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KR20070103090A - 전기화학적 기계식 프로세싱용 패드 조립체 - Google Patents

전기화학적 기계식 프로세싱용 패드 조립체 Download PDF

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KR20070103090A
KR20070103090A KR1020077023163A KR20077023163A KR20070103090A KR 20070103090 A KR20070103090 A KR 20070103090A KR 1020077023163 A KR1020077023163 A KR 1020077023163A KR 20077023163 A KR20077023163 A KR 20077023163A KR 20070103090 A KR20070103090 A KR 20070103090A
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KR
South Korea
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electrode
processing
pad assembly
conductive
assembly
Prior art date
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KR1020077023163A
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Inventor
용퀴 후
스탠 디. 사이
얀 왕
펭 큐. 리우
소-성 창
리앙-유 첸
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

기판 프로세싱용 프로세싱 패드 조립체의 실시예가 제공된다. 프로세싱 패드 조립체는 프로세싱 표면을 갖는 상부 층 및 상기 상부 층에 연결되는 최상부 측면과 상기 최상부 측면에 대향하는 바닥 측면을 갖는 전극을 포함한다. 제 1 홀 세트는 전극을 프로세싱 표면에 노출시키기 위해 상부 측면을 통해 형성된다. 하나 이상의 개구는 상기 상부 층 및 전극을 통해 형성된다.

Description

전기화학적 기계식 프로세싱용 패드 조립체 {PAD ASSEMBLY FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL PROCESSING}
본 발명의 실시예는 일반적으로 전기화학적 기계식 프로세싱용 프로세싱 패드 조립체에 관한 것이다.
전기화학적 기계식 프로세싱(ECMP)은 전기화학적 분해에 의해 기판 표면으로부터 재료를 제거하는 동시에 종래의 화학 기계식 연마(CMP) 공정에 비해 감소한 기계식 마모로 기판을 연마하는데 이용되는 기술이다. ECMP 시스템은 바이어스 극성을 변경하면서, 일반적으로 기판 상에 전도성 재료를 증착시킬 수 있다. 전기화학적 분해는 음극과 기판 표면 사이에 바이어스를 가함으로써 수행되어 기판 표면에서 주변 전해질로부터 전도성 재료를 제거한다. 바이어스는 기판이 프로세싱되는 연마 재료를 통해 또는 상기 연마 재료 상에 배치되는 전도성 접촉에 의해 가해질 수 있다. 연마 공정의 기계식 구성 요소는 기판과 연마 재료 사이의 상대적인 이동을 제공함으로써 수행되어 기판으로부터 전도성 재료의 제거를 강화시킨다.
구리는 전기화학적 기계식 연마를 이용하여 연마될 수 있는 하나의 재료이다. 통상적으로, 구리는 두-단계 공정을 이용하여 연마된다. 제 1 단계에서, 다 량의 구리가 제거되며, 통상적으로 기판의 표면 상에 몇몇의 구리 잔여물이 남아있다. 구리 잔여물은 통상적으로 다음-연마 단계(over-polishing step)로 언급되는 제 2 단계에서 제거된다.
그러나, 구리 잔여물의 제거는 주변 재료, 통상적으로 유전체 또는 다른 배리어 층 평면 아래의 구리 피쳐의 텔레스코프(가공) (dishing)을 야기할 수 있다. 텔레스코프(가공)의 양은 연마에 영향을 받은 구리 피쳐의 폭에 따라서, 다음 연마 단계에 이용되는 프로세싱 매개 변수 및 연마 화학 약품과 관련된다. 구리 층이 기판 전체에 걸쳐서 균일한 두께를 갖지 않기 때문에, 몇몇의 피쳐에 있어서 텔레스코프(가공)을 거치기 않고 구리 잔여물을 제거하는 것은 어려우며 구리 잔여물 모두가 제거되지는 않는다.
따라서, 전기화학적 기계식 연마를 위한 향상된 장치가 필요하다.
