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KR20070098178A - 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드패키지 - Google Patents

방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드패키지 Download PDF

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KR20070098178A
KR20070098178A KR1020060029498A KR20060029498A KR20070098178A KR 20070098178 A KR20070098178 A KR 20070098178A KR 1020060029498 A KR1020060029498 A KR 1020060029498A KR 20060029498 A KR20060029498 A KR 20060029498A KR 20070098178 A KR20070098178 A KR 20070098178A
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light emitting
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김남영
이재진
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서울반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 발광 다이오드 칩에서 생성된 열을 효과적으로 외부로 방출하는 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임으로, 상기 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재하는 면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부;를 포함하는 리드 프레임을 제공한다.
방열부, 리드 프레임, 발광 다이오드 패키지

Description

방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지{lead frame having heat emitting portion and light emitting diode package using the same}
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 종래의 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 4는 도 3의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드 프레임들의 사시도이다.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1,100: 발광 다이오드 패키지 10,110: 발광 다이오드 칩
20,120: 패키지 본체 21,121: 개구부
122: 본딩 와이어 123: 몰딩부
30,130: 제1 리드 프레임 131: 본체부
135: 제1 방열부 136: 제2 방열부
137a,137b,137c,137d,147: 홈부들 40,140: 제2 리드 프레임
본 발명은 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재하는 면과 수직으로 연장되어 발광 다이오드 칩에서 생성된 열을 효과적으로 외부로 방출하는 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
최근 광원으로 발광 다이오드 칩(light emitting diode chip; LED chip)의 사용이 증가하고 있다. 이러한 발광 다이오드 칩의 광출력은 대체로 입력전류(input current)의 크기에 비례한다. 따라서, 발광 다이오드 칩에 입력되는 전류의 크기를 증가시켜 높은 광출력을 얻을 수 있다. 그러나, 입력되는 전류 크기의 증가는 발광 다이오드의 접합 온도(junction temperature)를 증가시킨다. 상기 발광 다이오드 칩의 접합 온도의 증가는 입력 에너지가 가시광으로 변환되는 정도를 나타내는 발광 효율(photometric efficiency)의 감소로 이어진다. 따라서, 입력 전류 크기의 증가에 따른 발광 다이오드 칩의 접합 온도 증가를 방지하는 것이 요구된다.
한편, 일반적으로 발광 다이오드 칩을 이용하는 광원 시스템은 사용하고자 하는 용도에 따라 여러 형태의 패키지에 발광 다이오드 칩을 실장하여 형성한다. 이러한 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임을 사용한다.
도 1 및 도 2는 종래의 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 평면도 및 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 발광 다이오드 패키지(1)는 발광 다이오드 칩(10), 패키지 본체(20), 제1 및 제2 리드 프레임들(30,40)을 포함한다.
제1 및 제2 리드 프레임들(30,40)은 패키지 본체(20)에 의해 지지되며, 패키지 본체(20)는 리드 프레임들(30,40)을 삽입 몰딩하여 형성될 수 있다.
패키지 본체(20)는 제1 및 제2 리드 프레임들(30,40)을 노출시키는 개구부(21)를 갖는다. 제1 및 제2 리드 프레임들(30,40)은 개구부(21)의 바닥에 위치하며, 개구부(21) 내에서 서로 이격되어 있다. 또한 제1 및 제2 리드 프레임들(30,40)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 패키지 본체(20)의 외부로 돌출되어 있다.
제1 리드 프레임(30)에는 제1 및 제2 리드 프레임(30,40)을 통해 전류를 입력받아 발광하는 발광 다이오드 칩(10)이 탑재된다. 발광 동작시 발광 다이오드 칩(10)은 상당한 열을 생성하며 이는 리드 프레임들(30,40), 특히 발광 다이오드 칩(10)을 탑재하고 있는 제1 리드 프레임(30)을 통해 외부로 방출된다.
