KR20080032963A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수의 기판들을 수납하는 카세트와 기판처리공정을 수행하는 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부가 상기 기판처리공정을 완료한 후 기판 주변에 잔류하는 가스의 유입으로 인한 오염을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 발명으로, 상기 잔류가스가 유입되어 상기 기판 이송부 내 산성도가 변화되면 상기 기판 이송부 내 공기의 배출량을 조절하여 유입된 잔류가스를 상기 기판 이송부로부터 효과적으로 배출시킨다. 이때, 상기 공기의 배출량 조절은 적어도 하나의 팬의 회전속도를 증감하여 이루어진다.
반도체, 기판, 웨이퍼, 잔류가스, 배기, 배출, 산성, 이에프이엠, 팬,
Description
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선(A-A')을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 로딩/언로딩부
20 : 기판 이송부
30 : 공정처리부
40 : 잔류가스 배기부
100 : 산성도 조절부재
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 내부에 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 기판을 처리하는 공정은 반도체 기판(wafer) 상에 식각, 화학기상증착, 플라즈마처리, 노광, 현상, 그리고 세정 등의 공정들을 수행하는 다수의 기판 처리 장치들에 의해 이루어진다. 보통, 기판 처리 공정에서 웨이퍼들은 카세트(Cassette)와 같은 웨이퍼 수납 용기에 의해 각각의 장치들 상호간에 이송되며, 각각의 장치들은 수납 용기로부터 이송받은 웨이퍼들 상에 상술한 기판 처리 공정들을 수행한다.
여기서, 기판 처리 공정을 수행하는 과정에서는 다수의 처리 가스가 사용된다. 즉, 반도체 제조 공정에서는 식각 가스, 증착 가스, 플라즈마 생성가스 등의 활성가스와 그 밖의 불활성 가스 등의 다양한 종류의 처리 가스들이 사용된다. 그러나, 공정시 사용된 처리 가스들은 웨이퍼 상에 잔류하게 되며, 이러한 잔류 가스들은 기판 처리 장치들을 오염시키는 오염원으로 작용한다.
예컨대, 일반적인 멀티챔버 방식의 플라즈마 식각장치는 공정시 카세트를 안착시키는 로드 포트(load port)를 구비하는 로딩/언로딩부(loading/unloading member), 상기 카세트로부터 웨이퍼를 이송하는 설비전방종단모듈(EFEM:Equipment front end module, 이하 '이에프이엠'), 이에프이엠과 인접하게 설치되는 로드락 챔버(load-lock chamber), 그리고 로드락 챔버 및 공정 챔버 상호간에 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)를 구비한다.
상술한 구성을 가지는 플라즈마 식각장치는 공정시 각각의 공정챔버에서 플라즈마 식각공정을 수행한다. 이때, 공정챔버 내 웨이퍼 상에는 상술한 처리 가스들이 분사되며, 분사된 식각 가스는 제거하고자 하는 박막을 웨이퍼 표면으로부터 식각한다. 그러나, 이러한 처리 가스는 상대적으로 온도가 낮은 웨이퍼 주변에 잔류한다. 따라서, 식각 공정이 완료된 후 공정 챔버로부터 웨이퍼가 반출되면, 웨이퍼 주변의 잔류가스는 트랜스퍼 챔버, 이에프이엠, 로드락 챔버 등과 같은 기판의 이송을 수행하는 장치로 유입되어 장치의 내벽 및 내부에 구비된 로봇암(robet arm)과 같은 부속 장치들을 오염시킨다. 장치들이 잔류가스에 의해 오염되면, 장치들의 공정 수행에 오동작이 발생되어 설비 가동률이 저하되고, 웨이퍼를 이송하는 과정에서 다시 웨이퍼 표면을 오염시켜 공정 수율을 저하시킨다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 웨이퍼 주변에 잔류하는 가스에 의해 설비가 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 기판을 이송하는 공정을 수행하는 기판 이송부가 기판 주변에 잔류하는 가스의 유입으로 인해 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 복수의 기판들을 수납하는 카세트의 로딩 및 언로딩이 이루어지는 로딩/언로딩부, 기판처리공정을 수행하는 적어도 하나의 공정 챔버를 구비하는 공정 처리부, 상기 로딩/언로딩부 및 상기 공정 처리부 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부, 그리고 상기 기판 이송부 내 공기의 산성도를 조절하는 산성도 조절부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송부는 상기 로딩/언로딩부에 안착 된 카세트로/로부터 기판을 이송하는 이에프이엠, 상기 이에프이엠과 인접하게 배치되는 로드락 챔버, 그리고 