일 실시예에서, 기판 프로세싱용 프로세싱 패드 조립체가 제공된다. 프로세싱 패드 조립체는 프로세싱 표면을 갖는 상부 층 및 상부 층에 연결되는 최상부 측면 및 최상부 층에 대향하는 바닥 측면을 갖는 전극을 포함한다. 제 1 홀 세트는 프로세싱 표면에 전극을 노출시키기 위해 상부 층을 통해 형성된다. 하나 이상의 개구는 상부 층 및 전극을 통해 형성된다.
다른 실시예에서, 프로세싱 패드 조립체는 프로세싱 표면을 갖는 상부 층 및 상부 층에 연결되는 최상부 측면 및 최상부 측면에 대향하는 바닥 측면을 갖는 전극을 포함한다. 전극은 제 1 전도성 구역 및 적어도 제 2 전도성 구역을 포함한다. 제 1 홀 세트는 프로세싱 표면에 전극을 노출시키기 위해 상부 층을 통해 형성된다. 하나 이상의 개구는 상부 층 및 전극을 통해 형성된다.
본 발명의 전술된 특징들을 보다 잘 이해하기 위해서, 간단하게 전술한 본 발명을 몇몇의 예가 첨부 도면에 도시되어 있는 실시예를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
그러나, 첨부 도면은 본 발명의 전형적인 실시예만을 설명하며 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 본 발명이 다른 동일한 효과의 실시예를 허용할 수 있다는 것을 주목해야 한다.
본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 도면에 공통으로 표시되는 동일한 부재는 가능한 동일한 참조 번호를 이용하여 지칭하였다.
기판으로부터 재료의 균일한 제거를 강화하는 프로세싱 패드 조립체가 본 원에 제공된다. 프로세싱 패드 조립체는 적어도 전극 및 프로세싱 패드를 포함한다. 프로세싱 패드는 비-전도성 또는 전도성일 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시예의 프로세싱 패드 조립체(106)를 구비한 프로세싱 스테이션(100)의 단면도이다. 프로세싱 스테이션(100)은 플레튼 조립체(142)에 대해 기판(120)을 지지하는 캐리어 헤드 조립체(118)를 포함한다. 상대적인 이동이 기판(120)을 연마하기 위해서 이들 사이에 제공된다. 상대적인 이동은 회전이동식, 측면이동식, 또는 이들의 조합일 수 있으며, 캐리어 헤드 조립체(118) 및 플레튼 조립체(142) 모두 또는 이들 중 하나에 의해 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 캐리어 헤드 조립체(188)는 ECMP 스테이션(132) 내에 배치되는 플레튼 조립체(142)에 대해 기판(120)을 유지시킨다. 캐리어 헤드 조립체(118)는 베이스(130)에 연결되는 아암(164)에 의해 지지되며 ECMP 스테이션(132) 위에서 연장한다. ECMP 스테이션은 베이스(130)에 연결되거나 근접하게 배치될 수 있다.
캐리어 헤드 조립체(118)는 일반적으로, 캐리어 헤드(122)에 연결되는 구동 시스템(102)을 포함한다. 구동 시스템(102)은 일반적으로 캐리어 헤드(122)에 적어도 회전 이동을 제공한다. 캐리어 헤드(122)는 부가적으로, 캐리어 헤드(122) 내에 유지되는 기판(120)이 프로세싱 중에 ECMP 스테이션(132)의 프로세싱 표면(104)에 대해 배치될 수 있도록 ECMP 스테이션(132)을 향해 작용할 수 있다.
일 실시예에서, 캐리어 헤드(122)는 캘리포니아, 산타클라라(Santa Clara)에 소재하는 어플라이드 머티어리얼즈사(Applied Materials, Inc.)에 의해 제조되는 등록상표 타이탄 헤드(TITAN HEAD™) 또는 등록상표 타이탄 프로파일러(TITAN PROFILER™)일 수 있다. 일반적으로, 캐리어 헤드(122)는 하우징(124) 및 기판이 유지되는 중앙 홈을 형성하는 유지 링(126)을 포함한다. 유지 링(126)은 캐리어 헤드(122) 내에 배치되는 기판(120)의 주위를 둘러싸서 기판이 프로세싱 중에 캐리어 헤드(122)로부터 미끄러지는 것을 방지한다. 다른 캐리어 헤드가 이용될 수 있음을 고려해야 한다.
