KR20080006980A - Substrate processing apparatus improving temperature gradient between chamber and exhaust line - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 PECVD장치의 개략적인 구성도1 is a schematic configuration diagram of a conventional PECVD apparatus
도 2는 종래 배기라인의 연결구조를 나타낸 도면2 is a view showing a connection structure of a conventional exhaust line
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 배기라인의 연결구조를 나타낸 도면3 is a view showing a connection structure of the exhaust line according to an embodiment of the present invention;
도 4는 열전달부재의 일 예를 나타낸 사시도4 is a perspective view showing an example of a heat transfer member
도 5는 제1,2 플랜지 사이에 간극유지부재가 설치된 모습을 나타낸 도면5 is a view showing a state in which a gap retaining member is installed between the first and second flanges;
도 6은 도 5의 I-I선에 따른 단면도6 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG.
도 7은 어댑터관과 챔버사이에 제2의 열전달부재가 설치된 배기라인의 연결구조를 나타낸 도면7 is a view showing a connection structure of an exhaust line provided with a second heat transfer member between an adapter tube and a chamber;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *
11 : 챔버 20 : 배기라인11
22 : 제1 플랜지 30 : 어댑터관22: first flange 30: adapter tube
32 : 제2 플랜지 34 : 제3 플랜지32: second flange 34: third flange
40 : 볼트 50 : 오링40: bolt 50: O-ring
60 : 열전달부재 62 : 개구부60: heat transfer member 62: opening
64 : 볼트홀 70 : 간격유지부재64: bolt hole 70: spacing member
본 발명은 반도체소자 또는 평면표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 제조를 위해 웨이퍼 또는 글래스(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 챔버와 배기라인 사이의 온도구배를 개선한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a wafer or glass (hereinafter referred to as a substrate) for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display (FPD), and more specifically, between a chamber and an exhaust line. The present invention relates to a substrate processing apparatus having an improved temperature gradient.
일반적으로 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등과 같은 평면표시장치나 반도체소자를 제조하기 위해서는 모재가 되는 기판에 대하여 박막증착, 포토리소그래피, 식각 등의 공정을 수행하여 소정의 회로패턴 등을 형성하여야 하며, 이러한 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.In general, in order to manufacture a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), or a semiconductor device, a predetermined circuit pattern is performed by performing a process such as thin film deposition, photolithography, and etching on a substrate as a base material. Etc., and each of these processes is performed in a substrate processing apparatus designed for an optimal environment for the process.
도 1은 이러한 기판처리장치 중에서 플라즈마를 이용하여 박막을 증착하는PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치(10)의 일반적인 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a general configuration of a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
PECVD장치(10)는, 반응공간을 형성하며 대기압보다 낮은 압력을 유지하는 챔 버(11), 상기 챔버(11)의 내부에서 기판(s)을 안치하는 한편 플라즈마 발생을 위한 하부전극의 역할을 하는 기판안치대(12), 상기 기판안치대(12)의 상부에 설치되는 플라즈마 전극(14), 상기 기판안치대(12)의 하부에 설치되는 배기구(18)를 포함한다.The
기판안치대(12)는 하부면 중앙부에 결합하는 지지대(12a)에 의해 상하로 승강운동을 할 수 있다.The
플라즈마 전극(14)에는 RF전원(17)이 연결되며, RF전원(17)과 플라즈마 전극(14)의 사이에는 임피던스를 정합시키는 정합회로(16)가 설치된다.An
플라즈마 전극(14)의 중앙부에는 가스공급관(15)이 연결되며, 플라즈마 전극(14)의 하부에는 상기 가스공급관(15)과 연통되는 가스확산공간을 사이에 두고 가스분배판(13)이 결합된다.A