그러나 종래의 발광 다이오드 패키지(1)의 리드 프레임들(30,40)은 외부 공기와 접촉하는 표면적이 너무 작아 발광 다이오드 칩(10)에서 생성되는 열을 효과적으로 외부로 방출하지 못하고, 이에 따라 발광 효율이 감소되고 발광 다이오드 패키지(1)의 구성요소들 간의 팽창 계수의 차이로 인해 발광 다이오드 패키지(1)가 변형되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광 다이오드 패 키지의 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 효과적으로 방출시켜 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 개선하고 고휘도의 빛을 장시간 생성할 수 있도록 함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임으로, 상기 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부;를 포함하는 리드 프레임인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 리드 프레임의 타측면에 상기 제1 방열부에 대향되도록 형성된 제2 방열부;를 더 포함한다.
더욱 바람직하게는 상기 리드 프레임에는 홈부가 형성된다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 리드 프레임을 포함하는 발광 다이오드 패키지로, 발광 다이오드 칩; 상기 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부를 포함하는 리드 프레임;을 포함하는 발광 다이오드 패키지인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 리드 프레임은 상기 리드 프레임의 타측면에 상기 제1 방열부에 대향되도록 형성된 제2 방열부;를 더 포함한다.
더욱 바람직하게는 상기 리드 프레임에는 홈부가 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이고, 도 4는 도 3의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드 칩(110), 패키지 본체(120), 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)을 포함한다.
상기 발광 다이오드 칩(110)은 상기 패키지 본체(120)의 개구부(121) 내에 실장되고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)을 통해 외부 전원으로부터 전류를 입력받아 미리 정해진 파장의 빛을 생성한다. 상기 발광 다이오드 칩(110)은 상기 외부 전원으로부터 공급받은 전류를 광으로 전환하는 과정에서 상당한 열이 발광 다이오드 칩(110)에 의해 생성되어 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 다른 구성요소, 특히 상기 제1 리드 프레임(130)으로 전달된다.
상기 패키지 본체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)을 노출시키는 상기 개구부(121)를 가지며, 상기 개구부(121)에 의해 발광 다이오드 칩 실장 영역이 노출된다.
상기 개구부(121) 내의 발광 다이오드 칩 실장 영역에 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장되어 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광 다이오드 칩(110)은, 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드 프레임(130) 상에 탑재될 수 있으며, 본딩 와이어(122)에 의해 상기 제2 리드 프레임(140)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 개구부(121)의 측벽은 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 빛을 요 구되는 방향으로 반사시키기 위한 경사진 반사면을 형성한다.
상기 개구부(121)는 상기 발광 다이오드 칩이 외부로 노출되는 것을 차단하여 발광 성능을 향상하기 위한 몰딩부(123)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(123)는 통상 투명 에폭시를 포함하는 몰딩재가 경화되어 이루어지고, 상기 발광 다이오드 칩(110)의 파장을 변환하는 형광체가 포함될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(123)는 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 발생된 열이 외부로 방열될 수 있도록 열전도율이 우수한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 패키지 본체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)을 지지하며 상기 리드 프레임들(130,140)을 삽입 몰딩하여 형성될 수 있다. 또한 상기 패키지 본체(120)는 일체로 형성될 수 있으나 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)의 위치를 기준으로 상부 패키지 본체와 하부 패키지 본체로 구분되도록 형성될 수 도 있다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)의 상부는 상기 개구부(121)의 바닥에 위치하며, 상기 개구부(121) 내에서 서로 이격되어 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)은 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 상기 패키지 본체(120)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 상기 제1 및 제2 리드 프레임들(130,140)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.
특히, 상기 제1 리드 프레임(130)은 본체부(131)와 상기 본체부(131)의 각 일측면에 발광 다이오드 칩(110)이 탑재되는 면, 즉 상부면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부(135) 및 제2 방열부(136)를 포함한다.