ECMP 스테이션(132)은 일반적으로 베이스(158) 상에 회전가능하게 배치되는 플레튼 조립체(142)를 포함한다. 베어링(154)은 플레튼 조립체(142)와 베이스(158) 사이에 배치되어 베이스(158)에 대한 플레튼 조립체(142)의 회전을 용이하게 한다. 플레튼 조립체(142)는 통상적으로 플레튼 조립체(142)에 회전 운동을 제공하는 모터(160)에 연결된다.
플레튼 조립체(142)는 상부 플레이트(114) 및 하부 플레이트(148)를 갖는다. 상부 플레이트(114)는 금속, 경질 플라스틱과 같은 경질 재료로 제조될 수 있으며, 일 실시예에서, 폴리염화비닐염화화합물(chlorinated polyvinyl chloride; CPVC)과 같은 유전체 재료로 코팅되거나 제조될 수 있다. 상부 플레이트(114)는 원형, 직사각형 또는 평면의 상부 표면을 갖추어 다른 기하학 형태를 가질 수 있다. 상부 플레이트(114)의 최상부 표면(116)은 상부의 프로세싱 패드 조립체(106)를 지지한다. 프로세싱 패드 조립체(106)는 자기력, 정전력, 진공, 접착제 등에 의해 플레튼 조립체(142)의 상부 플레이트(114)에서 유지될 수 있다.
하부 플레이트(148)는 일반적으로, 알루미늄과 같은 경질 재료로 제조될 수 있으며, 복수의 패스너(도시되지 않음)와 같은 임의의 통상적인 수단에 의해 상부 플레이트(114)에 연결될 수 있다. 일반적으로, 복수의 조정핀(146)(도 1에 하나가 도시됨)은 상부 플레이트(114)와 하부 플레이트(148) 사이에 배치되어 이들 사이에서의 정렬을 보장한다. 상부 플레이트(114) 및 하부 플레이트(148)는 선택적으로 개개, 단일 부재로 제조될 수 있다.
플리넘(138)은 플레튼 조립체(142) 내에 형성되며 상부 또는 하부 플레이트(114, 148)들 중 하나에 부분적으로 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 플리넘(138)은 상부 플레이트(114)의 하부 표면 내에 부분적으로 형성되는 홈(144) 내에 형성된다. 하나 이상의 홀(108)은 상부 플레이트(114) 내에 형성되어 전해질 소오스(170)로부터 플리넘(138)에 제공되는 전해질이 프로세싱 중에 플레튼 조립체(142)를 통해 유동하여 기판(120)과 접촉하게 한다. 플리넘(138)은 홈(144)을 에워싸는 상부 플레이트(114)에 연결되는 커버(150)에 의해 부분적으로 제한된다. 이와 달리, 전해질은 프로세싱 패드 조립체(106)의 최상부 표면 상의 파이프(도시되지 않음)로부터 분배될 수 있다.
하나 이상의 접점 조립체(134)는 프로세싱 패드 조립체(106)와 함께 플레튼 조립체(142) 상에 배치된다. 하나 이상의 접점 조립체(134)는 적어로, 프로세싱 패드 조립체(106)의 상부 표면에서 연장하거나 상부 표면을 넘어 연장하여 기판(120)을 전력 소오스(166)에 전기적으로 연결시킨다. 프로세싱 패드 조립체(106)는 전력 소오스(166)의 다른 말단부(terminal)에 연결되어 전위가 기판(120)과 프로세싱 패드 조립체(106) 사이에 성립될 수 있다.
