의 분산성 면에서 미분말상으로 미리 에폭시 수지나 경화제에 미세하게 분산시킨 것을 이용할 수도 있고, 예를 들면 상온에서 액상의 고무 변성 에폭시 수지를 들 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 성형시의 공극 감소나 각종 피착체에 대한 습윤성 향상에 의한 접착력 향상 측면에서 각종 계면 활성제를 배합할 수 있다. (F) 비이온성 계면 활성제로서는 특별히 제한은 없지만 예를 들면 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르계, 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르계, 소르비탄 지방산 에스테르계, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르계, 폴리옥시에틸렌 소르비톨 지방산 에스테르계, 글리세린 지방산 에스테르계, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르계, 폴리옥시에틸렌 알킬 아민계, 알킬 알칸올 아미드계, 폴리에테르 변성 실리콘계, 아랄킬 변성 실리콘계, 폴리에스테르 변성 실리콘계, 폴리아크릴계 등의 계면 활성제를 들 수 있고, 이들을 단독으로 사용하거나 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 그중에서도 폴리에테르 변성 실리콘계 계면 활성제 및 아랄킬 변성 실리콘계 계면 활성제가 전자 부품용 액상 수지 조성물의 표면장력 감소에 효과가 있다. 이들 계면 활성제는 빅케미 재팬 가부시끼가이샤(상품명 BYK-307, BYK-333, BYK-377, BYK-323),카오 가부시끼가이샤 등으로부터 시판품을 입수할 수 있다. 비이온성 이외의 계면 활성제를 병용할 수도 있다.
또한, (F) 비이온성 계면 활성제로서 실리콘 변성 에폭시 수지를 첨가할 수 있다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 유기실록산과 에폭시 수지와의 반응물로서 얻을 수 있는데, 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 액체의 표면에 국재화하여 액체의 표면장력을 낮출 수 있다. 이에 의해 습윤성이 높고 유동하기 쉬워지기 때문에, 좁은 갭에 대한 침투성 향상이나 함입 공극의 감소에 효과가 있다.
여기서 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 유기실록산을 예시하면, 아미노기, 카르복실기, 수산기, 페놀성 수산기, 메르캅토기 등을 1 분자 내에 1개 이상 갖는 디메틸실록산, 디페닐실록산, 메틸페닐실록산 등을 들 수 있다. 이들 유기실록산은 예를 들면, 시판품으로서 BY16-799, BY16-871, BY16-004(도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤 제조의 상품명)나 X-22-1821, KF-8010(신에츠 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명)등을 입수할 수 있다. 유기실록산의 분자 구조는 직쇄상, 분지쇄상 중의 어느 것일 수도 있다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 원료 에폭시 수지 100 질량부에 대하여 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 갖는 실리콘 성분을 50 내지 150 질량부 반응시킨 것이 바람직하다.
유기실록산의 중량 평균 분자량으로서는 500 이상 5000 이하의 범위가 바람직하고, 100 이상 3000 이하의 범위가 보다 바람직하다. 이 이유로서는 500 미만이면 수지계와의 상용성이 너무 좋아져서 첨가제로서의 효과가 발휘되지 않고, 5000을 초과하면 수지계와의 상용성이 너무 나빠져서 실리콘 변성 에폭시 수지가 성형시에 분리·삼출되어, 접착성이나 외관을 손상시키기 때문이다. 본 발명에 있어서 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피법(GPC)에 의해 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용하여 측정한다. 구체적으로는, GPC로서 펌프(가부시끼가이샤 히따찌 세이사꾸쇼 제조의 L-6200형), 칼럼(TSKgel-G5000HXL 및 TSKgel-G2000HXL, 모두 도소 가부시끼가이샤 제조의 상품명), 검출기(가부시끼가이샤 히따찌 세이사꾸쇼 제조의 L-3300 RI형)를 이용하고, 테트라히드로푸란을 용리액으로 하여 온도 30℃, 유량 1.0 ㎖/분의 조건으로 측정한 결과를 참조한다.
실리콘 변성 에폭시 수지를 얻기 위한 에폭시 수지로서는 전자 부품용 액상 수지 조성물의 수지계에 상용하는 것이면 특별히 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 나프탈렌 디올, 수소 첨가 비스페놀 A 등과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜 에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류를 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지를 에폭시화한 노볼락형 에폭시 수지, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지, 디아미노디페닐 메탄, 이소시아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화시켜서 얻어지는 선상 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있지만, 상온 액상인 것이 바람직하다. 특히 바람직한 것은 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지이다.