가스분배판(13)은 플라즈마 전극(14)과 동일한 전위를 가지도록 전기적으로 연결되며, 따라서 가스분배판(13)이 기판안치대(12)에 대향하는 실질적인 전극의 역할을 하게 된다.The
배기구(18)에는 배기라인(20)이 연결되며, 배기라인(20)을 통해서 챔버내부의 반응가스, 미반응가스 및 반응부산물이 배출된다.An
따라서 챔버(11) 내부에서는 배기구(18) 부근에서 배기압력이 집중될 수밖에 없으며, 이로 인해 가스의 흐름이 불균일해져 공정불균일을 초래할 수 있다.Therefore, the exhaust pressure must be concentrated in the vicinity of the
배기압력의 집중현상을 방지하여 기판안치대(12)의 주변에서 균일한 배기흐 름을 얻기 위해 기판안치대(12)의 측면 또는 기판안치대(12)의 하부에는 배기플레이트(19)를 설치한다.In order to prevent concentration of exhaust pressure and to obtain a uniform exhaust flow around the
배기플레이트(19)에는 배기구(18)에 가까울수록 배기 컨덕턴스가 작아지고, 배기구(18)에서 멀수록 배기 컨덕턴스가 커지도록 다수의 배기홀이 형성되어 있다.The
한편, 배기구(18)에 연결되는 배기라인(20)은 대부분의 경우 챔버(11)의 저면 또는 측면에 직접 연결되지 않으며, 배기라인(20)과 챔버(11)의 사이에는 어댑터관(30)이 설치된다.On the other hand, the
도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 배기라인(20)의 일단에는 제1 플랜지(22)가 형성되고, 어댑터관(30)의 일단 및 타단에는 제2 플랜지(32)와 제3 플랜지(34)가 각각 형성된다.2, a
먼저 어댑터관(30)의 제3 플랜지(34)를 챔버(11)의 저면에 고정시킨 후에, 배기라인(20)과 어댑터관(30)의 연결을 위해, 제1,2 플랜지(22,32)를 맞대고 볼트(40)를 이용하여 체결한다.First, the
그리고 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에는 진공시일을 위하여 오링(50)을 설치한다.The O-
한편, 배기라인(20)에는 챔버 내부에서 발생한 반응가스, 미반응가스, 반응부산물 등이 통과하면서 원치 않는 증착 또는 퇴적이 발생하며, 이로 인해 발생하는 파티클이 챔버 내부로 역류하는 경우에는 오염원으로 작용하게 된다.On the other hand, the reaction line, unreacted gas, reaction by-products, etc. generated inside the chamber passes through the
배기라인(20)에서의 이러한 퇴적 또는 증착현상은 챔버(11)와 배기라인(20)의 온도차에 의해 가속화되는 것으로 알려져 있다.This deposition or deposition phenomenon in the
실제로 배기라인(20)과 챔버(11)의 사이에는 10 내지 20도 이상의 온도차가 발생하며, 이러한 온도차는 어댑터관(30)과 배기라인(20)의 결합방식에서 기인한다.Actually, a temperature difference of 10 to 20 degrees or more occurs between the
구체적으로는 진공시일을 위해 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에 설치되는 오링(50)의 존재 때문에 제1,2 플랜지(22,32)가 서로 이격되어 배기라인(20)으로의 열전달이 원활하게 이루어지지 않기 때문이다.Specifically, the first and
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버와 배기라인의 온도구배를 줄임으로써 배기라인 내부에서 배기가스가 증착하는 현상을 최소화시키는데 목적이 있다.The present invention is to solve this problem, it is an object to minimize the deposition of the exhaust gas inside the exhaust line by reducing the temperature gradient of the chamber and the exhaust line.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 반응공간을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 기판안치대의 상부로 원료물질을 공급하는 가스공급수단; 배기가스를 배출하기 위해 상기 챔버에 형성되는 배기구; 상기 챔버의 외측부에 결합되며, 상기 배기구와 연통하는 어댑터관; 상기 어댑터관의 단부에 연결되는 배기라인; 상기 어댑터관과 상기 배기라인의 사이에 설치되는 진공시일부재; 상기 어댑터관과 상기 배기라인의 사이에 설치되며, 상기 어댑터관과 상기 배기라인에 모두 접하는 열전달부재를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, a chamber defining a reaction space; A substrate support installed in the chamber; Gas supply means for supplying a raw material to an upper portion of the substrate stabilizer; An exhaust port formed in the chamber to exhaust the exhaust gas; An adapter pipe coupled to an outer side of the chamber and communicating with the exhaust port; An exhaust line connected to an end of the adapter tube; A vacuum seal member installed between the adapter pipe and the exhaust line; It is provided between the adapter tube and the exhaust line, and provides a substrate processing apparatus including a heat transfer member in contact with both the adapter tube and the exhaust line.