상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버를 포함하고, 상기 산성도 조절부재는 상기 이에프이엠에 구비되어 상기 이에프이엠 내 공기의 산성도를 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 산성도 조절부재는 상기 이에프이엠 내 공기를 상기 이에프이엠 외부로 배출시키는 배출부재, 상기 이에프이엠 내 공기의 산성도를 측정하는 산성도 측정기, 그리고 상기 산성도 측정기가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값을 벗어나는지 여부를 판단하여 상기 배출부재의 공기 배기량을 조절하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배출부재는 상기 이에프이엠 내부로 외부 공기를 유입시키는 유입부재 및 상기 이에프이엠 내 공기를 상기 이에프이엠으로부터 유출시키는 유출부재를 포함하고, 상기 제어부는 상기 산성도 측정기가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값 보다 높으면, 상기 유입부재의 공기 유입량 및 상기 유출부재의 공기 유출량을 증가시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유입부재 및 상기 유출부재 중 적어도 어느 하나는 적어도 하나의 팬을 구비하고, 상기 제어부는 상기 팬의 회전속도를 조절함으로써, 상기 공기의 유입량 및 배출량을 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 이에프이엠과 인접하게 배치되어, 기판에 잔류하는 가스를 기판으로부터 제거시키는 잔류가스 배기부재를 더 포함하고, 상기 이에프이엠은 내부에 기판을 이송하는 공간을 제공하는 하 우징, 내부에 반도체 기판의 이송을 수행하는 적어도 하나의 로봇암, 그리고 상기 가스 제거 부재와 상기 하우징 상호간의 기판의 출입이 이루어지는 기판 출입구를 개폐하는 개폐부재를 포함하되, 상기 산성도 측정기는 상기 기판 출입구와 인접하게 설치된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판처리공정이 수행되는 공정 챔버와 복수의 기판들을 수납하는 카세트 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부 내 공기의 산성도를 측정하여, 측정한 산성도값에 따라 상기 하우징 내 공기의 배출량을 조절한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송부는 상기 카세트로/로부터 기판을 이송하는 이에프이엠, 상기 이에프이엠과 인접하게 설치되는 로드락 챔버, 그리고 상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버를 포함하고, 상기 공기의 배출량 조절은 상기 이에프이엠으로 외부 공기를 유입시키는 제1팬 및 상기 이에프이엠 내 공기를 외부로 유출시키는 제2팬 중 적어도 어느 하나의 회전속도를 변화시켜 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공기의 배출량 조절은 상기 이에프이엠 내 공기의 산성도값이 기설정된 산성도값 보다 높으면, 상기 제1팬 및 상기 제2팬 중 적어도 어느 하나의 회전속도를 증가시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 산성도의 측정은 상기 이에프이엠 및 상기 이에프이엠과 인접하게 설치되어 상기 이에프이엠으로부터 기판을 이송받아 기판 주변에 잔류하는 가스를 제거하는 잔류가스 제거부재 상호간에 기판의 출입이 이루 어지는 기판 출입구와 인접한 지점에서 측정된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치 중 멀티 챔버 방식의 플라즈마 식각장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 장치에 적용이 가능할 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선(A-A')을 따라 절단한 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(substrate treating apparatus)(1)는 로딩/언로딩부(loading/unloading member)(10), 기판 이송부(substrate transfer member)(20), 공정 처리부(process treating member)(30), 잔류가스 배기부(remaining-gas exhaust member)(40), 그리고 산성도 조절부재(acidity control member)(100)를 포함한다.
로딩/언로딩부(10)는 복수의 기판(W)들을 수납하는 카세트(cassette)(C)가 로딩 및 언로딩되는 적어도 하나의 로드 포트(load port)(12)를 구비한다. 각각의 로드 포트(12)는 기판 이송부(20)와 인접하게 배치되며, 공정시 카세트(C)를 안착시킨다.