(F) 계면 활성제의 첨가량은 전자 부품용 액상 수지 조성물 전체에 대하여 0.01 질량％ 이상 1.5 질량％ 이하가 바람직하고, 0.05 질량％ 이상 1 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 0.01 질량％보다 적으면 충분한 첨가 효과가 얻어지지 않고, 1.5 질량％보다 많으면 경화시에 경화물 표면으로부터의 삼출이 발생하여 접착이 저하되는 경향이 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 필요에 따라서, 수지와 무기 충전제 또는 수지와 전자 부품의 구성 부재와의 계면 접착을 견고하게 할 목적으로 커플링제를 사용할 수 있다. 이들 커플링제에는 특별히 제한은 없고 종래 공지된 것을 사용할 수 있는데, 예를 들면, 1급 및/또는 2급 및/또는 3급 아미노기를 갖는 실란 화합물, 에폭시 실란, 메르캅토 실란, 알킬 실란, 우레이도 실란, 비닐 실란 등의 각종 실란계 화합물, 티탄계 화합물, 알루미늄 킬레이트류, 알루미늄/지르코늄계 화합물 등을 들 수 있다.
이들을 예시하면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, 비닐트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란 등의 실란계 커플링제; 이소프로필트리이소스테아로일 티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸피로포스페이트) 티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸) 티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트) 티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트 티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)옥시아세테이트 티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)에틸렌 티타네이트, 이소프로필트리옥타노일 티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일 티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐 티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴 티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트) 티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트) 티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있고, 이들 중 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
커플링제의 배합량은 액상 수지 조성물에 대하여 0.1 내지 3.0 질량％인 것이 바람직하고, 0.2 내지 2.5 질량％인 것이 보다 바람직하고, 0.2 내지 2.5 질량％인 것이 특히 바람직하다. 0.1 질량％ 미만이면 기판과 액상 수지 조성물의 경화물의 밀착성이 저하되는 경향이 있고, 3.0 질량％을 초과하면 공극이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 필요에 따라서 이온 트랩제를 IC 등의 반도체 소자의 이동 저항성(migration resistance), 내습성 및 고온 방치 특성을 향상시키는 관점에서 함유할 수 있다. 이온 트랩제로서는 특별히 제한은 없고 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 특히 하기 화학식 I로 표시되는 히드로탈사이트 또는 화학식 II로 표시되는 비스무스의 함수 산화물이 바람직하다.
이들 이온 트랩제의 첨가량은 할로겐 이온 등의 음이온을 포착할 수 있는 충분량이면 특별히 제한은 없지만, 이동 저항성 측면에서 액상 수지 조성물에 대하여 0.1 질량％ 이상 3.0 질량％ 이하가 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 1.5 질량％ 이하이다. 이온 트랩제의 평균 입경은 0.1 ㎛ 이상 3.0 ㎛ 이하가 바람직하고, 최대 입경은 10 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 상기 화학식 I의 화합물은 시판품으로서 교와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 DHT-4A로 입수할 수 있다. 또한, 상기 화학식 II의 화합물은 시판품 IXE500(도아 고세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명)으로 입수할 수 있다. 또한 필요에 따라서 그 밖의 음이온 교환체를 첨가할 수도 있다. 예를 들면, 마그네슘, 알루미늄, 티탄, 지르코늄, 안티몬 등으로부터 선택되는 원소의 함수 산화물 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 그 밖의 첨가제로서, 염료, 카본 블랙, 산화티탄, 연단 등의 착색제, 난연제, 희석제, 레벨링제, 다른 가요화제, 소포제 등을 필요에 따라서 배합할 수 있다.
난연제로서는 브롬화 에폭시 수지나 삼산화안티몬을 사용할 수 있는데, 비할로겐, 비안티몬의 난연제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 적린, 페놀 수지 등의 열경화성 수지 등으로 피복된 적린, 인산에스테르, 산화트리페닐포스핀 등의 인 화합물, 멜라민(melamine), 멜라민 유도체, 멜라민 변성 페놀 수지, 트리아진환을 갖는 화합물, 시아누르산 유도체, 이소시아누르산 유도체 등의 질소 함유 화합물, 시클로포스파젠 등의 인 및 질소 함유 화합물, 디시클로펜타디에닐철 등의 금속 착체 화합물, 산화아연, 주석산아연, 붕산아연, 몰리브덴산아연 등의 아연 화합물, 산화철, 산화몰리브덴 등의 금속 산화물, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속수산화물, 하기 화학식 III으로 표시되는 복합 금속수산화물 등을 들 수 있다.