상기 제1 및 제2 방열부(135,136)는 상기 제1 리드 프레임(130)에 탑재된 발광 다이오드 칩(110)에서 발생된 열을 전달받아 외부로 방출하는 역할을 수행한다. 상기 리드 프레임들(130,140)은 일반적으로 전도성 금속 물질로 이루어지며 외부공기와 접촉하는 표면적이 클수록 발열 효율이 좋다. 상기 제1 리드 프레임(130)의 제1 및 제2 방열부(135,136)는 상기 제1 리드 프레임(130)이 외부 공기와 접촉하는 표면적을 크게 하여 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 온도가 종래의 발광 다이오드 패키지에 비해 낮아진다. 또한 상기 발광 다이오드 칩(110)에 입력되는 전류가 증가되더라도 패키지 온도가 크게 변화하지 않아 고휘도의 빛을 안정적으로 방출할 수 있다.
그리고, 상기 제1 리드 프레임(130)은 열분산을 촉진하기 위한 홈부들(137a,137b,137c,137d)을 포함할 수 있다. 상기 홈부들(137a,137b,137c,137d)은 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 생성된 열이 상기 제1 리드 프레임(130) 전체에 골고루 분산되어 열방출 효율을 높이는 역할을 수행한다.
이에 더해, 상기 제1 리드 프레임(130)의 본체부(131)는 상기 발광 다이오드 칩(110)이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 상기 패키지 본체(120)의 측면에 접하도록 형성된 측부 및 상기 측부에서 상기 패키지 본체(120)의 저면에 접하도록 연장되어 형성된 저부를 포함한다.
상기 제2 리드 프레임(140)은 상기 제1 리드 프레임(130)에 대향되게 위치하여 상부면이 상기 패키지 본체(120)의 개구부(121)를 통해 노출된다. 또한 상기 제2 리드 프레임(140)은 상기 상부면과 수직으로 연장되어 상기 패키지 본체(120)의 측면에 접하도록 형성된 측부 및 상기 측부에서 상기 패키지 본체(120)의 저면에 접하도록 연장되어 형성된 저부를 포함한다. 상기 제2 리드 프레임(140)은 상기 제1 리드 프레임(130)과 같이 열분산을 촉진하기 위한 홈부(147)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 리드프레임(130,140)의 저부는 인쇄회로기판 등(미도시)에 연결되어 외부 전원으로부터 전류를 입력받아 상기 측부 및 상기 상부를 통해 상기 발광 다이오드 칩(110)으로 전달하거나 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 전달받은 입력 전류를 상기 상부 및 상기 측부를 통해 상기 인쇄회로기판으로 출력한다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)의 홈부들(137a,137b,137c,137d,147)은 도시된 바와 같이 상기 상부와 상기 측부의 경계에 위치할 수 있다. 상기 측부가 상기 패키지 본체(120)의 측면에 접하도록 절곡되어 형성되는 경우, 상기 홈부들(137a,137b,137c,137d,147)을 상기 상부와 상기 측부의 경계에 위치시켜 상기 측부를 보다 용이하게 절곡시킬 수 있게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드 프레임들의 사시도이다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)은 상부, 측부 및 저부를 포함하며 상기 제1 리드 프레임(130)은 제1 및 제2 방열부(135,136)를 추가적으로 포함한다.
상기 제1 및 제2 방열부(135,136)는 상기 제1 리드 프레임(130)의 일측면에 발광 다이오드 칩(110)이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 형성되며, 상기 제1 방열부(130) 및 제2 방열부(140)는 서로 대향되게 위치한다.