기판 이송부(20)는 공정시 로딩/언로딩부(10) 및 공정 처리부(30), 그리고 잔류가스 배기부(40) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 기판 이송부(20)는 설비전방종단모듈(EFEM:Equipment front end module, 이하 '이에프이엠')(22), 로드락 챔버(load-lock chamber)(24), 그리고 트랜스퍼 챔버(trasfer chamber)(26)을 포함한다. 이에프이엠(22)은 공정시 로드 포트(12)에 안착된 카세트(C)와 로드락 챔버(24) 상호간에 기판(W)들을 이송한다. 이에프이엠(22)은 하우징(housing)(22a), 기판이송유닛(substrate transfer unit)(22b), 그리고 개폐부재(door)(22c)를 포함한다. 하우징(22a)은 내부에 기판(W)을 이송을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 기판이송유닛(22b)은 기판(W)을 이송한다. 기판이송유닛(22b)은 하우징(22a) 내부에 적어도 하나가 설치된다. 기판이송유닛(22b)은 공정시 각각의 로드 포트(12)에 안착된 카세트(C)와 로드락 챔버(24) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 또한, 기판이송유닛(22b)은 잔류가스 배기부(40)로/로부터 기판(W)을 이송 및 반송한다.
로드락 챔버(24)는 이에프이엠(22)과 트랜스퍼 챔버(26) 상호간에 기판(W)들이 이송되는 인터페이스 기능을 수행한다. 로드락 챔버(24)는 제1 챔버(24a) 및 제2 챔버(24b)를 포함한다. 제1 챔버(24a)는 이에프이엠(22)으로부터 트랜스퍼 챔버(26)로 기판(W)을 이송하는 챔버이고, 제2 챔버(24b)는 트랜스퍼 챔버(26)로부터 이에프이엠(22)으로 기판(W)을 반송하는 챔버이다.
트랜스퍼 챔버(26)는 로드락 챔버(24) 및 공정 처리부(30) 상호간에 기판(W) 들을 이송한다. 트랜스퍼 챔버(26)는 적어도 하나의 로봇암(26a)을 구비한다. 로봇암(26a)은 공정 처리부(30)의 각각의 공정 챔버(32)들과 로드락 챔버(24) 상호간에 기판(W)을 이송한다.
공정 처리부(30)는 기판 이송부(20)로부터 이송받은 기판(W) 상에 소정의 기판 처리 공정을 수행한다. 공정 처리부(30)는 적어도 하나의 공정 챔버(32)를 구비한다. 공정 챔버(32)는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 일 시시예로서, 상기 기판 처리 공정은 플라즈마 식각공정(plasma etching process)이다. 따라서, 공정 챔버(32)는 공정시 낱장의 기판(W)을 챔버 내부에 로딩시키고, 로딩된 기판(W)을 향해 식각 가스 등의 반응 가스 및 질소 가스와 같은 불활성 가스 등의 처리 가스들을 분사하여 제거하고자 하는 박막을 기판(W)으로부터 식각(etching)한다.
잔류가스 배기부(40)는 상기 기판 처리 공정이 완료된 기판(W)의 주변에 잔류하는 가스(이하, '잔류가스'라 함)를 기판(W)으로부터 제거한다. 일 실시예로서, 잔류가스 배기부(40)는 기판 이송부(20)의 이에프이엠(22)와 인접하게 설치된다. 잔류가스 배기부(40)와 이에프이엠(22) 사이에는 상호간에 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구(2)가 제공된다. 기판 출입구(2)는 개폐부재(22c)에 의해 개폐된다.
본 실시예에서는 잔류가스 배기부(40)가 기판 이송부(20)의 이에프이엠(22)에 하나가 구비되는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 잔류가스 배기부(40)의 배치 및 개수는 다양하게 적용이 가능하다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 잔류가 스 배기부(40)는 기판 이송부(20)의 트랜스퍼 챔버(26)와 인접하게 구비된다. 따라서, 공정시 잔류가스 배기부(40)는 트랜스퍼 챔버(26)의 로봇암(26a)으로부터 기판처리공정이 완료된 기판(W)을 이송받아, 기판(W) 주변에 잔류하는 가스를 배기시킨다. 또는, 본 발명의 다른 실시예로서, 잔류가스 배기부(40)는 이에프이엠(22)과 트랜스퍼 챔버(26)에 모두 구비될 수 있다.
산성도 조절부재(acidity control member)(100)는 공정시 이에프이엠(22) 내 산성도를 조절한다. 산성도 조절부재(100)는 배출부재(exhaust member), 산성도 측정기(acidity detector)(130), 그리고 제어부(control member)(140)를 포함한다. 배출부재는 유입부재(inflow member)(110) 및 유출부재(outflow member)(120)를 포함한다. 유입부재(110)는 공정시 이에프이엠(22) 내부로 외부 공기를 유입시키고, 유출부재(120)는 이에프이엠(22) 내 공기를 외부로 유출시킨다. 따라서, 이에프이엠(22) 내 공기는 배출부재에 의해 지속적으로 순환된다.