(화학식 III에서, M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소를 나타내고, a, b, c, d, p, q 및 m은 양의 수, r은 0 또는 양의 수를 나타냄)
상기 화학식 III 중의 M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소이면 특별히 제한은 없지만, 난연성 측면에서는 M1이 제3 주기의 금속 원소, IIA족의 알칼리토금속 원소, IVB족, IIB족, VIII족, IB족, IIIA 족 및 IVA 족에 속하는 금속 원소로부터 선택되고, M2가 IIIB 내지 IIB족의 전이 금속 원소로부터 선택되는 것이 바람직하며, M1이 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 주석, 티탄, 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연으로부터 선택되고, M2가 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연으로부터 선택되는 것이 보다 바람직하다. 유동성 측면에서는 M1이 마그네슘, M2가 아연 또는 니켈이며, r=0인 것이 바람직하다. p, q 및 r의 몰비는 특별히 제한은 없지만 r=0이고, p/q가 1/99 내지 1/1인 것이 바람직하다. 또한, 금속 원소의 분류는 전형 원소를 A아족, 전이 원소를 B아족으로 하는 장주기형의 주기율표에 기초하여 행하였다. 상기 난연제는 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
희석제로서 점도 조정을 위해 에폭시기를 갖는 반응성 희석제를 혼합할 수도 있다. 에폭시기를 갖는 반응성 희석제로서는 예를 들면 n-부틸 글리시딜 에테르, 베르사트산 글리시딜 에테르, 스티렌 옥사이드, 에틸 헥실 글리시딜 에테르, 페닐 글리시딜 에테르, 부틸 페닐 글리시딜 에테르, 1,6-헥산디올 디글리시딜 에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜 에테르, 디에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 트리메틸올 프로판 트리글리시딜 에테르를 들 수 있다. 이들 중 1종을 단독으로 사용하거 나 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은 상기 각종 성분을 균일하게 분산 혼합할 수 있는 것이면, 어떠한 수법을 이용하더라도 제조할 수 있지만, 일반적인 수법으로서 소정의 배합량의 성분을 칭량하여 분쇄기, 믹싱롤, 유성형 믹서 등을 이용하여 혼합, 혼련하고 필요에 따라서 탈포함으로써 얻을 수 있다.
본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 의해 전자 부품을 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치로서는 리드 프레임, 배선 완료된 테이프 캐리어, 리지드 및 플렉시블 배선판, 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 지지 부재에, 반도체칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동 소자, 컨덴서, 저항체, 저항 어레이, 코일, 스위치 등의 수동 소자 등의 소자를 탑재하고, 필요한 부분을 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물로 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치 등을 들 수 있다. 특히 배선 기판 상에 전자 부품이 직접 범프 접속되는 전자 부품 장치의 밀봉에 이용되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 리지드 및 플렉시블 배선판이나 유리 상에 형성된 배선에 반도체 소자가 범프 접속에 의해 플립칩 본딩된 반도체 장치가 대상이 된다. 구체적인 예로서는 플립칩 BGA/LGA나 COF(Chip On Film) 등의 반도체 장치를 들 수 있고, 본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 신뢰성이 우수한 플립칩용의 언더필재로서 바람직하다. 또한, 인쇄 회로판에도 본 발명의 액상 수지 조성물은 유효하게 사용될 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물이 특히 바람직한 플립칩의 분야로서는, 배선 기판과 반도체 소자가 접속되는 범프 재질이 종래의 납 함유 땜납이 아 닌, Sn-Ag-Cu계 등의 무연 땜납을 이용한 플립칩 반도체 장치를 들 수 있다. 종래의 땜납과 비교하여 물성적으로 취약한 무연 땜납 범프 접속을 한 플립칩에 대해서도 양호한 신뢰성을 유지할 수 있다.
또한, 반도체 소자의 크기가 긴 쪽의 변에서 5 ㎜ 이상인 대형 소자에 대하여 바람직하며, 전자 부품을 구성하는 배선 기판과 반도체 소자의 범프 접속면의 거리가 80 ㎛ 이하인 플립칩 접속에 대해서도 양호한 유동성과 충전성, 내습성, 내열 충격성 등의 신뢰성도 우수한 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또한, 최근 반도체 소자의 고속화에 따라 저유전율의 층간 절연막이 반도체 소자에 형성되어 있지만, 이들 저유전 절연체는 기계 강도가 약하고, 외부로부터의 응력으로 파괴되어 고장이 발생하기 쉽다. 이 경향은 소자가 커질수록 현저해져서, 언더필재로부터의 응력 감소가 요구되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 긴 쪽의 변에서 5 ㎜ 이상이고, 유전율 3.0 이하의 유전체층을 갖는 반도체 소자가 탑재되는 플립칩 반도체 장치에 대해서도 우수한 신뢰성을 제공할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 전자 부품을 밀봉하는 방법으로서는, 디스펜스 방식, 주형 방식, 인쇄 방식 등을 들 수 있다.
다음으로 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예에서 행한 특성 시험의 시험 방법을 이하에 통합하여 기술한다. 또한, 사용된 전자 부품용 액상 수지 조성물의 다양한 특성 및 함침 시간, 공극의 관찰, 각종 신뢰성의 평가는 이하의 방법 및 조건으로 행하였다. (8) 내지 (13)의 함침 시간, 공극의 관찰, 칩 휘어짐, 신뢰성의 평가에 사용된 반도체 장치는 다음 2종의 플립칩 BGA를 사용하였다.