상기 열전달부재는 상기 어댑터관과 같은 재질로 제조될 수 있으며, 바람직하게는 알루미늄 재질로 제조된다.The heat transfer member may be made of the same material as the adapter tube, preferably made of aluminum.
상기 배기라인의 단부에는 제1 플랜지가 형성되고 상기 어댑터관의 일 단부에는 제2 플랜지가 형성되며, 상기 열전달부재 및 상기 진공시일부재는 상기 제1 플랜지와 제2 플랜지의 사이에 설치될 수 있다.A first flange is formed at an end of the exhaust line and a second flange is formed at one end of the adapter tube, and the heat transfer member and the vacuum seal member may be installed between the first flange and the second flange. .
상기 열전달부재는 중앙에 개구부를 가지는 링형상이고, 상기 진공시일부재는 상기 열전달부재의 내측 또는 외측에 설치되는 오링일 수 있다.The heat transfer member may have a ring shape having an opening in the center thereof, and the vacuum seal member may be an O-ring installed inside or outside the heat transfer member.
상기 링형상 열전달부재의 테두리에는 다수의 볼트홀이 형성되며, 상기 제1,2 플랜지를 결합하는 볼트가 상기 볼트홀을 관통할 수 있다.A plurality of bolt holes may be formed at an edge of the ring-shaped heat transfer member, and bolts for coupling the first and second flanges may pass through the bolt holes.
상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지의 사이에는 상기 오링이 과도한 압착으로 인해 손상되는 것을 방지하기 위한 간격유지부재가 설치될 수 있다.A spacing member may be provided between the first flange and the second flange to prevent the O-ring from being damaged due to excessive compression.
상기 간격유지부재는 상기 오링의 내측에 설치되는 링 형상의 부재로서, SUS재질일 수 있다.The gap maintaining member is a ring-shaped member installed inside the O-ring, and may be made of SUS material.
상기 어댑터관과 상기 챔버의 사이에는 상기 챔버와 상기 어댑터관에 모두 접하는 제2의 열전달부재 및 제2의 진공시일부재가 설치될 수 있으며, 이때 상기 어댑터관에는 플랜지가 형성되고, 상기 제2의 열전달부재 및 제2의 진공시일부재는 상기 챔버와 상기 플랜지의 사이에 설치된다.A second heat transfer member and a second vacuum seal member in contact with both the chamber and the adapter tube may be installed between the adapter tube and the chamber, wherein the adapter tube is formed with a flange and the second A heat transfer member and a second vacuum seal member are provided between the chamber and the flange.
또한 상기 챔버와 상기 플랜지의 사이에는 과도한 압착으로 인해 상기 제2의 진공시일부재가 손상되는 것을 방지하기 위하여 간극유지부재가 더 설치될 수 있다.In addition, a gap retaining member may be further provided between the chamber and the flange to prevent damage of the second vacuum seal member due to excessive compression.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 배기라인의 연결구조를 도시한 것으로서, 도 1과 동일한 부분에 대해서는 동일한 명칭 및 부호를 사용한다.3 is a view illustrating a connection structure of an exhaust line according to an exemplary embodiment of the present invention, and the same names and symbols are used for the same parts as those of FIG. 1.