유입부재(110)는 이에프이엠(22)의 하우징(22a) 상부 천정에 설치되고, 유출부재(120)는 하우징(22a)의 하부 바닥에 설치된다. 유입부재(110)는 제1팬(first fan)(112) 및 제1구동기(first driving part)(114)를 포함한다. 제1팬(112)은 적어도 하나가 구비된다. 제1팬(112)은 하우징(22a)의 상부에서 회전가능하도록 설치된다. 제1구동기(114)는 제1팬(112)을 회전시켜, 제1팬(112)에 의해 하우징(22a)의 외부 공기가 하우징(22a)으로 유입시킨다. 제1팬(112)과 하우징(22a) 내 공간 사이에는 공기 내 이물질을 필터링하기 위한 필터(미도시됨)가 제공될 수 있다. 유출부재(120)는 제2팬(second fan)(112) 및 제2 구동기(second driving part)(114)를 포 함한다. 제2팬(122)은 하우징(22a)의 하부에서 회전가능하도록 설치된다. 제2구동기(124)는 제2팬(122)을 회전시켜, 제2팬(122)에 의해 하우징(22a) 내 공기를 하우징(22a)의 외부로 유출시킨다.
산성도 측정기(130)는 하우징(22a) 내부 공기의 산성도를 측정한다. 이는 기판 처리 공정이 수행된 후 기판(W)에 잔류하는 가스는 일반적으로 산성을 띄므로, 산성도 측정기(130)를 사용하여 하우징(22a) 내부에 잔류가스가 유출되었는지를 측정하기 위함이다. 특히, 산성을 띄는 가스는 장치의 산화 및 부식 작용을 하므로, 기판(W)을 이송하는 장치의 동작에 오류를 발생시키는 주요 원인이 된다. 그러나, 만약, 측정하고자 하는 가스가 산성이 아닌 다른 성질(예컨대, 염기성)을 가진다면 그 성질을 측정할 수 있는 측정기를 사용하여야 함은 당연하다.
산성도 측정기(130)는 적어도 하나가 하우징(22a) 내부에 설치된다. 이때, 산성도 측정기(130)는 이에프이엠(22) 내 잔류가스의 검출이 용이한 위치에 설치되는 것이 바람직하다. 예컨대, 산성도 측정기(130)는 기판 출입구(2)와 인접하게 설치되는 것이 바람직하다. 이는 공정시 잔류가스 배기부재(40)로부터 이에프이엠(22)으로 반출될 때, 잔류가스 배기부재(40)에 의해 제거되지 않은 기판(W) 주변의 잔류가스를 효과적으로 검출하기 위함이다.
본 실시예에서는 산성도 측정기(130)의 바람직한 설치 위치로 기판 출입구(2)와 인접한 위치에 설치하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 산성도 측정기(130)의 설치 위치는 다양한 위치에 설치가 가능하다. 또한, 산성도 측정기(130)는 복수개가 이에프이엠(22) 내 다양한 영역에 설치될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 산성도 측정기(130)를 사용하여 하우징(22a) 내부에 잔류가스의 유입여부를 측정하였으나, 하우징(22a) 내부에 잔류가스가 유입되었는지의 여부를 다양한 장치를 사용하여 수행할 수 있다. 예컨대, 특정한 가스의 유무를 측정할 수 있는 소정의 감지장치를 사용하여 하우징(22a) 내 잔류가스의 유무를 측정할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 산성도 측정기(130)는 잔류가스 제거부재(40)에 의해 제거되지 않은 잔류가스의 유무를 측정하므로, 만약 잔류가스 제거부재(40)가 이에프이엠(40)이 아닌 다른 장치와 인접하게 설치된다면, 산성도 측정기(130)는 잔류가스 제거부재(40)가 제공되는 장치에 구비된다. 즉, 잔류가스 제거부재(40)가 트랜스퍼 챔버(26)와 인접하게 설치된다면, 산성도 측정기(130)는 트랜스퍼 챔버(26)에 구비되어 트랜스퍼 챔버(26) 내 공기의 산성도를 측정하는 것이 바람직하다.
제어부(140)는 상술한 기판 처리 공정을 제어한다. 특히, 제어부(140)는 산성도 조절부재(100)를 제어한다. 제어부(50)가 산성도 조절부재(100)를 제어하는 상세한 과정은 후술하겠다.