(Non low-k 사양 플립칩 BGA)
제원은 칩 크기 20×20×0.55 tmm(회로는 알루미늄의 데이지체인 접속, 패시베이션: 히타치 카세이 듀퐁 마이크로시스템 가부시끼가이샤 제조의 폴리이미드막 상품명 HD4000), 범프: 땜납볼(Sn-Ag-Cu, Φ 80 ㎛, 7,744 pin), 범프 피치: 190 ㎛, 기판: FR-5(히타치 가세이 고교가부시끼가이샤 제조의 솔더 레지스트 상품명 SR7000, 60×60×0.8 tmm), 칩/기판 사이의 갭: 50 ㎛이다.
(Low-k 사양 플립칩 BGA)
제원은 칩 크기 20×20×0.55 tmm(유전율 2.7의 유전체층을 3층 형성, 회로는 알루미늄의 데이지체인 접속, 패시베이션: 히타치 카세이 듀퐁 마이크로시스템 가부시끼가이샤 제조의 폴리이미드막 상품명 HD4000), 범프: 땜납볼(Sn-Ag-Cu, Φ 80 ㎛, 7,744 pin), 범프 피치: 190 ㎛, 기판: FR-5(히타치 가세이 고교가부시끼가이샤 제조의 솔더 레지스트 상품명 SR7000, 60×60×0.8 tmm), 칩/기판 사이의 갭: 50 ㎛이다.
반도체 장치는 상기 각 BGA에 전자 부품용 액상 수지 조성물을 디스펜스 방식으로 언더필하고, 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 4는 표 4, 표 5에 나타낸 경화 온도에서 2시간 경화함으로써 제조하였다. 또한, 각종 시험편의 경화 조건도 동일한 조건으로 행하였다. 실시예 12 내지 18 및 비교예 5 내지 8은 165 ℃, 2시 간의 가열 조건으로 경화함으로써 제조하였다. 시험편의 경화 조건은 150℃, 3시간으로 하였다. 실시예 19 내지 31 및 비교예 9 내지 14는 165 ℃, 2시간의 가열 조건으로 경화함으로써 제조하였다. 또한, 각종 시험편의 경화 조건도 165 ℃, 2시간으로 하였다.
(1) 점도, 요변 지수
전자 부품용 액상 수지 조성물의 25 ℃에서의 점도를 E형 점도계(콘 각도 3°, 회전수 5 rpm)를 이용하여 측정하였다. 요변 지수는 회전수 2.5 rpm에서 측정한 점도와 10 rpm에서 측정한 점도의 비로 하였다.
(2) 165℃ 겔화 시간
겔화 시험기를 이용하여, 배합된 전자 부품용 액상 수지 조성물을 165℃의 열판 상에 적량 떨어뜨린 후 겔화하기 시작하기까지의 시간을 측정하였다.
(3) 가열 중량 감소
열 중량 측정 장치 TGA-Q500(TA 인스트루먼트사 제조)을 이용하여, 전자 부품용 액상 수지 조성물 20 ㎎을 공기 내에서 실온으로부터 165℃까지 승온 속도 10 ℃/분으로 가열하고, 또한 165℃에서 2시간 유지했을 때의 중량 감소량(질량％)을 측정하였다.
(4) Tg
소정 조건으로 경화한 시험편(3 ㎜×3 ㎜×20 ㎜)을 열기계 분석 장치 TMA4000SA(맥사이언스사 제조)를 이용하여, 하중 15 g, 측정 온도 0℃ 내지 200℃, 승온 속도 10 ℃/분의 조건으로 측정하였다.
(5) 탄성률
소정 조건으로 경화한 시험편(폭 4 ㎜, 길이 40 ㎜, 두께 1㎜)을 동적 점탄성 측정 장치 DMA-Q800형(TA 인스트루먼트사 제조의 상품명)을 이용하여, 스팬(span) 22 ㎜, 측정 온도 - 60 내지 300 ℃, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 Hz의 조건으로 25 ℃의 저장 탄성률을 측정하였다.
(6) 표면장력
전자 부품용 액상 수지 조성물의 25 ℃에서의 표면장력을 표면장력 측정기 DCATl1(에이코 세이끼 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여, 플레이트법(19.9 ㎜×10 ㎜×0.2 ㎜, 백금-이리듐제 윌헬미(Wilhelmy) 플레이트)에 의해 측정하였다.
(7) 접착력
·SR 접착력
솔더 레지스트 SR7000(히타치 가세이 고교가부시끼가이샤 제조의 상품명)의 표면에 전자 부품용 액상 수지 조성물을 직경 3 ㎜, 높이 3 ㎜로 성형한 시험편을 제조하고, 본드테스터 DS100형(DAGE 제조)를 이용하여, 헤드스피드 50 ㎛/초, 25℃의 조건으로 전단 응력을 걸어 시험편이 솔더 레지스트로부터 박리되는 강도를 측정하였다. 이 측정은 시험편 성형 직후 및 130℃, 85％RH의 HAST(고도 가속 수명 시험, Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test) 조건 하에서 150 시간 처리후에 행하였다.