상기 발광 다이오드 칩(110)은 다른 발광 장치에 비해 높은 효율을 가지나 외부 전원으로부터 공급받은 전류를 광으로 전환하는 발광효율이 100%는 아니며 상기 발광 다이오드 칩(110)이 동작함에 따라 상당한 열이 상기 발광 다이오드 칩(110)에 의해 생성된다. 이에 따라 상기 발광 다이오드 칩(110)이 탑재되는 상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 생성되는 열로 인해 상기 제2 리드 프레임(140)에 비해 상대적으로 높은 온도를 가지게 된다. 이러한 열로 인해 몰딩부(123), 패키지 본체(120) 등에 변형이 일어나게 되며 각 구성요소의 열팽창 계수의 차이로 인해 각 구성요소에 열응력이 가해진다. 열방출이 적절하게 이루어지지 않는 경우 상기 발광 다이오드 패키지(100)가 변형되는 문제점이 발생할 수도 있다. 상기 제1 및 제2 방열부(135,136)는 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 발생한 열을 효과적으로 외부로 방출시켜 발광 다이오드 패키지(100)의 온도를 적절하게 유지시켜 줄 뿐만 아니라 높은 전류를 입력받아 장시간 동안 고휘도의 빛을 생성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 방열부(135,136)는 도시된 바와 같이 사각형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 여러 다양한 형태를 취할 수 있다. 상기 제1 및 제2 방열부(135,136)는 상기 발광 다이오드 패키지(100)가 허용하는 범위 내에서 표면적을 최대한 크게 하여 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 열방출을 촉진시킬 수 있다. 그러나 상기 제1 및 제2 방열부(135,136)의 크기가 증가하면 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 크기 또한 증가될 뿐만 아니라 인쇄회로기판 상에 상대적으로 넓은 면적을 필요로 할 수 있으므로 여러 다른 설계 사항들을 고려해서 그 크기를 결정해야 한다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임(130,140)은 열분산을 촉진하기 위한 다수의 홈부들(137a,137b,137c,137d,147)을 포함할 수 있다. 상기 홈부들(137a,137b,137c,137d,147)은 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 생성된 열이 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130,140) 전체에 걸쳐 골고루 분산되도록 하여 열방출을 촉진시키는 역할을 수행한다.
이하, 종래 기술의 발광 다이오드 패키지와 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 성능을 비교하기 위한 시뮬레이션을 한 결과를 설명한다.
시뮬레이션 결과를 표 1에 요약하였다. 여기서 TJ는 접합온도, Re는 열저항, I는 발광 다이오드 칩의 입력 전류를 나타낸다.
I = 20 mA I = 40 mA I = 50 mA
종래 기술 TJ[℃] 48.1 N/A N/A
Re[℃/W] 350 N/A N/A
본원 발명 TJ[℃] 40.88 56.76 64.69
Re[℃/W] 240.6 240.6 240.54
표 1에 나타난 바와 같이, 본원발명은 동일한 입력 전류, 예들 들어 20 mA가 발광 다이오드에 인가된 경우에 종래 기술에 비해 접합 온도가 낮으며 입력 전류를 증가시켜도 접합 온도 및 열저항의 변화가 적음을 알 수 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재하는 면과 수직으로 연장되어 형성된 방열부를 통해 발광 다이오드 패키지의 발광 다이오드 칩에서 발생된 열을 외부로 효과적으로 방출시켜 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 개선하고 고휘도의 빛을 장시간 생성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면 리드 프레임에 마련된 홈부를 통해 발광 다이오드 칩에서 발생된 열을 효과적으로 분산시켜 발광 다이오드 패키지의 발광 다이오드 칩에서 발생된 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 효과도 있다.

Claims (6)

  1. 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임으로,
    상기 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부;
    를 포함하는 리드 프레임.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 리드 프레임의 타측면에 상기 제1 방열부에 대향되도록 형성된 제2 방열부;
    를 더 포함하는 리드 프레임.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 리드 프레임에는 홈부가 형성된 리드 프레임.
  4. 리드 프레임을 포함하는 발광 다이오드 패키지로,
    발광 다이오드 칩;
    상기 리드 프레임의 일측면에 발광 다이오드 칩이 탑재되는 면과 수직으로 연장되어 형성된 제1 방열부를 포함하는 리드 프레임;
    을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 리드 프레임은
    상기 리드 프레임의 타측면에 상기 제1 방열부에 대향되도록 형성된 제2 방열부;
    를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 리드 프레임에는 홈부가 형성된 발광 다이오드 패키지.
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