이하, 상술한 구성을 가지는 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)의 공정이 개시되면, 내부에 복수의 반도체 기판(W)들을 수납한 카세트(C)가 로딩/언로딩부(10)의 로드 포트(12)에 로딩된다(S110). 그리 고, 기판 이송부(20)는 로딩/언로딩부(10)에 안착된 카세트(C)로부터 공정 처리부(30)로 기판(W)들을 순차적으로 이송시킨다(S120). 즉, 이에프이엠(22)의 기판이송유닛(22a)은 카세트(C)로부터 로드락 챔버(24)의 제1챔버(24a)로 기판(W)을 이송하고, 트랜스퍼 챔버(26)의 로봇암(26a)은 제1챔버(24a)로부터 공정 챔버(32)로 기판(W)을 이송한다.
공정 챔버(32)는 순차적으로 이송받은 기판(W)들에 기판 처리 공정을 수행한다(S130). 즉, 일 실시예로서, 각각의 공정 챔버(32)는 내부에 기판(W)이 로딩되면, 플라즈마를 발생시키고 처리가스를 분사시켜 제거하고자 하는 기판(W) 상의 박막을 식각한다. 플라즈마 식각공정이 완료되면, 트랜스퍼 챔버(26)의 로봇암(26a)은 공정 챔버(32)로부터 로드락 챔버(24)의 제2챔버(24b)로 반송하고, 이에프이엠(22)의 기판이송유닛(22a)은 제2챔버(24b)로부터 잔류가스 배기부재(40)로 기판(W)을 이송한다(S140). 잔류가스 배기부(40)에 기판(W)이 반입되면, 잔류가스 배기부재(40)는 기판(W) 주변에 잔류하는 가스를 제거한다(S150).
일정 시간 동안 잔류가스의 배기가 이루어지면, 기판(W)은 기판출입구(2)를 통해 잔류가스 배기부(40)로부터 이에프이엠(22)으로 이동된 후 로딩/언로딩부(10)에 로딩된 카세트(C)로 반출된다(S160). 이때, 산성도 조절부재(100)의 산성도 측정기(130)는 이에프이엠(22) 내 산성도를 지속적으로 측정하고 있으므로, 만약, 잔류가스 배기부(40)에 의해 기판(W)에 잔류하는 가스가 완전히 제거되지 않는다면, 기판(W)에 잔류하는 가스가 잔류가스 배기부(40)로부터 이에프이엠(22)으로 유입되어 이에프이엠(22) 내 산성도가 증가한다. 따라서, 제어부(50)는 산성도 측정 기(130)가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값을 만족하는지 여부를 판단함으로써, 이에프이엠(22) 내 잔류가스의 유입여부를 감지한다(S170).
만약, 산성도 측정기(130)가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값을 벗어나면, 제어부(50)는 이에프이엠(22) 내 공기의 배출량을 조절한다. 즉, 제어부(50)는 산성도값이 기설정된 산성도값을 초과하면, 유입부재(110)의 제1팬(112) 및 유출부재(120)의 제2팬(122) 중 적어도 어느 하나의 회전속도를 증가시켜 이에프이엠(22) 내 공기의 배출량을 증가시킨다. 따라서, 이에프이엠(22)으로 유입된 잔류가스는 제1팬(112) 및 제2팬(122)에 의한 하우징(22a) 내 강제 공기흐름에 의해 효과적으로 이에프이엠(22)으로부터 배출된다. 그리고, 이에프이엠(22) 내 잔류가스가 배출되어 산성도값이 기설정된 산성도값 이하로 내려가면, 제어부(50)는 제1팬(112) 및 제2팬(122) 중 회전속도를 증가시켰던 팬의 회전속도를 정상속도로 조절한다.
상술한 바와 같이, 상술한 기판 처리 장치 및 방법은 기판(W) 주변에 잔류하는 가스가 기판 이송부(20)에 유입되어 기판 이송부(20) 내 산성도값이 증가되는 것을 감지하여, 기판 이송부(20) 내 공기의 배기량을 증가시켜 잔류가스를 효과적으로 기판 이송부(20)로부터 배출시킴으로써, 잔류가스에 의해 기판 이송부(20)가 오염되는 것을 방지한다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정 챔버에서 기판 처리 공정이 완료된 후 기판(W) 주변에 잔류하는 가스가 후속 공정을 수행하는 장치를 오염시키는 현상을 방지한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판상에 잔류하는 가스에 의해 설비가 오염되는 것을 방지한다. 특히, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판 처리 공정을 수행하는 하우징 내에 가스의 산성도를 측정하여 측정된 산성도값의 변화에 따라 가스의 배기량을 조절함으로써 기판상에 잔류하는 가스에 의해 설비가 오염되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판 처리 과정시 기판에 잔류하는 가스를 효과적으로 배기시켜 설비의 오염을 방지한다. 특히, 복수의 기판을 수납하는 수납 용기와 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부가 기판을 처리하는 과정에서, 기판상에 잔류하는 가스에 의해 기판 이송부가 오염되는 것을 방지한다.