·PI 접착력
감광성 폴리이미드 HD4000(히타치 카세이 듀퐁 마이크로시스템 가부시끼가이 샤 제조의 상품명)의 표면에 전자 부품용 액상 수지 조성물을 직경 3 ㎜, 높이 3 ㎜로 성형한 시험편을 제조하고, 본드테스터 DS100형(DAGE 제조)를 이용하고, 헤드스피드 50 ㎛/초, 25 ℃의 조건으로 전단 응력을 걸어, 시험편이 감광성 폴리이미드로부터 박리되는 강도를 측정하였다. 이 측정은 시험편 성형 직후 및 130℃, 85％ RH의 HAST 조건 하에서 150 시간 처리 후에 행하였다.
(8) 함침 시간
반도체 장치를 110℃로 가열한 핫 플레이트 상에 두고, 디스펜서를 이용하여 전자 부품용 액상 수지 조성물의 소정량을 칩의 측면(1변)에 적하하고, 수지 조성물이 대향하는 측면에 침투하기까지의 시간을 측정하였다.
(9) 공극 관찰
전자 부품용 액상 수지 조성물을 언더필하고, 경화하여 제조된 반도체 장치의 내부를 초음파 탐상 장치 AT-5500(히타치 겐끼 가부시끼가이샤 제조)로 관찰하여 공극의 유무를 조사하였다.
(10) 칩 휘어짐
전자 부품용 액상 수지 조성물을 언더필하고, 경화하여 제조된 반도체 장치의 칩대각선 상의 휘어짐량(㎛)을 실온에서 표면 조도 측정기 서프코더 SE-2300(가부시끼가이샤 고사카 겐뀨쇼 제조)를 이용하여 측정하였다.
(11) 내리플로우성(Reflow resistance)
전자 부품용 액상 수지 조성물을 언더필하고, 경화하여 제조된 반도체 장치를 120℃/12시간 가열 건조한 후 85℃, 60％ RH 하에서 168시간 흡습시키고, 원적 외선 가열 방식의 리플로우로(reflow furnace)(예열 150℃ 내지 180℃에서 50초, 피크 온도 260℃, 250℃ 이상의 가열 시간 40초) 내를 3회 통과시킨 후, 내부를 초음파 탐상 장치로 관찰하고 수지 경화물과 칩 및 기판과의 박리, 수지 경화물의 균열의 유무를 조사하여 불량 패키지수/평가 패키지수로 평가하였다.
(12) 내온도 주기성(Heat cycle resistance)
전자 부품용 액상 수지 조성물을 언더필하고, 경화하여 제조한 반도체 장치를 -50℃ 내지 150℃, 각 30분의 열 주기로 1000 주기(cycle) 처리하고, 도통 시험을 행하여 알루미늄 배선 및 패드의 단선 불량을 조사하고 불량 패키지수/평가 패키지수로 평가하였다.
(13) 내습 신뢰성
전자 부품용 액상 수지 조성물을 언더필하고, 경화하여 제조한 반도체 장치를 130℃, 85％RH의 HAST 조건 하에서 150 시간 처리한 후, 알루미늄 배선 및 패드의 단선 유무를 도통 시험으로부터 확인하고 불량 패키지/평가 패키지수로 평가하였다.
(실시예 1 내지 11, 비교예 1 내지 4)
(A) 액상 에폭시 수지로서 비스페놀 F를 에폭시화하여 얻어지는 에폭시 당량 160의 액상 디에폭시 수지(에폭시 수지 1, 재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER806),
아미노페놀을 에폭시화하여 얻어지는 에폭시 당량 95의 3관능 액상 에폭시 수지(에폭시 수지 2, 재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER630)를 준비하였다.
(B) 경화제로서 활성 수소 당량 45의 디에틸톨루엔디아민(액상 아민 1, 재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER 큐어 W),
활성 수소 당량 63의 디에틸-디아미노-디페닐메탄(액상 아민 2, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조의 상품명 가야 하드 A-A),
비교를 위해, 활성 수소 당량 63의 테트라메틸-디아미노-디페닐메탄(고형 아민, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조의 상품명 가야 본드 C-200S),
산무수물 당량 168의 액상 산무수물(히타치 가세이 고교가부시끼가이샤 제조의 상품명 HN5500)을 준비하였다.
(C) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(경화 촉진제 1),
2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(경화 촉진제 2),
2-페닐이미다졸(경화 촉진제 3),
마이크로캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 경화 촉진제(아사히 카세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조의 상품명 노바큐어 HX-3921HP, 경화 촉진제 유효 성분 함유량 33 질량％, 경화 촉진제 4)를 준비하였다.