다시 말해, 프로세싱 중에, 기판(120)이 프로세싱 패드 조립체(106)에 대해 유지될 때, 접점 조립체(134)는 기판(120)을 전력 소오스(166)의 한 말단부에 전기적으로 연결시킴으로써 바이어싱시킨다. 프로세싱 패드 조립체(106)는 전력 소오스(166)의 다른 말단부에 연결된다. 전해질 소오스(170)로부터 도입되며 프로세싱 패드 조립체(106) 상에 배치되는 전해질은 기판(120)과 프로세싱 패드 조립체(160) 사이에서 전기 회로를 완성하며, 기판(120)의 표면으로부터 재료의 제거를 돕는다.
도 2는 도 1의 프로세싱 패드 조립체(106) 및 플레튼 조립체(142)의 부분 단면 확대도이다. 프로세싱 패드 조립체(106)는 적어도 비-전도성 상부 층(212) 및 전도성 하부 층 또는 전극(210)을 포함한다. 도 2에 도시된 실시예에서, 임의의 서브패드(211)는 전극(210)과 상부 층(212) 사이에 배치된다. 임의의 서브패드(211)는 본 원에 기재된 임의의 실시예의 프로세싱 패드 조립체에 이용될 수 있다. 프로세싱 패드 조립체(106)의 전극(210), 서브패드(211), 및 상부 층(212)은 접착제, 본딩, 압축 몰딩 등의 이용으로 단일 조립체로 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 접착제는 전극(210), 서브패드(211), 및 상부 층(212)을 서로 부착시키는데 이용된다. 접착제는 전극(210), 서브패드(211), 및 상부 층(212)에 강한 물리 및/또는 화학적 접착 작용을 할 수 있으며, 전해질 화학 약품에 저항성이 있을 수 있다. 적합한 접착제의 예는 우레탄 접착제, 아크릴 접착제, 메타크릴 접착제, 고무계 접착제, 실리콘 접착제, 에폭시 접착제 등을 포함하며, 이에 제한되는 것은 아니다.
전극(210), 서브패드(211), 및 상부 층(212) 사이의 접착 본딩은 프로세싱 패드 조립체(106)를 형성하도록 선택되는 재료(즉, 패브릭, 스크린, 및 천공체 대 고형체)의 표면 형태, 또는 접착력 개선제의 이용에 의해 증가할 수 있다. 접착력 개선제는 전도성일 수 있다. 접착력 개선제의 예는 실란 커플링제, 티탄산염 커플링제 등을 포함하며 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 달리, 하나 이상의 표면은 접착력을 증가시키도록 화학적으로 처리될 수 있거나 플라즈마 처리될 수 있다. 표면 형태의 임의의 조합, 커플링제, 또는, 화학적 또는 플라즈마 처리는 프로세싱 패드 조립체(106)의 층들 사이의 바람직한 접착력을 달성하도록 이용될 수 있다.
상부 층(212)은 공정 화학 약품과 양립할 수 있는 중합 재료, 예를 들어, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플루오로폴리머, PTFE, PTFA, 폴리페닐렌 황화물(PPS), 또는 이들의 조합물 및 전기화학적 프로세싱 환경에 이용하기에 적합한 다른 재료로 제조될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 패드 조립체(106) 상부 층(212)의 프로세싱 표면(214)은 유전체 예를 들어, 폴리우레탄 또는 다른 폴리머이다.
다른 실시예에서, 프로세싱 패드 조립체(106)의 상부 층(212)은 프로세싱 표면(214)을 포함할 수 있으며, 상기 표면은 전도체이거나 그 중에서 특히, 전도체 코팅된 패브릭 또는 내부에 배치되는 전도성 입자를 갖는 폴리머 매트릭스와 같은전도성 복합체로 형성될 수 있다(즉, 전도성 부재가 프로세싱 표면을 포함하는 재료와 일체형이거나 포함하여 배치된다).