Claims (10)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,복수의 기판들을 수납하는 카세트의 로딩 및 언로딩이 이루어지는 로딩/언로딩부와,기판처리공정을 수행하는 적어도 하나의 공정 챔버를 구비하는 공정 처리부와,상기 로딩/언로딩부 및 상기 공정 처리부 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부, 그리고상기 기판 이송부 내 공기의 산성도를 조절하는 산성도 조절부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 이송부는,상기 로딩/언로딩부에 안착된 카세트로/로부터 기판을 이송하는 이에프이엠과,상기 이에프이엠과 인접하게 배치되는 로드락 챔버와,상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버를 포함하고,상기 산성도 조절부재는,상기 이에프이엠에 구비되어 상기 이에프이엠 내 공기의 산성도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 산성도 조절부재는,상기 이에프이엠 내 공기를 상기 이에프이엠 외부로 배출시키는 배출부재와,상기 이에프이엠 내 공기의 산성도를 측정하는 산성도 측정기, 그리고상기 산성도 측정기가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값을 벗어나는지 여부를 판단하여 상기 배출부재의 공기 배기량을 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 배출부재는,상기 이에프이엠 내부로 외부 공기를 유입시키는 유입부재 및;상기 이에프이엠 내 공기를 상기 이에프이엠으로부터 유출시키는 유출부재를 포함하고,상기 제어부는,상기 산성도 측정기가 측정한 산성도값이 기설정된 산성도값 보다 높으면, 상기 유입부재의 공기 유입량 및 상기 유출부재의 공기 유출량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 유입부재 및 상기 유출부재 중 적어도 어느 하나는,적어도 하나의 팬을 구비하고,상기 제어부는,상기 팬의 회전속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 기판 처리 장치는,상기 이에프이엠과 인접하게 배치되어, 기판에 잔류하는 가스를 기판으로부터 제거시키는 잔류가스 배기부재를 더 포함하고,상기 이에프이엠은,내부에 기판을 이송하는 공간을 제공하는 하우징과,내부에 반도체 기판의 이송을 수행하는 적어도 하나의 로봇암, 그리고상기 가스 제거 부재와 상기 하우징 상호간의 기판의 출입이 이루어지는 기판 출입구를 개폐하는 개폐부재를 포함하되,상기 산성도 측정기는,상기 기판 출입구와 인접하게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판을 처리하는 방법에 있어서,기판처리공정이 수행되는 공정 챔버와 복수의 기판들을 수납하는 카세트 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송부 내 공기의 산성도를 측정하여, 측정한 산성도값에 따라 상기 하우징 내 공기의 배출량을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판 이송부는,상기 카세트로/로부터 기판을 이송하는 이에프이엠, 상기 이에프이엠과 인접하게 설치되는 로드락 챔버, 그리고 상기 로드락 챔버와 상기 공정 챔버 상호간에 기판을 이송하는 트랜스퍼 챔버를 포함하고,상기 공기의 배출량 조절은,상기 이에프이엠으로 외부 공기를 유입시키는 제1팬 및 상기 이에프이엠 내 공기를 외부로 유출시키는 제2팬 중 적어도 어느 하나의 회전속도를 변화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 공기의 배출량 조절은,상기 이에프이엠 내 공기의 산성도값이 기설정된 산성도값 보다 높으면, 상기 제1팬 및 상기 제2팬 중 적어도 어느 하나의 회전속도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 산성도의 측정은,상기 이에프이엠 및 상기 이에프이엠과 인접하게 설치되어 상기 이에프이엠으로부터 기판을 이송받아 기판 주변에 잔류하는 가스를 제거하는 잔류가스 제거부재 상호간에 기판의 출입이 이루어지는 기판 출입구와 인접한 지점에서 측정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060099420A KR20080032963A (ko) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060099420A KR20080032963A (ko) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080032963A true KR20080032963A (ko) | 2008-04-16 |
Family
ID=39573304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060099420A KR20080032963A (ko) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080032963A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2006
- 2006-10-12 KR KR1020060099420A patent/KR20080032963A/ko not_active Application Discontinuation
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