가요화제 중, (E) 실리콘 중합체 입자로서 디메틸형 고형 실리콘 고무 입자의 표면이 에폭시기로 수식된 평균 입경 2 ㎛의 구형의 실리콘 미립자(도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤 제조의 상품명 토레필 E-601, 실리콘 중합체 1), 코어 층이 디메틸형 고형 실리콘으로 쉘층이 아크릴 수지로 구성되고, 코어/쉘 질량 비율 2/1, 평균 입경 0.12 ㎛의 실리콘 미립자(실리콘 중합체 2), 비교를 위해, 부타디엔 아크릴로니트릴 메타크릴산 디비닐벤젠의 공중합물이고 평균 입경 0.19 ㎛의 NBR 입자(JSR 가부시끼가이샤 제조의 상품명 XER-91)를 준비하였다.
(F) 비이온성 계면 활성제로서 폴리에테르 변성 실리콘계 계면 활성제(빅케미 제조의 상품명 BYK-377, 계면 활성제 1),
아랄킬 변성 실리콘계 계면 활성제(빅케미 제조의 상품명 BYK-323, 계면 활성제 2),
수산기 당량 750, 중량 평균 분자량 1600의 페놀 변성 실리콘(도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤 제조의 상품명 BY16-799)과 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER806)를 중량비 1/1로 가열 혼융하여 얻어진 실리콘 변성 에폭시 수지(계면 활성제 3),
활성 수소 당량 130, 중량 평균 분자량 470의 페놀 변성 실리콘(도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤 제조의 상품명 BY16-871)과 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER806)를 중량비 1/1로 가열 혼융하여 얻어진 실리콘 변성 에폭시 수지(계면 활성제 4),
수산기 당량 3500, 중량 평균 분자량 8500의 카르비놀 변성 실리콘(도레이 다우코닝 실리콘 가부시끼가이샤 제조의 상품명 BY16-004)과 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER806)를 중량비 1/1로 가열 혼융하여 얻어진 실리콘 변성 에폭시 수지(계면 활성제 5),
폴리옥시에틸렌알킬에테르계 계면 활성제(도호 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 페그놀 L-4, 계면 활성제 6)를 준비하였다.
실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(싯소 가부시끼가이샤 제조의 상품명 실라 에이스 S510),
착색제로서 카본 블랙(미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조의 상품명 MA-100),
이온 트랩제로서 비스무스계 이온 트랩제(도아 고세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명 IXE-500),
(D) 무기 충전제로서 평균 입경 1 ㎛의 구형 용융 실리카를 준비하였다.
이들을 각각 하기 표 1 내지 표 3에 나타낸 조성으로 배합하고 3축 롤(three-roll) 및 진공 밀로 혼련 분산한 후, 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 4의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 제조하였다. 또한 표 1 내지 표 3의 배합 단위는 질량부이고, 또한 공란은 배합 없음을 나타낸다.
각종 평가 결과를 하기 표 4 내지 표 6에 나타내었다.
본 발명에 있어서의 (C) 성분의 경화 촉진제를 포함하지 않는 비교예 1 및 2에서는 겔화 시간이 길고, 가열 중량 감소도 크기 때문에, 공극성이 떨어졌다. 또한, 경화 시간 2시간 후의 Tg 변화로부터 정한 경화 온도가 높기 때문에, 패키지에서의 칩 휘어짐량이 커져, 결과적으로 내온도 주기성이 현저히 떨어졌다. 또한, (C) 성분의 경화 촉진제를 포함하며 경화제가 고형 아민인 비교예 3은 고점도이기 때문에 함침 시간이 길어 생산성이 떨어지고, 또한 공극에 기인하여 내습 신뢰성 및 내열 충격성이 저하되었다. 또한, (C) 성분의 경화 촉진제를 포함하며 경화제가 액상 방향족 아민이 아닌 액상 산무수물인 비교예 4는 성형성은 우수하지만 내습 접착력이 낮기 때문에, 내리플로우성, 내온도 주기성 및 내습 신뢰성이 현저히 떨어져 있었다. 이에 반하여, 실시예 1 내지 11은 겔화 시간이 짧고, 가열 중량 감소도 낮게 억제되어 있기 때문에 성형 시의 공극성이 우수하고, 경화 온도를 낮게 설정하는 것이 가능하기 때문에 칩 휘어짐이 작고, 또한 HAST 처리 후의 접착성의 향상이 도모되어, 내리플로우성, 내온도 주기성 및 내습성의 각종 신뢰성이 우수하였다.
(실시예 12 내지 18, 비교예 5 내지 8)
각각 표 7, 표 8에 나타낸 조성으로 마찬가지로 하여 실시예 12 내지 18 및 비교예 5 내지 8의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 제조하였다.
각종 평가 결과를 표 9, 표 10에 나타내었다.