본 발명에 이점이 될 수 있는 프로세싱 패드 조립체의 예는 와이. 휴(Y. Hu)등에 의해 2003년 6월 6일 ("전기화학적 기계식 연마용 전도성 연마 물품(CONDUCTIVE POLISHING ARTICLE FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL POLISHING" 명 칭으로)도켓 번호 4500P4) 출원된 미국 특허 출원 제 10/455,941 호 및 와이. 휴(Y. Hu)등에 의해 2003년 6월 6일 ("전기화학적 기계식 연마용 전도성 연마 물품(CONDUCTIVE POLISHING ARTICLE FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL POLISHING" 명칭으로)도켓 번호 4500P5) 출원된 미국 특허 출원 제 10/455,895 호에 기재되어 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 투과성 통로(218)는 적어도 상부 층(212)을 통해 배치되며 적어도 전극(210)으로 연장하며 - 즉, 투과성 통로(218)는 예를 들어, 서브패드(211)와 같은 임의의 매개 층 내에 배치된다. 통로(218)는 전해질이 기판(120)과 전극(210) 사이의 전도성 경로를 성립하게 한다. 통로(218)는 상부 층(212)의 투과성 부분, 상부 층(212) 내에 형성된 홀, 또는 이 둘의 조합일 수 있다. 존재하는 경우에, 서브패드(211)는 투과성 재료로 형성될 수 있거나, 상부 층(212) 내에 형성되는 홀과 정렬되는 홀을 포함할 수도 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 투과성 통로(218)는 상부 층(212) 및 임의의 서브패드(211)를 통해 복수의 홀(216)이 내부에 형성되어, 전해질이 관통하여 유동하여 프로세싱 중에 전극(210)과 접촉하게 된다.
선택적으로, 투과성 통로(218)의 연장부(222)는 전극(210)(점선으로 도시됨) 내에 그리고 적어도 부분적으로 상기 전극을 통해 형성될 수 있어서 전해질과 접촉하는 전극(210)의 표면적을 증가시킨다. 연장부(222)는 전극(210)을 통해 완전히 연장할 수 있다. 전극(210)과 접촉하는 전해질의 보다 큰 표면적은 프로세싱 중에 기판(120)의 표면으로부터 재료의 제거율을 향상시킨다.
서브패드(211)는 통상적으로, 상부 층(212)의 재료보다는 부드러운 재료 또는 보다 유순한 재료로 형성된다. 상부 층(212)과 서브패드(211) 사이의 경도 또는 경도계의 차이는 바람직한 연마(또는 증착) 수행을 생성시키도록 선택될 수 있다. 일반적으로, 서브패드(211)는 8 쇼어 O(Shore O) 내지 20 쇼어 D(Shore D) 범위로 경도계에 측정된다. 서브패드(211)는 압축될 수도 있다. 적합한 서브패드(211) 재료의 예는 프로세싱 화학 약품과 양립할 수 있는 발포 폴리머, 탄성중합체, 펠트, 침투 펠트 및 플라스틱을 포함하며, 이에 제한되는 것은 아니다.
전극(210)은 플레튼 조립체(142)의 상부 플레이트(114)의 최상부 표면(116) 상에 배치되며, 자기력, 정전력, 진공, 접착제 등에 의해 상기 최상부 표면 상에서 유지될 수 있다. 일 실시예에서, 접착제는 전극(210)을 상부 플레이트(114)에 부착시키는데 이용된다. 릴리즈 필름(release films), 라이너, 및 다른 접착 층과 같은 다른 층은 전극(210)과 상부 플레이트(114) 사이에 배치되어 프로세싱 스테이션(100) 내의 프로세싱 패드 조립체(106)의 운반(handling), 삽입, 및 제거를 용이하게 한다.