이를 살펴보면, 챔버(11)의 저면에 배기구(18)와 연통하는 어댑터관(30)이 연결되고, 어댑터관(30)의 단부에 배기라인(20)이 연결된다.Looking at this, the
배기라인(20)은 일단에 제1 플랜지(22)를 구비하고, 어댑터관(30)은 양 단부에 제2,3 플랜지(32,34)를 각각 구비한다.The
따라서 먼저 어댑터관(30)의 제3 플랜지(34)를 챔버(11)의 저면에 고정시킨 후에, 배기라인(20)의 제1 플랜지(22)와 어댑터관(30)의 제2 플랜지(32)를 볼트(40)를 이용하여 결합하고, 진공시일을 위하여 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에는 오링(50)을 설치한다.Therefore, after first fixing the
본 발명에서는 상기 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에 오링(50) 뿐만 아니라 어댑터관(30)에서 배기라인(20)으로의 열전달을 위해서 열전달부재(60)를 설치한다.In the present invention, the
열전달부재(60)는 도 4에 도시된 바와 같이 중앙에 개구부(62)를 가지는 링형태로서, 테두리에 다수의 볼트홀(64)을 구비한다.As illustrated in FIG. 4, the
상기 개구부(62)는 어댑터관(30) 및 배기라인(20)과 연통하여 배기통로를 이 루게 되고, 볼트홀(64)은 제1,2 플랜지(22,32)를 체결하는 볼트(40)가 관통하는 부분이다.The opening 62 communicates with the
이러한 열전달부재(60)는 어댑터관(30)과 같은 재질로 제조되는 것이 바람직하다.The
일반적으로 챔버(11)는 알루미늄 재질이므로, 어댑터관(30) 및 열전달부재(60)를 모두 알루미늄 재질로 제조하면 열전달이 보다 잘 이루어질 수 있다.In general, since the
또한 열전달부재(60)는 어댑터관(30)에서 배기라인(20)으로의 열전달을 위한 것이므로, 설치된 이후에는 어댑터관(30)과 배기라인(20)의 제1,2 플랜지(22,32)에 양면이 각각 밀착할 수 있어야 한다.In addition, since the
따라서 열전달부재(60)의 두께는 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에 개재되는 오링(50)이 압착되었을 때의 두께를 고려하여 결정된다. Therefore, the thickness of the
한편, 열전달부재(60)는 오링(50)의 내측에 설치될 수도 있지만, 보다 안정적인 진공시일을 위해서는 오링(50)의 외측에 설치되는 것이 바람직하다.On the other hand, the
열전달부재(60)는 전술한 바와 같이 원형 링 형상으로 제한되지는 않으며, 다른 형상일 수도 있다. 즉, 굳이 원형 링 형태가 아니라도, 상기 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에 개재되어 양면이 제1,2 플랜지(22,32)에 밀착하는 다수의 납작한 금속편일 수도 있다. 또한 배기라인(20)의 단면 형상에 따라 다각형의 링 형태일 수도 있다.The
한편, 도 3은 진공시일성능을 높이기 위해 제1,2 플랜지(22,32)의 접합면에 오링(50)이 삽입되는 삽입홈을 형성하고, 상기 삽입홈에 오링(50)을 위치시킨 모습을 나타낸 것이다.Meanwhile, FIG. 3 shows an insertion groove into which the O-
그런데 만일 제1,2 플랜지(22,32)의 접합면에 이러한 삽입홈을 형성하지 않는 경우에는 도 5에 도시된 바와 같은 간격유지부재(70)를 설치하는 것이 바람직하다.By the way, if the insertion groove is not formed in the joint surface of the first and
상기 간격유지부재(70)는 볼트(40) 체결시에 오링(50)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 오링(50)이 적당히 압착되면 더 이상 압착되지 않도록 제1,2 플랜지(22,32) 사이에 최소간격을 유지시켜 주는 역할을 하며, SUS 등과 같이 적어도 오링(50) 보다는 단단한 재질로 제조된다.The
간격유지부재(70)는 오링(50)과 같이 링 형상인 것이 바람직하지만, 제1,2 플랜지(22,32)의 간격을 일정하게 유지시킬 수만 있다면 반드시 이에 한정될 필요는 없으며, 다수의 금속편 형태일 수도 있다.The