본 발명에 있어서의 (E) 성분의 실리콘 중합체를 포함하지 않는 비교예 5에서는 내습 접착력, 내습 신뢰성 및 내열 충격성이 현저히 떨어져 있었다. (E) 성분 대신에 가요화제로서 NBR 입자를 배합한 비교예 6에서는 내습 접착력 및 내열 충격성에 개선 효과를 보이지만, 아직 불충분하였다. (E) 성분의 실리콘 중합체를 포함하지만 경화제가 고형 아민인 비교예 7은 고점도이기 때문에 함침 시간이 길어 생산성이 떨어지고, 또한 공극에 기인하여 내습 신뢰성 및 내열 충격성이 저하되었다. 또한 (E) 성분의 실리콘 중합체를 포함하지만 경화제가 액상 방향족 아민 대신에 액상 산무수물인 비교예 8은 성형성에는 우수하지만 내습 접착이 나쁘기 때문에, 내리플로우성 및 내습 신뢰성이 현저히 떨어져 있었다. 이에 반하여, 실시예 12 내지 18은 액상 방향족 아민 및 (E) 실리콘 중합체 입자를 배합한 것으로, 이들은 성형시의 함침성이 우수하고, 공극 발생도 없고, 초기 및 가습시의 접착성도 우수하여, 내습 신뢰성, 내열 충격성 등의 신뢰성도 현저한 개선 효과를 보였다.
(실시예 19 내지 31, 비교예 9 내지 14)
각각 표 11 내지 13에 나타낸 조성으로 마찬가지로 하여 실시예 19 내지 31, 비교예 9 내지 14의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 제조하였다.
각종 평가 결과를 표 14 내지 표 16에 나타내었다.
본 발명에 있어서의 (F) 성분의 계면 활성제를 포함하지 않는 비교예 9 및 10에서는 표면장력이 크고, HAST 처리 후의 접착력, 공극, 내습 신뢰성 및 내온도 주기성이 현저히 떨어져 있었다. 또한, (F) 성분의 계면 활성제를 포함하며 경화제가 고형 아민인 비교예 11, (C) 성분의 계면 활성제를 포함하지 않으며 경화제가 고형 아민인 비교예 12는 고점도이기 때문에 함침 시간이 길어 생산성이 떨어지고, 또한 공극으로 인하여 내습 신뢰성 및 내열 충격성이 저하되었다. 또한, (F) 성분의 계면 활성제를 포함하며 경화제가 액상 산무수물인 비교예 13, (F) 성분의 계면 활성제를 포함하지 않으며 경화제가 액상 산무수물인 비교예 14는 성형성에는 우수하지만 내습 접착력이 낮기 때문에, 내리플로우성 및 내온도 주기성, 내습 신뢰성이 현저히 떨어져 있었다. 이에 반하여, 실시예 19 내지 31은 표면장력이 낮아서 성형 시의 공극성, HAST 처리 후의 접착성의 향상이 도모되어, 내리플로우성, 내온도 주기성 및 내습성의 각종 신뢰성이 우수하였다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은 표면장력의 감소 또는 겔화 시간의 단축에 의해 성형시의 공극을 억제함과 동시에 경화 온도의 저온화를 가능하게 한다. 또한, 흡습 후에 있어서도 각종 기재와의 접착력이 높다. 또한, 함침성 등의 성형성과 내습 신뢰성 및 내열 충격성 등의 신뢰성이 우수하다. 이 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 전자 부품을 밀봉하면, 최첨단의 반도체 소자에 대해서도 칩 휘어짐이 작고 신뢰성이 우수한 전자 부품 장치를 얻을 수 있기 때문에, 그 공업적 가치가 크다.
Claims (17)
- 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (C) 경화 촉진제, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 유도체인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 페닐기 및 수산기를 치환기로서 갖는 이미다졸 유도체인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제2항에 있어서, 이미다졸 유도체가 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제3항에 있어서, 이미다졸 유도체가 마이크로캡슐화된 이미다졸 유도체인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (E) 실리콘 중합체 입자, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제6항에 있어서, (E) 성분의 실리콘 중합체 입자의 1차 입경이, 0.05 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 전자 부품의 밀봉에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물이며, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 액상 방향족 아민을 포함하는 경화제, (F) 비이온성 계면 활성제, (D) 무기 충전제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제8항에 있어서, (F) 성분의 비이온성 계면 활성제가 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖고, 또한 중량 평균 분자량 500 이상 5000 이하의 유기실록산과 에폭시 수지와의 반응으로 얻어지는 실리콘 변성 에폭시 수지인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 배선 기판 상에 전자 부품이 직접 범프(bump) 접속되는 전자 부품 장치에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제10항에 있어서, 범프가 납을 포함하지 않는 금속인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 전자 부품 장치를 구성하는 배선 기판과 상기 전자 부품의 범프 접속면의 거리가 80 ㎛ 이하인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 상기 전자 부품이 유전율 3.0 이하의 유전체층을 갖는 반도체 소자인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물에 의해 밀봉된 전자 부품을 구비한 전자 부품 장치.
- 제14항에 있어서, 범프가 납을 포함하지 않는 금속인 전자 부품 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 전자 부품 장치를 구성하는 배선 기판과 상기 전자 부품의 범프 접속면의 거리가 80 ㎛ 이하인 전자 부품 장치.