전극(210)은 하나 이상의 말단부(202)가 있어 전력 소오스(166)에 연결을 용이하게 하며, 예를 들어, 스테인레스 강 나사(도시되지 않음)로 말단부(202)를 전력 소오스(166)의 리드(204)에 고정시킴으로써 용이하게 한다. 전극(210)은 단일 전극으로서 작용할 수 있거나, 다수의 서로 분리된 독립 전극 구역을 포함할 수 있다. 전극(210)은 통상적으로, 금속, 전도성 합금, 금속 코팅된 패브릭, 전도성 폴리머, 전도성 패드 등과 같은 내식성 전도성 재료로 구성된다. 전도성 금속은 Sn, Ni, Cu, Au 등을 포함한다. 전도성 금속은 Cu, Zn, Al 등과 같은 활성 금속 위에 코팅되는 Sn, Ni, 또는 Au와 같은 내식성 금속을 포함할 수도 있다. 전도성 합금은 청동, 황동, 스테인레스 강, 또는 팔라듐-주석 합금과 같은 금속 합금 및 무기 합금을 포함한다. 금속 코팅된 패브릭은 임의의 내식성 금속 코팅으로 짜여지거나 안 짜일 수도 있다. 전도성 패드는 폴리머 매트릭스 내에 배치되는 전도성 필러로 이루어진다. 전극(210)은 다 구역 전극이 이용될 수 있는 경우에 구역 들 사이에 누화(cross-talk)를 최소화하기 위해서 전해질 화학 약품과 양립할 수 있는 재료로 제조될 수 있어야 한다. 예를 들어, 전해질 화학 약품에서의 금속 안정성(metals stable)은 상기 구역 누화를 최소화할 수 있다.
금속이 전극(210)용 재료로 이용되는 경우에, 이는 고체 시트일 수 있다. 이와 달리, 전극(210)은 (도 5에 도시된 전극(510)으로 도시된 바와 같이) 금속 스크린으로 형성될 수 있거나, 상부 층(212) 또는 임의의 서브패드(211)에 접착력을 증가시키기 위해서 (도 6에 도시된 전극(610)으로 도시된 바와 같이) 천공이 형성될 수 있다. 전극(210)은 상부 층(212) 또는 임의의 서브패드(211)에 접착력을 증가시키기 위해서 전술된 바와 같이, 접착력 개선제가 제공될 수도 있다. 금속 스크린으로 형성되거나 천공이 형성된 전극(210)은 보다 큰 표면적을 가지기도 하며, 프로세싱 중에 기판 제거율을 더 증가시킨다.
전극(210)이 금속 스크린, 천공이 형성된 금속 시트, 또는 전도성 패브릭으로 제조되는 경우에, 전극(210)의 한 측면은 폴리머 층으로 라미네이팅, 코팅, 또는 몰딩될 수 있으며, 상기 폴리머 층은 상부 층(212) 또는 임의의 서브패드(211) 에 접착력을 더 증가시키기 위해서 전극(210)의 개구를 관통한다. 전극(210)이 전도성 패드로 형성되는 경우에, 전도성 패드의 폴리머 매트릭스는 상부 층(212) 또는 임의의 서브패드(211)에 도포되는 접착제에 높은 친화력을 갖거나 상호 작용 할 수 있다.
하나 이상의 개구(220)가 프로세싱 패드 조립체(106)의 전극(210), 임의의 서브패드(211), 및 상부 층(212) 내에 형성된다. 하나 이상의 개구(220) 각각은 관통하여 배치되는 접점 조립체(134)를 수용하도록 크기 및 위치가 정해진다. 일 실시예에서, 하나 이상의 개구(220)는 단일 접점 조립체(134)를 수용하기 위해서 프로세싱 패드 조립체(106)의 중앙에 형성되는 단일 개구이다.
접점 조립체(134)는 전력 소오스(166)에 연결된다. 하나의 접점 조립체(134)만이 도 2의 플레튼 조립체(142)의 상부 층(114)에 연결되지만, 임의의 수의 접점 조립체(134)가 이용될 수 있으며 플레튼 조립체(142) 상부 층(114) 상에 임의의 수의 배열로 분포될 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 원에 기재된 본 발명의 다양한 실시예로 이용하는데 이로울 수 있는 다 구역을 갖는 전극의 대안적인 실시예의 저면도이다. 도 3에서, 전극(310)은 하나 이상의 유전체 스페이서 및 두 개 이상의 전도성 부재를 포함한다. 전도성 부재는 전극(310)의 표면에 걸쳐 복수의 독립적으로 바이어싱 가능한 구역을 생성시키도록 배열된다. 도 3에 도시된 실시예에서, 전극(310)은 세 개 이상의 전도성 부재(350, 352, 354)를 가지며, 상기 전도성 부재는 전극 구역, 외부 전극 구역(324), 매개 전극 구역(326), 및 내부 전극 구역(328)을 생성시키도록 유전체 스페이서(390)에 의해 서로 전기적으로 분리된다. 점선의 경계선(380)으로 분리되어 도시된 각각의 전극 구역(324, 326, 328)은 독립적으로 바이어싱될 수 있어서 기판 연마 프로파일을 조정하게 한다. 전극 구역 바이어스 제어법을 구비한 연마 방법의 한 예는 본 원에 전체가 참조되며, 2002년 9월 16일에 출원된 미극 특허 제 10/244,697 호에 기재되어 있다.