간격유지부재(70)는 오링(50)을 최대한 보호할 수 있도록 오링(50)에 근접하여 설치되는 것이 바람직하므로 도시된 바와 같이 오링(50)의 내측에 설치하는 것이 바람직하다. Since the
이 경우 도 5의 I-I선에 따른 단면도인 도 6에 도시된 바와 같이, 제1,2 플랜지(22,32)의 사이에는 간격유지부재(70), 오링(50), 열전달부재(60)가 중심부에서 주변부쪽으로 순서대로 배치된다. In this case, as shown in FIG. 6, which is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 5, the
볼트의 체결강도를 감안하여 간격유지부재(70)를 오링(50)의 외측에 설치할 수도 있다.In view of the fastening strength of the bolt, the
한편, 이상에서는 배기라인(20)과 어댑터관(30)의 사이에만 열전달부재(60)를 설치하였으나, 어댑터관(30)과 챔버(11)의 사이에도 제2의 열전달부재를 설치할 수 있다.Meanwhile, although the
어댑터관(30)의 제3 플랜지(34)가 챔버(11)의 저면 또는 측면에 용접 등으로 밀착 고정되는 경우에는 이와 같은 열전달부재(60)를 개재시킬 필요가 없다.When the
그러나 도 7에 도시된 바와 같이 어댑터관(30)의 제3 플랜지(34)를 볼트를 이용하여 챔버(11)에 고정하는 경우에는 진공시일을 위해 오링(50)을 개재시켜야 하고, 이로 인해 간극이 발생하여 열전달특성이 저하될 수밖에 없으므로 어댑터관(30)의 제3 플랜지(34)와 챔버(11)의 사이에도 열전달부재(60)를 설치하는 것이 바람직하다.However, when the
이에 따라 챔버(11)의 열은 제2의 열전달부재(60)를 통해 어댑터관(30)으로 전달되고, 이어서 제1의 열전달부재(60)를 통해 배기라인(20)으로 전달된다.Accordingly, the heat of the
열전달부재(60)의 모양, 재질, 설치위치는 전술한 바와 같으므로 여기서는 설명을 생략한다. 오링(50)의 주변에 간격유지부재(70)가 설치될 수 있는 점도 전술한 바와 같다.The shape, material, and installation position of the
본 발명에 따르면, 챔버에서 배기라인으로 열전달이 원활하게 이루어질 수 있기 때문에 챔버와 배기라인의 온도격차가 크게 줄어든다.According to the present invention, since the heat transfer from the chamber to the exhaust line can be made smoothly, the temperature gap between the chamber and the exhaust line is greatly reduced.
따라서 챔버와 배기라인의 온도차로 인해 배기라인 내부에서 급격하게 발생하던 반응부산물의 퇴적 또는 증착 현상이나 이로 인한 파티클 발생이 줄어들게 되며, 결국 배기가스의 역류로 인하여 챔버 내부에서 오염물질이 발생할 가능성도 최소화된다.Therefore, due to the temperature difference between the chamber and the exhaust line, the deposition or deposition of reaction by-products generated in the exhaust line, or the occurrence of particles are reduced. Consequently, the possibility of contaminants generated in the chamber due to the backward flow of exhaust gas is minimized. do.
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KR20220070965A (en) * | 2020-11-23 | 2022-05-31 | 세메스 주식회사 | Feedthrough for electrically connecting between internal part and external part of processing region in substrate processing appratus |
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Publication number | Publication date |
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KR101248928B1 (en) | 2013-03-29 |
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