- 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 부품의 긴 변의 길이가 5 ㎜ 이상이고, 또한 상기 전자 부품이 유전율 3.0 이하의 유전체층을 갖는 반도체 소자인 전자 부품 장치.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011049319A3 (ko) * | 2009-10-20 | 2011-10-13 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 음향 트랜스듀서용 수동소자 제조방법 및 이의 제조장치 |
| KR101651649B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2016-08-29 | 주식회사 일렉켐스 | 전기 또는 전자 부품 접속용 도전성 접착 조성물 |
| KR20200074143A (ko) * | 2017-11-14 | 2020-06-24 | 가부시키가이샤 코키 | 보강용 수지 조성물 및 전자 부품 장치 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5263496B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-08-14 | 株式会社スリーボンド | エポキシ樹脂組成物 |
| US20100033295A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Therm-O-Disc, Incorporated | High temperature thermal cutoff device |
| KR101233385B1 (ko) * | 2008-09-02 | 2013-02-15 | 제일모직주식회사 | 반도체 디바이스의 미세 갭 필용 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 반도체 캐패시터의 제조방법 |
| JP5185890B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2013-04-17 | 株式会社日立産機システム | 高電圧電気機器用絶縁注型樹脂及びこれを用いた高電圧電気機器 |
| CN102206451B (zh) * | 2010-03-30 | 2013-11-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种灯罩涂料及其制备方法 |
| GB201005444D0 (en) * | 2010-03-31 | 2010-05-19 | 3M Innovative Properties Co | Epoxy adhesive compositions comprising an adhesion promoter |
| JP5792593B2 (ja) * | 2011-11-04 | 2015-10-14 | 京セラケミカル株式会社 | ディップコート用エポキシ樹脂組成物 |
| MX2016008067A (es) * | 2013-12-20 | 2017-02-27 | Basf Coatings Gmbh | Metodo para producir una pasta de pigmento, material de electrocapa acuoso, su uso, metodo para el electrorrevestimiento cataforetico y articulo revestido. |
| JP6246050B2 (ja) * | 2014-04-14 | 2017-12-13 | オリンパス株式会社 | 樹脂組成物、超音波振動子用バッキング材、超音波振動子及び超音波内視鏡 |
| DE102015113352A1 (de) | 2014-09-23 | 2016-03-24 | Fischerwerke Gmbh & Co. Kg | Befestigungssysteme mit feinteiligen Füllstoffen |
| JP6789495B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2020-11-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | アンダーフィル用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
| US20190345325A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resin composition for printed circuit board and integrated circuit package, and product using the same |
| CN108795372A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-13 | 高邮市康胜机械有限公司 | 一种二甲基硅橡胶增韧环氧树脂粘接废弃金属屑制备高韧性配重块的制备方法 |
| JP7322153B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-08-07 | デクセリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、熱硬化性接着シート及びプリント配線板 |
| JP7430503B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2024-02-13 | 株式会社ダイセル | エポキシ化合物の製造方法 |
| CN111500237A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-07 | 东莞市新懿电子材料技术有限公司 | 一种快速流动可低温固化的底部填充胶粘剂及其制备方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668061B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1994-08-31 | 松下電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JP3261907B2 (ja) | 1994-12-02 | 2002-03-04 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH10158473A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いて封止された光半導体装置 |
| JP4568940B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2010-10-27 | 日立化成工業株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2000336244A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2002128866A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
| JP2002322343A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及びその製造方法 |
| US6733902B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP4730501B2 (ja) | 2001-08-16 | 2011-07-20 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP3985148B2 (ja) | 2001-08-16 | 2007-10-03 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US6725931B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-04-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods of consolidating proppant and controlling fines in wells |
| JP3867784B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4009853B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2007-11-21 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP3925803B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2007-06-06 | 信越化学工業株式会社 | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 |
| JP2005146104A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US20050152773A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-07-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2005350618A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007182562A (ja) | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011049319A3 (ko) * | 2009-10-20 | 2011-10-13 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 음향 트랜스듀서용 수동소자 제조방법 및 이의 제조장치 |
| KR101115425B1 (ko) * | 2009-10-20 | 2012-02-20 | 알피니언메디칼시스템 주식회사 | 음향 트랜스듀서용 수동소자 제조방법 |
| EP2493217A2 (en) * | 2009-10-20 | 2012-08-29 | Alpinion Medical Systems Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing a passive component for an acoustic transducer |
| EP2493217A4 (en) * | 2009-10-20 | 2013-07-10 | Alpinion Medical Systems Co Lt | METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING PASSIVE COMPONENT FOR ACOUSTIC TRANSDUCER |
| KR101651649B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2016-08-29 | 주식회사 일렉켐스 | 전기 또는 전자 부품 접속용 도전성 접착 조성물 |
| KR20200074143A (ko) * | 2017-11-14 | 2020-06-24 | 가부시키가이샤 코키 | 보강용 수지 조성물 및 전자 부품 장치 |
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