전극 구역(324, 326, 328) 및 전도성 부재(350, 352, 354)가 동심 링으로 도시되지만, 전극 구역은 이와 달리, 특정 연마 분야에 적합하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전극 구역(324, 326, 328) 및/또는 전도성 부재(350, 352, 354)는 선형, 곡선형, 동심의, 나선형 곡선 또는 다른 형상으로 이루어질 수 있으며, 이러한 배열은 전도성 부재에 있어서 가능할 수 있다. 전극 구역(324, 326, 328) 및/또는 전도성 부재(350, 352, 354)는 한 구역에서 다른 구역으로 실질적으로 동일한 크기 및 형상으로 구성될 수 있거나, 크기 및 형상은 중요한 특정 구역에 따라서 변할 수 있다.
도 4는 복수의 독립적으로 바이어싱 가능한 전극 구역을 구비한 전극(410)의 다른 실시예를 도시하고 있다. 일 실시예에서, 전극(410)은 적어도 n 구역 전극(전극(4101, 4102, 4103)으로 도시됨)을 가지며, 상기 n은 2 이상의 정수이다. 전극(4101, 4102, 4103)은 각각 전력 소오스에 연결을 위해 각각의 말단부(4021, 4022, 4023)를 포함한다. 전극(4101, 4102, 4103)은 일반적으로 유전체 스페이서(406), 공기 갭에 의해 분리되어 각각 독립 전극 구역을 형성한다. 전극(4101, 4102, 4103) 은 도 1 및 도 2에 도시된 접점 조립체(134)와 같이 하나 이상의 전도성 부재와의 접속 연결을 용이하게 하기 위해서 하나 이상의 개구(420)를 포함할 수 있다.
본 발명의 전술된 내용은 본 발명의 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예가 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있으며 본 발명의 범위는 다음 청구 범위에 의해 결정된다.
도 1은 프로세싱 패드 조립체를 구비한 전기화학적 기계식 프로세싱 시스템의 프로세싱 스테이션의 측면 부분 횡단면도이며,
도 2는 도 1 프로세싱 스테이션의 플레튼 및 프로세싱 패드 조립체 일 실시예의 부분 단면 확대도이며,
도 3은 도 1 프로세싱 스테이션의 프로세싱 패드 조립체 전극의 일 실시예의 평면도이며,
도 4는 도 1 프로세싱 스테이션의 프로세싱 패드 조립체 전극의 다른 실시예의 평면도이며,
도 5는 도 1 프로세싱 스테이션의 프로세싱 패드 조립체 전극의 다른 실시예의 평면도이며,
도 6은 도 1 프로세싱 스테이션의 프로세싱 패드 조립체 전극의 다른 실시예의 평면도이다.

Claims (1)

  1. 프로세싱 패드 조립체로서,
    프로세싱 표면을 갖는 상부 층;
    상기 상부 층에 연결되는 최상부 측면 및 상기 최상부 측면에 대향하는 바닥 측면을 갖는 전극;
    상기 전극을 상기 프로세싱 표면에 노출시키기 위해 상기 상부 층을 통해 형성되는 제 1 홀 세트; 및
    상기 상부 층 및 상기 전극을 통해 형성되는 하나 이상의 개구를 포함하는,
    프로세싱 패드 조립체.
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